JP5383042B2 - 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、複雑で大掛かりな設備を用いず、膜厚が任意に制御されうる高い比誘電率を有する複合酸化物膜とその製造方法、この複合酸化物膜を含む誘電材料および圧電材料、さらにこの材料を含むコンデンサ、圧電素子並びにこれらの素子を含む電子機器を提供することを課題としている。
(1)基体表面に第一の金属元素を含む金属酸化物層を形成する工程と、
前記金属酸化物層に第二の金属のイオンを含む溶液を反応させ、前記第一および第二の金属元素を含む複合酸化物膜を形成する工程と、
を含む複合酸化物膜の製造方法。
(2)前記第一の金属が、チタンである前記1に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(3)前記第二の金属が、アルカリ土類金属または鉛である前記1または2に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(4)前記基体が、金属チタンまたはチタンを含む合金である前記1乃至3のいずれか一項に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(5)前記金属酸化物層は、前記基体を陽極酸化することにより形成される前記4に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(6)前記第二の金属のイオンを含む溶液のpHが11以上である前記1乃至5のいずれか一項に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(7)前記第一の金属酸化物層に前記第二の金属のイオンを含む溶液を40℃以上で反応させる前記1乃至6のいずれか一項に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(8)前記第二の金属のイオンを含む溶液が、大気圧下または減圧下で、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で気体となる塩基性化合物を含む前記1乃至7のいずれか一項に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(9)前記塩基性化合物が、有機塩基化合物である前記8に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(10)前記有機塩基化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウムである前記9に記載の複合酸化物膜の製造方法。
(11)前記1乃至10のいずれか一項に記載の製造方法により製造される複合酸化物膜。
(12)金属チタンまたはチタンを含む合金表面に形成された、チタンと、アルカリ土類金属または鉛とを含む複合酸化物膜。
(13)前記金属チタンまたはチタンを含む合金が、厚さ5μm以上300μm以下の箔である前記12に記載の複合酸化物膜。
(14)前記金属チタンまたはチタンを含む合金が、平均粒径0.1μm以上20μm以下の粒子の焼結体である前記12に記載の複合酸化物膜。
(15)前記複合酸化物が、ペロブスカイト化合物を含む前記11乃至14のいずれか一項に記載の複合酸化物膜。
(16)前記11乃至15のいずれか一項に記載の複合酸化物膜を含む誘電材料。
(17)前記11乃至15のいずれか一項に記載の複合酸化物膜を含む圧電材料。
(18)前記16に記載の誘電材料を含むコンデンサ。
(19)前記17に記載の圧電材料を含む圧電素子。
(20)前記18に記載のコンデンサを含む電子機器。
(21)前記19に記載の圧電素子を含む電子機器
このようにして得られた複合酸化物膜は、高い比誘電率を有している。基体として厚さ5μm以上300μm以下、あるいは平均粒径0.1μm以上20μm以下の金属チタンまたはチタンを含む合金微粒子焼結体を用いると、複合酸化物膜の基体に対する割合を増すことができ、コンデンサなどの電子部品用として好適であり、電子部品の小型化、さらにはこれらの電子部品を含む電子機器の小型化、軽量化が可能となる。
ここでペロブスカイト化合物とは、一般にABX3で表される結晶構造を持ち、BaTiO3、PbZrO3、(PbxLa(1−x))(ZryTi(l−y))O3などが代表的なペロブスカイト化合物である。
厚み20μmの純度99.9%のチタン箔(株式会社サンクメタル製)を3.3mm幅に切断したものを13mmずつの長さに切り取り、この箔片の一方の短辺部を金属製ガイドに溶接により固定した。陽極酸化するために、固定していない端から7mmの箇所にポリイミド樹脂溶液(宇部興産株式会社製)を0.8mm幅に線状に描き、180℃で30分乾燥させた。固定していないチタン箔の先端から塗布されたポリイミド樹脂までの部分を、5質量%リン酸水溶液中、電流密度30mA/cm2、陽極酸化電圧15V、温度40℃で120分間陽極酸化処理した後、水洗、乾燥した。次に20%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(セイケム昭和株式会社製)に水酸化バリウム(日本ソルベイ株式会社製)を酸化チタン層の酸化チタンのモル数の100倍のモル数溶解した溶液に100℃で4時間浸漬することで反応させた。X線回折により同定したところ立方晶のペロブスカイト構造であるチタン酸バリウムが生成していることがわかった。層厚は、FIB装置により断面加工した試料をTEM観察し、0.15μmであることがわかった。電気容量は固定していない端から4.5mmの箇所まで電解液(10質量%アジピン酸アンモニウム水溶液)に浸漬し、金属製ガイドを正極とし、負極としてPtを用いて以下の装置及び条件にて静電容量を測定した。
装置:LCRメータ(株式会社エヌエフ回路設計ブロック製,ZM2353型)、
測定周波数:120Hz、
振幅:1V。
その結果静電容量は6.1μF/cm2と大きな値であった。
上記実施例1における水酸化バリウムを水酸化ストロンチウムに変更した以外は、実施例1と同様に製造した。X線回折により同定したところ立方晶のペロブスカイト構造であるチタン酸ストロンチウムが生成していることがわかった。層厚は、FIB装置により断面加工した試料をTEM観察し、0.15μmであることがわかった。静電容量は4.0μF/cm2と大きな値であった。
粒径10μmのチタン粉末を直径0.3mmのチタンワイヤーと共に成形後、真空中1500℃で焼結させ、円盤状のチタン焼結体(10mmφ、厚さ約1mm、空孔率45%、平均細孔3μm)を得た。次に5質量%リン酸水溶液中、電流密度30mA/cm2、陽極酸化電圧15V、温度40℃で120分間陽極酸化処理した後、水洗、乾燥した。次に20%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(セイケム昭和株式会社製)に水酸化バリウム(日本ソルベイ株式会社製)を酸化チタン層のモル数の100倍のモル数溶解した溶液に100℃で4時間浸漬することで反応させた。
このようにして得た誘電体を形成したチタン焼結体のチタンワイヤーを正極とし、電解液(10質量%アジピン酸アンモニウム水溶液)に浸漬し、負極として100mm×100mm×0.02mmのPt箔を、複合酸化物膜が形成されたサンプルと50mmの間隔をあけて電解液に浸漬し、以下の装置及び条件にて静電容量を測定した。
装置:LCRメータ(株式会社エヌエフ回路設計ブロック製,ZM2353型)、
測定周波数:120Hz、
振幅:1V。
その結果、静電容量は270μFと大きな値であった。
厚み20μmの純度99.9%のチタン箔(株式会社サンクメタル製)を3.3mm幅に切断したものを13mmずつの長さに切り取り、この箔片の一方の短辺部を金属製ガイドに溶接により固定した。陽極酸化するために、固定していない端から7mmの箇所にポリイミド樹脂溶液(宇部興産株式会社製)を0.8mm幅に線状に描き、約180℃で30分乾燥させた。固定していないチタン箔の先端から塗布されたポリイミド樹脂までの部分を、5質量%リン酸水溶液中、電流密度30mA/cm2、陽極酸化電圧15V、温度40℃で120分間陽極酸化処理した後、水洗、乾燥した。次に0.1molの硝酸バリウムBa(NO3)2と1molの水酸化カリウムKOHを1000ccの水に溶解した溶液に100℃で0.5時間浸漬することで反応させた。X線回折により同定したところ立方晶のペロブスカイト構造であるチタン酸バリウムが生成していることがわかった。上記製造方法は、特許文献1に準じた。層厚はFIB装置により断面加工した試料をTEM観察し0.04μmであることがわかった。電気容量は固定していない端から4.5mmの箇所まで電解液(10質量%アジピン酸アンモニウム水溶液)に浸漬し金属性ガイドを正極とし、負極としてPtを用いて以下の装置及び条件にて静電容量を測定した。
装置:LCRメータ(株式会社エヌエフ回路設計ブロック製,ZM2353型)、
測定周波数:120Hz、
振幅:1V。
その結果静電容量は漏れ電流が大きすぎるため測定不可能であった。極めて薄い膜が不均一に付着しているため漏れ電流が大きくなったためと思われる。
Claims (6)
- 基体表面にチタンを含む金属酸化物層を5〜15Vの電圧で陽極酸化することにより形成する工程と、
前記金属酸化物層に第二の金属のイオン及び塩基性化合物を含む溶液を常圧において40℃〜溶液の沸点の温度範囲で反応させ、前記チタンおよび第二の金属元素を含む複合酸化物膜を形成する工程とを含み、前記塩基性化合物が、大気圧下または減圧下で、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で気体となる化合物である複合酸化物膜の製造方法。 - 前記第二の金属が、アルカリ土類金属または鉛である請求項1に記載の複合酸化物膜の製造方法。
- 前記基体が、金属チタンまたはチタンを含む合金である請求項1または2に記載の複合酸化物膜の製造方法。
- 前記第二の金属のイオンを含む溶液のpHが11以上である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の複合酸化物膜の製造方法。
- 前記塩基性化合物が、有機塩基化合物である請求項1乃至4のいずれかに記載の複合酸化物膜の製造方法。
- 前記有機塩基化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項5に記載の複合酸化物膜の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH1131857A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-02-02 | Tokai Rubber Ind Ltd | 圧電体構造物およびその製造方法 |
JPH11172489A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム被膜の製造方法 |
JP2000150295A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
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JPH11172489A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム被膜の製造方法 |
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