JP2000138442A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2000138442A JP2000138442A JP30979398A JP30979398A JP2000138442A JP 2000138442 A JP2000138442 A JP 2000138442A JP 30979398 A JP30979398 A JP 30979398A JP 30979398 A JP30979398 A JP 30979398A JP 2000138442 A JP2000138442 A JP 2000138442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilane
- groove
- thin film
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （１）基板上に形成したＣＦシラン含有
ポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触させ、表面にパラ
ジウムコロイド層を形成する工程、（２）上記パラジウ
ムコロイド層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的に
光照射し、この感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形
成し、ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜を露出させてパタ
ーン潜像を形成する工程、（３）上記パターン潜像の溝
に無電解メッキ液を接触させ、このパターン潜像の溝内
に導電性金属層を充填形成する工程を含む配線基板の製
造方法。 【効果】 本発明の配線基板の製造方法によれば、安価
で簡便な工程により、優れた耐熱性及びパターン精細度
を持つ金属パターン配線を得ることができる。
ポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触させ、表面にパラ
ジウムコロイド層を形成する工程、（２）上記パラジウ
ムコロイド層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的に
光照射し、この感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形
成し、ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜を露出させてパタ
ーン潜像を形成する工程、（３）上記パターン潜像の溝
に無電解メッキ液を接触させ、このパターン潜像の溝内
に導電性金属層を充填形成する工程を含む配線基板の製
造方法。 【効果】 本発明の配線基板の製造方法によれば、安価
で簡便な工程により、優れた耐熱性及びパターン精細度
を持つ金属パターン配線を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、安価で簡便な工程
により、優れた耐熱性、金属と基板との接着性、精細度
に優れた配線基板を得ることができる配線基板の製造方
法に関する。
により、優れた耐熱性、金属と基板との接着性、精細度
に優れた配線基板を得ることができる配線基板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】プリン
ト基板は、超薄型機器の普及に伴い、高密度化の要請が
強い。従来、このプリント基板においては、樹脂基板と
銅箔を接着剤で接着後にレジストでパターン化を行って
いた（サブトラクト法）が、フェノール樹脂、ポリエス
テル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂というような各樹脂ごとに異なる接
着剤と煩雑な接着プロセスが必要である上、その接着強
度も必ずしも十分ではなかった。
ト基板は、超薄型機器の普及に伴い、高密度化の要請が
強い。従来、このプリント基板においては、樹脂基板と
銅箔を接着剤で接着後にレジストでパターン化を行って
いた（サブトラクト法）が、フェノール樹脂、ポリエス
テル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂というような各樹脂ごとに異なる接
着剤と煩雑な接着プロセスが必要である上、その接着強
度も必ずしも十分ではなかった。
【０００３】更に最近では、より微細な金属パターン形
成の必要性から、オーバーエッチングによる金属膜の先
細りが問題となるこのサブトラクト法よりも、樹脂基板
上に金属層を形成させる手法（アディティブ法）の実用
化が検討されてきた。しかし、この手法においても樹脂
基板と金属との間の接着性の向上が重要な課題であっ
た。
成の必要性から、オーバーエッチングによる金属膜の先
細りが問題となるこのサブトラクト法よりも、樹脂基板
上に金属層を形成させる手法（アディティブ法）の実用
化が検討されてきた。しかし、この手法においても樹脂
基板と金属との間の接着性の向上が重要な課題であっ
た。
【０００４】また、エレクトロニクス機器の高速化を実
現するため、ロジックデバイスやシステムＬＳＩでは、
その回路の高集積度化と高速化が強く求められている。
これを実現するための手段としては、低抵抗配線材料で
ある銅が注目を浴びている。なお、従来、デバイスの製
造にあたり、半導体上に形成させる微細金属回路の素材
としてはアルミニウムが用いられ、手法はＣＶＤ法が採
用されていた。銅は、このアルミニウムに比べて加工が
難しいもので、このため銅の微細配線技術の確立が急務
となっている。その中で上記問題点の解決策として、特
に電解メッキ法がクローズアップされ、すでに銅配線プ
ロセスに関しては実用化が検討されている（月刊ＳＥＭ
ＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＷＯＲＬＤ，１９９８年２月
号，８２−８５頁参照）。
現するため、ロジックデバイスやシステムＬＳＩでは、
その回路の高集積度化と高速化が強く求められている。
これを実現するための手段としては、低抵抗配線材料で
ある銅が注目を浴びている。なお、従来、デバイスの製
造にあたり、半導体上に形成させる微細金属回路の素材
としてはアルミニウムが用いられ、手法はＣＶＤ法が採
用されていた。銅は、このアルミニウムに比べて加工が
難しいもので、このため銅の微細配線技術の確立が急務
となっている。その中で上記問題点の解決策として、特
に電解メッキ法がクローズアップされ、すでに銅配線プ
ロセスに関しては実用化が検討されている（月刊ＳＥＭ
ＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＷＯＲＬＤ，１９９８年２月
号，８２−８５頁参照）。
【０００５】しかしながら、電解メッキ法はメッキ厚が
場所によりバラつき、メッキ厚の再現性が得られないと
いう問題点を有し、量産化のネックとなっていた。ま
た、微細な金属パターン形成を量産するのに必要なレジ
スト及びレジストプロセスと組み合わせた場合の最適条
件の構築が十分とは言えなかった。
場所によりバラつき、メッキ厚の再現性が得られないと
いう問題点を有し、量産化のネックとなっていた。ま
た、微細な金属パターン形成を量産するのに必要なレジ
スト及びレジストプロセスと組み合わせた場合の最適条
件の構築が十分とは言えなかった。
【０００６】一方、ポリシランは、炭素に比べてそのケ
イ素のもつ金属性、特異な電子非局在性による紫外線吸
収特性、高い耐熱性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から
非常に興味深いポリマーであり、様々な極微細なパター
ンを高精度で形成するフォトレジストの開発を目的とし
て、ポリシランを用いた研究が活発に行われてきた（特
開平６−２９１２７３号、同７−１１４１８８号公
報）。中でも、特開平５−７２６９４号公報において
は、半導体集積回路の製造方法として、ポリシランが用
いられている。この方法は、導電層としてポリシランや
ヨウ素等でドーピングしたポリシラン膜を用い、絶縁層
として光照射によりポリシランから変換したシロキサン
層を用いることを特徴としたものであり、このようにポ
リシランのＳｉ−Ｓｉ結合を持つポリマーは、導電材料
への応用が考えられていた。
イ素のもつ金属性、特異な電子非局在性による紫外線吸
収特性、高い耐熱性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から
非常に興味深いポリマーであり、様々な極微細なパター
ンを高精度で形成するフォトレジストの開発を目的とし
て、ポリシランを用いた研究が活発に行われてきた（特
開平６−２９１２７３号、同７−１１４１８８号公
報）。中でも、特開平５−７２６９４号公報において
は、半導体集積回路の製造方法として、ポリシランが用
いられている。この方法は、導電層としてポリシランや
ヨウ素等でドーピングしたポリシラン膜を用い、絶縁層
として光照射によりポリシランから変換したシロキサン
層を用いることを特徴としたものであり、このようにポ
リシランのＳｉ−Ｓｉ結合を持つポリマーは、導電材料
への応用が考えられていた。
【０００７】しかしながら、上記方法により得られる半
導体集積回路は、ポリシランのみでは導電部の導電性が
十分ではなく、また、腐食性のあるヨウ素等を用いるこ
とは電子材料へ応用するときの大きな障害になってお
り、しかも、大気中の水分、酸素、光等により容易にシ
ロキサンに変化し得るポリシランそのものを導電材料と
して用いるため、特に信頼性を必要とする電子材料に応
用するには非常に困難を伴うものであった。
導体集積回路は、ポリシランのみでは導電部の導電性が
十分ではなく、また、腐食性のあるヨウ素等を用いるこ
とは電子材料へ応用するときの大きな障害になってお
り、しかも、大気中の水分、酸素、光等により容易にシ
ロキサンに変化し得るポリシランそのものを導電材料と
して用いるため、特に信頼性を必要とする電子材料に応
用するには非常に困難を伴うものであった。
【０００８】また、特開昭５７−１１３３９号公報に
は、Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物を露光後、金属塩溶
液と接触させることで金属画像を形成する方法が記載さ
れている。この方法は、Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物
と金属塩溶液を接触させることにより金属塩が金属まで
還元されることを利用し、未露光部に金属層を形成した
ものである。
は、Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物を露光後、金属塩溶
液と接触させることで金属画像を形成する方法が記載さ
れている。この方法は、Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物
と金属塩溶液を接触させることにより金属塩が金属まで
還元されることを利用し、未露光部に金属層を形成した
ものである。
【０００９】しかし、この方法で鮮明な描画を行うため
には、露光部の還元性を完全になくす必要があることか
ら、大量の光を照射する必要があった。また、この場
合、ポリシランは露光によりシロキサンに変換されてし
まうが、紫外線照射によって微細回路を形成した後で、
このシロキサンを更に耐熱性が高く靭性のある絶縁性セ
ラミックの前駆体であるポリカルボシランやポリシラザ
ンなどに転換することは非常に困難であるという問題が
あった。
には、露光部の還元性を完全になくす必要があることか
ら、大量の光を照射する必要があった。また、この場
合、ポリシランは露光によりシロキサンに変換されてし
まうが、紫外線照射によって微細回路を形成した後で、
このシロキサンを更に耐熱性が高く靭性のある絶縁性セ
ラミックの前駆体であるポリカルボシランやポリシラザ
ンなどに転換することは非常に困難であるという問題が
あった。
【００１０】従って、より高品質な配線基板を工業的に
有利に製造する技術の開発が望まれた。
有利に製造する技術の開発が望まれた。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、優れた耐熱性及びパターン精細度を持ち、電気、電
子、通信分野等で広く応用可能な高導電部と絶縁部との
パターンを有する配線基板を安価で簡便な工程で製造す
ることができる配線基板の製造方法を提供することを目
的とする。
で、優れた耐熱性及びパターン精細度を持ち、電気、電
子、通信分野等で広く応用可能な高導電部と絶縁部との
パターンを有する配線基板を安価で簡便な工程で製造す
ることができる配線基板の製造方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明は、上記目的を達成するため、第一発明は、（１）
基板上に形成したカーボンファンクショナルシランを含
有するポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触させ、表面
にパラジウムコロイド層を形成する工程、（２）上記パ
ラジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜上に感光性
樹脂層を形成した後、選択的に光照射し、現像して、こ
の感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形成してこの溝
内に上記パラジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜
を露出させる工程、（３）上記溝内のパラジウムコロイ
ド層を有するポリシラン薄膜に無電解メッキ液を接触さ
せ、この溝内に導電性金属層を形成する工程を含むこと
を特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
発明は、上記目的を達成するため、第一発明は、（１）
基板上に形成したカーボンファンクショナルシランを含
有するポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触させ、表面
にパラジウムコロイド層を形成する工程、（２）上記パ
ラジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜上に感光性
樹脂層を形成した後、選択的に光照射し、現像して、こ
の感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形成してこの溝
内に上記パラジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜
を露出させる工程、（３）上記溝内のパラジウムコロイ
ド層を有するポリシラン薄膜に無電解メッキ液を接触さ
せ、この溝内に導電性金属層を形成する工程を含むこと
を特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
【００１３】更に、第二発明は、（Ｉ）基板上に形成し
たＳｉＨ基含有ポリシラン薄膜を光照射し、ポリシラン
を架橋させて溶剤に不溶化させる工程、（ＩＩ）上記架
橋ポリシラン層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的
に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所定のパタ
ーンの溝を形成し、この溝内に上記架橋ポリシラン薄膜
を露出させる工程、（ＩＩＩ）上記溝内の架橋ポリシラ
ン薄膜にパラジウム塩を接触させてパラジウムコロイド
層を形成し、次いで無電解メッキ液を接触させ、この溝
内に導電性金属層を形成する工程を含むことを特徴とす
る配線基板の製造方法を提供する。
たＳｉＨ基含有ポリシラン薄膜を光照射し、ポリシラン
を架橋させて溶剤に不溶化させる工程、（ＩＩ）上記架
橋ポリシラン層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的
に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所定のパタ
ーンの溝を形成し、この溝内に上記架橋ポリシラン薄膜
を露出させる工程、（ＩＩＩ）上記溝内の架橋ポリシラ
ン薄膜にパラジウム塩を接触させてパラジウムコロイド
層を形成し、次いで無電解メッキ液を接触させ、この溝
内に導電性金属層を形成する工程を含むことを特徴とす
る配線基板の製造方法を提供する。
【００１４】即ち、本発明者は、先にポリシランに紫外
線を照射すると、ポリシランをポリシロキサンに変換し
て表面状態を極性に変化でき、これをパラジウム塩の溶
液に接触させるとパラジウムコロイドを生成できること
を利用してパターン形成が可能であることを見出した。
更に、無電解メッキ法は、パラジウムコロイドをその表
面に付着させれば様々な樹脂上に均一なメッキ厚の金属
膜を形成することができ、ポリシラン薄膜の上記した特
性とパラジウムコロイドを触媒とした無電解メッキを組
み合わせることで、銅の金属パターンを形成でき、これ
により優れた耐熱性及びパターン精細度を持つ回路基板
を安価で簡便な工程で製造できることを特願平１０−９
４１１１号に提案した。
線を照射すると、ポリシランをポリシロキサンに変換し
て表面状態を極性に変化でき、これをパラジウム塩の溶
液に接触させるとパラジウムコロイドを生成できること
を利用してパターン形成が可能であることを見出した。
更に、無電解メッキ法は、パラジウムコロイドをその表
面に付着させれば様々な樹脂上に均一なメッキ厚の金属
膜を形成することができ、ポリシラン薄膜の上記した特
性とパラジウムコロイドを触媒とした無電解メッキを組
み合わせることで、銅の金属パターンを形成でき、これ
により優れた耐熱性及びパターン精細度を持つ回路基板
を安価で簡便な工程で製造できることを特願平１０−９
４１１１号に提案した。
【００１５】本発明者は、更に研究を進め、このような
金属パターンを利用した回路基板の製造方法において
は、金属パターンと基板との接着性が十分満足できない
場合があること、更に、光により形成したパターンを金
属パターンにしていく時に、金属が付着していくに従い
金属部の膨らみが生じ、レジストにより形成したパター
ンが満足し難いものになる場合があることがわかった。
金属パターンを利用した回路基板の製造方法において
は、金属パターンと基板との接着性が十分満足できない
場合があること、更に、光により形成したパターンを金
属パターンにしていく時に、金属が付着していくに従い
金属部の膨らみが生じ、レジストにより形成したパター
ンが満足し難いものになる場合があることがわかった。
【００１６】そこで、本発明者は、金属パターンと基板
との接着性やパターン形状にも優れた配線基板を得るた
め更に検討した結果、上記した第一発明の製造方法によ
れば、ポリシランにカーボンファンクショナルシラン
（以下、ＣＦシランという）を添加したものを主成分と
したもので基板上にＣＦシラン含有ポリシラン薄膜を形
成することにより、膜強度が向上すると共に、このポリ
シラン膜にパラジウム塩を接触させることでパラジウム
塩が非常に容易に捕捉されてパラジウムコロイド層が形
成でき、このパラジウムコロイド層上に感光性樹脂層で
パターン形成し、このパターンの溝内にＣＦシラン含有
ポリシラン薄膜を露出させ、更に無電解メッキを行うこ
とにより、無電解メッキにより形成した銅等の導電性金
属層と基板との接着性に優れ、しかも導電性金属層が上
記溝内に形成されるので、導電性金属部の膨らみが生じ
るおそれがないことを知見した。また、第二発明の製造
方法によれば、ポリシランが紫外線等の光照射により架
橋反応が起こって溶剤に不溶化し、また、このポリマー
は光照射により架橋した後であっても接触したパラジウ
ム塩を非常に容易に還元してパラジウムコロイドを生成
させること、従って、この架橋ポリシラン薄膜上に感光
性樹脂層で所定のパターンを形成し、溝内に架橋ポリシ
ラン薄膜を露出させ、パラジウムコロイド層を形成した
後、第一発明と同様に無電解メッキで導電性金属層を形
成することにより、導電性金属部の膨らみが生じること
がなく、しかも金属パターンと基板との接着性も良好で
安定なパターン形成が可能であり、十分満足できる精細
度を有する微細度の高い導電配線パターンを簡単な工程
で形成することができることを見出した。
との接着性やパターン形状にも優れた配線基板を得るた
め更に検討した結果、上記した第一発明の製造方法によ
れば、ポリシランにカーボンファンクショナルシラン
（以下、ＣＦシランという）を添加したものを主成分と
したもので基板上にＣＦシラン含有ポリシラン薄膜を形
成することにより、膜強度が向上すると共に、このポリ
シラン膜にパラジウム塩を接触させることでパラジウム
塩が非常に容易に捕捉されてパラジウムコロイド層が形
成でき、このパラジウムコロイド層上に感光性樹脂層で
パターン形成し、このパターンの溝内にＣＦシラン含有
ポリシラン薄膜を露出させ、更に無電解メッキを行うこ
とにより、無電解メッキにより形成した銅等の導電性金
属層と基板との接着性に優れ、しかも導電性金属層が上
記溝内に形成されるので、導電性金属部の膨らみが生じ
るおそれがないことを知見した。また、第二発明の製造
方法によれば、ポリシランが紫外線等の光照射により架
橋反応が起こって溶剤に不溶化し、また、このポリマー
は光照射により架橋した後であっても接触したパラジウ
ム塩を非常に容易に還元してパラジウムコロイドを生成
させること、従って、この架橋ポリシラン薄膜上に感光
性樹脂層で所定のパターンを形成し、溝内に架橋ポリシ
ラン薄膜を露出させ、パラジウムコロイド層を形成した
後、第一発明と同様に無電解メッキで導電性金属層を形
成することにより、導電性金属部の膨らみが生じること
がなく、しかも金属パターンと基板との接着性も良好で
安定なパターン形成が可能であり、十分満足できる精細
度を有する微細度の高い導電配線パターンを簡単な工程
で形成することができることを見出した。
【００１７】従って、本発明の配線基板の製造方法によ
れば、優れた耐熱性及びパターン精細度を持ち、電気、
電子、通信分野で広く応用可能な配線基板を安価で簡便
な工程で製造できることを知見し、本発明をなすに至っ
たものである。
れば、優れた耐熱性及びパターン精細度を持ち、電気、
電子、通信分野で広く応用可能な配線基板を安価で簡便
な工程で製造できることを知見し、本発明をなすに至っ
たものである。
【００１８】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の第一の配線基板の製造方法は、下記工程
（１）〜工程（３）を順次行って配線基板を製造するも
ので、特に基板樹脂と金属との接着性に優れた微細な金
属パターンを持つプリント配線基板を形成できるもので
ある。 （１）基板上に形成したカーボンファンクショナルシラ
ンを含有するポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触さ
せ、表面にパラジウムコロイド層を形成する工程、
（２）上記パラジウムコロイド層を有するポリシラン薄
膜上に感光性樹脂層を形成した後、選択的に光照射し、
現像して、この感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形
成してこの溝内に上記パラジウムコロイド層を有するポ
リシラン薄膜を露出させる工程、（３）上記溝内のパラ
ジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜に無電解メッ
キ液を接触させ、この溝内に導電性金属層を形成する工
程。
と、本発明の第一の配線基板の製造方法は、下記工程
（１）〜工程（３）を順次行って配線基板を製造するも
ので、特に基板樹脂と金属との接着性に優れた微細な金
属パターンを持つプリント配線基板を形成できるもので
ある。 （１）基板上に形成したカーボンファンクショナルシラ
ンを含有するポリシラン薄膜にパラジウム塩を接触さ
せ、表面にパラジウムコロイド層を形成する工程、
（２）上記パラジウムコロイド層を有するポリシラン薄
膜上に感光性樹脂層を形成した後、選択的に光照射し、
現像して、この感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形
成してこの溝内に上記パラジウムコロイド層を有するポ
リシラン薄膜を露出させる工程、（３）上記溝内のパラ
ジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜に無電解メッ
キ液を接触させ、この溝内に導電性金属層を形成する工
程。
【００１９】まず、工程（１）では、基板１上に形成さ
せたカーボンファンクショナルシラン含有ポリシラン薄
膜２にパラジウム塩を接触させ、表面にパラジウムコロ
イド層３を形成する。
せたカーボンファンクショナルシラン含有ポリシラン薄
膜２にパラジウム塩を接触させ、表面にパラジウムコロ
イド層３を形成する。
【００２０】ここで、基板上に形成されるカーボンファ
ンクショナルシラン含有ポリシラン膜を形成するために
用いられるポリシランは、下記一般式（１）で表わされ
るポリシランが好ましい。
ンクショナルシラン含有ポリシラン膜を形成するために
用いられるポリシランは、下記一般式（１）で表わされ
るポリシランが好ましい。
【００２１】 （Ｒ1 mＲ2 nＸpＳｉ）q （１） （但し、式中Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ水素原子、置換もしく
は非置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素
基、ＸはＲ1と同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原
子である。ｍ、ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、
０≦ｐ≦０．５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する
数、ｑは４≦ｑ≦１００，０００の整数である。）
は非置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素
基、ＸはＲ1と同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原
子である。ｍ、ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、
０≦ｐ≦０．５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する
数、ｑは４≦ｑ≦１００，０００の整数である。）
【００２２】上記式（１）中、Ｒ1，Ｒ2の脂肪族又は脂
環式一価炭化水素基としては、炭素数が１〜１２、特に
１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、シク
ロアルキル基などが挙げられる。また、芳香族一価炭化
水素基としては、炭素数が６〜１４、特に６〜１０のも
のが好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基やベンジル基等のアラ
ルキル基などが挙げられる。なお、置換一価炭化水素基
としては、上記に例示した非置換の脂肪族、脂環式又は
芳香族一価炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロ
ゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基
などで置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等
が挙げられる。
環式一価炭化水素基としては、炭素数が１〜１２、特に
１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、シク
ロアルキル基などが挙げられる。また、芳香族一価炭化
水素基としては、炭素数が６〜１４、特に６〜１０のも
のが好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基やベンジル基等のアラ
ルキル基などが挙げられる。なお、置換一価炭化水素基
としては、上記に例示した非置換の脂肪族、脂環式又は
芳香族一価炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロ
ゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基
などで置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等
が挙げられる。
【００２３】Ｘは、Ｒ1と同様の基、アルコキシ基又は
ハロゲン原子であり、アルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４の
もの、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好
適に用いられる。
ハロゲン原子であり、アルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４の
もの、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好
適に用いられる。
【００２４】ｍは０．１≦ｍ≦２、好ましくは０．５≦
ｍ≦２、ｎは０≦ｎ≦１、好ましくは０．５≦ｎ≦１、
ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で、か
つ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、特に１．５≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦
２を満足する数である。ｑは４≦ｑ≦１００，０００、
好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範囲の整数であ
る。
ｍ≦２、ｎは０≦ｎ≦１、好ましくは０．５≦ｎ≦１、
ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で、か
つ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、特に１．５≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦
２を満足する数である。ｑは４≦ｑ≦１００，０００、
好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範囲の整数であ
る。
【００２５】上記式（１）のポリシランは、例えば窒素
気流下、金属ナトリウム等のアルカリ金属触媒をトルエ
ン等の有機溶媒中に添加し、高速で撹拌しながら加熱し
て分散させた後、これに原料、例えばジクロルオルガノ
シラン等を金属ナトリウム２〜３モルに対してケイ素化
合物１モル程度の割合で撹拌下にゆっくり滴下し、原料
が消失するまで１〜８時間撹拌し、反応を完結させ、次
いで放冷後、塩を濾過して濃縮することにより簡単に得
ることができる。
気流下、金属ナトリウム等のアルカリ金属触媒をトルエ
ン等の有機溶媒中に添加し、高速で撹拌しながら加熱し
て分散させた後、これに原料、例えばジクロルオルガノ
シラン等を金属ナトリウム２〜３モルに対してケイ素化
合物１モル程度の割合で撹拌下にゆっくり滴下し、原料
が消失するまで１〜８時間撹拌し、反応を完結させ、次
いで放冷後、塩を濾過して濃縮することにより簡単に得
ることができる。
【００２６】また、上記ポリシランに含有させるカーボ
ンファンクショナル（ＣＦ）シランとしては、下記一般
式（３）で表わされるものが好適に用いられる。
ンファンクショナル（ＣＦ）シランとしては、下記一般
式（３）で表わされるものが好適に用いられる。
【００２７】 Ｙ−（ＣＨ2）ｂ−ＳｉＲa（ＯＲ）3- ａ （３） （式中、Ｙはビニル官能基、エポキシ官能基、アミノ官
能基、メルカプト官能基、メタクリロキシ官能基、アク
リロキシ官能基等の官能基、Ｒは置換もしくは非置換の
一価炭化水素基、ｂは０〜３の整数、ａは０又は１であ
る。）
能基、メルカプト官能基、メタクリロキシ官能基、アク
リロキシ官能基等の官能基、Ｒは置換もしくは非置換の
一価炭化水素基、ｂは０〜３の整数、ａは０又は１であ
る。）
【００２８】ここで、Ｒは上記Ｒ1，Ｒ2と同様の一価炭
化水素基を挙げることができるが、特に炭素数１〜５の
アルキル基が好ましい。なお、ビニル官能基としては、
ＣＨ 2＝ＣＨ−等が挙げられ、エポキシ官能基としては
γ−グリシドキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル
基等が挙げられ、アミノ官能基としてはＮＨ2−、ＮＨ2
ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ−等が挙げられ、メルカプト官能基とし
てはメルカプト基、メタクリロキシ官能基、アクリロキ
シ官能基としてはメタクリロキシ基、アクリロキシ基等
が挙げられる。
化水素基を挙げることができるが、特に炭素数１〜５の
アルキル基が好ましい。なお、ビニル官能基としては、
ＣＨ 2＝ＣＨ−等が挙げられ、エポキシ官能基としては
γ−グリシドキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル
基等が挙げられ、アミノ官能基としてはＮＨ2−、ＮＨ2
ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ−等が挙げられ、メルカプト官能基とし
てはメルカプト基、メタクリロキシ官能基、アクリロキ
シ官能基としてはメタクリロキシ基、アクリロキシ基等
が挙げられる。
【００２９】このような上記式（３）のＣＦシランとし
て具体的には、ビニルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−１
００３、信越化学工業社製）、ビニルトリエトキシシラ
ン（ＫＢＥ−１００３、信越化学工業社製）、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン（ＫＢＭ−３０３、信越化学工業社製）、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４
０３、信越化学工業社製）、Ｎ−β−（アミノエチル）
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（ＫＢＭ−
６０２、信越化学工業社製）、Ｎ−β−（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−
６０３、信越化学工業社製）、γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン（ＫＢＭ−９０３、信越化学工業社
製）、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ
−９０３、信越化学工業社製）等を挙げることができ
る。これらの中では、特にアミノ基含有ＣＦシランであ
るＫＢＭ−６０２，ＫＢＭ−６０３，ＫＢＭ−９０２，
ＫＢＭ−９０３，ＫＢＥ−６０２，ＫＢＥ−６０３，Ｋ
ＢＥ−９０２，ＫＢＥ−９０３が好適に用いられる。
て具体的には、ビニルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−１
００３、信越化学工業社製）、ビニルトリエトキシシラ
ン（ＫＢＥ−１００３、信越化学工業社製）、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン（ＫＢＭ−３０３、信越化学工業社製）、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４
０３、信越化学工業社製）、Ｎ−β−（アミノエチル）
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（ＫＢＭ−
６０２、信越化学工業社製）、Ｎ−β−（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−
６０３、信越化学工業社製）、γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン（ＫＢＭ−９０３、信越化学工業社
製）、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ
−９０３、信越化学工業社製）等を挙げることができ
る。これらの中では、特にアミノ基含有ＣＦシランであ
るＫＢＭ−６０２，ＫＢＭ−６０３，ＫＢＭ−９０２，
ＫＢＭ−９０３，ＫＢＥ−６０２，ＫＢＥ−６０３，Ｋ
ＢＥ−９０２，ＫＢＥ−９０３が好適に用いられる。
【００３０】ＣＦシランの添加量は、ポリシラン１００
重量部に対して０．０１〜２００重量部、特に０．１〜
１０重量部であることが望ましい。添加量が上記値より
少ないと十分な接着性が得られない場合があり、上記値
より多いと成膜性が悪くなり、逆に接着性の低下をもた
らす場合がある。
重量部に対して０．０１〜２００重量部、特に０．１〜
１０重量部であることが望ましい。添加量が上記値より
少ないと十分な接着性が得られない場合があり、上記値
より多いと成膜性が悪くなり、逆に接着性の低下をもた
らす場合がある。
【００３１】また、ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜を形
成する基板としては、石英ガラス、セラミック、プラス
チック、各種樹脂等の絶縁体、シリコン等の半導体、銅
等の導体などを用いることができる。これらの中では、
特にフェノール樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等
の樹脂、プラスチックが好適に用いられる。
成する基板としては、石英ガラス、セラミック、プラス
チック、各種樹脂等の絶縁体、シリコン等の半導体、銅
等の導体などを用いることができる。これらの中では、
特にフェノール樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等
の樹脂、プラスチックが好適に用いられる。
【００３２】上記ＣＦシラン含有ポリシラン膜を形成す
る方法としては、特に限定されないが、スピンコート
法、ディッピング法、キャスト法、真空蒸着法、ＬＢ法
（ラングミュアー・ブロジェット法）などの通常のポリ
シラン薄膜形成法が採用できるが、特にＣＦシランとポ
リシランを混合し、共に溶解させた溶液を高速で回転さ
せながら成型するスピンコート法が好適に用いられる。
る方法としては、特に限定されないが、スピンコート
法、ディッピング法、キャスト法、真空蒸着法、ＬＢ法
（ラングミュアー・ブロジェット法）などの通常のポリ
シラン薄膜形成法が採用できるが、特にＣＦシランとポ
リシランを混合し、共に溶解させた溶液を高速で回転さ
せながら成型するスピンコート法が好適に用いられる。
【００３３】このスピンコート法を採用してＣＦシラン
含有ポリシラン膜を形成する場合、ポリシラン及びＣＦ
シランを溶解させる溶媒としては、例えばベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、テトラヒドロ
フラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶剤などが好
適に用いられる。上記溶媒の使用量は、ＣＦシラン含有
ポリシラン溶液濃度が１〜２０重量％となるような範囲
が好適である。なお、ポリシラン及びＣＦシランを溶解
後は、しばらく乾燥雰囲気下で静置するとか、減圧下で
４０〜６０℃程度の温度に放置し、乾燥することが効果
的である。
含有ポリシラン膜を形成する場合、ポリシラン及びＣＦ
シランを溶解させる溶媒としては、例えばベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、テトラヒドロ
フラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶剤などが好
適に用いられる。上記溶媒の使用量は、ＣＦシラン含有
ポリシラン溶液濃度が１〜２０重量％となるような範囲
が好適である。なお、ポリシラン及びＣＦシランを溶解
後は、しばらく乾燥雰囲気下で静置するとか、減圧下で
４０〜６０℃程度の温度に放置し、乾燥することが効果
的である。
【００３４】工程（１）において基板上に形成するＣＦ
シラン含有ポリシラン膜の膜厚は、０．０１〜１００μ
ｍ、特に０．１〜１０μｍの範囲が好適である。
シラン含有ポリシラン膜の膜厚は、０．０１〜１００μ
ｍ、特に０．１〜１０μｍの範囲が好適である。
【００３５】本発明では、このようにポリシランにＣＦ
シランを添加したものを主成分として基板上にＣＦシラ
ン含有ポリシラン薄膜を形成することにより、高い膜強
度が得られると共に、この膜に接触させたパラジウム塩
を非常に容易に捕捉して、ポリシラン薄膜上に簡単にパ
ラジウムコロイド層を形成でき、これにより無電解メッ
キにより形成した銅等の導電性金属層と基板との接着性
が向上した膜形成が可能である。
シランを添加したものを主成分として基板上にＣＦシラ
ン含有ポリシラン薄膜を形成することにより、高い膜強
度が得られると共に、この膜に接触させたパラジウム塩
を非常に容易に捕捉して、ポリシラン薄膜上に簡単にパ
ラジウムコロイド層を形成でき、これにより無電解メッ
キにより形成した銅等の導電性金属層と基板との接着性
が向上した膜形成が可能である。
【００３６】次いで、基板上に形成させたＣＦシラン含
有ポリシラン薄膜をパラジウム塩に接触させる。接触方
法としては、パラジウム塩を含む溶液で処理することが
好ましい。この場合、パラジウム塩としては、Ｐｄ2+を
含んでなるもので、通常Ｐｄ−Ｚ2の形で表すことがで
きる。上記式において、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲ
ン原子又はアセテート、トリフルオロアセテート、アセ
チルアセトネート、カーボネート、パークロレート、ナ
イトレート、スルフェート、オキサイド等の基である。
このようなパラジウム塩として具体的には、ＰｄＣ
ｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐ
ｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳＯ4、Ｐｄ（ＮＯ 3）2、Ｐ
ｄＯ等が例示される。
有ポリシラン薄膜をパラジウム塩に接触させる。接触方
法としては、パラジウム塩を含む溶液で処理することが
好ましい。この場合、パラジウム塩としては、Ｐｄ2+を
含んでなるもので、通常Ｐｄ−Ｚ2の形で表すことがで
きる。上記式において、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲ
ン原子又はアセテート、トリフルオロアセテート、アセ
チルアセトネート、カーボネート、パークロレート、ナ
イトレート、スルフェート、オキサイド等の基である。
このようなパラジウム塩として具体的には、ＰｄＣ
ｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐ
ｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳＯ4、Ｐｄ（ＮＯ 3）2、Ｐ
ｄＯ等が例示される。
【００３７】パラジウム塩との接触方法としては、溶媒
にパラジウム塩を溶解或いは分散させ、これにＣＦシラ
ン含有ポリシラン薄膜を形成した基板を浸漬する溶液法
を採用することが好ましい。
にパラジウム塩を溶解或いは分散させ、これにＣＦシラ
ン含有ポリシラン薄膜を形成した基板を浸漬する溶液法
を採用することが好ましい。
【００３８】上記溶液法では、パラジウム塩をよく溶解
させ、ＣＦシラン含有ポリシランの膜を溶解しない溶媒
が好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば
水、或いはアセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、酢酸エチル等のエステル類、メタノール、エタノー
ル等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等
の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタン、アセトニト
リルなどが挙げられる。これらの中では、水やエタノー
ル等のアルコール類が好適に用いられる。なお、上記パ
ラジウム塩を含む溶液は、溶液としての安定性を増すた
めに、塩酸や塩化ナトリウムのようなハロゲン化物を添
加してもよい。
させ、ＣＦシラン含有ポリシランの膜を溶解しない溶媒
が好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば
水、或いはアセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、酢酸エチル等のエステル類、メタノール、エタノー
ル等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等
の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタン、アセトニト
リルなどが挙げられる。これらの中では、水やエタノー
ル等のアルコール類が好適に用いられる。なお、上記パ
ラジウム塩を含む溶液は、溶液としての安定性を増すた
めに、塩酸や塩化ナトリウムのようなハロゲン化物を添
加してもよい。
【００３９】パラジウム塩を溶解或いは分散させた溶液
へのＣＦシラン含有ポリシラン薄膜形成基板の浸漬時間
は、１秒〜１０分程度が好適であり、浸漬後は乾燥する
ことが望ましい。これにより、ＣＦシラン含有ポリシラ
ン膜の表面でパラジウム塩がパラジウム粒子に還元さ
れ、パラジウムコロイド層が形成された基板を得ること
ができる。更に、パラジウム塩に接触させる際、必要に
応じて４０〜２００℃の温度で熱処理してもよく、これ
によりＣＦシラン含有ポリシラン薄膜表面でのパラジウ
ム塩からパラジウムヘの還元を促進することができる。
乾燥温度は、通常１０〜２００℃とし、常圧又は減圧で
行うことが望ましい。
へのＣＦシラン含有ポリシラン薄膜形成基板の浸漬時間
は、１秒〜１０分程度が好適であり、浸漬後は乾燥する
ことが望ましい。これにより、ＣＦシラン含有ポリシラ
ン膜の表面でパラジウム塩がパラジウム粒子に還元さ
れ、パラジウムコロイド層が形成された基板を得ること
ができる。更に、パラジウム塩に接触させる際、必要に
応じて４０〜２００℃の温度で熱処理してもよく、これ
によりＣＦシラン含有ポリシラン薄膜表面でのパラジウ
ム塩からパラジウムヘの還元を促進することができる。
乾燥温度は、通常１０〜２００℃とし、常圧又は減圧で
行うことが望ましい。
【００４０】次の工程（２）では、上記パラジウムコロ
イド層３上に感光性樹脂層４を形成した後、この感光性
樹脂層を選択的に光照射し、現像して、感光性樹脂層に
所定のパターンの溝５を形成し、溝内にＣＦシラン含有
ポリシラン薄膜を露出させ、パターン潜像を形成する。
イド層３上に感光性樹脂層４を形成した後、この感光性
樹脂層を選択的に光照射し、現像して、感光性樹脂層に
所定のパターンの溝５を形成し、溝内にＣＦシラン含有
ポリシラン薄膜を露出させ、パターン潜像を形成する。
【００４１】上記感光性樹脂層は、ポジ型レジストを用
いてもネガ型レジストを用いてもよいが、通常ポジ型レ
ジスト材料として知られているノボラック−光酸発生剤
系、ケイ素系ポリマー−化学増感系、ポリシラン系など
既存の様々な感光性樹脂を利用して通常の方法で形成す
ることができ、本発明では、これらに限定されるもので
はないが、特にポリシラン系レジスト材料を用いること
が好ましい。
いてもネガ型レジストを用いてもよいが、通常ポジ型レ
ジスト材料として知られているノボラック−光酸発生剤
系、ケイ素系ポリマー−化学増感系、ポリシラン系など
既存の様々な感光性樹脂を利用して通常の方法で形成す
ることができ、本発明では、これらに限定されるもので
はないが、特にポリシラン系レジスト材料を用いること
が好ましい。
【００４２】上記工程では、感光性樹脂層を形成した基
板の上から、パターンが形成されたフォトマスク６を通
して、紫外光源、可視光源からの光を照射する。これに
より、ポジ型レジストの場合は感光性樹脂層の光が当た
った部分のみが所用の溶剤溶解性に変換し、これを所用
の溶剤を用いて現像することにより、所定のパターンの
溝を形成し、ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜が露出され
る。この場合、感光性樹脂層の膜厚は、形成しようとし
ている金属薄膜の膜厚程度が望ましく、通常は０．１〜
１０μｍが好適である。なお、本工程では、ＣＦシラン
含有ポリシラン膜が光、紫外線を吸収し、反射防止を果
たすことからパターン形状を良好に保つことができる。
板の上から、パターンが形成されたフォトマスク６を通
して、紫外光源、可視光源からの光を照射する。これに
より、ポジ型レジストの場合は感光性樹脂層の光が当た
った部分のみが所用の溶剤溶解性に変換し、これを所用
の溶剤を用いて現像することにより、所定のパターンの
溝を形成し、ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜が露出され
る。この場合、感光性樹脂層の膜厚は、形成しようとし
ている金属薄膜の膜厚程度が望ましく、通常は０．１〜
１０μｍが好適である。なお、本工程では、ＣＦシラン
含有ポリシラン膜が光、紫外線を吸収し、反射防止を果
たすことからパターン形状を良好に保つことができる。
【００４３】この場合、光源としては、紫外光源、可視
光源が使用でき、具体的には水素放電管、希ガス放電
管、タングステンランプ、ハロゲンランプのような連続
スペクトル光源、ＫｒＦ、ＡｒＦのような各種レーザ
ー、水銀灯のような不連続スペクトル光源などを使用で
きる感光性樹脂の種類によって大きく変わるが、特に安
価で取り扱いが容易で波長２４８〜２５４ｎｍの線源を
持つ水銀灯が好適に用いられる。光源の光量は、感光性
樹脂層の厚さ０．１μｍ当たり０．０１〜１０ｍＪ／ｃ
ｍ2、特に０．１〜１ｍＪ／ｃｍ2の範囲が好適であり、
光量が上記値未満では下層のＣＦシラン含有ポリシラン
薄膜の露出が不十分となるおそれがあり、上記値を超え
るとＣＦシラン含有ポリシランがパラジウム還元性のな
いシロキサンになってしまったりして、良好な金属パタ
ーン形成が阻害される場合がある。
光源が使用でき、具体的には水素放電管、希ガス放電
管、タングステンランプ、ハロゲンランプのような連続
スペクトル光源、ＫｒＦ、ＡｒＦのような各種レーザ
ー、水銀灯のような不連続スペクトル光源などを使用で
きる感光性樹脂の種類によって大きく変わるが、特に安
価で取り扱いが容易で波長２４８〜２５４ｎｍの線源を
持つ水銀灯が好適に用いられる。光源の光量は、感光性
樹脂層の厚さ０．１μｍ当たり０．０１〜１０ｍＪ／ｃ
ｍ2、特に０．１〜１ｍＪ／ｃｍ2の範囲が好適であり、
光量が上記値未満では下層のＣＦシラン含有ポリシラン
薄膜の露出が不十分となるおそれがあり、上記値を超え
るとＣＦシラン含有ポリシランがパラジウム還元性のな
いシロキサンになってしまったりして、良好な金属パタ
ーン形成が阻害される場合がある。
【００４４】上記光照射後は現像を行い、露光部（ポジ
型レジストの場合）又は未露光部（ネガ型レジストの場
合）を現像液により除去する。現像液としては上記露光
部（ポジ型レジストの場合）又は未露光部（ネガ型レジ
ストの場合）のみを溶解し得るものであればよく、有機
溶剤でもアルカリ水溶液でもよい。この現像により、上
記感光性樹脂層に所用パターンの溝５が形成され、この
溝５には、上記パラジウムコロイド層を有するＣＦシラ
ン含有ポリシラン膜が露呈する。
型レジストの場合）又は未露光部（ネガ型レジストの場
合）を現像液により除去する。現像液としては上記露光
部（ポジ型レジストの場合）又は未露光部（ネガ型レジ
ストの場合）のみを溶解し得るものであればよく、有機
溶剤でもアルカリ水溶液でもよい。この現像により、上
記感光性樹脂層に所用パターンの溝５が形成され、この
溝５には、上記パラジウムコロイド層を有するＣＦシラ
ン含有ポリシラン膜が露呈する。
【００４５】工程（３）は、この溝５のパラジウムコロ
イド層を有するＣＦシラン含有ポリシラン膜に無電解メ
ッキ液を接触させ、溝内に導電性金属層７を形成する。
イド層を有するＣＦシラン含有ポリシラン膜に無電解メ
ッキ液を接触させ、溝内に導電性金属層７を形成する。
【００４６】この場合、無電解メッキ液としては、銅、
ニッケル、パラジウム、金、白金、ロジウム等の金属を
含んでなるもの、特に銅、ニッケルを含んでなるものが
好適に用いられる。この無電解メッキ液は、通常、上記
金属塩に次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホ
ウ素ナトリウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレ
ンジアミン、酒石酸ナトリウムカリウム等の錯化剤など
を含有する。なお、このような無電解メッキ液は、市販
されており、安価に入手することができる。無電解メッ
キ液との接触条件は、温度１５〜１２０℃、特に２５〜
８５℃で１分〜１６時間、特に１０分〜６０分間とする
ことが好適であり、目的によっても相違するが、厚さ
０．０１〜１００μｍ、特に０．１〜２０μｍのメッキ
皮膜（導電性金属層）を形成することが実用的である。
ニッケル、パラジウム、金、白金、ロジウム等の金属を
含んでなるもの、特に銅、ニッケルを含んでなるものが
好適に用いられる。この無電解メッキ液は、通常、上記
金属塩に次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホ
ウ素ナトリウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレ
ンジアミン、酒石酸ナトリウムカリウム等の錯化剤など
を含有する。なお、このような無電解メッキ液は、市販
されており、安価に入手することができる。無電解メッ
キ液との接触条件は、温度１５〜１２０℃、特に２５〜
８５℃で１分〜１６時間、特に１０分〜６０分間とする
ことが好適であり、目的によっても相違するが、厚さ
０．０１〜１００μｍ、特に０．１〜２０μｍのメッキ
皮膜（導電性金属層）を形成することが実用的である。
【００４７】本発明では、工程（３）の後に必要に応じ
て下記工程を行うことができる。即ち、具体的には、工
程（３）で得られた基板を溶媒で処理し、感光性樹脂層
を除去したり、加熱して金属と基板との接着性をより向
上させたり、また、感光性樹脂層をポリシラン系で形成
した場合には、高温処理を行って、全てのポリマー層を
セラミックス化して絶縁層に変換させたり、無電解メッ
キにより形成した導電性金属層をより安定化させること
ができる。これにより、より接着性に優れた金属パター
ンを形成した配線基板を製造することができる。例え
ば、この工程（３）の基板を、高温処理によりすべての
ポリマー層からセラミック層からなる絶縁層を形成さ
せ、かつ無電解メッキによる金属層の熱処理により工程
（３）で形成された導電層の安定化を行い得る。高温処
理は、通常２００〜１２００℃、処理時間は１分〜２４
時間が好適である。より望ましくは、３００〜９００℃
で処理時間は３０分〜４時間行うのがよい。これによ
り、無電解メッキにより形成された金属はより高い導電
性と硬度を、ポリシランから形成されたセラミックはよ
り高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことになる。
て下記工程を行うことができる。即ち、具体的には、工
程（３）で得られた基板を溶媒で処理し、感光性樹脂層
を除去したり、加熱して金属と基板との接着性をより向
上させたり、また、感光性樹脂層をポリシラン系で形成
した場合には、高温処理を行って、全てのポリマー層を
セラミックス化して絶縁層に変換させたり、無電解メッ
キにより形成した導電性金属層をより安定化させること
ができる。これにより、より接着性に優れた金属パター
ンを形成した配線基板を製造することができる。例え
ば、この工程（３）の基板を、高温処理によりすべての
ポリマー層からセラミック層からなる絶縁層を形成さ
せ、かつ無電解メッキによる金属層の熱処理により工程
（３）で形成された導電層の安定化を行い得る。高温処
理は、通常２００〜１２００℃、処理時間は１分〜２４
時間が好適である。より望ましくは、３００〜９００℃
で処理時間は３０分〜４時間行うのがよい。これによ
り、無電解メッキにより形成された金属はより高い導電
性と硬度を、ポリシランから形成されたセラミックはよ
り高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことになる。
【００４８】なお、ポリシランを高温処理すると、Ｓｉ
−Ｓｉ結合が切断され、様々な元素が入り安定化するた
め、このときの雰囲気を空気中のような酸化系で行った
場合は酸化ケイ素、また、アンモニアガスのような還元
性雰囲気下で行うことにより窒化ケイ素系、アルゴンの
ような不活性雰囲気下や真空系で行った場合は炭化ケイ
素系のセラミックにすることができる。
−Ｓｉ結合が切断され、様々な元素が入り安定化するた
め、このときの雰囲気を空気中のような酸化系で行った
場合は酸化ケイ素、また、アンモニアガスのような還元
性雰囲気下で行うことにより窒化ケイ素系、アルゴンの
ような不活性雰囲気下や真空系で行った場合は炭化ケイ
素系のセラミックにすることができる。
【００４９】次に、第二発明は、（Ｉ）基板上に形成し
たＳｉＨ基含有ポリシラン薄膜を光照射し、ポリシラン
を架橋させて溶剤に不溶化させる工程、（ＩＩ）上記架
橋ポリシラン層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的
に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所定のパタ
ーンの溝を形成し、この溝内に上記架橋ポリシラン薄膜
を露出させる工程、（ＩＩＩ）上記溝内の架橋ポリシラ
ン薄膜にパラジウム塩を接触させてパラジウムコロイド
層を形成し、次いで無電解メッキ液を接触させ、この溝
内に導電性金属層を形成する工程を順次行って配線基板
を製造するもので、特に優れた精細度を有する金属パタ
ーンを持つプリント配線基板を形成できるものである。
たＳｉＨ基含有ポリシラン薄膜を光照射し、ポリシラン
を架橋させて溶剤に不溶化させる工程、（ＩＩ）上記架
橋ポリシラン層上に感光性樹脂層を形成した後、選択的
に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所定のパタ
ーンの溝を形成し、この溝内に上記架橋ポリシラン薄膜
を露出させる工程、（ＩＩＩ）上記溝内の架橋ポリシラ
ン薄膜にパラジウム塩を接触させてパラジウムコロイド
層を形成し、次いで無電解メッキ液を接触させ、この溝
内に導電性金属層を形成する工程を順次行って配線基板
を製造するもので、特に優れた精細度を有する金属パタ
ーンを持つプリント配線基板を形成できるものである。
【００５０】まず、工程（Ｉ）では、基板１上にＳｉＨ
基含有ポリシラン薄膜８を形成する。ここで、基板上に
形成されるポリシラン薄膜は、下記一般式（２）で表わ
されるポリシランを主成分とするものにより形成するこ
とができる。この式（２）の分子中にＳｉＨ結合を持つ
ポリシランは、紫外線のような光の照射により、架橋反
応が起こり、溶剤に不溶となることは知られており（福
島ら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．１９９８，３４７）、この
第二発明においては、分子中にＳｉＨ結合を持つポリシ
ランが、紫外線の照射により架橋反応が起こり溶剤に不
溶となること、また、このポリマーは光照射により架橋
した後であっても接触させたパラジウム塩を非常に容易
に還元してパラジウムコロイドを生成させ、これにより
無電解メッキにより銅等の金属膜形成が可能なものであ
る。
基含有ポリシラン薄膜８を形成する。ここで、基板上に
形成されるポリシラン薄膜は、下記一般式（２）で表わ
されるポリシランを主成分とするものにより形成するこ
とができる。この式（２）の分子中にＳｉＨ結合を持つ
ポリシランは、紫外線のような光の照射により、架橋反
応が起こり、溶剤に不溶となることは知られており（福
島ら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．１９９８，３４７）、この
第二発明においては、分子中にＳｉＨ結合を持つポリシ
ランが、紫外線の照射により架橋反応が起こり溶剤に不
溶となること、また、このポリマーは光照射により架橋
した後であっても接触させたパラジウム塩を非常に容易
に還元してパラジウムコロイドを生成させ、これにより
無電解メッキにより銅等の金属膜形成が可能なものであ
る。
【００５１】 （ＨmＲ2 nＸpＳｉ）q （２） （但し、式中Ｒ2は水素原子、置換もしくは非置換の脂
肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基、ＸはＲ2と
同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ｍ、
ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、０≦ｐ≦０．
５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する数、ｑは４≦ｑ
≦１００，０００の整数である。） なお、Ｒ2の具体例、ｍ，ｎ，ｐ，ｑの好適範囲は上記
と同様である。
肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基、ＸはＲ2と
同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ｍ、
ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、０≦ｐ≦０．
５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する数、ｑは４≦ｑ
≦１００，０００の整数である。） なお、Ｒ2の具体例、ｍ，ｎ，ｐ，ｑの好適範囲は上記
と同様である。
【００５２】ここで、使用する基板、ポリシラン膜の形
成方法、ポリシランを溶解させる溶媒、形成条件など
は、第一発明と同様のものを採用できる。なお、基板上
に形成するポリシラン膜の膜厚は、０．０１〜１００μ
ｍ、特に０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。
成方法、ポリシランを溶解させる溶媒、形成条件など
は、第一発明と同様のものを採用できる。なお、基板上
に形成するポリシラン膜の膜厚は、０．０１〜１００μ
ｍ、特に０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００５３】次に、基板１上に形成したポリシラン薄膜
８を光照射し、ポリシランを架橋させて溶剤に不溶化さ
せて架橋ポリシラン薄膜８’とする。
８を光照射し、ポリシランを架橋させて溶剤に不溶化さ
せて架橋ポリシラン薄膜８’とする。
【００５４】この場合、光源としては３００ｎｍ以上の
波長の光が望ましく、紫外光源、可視光源が使用でき、
具体的には水素放電管、希ガス放電管、タングステンラ
ンプ、ハロゲンランプのような連続スペクトル光源で
も、各種レーザー、水銀灯のような不連続スペクトル光
源などを使用することもできるが、特に安価で取り扱い
が容易な水銀灯が好適に用いられる。光源の光量は、ポ
リシランの厚さ１μｍ当たり０．００１〜１００Ｊ／ｃ
ｍ2、特に０．１〜１Ｊ／ｃｍ2の範囲が好適である。光
量が上記値より少ないと十分な架橋が行われない場合が
あり、また上記値より多いと工程（ＩＩＩ）におけるパ
ラジウムコロイドの生成が十分に行われなくなる場合が
ある。
波長の光が望ましく、紫外光源、可視光源が使用でき、
具体的には水素放電管、希ガス放電管、タングステンラ
ンプ、ハロゲンランプのような連続スペクトル光源で
も、各種レーザー、水銀灯のような不連続スペクトル光
源などを使用することもできるが、特に安価で取り扱い
が容易な水銀灯が好適に用いられる。光源の光量は、ポ
リシランの厚さ１μｍ当たり０．００１〜１００Ｊ／ｃ
ｍ2、特に０．１〜１Ｊ／ｃｍ2の範囲が好適である。光
量が上記値より少ないと十分な架橋が行われない場合が
あり、また上記値より多いと工程（ＩＩＩ）におけるパ
ラジウムコロイドの生成が十分に行われなくなる場合が
ある。
【００５５】工程（ＩＩ）は、感光性樹脂層４を工程
（Ｉ）の基板の架橋ポリシラン薄膜８’上に形成し、更
に選択的に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所
定のパターンの溝を形成し、架橋ポリシラン薄膜を露出
させてパターン潜像の溝５を形成する工程である。この
感光性樹脂層は、第一発明と同様にして形成することが
でき、パターン形成もパターンが形成されたフォトマス
ク６を用いて第一発明と同様に形成することができる。
また、現像も同様に行うことができる。
（Ｉ）の基板の架橋ポリシラン薄膜８’上に形成し、更
に選択的に光照射し、現像して、この感光性樹脂層に所
定のパターンの溝を形成し、架橋ポリシラン薄膜を露出
させてパターン潜像の溝５を形成する工程である。この
感光性樹脂層は、第一発明と同様にして形成することが
でき、パターン形成もパターンが形成されたフォトマス
ク６を用いて第一発明と同様に形成することができる。
また、現像も同様に行うことができる。
【００５６】感光性樹脂層の膜厚は、形成しようとして
いる金属薄膜の膜厚程度が望ましく、通常は０．１〜１
０μｍとすることが好ましい。本工程では、ポリシラン
膜が紫外線を吸収し反射防止を果たすためパターン形状
を良好に保つことができる。
いる金属薄膜の膜厚程度が望ましく、通常は０．１〜１
０μｍとすることが好ましい。本工程では、ポリシラン
膜が紫外線を吸収し反射防止を果たすためパターン形状
を良好に保つことができる。
【００５７】光源としては、ＫｒＦ、ＡｒＦのような各
種レーザー、水銀灯を用いた波長２４８〜２５４ｎｍの
線源が好適に用いられ、これらを組み込んだステッパー
型やスキャナ型の露光装置が好ましく用いられる。フォ
トマスクは、通常のレベルソン型やハールトーン型の位
相シフトマスク技術を使用できる。
種レーザー、水銀灯を用いた波長２４８〜２５４ｎｍの
線源が好適に用いられ、これらを組み込んだステッパー
型やスキャナ型の露光装置が好ましく用いられる。フォ
トマスクは、通常のレベルソン型やハールトーン型の位
相シフトマスク技術を使用できる。
【００５８】次に、工程（ＩＩＩ）は、上記溝５を形成
した基板にパラジウム塩を接触させ、この溝内に露呈す
る上記架橋ポリシラン層にパラジウムコロイド層９を形
成した後、不要のパラジウム塩を除去し、次いで、無電
解メッキ液を接触させ、パラジウムコロイド層が形成さ
れた溝内の架橋ポリシラン層に導電性金属層７を形成す
るもので、下記工程を順次行うことが好ましい。 工程（ＩＩＩ−１）：工程（ＩＩ）で得られた感光性樹
脂層４の溝５内の架橋ポリシラン層にパラジウム塩を接
触させてパラジウムコロイド層９を形成する。 工程（ＩＩＩ−２）：工程（ＩＩＩ−１）の基板を洗浄
し、不要なパラジウム塩層１０を除去する。 工程（ＩＩＩ−３）：工程（ＩＩＩ−２）の基板に無電
解メッキ液を接触させ、上記溝内のパラジウムコロイド
層９に導電性金属層７を形成する。
した基板にパラジウム塩を接触させ、この溝内に露呈す
る上記架橋ポリシラン層にパラジウムコロイド層９を形
成した後、不要のパラジウム塩を除去し、次いで、無電
解メッキ液を接触させ、パラジウムコロイド層が形成さ
れた溝内の架橋ポリシラン層に導電性金属層７を形成す
るもので、下記工程を順次行うことが好ましい。 工程（ＩＩＩ−１）：工程（ＩＩ）で得られた感光性樹
脂層４の溝５内の架橋ポリシラン層にパラジウム塩を接
触させてパラジウムコロイド層９を形成する。 工程（ＩＩＩ−２）：工程（ＩＩＩ−１）の基板を洗浄
し、不要なパラジウム塩層１０を除去する。 工程（ＩＩＩ−３）：工程（ＩＩＩ−２）の基板に無電
解メッキ液を接触させ、上記溝内のパラジウムコロイド
層９に導電性金属層７を形成する。
【００５９】まず、工程（ＩＩＩ−１）において、パラ
ジウム塩を接触させる方法としては、第一発明と同様の
方法を採用でき、パラジウム塩及びパラジウム溶液とし
ても、第一発明と同様のものを使用することができる。
なお、この場合もポリシラン部を溶解させずパラジウム
塩を溶解或いは分散させる溶剤を用いてパラジウム塩を
接触させ、パラジウムコロイド層を形成する工程を行
う。こうした溶液法では、このパラジウム塩をよく溶解
させ、ポリシランのパターンを壊さない溶媒が好適に用
いられる。このような溶媒としては、感光性樹脂の種類
により溶解性が異なるため一概には言えないが、第一発
明で溶液法においてパラジウム塩を溶解させる溶媒とし
て例示した溶媒と同様のものを挙げることができる。こ
れらの中では、特に感光性樹脂としてフェニルメチルポ
リシランを使用した場合、エタノールのようなアルコー
ル類が好適に用いられる。
ジウム塩を接触させる方法としては、第一発明と同様の
方法を採用でき、パラジウム塩及びパラジウム溶液とし
ても、第一発明と同様のものを使用することができる。
なお、この場合もポリシラン部を溶解させずパラジウム
塩を溶解或いは分散させる溶剤を用いてパラジウム塩を
接触させ、パラジウムコロイド層を形成する工程を行
う。こうした溶液法では、このパラジウム塩をよく溶解
させ、ポリシランのパターンを壊さない溶媒が好適に用
いられる。このような溶媒としては、感光性樹脂の種類
により溶解性が異なるため一概には言えないが、第一発
明で溶液法においてパラジウム塩を溶解させる溶媒とし
て例示した溶媒と同様のものを挙げることができる。こ
れらの中では、特に感光性樹脂としてフェニルメチルポ
リシランを使用した場合、エタノールのようなアルコー
ル類が好適に用いられる。
【００６０】このような溶媒にパラジウム塩を溶解或い
は分散させ、これに露光後のパターンの溝の形成された
基板を１秒〜１０分程度浸漬して、その後乾燥すること
で、パターン溝内の親水化のポリシラン薄膜露出部では
パラジウム塩がパラジウム粒子に還元され、未露光部の
感光性樹脂層表面はパラジウム粒子が生成しないため、
パターニングされたポリシラン基板を得ることができ
る。更に、必要に応じて４０〜２００℃の温度で熱処理
することにより、ポリシラン薄膜上でのパラジウム塩か
らパラジウムヘの還元が促進される。乾燥温度は、通常
１０〜２００℃で常圧又は減圧で行うことが望ましい。
は分散させ、これに露光後のパターンの溝の形成された
基板を１秒〜１０分程度浸漬して、その後乾燥すること
で、パターン溝内の親水化のポリシラン薄膜露出部では
パラジウム塩がパラジウム粒子に還元され、未露光部の
感光性樹脂層表面はパラジウム粒子が生成しないため、
パターニングされたポリシラン基板を得ることができ
る。更に、必要に応じて４０〜２００℃の温度で熱処理
することにより、ポリシラン薄膜上でのパラジウム塩か
らパラジウムヘの還元が促進される。乾燥温度は、通常
１０〜２００℃で常圧又は減圧で行うことが望ましい。
【００６１】次の工程（ＩＩＩ−２）において、工程
（ＩＩＩ−１）の基板を洗浄して、不要な部分のパラジ
ウム塩を除去するには、前述のパラジウム塩を溶解し得
る上記のような溶剤に基板を浸漬したり、機械的な研磨
等により表面を削り取る方法などを採用することがで
き、これにより感光性樹脂層上などに残存する不要なパ
ラジウム塩を簡単に除去することができる。なお、いず
れの手法でも、溝内のパラジウムコロイド層は、パラジ
ウムがイオンからコロイドに変化しており、除去操作後
も残存する。
（ＩＩＩ−１）の基板を洗浄して、不要な部分のパラジ
ウム塩を除去するには、前述のパラジウム塩を溶解し得
る上記のような溶剤に基板を浸漬したり、機械的な研磨
等により表面を削り取る方法などを採用することがで
き、これにより感光性樹脂層上などに残存する不要なパ
ラジウム塩を簡単に除去することができる。なお、いず
れの手法でも、溝内のパラジウムコロイド層は、パラジ
ウムがイオンからコロイドに変化しており、除去操作後
も残存する。
【００６２】工程（ＩＩＩ−３）では、工程（ＩＩＩ−
２）の基板に無電解メッキ液を接触させ、溝内に導電性
金属層を形成する。ここで、無電解メッキ液の種類、メ
ッキ条件などは第一発明と同様である。
２）の基板に無電解メッキ液を接触させ、溝内に導電性
金属層を形成する。ここで、無電解メッキ液の種類、メ
ッキ条件などは第一発明と同様である。
【００６３】本発明では、工程（ＩＩＩ）の後に必要に
応じて第一発明と同様の工程を行うことができる。これ
により、微細度の優れた金属パターンを形成した配線基
板を製造することができる。
応じて第一発明と同様の工程を行うことができる。これ
により、微細度の優れた金属パターンを形成した配線基
板を製造することができる。
【００６４】
【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
安価で簡便な工程により、優れた耐熱性及びパターン精
細度を持つ金属パターン配線を得ることができる。とり
わけ本発明の配線基板の製造方法（第一発明）によれ
ば、樹脂基板の種類を選ばず、金属と基板の接着性に優
れた精細度の高い金属パターン配線を得ることができ、
また、本発明の配線基板の製造方法（第二発明）によれ
ば、精細度に優れたパターン形成が可能で、しかも基板
と導電性金属層との接着性も良好であり、ロジックやメ
モリ用デバイス等にも応用可能な優れた精細度の金属回
路を形成した基板を得ることができる。
安価で簡便な工程により、優れた耐熱性及びパターン精
細度を持つ金属パターン配線を得ることができる。とり
わけ本発明の配線基板の製造方法（第一発明）によれ
ば、樹脂基板の種類を選ばず、金属と基板の接着性に優
れた精細度の高い金属パターン配線を得ることができ、
また、本発明の配線基板の製造方法（第二発明）によれ
ば、精細度に優れたパターン形成が可能で、しかも基板
と導電性金属層との接着性も良好であり、ロジックやメ
モリ用デバイス等にも応用可能な優れた精細度の金属回
路を形成した基板を得ることができる。
【００６５】従って、本発明の配線基板の製造方法は、
各種プリント基板、各種デバイス、フレキシブルスイッ
チ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用
保護膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐
体等に応用可能な有用な導電配線の形成方法として、電
気、電子、通信分野で広く利用することができる。
各種プリント基板、各種デバイス、フレキシブルスイッ
チ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用
保護膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐
体等に応用可能な有用な導電配線の形成方法として、電
気、電子、通信分野で広く利用することができる。
【００６６】
【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。以下の例において、部はいずれ
も重量部である。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。以下の例において、部はいずれ
も重量部である。
【００６７】〔合成例１〕フェニルハイドロジェンポリ
シラン（ＰＰＨＳ）の合成 アルゴン置換したフラスコ内にビス（シクロペンタジエ
ニル）ジクロロジルコノセンにメチルリチウムのジエチ
ルエーテル溶液を添加し、系内で触媒として使用される
ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコノセンを
調製した。このビス（シクロペンタジエニル）ジメチル
ジルコノセンに対して５０倍モルのフェニルシランを添
加し、１００℃で２４時間加熱撹拌を行った。この後、
モレキュラーシーブスを添加濾過し、触媒を除去し、ほ
ぼ定量的に重量平均分子量２，６００のフェニルハイド
ロジェンポリシランの固体を得た。
シラン（ＰＰＨＳ）の合成 アルゴン置換したフラスコ内にビス（シクロペンタジエ
ニル）ジクロロジルコノセンにメチルリチウムのジエチ
ルエーテル溶液を添加し、系内で触媒として使用される
ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコノセンを
調製した。このビス（シクロペンタジエニル）ジメチル
ジルコノセンに対して５０倍モルのフェニルシランを添
加し、１００℃で２４時間加熱撹拌を行った。この後、
モレキュラーシーブスを添加濾過し、触媒を除去し、ほ
ぼ定量的に重量平均分子量２，６００のフェニルハイド
ロジェンポリシランの固体を得た。
【００６８】〔合成例２〕フェニルメチルポリシラン
（ＰＭＰＳ）の合成 窒素気流下に金属ナトリウム５．０６ｇ（２２０ｍｍｏ
ｌ）をトルエン６０ｍｌ中に添加し、高速で撹拌しなが
ら１１０℃に加熱し、分散させた。これにフェニルメチ
ルジクロルシラン１９．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）を撹拌
下にゆっくり滴下した。原料が消失するまで４時間撹拌
し、反応を完結させた。放冷後、塩を濾過し、濃縮した
ところ、ポリシラン粗生成物１０．０ｇ（粗収率８３
％）が得られた。このポリマーを再度３０ｍｌのトルエ
ンに溶解させ、更にヘキサン１２０ｍｌを添加し、析出
分離したところ、重量平均分子量４５，０００のフェニ
ルメチルポリシラン６．６ｇ（収率５５％）が得られ
た。
（ＰＭＰＳ）の合成 窒素気流下に金属ナトリウム５．０６ｇ（２２０ｍｍｏ
ｌ）をトルエン６０ｍｌ中に添加し、高速で撹拌しなが
ら１１０℃に加熱し、分散させた。これにフェニルメチ
ルジクロルシラン１９．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）を撹拌
下にゆっくり滴下した。原料が消失するまで４時間撹拌
し、反応を完結させた。放冷後、塩を濾過し、濃縮した
ところ、ポリシラン粗生成物１０．０ｇ（粗収率８３
％）が得られた。このポリマーを再度３０ｍｌのトルエ
ンに溶解させ、更にヘキサン１２０ｍｌを添加し、析出
分離したところ、重量平均分子量４５，０００のフェニ
ルメチルポリシラン６．６ｇ（収率５５％）が得られ
た。
【００６９】〔実施例１〜５、比較例１〕ポリシラン
（合成例１で製造したフェニルハイドロジェンポリシラ
ン、以下ＰＰＨＳと略す）０．８ｇ、表１に示す種類及
び量のＣＦシランをトルエン９．２ｇに溶解させ、８％
の溶液にした。ガラス繊維入りエポキシ樹脂板上にこの
ＣＦシラン含有ポリシラン溶液を３，０００ｒｐｍ、１
０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾燥さ
せ、厚さ０．３μｍの薄膜を形成した。次に、塩化パラ
ジウムの３％エタノール溶液を作成し、これに上記薄膜
を形成したポリシラン基板を１分浸漬し、３５℃で３０
分乾燥させた（工程１）。
（合成例１で製造したフェニルハイドロジェンポリシラ
ン、以下ＰＰＨＳと略す）０．８ｇ、表１に示す種類及
び量のＣＦシランをトルエン９．２ｇに溶解させ、８％
の溶液にした。ガラス繊維入りエポキシ樹脂板上にこの
ＣＦシラン含有ポリシラン溶液を３，０００ｒｐｍ、１
０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾燥さ
せ、厚さ０．３μｍの薄膜を形成した。次に、塩化パラ
ジウムの３％エタノール溶液を作成し、これに上記薄膜
を形成したポリシラン基板を１分浸漬し、３５℃で３０
分乾燥させた（工程１）。
【００７０】次に、感光体としてポリシラン（合成例２
で製造したフェニルメチルポリシラン、以下ＰＭＰＳと
略す）を用い、このＰＭＰＳをトルエンに溶解させ、５
％の溶液にした。工程１で得られたＣＦシラン含有ＰＰ
ＨＳ膜を持つ石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を塗
布し、２，０００ｒｐｍ、５秒でスピンコートし、２ｍ
ｍＨｇ／５０℃で乾燥させて感光性樹脂層を形成し、パ
ターン形成用基板とした。なお、このときのＣＦシラン
含有ＰＰＨＳ膜と感光性樹脂層とのトータル厚さは０．
６μｍであった。この基板上にフォトマスクを重ね、２
０Ｗの低圧水銀灯を用いて２５４ｎｍの紫外線を１０Ｊ
／ｃｍ2の光量で露光し、エタノールで現像し、露光部
を除去した（工程２）。
で製造したフェニルメチルポリシラン、以下ＰＭＰＳと
略す）を用い、このＰＭＰＳをトルエンに溶解させ、５
％の溶液にした。工程１で得られたＣＦシラン含有ＰＰ
ＨＳ膜を持つ石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を塗
布し、２，０００ｒｐｍ、５秒でスピンコートし、２ｍ
ｍＨｇ／５０℃で乾燥させて感光性樹脂層を形成し、パ
ターン形成用基板とした。なお、このときのＣＦシラン
含有ＰＰＨＳ膜と感光性樹脂層とのトータル厚さは０．
６μｍであった。この基板上にフォトマスクを重ね、２
０Ｗの低圧水銀灯を用いて２５４ｎｍの紫外線を１０Ｊ
／ｃｍ2の光量で露光し、エタノールで現像し、露光部
を除去した（工程２）。
【００７１】次いで、工程２で得られた基板を無電解メ
ッキ液（硫酸ニッケル２０ｇ、次亜リン酸ナトリウム１
０ｇ、酢酸ナトリウム３０ｇ、水１，０００ｇ）に５０
℃で３０分浸漬し、ニッケル金属回路を形成した（工程
３）。
ッキ液（硫酸ニッケル２０ｇ、次亜リン酸ナトリウム１
０ｇ、酢酸ナトリウム３０ｇ、水１，０００ｇ）に５０
℃で３０分浸漬し、ニッケル金属回路を形成した（工程
３）。
【００７２】純水で洗浄後、６０℃で５分乾燥し、最後
に窒素中１５０℃で０．５時間高温処理することで、ニ
ッケルによるパターンを形成したガラス繊維入りエポキ
シ樹脂基板を得た。
に窒素中１５０℃で０．５時間高温処理することで、ニ
ッケルによるパターンを形成したガラス繊維入りエポキ
シ樹脂基板を得た。
【００７３】得られた基板のニッケル部の導電率は１×
１０4Ｓ／ｃｍ、未露光部の導電率は１×１０-12Ｓ／ｃ
ｍである。また、この基板とニッケルとの接着性を剥離
テープを用いて行った。結果を表１に示す。
１０4Ｓ／ｃｍ、未露光部の導電率は１×１０-12Ｓ／ｃ
ｍである。また、この基板とニッケルとの接着性を剥離
テープを用いて行った。結果を表１に示す。
【００７４】〔比較例１〕工程１でＣＦシラン未含有の
ポリシランを用いてポリシラン膜を形成する以外は実施
例１と同様に操作を行い、ニッケルによるパターンを形
成したガラス繊維入りエポキシ樹脂基板を得た。
ポリシランを用いてポリシラン膜を形成する以外は実施
例１と同様に操作を行い、ニッケルによるパターンを形
成したガラス繊維入りエポキシ樹脂基板を得た。
【００７５】得られた基板とニッケルとの接着性を上記
方法で測定した。結果を表１に示す。
方法で測定した。結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】 ＊：ポリシラン１００部に対する配合率（％）
【００７７】〔実施例６〕ポリシラン（合成例１で製造
したＰＰＨＳ）をトルエンに溶解させ、８％の溶液にし
た。石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を３，０００
ｒｐｍ、１０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃
で乾燥させて、厚さ０．３μｍの薄膜を作った。この基
板上全面に２０Ｗの低圧水銀灯を用いて０．１ｍｍの厚
さのアルカリガラスで３００ｎｍ以下の波長の紫外線を
カットした紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ2の光量で照射を
行い、ポリシランを架橋により溶剤に不溶化させた（工
程Ｉ）。
したＰＰＨＳ）をトルエンに溶解させ、８％の溶液にし
た。石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を３，０００
ｒｐｍ、１０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃
で乾燥させて、厚さ０．３μｍの薄膜を作った。この基
板上全面に２０Ｗの低圧水銀灯を用いて０．１ｍｍの厚
さのアルカリガラスで３００ｎｍ以下の波長の紫外線を
カットした紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ2の光量で照射を
行い、ポリシランを架橋により溶剤に不溶化させた（工
程Ｉ）。
【００７８】次に、感光体としてポリシラン（合成例２
で製造したＰＭＰＳ）をトルエンに溶解させ、５％の溶
液にした。工程Ｉで得られた架橋したＰＰＨＳの乗った
石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を３，０００ｒｐ
ｍ、１０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾
燥させて、トータル厚さ０．６μｍの薄膜を作り、パタ
ーン形成用基板とした。この基板上にフォトマスクを重
ね、２０Ｗの低圧水銀灯を用いて２５４ｎｍの紫外線を
５Ｊ／ｃｍ2の光量で露光し、エタノールで現像し、Ｐ
ＭＰＳの露光部を除去した（工程ＩＩ）
で製造したＰＭＰＳ）をトルエンに溶解させ、５％の溶
液にした。工程Ｉで得られた架橋したＰＰＨＳの乗った
石英ガラス板上にこのポリシラン溶液を３，０００ｒｐ
ｍ、１０秒でスピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾
燥させて、トータル厚さ０．６μｍの薄膜を作り、パタ
ーン形成用基板とした。この基板上にフォトマスクを重
ね、２０Ｗの低圧水銀灯を用いて２５４ｎｍの紫外線を
５Ｊ／ｃｍ2の光量で露光し、エタノールで現像し、Ｐ
ＭＰＳの露光部を除去した（工程ＩＩ）
【００７９】次いで、塩化パラジウムの３％エタノール
溶液を作成し、ポリシラン基板と接触させた（工程ＩＩ
Ｉ−１）。この基板をエタノールで洗浄後、更にＰＭＰ
Ｓの表面を研磨し、表面のパラジウムを除去した（工程
ＩＩＩ−２）。これを無電解鋼メッキ液〔メッキＡ液
（硫酸銅・五水和物２．５ｇ、酒石酸カリウムナトリウ
ム・五水和物１１．３ｇ、水酸化カリウム２．８ｇ、水
８３．４ｇ）とメッキＢ液（３７％ホルマリン水溶液７
ｇ、水９３ｇ）を等量混合したもの〕に２５℃で１５分
浸漬するという工程により、優れたパターン精細度の銅
回路を形成させた（工程ＩＩＩ−３）。純水で洗浄後、
６０℃で５分乾燥し、最後に１００℃で１時間処理する
ことで、溝の中に形成された銅の導電層を持つ石英ガラ
ス基板（配線基板）を得た。得られた石英ガラス基板の
銅回路部の導電率、最小ライン幅を下記方法で測定し
た。結果は、下記の通りであり、精細度の優れた金属パ
ターンが得られた。
溶液を作成し、ポリシラン基板と接触させた（工程ＩＩ
Ｉ−１）。この基板をエタノールで洗浄後、更にＰＭＰ
Ｓの表面を研磨し、表面のパラジウムを除去した（工程
ＩＩＩ−２）。これを無電解鋼メッキ液〔メッキＡ液
（硫酸銅・五水和物２．５ｇ、酒石酸カリウムナトリウ
ム・五水和物１１．３ｇ、水酸化カリウム２．８ｇ、水
８３．４ｇ）とメッキＢ液（３７％ホルマリン水溶液７
ｇ、水９３ｇ）を等量混合したもの〕に２５℃で１５分
浸漬するという工程により、優れたパターン精細度の銅
回路を形成させた（工程ＩＩＩ−３）。純水で洗浄後、
６０℃で５分乾燥し、最後に１００℃で１時間処理する
ことで、溝の中に形成された銅の導電層を持つ石英ガラ
ス基板（配線基板）を得た。得られた石英ガラス基板の
銅回路部の導電率、最小ライン幅を下記方法で測定し
た。結果は、下記の通りであり、精細度の優れた金属パ
ターンが得られた。
【００８０】また、導電率については、銅膜の４端針法
により測定した。銅回路のライン幅は、顕微鏡により測
定した。 測定結果：銅回路部の導電率 １×１０4Ｓ／ｃｍ 銅回路部の最小ライン幅 １μｍ
により測定した。銅回路のライン幅は、顕微鏡により測
定した。 測定結果：銅回路部の導電率 １×１０4Ｓ／ｃｍ 銅回路部の最小ライン幅 １μｍ
【００８１】〔比較例２〕工程Ｉの光照射による架橋処
理を省いた以外は上記実施例６と同様にして石英ガラス
基板を得た。得られた石英ガラス基板は、銅が露光部と
未露光部の境界のみに生成し、露光部にも未露光部にも
銅は生成しなかった。
理を省いた以外は上記実施例６と同様にして石英ガラス
基板を得た。得られた石英ガラス基板は、銅が露光部と
未露光部の境界のみに生成し、露光部にも未露光部にも
銅は生成しなかった。
【００８２】〔比較例３〕工程Ｉの光照射による架橋処
理を省き、かつ工程ＩＩＩ−２のＰＭＰＳの表面の研磨
を省いた以外は上記実施例６と同様にして石英ガラス基
板を得た。得られた石英ガラス基板の銅回路部の導電率
及び最小ライン幅を上記方法で測定したところ、下記の
通りであった。 銅回路部の導電率 １×１０4Ｓ／ｃｍ 銅回路部の最小ライン幅 ２０μｍ
理を省き、かつ工程ＩＩＩ−２のＰＭＰＳの表面の研磨
を省いた以外は上記実施例６と同様にして石英ガラス基
板を得た。得られた石英ガラス基板の銅回路部の導電率
及び最小ライン幅を上記方法で測定したところ、下記の
通りであった。 銅回路部の導電率 １×１０4Ｓ／ｃｍ 銅回路部の最小ライン幅 ２０μｍ
【図１】第一発明の製造方法の工程を示す概略図であ
る。
る。
【図２】第二発明の製造方法の工程を示す概略図であ
る。
る。
１ 基板 ２ ＣＦシラン含有ポリシラン薄膜 ３ パラジウムコロイド層 ４ 感光性樹脂層 ５ パタ−ンの溝 ６ フォトマスク ７ 導電性金属層 ８ ＳｉＨ基を持つポリシラン薄膜 ８’ 光架橋した膜 ９ パラジウムコロイド層 １０ パラジウム塩層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA10 AA14 AB15 AC01 AC04 AD01 AD03 BD20 DA40 FA03 FA15 FA43 5E343 AA02 AA15 AA17 BB24 BB44 CC73 DD33 EE32 GG01 GG08
Claims (7)
- 【請求項１】 （１）基板上に形成したカーボンファン
クショナルシランを含有するポリシラン薄膜にパラジウ
ム塩を接触させ、表面にパラジウムコロイド層を形成す
る工程、（２）上記パラジウムコロイド層を有するポリ
シラン薄膜上に感光性樹脂層を形成した後、選択的に光
照射し、現像して、この感光性樹脂層に所定のパターン
の溝を形成してこの溝内に上記パラジウムコロイド層を
有するポリシラン薄膜を露出させる工程、（３）上記溝
内のパラジウムコロイド層を有するポリシラン薄膜に無
電解メッキ液を接触させ、この溝内に導電性金属層を形
成する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方
法。 - 【請求項２】 ポリシランが、下記一般式（１） （Ｒ1 mＲ2 nＸpＳｉ）q （１） （但し、式中Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ水素原子、置換もしく
は非置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素
基、ＸはＲ1と同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原
子である。ｍ、ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、
０≦ｐ≦０．５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する
数、ｑは４≦ｑ≦１００，０００の整数である。）で表
わされるものである請求項１記載の配線基板の製造方
法。 - 【請求項３】 カーボンファンクショナルシランが、ア
ミノ基含有アルコキシシランである請求項１又は２記載
の配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 （Ｉ）基板上に形成したＳｉＨ基含有ポ
リシラン薄膜を光照射し、ポリシランを架橋させて溶剤
に不溶化させる工程、（ＩＩ）上記架橋ポリシラン層上
に感光性樹脂層を形成した後、選択的に光照射し、現像
して、この感光性樹脂層に所定のパターンの溝を形成
し、この溝内に上記架橋ポリシラン薄膜を露出させる工
程、（ＩＩＩ）上記溝内の架橋ポリシラン薄膜にパラジ
ウム塩を接触させてパラジウムコロイド層を形成し、次
いで無電解メッキ液を接触させ、この溝内に導電性金属
層を形成する工程を含むことを特徴とする配線基板の製
造方法。 - 【請求項５】 ポリシランが、下記一般式（２） （ＨmＲ2 nＸpＳｉ）q （２） （但し、式中Ｒ2は水素原子、置換もしくは非置換の脂
肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基、ＸはＲ2と
同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ｍ、
ｎ、ｐは０．１≦ｍ≦２、０≦ｎ≦１、０≦ｐ≦０．
５、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する数、ｑは４≦ｑ
≦１００，０００の整数である。）で表わされるもので
ある請求項４記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 基板上に形成させたポリシラン薄膜に照
射する光の光量が０．００１〜１００Ｊ／ｃｍ2である
請求項４又は５記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 無電解メッキ液が銅及びニッケルから選
ばれる金属イオンを含むものである請求項４乃至６のい
ずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30979398A JP3731632B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 配線基板の製造方法 |
| US09/422,731 US6344309B2 (en) | 1998-10-22 | 1999-10-22 | Polysilane composition for forming a coating suitable for bearing a metal pattern, metal pattern forming method, wiring board preparing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30979398A JP3731632B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138442A true JP2000138442A (ja) | 2000-05-16 |
| JP3731632B2 JP3731632B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=17997316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30979398A Expired - Fee Related JP3731632B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-30 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731632B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004062032A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Toppan Forms Co Ltd | 導電性トナー及びこれを用いた導電性回路を有するシート |
| JP2004152884A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
| JP2004152883A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置 |
| CN100420354C (zh) * | 2003-08-12 | 2008-09-17 | 精工爱普生株式会社 | 布线图形形成方法、半导体装置制造方法以及电光学装置 |
| CN100420355C (zh) * | 2003-08-08 | 2008-09-17 | 精工爱普生株式会社 | 图形的形成方法以及布线图形的形成方法、电光装置 |
| CN100421532C (zh) * | 2003-08-12 | 2008-09-24 | 精工爱普生株式会社 | 图形形成方法及布线图形形成方法，电光学装置及电子设备 |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP30979398A patent/JP3731632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004062032A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Toppan Forms Co Ltd | 導電性トナー及びこれを用いた導電性回路を有するシート |
| JP2004152884A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
| JP2004152883A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置 |
| US7223652B2 (en) | 2002-10-29 | 2007-05-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Capacitor and manufacturing method thereof, semiconductor device and substrate for a semiconductor device |
| CN100420355C (zh) * | 2003-08-08 | 2008-09-17 | 精工爱普生株式会社 | 图形的形成方法以及布线图形的形成方法、电光装置 |
| CN100420354C (zh) * | 2003-08-12 | 2008-09-17 | 精工爱普生株式会社 | 布线图形形成方法、半导体装置制造方法以及电光学装置 |
| CN100421532C (zh) * | 2003-08-12 | 2008-09-24 | 精工爱普生株式会社 | 图形形成方法及布线图形形成方法，电光学装置及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3731632B2 (ja) | 2006-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6344309B2 (en) | Polysilane composition for forming a coating suitable for bearing a metal pattern, metal pattern forming method, wiring board preparing method | |
| JP3503546B2 (ja) | 金属パターンの形成方法 | |
| JP4653716B2 (ja) | 高導電性インク組成物および金属導電パターンの作製方法 | |
| JP2004012635A (ja) | 光電気配線複合実装基板及びその製造方法 | |
| US6265086B1 (en) | Electroless metal deposition on silyl hydride functional resin | |
| JP3533935B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| US20040081762A1 (en) | Method for forming metal pattern | |
| KR20200062227A (ko) | 화합물, 패턴 형성용 기판, 광 분해성 커플링제, 패턴 형성 방법 및 트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP2000349417A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP3731632B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| Popall et al. | ORMOCER® S–Inorganic-organic hybrid materials for e/o-interconnection-technology | |
| US20040086806A1 (en) | Method for forming metal pattern | |
| JP3440815B2 (ja) | 貴金属コロイド分散ポリシランのパターン形成方法 | |
| JP3539234B2 (ja) | 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法 | |
| JP3379420B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4308821B2 (ja) | パターン形成されたシリコーン層をエッチングする方法 | |
| JP4010832B2 (ja) | 金属パターンの形成方法 | |
| JP3675708B2 (ja) | 金属層の形成方法 | |
| US6110651A (en) | Method for preparing polysilane pattern-bearing substrate | |
| JPS62215944A (ja) | 感光性耐熱樹脂組成物及び絶縁層形成方法 | |
| JP2002356782A (ja) | 金属パターンの形成方法 | |
| JPH10209585A (ja) | 導電回路基板及びその製造方法 | |
| JPH10209586A (ja) | 導電回路基板の製造方法 | |
| JPH0915864A (ja) | レジストおよびこれを用いたパターン形成方法、ケイ素ポリマー組成物および絶縁膜の製造方法 | |
| JP2009173748A (ja) | 樹脂成形物の表面処理方法および表面処理樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050526 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050608 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050921 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051004 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081021 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |