JP2000150203A - 有機質サーミスタ装置及びその製造方法 - Google Patents

有機質サーミスタ装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2000150203A
JP2000150203A JP10313781A JP31378198A JP2000150203A JP 2000150203 A JP2000150203 A JP 2000150203A JP 10313781 A JP10313781 A JP 10313781A JP 31378198 A JP31378198 A JP 31378198A JP 2000150203 A JP2000150203 A JP 2000150203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
organic
metal wire
organic thermistor
linear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10313781A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3371827B2 (ja
Inventor
Shinichi Osada
慎一 長田
Tomozo Yamanouchi
知三 山之内
Yuichi Takaoka
祐一 高岡
Takashi Shikama
隆 鹿間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31378198A priority Critical patent/JP3371827B2/ja
Priority to US09/407,150 priority patent/US6300861B1/en
Publication of JP2000150203A publication Critical patent/JP2000150203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3371827B2 publication Critical patent/JP3371827B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/027Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で、常温抵抗が小さく、積層工法などの
複雑な製造工程を必要とせず、経済性に優れた有機質サ
ーミスタ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 有機質サーミスタ材料1aを用いて形成
したサーミスタ素体1の内部に、一対の外部電極3a,
3bの互いに対向する方向と略直交する方向に、サーミ
スタ素体1を貫通するように金属線2を配設してサーミ
スタ素体1の常温抵抗値を下げるとともに、サーミスタ
素体1の露出面及び金属線2のサーミスタ素体1からの
露出面2aを絶縁被覆して、実装基板上の他の部品や実
装基板上の線路などとサーミスタ素体1や金属線2が導
通することを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、過電流保護などの
用途に用いられる面実装型のサーミスタ装置に関し、詳
しくは、有機質サーミスタ材料を用いてサーミスタ素体
を形成した有機質サーミスタ装置及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】過大電流抑制用の回路保護部品として、
近年、有機質サーミスタ材料を用いてなる有機質PTC
サーミスタが利用されるに至っている。
【0003】この有機質PTCサーミスタ装置は、例え
ば、ポリエチレンなどの樹脂にカーボンなどを分散させ
て正の抵抗温度特性(PTC特性)を持たせた有機質サ
ーミスタ材料を用いたサーミスタ装置であり、一般的に
は、図10に示すように、有機質サーミスタ材料を板状
に成形したサーミスタ素体51の上下両面側に、ニッケ
ルや銅などからなる金属箔を圧着して表面電極52a,
52bを形成した後、めっき又はスパッタなどの方法で
外部電極53a,53bを形成することにより製造され
ている。
【0004】なお、有機質PTCサーミスタ装置として
は、その他にも、図11に示すように、サーミスタ素体
51や表面電極52a,52bなどの露出部分を絶縁樹
脂などの絶縁材料54で被覆して、外部電極53a,5
3bのみを露出させるようにした構造のものも使用され
ている。
【0005】そして、上記のような面実装型の有機質サ
ーミスタ装置(図10に示す有機質サーミスタ装置)を
実装する場合、通常、図12に示すように、リフローは
んだなどの方法により、外部電極53a,53bを、プ
リント基板55の配線電極(ランド)56に、はんだフ
ィレット57を介して、電気的、機械的に接続すること
により実装が行われている。
【0006】ところで、過大電流抑制用のPTCサーミ
スタ装置においては、電気回路使用時のPTCサーミス
タ装置における電圧降下を避けるために、常温での抵抗
値が0.1Ω以下であることが望まれている。なお、こ
のPTCサーミスタ装置の抵抗値は、下記の式(1)によ
り求められる。 ρ×T/S ……(1) ρ:PTC素体の比抵抗 T:PTC素体の厚さ S:PTC素体の断面積
【0007】一方、有機質PTCサーミスタ材料の場
合、高温時における抵抗値急変時のPTCサーミスタ材
料に要求される各種の電気特性を満たそうとすると、比
抵抗を0.5Ωcm以下にすることは困難であるのが実情
である。したがって、このような有機質PTCサーミス
タ材料を用いて、常温抵抗値が0.1Ω以下の有機質P
TCサーミスタ装置を構成しようとすると、図11に示
すように、有機質サーミスタ材料を板状に成形したサー
ミスタ素体51の上下両面側に、ニッケルや銅などから
なる金属箔を圧着して表面電極52a,52bを形成し
た上下表面電極構造型のものが一般的に用いられること
になる。
【0008】しかし、図11に示すような上下表面電極
構造とした場合にも、常温抵抗値を0.1Ω以下にしよ
うとすると、サーミスタ素体51の厚みが小さく、断面
積が大きいという要件を満たすことが必要になる。そこ
で、従来の有機質PTCサーミスタ装置においては、サ
ーミスタ素体51の寸法が、例えば、4.5mm(L)×
3.2mm(W)×0.3mm(T)というような大きさに
なっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、PTC
サーミスタ装置としては、常温での抵抗値を低くするこ
とが必須の要件となるが、有機質PTCサーミスタ装置
の場合、現状の技術では、サーミスタ素体の厚みを薄く
すると同時に、断面積を大きくする(すなわち平面面積
を大きくする)ことによってしか、この要求に応えるこ
とができていないのが実情である。
【0010】そのため、 製品の平面寸法が大型化して、基板上への実装に必要
なスペースが大きくなり、基板占有率が高くなる、 サーミスタ素体を構成する有機質サーミスタ材料の使
用量が多くなり、コストの増大を招く、 サーミスタ素体の厚みが薄いため、実装後にねじれや
曲がりなどの不具合が発生しやすい、 一対の外部電極間の材料(サーミスタ素体を構成する
有機質の材料)の量が多いため、PTCサーミスタ装置
の動作時間が長くなり、十分な過電流保護特性が得られ
ない場合が生じる(PTCサーミスタ装置が動作する前
に回路内の素子破壊が発生する) というような問題点がある。
【0011】また、内部導体となるべき電極を表面に設
けた有機質材料からなるシート(有機質PTCシート)
を積層することにより、PTCサーミスタ素体を、有機
質PTCシート間に内部導体が配設された積層構造とす
ることも考えられるが、有機質PTCシートの薄層化、
内部導体の形成、シートの積層などの工程を必要とする
積層工法には、コストの増大を招き、製品価格が大幅に
上昇するという問題点があり、実用性に乏しいのが実情
である。
【0012】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、小型で、常温抵抗値が小さく、信頼性に優れ、しか
も経済性に優れた有機質サーミスタ装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明(請求項1)の有機質サーミスタ装置は、有
機質サーミスタ材料を用いて形成したサーミスタ素体
と、前記サーミスタ素体の両端側に配設された一対の外
部電極と、前記一対の外部電極が互いに対向する方向と
略直交する方向に、前記サーミスタ素体を貫通するよう
に配設された金属線とを具備することを特徴としてい
る。
【0014】有機質サーミスタ材料を用いて形成したサ
ーミスタ素体の内部に、一対の外部電極の互いに対向す
る方向と略直交する方向に、サーミスタ素体を貫通する
ように金属線を配設することにより、サーミスタ素体の
常温抵抗値を下げることが可能になる。すなわち、本発
明の有機質サーミスタ装置のように、例えば、比抵抗が
1Ωcm程度の金属線を有機質サーミスタ材料中に配設す
ると、金属線の比抵抗が有機質サーミスタ材料の比抵抗
に比べて無視できるレベルであるため、等価的に一対の
外部電極間距離を小さくしたのと同じ作用効果を得るこ
とが可能になり、サーミスタ素体の常温抵抗値を下げる
ことが可能になる。
【0015】なお、本発明においては、サーミスタ素体
を構成する有機質サーミスタ材料の種類に特別の制約は
なく、例えば、ポリエチレンなどの樹脂にカーボンなど
を分散させてPTC特性を持たせた有機質サーミスタ材
料など、種々の有機質サーミスタ材料を用いることが可
能である。
【0016】また、金属線としては、種々の金属線を用
いることが可能であるが、ニッケル、すず、アルミニウ
ム,銅、及びこれらの少なくとも1種を主成分とする合
金のいずれか1種からなるものを用いるようにした場
合、材料コストの大幅な増大を招いたりすることなく、
常温抵抗値の低い有機質サーミスタ装置を確実に得るこ
とが可能になる。
【0017】また、金属線が、アルミニウム及びアルミ
ニウムを主成分とする合金からなるものである場合に、
表面にニッケル、すず又は銅のめっきを施すことによ
り、金属線と有機質サーミスタとの密着強度の向上を図
ることが可能になり、また、金属線が銅又は銅を主成分
とする合金からなるものである場合には、表面にニッケ
ルめっきを施すことにより、金属線と有機質サーミスタ
との密着強度の向上を図ることが可能になる。
【0018】また、請求項2の有機質サーミスタ装置
は、前記サーミスタ素体の露出面及び前記金属線のサー
ミスタ素体からの露出面が絶縁部材により被覆されてい
ることを特徴としている。
【0019】請求項2の有機質サーミスタ装置のよう
に、サーミスタ素体の露出面及び金属線のサーミスタ素
体からの露出面を絶縁被覆するようにした場合、実装基
板上の他の部品や線路などと、サーミスタ素体や金属線
が導通してしまうことを防止して、十分な信頼性を確保
することが可能になる。
【0020】また、請求項3の有機質サーミスタ装置
は、前記サーミスタ素体を貫通するように複数本の金属
線が略平行に配設されていることを特徴としている。
【0021】複数の金属線を配設するようにした場合、
サーミスタ素体の寸法が大きく、一対の外部電極間の距
離が大きくなるような場合にも、サーミスタ素体中の金
属線の体積比率を確保して、常温抵抗値を下げることが
可能になり、種々の寸法や形状の有機質サーミスタ装置
に対応することが可能になるとともに、互いに隣接する
金属線間距離を0.01mm程度の精度で制御することに
より、所望の抵抗値を有する有機質サーミスタ装置を実
現することが可能になる。
【0022】また、請求項4の有機質サーミスタ装置の
製造方法は、請求項1〜3のいずれかに記載の有機質サ
ーミスタ装置の製造方法であって、サーミスタ素体を構
成する有機質サーミスタ材料を、金属線を覆うように有
機質サーミスタ材料を成形して、金属線が有機質サーミ
スタ材料中に埋設された電線状の埋設体(線状埋設体)
を形成する工程と、前記線状埋設体の外周面に、一対の
長手方向に連続する電極(外部電極用の電極)を形成す
る工程と、前記線状埋設体を所定の位置で切断して個々
の素子に分割する工程とを具備することを特徴としてい
る。
【0023】有機質サーミスタ材料を、金属線を覆うよ
うに成形して、金属線が有機質サーミスタ材料により被
覆された電線状の埋設体(線状埋設体)を形成した後、
線状埋設体に、その長手方向に連続する一対の電極(外
部電極用の電極)を形成し、この線状埋設体を所定の位
置で切断して個々の素子に分割することにより、効率よ
く本発明の有機質サーミスタ装置の基本的な構成を得る
ことが可能になり、本発明をより実効あらしめることが
できる。
【0024】また、請求項5の有機質サーミスタ装置の
製造方法は、請求項1〜3のいずれかに記載の有機質サ
ーミスタ装置の製造方法であって、サーミスタ素体を構
成する有機質サーミスタ材料を、金属線を覆うように有
機質サーミスタ材料を成形して、金属線が有機質サーミ
スタ材料中に埋設された電線状の埋設体(線状埋設体)
を形成する工程と、前記線状埋設体を絶縁材料で被覆す
る工程と、前記線状埋設体を被覆する絶縁材料を、所定
の一対の位置において長手方向に連続して除去すること
により有機質サーミスタ材料を露出させる工程と、前記
露出した有機質サーミスタ材料と接合するように、一対
の長手方向に連続する電極(外部電極用の電極)を形成
する工程と、前記外部電極用の電極が形成された線状埋
設体を所定の位置で切断して個々の素子に分割する工程
と、前記分割された個々の素子の切断端面を絶縁材料で
被覆する工程とを具備することを特徴としている。
【0025】有機質サーミスタ材料を、金属線を覆うよ
うに成形して、金属線が有機質サーミスタ材料により被
覆された電線状の埋設体(線状埋設体)を形成するとと
もに、この線状埋設体を絶縁材料で被覆した後、線状埋
設体を被覆する絶縁材料を、所定の一対の位置において
長手方向に連続して除去することにより有機質サーミス
タ材料を露出させ、露出した有機質サーミスタ材料と接
合するように、一対の長手方向に連続する電極(外部電
極用の電極)を形成し、この外部電極用の電極が形成さ
れた線状埋設体を所定の位置で切断して個々の素子に分
割した後、個々の素子の切断端面を絶縁材料で被覆する
ことにより、サーミスタ素体中に金属線が配設され、か
つ、サーミスタ素体の露出面及び金属線のサーミスタ素
体からの露出面が絶縁部材により絶縁被覆された本発明
の有機質サーミスタ装置を効率よく製造することが可能
になる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を示して
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。図1
(a)は、本発明の一実施形態にかかる有機質サーミスタ
装置の外観構成を示す斜視図、図1(b)は、図1(a)の
有機質サーミスタ装置のa−a線による縦断面図であ
る。
【0027】図1(a)及び(b)に示すように、この有機
質サーミスタ装置は、例えば、ポリエチレンなどの樹脂
にカーボンなどを分散させてPTC特性を持たせた有機
質サーミスタ材料からなるサーミスタ素体1の両端側に
外部電極3a,3bが配設されているとともに、サーミ
スタ素体1の内部に、一対の外部電極3a,3bが互い
に対向する方向(図1(b)に矢印Aで示す方向)と略直
交する方向(図1(b)に矢印Bで示す方向)に、複数の
金属線2(図1(b))が、サーミスタ素体1を貫通する
ように配設された構造を有しており、サーミスタ素体1
の外周面及び金属線2のサーミスタ素体1からの露出面
2a(図1(b))は、絶縁部材(絶縁樹脂)4により絶
縁被覆されている。
【0028】この実施形態の有機質サーミスタ装置で
は、金属線2として、丸棒状の銅線にニッケルめっきを
施した、直径が0.8mmの金属線が用いられており、3
本の金属線2が、互いに隣接する金属線間距離Dが0.
1mmとなるようにサーミスタ素体1中に配設されてい
る。なお、金属線2の表面をRa=0.1〜1.0μm
程度に粗面化することにより、サーミスタ素体1と金属
線2との密着強度の向上を図ることができる。
【0029】また、外部電極3a,3bは、特に図示し
ないが、スパッタリング法によりサーミスタ素体1の表
面に形成されたニッケル層と、ニッケル層上に電解めっ
きすることにより形成されたスズ層又はスズ合金層から
なる積層構造を有している。
【0030】次に、この実施形態の有機質サーミスタ装
置の製造方法について説明する。 図2(a)に示すように、金属線を巻いた3つのリール
11(11a,11b,11c)を設置し、各リール1
1より導き出した3本の金属線2を、成形機の3穴ダイ
スニップル12に通し、加熱して軟化させた有機質サー
ミスタ材料を流し込みながら押出成形して、図2(b)
に、長手方向と直交する方向の断面図を示すような、金
属線2が有機質サーミスタ材料1a中に埋設されたフラ
ットな電線状の埋設体(線状埋設体)21を形成する。 次に、図3(a)に示すように、線状埋設体21を巻き
取ったリール13から、線状埋設体21を導き出して成
形機の1穴ダイスニップル14に通し、加熱して軟化さ
せた絶縁材料(絶縁樹脂)を流し込みながら押出成形し
て、線状埋設体21を絶縁樹脂4で被覆することによ
り、図3(b)に、長手方向と直交する方向の断面図を示
すような、線状の絶縁被覆体22を形成する。 それから、絶縁被覆体22の絶縁樹脂4を、外部電極
を形成すべき所定の一対の位置において長手方向に連続
して除去する。この実施形態では、図4に示すように、
絶縁被覆体22の両側にグラインダ15a,15bを配
設し、絶縁被覆体22(絶縁樹脂4で被覆された線状埋
設体21)を、2つのグラインダ15a,15bの間を
通過させることにより両端側の絶縁樹脂4(4a)(図
3(b)及び図4)を除去して、図5に示すように、両端
側に有機質サーミスタ材料1aを露出させる。なお、グ
ラインダ15a,15bとして、表面粗さが#1000
〜2000程度のものを用いることにより、後工程で形
成する外部電極3a,3bの密着性を向上させることが
できる。 次に、両端側の絶縁樹脂4を除去した後の絶縁被覆体
22(線状埋設体21)の両端側に露出した有機質サー
ミスタ材料1aの表面に、ニッケルをスパッタすること
によりニッケル層を形成するとともに、はんだ付け性を
向上させるために、はんだ又はスズを電解めっきしてニ
ッケル層上にはんだ層又はスズ層を形成することにより
外部電極3a,3bを形成する(図6)。 それから、外部電極3a,3bが形成された線状埋設
体21を、所定の位置(ここでは、1.6mm間隔)でカ
ットし、図1(b)に示すような個々の素子を切り出す。 そして、切り出された個々の素子の、金属線が露出し
た切断面に絶縁樹脂4(4b)(図1(a))を塗布し、
紫外線を当てて絶縁樹脂を硬化させることにより、図1
(a)に示すような有機質サーミスタ装置を得る。
【0031】この実施形態の有機質サーミスタ装置にお
いては、サーミスタ素体1の内部に金属線2が配設され
ているため、抵抗値の低い素子を実現することが可能に
なり、前述の従来の構成の有機質サーミスタ装置(図1
1)においては、4.5mm(L)×3.2mm(W)×
0.3mm(T)の寸法とすることが必要であったもの
を、3.2mm(L)×1.6mm(W)×1.0〜1.6
mm(T)程度にすることが可能になり、平面面積を小さ
くして実装スペースを減少させることができた。
【0032】なお、上記実施形態では、断面形状が円形
の金属線を用いた場合について説明したが、図7に示す
ように、断面形状が方形の金属線2を用いて有機質サー
ミスタ装置を構成することも可能である。
【0033】なお、図7の有機質サーミスタ装置におい
ては、断面形状が方形の2本の金属線2を用いるととも
に、金属線2の側面に接続するように、外部電極3a,
3bが配設されている。なお、図7において、図1と同
一符号を付した部分は、図1の有機質サーミスタ装置と
同一または相当部分を示している。
【0034】この図7の有機質サーミスタ装置において
は、抵抗値が、2本の金属線2の間に介在する、厚みD
(=金属線間距離)の有機質サーミスタ材料の抵抗値で
規定されるため、金属線間距離Dを小さくすることによ
り、極めて抵抗値の低い素子を実現することが可能であ
る。
【0035】また、本発明においては、図8に示すよう
に、断面形状が方形の3本の金属線2を用いて有機質サ
ーミスタ装置を構成することも可能である。
【0036】また、図9に示すように、丸棒状の金属線
2を用い、外部電極3a,3bを、金属線の外周面の一
部に直接に接続するように形成することも可能である。
なお、図8及び図9において、図1と同一符号を付した
部分は、図1の有機質サーミスタ装置と同一または相当
部分を示している。
【0037】本発明は、さらにその他の点においても、
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
【0038】例えば、金属線として、ニッケル、すず、
アルミニウム,銅、及びこれらの少なくとも1種を主成
分とする合金のいずれか1種からなるものを用いるよう
にした場合、材料コストの大幅な増大を招いたりするこ
となく、常温抵抗値の低い有機質サーミスタ装置を確実
に得ることが可能になる。
【0039】また、金属線が、アルミニウム及びアルミ
ニウムを主成分とする合金からなるものである場合に、
表面にニッケル、すず又は銅のめっきを施すことによ
り、金属線と有機質サーミスタとの密着強度の向上を図
ることが可能になり、また、金属線が銅又は銅を主成分
とする合金からなるものである場合には、表面にニッケ
ルめっきを施すことにより、金属線と有機質サーミスタ
との密着強度の向上を図ることが可能になる。
【0040】また、本発明の有機質サーミスタ装置にお
いては、金属線の直径や、線状埋設体の切断態様を変え
たりすることによりサーミスタ素体の抵抗値を変化させ
て抵抗値のシリーズ化を図ったりすることも可能であ
る。
【0041】
【発明の効果】上述のように、本発明(請求項1)の有
機質サーミスタ装置は、有機質サーミスタ材料を用いて
形成したサーミスタ素体の内部に、一対の外部電極が互
いに対向する方向と略直交する方向に、サーミスタ素体
を貫通するように金属線を配設しているので、サーミス
タ素体の常温抵抗値を下げることが可能になる。また、
従来のような表面電極を必要としないため製品の平面面
積、すなわち基板取付面積を小さくすることが可能にな
る。また、サーミスタ素体の厚みが従来の表面電極型の
ものに比べて厚くなり、かつ、内部に金属線を含んでい
るため、機械的強度が増大し、ねじれや曲がりなどの発
生を防止して、製造工程や実使用時の不良発生を低減す
ることができる。また、サーミスタ素体の発熱が開始さ
れる部分は、金属線間の隙間に有機質サーミスタ材料が
介在する部分であり、この部分の有機質サーミスタ材料
の量は少なく、熱容量も小さいため、発熱動作、すなわ
ち、過電流保護動作が速くなって、過電流保護機能を向
上させることが可能になる。
【0042】また、請求項2の有機質サーミスタ装置の
ように、サーミスタ素体の露出面及び金属線のサーミス
タ素体からの露出面を絶縁被覆するようにした場合、実
装基板上の他の部品や線路などと、サーミスタ素体や金
属線が導通してしまうことを防止して、十分な信頼性を
確保することが可能になる。
【0043】また、請求項3の有機質サーミスタ装置の
ように、複数本の金属線を配設するようにした場合、サ
ーミスタ素体の寸法が大きく、一対の外部電極間の距離
が大きくなるような場合にも、サーミスタ素体中の金属
線の体積比率を確保して、常温抵抗値を下げることが可
能になり、種々の寸法や形状の有機質サーミスタ装置に
対応することが可能になるとともに、互いに隣接する金
属線間距離を0.01mm程度の精度で制御することによ
り、所望の抵抗値を有する有機質サーミスタ装置を実現
することが可能になる。
【0044】また、本発明(請求項4)の有機質サーミ
スタ装置の製造方法は、有機質サーミスタ材料を、金属
線を覆うように成形して、金属線が有機質サーミスタ材
料により被覆された電線状の埋設体(線状埋設体)を形
成した後、線状埋設体に、その長手方向に連続する一対
の電極(外部電極用の電極)を形成し、この線状埋設体
を所定の位置で切断して個々の素子に分割することによ
り、効率よく本発明の有機質サーミスタ装置の基本的な
構成を得ることが可能になり、本発明をより実効あらし
めることができる。
【0045】また、本発明(請求項5)の有機質サーミ
スタ装置の製造方法は、有機質サーミスタ材料を、金属
線を覆うように成形して、金属線が有機質サーミスタ材
料により被覆された電線状の埋設体(線状埋設体)を形
成するとともに、この線状埋設体を絶縁材料で被覆した
後、線状埋設体を被覆する絶縁材料を、所定の一対の位
置において長手方向に連続して除去することにより有機
質サーミスタ材料を露出させ、露出した有機質サーミス
タ材料と接合するように、一対の長手方向に連続する電
極(外部電極用の電極)を形成し、この外部電極用の電
極が形成された線状埋設体を所定の位置で切断して個々
の素子に分割した後、個々の素子の切断端面を絶縁材料
で被覆することにより、サーミスタ素体中に金属線が配
設され、かつ、サーミスタ素体の露出面及び金属線のサ
ーミスタ素体からの露出面が絶縁部材により絶縁被覆さ
れた本発明の有機質サーミスタ装置を効率よく製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施形態にかかる有機質サー
ミスタ装置の外観構成を示す斜視図であり、(b)は(a)
の有機質サーミスタ装置のa−a線による縦断面図であ
る。
【図2】(a)は本発明の一実施形態にかかる有機質サー
ミスタ装置の製造方法の一工程において、線状埋設体を
形成している状態を示す図であり、(b)は線状埋設体を
長手方向に直交する方向に切断した断面図である。
【図3】(a)は本発明の一実施形態にかかる有機質サー
ミスタ装置の製造方法の一工程において、線状埋設体を
絶縁樹脂で被覆している状態を示す図であり、(b)は絶
縁樹脂で被覆された線状埋設体を長手方向に直交する方
向に切断した断面図である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる有機質サーミスタ
装置の製造方法の一工程において、絶縁樹脂で被覆され
た線状埋設体(絶縁被覆体)の両側面側の絶縁樹脂を除
去する方法を示す斜視図である。
【図5】両側面側の絶縁樹脂が除去された線状埋設体を
示す斜視図である。
【図6】線状埋設体の両側部に外部電極を形成した状態
を示す斜視図である。
【図7】本発明の他の実施形態にかかる有機質サーミス
タ装置を示す図である。
【図8】本発明のさらに他の実施形態にかかる有機質サ
ーミスタ装置を示す図である。
【図9】本発明のさらに他の実施形態にかかる有機質サ
ーミスタ装置を示す図である。
【図10】従来の有機質サーミスタ装置を示す断面図で
ある。
【図11】従来の他の有機質サーミスタ装置を示す断面
図である。
【図12】従来の有機質サーミスタ装置を実装基板上に
実装した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 サーミスタ素体 1a 有機質サーミスタ材料 2 金属線 2a 金属線の露出面 3a,3b 外部電極 4(4a,4b) 絶縁部材(絶縁樹脂) 11(11a,11b,11c) リール 12 3穴ダイスニップル 13 リール 14 1穴ダイスニップル 15a,15b グラインダ 21 線状埋設体 22 絶縁被覆体 D 金属線間距離
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年11月9日(1998.11.
9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高岡 祐一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鹿間 隆 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5E032 AB01 BA22 BB09 CA02 CC03 CC05 CC16 DA11 5E034 AA07 AB01 AC10 DA02 DB01 DB05 DB11 DB16 DC01 DE17

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】有機質サーミスタ材料を用いて形成したサ
    ーミスタ素体と、 前記サーミスタ素体の両端側に配設された一対の外部電
    極と、 前記一対の外部電極が互いに対向する方向と略直交する
    方向に、前記サーミスタ素体を貫通するように配設され
    た金属線とを具備することを特徴とする有機質サーミス
    タ装置。
  2. 【請求項2】前記サーミスタ素体の露出面及び前記金属
    線のサーミスタ素体からの露出面が絶縁部材により被覆
    されていることを特徴とする請求項1記載の有機質サー
    ミスタ装置。
  3. 【請求項3】前記サーミスタ素体を貫通するように複数
    本の金属線が略平行に配設されていることを特徴とする
    請求項1又は2記載の有機質サーミスタ装置。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のいずれかに記載の有機質サ
    ーミスタ装置の製造方法であって、 サーミスタ素体を構成する有機質サーミスタ材料を、金
    属線を覆うように有機質サーミスタ材料を成形して、金
    属線が有機質サーミスタ材料中に埋設された電線状の埋
    設体(線状埋設体)を形成する工程と、 前記線状埋設体の外周面に、一対の長手方向に連続する
    電極(外部電極用の電極)を形成する工程と、 前記線状埋設体を所定の位置で切断して個々の素子に分
    割する工程とを具備することを特徴とする有機質サーミ
    スタ装置の製造方法。
  5. 【請求項5】請求項1〜3のいずれかに記載の有機質サ
    ーミスタ装置の製造方法であって、 サーミスタ素体を構成する有機質サーミスタ材料を、金
    属線を覆うように有機質サーミスタ材料を成形して、金
    属線が有機質サーミスタ材料中に埋設された電線状の埋
    設体(線状埋設体)を形成する工程と、 前記線状埋設体を絶縁材料で被覆する工程と、 前記線状埋設体を被覆する絶縁材料を、所定の一対の位
    置において長手方向に連続して除去することにより有機
    質サーミスタ材料を露出させる工程と、 前記露出した有機質サーミスタ材料と接合するように、
    一対の長手方向に連続する電極(外部電極用の電極)を
    形成する工程と、 前記外部電極用の電極が形成された線状埋設体を所定の
    位置で切断して個々の素子に分割する工程と、 前記分割された個々の素子の切断端面を絶縁材料で被覆
    する工程とを具備することを特徴とする有機質サーミス
    タ装置の製造方法。
JP31378198A 1998-11-04 1998-11-04 有機質サーミスタ装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3371827B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31378198A JP3371827B2 (ja) 1998-11-04 1998-11-04 有機質サーミスタ装置の製造方法
US09/407,150 US6300861B1 (en) 1998-11-04 1999-09-28 Organic thermistor device and method of producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31378198A JP3371827B2 (ja) 1998-11-04 1998-11-04 有機質サーミスタ装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000150203A true JP2000150203A (ja) 2000-05-30
JP3371827B2 JP3371827B2 (ja) 2003-01-27

Family

ID=18045458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31378198A Expired - Fee Related JP3371827B2 (ja) 1998-11-04 1998-11-04 有機質サーミスタ装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6300861B1 (ja)
JP (1) JP3371827B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100495131B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 표면실장형 정온계수 전기 장치의 제조 방법
KR100495129B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 도선을 이용한 표면실장형 전기장치 제조방법
KR100495128B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 도선을 이용한 표면실장형 전기장치
JP2022524185A (ja) * 2019-03-22 2022-04-28 リテルヒューズ エレクトロニクス (シャンハイ) カンパニー リミテッド ポリスイッチを含むptcデバイス

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137669A (en) * 1998-10-28 2000-10-24 Chiang; Justin N. Sensor
TW529772U (en) * 2002-06-06 2003-04-21 Protectronics Technology Corp Surface mountable laminated circuit protection device
FR2921194B1 (fr) * 2007-09-18 2010-03-12 Acome Soc Coop Production Cable autoregulant a comportement ctp et a puissance electrique modulable, son connecteur, un dispositif les comprenant et utilisation de ce dernier

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1521460A (en) * 1974-08-30 1978-08-16 Raychem Corp Self-limiting electrically resistive article and process for its manufacture
US4330703A (en) * 1975-08-04 1982-05-18 Raychem Corporation Layered self-regulating heating article
US4329726A (en) * 1978-12-01 1982-05-11 Raychem Corporation Circuit protection devices comprising PTC elements
US5227946A (en) * 1981-04-02 1993-07-13 Raychem Corporation Electrical device comprising a PTC conductive polymer
JPH0653008A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Taiyo Yuden Co Ltd 積層型サ−ミスタ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100495131B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 표면실장형 정온계수 전기 장치의 제조 방법
KR100495129B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 도선을 이용한 표면실장형 전기장치 제조방법
KR100495128B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 도선을 이용한 표면실장형 전기장치
JP2022524185A (ja) * 2019-03-22 2022-04-28 リテルヒューズ エレクトロニクス (シャンハイ) カンパニー リミテッド ポリスイッチを含むptcデバイス
US11854723B2 (en) 2019-03-22 2023-12-26 Littelfuse Electronics (Shanghai) Co., Ltd. PTC device including polyswitch
JP7513346B2 (ja) 2019-03-22 2024-07-09 リテルヒューズ エレクトロニクス (シャンハイ) カンパニー リミテッド ポリスイッチを含むptcデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP3371827B2 (ja) 2003-01-27
US6300861B1 (en) 2001-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0398811B1 (en) Manufacturing method for a PTC thermistor
JP3073003U (ja) 表面実装型電気装置
US6020808A (en) Multilayer conductive polymer positive temperature coefficent device
JPH0620802A (ja) バルク金属チップ抵抗器
US10692633B2 (en) Resistor with upper surface heat dissipation
JP3848286B2 (ja) チップ抵抗器
JP4057462B2 (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP2006332413A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP2024076387A (ja) 抵抗器
JP2000150203A (ja) 有機質サーミスタ装置及びその製造方法
JP3736602B2 (ja) チップ型サーミスタ
JP5835274B2 (ja) 接続部材および接続部材付きフラットケーブル
US20220277916A1 (en) Fuse element, fuse device, and protection device
JP3628222B2 (ja) Ptc素子の製造方法
JP6810526B2 (ja) 抵抗器
JP2000164405A (ja) 有機質サーミスタ装置及びその製造方法
WO2022091643A1 (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JPH05234666A (ja) 積層フレキシブルヒータ
JPS5937878B2 (ja) 印刷配線板
JP2002198202A (ja) 多連チップ抵抗器及びその製造方法
JPH0436530Y2 (ja)
JP2023101896A (ja) コイル部品
KR100485890B1 (ko) 표면실장형 정온계수 전기 장치 및 그 제조 방법
JP3419305B2 (ja) 複合素子
JPS626710Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021022

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees