JP2000150295A - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電解処理装置を必要とせずに、容易に他方の
電極を作ることができるコンデンサを得る。 【解決手段】 リード線１１の端部が埋設されるよう
に、チタン粉末を用いて焼結体９からなる一方の電極を
成形する。焼結体９の表面上に無電解式の水熱合成法に
より結晶性のＰＺＴ膜１３を形成する。ＰＺＴ膜１３を
形成した焼結体９を粒径が１００オングストローム以下
の独立分散型の金、銀、銀・パラジウム合金等の超微粒
子が界面活性剤からなる溶液中にコロイド状で存在する
分散液に浸漬する。そして、真空引きを焼結体９に加え
て焼結体９の多孔部内に分散液を浸透させて焼結体９上
のＰＺＴ膜１３の表面全体を分散液の膜で覆う。分散液
の膜を焼成して導電膜１５からなる他方の電極を形成し
て、コンデンサ素子１を作る。コンデンサ素子１の表面
の導電膜１５上にリード線の端部を半田付け接続する。
電極を作ることができるコンデンサを得る。 【解決手段】 リード線１１の端部が埋設されるよう
に、チタン粉末を用いて焼結体９からなる一方の電極を
成形する。焼結体９の表面上に無電解式の水熱合成法に
より結晶性のＰＺＴ膜１３を形成する。ＰＺＴ膜１３を
形成した焼結体９を粒径が１００オングストローム以下
の独立分散型の金、銀、銀・パラジウム合金等の超微粒
子が界面活性剤からなる溶液中にコロイド状で存在する
分散液に浸漬する。そして、真空引きを焼結体９に加え
て焼結体９の多孔部内に分散液を浸透させて焼結体９上
のＰＺＴ膜１３の表面全体を分散液の膜で覆う。分散液
の膜を焼成して導電膜１５からなる他方の電極を形成し
て、コンデンサ素子１を作る。コンデンサ素子１の表面
の導電膜１５上にリード線の端部を半田付け接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特開平９−１７６８４号等には、チタン
を主成分とする多孔性の焼結体をコンデンサの一方の電
極として用い、この焼結体の表面上に電解式の水熱合成
法により強誘電体膜を形成したコンデンサの構造が開示
されている。三次元構造体を有する多孔性の焼結体から
なる電極の表面積は、平面状の電極の表面積に比べて大
きいため、大きな容量を得ることができる。２本のリー
ド線を有するこの種のコンデンサは次のようにして作
る。まず、一方のリード線の端部が固定されたチタン又
はチタン合金を主成分とする多孔性の焼結体を作る。次
にこの焼結体を水酸化ストロンチウム等の強誘電体膜を
形成する材料を含有するアルカリ溶液中に白金板からな
る対向電極と共に浸漬する。そして高温、高圧の環境下
で焼結体と対向電極とに電圧を印加して電解処理を行う
電解式の水熱合成法により焼結体の表面に強誘電体膜を
形成する。次に強誘電体膜にＭｎＯ2 等の金属酸化物を
介して電解処理により導電性高分子化合物膜からなる他
方の電極を作ってコンデンサ素子を完成する。導電性高
分子化合物は、多孔性の焼結体の微細な多孔部に入り込
んで、焼結体の表面に付着するので、焼結体上に形成さ
れた強誘電体膜の表面全体に膜を形成することができ
る。次にコンデンサ素子の表面上に導電性ペースト（カ
ーボンペーストと銀樹脂ペースト）を用いてリード線接
続用の電極層を形成する。そして、この電極層に他方の
リード線の端部を半田付けする。
を主成分とする多孔性の焼結体をコンデンサの一方の電
極として用い、この焼結体の表面上に電解式の水熱合成
法により強誘電体膜を形成したコンデンサの構造が開示
されている。三次元構造体を有する多孔性の焼結体から
なる電極の表面積は、平面状の電極の表面積に比べて大
きいため、大きな容量を得ることができる。２本のリー
ド線を有するこの種のコンデンサは次のようにして作
る。まず、一方のリード線の端部が固定されたチタン又
はチタン合金を主成分とする多孔性の焼結体を作る。次
にこの焼結体を水酸化ストロンチウム等の強誘電体膜を
形成する材料を含有するアルカリ溶液中に白金板からな
る対向電極と共に浸漬する。そして高温、高圧の環境下
で焼結体と対向電極とに電圧を印加して電解処理を行う
電解式の水熱合成法により焼結体の表面に強誘電体膜を
形成する。次に強誘電体膜にＭｎＯ2 等の金属酸化物を
介して電解処理により導電性高分子化合物膜からなる他
方の電極を作ってコンデンサ素子を完成する。導電性高
分子化合物は、多孔性の焼結体の微細な多孔部に入り込
んで、焼結体の表面に付着するので、焼結体上に形成さ
れた強誘電体膜の表面全体に膜を形成することができ
る。次にコンデンサ素子の表面上に導電性ペースト（カ
ーボンペーストと銀樹脂ペースト）を用いてリード線接
続用の電極層を形成する。そして、この電極層に他方の
リード線の端部を半田付けする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のコンデンサでは、強誘電体膜にＭｎＯ2 等の金属酸
化物を介して導電性高分子化合物膜からなる他方の電極
を形成するため、他方の電極の形成作業が繁雑である
上、他方の電極の形成にコストがかかる問題があった。
また、従来のコンデンサで、コンデンサ素子の表面上に
銀ペースト等の半田付け可能な導電性ペーストを用いて
リード線接続用の電極層を形成すると、電極層形成のた
めの工程が増える上、電極層の形成でコンデンサのコス
トが更に高くなる問題があった。
来のコンデンサでは、強誘電体膜にＭｎＯ2 等の金属酸
化物を介して導電性高分子化合物膜からなる他方の電極
を形成するため、他方の電極の形成作業が繁雑である
上、他方の電極の形成にコストがかかる問題があった。
また、従来のコンデンサで、コンデンサ素子の表面上に
銀ペースト等の半田付け可能な導電性ペーストを用いて
リード線接続用の電極層を形成すると、電極層形成のた
めの工程が増える上、電極層の形成でコンデンサのコス
トが更に高くなる問題があった。
【０００４】本発明の目的は、強誘電体膜電の上に導電
膜を直接形成することができるコンデンサ及びその製造
方法を提供することにある。
膜を直接形成することができるコンデンサ及びその製造
方法を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、半田付け可能な電極
層を導電膜とは別個に形成する必要のないコンデンサ及
びその製造方法を提供することにある。
層を導電膜とは別個に形成する必要のないコンデンサ及
びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、チタン又はチ
タン化合物を主成分とする多孔質の三次元構造体と、三
次元構造体の表面の上に形成された強誘電体膜と、強誘
電体膜上に形成された導電膜とを備えるコンデンサ素子
を具備するコンデンサを改良の対象にする。本発明で
は、粒径が１００オングストローム以下の金属超微粒子
が凝集することなく独立して分散しているコロイド状の
分散液を用いて形成された金属超微粒子からなる金属粒
子膜により記導電膜を構成する。より具体的に説明する
と、この金属粒子膜は、粒径が１００オングストローム
以下の独立分散型の（凝集しないで粒子が個々に独立し
て分散する）金、銀、銀・パラジウム合金等の超微粒子
が界面活性剤からなる溶液中にコロイド状で存在する分
散液を三次元構造体表面全体に付着させ、付着した分散
液を加熱，硬化させることにより形成する。このような
金属粒子膜は、金属粒子が１００オングストローム以下
の超微粒子であること及び加熱，硬化後に分散液の溶媒
が揮発し、金属粒子膜中には、金属粒子以外の物質が残
留しない点が、導電塗料を用いて形成する層と特に異な
っている。金属超微粒子は、三次元構造体の多孔部内に
入り込むので、導電膜は、三次元構造体上に形成された
強誘電体膜の表面全体に形成されて他方の電極となる。
そのため、本発明によれば電解処理装置を用いることな
く、簡単に他方の電極を形成できる。しかも従来のよう
に金属酸化物を介することなく、強誘電体膜電の上に導
電膜を直接形成することができる。
タン化合物を主成分とする多孔質の三次元構造体と、三
次元構造体の表面の上に形成された強誘電体膜と、強誘
電体膜上に形成された導電膜とを備えるコンデンサ素子
を具備するコンデンサを改良の対象にする。本発明で
は、粒径が１００オングストローム以下の金属超微粒子
が凝集することなく独立して分散しているコロイド状の
分散液を用いて形成された金属超微粒子からなる金属粒
子膜により記導電膜を構成する。より具体的に説明する
と、この金属粒子膜は、粒径が１００オングストローム
以下の独立分散型の（凝集しないで粒子が個々に独立し
て分散する）金、銀、銀・パラジウム合金等の超微粒子
が界面活性剤からなる溶液中にコロイド状で存在する分
散液を三次元構造体表面全体に付着させ、付着した分散
液を加熱，硬化させることにより形成する。このような
金属粒子膜は、金属粒子が１００オングストローム以下
の超微粒子であること及び加熱，硬化後に分散液の溶媒
が揮発し、金属粒子膜中には、金属粒子以外の物質が残
留しない点が、導電塗料を用いて形成する層と特に異な
っている。金属超微粒子は、三次元構造体の多孔部内に
入り込むので、導電膜は、三次元構造体上に形成された
強誘電体膜の表面全体に形成されて他方の電極となる。
そのため、本発明によれば電解処理装置を用いることな
く、簡単に他方の電極を形成できる。しかも従来のよう
に金属酸化物を介することなく、強誘電体膜電の上に導
電膜を直接形成することができる。
【０００７】本発明のコンデンサでは、半田付け可能な
リード線接続用の電極層を具備するものがある。この電
極層は、導電膜に電気的に接続されてコンデンサ素子の
表面上に形成されている。この電極層も金属粒子膜によ
って形成することができる。その場合、金属超微粒子は
半田付け可能な金、銀、銀・パラジウム合金等の金属に
より形成すればよい。このように電極層も金属粒子膜に
よって形成すれば、電極層を導電膜とは別個に形成する
必要がなく、コンデンサのコストを低くできる。
リード線接続用の電極層を具備するものがある。この電
極層は、導電膜に電気的に接続されてコンデンサ素子の
表面上に形成されている。この電極層も金属粒子膜によ
って形成することができる。その場合、金属超微粒子は
半田付け可能な金、銀、銀・パラジウム合金等の金属に
より形成すればよい。このように電極層も金属粒子膜に
よって形成すれば、電極層を導電膜とは別個に形成する
必要がなく、コンデンサのコストを低くできる。
【０００８】強誘電体膜としては、チタン酸ジルコン酸
鉛膜（ＰＺＴ膜）、チタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ
膜）、チタン酸バリウム膜（ＢＴＯ膜）等がある。ＰＺ
Ｔ膜は、三次元構造体を、高温且つ高圧環境下にあるＰ
ｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物を含む強アルカリ溶
液中に無電解状態で浸漬する水熱合成法により形成す
る。その場合、Ｐｂ化合物としてはＰｂ（ＮＯ3 ）2 等
を用い、Ｚｒ化合物としてはＺｒＯＣｌ2 等を用い、Ｔ
ｉ化合物としてはＴｉＣｌ4 等を用いることができる。
また、これらの化合物として有機金属を用いても良い。
また、ＳＴＯ膜，ＢＴＯ膜は、電解式の水熱合成法によ
り形成すればよい。
鉛膜（ＰＺＴ膜）、チタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ
膜）、チタン酸バリウム膜（ＢＴＯ膜）等がある。ＰＺ
Ｔ膜は、三次元構造体を、高温且つ高圧環境下にあるＰ
ｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物を含む強アルカリ溶
液中に無電解状態で浸漬する水熱合成法により形成す
る。その場合、Ｐｂ化合物としてはＰｂ（ＮＯ3 ）2 等
を用い、Ｚｒ化合物としてはＺｒＯＣｌ2 等を用い、Ｔ
ｉ化合物としてはＴｉＣｌ4 等を用いることができる。
また、これらの化合物として有機金属を用いても良い。
また、ＳＴＯ膜，ＢＴＯ膜は、電解式の水熱合成法によ
り形成すればよい。
【０００９】本発明のコンデンサの導電膜の具体的な形
成方法は、コロイド状の分散液の膜により三次元構造体
上の強誘電体膜を覆い、その後に分散液の膜を焼成して
金属超微粒子膜を形成して導電膜とする。このような分
散液の膜は、分散液中に強誘電体膜を形成した三次元構
造体を浸漬した状態で、真空引きまたは超音波振動を三
次元構造体に加えて分散液を三次元構造体の内部に浸透
させ、その後、三次元構造体を分散液中から引き上げて
形成すればよい。このようにすれば、三次元構造体の内
部に分散液を十分に浸透でき、三次元構造体上の強誘電
体膜の表面全体に確実に導電膜を形成することができ
る。
成方法は、コロイド状の分散液の膜により三次元構造体
上の強誘電体膜を覆い、その後に分散液の膜を焼成して
金属超微粒子膜を形成して導電膜とする。このような分
散液の膜は、分散液中に強誘電体膜を形成した三次元構
造体を浸漬した状態で、真空引きまたは超音波振動を三
次元構造体に加えて分散液を三次元構造体の内部に浸透
させ、その後、三次元構造体を分散液中から引き上げて
形成すればよい。このようにすれば、三次元構造体の内
部に分散液を十分に浸透でき、三次元構造体上の強誘電
体膜の表面全体に確実に導電膜を形成することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態のコ
ンデンサの概略断面図である。本図に示すように、この
コンデンサは、コンデンサ素子１と、コンデンサ素子１
に半田接続部３により一端が接続されたリード線５と、
樹脂外装部７とを有している。コンデンサ素子１は、図
２の部分拡大図に示すように、一方の電極を構成するチ
タンを主成分とする多孔性の三次元構造体からなる焼結
体９を有しており、この焼結体９の内部には、チタン製
のリード線１１の端部が埋設されて固定されている。な
お図２では、焼結体９の多孔部を誇張して描いている。
そして、焼結体９の表面全体及びリード線１１の焼結体
９側の一部分上には、図３の部分拡大図に示すように、
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型のチ
タン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる強誘電体膜（Ｐ
ＺＴ膜）１３が無電解式の水熱合成法により形成されて
いる。そして、この強誘電体膜１３の表面には他方の電
極を構成する金属粒子膜からなる導電膜１５が形成され
ている。導電膜１５は、粒径が１００オングストローム
以下の銀・パラジウム合金からなる金属超微粒子により
形成されている（図２では強誘電体膜１３，導電膜１５
は一括して太線で示している）。この例では、コンデン
サ素子１の表面上に形成されるリード線接続用の電極層
も導電膜１５によって形成されている。そのため、半田
付け可能な銀・パラジウム合金からなる導電膜１５上に
半田接続部３によってリード線５が直接接続されてい
る。
を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態のコ
ンデンサの概略断面図である。本図に示すように、この
コンデンサは、コンデンサ素子１と、コンデンサ素子１
に半田接続部３により一端が接続されたリード線５と、
樹脂外装部７とを有している。コンデンサ素子１は、図
２の部分拡大図に示すように、一方の電極を構成するチ
タンを主成分とする多孔性の三次元構造体からなる焼結
体９を有しており、この焼結体９の内部には、チタン製
のリード線１１の端部が埋設されて固定されている。な
お図２では、焼結体９の多孔部を誇張して描いている。
そして、焼結体９の表面全体及びリード線１１の焼結体
９側の一部分上には、図３の部分拡大図に示すように、
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型のチ
タン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる強誘電体膜（Ｐ
ＺＴ膜）１３が無電解式の水熱合成法により形成されて
いる。そして、この強誘電体膜１３の表面には他方の電
極を構成する金属粒子膜からなる導電膜１５が形成され
ている。導電膜１５は、粒径が１００オングストローム
以下の銀・パラジウム合金からなる金属超微粒子により
形成されている（図２では強誘電体膜１３，導電膜１５
は一括して太線で示している）。この例では、コンデン
サ素子１の表面上に形成されるリード線接続用の電極層
も導電膜１５によって形成されている。そのため、半田
付け可能な銀・パラジウム合金からなる導電膜１５上に
半田接続部３によってリード線５が直接接続されてい
る。
【００１１】本実施の形態のコンデンサは次のようにし
て製造した。まず、リード線１１の端部が埋設されるよ
うに、平均粒子径５０μｍのチタン粉末を用いて円柱形
状に焼結体９を成形した。
て製造した。まず、リード線１１の端部が埋設されるよ
うに、平均粒子径５０μｍのチタン粉末を用いて円柱形
状に焼結体９を成形した。
【００１２】次に、焼結体９の表面上に無電解式の水熱
合成法により結晶性のＰＺＴ膜（強誘電体膜）１３を次
のようにして形成した。まず、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液
１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液８ｍｍｏｌ、ＴｉＣ
ｌ4 水溶液０．０８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ水溶液０．３ｍ
ｍｏｌの強アルカリの混合溶液中にリード線１１を取り
付けた焼結体９を浸漬する。そして、１８０℃，１０気
圧中で１２時間の無電解式の水熱処理を行い、Ｐｂ（Ｚ
ｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成した。次にＰｂ（ＮＯ3 ）
2 水溶液１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液８．３２ｍ
ｍｏｌ、ＴｉＣｌ4 水溶液７．６８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ
水溶液２．２４ｍｍｏｌの強アルカリの混合溶液（溶液
合計６４０ｍｌ）中に結晶核を生成した焼結体９を浸漬
し、１６０℃中で１０時間の無電解式の水熱処理を行っ
てＫを含有するＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。
その後、純水中で３分間の超音波洗浄を２回行ってか
ら、１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄
を２回行い、更に純水中で３分間の超音波洗浄を２回行
った。次にこれを１００℃で１２時間の乾燥を行いＰＺ
Ｔ膜１３の形成を終えた。このようにして形成されたＰ
ＺＴ膜１３の厚みは、１０μｍであり、誘電率εは約８
００であった。
合成法により結晶性のＰＺＴ膜（強誘電体膜）１３を次
のようにして形成した。まず、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液
１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液８ｍｍｏｌ、ＴｉＣ
ｌ4 水溶液０．０８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ水溶液０．３ｍ
ｍｏｌの強アルカリの混合溶液中にリード線１１を取り
付けた焼結体９を浸漬する。そして、１８０℃，１０気
圧中で１２時間の無電解式の水熱処理を行い、Ｐｂ（Ｚ
ｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成した。次にＰｂ（ＮＯ3 ）
2 水溶液１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液８．３２ｍ
ｍｏｌ、ＴｉＣｌ4 水溶液７．６８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ
水溶液２．２４ｍｍｏｌの強アルカリの混合溶液（溶液
合計６４０ｍｌ）中に結晶核を生成した焼結体９を浸漬
し、１６０℃中で１０時間の無電解式の水熱処理を行っ
てＫを含有するＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。
その後、純水中で３分間の超音波洗浄を２回行ってか
ら、１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄
を２回行い、更に純水中で３分間の超音波洗浄を２回行
った。次にこれを１００℃で１２時間の乾燥を行いＰＺ
Ｔ膜１３の形成を終えた。このようにして形成されたＰ
ＺＴ膜１３の厚みは、１０μｍであり、誘電率εは約８
００であった。
【００１３】次にＰＺＴ膜１３を形成した焼結体９を粒
径が１００オングストローム以下の独立分散型の（凝集
しないで粒子が個々に独立して分散する）銀・パラジウ
ム合金の超微粒子が界面活性剤からなる溶液中にコロイ
ド状で存在する分散液に浸漬した。本例では、千葉県山
武郡山武町横田５１６に本社を有する真空冶金株式会社
から販売されているＵＬＶＡＣ（商標）という独立金属
超微粒子分散液を用いた。そして、真空引きを焼結体に
加え、焼結体９の多孔部内に分散液を浸透させて焼結体
９上のＰＺＴ膜１３の表面全体を分散液の膜で覆う。次
に焼結体９を分散液から引き上げてから、約２５０℃の
炉内に配置して、分散液の膜を焼成して厚み０．２５〜
２．００μｍの他方の電極を構成する導電膜１５を形成
して、コンデンサ素子１を完成した。凝集しない金属超
微粒子は、焼結体９の多孔部内にも容易に入り込むの
で、導電膜１５はＰＺＴ膜１３の表面全体に形成され
る。金属超微粒子としては、銀・パラジウム合金以外に
金、銀等を用いることができる。また、焼結体９を分散
液に単に浸漬して焼結体９の多孔部内に分散液を浸透さ
せても構わない。また焼結体９を分散液に浸漬した状態
で超音波振動を加えて、焼結体９の多孔部内に分散液を
浸透させても構わない。
径が１００オングストローム以下の独立分散型の（凝集
しないで粒子が個々に独立して分散する）銀・パラジウ
ム合金の超微粒子が界面活性剤からなる溶液中にコロイ
ド状で存在する分散液に浸漬した。本例では、千葉県山
武郡山武町横田５１６に本社を有する真空冶金株式会社
から販売されているＵＬＶＡＣ（商標）という独立金属
超微粒子分散液を用いた。そして、真空引きを焼結体に
加え、焼結体９の多孔部内に分散液を浸透させて焼結体
９上のＰＺＴ膜１３の表面全体を分散液の膜で覆う。次
に焼結体９を分散液から引き上げてから、約２５０℃の
炉内に配置して、分散液の膜を焼成して厚み０．２５〜
２．００μｍの他方の電極を構成する導電膜１５を形成
して、コンデンサ素子１を完成した。凝集しない金属超
微粒子は、焼結体９の多孔部内にも容易に入り込むの
で、導電膜１５はＰＺＴ膜１３の表面全体に形成され
る。金属超微粒子としては、銀・パラジウム合金以外に
金、銀等を用いることができる。また、焼結体９を分散
液に単に浸漬して焼結体９の多孔部内に分散液を浸透さ
せても構わない。また焼結体９を分散液に浸漬した状態
で超音波振動を加えて、焼結体９の多孔部内に分散液を
浸透させても構わない。
【００１４】次にコンデンサ素子１の表面の導電膜１５
の一部分上にリード線９の端部を半田接続部３により半
田付け接続した。そして、各部を合成樹脂で覆って樹脂
外装部７を形成してコンデンサを完成した。
の一部分上にリード線９の端部を半田接続部３により半
田付け接続した。そして、各部を合成樹脂で覆って樹脂
外装部７を形成してコンデンサを完成した。
【００１５】なお、本例では、ＰＺＴ膜１３を形成する
際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物として
無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化合
物を用いても構わない。
際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物として
無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化合
物を用いても構わない。
【００１６】また、本例では、コンデンサ素子１の表面
上に形成される電極層も導電膜１５により形成したが、
導電膜１５とは別個に電極層を形成してもよい。例え
ば、導電膜１５が形成されたコンデンサ素子１にカーボ
ンペーストを塗布してから硬化してカーボンペースト層
を形成し、このカーボンペースト層の表面に銀樹脂ペー
スト等を塗布してから加熱硬化して半田付け電極層を形
成してもよい。この場合、カーボンペースト層と半田付
け電極層とにより電極層が構成される。また、銀樹脂ペ
ーストの層の上にカーボンペースト層を更に形成しても
よい。
上に形成される電極層も導電膜１５により形成したが、
導電膜１５とは別個に電極層を形成してもよい。例え
ば、導電膜１５が形成されたコンデンサ素子１にカーボ
ンペーストを塗布してから硬化してカーボンペースト層
を形成し、このカーボンペースト層の表面に銀樹脂ペー
スト等を塗布してから加熱硬化して半田付け電極層を形
成してもよい。この場合、カーボンペースト層と半田付
け電極層とにより電極層が構成される。また、銀樹脂ペ
ーストの層の上にカーボンペースト層を更に形成しても
よい。
【００１７】また、上記例では、三次元構造体として焼
結体を用いたが、三次元構造体として発泡金属体等の他
の三次元構造体を用いても構わない。また、三次元構造
体にチタン又はチタン合金を含まないものを用いる場合
には、三次元構造体の表面にスパッタ、蒸着、電気泳動
等の物理的方法、または焼結、ＭＯＣＶＤ、ゾル、ゲル
等の化学的方法等によりＴｉＯ2 の膜を形成しておけば
よい。
結体を用いたが、三次元構造体として発泡金属体等の他
の三次元構造体を用いても構わない。また、三次元構造
体にチタン又はチタン合金を含まないものを用いる場合
には、三次元構造体の表面にスパッタ、蒸着、電気泳動
等の物理的方法、または焼結、ＭＯＣＶＤ、ゾル、ゲル
等の化学的方法等によりＴｉＯ2 の膜を形成しておけば
よい。
【００１８】また、上記例では、リード線を用いるタイ
プのコンデンサに本発明を適用した例であるが、低背ハ
イチップタイプ等の他のコンデンサにも本発明は適用で
きる。コンデンサによっては、チタン又はチタン合金の
三次元構造体の所定位置上のみにＰＺＴ膜を形成するこ
とが求められることがある。その場合には、三次元構造
体の所定位置以外に部分にＮｉメッキを施せば良い。Ｎ
ｉメッキを施こした部分には、ＰＺＴ膜が形成されるこ
とはない。
プのコンデンサに本発明を適用した例であるが、低背ハ
イチップタイプ等の他のコンデンサにも本発明は適用で
きる。コンデンサによっては、チタン又はチタン合金の
三次元構造体の所定位置上のみにＰＺＴ膜を形成するこ
とが求められることがある。その場合には、三次元構造
体の所定位置以外に部分にＮｉメッキを施せば良い。Ｎ
ｉメッキを施こした部分には、ＰＺＴ膜が形成されるこ
とはない。
【００１９】
【発明の効果】金属超微粒子は、焼結体の多孔部内に入
り込むので、導電膜は、焼結体上に形成された強誘電体
膜の表面全体に形成されて他方の電極となる。そのた
め、本発明によれば電解処理装置を用いることなく、簡
単に他方の電極を形成できる。しかも従来のように金属
酸化物を介することなく、強誘電体膜電の上に導電膜を
直接形成することができる。また、電極層も金属粒子膜
によって形成できるので、電極層を導電膜とは別個に形
成する必要がなく、コンデンサのコストを低くできる。
り込むので、導電膜は、焼結体上に形成された強誘電体
膜の表面全体に形成されて他方の電極となる。そのた
め、本発明によれば電解処理装置を用いることなく、簡
単に他方の電極を形成できる。しかも従来のように金属
酸化物を介することなく、強誘電体膜電の上に導電膜を
直接形成することができる。また、電極層も金属粒子膜
によって形成できるので、電極層を導電膜とは別個に形
成する必要がなく、コンデンサのコストを低くできる。
【図１】本発明の実施の形態のコンデンサの概略断面図
である。
である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図２の部分拡大図である。
１ コンデンサ素子 ９ 焼結体 １３ 強誘電体膜（ＰＺＴ膜） １５ 導電膜（金属粒子膜）
Claims (7)
- 【請求項１】 チタン又はチタン化合物を主成分とする
多孔質の三次元構造体と、前記三次元構造体の表面の上
に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成さ
れた導電膜とを備えてなるコンデンサ素子を具備するコ
ンデンサにおいて、 前記導電膜は、粒径が１００オングストローム以下の金
属超微粒子が凝集することなく独立して分散しているコ
ロイド状の分散液を用いて形成された前記金属超微粒子
からなる金属粒子膜により構成されていることを特徴と
するコンデンサ。 - 【請求項２】 前記金属超微粒子が半田付け可能な金属
により形成されていることを特徴とする請求項１に記載
のコンデンサ。 - 【請求項３】 チタン又はチタン合金を主成分とする多
孔質の三次元構造体と、前記三次元構造体の表面の上に
形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成され
た導電膜とを備えてなるコンデンサ素子と、 前記導電膜に電気的に接続されて前記コンデンサ素子の
表面上に形成された半田付け可能な電極層とを具備する
コンデンサにおいて、 前記導電膜は、粒径が１００オングストローム以下の独
立分散型の金属超微粒子が凝集することなく独立して分
散しているコロイド状の分散液を用いて形成された前記
金属超微粒子からなる金属粒子膜により構成されている
ことを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項４】 前記電極層も前記金属粒子膜によって形
成され、前記金属超微粒子が半田付け可能な金属により
形成されていることを特徴とする請求項３に記載のコン
デンサ。 - 【請求項５】 前記強誘電体膜は、無電解式の水熱合成
法を用いて形成されたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 で表される
ペロブスカイト型のチタン酸ジルコン酸鉛により形成さ
れていることを特徴とする請求項１または３に記載のコ
ンデンサ。 - 【請求項６】 チタン又はチタン合金を主成分とする多
孔質の三次元構造体と、前記三次元構造体の表面の上に
形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成され
た導電膜とを備えてなるコンデンサ素子と、 前記導電膜に電気的に接続されて前記コンデンサ素子の
表面上に形成された半田付け可能な電極層とを具備する
コンデンサの製造方法において、 分散溶液中に粒径１００オングストローム以下の金属超
微粒子が凝集することなく独立して分散しているコロイ
ド状の分散液の膜により前記強誘電体膜を覆い、その後
に前記分散液の膜を焼成して前記金属超微粒子膜を形成
して前記導電膜とすることを特徴とするコンデンサの製
造方法。 - 【請求項７】 前記分散液の膜は、前記分散液中に前記
強誘電体膜を形成した前記三次元構造体を浸漬した状態
で、真空引きまたは超音波振動を前記三次元構造体に加
えて前記分散液を前記三次元構造体の内部に浸透させ、 その後、前記三次元構造体を前記分散液中から引き上げ
て形成することを特徴とする請求項６に記載のコンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32657398A JP2000150295A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32657398A JP2000150295A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150295A true JP2000150295A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18189333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32657398A Withdrawn JP2000150295A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150295A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1450156A1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-08-25 | Seiko Epson Corporation | Sensor cell, biosensor, capacitive device manufacturing method, biological reaction detection method, and gene analyzing method |
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| WO2007013598A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
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| JP5179197B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2013-04-10 | 昭和電工株式会社 | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
-
1998
- 1998-11-17 JP JP32657398A patent/JP2000150295A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
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| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
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