JP2000150223A - マンガン―亜鉛系フェライトおよびその製造方法 - Google Patents
マンガン―亜鉛系フェライトおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、広帯域で高い初透磁率を示し、特
に１０ｋＨｚ程度の低周波領域において特に高い初透磁
率を示すマンガン−亜鉛系フェライトおよびその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの
製造方法は、焼成中、１２００〜１４５０℃の主温度保
持工程を有し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工
程を設け、この焼成中降温工程の最低温度を、１０００
〜１４００℃の温度範囲であって、主温度保持工程の保
持温度より少なくとも５０℃以上低く設定したことを特
徴とする。これにより、Ｆｅ2 Ｏ3 換算で５０〜５６モ
ル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２２〜３９モル％の酸化
マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２５モル％の酸化亜鉛と
を主成分として含有し、平均結晶粒径が５０μm 超１５
０μm 以下であるマンガン−亜鉛系フェライトが得られ
る。
に１０ｋＨｚ程度の低周波領域において特に高い初透磁
率を示すマンガン−亜鉛系フェライトおよびその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの
製造方法は、焼成中、１２００〜１４５０℃の主温度保
持工程を有し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工
程を設け、この焼成中降温工程の最低温度を、１０００
〜１４００℃の温度範囲であって、主温度保持工程の保
持温度より少なくとも５０℃以上低く設定したことを特
徴とする。これにより、Ｆｅ2 Ｏ3 換算で５０〜５６モ
ル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２２〜３９モル％の酸化
マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２５モル％の酸化亜鉛と
を主成分として含有し、平均結晶粒径が５０μm 超１５
０μm 以下であるマンガン−亜鉛系フェライトが得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マンガン−亜鉛系フェ
ライトおよびその製造方法に関し、特に広帯域伝送用ト
ランスのコアに用いて好ましい高初透磁率μｉのマンガ
ン−亜鉛系フェライトおよびその製造方法に関する。
ライトおよびその製造方法に関し、特に広帯域伝送用ト
ランスのコアに用いて好ましい高初透磁率μｉのマンガ
ン−亜鉛系フェライトおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記のような広帯域伝送用トランス、例
えばパルストランスにおいては、正確なデジタル通信を
行なうため、広帯域で透磁率が高く、１０〜５００kHz
の全域で高い透磁率を示すコア用のマンガン−亜鉛系フ
ェライトが必要である。
えばパルストランスにおいては、正確なデジタル通信を
行なうため、広帯域で透磁率が高く、１０〜５００kHz
の全域で高い透磁率を示すコア用のマンガン−亜鉛系フ
ェライトが必要である。
【０００３】このような要求により、本出願人は、特開
平６−２０４０２５号公報において、広帯域で透磁率が
高く、１０〜５００kHz の全域で高い透磁率を示すマン
ガン−亜鉛系フェライトを提供した。この特許公開公報
で提案されたマンガン−亜鉛系フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ
3 換算で５０〜５６モル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２
２〜３９モル％の酸化マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２
５モル％の酸化亜鉛とを含有するマンガン−亜鉛系フエ
ライトであって、Ｂｉ2 Ｏ3 換算で８００ppm以下の酸
化ビスマス成分と、ＭｏＯ3 換算で１２００ppm 以下の
酸化モリブデン成分とを添加して焼結したものである。
平６−２０４０２５号公報において、広帯域で透磁率が
高く、１０〜５００kHz の全域で高い透磁率を示すマン
ガン−亜鉛系フェライトを提供した。この特許公開公報
で提案されたマンガン−亜鉛系フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ
3 換算で５０〜５６モル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２
２〜３９モル％の酸化マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２
５モル％の酸化亜鉛とを含有するマンガン−亜鉛系フエ
ライトであって、Ｂｉ2 Ｏ3 換算で８００ppm以下の酸
化ビスマス成分と、ＭｏＯ3 換算で１２００ppm 以下の
酸化モリブデン成分とを添加して焼結したものである。
【０００４】この特許公開公報で提案されたマンガン−
亜鉛系フェライトは、２５℃における１０ｋＨｚ、１０
０ｋＨｚおよび５００ｋＨｚの初透磁率が、それぞれ９
０００以上、９０００以上および３０００以上と、広帯
域で高い初透磁率を示す。
亜鉛系フェライトは、２５℃における１０ｋＨｚ、１０
０ｋＨｚおよび５００ｋＨｚの初透磁率が、それぞれ９
０００以上、９０００以上および３０００以上と、広帯
域で高い初透磁率を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなパルスト
ランスにおいて、小型化、高速通信化を実現するために
は、特に１０ｋＨｚ程度の低周波領域においてさらに高
い初透磁率を示すことが重要である。これにより、巻線
数を減らしても出力パルスの立ち上げを急峻にでき、動
作減衰量を低減できるので、正確なデジタル通信を行な
うことができる。
ランスにおいて、小型化、高速通信化を実現するために
は、特に１０ｋＨｚ程度の低周波領域においてさらに高
い初透磁率を示すことが重要である。これにより、巻線
数を減らしても出力パルスの立ち上げを急峻にでき、動
作減衰量を低減できるので、正確なデジタル通信を行な
うことができる。
【０００６】そこで、本発明は、広帯域で高い初透磁率
を示し、特に１０ｋＨｚ程度の低周波領域において特に
高い初透磁率を示すマンガン−亜鉛系フェライトおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
を示し、特に１０ｋＨｚ程度の低周波領域において特に
高い初透磁率を示すマンガン−亜鉛系フェライトおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（１） Ｆｅ2 Ｏ3 換算
で５０〜５６モル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２２〜３
９モル％の酸化マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２５モル
％の酸化亜鉛とを主成分として含有し、平均結晶粒径が
５０μm 超１５０μm 以下であるマンガン−亜鉛系フェ
ライト。 （２） 前記主成分に対し、副成分として、Ｂｉ2 Ｏ3
換算で８００ppm 以下の酸化ビスマス成分と、ＭｏＯ3
換算で１２００ppm 以下の酸化モリブデン成分とを有す
る上記（１）のマンガン−亜鉛系フェライト。 （３） さらにＣａＯ換算で５０〜５００ppm の酸化カ
ルシウムを含有する上記（１）または（２）のマンガン
−亜鉛系フェライト。 （４） 周波数１０kHzにおいて、磁束密度Ｂ＝１００
ミリテスラで測定したときの透磁率μ100が、磁束密度
Ｂ＝１ミリテスラで測定したときの透磁率μ1 の１．２
０倍以上である上記（１）〜（３）のいずれかのマンガ
ン−亜鉛系フェライト。 （５） １０ｋＨｚにおける初透磁率μｉが１５，００
０以上である上記（１）〜（４）のいずれかのマンガン
−亜鉛系フェライト。 （６） 焼成中に少なくとも１回の降温工程を有する上
記（１）〜（５）のいずれかのマンガン−亜鉛系フェラ
イト。 （７） マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法であっ
て、焼成中、１２００〜１４５０℃の主温度保持工程を
有し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設
け、この焼成中降温工程の最低温度を、１０００〜１４
００℃の温度範囲であって、主温度保持工程の保持温度
より少なくとも５０℃以上低く設定したことを特徴とす
るマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 （８） 上記（１）〜（６）のいずれかのマンガン−亜
鉛系フェライトを得る上記（７）のマンガン−亜鉛系フ
ェライトの製造方法。
で５０〜５６モル％の酸化鉄と、ＭｎＯ換算で２２〜３
９モル％の酸化マンガンと、ＺｎＯ換算で８〜２５モル
％の酸化亜鉛とを主成分として含有し、平均結晶粒径が
５０μm 超１５０μm 以下であるマンガン−亜鉛系フェ
ライト。 （２） 前記主成分に対し、副成分として、Ｂｉ2 Ｏ3
換算で８００ppm 以下の酸化ビスマス成分と、ＭｏＯ3
換算で１２００ppm 以下の酸化モリブデン成分とを有す
る上記（１）のマンガン−亜鉛系フェライト。 （３） さらにＣａＯ換算で５０〜５００ppm の酸化カ
ルシウムを含有する上記（１）または（２）のマンガン
−亜鉛系フェライト。 （４） 周波数１０kHzにおいて、磁束密度Ｂ＝１００
ミリテスラで測定したときの透磁率μ100が、磁束密度
Ｂ＝１ミリテスラで測定したときの透磁率μ1 の１．２
０倍以上である上記（１）〜（３）のいずれかのマンガ
ン−亜鉛系フェライト。 （５） １０ｋＨｚにおける初透磁率μｉが１５，００
０以上である上記（１）〜（４）のいずれかのマンガン
−亜鉛系フェライト。 （６） 焼成中に少なくとも１回の降温工程を有する上
記（１）〜（５）のいずれかのマンガン−亜鉛系フェラ
イト。 （７） マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法であっ
て、焼成中、１２００〜１４５０℃の主温度保持工程を
有し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設
け、この焼成中降温工程の最低温度を、１０００〜１４
００℃の温度範囲であって、主温度保持工程の保持温度
より少なくとも５０℃以上低く設定したことを特徴とす
るマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 （８） 上記（１）〜（６）のいずれかのマンガン−亜
鉛系フェライトを得る上記（７）のマンガン−亜鉛系フ
ェライトの製造方法。
【０００８】
【発明の作用・効果】本発明においては、マンガン−亜
鉛系フェライトの焼成中における主温度保持工程の保持
温度を１２００〜１４５０℃の温度範囲に設定し、この
主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設け、この焼成
中降温工程の最低温度を、１０００〜１４００℃の温度
範囲であって、主温度保持工程の保持温度より少なくと
も５０℃以上低く（この温度を以下「低下温度」と称す
る）設定したことにより、結晶の異常成長が生ぜず、平
均結晶粒径が５０μm 超であって１５０μm 以下であ
り、好ましくは１０ｋＨｚにおける初透磁率が１５，０
００以上であるマンガン−亜鉛系フェライトが得られ
た。これにより、本発明のマンガン−亜鉛系フェライト
により得られたコアを例えばパルストランスに組み込ん
だ場合には、巻線数を減らしても、出力パルスの立ち上
げを急峻にでき、動作減衰量を低減できるので、小型化
でき、しかもより高速で正確なデジタル通信等を行なう
ことができる。
鉛系フェライトの焼成中における主温度保持工程の保持
温度を１２００〜１４５０℃の温度範囲に設定し、この
主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設け、この焼成
中降温工程の最低温度を、１０００〜１４００℃の温度
範囲であって、主温度保持工程の保持温度より少なくと
も５０℃以上低く（この温度を以下「低下温度」と称す
る）設定したことにより、結晶の異常成長が生ぜず、平
均結晶粒径が５０μm 超であって１５０μm 以下であ
り、好ましくは１０ｋＨｚにおける初透磁率が１５，０
００以上であるマンガン−亜鉛系フェライトが得られ
た。これにより、本発明のマンガン−亜鉛系フェライト
により得られたコアを例えばパルストランスに組み込ん
だ場合には、巻線数を減らしても、出力パルスの立ち上
げを急峻にでき、動作減衰量を低減できるので、小型化
でき、しかもより高速で正確なデジタル通信等を行なう
ことができる。
【０００９】また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライ
トは、従来のマンガン−亜鉛系フェライトと比べて、１
００ｋＨｚの初透磁率も同等かそれ以上であるので、ト
ランスとした場合に、巻線数を低減でき、トランスの小
型化を図ることができる。
トは、従来のマンガン−亜鉛系フェライトと比べて、１
００ｋＨｚの初透磁率も同等かそれ以上であるので、ト
ランスとした場合に、巻線数を低減でき、トランスの小
型化を図ることができる。
【００１０】さらにまた、本発明のマンガン−亜鉛系フ
ェライトは、１０ｋＨｚにおいて、磁束密度Ｂ＝１００
ミリテスラで測定したときの透磁率μ100が、磁束密度
Ｂ＝１ミリテスラで測定したときの透磁率μ1 の１．２
０倍以上であるという特異な特性を示す。ちなみに、従
来のマンガン−亜鉛系フェライトの透磁率μ100／透磁
率μ1 は、最高で、１．１０倍程度である。
ェライトは、１０ｋＨｚにおいて、磁束密度Ｂ＝１００
ミリテスラで測定したときの透磁率μ100が、磁束密度
Ｂ＝１ミリテスラで測定したときの透磁率μ1 の１．２
０倍以上であるという特異な特性を示す。ちなみに、従
来のマンガン−亜鉛系フェライトの透磁率μ100／透磁
率μ1 は、最高で、１．１０倍程度である。
【００１１】なお、特許第２９１４５５４号公報には、
極めて効率よく、低コストで、高性能の高透磁率マンガ
ン−亜鉛系フェライトを製造することのできる方法とし
て、マンガン−亜鉛系フェライトを２回以上焼成する製
造方法が開示されている。この開示された製造方法によ
れば、本発明の焼成中降温工程と同概念の焼成中降温工
程が示されているが、焼成中降温工程の最低温度は、１
１００℃以下、望ましくは１０００℃以下、さらに望ま
しくは５００℃以下が好ましいとしている。この記載か
らは、焼成中降温工程の最低温度は、低ければ低い程望
ましいと解釈できる。
極めて効率よく、低コストで、高性能の高透磁率マンガ
ン−亜鉛系フェライトを製造することのできる方法とし
て、マンガン−亜鉛系フェライトを２回以上焼成する製
造方法が開示されている。この開示された製造方法によ
れば、本発明の焼成中降温工程と同概念の焼成中降温工
程が示されているが、焼成中降温工程の最低温度は、１
１００℃以下、望ましくは１０００℃以下、さらに望ま
しくは５００℃以下が好ましいとしている。この記載か
らは、焼成中降温工程の最低温度は、低ければ低い程望
ましいと解釈できる。
【００１２】これに対し、本発明においては、焼成中降
温工程の最低温度を１０００〜１４００℃の温度範囲に
設定した。また、本発明においては、焼成中降温工程の
上記低下温度を３０℃以上、特に５０℃以上であればよ
いとした。本発明において、焼成中降温工程の最低温度
を１０００〜１４００℃の温度範囲に設定した理由は後
述するが、これにより、本発明の焼成方法においては、
上記従来の焼成方法の焼成中降温工程に要する時間を短
縮でき、結果として全体の製造時間を短縮することがで
きる。
温工程の最低温度を１０００〜１４００℃の温度範囲に
設定した。また、本発明においては、焼成中降温工程の
上記低下温度を３０℃以上、特に５０℃以上であればよ
いとした。本発明において、焼成中降温工程の最低温度
を１０００〜１４００℃の温度範囲に設定した理由は後
述するが、これにより、本発明の焼成方法においては、
上記従来の焼成方法の焼成中降温工程に要する時間を短
縮でき、結果として全体の製造時間を短縮することがで
きる。
【００１３】また、本発明は、主として１０ｋＨｚ程度
の低周波領域における初透磁率の向上を目的としている
が、上記従来例は、１００ｋＨｚ以上の高周波領域での
初透磁率の向上を目的としており、両者は目的からして
異なっている。
の低周波領域における初透磁率の向上を目的としている
が、上記従来例は、１００ｋＨｚ以上の高周波領域での
初透磁率の向上を目的としており、両者は目的からして
異なっている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明のマンガン−亜鉛系フェライ
トの製造方法は、仮焼後のフェライト材料の成形体の焼
成中における主温度保持工程の保持温度を１２００〜１
４５０℃、特に１３５０〜１４５０℃の温度範囲に設定
し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設け、
この焼成中降温工程の最低温度を、１０００〜１４００
℃の温度範囲であって、上記低下温度を３０℃以上、特
に５０℃以上に設定したことを特徴とする。
て詳細に説明する。本発明のマンガン−亜鉛系フェライ
トの製造方法は、仮焼後のフェライト材料の成形体の焼
成中における主温度保持工程の保持温度を１２００〜１
４５０℃、特に１３５０〜１４５０℃の温度範囲に設定
し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工程を設け、
この焼成中降温工程の最低温度を、１０００〜１４００
℃の温度範囲であって、上記低下温度を３０℃以上、特
に５０℃以上に設定したことを特徴とする。
【００１５】上記主温度保持工程の保持温度を１２００
〜１４５０℃の温度範囲に設定した理由は、フェライト
化促進ならびに結晶粒径の制御のためであり、この温度
範囲で特に１０ｋＨｚにおける初透磁率が向上する。こ
の主温度保持工程の温度保持時間は、０．５〜１０時間
程度が好ましい。
〜１４５０℃の温度範囲に設定した理由は、フェライト
化促進ならびに結晶粒径の制御のためであり、この温度
範囲で特に１０ｋＨｚにおける初透磁率が向上する。こ
の主温度保持工程の温度保持時間は、０．５〜１０時間
程度が好ましい。
【００１６】また、上記焼成中降温工程の最低温度を、
１０００〜１４００℃の温度範囲に設定した理由は、結
晶粒子と粒界との間に発生する応力を緩和するためと考
えている。
１０００〜１４００℃の温度範囲に設定した理由は、結
晶粒子と粒界との間に発生する応力を緩和するためと考
えている。
【００１７】この最低温度は、好ましくは、１１００〜
１３５０℃、特に１１５０〜１３００℃、更に好ましく
は１２００〜１３００℃である。
１３５０℃、特に１１５０〜１３００℃、更に好ましく
は１２００〜１３００℃である。
【００１８】さらに、上記低下温度が５０℃未満の場合
は、焼成中降温の効果が薄れ、１０ｋＨｚにおける初透
磁率の向上が充分でない。この低下温度は、好ましくは
１００〜２５０℃であり、特に好ましくは１５０〜２０
０℃である。
は、焼成中降温の効果が薄れ、１０ｋＨｚにおける初透
磁率の向上が充分でない。この低下温度は、好ましくは
１００〜２５０℃であり、特に好ましくは１５０〜２０
０℃である。
【００１９】なお、焼成中降温工程では、上記最低温度
での温度保持工程を設けてもよい。この最低温度での温
度保持工程を設ける場合には、３．０時間以内とするこ
とが好ましい。
での温度保持工程を設けてもよい。この最低温度での温
度保持工程を設ける場合には、３．０時間以内とするこ
とが好ましい。
【００２０】この焼成中降温工程での降温速度は、２０
〜３００℃／時間、好ましくは３０〜２００℃／時間、
昇温速度は２０〜３００℃／時間、好ましくは３０〜２
００℃／時間に設定することが好ましい。この焼成中降
温工程は、６．０時間以内で行なわれることが好まし
い。
〜３００℃／時間、好ましくは３０〜２００℃／時間、
昇温速度は２０〜３００℃／時間、好ましくは３０〜２
００℃／時間に設定することが好ましい。この焼成中降
温工程は、６．０時間以内で行なわれることが好まし
い。
【００２１】上記焼成中降温工程は、本発明のマンガン
−亜鉛系フェライトを得る上で必須ではないが、主温度
保持工程の直前に設けるのが好ましい。
−亜鉛系フェライトを得る上で必須ではないが、主温度
保持工程の直前に設けるのが好ましい。
【００２２】上記焼成中降温工程の前には、副焼成工程
あるいは副温度保持工程が設けられている。この副焼成
工程あるいは副温度保持工程においては、最高温度が、
上記主温度保持工程の保持温度と同じかそれより低く、
かつ焼成中降温工程の最低温度より高いことが必要であ
り、具体的には、１１００〜１４００℃程度が好まし
い。この最高温度は、ピークとしてあらわれても、５．
０時間以内の範囲で保持してもよい。なお、以下の説明
においては、最高温度がピークとしてあらわれる保持時
間が瞬間的なものも副温度保持工程と称することとす
る。
あるいは副温度保持工程が設けられている。この副焼成
工程あるいは副温度保持工程においては、最高温度が、
上記主温度保持工程の保持温度と同じかそれより低く、
かつ焼成中降温工程の最低温度より高いことが必要であ
り、具体的には、１１００〜１４００℃程度が好まし
い。この最高温度は、ピークとしてあらわれても、５．
０時間以内の範囲で保持してもよい。なお、以下の説明
においては、最高温度がピークとしてあらわれる保持時
間が瞬間的なものも副温度保持工程と称することとす
る。
【００２３】本発明の焼成においては、上記副温度保持
工程にいたる昇温工程、および主温度保持工程に続く降
温工程は、従来の焼成の温度プロファイルと同様のもの
を用いることができる。具体的には、上記昇温工程にお
ける昇温速度は、２０〜５００℃／時間であることが好
ましい。また、この昇温速度は２段階以上に変化させる
ことができ、この場合は、当初の昇温速度を速くし、徐
々に昇温速度を遅くするのが好ましい。例えば２段とす
る場合は、１段目の昇温速度を２００〜５００℃／時間
程度とし、２段目の昇温速度を２０〜２００℃／時間程
度とすることが好ましい。一方、降温工程における降温
速度は、２０〜５００℃／時間であることが好ましい。
この降温工程における降温速度も２段階以上に変化させ
ることができ、２段とする場合は、１段目の降温速度を
２０〜２００℃／時間程度とし、２段目の降温速度を２
００〜５００℃／時間程度とすることが好ましい。
工程にいたる昇温工程、および主温度保持工程に続く降
温工程は、従来の焼成の温度プロファイルと同様のもの
を用いることができる。具体的には、上記昇温工程にお
ける昇温速度は、２０〜５００℃／時間であることが好
ましい。また、この昇温速度は２段階以上に変化させる
ことができ、この場合は、当初の昇温速度を速くし、徐
々に昇温速度を遅くするのが好ましい。例えば２段とす
る場合は、１段目の昇温速度を２００〜５００℃／時間
程度とし、２段目の昇温速度を２０〜２００℃／時間程
度とすることが好ましい。一方、降温工程における降温
速度は、２０〜５００℃／時間であることが好ましい。
この降温工程における降温速度も２段階以上に変化させ
ることができ、２段とする場合は、１段目の降温速度を
２０〜２００℃／時間程度とし、２段目の降温速度を２
００〜５００℃／時間程度とすることが好ましい。
【００２４】本発明の焼成においては、用いる炉は、連
続炉でもバッチ炉でもよい。また、焼成時の雰囲気は、
平衡酸素分圧の理論に従い調整すればよく、特に酸素分
圧を制御した窒素雰囲気（酸素のみの場合も存在する）
で行なうことが好ましい。
続炉でもバッチ炉でもよい。また、焼成時の雰囲気は、
平衡酸素分圧の理論に従い調整すればよく、特に酸素分
圧を制御した窒素雰囲気（酸素のみの場合も存在する）
で行なうことが好ましい。
【００２５】以上の条件の本発明の焼成によっても、平
均結晶粒径が５０超であって１５０μm 以下であり、１
０ｋＨｚにおける初透磁率が１５，０００以上であるマ
ンガン−亜鉛系フェライトが得られる。
均結晶粒径が５０超であって１５０μm 以下であり、１
０ｋＨｚにおける初透磁率が１５，０００以上であるマ
ンガン−亜鉛系フェライトが得られる。
【００２６】本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの平
均結晶粒径は、好ましくは５０超〜１５０μm 、さらに
好ましくは６０〜１３０μｍ、特に好ましくは７０〜１
２０μｍである。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェ
ライトにおいては、５０超〜１４０μｍの結晶粒径のも
のが、好ましくは５０ｖｏｌ％以上、特に７０ｖｏｌ％
以上、更には８０vol％以上存在していることが好まし
い。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの１０
ｋＨｚにおける初透磁率は、好ましくは２０，０００以
上、特に２５，０００以上であることが好ましい。本発
明のマンガン−亜鉛系フェライトの１０ｋＨｚにおける
初透磁率は、現在のところ、最高３５，０００程度が達
成できており、この値は、高ければ高いほど好ましい。
均結晶粒径は、好ましくは５０超〜１５０μm 、さらに
好ましくは６０〜１３０μｍ、特に好ましくは７０〜１
２０μｍである。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェ
ライトにおいては、５０超〜１４０μｍの結晶粒径のも
のが、好ましくは５０ｖｏｌ％以上、特に７０ｖｏｌ％
以上、更には８０vol％以上存在していることが好まし
い。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの１０
ｋＨｚにおける初透磁率は、好ましくは２０，０００以
上、特に２５，０００以上であることが好ましい。本発
明のマンガン−亜鉛系フェライトの１０ｋＨｚにおける
初透磁率は、現在のところ、最高３５，０００程度が達
成できており、この値は、高ければ高いほど好ましい。
【００２７】本発明のマンガン−亜鉛系フェライトは、
１０ｋＨｚにおいて、磁束密度Ｂ＝１００ミリテスラで
測定したときの透磁率μ100が、磁束密度Ｂ＝１ミリテ
スラで測定したときの透磁率μ1 の１．２０倍以上とす
ることができる。このμ100／μ1 は、現在のところ、
１．５０倍程度が達成できている。
１０ｋＨｚにおいて、磁束密度Ｂ＝１００ミリテスラで
測定したときの透磁率μ100が、磁束密度Ｂ＝１ミリテ
スラで測定したときの透磁率μ1 の１．２０倍以上とす
ることができる。このμ100／μ1 は、現在のところ、
１．５０倍程度が達成できている。
【００２８】本発明は、広範囲の組成のマンガン−亜鉛
系フェライトに適合できるが、上記した主成分は、それ
ぞれ、Ｆｅ2 Ｏ3 換算５０〜５６モル％、ＭｎＯ換算２
２〜３９モル％、ＺｎＯ換算８〜２５モル％程度とする
ことが好ましい。この範囲外では、１０ｋＨｚでの初透
磁率が低下する傾向がある。
系フェライトに適合できるが、上記した主成分は、それ
ぞれ、Ｆｅ2 Ｏ3 換算５０〜５６モル％、ＭｎＯ換算２
２〜３９モル％、ＺｎＯ換算８〜２５モル％程度とする
ことが好ましい。この範囲外では、１０ｋＨｚでの初透
磁率が低下する傾向がある。
【００２９】また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライ
トは、酸化カルシウムや、二酸化ケイ素を副成分として
含有することもできる。これらの副成分は、それぞれ、
ＣａＯ換算５０〜５００ppm 、特に１００〜３００ppm
、ＳｉＯ2 換算５０〜１５０ppm 程度とする。なお、
ＣａＯやＳｉＯ2 は、一般に粒界に存在する。
トは、酸化カルシウムや、二酸化ケイ素を副成分として
含有することもできる。これらの副成分は、それぞれ、
ＣａＯ換算５０〜５００ppm 、特に１００〜３００ppm
、ＳｉＯ2 換算５０〜１５０ppm 程度とする。なお、
ＣａＯやＳｉＯ2 は、一般に粒界に存在する。
【００３０】このような本発明のフェライトは、酸化ビ
スマスと酸化モリブデンとを、特にＢｉ2 Ｏ3 やＭｏＯ
3 の形で含有することが好ましい。この場合、添加した
ビスマスやモリブデンの酸化物成分、特に酸化モリブデ
ン成分は、焼成により一部蒸発ないし昇華してしまうこ
とがあり、フェライト中のビスマス酸化物やモリブデン
酸化物の含有量は添加量と一致しないことがある。すな
わち、酸化ビスマスの含有量は、Ｂｉ2 Ｏ3 換算で添加
量の５０〜１００重量％程度、また、酸化モリブデンの
含有量は、ＭｏＯ3 換算で添加量の１０〜６０重量％程
度、特に１０〜３０重量％程度が好ましい。
スマスと酸化モリブデンとを、特にＢｉ2 Ｏ3 やＭｏＯ
3 の形で含有することが好ましい。この場合、添加した
ビスマスやモリブデンの酸化物成分、特に酸化モリブデ
ン成分は、焼成により一部蒸発ないし昇華してしまうこ
とがあり、フェライト中のビスマス酸化物やモリブデン
酸化物の含有量は添加量と一致しないことがある。すな
わち、酸化ビスマスの含有量は、Ｂｉ2 Ｏ3 換算で添加
量の５０〜１００重量％程度、また、酸化モリブデンの
含有量は、ＭｏＯ3 換算で添加量の１０〜６０重量％程
度、特に１０〜３０重量％程度が好ましい。
【００３１】なお、本発明のフェライト中には、必要に
応じて、さらに、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化バ
ナジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム等の１種以
上を含有させてもよい。これらは、それぞれＮｂ2 Ｏ5
換算、Ｉｎ2 Ｏ3 換算、Ｖ2Ｏ5 換算、Ｔａ2Ｏ5換算、
ＺｒＯ2換算にて、合計で０〜３０００ppm 程度である
ことが好ましい。
応じて、さらに、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化バ
ナジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム等の１種以
上を含有させてもよい。これらは、それぞれＮｂ2 Ｏ5
換算、Ｉｎ2 Ｏ3 換算、Ｖ2Ｏ5 換算、Ｔａ2Ｏ5換算、
ＺｒＯ2換算にて、合計で０〜３０００ppm 程度である
ことが好ましい。
【００３２】このような成分を含有する本発明のフェラ
イトの平均結晶粒径は５０μｍ超１５０μｍ以内が好ま
しい。平均結晶粒径が大きすぎても小さすぎても１０ｋ
Ｈｚにおける初透磁率が低下してしまい、１０ｋＨｚに
おける初透磁率１５，０００以上を達成できなくなるお
それがある。なお、平均結晶粒径は、鏡面研摩面を酸エ
ッチング後、光学顕微鏡にて観察される多結晶体を円換
算した場合の平均直径の平均として求めればよい。
イトの平均結晶粒径は５０μｍ超１５０μｍ以内が好ま
しい。平均結晶粒径が大きすぎても小さすぎても１０ｋ
Ｈｚにおける初透磁率が低下してしまい、１０ｋＨｚに
おける初透磁率１５，０００以上を達成できなくなるお
それがある。なお、平均結晶粒径は、鏡面研摩面を酸エ
ッチング後、光学顕微鏡にて観察される多結晶体を円換
算した場合の平均直径の平均として求めればよい。
【００３３】このように平均結晶粒径が大きく、しかも
均一に揃っていると、２５℃における１０ｋＨｚの初透
磁率１５，０００以上、特に２０，０００以上、さらに
は２５，０００以上、例えば１５，０００〜３５，００
０を達成でき、しかも１００kHz の初透磁率は８０００
以上、特に９０００以上、さらには９５００以上、例え
ば９５００〜１５０００程度、５００kHz の初透磁率は
２０００以上、特に３０００以上、さらには３５００以
上、例えば３５００〜６０００程度と従来と同程度かそ
れ以上の初透磁率が得られる。
均一に揃っていると、２５℃における１０ｋＨｚの初透
磁率１５，０００以上、特に２０，０００以上、さらに
は２５，０００以上、例えば１５，０００〜３５，００
０を達成でき、しかも１００kHz の初透磁率は８０００
以上、特に９０００以上、さらには９５００以上、例え
ば９５００〜１５０００程度、５００kHz の初透磁率は
２０００以上、特に３０００以上、さらには３５００以
上、例えば３５００〜６０００程度と従来と同程度かそ
れ以上の初透磁率が得られる。
【００３４】本発明のマンガン−亜鉛系フェライトを製
造するには、まず、主成分として、通常の酸化鉄成分、
酸化マンガン成分および酸化亜鉛成分の混合物を用意す
る。これらの主成分は、フェライトの最終組成として前
記の量比になるように混合され、原料として供される。
また、副成分の原料として、炭酸カルシウム等の焼成に
より酸化カルシウムになる化合物や酸化カルシウムと、
焼成により酸化ケイ素になる化合物や酸化ケイ素等が添
加される。この場合、これらの副成分の原料は、磁性材
料の最終組成として前記の量比になるように添加され
る。
造するには、まず、主成分として、通常の酸化鉄成分、
酸化マンガン成分および酸化亜鉛成分の混合物を用意す
る。これらの主成分は、フェライトの最終組成として前
記の量比になるように混合され、原料として供される。
また、副成分の原料として、炭酸カルシウム等の焼成に
より酸化カルシウムになる化合物や酸化カルシウムと、
焼成により酸化ケイ素になる化合物や酸化ケイ素等が添
加される。この場合、これらの副成分の原料は、磁性材
料の最終組成として前記の量比になるように添加され
る。
【００３５】そして、さらに酸化ビスマス成分と、酸化
モリブデン成分とが添加される。酸化ビスマス成分とし
ては、Ｂｉ2 Ｏ3 の他、Ｂｉ2 （ＳＯ4 ）3 等を用いる
ことができるが、Ｂｉ2 Ｏ3 が好ましい。酸化ビスマス
成分の添加量は、Ｂｉ2 Ｏ3換算で８００ppm 以下、特
に６００ppm 以下、好ましくは１００〜４００ppm とす
る。添加量が前記範囲を超えると却って初透磁率が減少
する。
モリブデン成分とが添加される。酸化ビスマス成分とし
ては、Ｂｉ2 Ｏ3 の他、Ｂｉ2 （ＳＯ4 ）3 等を用いる
ことができるが、Ｂｉ2 Ｏ3 が好ましい。酸化ビスマス
成分の添加量は、Ｂｉ2 Ｏ3換算で８００ppm 以下、特
に６００ppm 以下、好ましくは１００〜４００ppm とす
る。添加量が前記範囲を超えると却って初透磁率が減少
する。
【００３６】また、酸化モリブデン成分としては、Ｍｏ
Ｏ3 の他、ＭｏＣｌ3 等を用いることができるが、Ｍｏ
Ｏ3 が好適である。酸化モリブデン成分の添加量は、Ｍ
ｏＯ 3 換算で１２００ppm 、特に１０００ppm 以下、好
ましくは１００〜１０００ppm とする。添加量が前記範
囲を超えると却って初透磁率が減少する。なお、必要に
応じて、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化バナジウ
ム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの１種以上がさら
に原料混合物中に添加される。
Ｏ3 の他、ＭｏＣｌ3 等を用いることができるが、Ｍｏ
Ｏ3 が好適である。酸化モリブデン成分の添加量は、Ｍ
ｏＯ 3 換算で１２００ppm 、特に１０００ppm 以下、好
ましくは１００〜１０００ppm とする。添加量が前記範
囲を超えると却って初透磁率が減少する。なお、必要に
応じて、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化バナジウ
ム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの１種以上がさら
に原料混合物中に添加される。
【００３７】このように主成分および添加微量成分を混
合した後、これに適当なバインダー、例えばポリビニル
アルコールを少量、例えば０．１〜１．０重量％加え、
スプレードライヤー等にて８０〜２００μm 程度の径の
顆粒とし、成型する。
合した後、これに適当なバインダー、例えばポリビニル
アルコールを少量、例えば０．１〜１．０重量％加え、
スプレードライヤー等にて８０〜２００μm 程度の径の
顆粒とし、成型する。
【００３８】次いで、この成型品を焼成する。この焼成
条件については、上記した内容に従う。
条件については、上記した内容に従う。
【００３９】以上により、本発明のマンガン−亜鉛系フ
ェライトを得ることができる。
ェライトを得ることができる。
【００４０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例１ ＭｎＯ（２４モル％）、ＺｎＯ（２３モル％）、Ｆｅ2
Ｏ3 （５３モル％）を主成分とし、副成分としてＣａＣ
Ｏ3 （磁性材料の最終組成におけるＣａＯ換算で２００
ppm ）とＳｉＯ2 （磁性材料の最終組成において１００
ppm ）とＢｉ2Ｏ3（２００ppm ）とＭｏＯ3（２００ppm
）とを添加して、サンプルを得た。
をさらに詳細に説明する。 実施例１ ＭｎＯ（２４モル％）、ＺｎＯ（２３モル％）、Ｆｅ2
Ｏ3 （５３モル％）を主成分とし、副成分としてＣａＣ
Ｏ3 （磁性材料の最終組成におけるＣａＯ換算で２００
ppm ）とＳｉＯ2 （磁性材料の最終組成において１００
ppm ）とＢｉ2Ｏ3（２００ppm ）とＭｏＯ3（２００ppm
）とを添加して、サンプルを得た。
【００４１】これらを混合後、バインダを加えスプレー
ドライヤーにて平均粒径１５０μmに顆粒化し、成形
し、成形体１００個を得た。これらを酸素分圧を制御し
た雰囲気中で、図１（実施例）および図２（比較例）に
示した温度プロファイルにて、５０個ずつ焼成し、外径
６mm、内径３mm、高さ１．５mmのトロイダルコアを得
た。
ドライヤーにて平均粒径１５０μmに顆粒化し、成形
し、成形体１００個を得た。これらを酸素分圧を制御し
た雰囲気中で、図１（実施例）および図２（比較例）に
示した温度プロファイルにて、５０個ずつ焼成し、外径
６mm、内径３mm、高さ１．５mmのトロイダルコアを得
た。
【００４２】なお、上記図１（実施例）および図２（比
較例）に示した温度プロファイルを下に詳述する。
較例）に示した温度プロファイルを下に詳述する。
【００４３】実施例の温度プロファイル 昇温工程 １２００℃までの昇温速度：３００℃／時間 １２００℃から１３００℃までの昇温速度：１００℃／
時間 副温度保持工程 １３００℃で１．０時間保持 焼成中降温工程 最低温度：１２００℃（主温度保持工程の保持温度との
差：２００℃） １３００℃から１２００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １２００℃から１４００℃までの昇温速度：１００℃／
時間 主温度保持工程 １４００℃で３．０時間保持 降温工程 １４００℃から１０００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １０００℃から常温までの降温速度：２５０℃／時間
時間 副温度保持工程 １３００℃で１．０時間保持 焼成中降温工程 最低温度：１２００℃（主温度保持工程の保持温度との
差：２００℃） １３００℃から１２００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １２００℃から１４００℃までの昇温速度：１００℃／
時間 主温度保持工程 １４００℃で３．０時間保持 降温工程 １４００℃から１０００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １０００℃から常温までの降温速度：２５０℃／時間
【００４４】比較例の温度プロファイル 昇温工程 １２００℃までの昇温速度：３００℃／時間 １２００℃から１４００℃までの昇温速度：１００℃／
時間 副温度保持工程 なし 焼成中降温工程 なし 主温度保持工程 １４００℃で３．０時間保持 降温工程 １４００℃から１０００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １０００℃から常温までの降温速度：２５０℃／時間
時間 副温度保持工程 なし 焼成中降温工程 なし 主温度保持工程 １４００℃で３．０時間保持 降温工程 １４００℃から１０００℃までの降温速度：１００℃／
時間 １０００℃から常温までの降温速度：２５０℃／時間
【００４５】すなわち、実施例の温度プロファイルのう
ち副温度保持工程と焼成中降温工程を除いたものを比較
例の温度プロファイルとした。
ち副温度保持工程と焼成中降温工程を除いたものを比較
例の温度プロファイルとした。
【００４６】なお、実施例および比較例のものの最終組
成を蛍光Ｘ線により測定したところ、主成分とＣａ、Ｓ
ｉは、原料組成とほぼ対応するものであり、酸化ビスマ
スと酸化モリブデンは添加量の１０〜８０重量％であっ
た。
成を蛍光Ｘ線により測定したところ、主成分とＣａ、Ｓ
ｉは、原料組成とほぼ対応するものであり、酸化ビスマ
スと酸化モリブデンは添加量の１０〜８０重量％であっ
た。
【００４７】得られた各トロイダルコアの２５℃におけ
る１０kHz と１００kHz と５００kHz での初透磁率およ
びを平均結晶粒径を測定した。なお、透磁率の測定には
インピーダンスアナライザーを用いた。これらの結果を
表１に示す。
る１０kHz と１００kHz と５００kHz での初透磁率およ
びを平均結晶粒径を測定した。なお、透磁率の測定には
インピーダンスアナライザーを用いた。これらの結果を
表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。すなわち、本発明に従い平均結晶粒径が５
２〜１４６μｍと大きくなり、特に１０ｋＨｚでの初透
磁率が従来に比べて極めて大きくなり、また、１００ｋ
Ｈｚ以上の初透磁率も従来のものと同等あるいはそれ以
上であることがわかる。また、実施例のものでは、５０
超〜１４０μｍの粒径の結晶が８０ｖｏｌ％以上であっ
た。
らかである。すなわち、本発明に従い平均結晶粒径が５
２〜１４６μｍと大きくなり、特に１０ｋＨｚでの初透
磁率が従来に比べて極めて大きくなり、また、１００ｋ
Ｈｚ以上の初透磁率も従来のものと同等あるいはそれ以
上であることがわかる。また、実施例のものでは、５０
超〜１４０μｍの粒径の結晶が８０ｖｏｌ％以上であっ
た。
【００５０】さらに、実施例と比較例のサンプルを１つ
ずつ任意に選び出し、それぞれ、１０ｋＨｚにおいて、
磁束密度１および１００ミリテスラ下での透磁率
（μ1 、μ 100）を測定したしたところ、実施例では、
μ1 が３２，５００であり、μ100が４９，７００と、
μ100／μ1 が１．５３となったが、比較例では、μ
1 が１２，５００であり、μ100が１３，９００と、
μ100／μ1 が１．１１であった。また、これらの実施
例と比較例のサンプルの断面を研磨し、光学顕微鏡にて
撮影した写真をそれぞれ図３，図４に示す。
ずつ任意に選び出し、それぞれ、１０ｋＨｚにおいて、
磁束密度１および１００ミリテスラ下での透磁率
（μ1 、μ 100）を測定したしたところ、実施例では、
μ1 が３２，５００であり、μ100が４９，７００と、
μ100／μ1 が１．５３となったが、比較例では、μ
1 が１２，５００であり、μ100が１３，９００と、
μ100／μ1 が１．１１であった。また、これらの実施
例と比較例のサンプルの断面を研磨し、光学顕微鏡にて
撮影した写真をそれぞれ図３，図４に示す。
【００５１】実施例２ マンガン−亜鉛系フェライトの組成を、主成分を実施例
１と同一にし副成分を、サンプル１２および１３につい
てはＣａＣＯ3およびＳｉＯ2の添加を実施例１と同様に
し、サンプル１４〜１６では、これらを添加せず、Ｂｉ
2Ｏ3とＭｏＯ3の添加量を下記した量とした以外は、実
施例１と同様にして、実施例と比較例のコアのサンプル
１２〜１６を得た。
１と同一にし副成分を、サンプル１２および１３につい
てはＣａＣＯ3およびＳｉＯ2の添加を実施例１と同様に
し、サンプル１４〜１６では、これらを添加せず、Ｂｉ
2Ｏ3とＭｏＯ3の添加量を下記した量とした以外は、実
施例１と同様にして、実施例と比較例のコアのサンプル
１２〜１６を得た。
【００５２】サンプル１２ Ｂｉ2Ｏ3：３００ppm ＭｏＯ3：０ サンプル１３ Ｂｉ2Ｏ3：３００ppm ＭｏＯ3：３００ppm サンプル１４ Ｂｉ2Ｏ3：４００ppm ＭｏＯ3：４００ppm サンプル１５ Ｂｉ2Ｏ3：６００ppm ＭｏＯ3：２００ppm サンプル１６ Ｂｉ2Ｏ3：２００ppm ＭｏＯ3：８００ppm
【００５３】以上の１２〜１６のサンプルのコアにつ
き、実施例１と同様に初透磁率等を測定したところ、実
施例１と同様の傾向が得られた。
き、実施例１と同様に初透磁率等を測定したところ、実
施例１と同様の傾向が得られた。
【００５４】
【発明の効果】本発明のマンガン−亜鉛系フィライト
は、周波数１０ｋＨｚ程度の低周波領域で特に高い初透
磁率を示す。しかも周波数１００kHz 以上の高周波領域
でも従来と同等かそれ以上の初透磁率を有する。
は、周波数１０ｋＨｚ程度の低周波領域で特に高い初透
磁率を示す。しかも周波数１００kHz 以上の高周波領域
でも従来と同等かそれ以上の初透磁率を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の焼成における温度プロファイルを示す
図である。
図である。
【図２】比較例の焼成における温度プロファイルを示す
図である。
図である。
【図３】本発明サンプルの断面を撮影した図面代用写真
である。
である。
【図４】比較サンプルの断面を撮影した図面代用写真で
ある。
ある。
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｆｅ2 Ｏ3 換算で５０〜５６モル％の酸
化鉄と、ＭｎＯ換算で２２〜３９モル％の酸化マンガン
と、ＺｎＯ換算で８〜２５モル％の酸化亜鉛とを主成分
として含有し、 平均結晶粒径が５０μm 超１５０μm 以下であるマンガ
ン−亜鉛系フェライト。 - 【請求項２】 前記主成分に対し、副成分として、Ｂｉ
2 Ｏ3 換算で８００ppm 以下の酸化ビスマス成分と、Ｍ
ｏＯ3 換算で１２００ppm 以下の酸化モリブデン成分と
を有する請求項１のマンガン−亜鉛系フェライト。 - 【請求項３】 さらにＣａＯ換算で５０〜５００ppm の
酸化カルシウムを含有する請求項１または２のマンガン
−亜鉛系フェライト。 - 【請求項４】 周波数１０kHzにおいて、磁束密度Ｂ＝
１００ミリテスラで測定したときの透磁率μ100が、磁
束密度Ｂ＝１ミリテスラで測定したときの透磁率μ1 の
１．２０倍以上である請求項１〜３のいずれかのマンガ
ン−亜鉛系フェライト。 - 【請求項５】 １０ｋＨｚにおける初透磁率μｉが１
５，０００以上である請求項１〜４のいずれかのマンガ
ン−亜鉛系フェライト。 - 【請求項６】 焼成中に少なくとも１回の降温工程を有
する請求項１〜５のいずれかのマンガン−亜鉛系フェラ
イト。 - 【請求項７】 マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法
であって、焼成中、１２００〜１４５０℃の主温度保持
工程を有し、この主温度保持工程の前に焼成中降温工程
を設け、この焼成中降温工程の最低温度を、１０００〜
１４００℃の温度範囲であって、主温度保持工程の保持
温度より少なくとも５０℃以上低く設定したことを特徴
とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかのマンガン−亜
鉛系フェライトを得る請求項７のマンガン−亜鉛系フェ
ライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25316399A JP3454472B2 (ja) | 1998-09-07 | 1999-09-07 | マンガン−亜鉛系フェライトおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26892398 | 1998-09-07 | ||
| JP10-268923 | 1998-09-07 | ||
| JP25316399A JP3454472B2 (ja) | 1998-09-07 | 1999-09-07 | マンガン−亜鉛系フェライトおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150223A true JP2000150223A (ja) | 2000-05-30 |
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ID=26541063
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25316399A Expired - Fee Related JP3454472B2 (ja) | 1998-09-07 | 1999-09-07 | マンガン−亜鉛系フェライトおよびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3454472B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102231312A (zh) * | 2011-04-16 | 2011-11-02 | 江门安磁电子有限公司 | 一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料及其制造方法 |
| JP2015091748A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | フェライトコアおよびその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-07 JP JP25316399A patent/JP3454472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102231312A (zh) * | 2011-04-16 | 2011-11-02 | 江门安磁电子有限公司 | 一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料及其制造方法 |
| CN102231312B (zh) * | 2011-04-16 | 2012-11-14 | 江门安磁电子有限公司 | 一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料及其制造方法 |
| JP2015091748A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | フェライトコアおよびその製造方法 |
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|---|---|
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| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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