JP2000122302A - 斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法 - Google Patents
斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクに対して斜めから光を入射してもマス
クパターンをワークの所定の領域に投影させることがで
きるプロキシミティ露光方法を提供すること。 【解決手段】 マスクパターンが形成されたマスクＭに
対し、ワークＷを所定のギャップを設けて配置し、マス
クＭを介してワークＷにランプハウス３から斜めから光
を照射してマスクパターンをワークＷ上に露光する。制
御装置１０は、マスクＭに対する光の入射角δと、マス
クＭへの光の照射角φ、マスクＭとワークＷの間のギャ
ップ量Ｇとに基づき、マスクＭに光を垂直に照射した場
合のマスクパターンのワークＷ上の投影位置と、マスク
Ｍに斜めから光を照射した場合のマスクパターンのワー
クＷ上の投影位置とのずれ量を計算し、上記計算された
ずれ量に基づきマスクＭとワークＷの位置合わせを行
い、マスクパターンをワークＷ上に露光する。
クパターンをワークの所定の領域に投影させることがで
きるプロキシミティ露光方法を提供すること。 【解決手段】 マスクパターンが形成されたマスクＭに
対し、ワークＷを所定のギャップを設けて配置し、マス
クＭを介してワークＷにランプハウス３から斜めから光
を照射してマスクパターンをワークＷ上に露光する。制
御装置１０は、マスクＭに対する光の入射角δと、マス
クＭへの光の照射角φ、マスクＭとワークＷの間のギャ
ップ量Ｇとに基づき、マスクＭに光を垂直に照射した場
合のマスクパターンのワークＷ上の投影位置と、マスク
Ｍに斜めから光を照射した場合のマスクパターンのワー
クＷ上の投影位置とのずれ量を計算し、上記計算された
ずれ量に基づきマスクＭとワークＷの位置合わせを行
い、マスクパターンをワークＷ上に露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、斜めからワークに
紫外光を照射して露光を行うプロキシミティ露光方法に
関し、特に本発明は、液晶表示素子の配向膜の光配向に
好適なプロキシミティ露光方法に関するものである。
紫外光を照射して露光を行うプロキシミティ露光方法に
関し、特に本発明は、液晶表示素子の配向膜の光配向に
好適なプロキシミティ露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子の、液晶のプレチルト角の
大きさと配向方向とを決定するために、紫外線を、ワー
クである配向膜に対して、斜めに照射する装置が提案さ
れている（例えば、特開平９−１９７４０９号公報の段
落〔００１１〕，〔００８６〕の記載等参照）。ワーク
に入射する光の入射角と照射角は、光配向膜の種類やそ
の他の処理条件により異なる。ところで、液晶表示素子
の配向膜の配向において、１つの画素を２つもしくはそ
れ以上に分割し、分割した画素毎に液晶の配向方向を変
えることにより、液晶パネルの視野角を改善することが
行われている。この方法は画素分割法、あるいはマルチ
ドメイン法と呼ばれている。
大きさと配向方向とを決定するために、紫外線を、ワー
クである配向膜に対して、斜めに照射する装置が提案さ
れている（例えば、特開平９−１９７４０９号公報の段
落〔００１１〕，〔００８６〕の記載等参照）。ワーク
に入射する光の入射角と照射角は、光配向膜の種類やそ
の他の処理条件により異なる。ところで、液晶表示素子
の配向膜の配向において、１つの画素を２つもしくはそ
れ以上に分割し、分割した画素毎に液晶の配向方向を変
えることにより、液晶パネルの視野角を改善することが
行われている。この方法は画素分割法、あるいはマルチ
ドメイン法と呼ばれている。
【０００３】光配向を上記画素分割法に適用する場合に
は、マスクを用いて画素の分割した一つの部分に紫外光
を照射し、次にマスクを交換して、または、マスクをワ
ークに対して水平に回転させて、分割した他の部分を、
ワークから見て最初の照射方向とは異なった方向から照
射する。場合によっては照射する角度を変える。これを
分割数だけ繰り返すことにより、分割画素毎の液晶の配
向方向を変えることができる。この場合はマスクを介し
て所望の部分だけに正確に紫外光を照射する必要があ
る。そのためには、マスクパターンとワークの所望の紫
外線照射領域とを位置合わせして、平行光を照射する必
要がある。
は、マスクを用いて画素の分割した一つの部分に紫外光
を照射し、次にマスクを交換して、または、マスクをワ
ークに対して水平に回転させて、分割した他の部分を、
ワークから見て最初の照射方向とは異なった方向から照
射する。場合によっては照射する角度を変える。これを
分割数だけ繰り返すことにより、分割画素毎の液晶の配
向方向を変えることができる。この場合はマスクを介し
て所望の部分だけに正確に紫外光を照射する必要があ
る。そのためには、マスクパターンとワークの所望の紫
外線照射領域とを位置合わせして、平行光を照射する必
要がある。
【０００４】図７に液晶表示素子の模式図を示す。同図
に示すように、液晶表示素子はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）に対応する３つの画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を一組と
して、基板上に多数設けられる。画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３
の大きさは、縦約１５０μｍ、横約５０〜１００μｍで
ある。それぞれの画素の間にはブラックマトリックスと
呼ばれる光を通さない領域が設けられ、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）駆動型の液晶パネルの場合は、各画素Ｐ１
〜Ｐ３の一部には駆動用ＴＦＴ素子ＥＰが設けられる。
画素分割法においては、図７のように１つの画素をさら
に分割し、分割した領域ごとに液晶の配向方向（図中、
画素Ｐ２に示した矢印参照）を変える。分割した各領域
の境界線上では、配向方向の擾乱により光が透過し画像
に乱れが生じるので、１０〜２０μｍの幅のブラックマ
トリックスを設けてこれを防止する。該ブラックマトリ
ックスは、幅が広くなると画素の開口率が小さくなり暗
くなるので、狭ければ狭いほど良く、現在は５μｍが望
まれている。なお、図７では画素Ｐ２についてのみ分割
した図を示すが、実際にはＰ１，Ｐ３全ての画素をＰ２
と同様に分割する。
に示すように、液晶表示素子はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）に対応する３つの画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を一組と
して、基板上に多数設けられる。画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３
の大きさは、縦約１５０μｍ、横約５０〜１００μｍで
ある。それぞれの画素の間にはブラックマトリックスと
呼ばれる光を通さない領域が設けられ、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）駆動型の液晶パネルの場合は、各画素Ｐ１
〜Ｐ３の一部には駆動用ＴＦＴ素子ＥＰが設けられる。
画素分割法においては、図７のように１つの画素をさら
に分割し、分割した領域ごとに液晶の配向方向（図中、
画素Ｐ２に示した矢印参照）を変える。分割した各領域
の境界線上では、配向方向の擾乱により光が透過し画像
に乱れが生じるので、１０〜２０μｍの幅のブラックマ
トリックスを設けてこれを防止する。該ブラックマトリ
ックスは、幅が広くなると画素の開口率が小さくなり暗
くなるので、狭ければ狭いほど良く、現在は５μｍが望
まれている。なお、図７では画素Ｐ２についてのみ分割
した図を示すが、実際にはＰ１，Ｐ３全ての画素をＰ２
と同様に分割する。
【０００５】通常、光配向のための光照射処理は以下の
ようにして行なわれる。ここでは画素を第１〜第４の領
域に４分割して光配向処理する場合を示す。ここでは、
前記図７の画素Ｐ２において、例えば、右上の領域を第
１の領域、右下の領域を第２の領域、左下の領域を第３
の領域、左上の領域を第４の領域とする。 図８は光配向のために使用されるマスクＭの一例を
示す図であり、同図に示すように、マスクＭには分割し
た画素（図の点線で囲まれた領域が１画素に相当する）
の第１の領域に対応する位置に開口部ＯＰが設けられ、
位置合わせのためのアライメントマークＭＡＭが記され
ている。同図に示すマスクＭを用い、マスクＭを介して
ワークの第１の領域にマスクに対し所定の入射角を持っ
て、またマスクパターンのＸ方向に対して所定の照射角
を持って光照射する。 次に、例えばワークを１８０°回転し、第１の領域
と画素中心を中心として点対称の位置にある第３の領域
を、所定の入射角と照射角をもって光照射する。 ついで、第１の領域とは異なる第２の領域に対応す
る開口部を持つマスクに交換して、第３の領域を所定の
入射角と照射角をもって光照射する。 ワークを１８０°回転し、第２の領域と画素中心を
中心として点対称の位置にある第４の領域を、所定の入
射角と照射角をもって光照射する。
ようにして行なわれる。ここでは画素を第１〜第４の領
域に４分割して光配向処理する場合を示す。ここでは、
前記図７の画素Ｐ２において、例えば、右上の領域を第
１の領域、右下の領域を第２の領域、左下の領域を第３
の領域、左上の領域を第４の領域とする。 図８は光配向のために使用されるマスクＭの一例を
示す図であり、同図に示すように、マスクＭには分割し
た画素（図の点線で囲まれた領域が１画素に相当する）
の第１の領域に対応する位置に開口部ＯＰが設けられ、
位置合わせのためのアライメントマークＭＡＭが記され
ている。同図に示すマスクＭを用い、マスクＭを介して
ワークの第１の領域にマスクに対し所定の入射角を持っ
て、またマスクパターンのＸ方向に対して所定の照射角
を持って光照射する。 次に、例えばワークを１８０°回転し、第１の領域
と画素中心を中心として点対称の位置にある第３の領域
を、所定の入射角と照射角をもって光照射する。 ついで、第１の領域とは異なる第２の領域に対応す
る開口部を持つマスクに交換して、第３の領域を所定の
入射角と照射角をもって光照射する。 ワークを１８０°回転し、第２の領域と画素中心を
中心として点対称の位置にある第４の領域を、所定の入
射角と照射角をもって光照射する。
【０００６】ここで、画素の所定の領域を光配向すると
き、隣りの領域にその光が照射されると、配向が擾乱し
画像に乱れが生じるので、マスクとワークとの位置合せ
精度は、画素に設けられるブラックマトリックスの幅の
値（例えば前記したように望ましくは５μｍ）よりも小
さくする必要がある。なお、液晶表示素子の基板は、５
５０×６５０ｍｍ〜６５０×８３０ｍｍの大型基板が主
流になりつつある。このため、露光方式としては、この
ような大型基板をスループットよく処理するために、マ
スクとワークとを所定の距離にまで接近させ（マスクと
ワークは非接触）、基板全体を一括で平行光を照射する
プロキシミティ露光が用いられる。
き、隣りの領域にその光が照射されると、配向が擾乱し
画像に乱れが生じるので、マスクとワークとの位置合せ
精度は、画素に設けられるブラックマトリックスの幅の
値（例えば前記したように望ましくは５μｍ）よりも小
さくする必要がある。なお、液晶表示素子の基板は、５
５０×６５０ｍｍ〜６５０×８３０ｍｍの大型基板が主
流になりつつある。このため、露光方式としては、この
ような大型基板をスループットよく処理するために、マ
スクとワークとを所定の距離にまで接近させ（マスクと
ワークは非接触）、基板全体を一括で平行光を照射する
プロキシミティ露光が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常のプロ
キシミティ露光装置の場合、水平に配置されたワークに
対して垂直に光を照射する。平行光である照射光の光軸
とマスクとは直角になるように配置される。マスクとワ
ークとの位置合せは、アライメント光の光軸が照射光の
光軸と平行であるアライメント顕微鏡により、マスクに
印されたアライメントマークとワークに印されたアライ
メントマークとを検出し、互いが重なり合うようにマス
クまたはワークを移動し位置合せを行う。マスクとワー
クとは垂直方向に対して位置合せがなされることにな
る。位置合せが完了すると、マスクを介してワークに光
を照射する。平行光である照射光がマスクに対して直角
に入射し、マスクパターンはワークの所定の領域に投影
されて遮光し、紫外光は所望の領域にのみ照射される。
キシミティ露光装置の場合、水平に配置されたワークに
対して垂直に光を照射する。平行光である照射光の光軸
とマスクとは直角になるように配置される。マスクとワ
ークとの位置合せは、アライメント光の光軸が照射光の
光軸と平行であるアライメント顕微鏡により、マスクに
印されたアライメントマークとワークに印されたアライ
メントマークとを検出し、互いが重なり合うようにマス
クまたはワークを移動し位置合せを行う。マスクとワー
クとは垂直方向に対して位置合せがなされることにな
る。位置合せが完了すると、マスクを介してワークに光
を照射する。平行光である照射光がマスクに対して直角
に入射し、マスクパターンはワークの所定の領域に投影
されて遮光し、紫外光は所望の領域にのみ照射される。
【０００８】ところが、プロキシミティ露光装置におい
て、前記したように液晶のプレチルト角の大きさと配向
方向とを決定するため、紫外線をワークである配向膜に
対して、斜めに照射しようとすると、マスクに対して斜
めから光を入射させなければならない。しかし、マスク
に対し斜めから光を照射すると、プロキシミティ露光の
場合、マスクとワークとの間に所定の距離（ギャップ）
が存在するので、照射光によって投影されるマスクパタ
ーンがワーク上で位置ずれを生じる。通常のプロキシミ
ティ露光装置では、マスクとワークの位置合せを垂直方
向に対して行なうので、マスクに斜めから光を照射する
と、マスクパターンがワークに投影される位置がずれ、
照射光は所望の領域以外に照射されることとなる。
て、前記したように液晶のプレチルト角の大きさと配向
方向とを決定するため、紫外線をワークである配向膜に
対して、斜めに照射しようとすると、マスクに対して斜
めから光を入射させなければならない。しかし、マスク
に対し斜めから光を照射すると、プロキシミティ露光の
場合、マスクとワークとの間に所定の距離（ギャップ）
が存在するので、照射光によって投影されるマスクパタ
ーンがワーク上で位置ずれを生じる。通常のプロキシミ
ティ露光装置では、マスクとワークの位置合せを垂直方
向に対して行なうので、マスクに斜めから光を照射する
と、マスクパターンがワークに投影される位置がずれ、
照射光は所望の領域以外に照射されることとなる。
【０００９】本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
であって、マスクに対して斜めから光を入射しても、マ
スクパターンをワークの所定の領域に投影させることが
でき、ワークの所望の部分のみに光を照射することがで
きるプロキシミティ露光方法を提供することである。
であって、マスクに対して斜めから光を入射しても、マ
スクパターンをワークの所定の領域に投影させることが
でき、ワークの所望の部分のみに光を照射することがで
きるプロキシミティ露光方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては、次の
ようにして前記課題を解決する。 （１）マスクパターンが形成されたマスクに対し、ワー
クを所定のギャップを設けて配置し、マスクを介してワ
ークに斜めから光を照射してマスクパターンをワーク上
に露光するプロキシミティ露光方法において、光のマス
クへの入射角と照射角と上記ギャップ量とに基づいてマ
スクに対するワークの位置合わせを行いマスクパターン
をワーク上に露光する。 （２）マスクパターンが形成されたマスクに対し、ワー
クを所定のギャップを設けて配置し、マスクを介してワ
ークに斜めから光を照射してマスクパターンをワーク上
に露光するプロキシミティ露光方法でおいて、マスクに
対する光の入射角と照射角とマスクとワークの間のギャ
ップ量とに基づき、マスクに光を垂直に照射した場合の
マスクパターンのワーク上の投影位置と、マスクに斜め
から光を照射した場合のマスクパターンのワーク上の投
影位置とのずれ量を計算し、上記計算されたずれ量に基
づきマスクとワークの位置合わせを行い、マスクパター
ンをワーク上に露光する。 （３）マスクアライメントマークとワークアライメント
マークとを検出するアライメント顕微鏡と、マスクとワ
ークとのギャップを測定するギャップ測定器と、ワーク
ステージをＸＹＺθ方向に移動させるワークステージ移
動機構と、マスクを介しワークに対して斜めに光を照射
する光照射装置とを備えたプロキシミティ露光装置にお
けるプロキシミティ露光方法であって、ワークをマスク
に対し所定の間隔になるように配置し、ギャップ測定器
によりマスクとワークとのギャップを測定し、アライメ
ント顕微鏡によりマスクに垂直な方向から見てマスクア
ライメントマークとワークアライメントマークとを検出
し、任意のＸＹ座標において、検出したワークアライメ
ントマークの位置座標を（Ｘｎ，Ｙｎ）、ワークステー
ジをＸＹθ方向に移動してマスクアライメントマークに
対しワークアライメントマークの位置合せを行なった場
合のワークアライメントマークの位置座標を（Ｘｎ＋Δ
Ｘ，Ｙｎ＋ΔＹ）とすると、ワークステージをＸＹθ方
向に移動することで、ワークアライメントマークの位置
座標を（Ｘｎ．Ｙｎ）から下式で表される位置座標
（Ｘ，Ｙ）にまで移動させ、マスクとワークの位置合わ
せを行い、マスクパターンをワーク上に露光する。 Ｘ ＝ Ｘｎ＋ΔＸーＧ・tan δ・cos φ Ｙ ＝ Ｙｎ＋ΔＹ−Ｇ・tan δ・sin φ 但し、Ｇ：マスクとワークとのギャップ量 δ：照射光のマスクヘの入射角 φ：マスクパターンのＸ方向に対して照射光が入射する
照射角
ようにして前記課題を解決する。 （１）マスクパターンが形成されたマスクに対し、ワー
クを所定のギャップを設けて配置し、マスクを介してワ
ークに斜めから光を照射してマスクパターンをワーク上
に露光するプロキシミティ露光方法において、光のマス
クへの入射角と照射角と上記ギャップ量とに基づいてマ
スクに対するワークの位置合わせを行いマスクパターン
をワーク上に露光する。 （２）マスクパターンが形成されたマスクに対し、ワー
クを所定のギャップを設けて配置し、マスクを介してワ
ークに斜めから光を照射してマスクパターンをワーク上
に露光するプロキシミティ露光方法でおいて、マスクに
対する光の入射角と照射角とマスクとワークの間のギャ
ップ量とに基づき、マスクに光を垂直に照射した場合の
マスクパターンのワーク上の投影位置と、マスクに斜め
から光を照射した場合のマスクパターンのワーク上の投
影位置とのずれ量を計算し、上記計算されたずれ量に基
づきマスクとワークの位置合わせを行い、マスクパター
ンをワーク上に露光する。 （３）マスクアライメントマークとワークアライメント
マークとを検出するアライメント顕微鏡と、マスクとワ
ークとのギャップを測定するギャップ測定器と、ワーク
ステージをＸＹＺθ方向に移動させるワークステージ移
動機構と、マスクを介しワークに対して斜めに光を照射
する光照射装置とを備えたプロキシミティ露光装置にお
けるプロキシミティ露光方法であって、ワークをマスク
に対し所定の間隔になるように配置し、ギャップ測定器
によりマスクとワークとのギャップを測定し、アライメ
ント顕微鏡によりマスクに垂直な方向から見てマスクア
ライメントマークとワークアライメントマークとを検出
し、任意のＸＹ座標において、検出したワークアライメ
ントマークの位置座標を（Ｘｎ，Ｙｎ）、ワークステー
ジをＸＹθ方向に移動してマスクアライメントマークに
対しワークアライメントマークの位置合せを行なった場
合のワークアライメントマークの位置座標を（Ｘｎ＋Δ
Ｘ，Ｙｎ＋ΔＹ）とすると、ワークステージをＸＹθ方
向に移動することで、ワークアライメントマークの位置
座標を（Ｘｎ．Ｙｎ）から下式で表される位置座標
（Ｘ，Ｙ）にまで移動させ、マスクとワークの位置合わ
せを行い、マスクパターンをワーク上に露光する。 Ｘ ＝ Ｘｎ＋ΔＸーＧ・tan δ・cos φ Ｙ ＝ Ｙｎ＋ΔＹ−Ｇ・tan δ・sin φ 但し、Ｇ：マスクとワークとのギャップ量 δ：照射光のマスクヘの入射角 φ：マスクパターンのＸ方向に対して照射光が入射する
照射角
【００１１】以上のように、本発明においては、光の入
射角δ、照射角φと、ギャップ量Ｇに基づいてマスクに
対するワークの位置合わせを行いマスクパターンをワー
ク上に露光しているので、マスクパターンをワークの所
定の位置に投影させることができ、所望の部分に光を照
射することが可能となる。
射角δ、照射角φと、ギャップ量Ｇに基づいてマスクに
対するワークの位置合わせを行いマスクパターンをワー
ク上に露光しているので、マスクパターンをワークの所
定の位置に投影させることができ、所望の部分に光を照
射することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例のプロキシ
ミティ露光装置の構成例を示す図である。同図におい
て、ワークステージＷＳ上には例えば液晶表示素子基板
等のワークＷが載置されている。また、ワークＷ上に
は、所定のギャップＧ（同図ではギャップ量が誇張して
描かれている）を介してマスクＭが配置されている。マ
スクＭとワークＷには位置合わせのためのマスクアライ
メントマーク（以下マスクマークＭＡＭという）、ワー
クアライメントマーク（以下ワークマークＷＡＭとい
う）が記されており、後述するアライメント顕微鏡７に
よりマスクマークとワークマークを観察し、マスクＭと
ワークＷの位置合わせが行われる。ワークステージＷＳ
はＸＹθ方向駆動機構１によりＸＹθ方向（Ｘは例えば
同図の左右方向、Ｙは同図紙面の垂直方向、θはＸＹ平
面に直交する軸の回りの回転）に駆動され、また、Ｚ方
向駆動機構２によりＺ方向（同図の上下方向）に駆動さ
れる。
ミティ露光装置の構成例を示す図である。同図におい
て、ワークステージＷＳ上には例えば液晶表示素子基板
等のワークＷが載置されている。また、ワークＷ上に
は、所定のギャップＧ（同図ではギャップ量が誇張して
描かれている）を介してマスクＭが配置されている。マ
スクＭとワークＷには位置合わせのためのマスクアライ
メントマーク（以下マスクマークＭＡＭという）、ワー
クアライメントマーク（以下ワークマークＷＡＭとい
う）が記されており、後述するアライメント顕微鏡７に
よりマスクマークとワークマークを観察し、マスクＭと
ワークＷの位置合わせが行われる。ワークステージＷＳ
はＸＹθ方向駆動機構１によりＸＹθ方向（Ｘは例えば
同図の左右方向、Ｙは同図紙面の垂直方向、θはＸＹ平
面に直交する軸の回りの回転）に駆動され、また、Ｚ方
向駆動機構２によりＺ方向（同図の上下方向）に駆動さ
れる。
【００１３】３はランプハウスであり、ランプハウス３
内には、紫外光を含む光を放出するランプと楕円反射鏡
等が設けられ、ランプハウス３の出射口３ａから平行な
露光光が放出される。また、ランプハウス３は同図に示
すように円弧状のガイド４により支持されており、ラン
プハウス３は上記ガイド４に沿って移動可能に構成され
ている。したがって、ランプハウス駆動機構５によりガ
イド４に沿ってランプハウス３を移動させることによ
り、マスクＭおよびワークＷに対する露光光の入射角δ
を変えることができる。さらに、ランプハウス３、ガイ
ド４およびランプハウス駆動機構５全体は軸Ｔを中心に
回転できるように構成されており、上記ランプハウス駆
動機構５によりランプハウス３を軸Ｔの回りに回転させ
ることにより、マスクＭ、ワークＷへの露光光の照射方
向を変えることができる（以下、軸Ｔ回りの回転角を照
射角φという）。
内には、紫外光を含む光を放出するランプと楕円反射鏡
等が設けられ、ランプハウス３の出射口３ａから平行な
露光光が放出される。また、ランプハウス３は同図に示
すように円弧状のガイド４により支持されており、ラン
プハウス３は上記ガイド４に沿って移動可能に構成され
ている。したがって、ランプハウス駆動機構５によりガ
イド４に沿ってランプハウス３を移動させることによ
り、マスクＭおよびワークＷに対する露光光の入射角δ
を変えることができる。さらに、ランプハウス３、ガイ
ド４およびランプハウス駆動機構５全体は軸Ｔを中心に
回転できるように構成されており、上記ランプハウス駆
動機構５によりランプハウス３を軸Ｔの回りに回転させ
ることにより、マスクＭ、ワークＷへの露光光の照射方
向を変えることができる（以下、軸Ｔ回りの回転角を照
射角φという）。
【００１４】すなわち、ランプハウス３をガイド４によ
って移動させることにより入射角δを０＜δ＜９０°の
範囲で変えることができ、また、ランプハウス３をＴ軸
回りに回転させることにより、照射角φを０≦φ≦３６
０°の範囲で変えることができる。なお、上記したラン
プハウスとしては、本出願人が先に特願平９−２１３２
６６号公報で提案したものを使用することができる。
って移動させることにより入射角δを０＜δ＜９０°の
範囲で変えることができ、また、ランプハウス３をＴ軸
回りに回転させることにより、照射角φを０≦φ≦３６
０°の範囲で変えることができる。なお、上記したラン
プハウスとしては、本出願人が先に特願平９−２１３２
６６号公報で提案したものを使用することができる。
【００１５】マスクＭの上には、マスクＭとワークＷの
ギャップ量Ｇを測定するためのギャップ測定器６と、マ
スクＭとワークＷの位置合わせを行うためのアライメン
ト顕微鏡７が配置されている。なお、ギャップ測定器と
しては、本出願人が先に特願平９−７５５６４号で提案
した測定器を使用することができる。１０は制御部であ
り、制御部１０は上記ギャップ測定器６、アライメント
顕微鏡７の出力に基づき上記ＸＹθ方向駆動機構１、Ｚ
方向駆動機構２を駆動してワークステージＷＳをＸＹθ
Ｚ方向に移動させる。また、制御部１０はマスクＭとワ
ークＷとの光照射間隙であるギャップ量Ｇの設定値Ｇ
ｏ、ワークＷに入射する光の角度の設定値δｏ，φｏを
記憶する記憶部１０ａを備えており、入力部１１から入
力されるこれらの設定値は、記憶部１０ａに設定され
る。
ギャップ量Ｇを測定するためのギャップ測定器６と、マ
スクＭとワークＷの位置合わせを行うためのアライメン
ト顕微鏡７が配置されている。なお、ギャップ測定器と
しては、本出願人が先に特願平９−７５５６４号で提案
した測定器を使用することができる。１０は制御部であ
り、制御部１０は上記ギャップ測定器６、アライメント
顕微鏡７の出力に基づき上記ＸＹθ方向駆動機構１、Ｚ
方向駆動機構２を駆動してワークステージＷＳをＸＹθ
Ｚ方向に移動させる。また、制御部１０はマスクＭとワ
ークＷとの光照射間隙であるギャップ量Ｇの設定値Ｇ
ｏ、ワークＷに入射する光の角度の設定値δｏ，φｏを
記憶する記憶部１０ａを備えており、入力部１１から入
力されるこれらの設定値は、記憶部１０ａに設定され
る。
【００１６】次に、本発明におけるマスクとワークの位
置合わせ方法について説明する。ここでは、マスクＭに
図２のようなマスクパターン（１画素分のマスクパター
ンを示している）が形成され、マスクＭを固定しワーク
が移動する場合を例にして説明する。上記マスクＭを用
い、マスクＭとワークＷとを所定のギャップＧを設けて
配置し、図３に示すようにアライメント顕微鏡７によっ
て、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭとを検出
する。図３において、７はアライメント顕微鏡であり、
アライメント顕微鏡７はＣＣＤカメラ７ａとアライメン
ト光を放出する光源７ｂを備えており、光源７ｂが放出
するアライメント光をマスクマークＭＡＭとワークマー
クＷＡＭに照射して、アライメント顕微鏡７のＣＣＤカ
メラ７ａによりマスクマークＭＡＭ、ワークマークＷＡ
Ｍを受像する。受像した画像信号は前記した制御部１０
に送られる。
置合わせ方法について説明する。ここでは、マスクＭに
図２のようなマスクパターン（１画素分のマスクパター
ンを示している）が形成され、マスクＭを固定しワーク
が移動する場合を例にして説明する。上記マスクＭを用
い、マスクＭとワークＷとを所定のギャップＧを設けて
配置し、図３に示すようにアライメント顕微鏡７によっ
て、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭとを検出
する。図３において、７はアライメント顕微鏡であり、
アライメント顕微鏡７はＣＣＤカメラ７ａとアライメン
ト光を放出する光源７ｂを備えており、光源７ｂが放出
するアライメント光をマスクマークＭＡＭとワークマー
クＷＡＭに照射して、アライメント顕微鏡７のＣＣＤカ
メラ７ａによりマスクマークＭＡＭ、ワークマークＷＡ
Ｍを受像する。受像した画像信号は前記した制御部１０
に送られる。
【００１７】位置合わせが行われる前は、アライメント
顕微鏡７には、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡ
Ｍが図４に示すように観察される。ここで、マスクＭと
ワークＷを垂直方向に位置合わせする場合には、マスク
マークＭＡＭとワークマークＷＡＭとが一致するように
（図４においてワークマークＷＡＭがマスクマークＭＡ
Ｍの中の点線で示す位置になるように）、ワークをＸＹ
θ方向に移動させれば、マスクＭとワークＷとの垂直方
向の位置合せができる。上記図３はこの状態を示してい
る。すなわち、ワークステージＷＳの移動量と、ワーク
ステージＷＳの移動に伴うワークマークＷＡＭの画像処
理座標における移動量との相関関係をあらかじめ求めて
おき、アライメント顕微鏡７から得られる図３のような
アライメントマークの位置情報を、制御部１０において
画像処理し、各アライメントマーク画像処理座標におけ
る位置座標を演算する。
顕微鏡７には、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡ
Ｍが図４に示すように観察される。ここで、マスクＭと
ワークＷを垂直方向に位置合わせする場合には、マスク
マークＭＡＭとワークマークＷＡＭとが一致するように
（図４においてワークマークＷＡＭがマスクマークＭＡ
Ｍの中の点線で示す位置になるように）、ワークをＸＹ
θ方向に移動させれば、マスクＭとワークＷとの垂直方
向の位置合せができる。上記図３はこの状態を示してい
る。すなわち、ワークステージＷＳの移動量と、ワーク
ステージＷＳの移動に伴うワークマークＷＡＭの画像処
理座標における移動量との相関関係をあらかじめ求めて
おき、アライメント顕微鏡７から得られる図３のような
アライメントマークの位置情報を、制御部１０において
画像処理し、各アライメントマーク画像処理座標におけ
る位置座標を演算する。
【００１８】上記処理を行なえば、座標（Ｘｎ，Ｙｎ）
にあるワークマークＷＡＭが、マスクマークＭＡＭと一
致する座標にまで移動するＸＹθ方向の変位量（ΔＸ，
ΔＹ，Δθ）を計算することができる。すなわち、ＸＹ
θ方向の変位量（ΔＸ，ΔＹ，Δθ）は、図５に示すよ
うな２個所のマスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭ
の位置が一致するようなワークステージＷＳのＸＹ方向
の移動量とワークステージＷＳの回転量θとして計算さ
れる。上記のような計算に基づきワークステージＷＳを
移動させて、マスクＭとワークＷとの垂直方向の位置合
せがなされたとするとワークマークＷＡＭの位置座標は
（Ｘｎ＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ）となる。
にあるワークマークＷＡＭが、マスクマークＭＡＭと一
致する座標にまで移動するＸＹθ方向の変位量（ΔＸ，
ΔＹ，Δθ）を計算することができる。すなわち、ＸＹ
θ方向の変位量（ΔＸ，ΔＹ，Δθ）は、図５に示すよ
うな２個所のマスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭ
の位置が一致するようなワークステージＷＳのＸＹ方向
の移動量とワークステージＷＳの回転量θとして計算さ
れる。上記のような計算に基づきワークステージＷＳを
移動させて、マスクＭとワークＷとの垂直方向の位置合
せがなされたとするとワークマークＷＡＭの位置座標は
（Ｘｎ＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ）となる。
【００１９】ところで、マスクＭに対して斜めに光を照
射する場合には、照射光は平行光であるので、マスクパ
ターンのワークＷ上に投影される位置は、図６（ａ）
（ｂ）に示すように「照射光がマスクＭに入射する角度
（入射角）δ」、「マスクパターンのＸ方向に対して照
射光が入射する角度（照射角）φ」および「マスクＭと
ワークＷとのギャップ量Ｇ」に依存してシフトする。マ
スクパターンの面内にＸＹ座標軸を定義し、そのＸ軸に
対して光が入射する角を照射角φとする。上記マスクパ
ターンのＸＹ座標軸の方向とワークステージのＸＹ座標
軸の方向とは一致するようにし、ワークステージの移動
制御を行う。したがって、ワークＷを、上記シフト量だ
け移動すれば、図６（ｃ）に示すようにマスクパターン
を所定の領域に投影させ所望の部分に光を照射できるこ
とになる。
射する場合には、照射光は平行光であるので、マスクパ
ターンのワークＷ上に投影される位置は、図６（ａ）
（ｂ）に示すように「照射光がマスクＭに入射する角度
（入射角）δ」、「マスクパターンのＸ方向に対して照
射光が入射する角度（照射角）φ」および「マスクＭと
ワークＷとのギャップ量Ｇ」に依存してシフトする。マ
スクパターンの面内にＸＹ座標軸を定義し、そのＸ軸に
対して光が入射する角を照射角φとする。上記マスクパ
ターンのＸＹ座標軸の方向とワークステージのＸＹ座標
軸の方向とは一致するようにし、ワークステージの移動
制御を行う。したがって、ワークＷを、上記シフト量だ
け移動すれば、図６（ｃ）に示すようにマスクパターン
を所定の領域に投影させ所望の部分に光を照射できるこ
とになる。
【００２０】上記シフト量は次のように計算される。図
６（ｂ）に示すように、マスクＭに対して垂直に光を入
射したときに、あるマスクマークＭＡＭがワークＷ上に
投影される位置座標を（Ｘｏ，Ｙｏ）、マスクＭとワー
クＷとのギャップ量をＧ、照射光のマスクヘの入射角を
δ、マスクパターンのＸ方向に対して照射光が入射する
照射角をφとすると、マスクパターンのシフトする位置
（Ｘ，Ｙ）は、以下の式で表される。 Ｘ＝Ｘｏ−Ｇ・tan δ・cos φ Ｙ＝Ｙｏ−Ｇ・tan δ・sin φ ここで、座標（Ｘｏ，Ｙｏ）は、マスクＭとワークＷと
を垂直方向に位置合せしたときのワークマークの位置座
標と考えられるので、 （Ｘｏ，Ｙｏ）＝（Ｘｎ＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ） したがって、ワークマークＷＡＭを座標（Ｘｎ，Ｙｎ）
から座標（Ｘ，Ｙ）にまで移動するように、ワークステ
ージをＸＹθ方向に移動制御すれば、斜めから光を照射
したとき、所望の領域のみに光を照射できる。
６（ｂ）に示すように、マスクＭに対して垂直に光を入
射したときに、あるマスクマークＭＡＭがワークＷ上に
投影される位置座標を（Ｘｏ，Ｙｏ）、マスクＭとワー
クＷとのギャップ量をＧ、照射光のマスクヘの入射角を
δ、マスクパターンのＸ方向に対して照射光が入射する
照射角をφとすると、マスクパターンのシフトする位置
（Ｘ，Ｙ）は、以下の式で表される。 Ｘ＝Ｘｏ−Ｇ・tan δ・cos φ Ｙ＝Ｙｏ−Ｇ・tan δ・sin φ ここで、座標（Ｘｏ，Ｙｏ）は、マスクＭとワークＷと
を垂直方向に位置合せしたときのワークマークの位置座
標と考えられるので、 （Ｘｏ，Ｙｏ）＝（Ｘｎ＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ） したがって、ワークマークＷＡＭを座標（Ｘｎ，Ｙｎ）
から座標（Ｘ，Ｙ）にまで移動するように、ワークステ
ージをＸＹθ方向に移動制御すれば、斜めから光を照射
したとき、所望の領域のみに光を照射できる。
【００２１】次に、前記図１に示した露光装置おいて、
上記方法を用いて位置合わせを行い露光処理を行う場合
の動作を説明する。 （１）マスクＭとワークＷとの光照射間隙であるギャッ
プ量の設定値Ｇｏ、ワークＷへの入射角の設定値δｏ、
照射角の設定値φｏを入力部１１から入力する。上記ギ
ャップ量Ｇｏ、入射角の設定値δｏ、照射角の設定値φ
ｏは制御部１０の記憶部１０ａに記憶される。 （２）制御部１０は入力された入射角δｏ，照射角φｏ
情報に基づき、ランプハウス移動機構５を駆動し、光を
照射するランプハウス３を移動させる。 （３）ランプハウス移動機構５に設けられたエンコーダ
（図示せず）の出力が制御部１０に入力され、制御部１
０はランプハウス３の移動量を求め、実際のワークに入
射する光の角度δ，φを計算し、その値が制御部１０の
記憶部１０ａに記憶される。
上記方法を用いて位置合わせを行い露光処理を行う場合
の動作を説明する。 （１）マスクＭとワークＷとの光照射間隙であるギャッ
プ量の設定値Ｇｏ、ワークＷへの入射角の設定値δｏ、
照射角の設定値φｏを入力部１１から入力する。上記ギ
ャップ量Ｇｏ、入射角の設定値δｏ、照射角の設定値φ
ｏは制御部１０の記憶部１０ａに記憶される。 （２）制御部１０は入力された入射角δｏ，照射角φｏ
情報に基づき、ランプハウス移動機構５を駆動し、光を
照射するランプハウス３を移動させる。 （３）ランプハウス移動機構５に設けられたエンコーダ
（図示せず）の出力が制御部１０に入力され、制御部１
０はランプハウス３の移動量を求め、実際のワークに入
射する光の角度δ，φを計算し、その値が制御部１０の
記憶部１０ａに記憶される。
【００２２】（４）一方、ワークステージＷＳがＺ方向
駆動機構２によって上昇する。アライメントギャップ位
置にて、アライメント顕微鏡７によって、マスクマーク
ＭＡＭとワークマークＷＡＭの検出を行う。検出信号を
画像処理しその情報に基づき、制御部１０において、垂
直方向においてマスクとワークのＸＹθ方向の位置合せ
が行われたとするワークステージＷＳの位置座標（Ｘｎ
＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ）＝（Ｘｏ，Ｙｏ）を求める。 （５）その後、設定ギャップ量Ｇｏにしたがって、ワー
クステージＷＳは設定ギャップ量Ｇｏの位置にまで上昇
移動する。移動後、ギャップ測定器６によりマスクＭと
ワークＷとのギャップ量Ｇを複数個所で測定し、その値
を制御部１０にフイードバックし、設定されたギャップ
量Ｇｏに対し所定の範囲になるようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置を、図示しないあおり調整機構により
あおり調整する。液晶表示子の基板は前記したように大
型で用いられるマスクＭも大型であり、マスクＭは自重
によるたわみを生じる。したがって、ギャップ量Ｇが設
定値Ｇｏに対し許容範囲に入っているかどうか再測定を
行ない、必要であればマスクＭのたわみを調整する必要
がある。
駆動機構２によって上昇する。アライメントギャップ位
置にて、アライメント顕微鏡７によって、マスクマーク
ＭＡＭとワークマークＷＡＭの検出を行う。検出信号を
画像処理しその情報に基づき、制御部１０において、垂
直方向においてマスクとワークのＸＹθ方向の位置合せ
が行われたとするワークステージＷＳの位置座標（Ｘｎ
＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ）＝（Ｘｏ，Ｙｏ）を求める。 （５）その後、設定ギャップ量Ｇｏにしたがって、ワー
クステージＷＳは設定ギャップ量Ｇｏの位置にまで上昇
移動する。移動後、ギャップ測定器６によりマスクＭと
ワークＷとのギャップ量Ｇを複数個所で測定し、その値
を制御部１０にフイードバックし、設定されたギャップ
量Ｇｏに対し所定の範囲になるようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置を、図示しないあおり調整機構により
あおり調整する。液晶表示子の基板は前記したように大
型で用いられるマスクＭも大型であり、マスクＭは自重
によるたわみを生じる。したがって、ギャップ量Ｇが設
定値Ｇｏに対し許容範囲に入っているかどうか再測定を
行ない、必要であればマスクＭのたわみを調整する必要
がある。
【００２３】（６）調整が終了したときの実際のギャッ
プ量をＧとする。このギャップ量Ｇを制御部１０の記憶
部１０ａに記憶する。 （７）記憶部１０ａに記憶された光の角度の設定値δ，
φ、およびギャップ量Ｇに基づき、制御部１０はワーク
ステージの移動すべき位置座標（Ｘ，Ｙ）を前記の式を
用いて計算する。この計算結果に基づき、制御部１０は
ＸＹθ方向駆動機構１によりワークマークＷＡＭが座標
（Ｘ，Ｙ）になるようにワークＷを移動させる。 （８）ワークステージＷＳの移動完了後、ランプハウス
３より光を照射し、マスクパターンをワークＷ上に露光
する。なお、ランプハウス３を手動で移動させる機構の
場合は、ワークＷに入射する光の角度の設定値δo ，φ
o をそのまま用いてワークＷの移動位置を求めることに
なる。
プ量をＧとする。このギャップ量Ｇを制御部１０の記憶
部１０ａに記憶する。 （７）記憶部１０ａに記憶された光の角度の設定値δ，
φ、およびギャップ量Ｇに基づき、制御部１０はワーク
ステージの移動すべき位置座標（Ｘ，Ｙ）を前記の式を
用いて計算する。この計算結果に基づき、制御部１０は
ＸＹθ方向駆動機構１によりワークマークＷＡＭが座標
（Ｘ，Ｙ）になるようにワークＷを移動させる。 （８）ワークステージＷＳの移動完了後、ランプハウス
３より光を照射し、マスクパターンをワークＷ上に露光
する。なお、ランプハウス３を手動で移動させる機構の
場合は、ワークＷに入射する光の角度の設定値δo ，φ
o をそのまま用いてワークＷの移動位置を求めることに
なる。
【００２４】（９）以上のようにして、液晶表示素子基
板上の画素の第１の領域の露光が終了すると、前記した
ように例えばワークを１８０°回転し、上記のようにマ
スクＭとワークＷの位置合わせを行ったのち、第１の領
域と画素中心を中心として点対称の位置にある第３の領
域を所定の入射角と照射角を持って光照射する。さら
に、マスクＭを交換して、前記したように液晶表示素子
基板上の画素の第２，第４の領域の露光を行う。
板上の画素の第１の領域の露光が終了すると、前記した
ように例えばワークを１８０°回転し、上記のようにマ
スクＭとワークＷの位置合わせを行ったのち、第１の領
域と画素中心を中心として点対称の位置にある第３の領
域を所定の入射角と照射角を持って光照射する。さら
に、マスクＭを交換して、前記したように液晶表示素子
基板上の画素の第２，第４の領域の露光を行う。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においは、
マスクとワークとを所定のギャップで配置し、マスクを
介しワークに対して斜めに光を照射するプロキシミティ
露光装置において、マスクとワークとのギャップ量Ｇ、
照射光のマスクヘの入射角δ、マスクパターンのＸ方向
に対して照射光が入射する照射角φに基づき、投影され
るマスクパターンのシフト位置を計算し、その計算結果
にしたがってワークを移動し光を照射しているので、マ
スクパターンをワークの所定の位置に投影させることが
でき、所望の部分に光を照射することが可能となる。
マスクとワークとを所定のギャップで配置し、マスクを
介しワークに対して斜めに光を照射するプロキシミティ
露光装置において、マスクとワークとのギャップ量Ｇ、
照射光のマスクヘの入射角δ、マスクパターンのＸ方向
に対して照射光が入射する照射角φに基づき、投影され
るマスクパターンのシフト位置を計算し、その計算結果
にしたがってワークを移動し光を照射しているので、マ
スクパターンをワークの所定の位置に投影させることが
でき、所望の部分に光を照射することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例のプロキシミティ露光装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】マスクに形成されたマスクパターンの一例を示
す図である。
す図である。
【図３】マスクＭとワークＷを垂直方向に位置合わせす
る場合を説明する図である。
る場合を説明する図である。
【図４】アライメント顕微鏡により検出されるマスクマ
ークとワークマークを示す図である
ークとワークマークを示す図である
【図５】マスクとワークの位置合わせを説明する図であ
る。
る。
【図６】マスクとワークに斜めに光が入射したときの位
置合わせを説明する図である。
置合わせを説明する図である。
【図７】液晶表示素子の模式図を示す図である。
【図８】光配向のために使用されるマスクＭの一例を示
す図である。
す図である。
１ ＸＹθ方向駆動機構 ２ Ｚ方向駆動機構 ３ ランプハウス ３ａ 出射口 ４ ガイド ５ ランプハウス駆動機構 ６ ギャップ測定器 ７ アライメント顕微鏡 １０ 制御部 １０ａ 記憶部 １１ 入力部 Ｍ マスク Ｗ ワーク ＷＳ ワークステージ ＭＡＭ マスクアライメントマーク ＷＡＭ ワークアライメントマーク
Claims (3)
- 【請求項１】 マスクパターンが形成されたマスクに対
し、ワークを所定のギャップを設けて配置し、マスクを
介してワークに斜めから光を照射してマスクパターンを
ワーク上に露光するプロキシミティ露光方法であって、 光のマスクへの入射角と、照射角と、上記ギャップ量と
に基づいてマスクに対するワークの位置合わせを行いマ
スクパターンをワーク上に露光することを特徴とするプ
ロキシミティ露光方法。 - 【請求項２】 マスクパターンが形成されたマスクに対
し、ワークを所定のギャップを設けて配置し、マスクを
介してワークに斜めから光を照射してマスクパターンを
ワーク上に露光するプロキシミティ露光方法であって、 マスクに対する光の入射角と、照射角と、マスクとワー
クの間のギャップ量とに基づき、マスクに光を垂直に照
射した場合のマスクパターンのワーク上の投影位置と、
マスクに斜めから光を照射した場合のマスクパターンの
ワーク上の投影位置とのずれ量を計算し、 上記計算されたずれ量に基づきマスクとワークの位置合
わせを行い、マスクパターンをワーク上に露光すること
を特徴とするプロキシミティ露光方法。 - 【請求項３】 マスクアライメントマークとワークアラ
イメントマークとを検出するアライメント顕微鏡と、 マスクとワークとのギャップを測定するギャップ測定器
と、 ワークステージをＸＹＺθ方向に移動させるワークステ
ージ移動機構と、 マスクを介しワークに対して斜めに光を照射する光照射
装置とを備えたプロキシミティ露光装置におけるプロキ
シミティ露光方法であって、 ワークをマスクに対し所定の間隔になるように配置し、 ギャップ測定器によりマスクとワークとのギャップを測
定し、 アライメント顕微鏡によりマスクに垂直な方向から見て
マスクアライメントマークとワークアライメントマーク
とを検出し、 任意のＸＹ座標において、検出したワークアライメント
マークの位置座標を（Ｘｎ，Ｙｎ）、 ワークステージをＸＹθ方向に移動してマスクアライメ
ントマークに対しワークアライメントマークの位置合せ
を行なった場合のワークアライメントマークの位置座標
を（Ｘｎ＋ΔＸ，Ｙｎ＋ΔＹ）とすると、 ワークステージをＸＹθ方向に移動することで、ワーク
アライメントマークの位置座標を（Ｘｎ．Ｙｎ）から下
式で表される位置座標（Ｘ，Ｙ）にまで移動させ、マス
クとワークの位置合わせを行い、マスクパターンをワー
ク上に露光する Ｘ ＝ Ｘｎ＋ΔＸーＧ・tan δ・cos φ Ｙ ＝ Ｙｎ＋ΔＹ−Ｇ・tan δ・sin φ 但し、Ｇ：マスクとワークとのギャップ量、δ：照射光
のマスクヘの入射角、φ：マスクパターンのＸ方向に対
して照射光が入射する照射角 ことを特徴とするプロキシミティ露光方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28904198A JP3540174B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法 |
| TW088112122A TW417166B (en) | 1998-10-12 | 1999-07-16 | Proximity exposure method by oblique irradiation with light |
| DE69938996T DE69938996D1 (de) | 1998-10-12 | 1999-10-11 | Belichtungsverfahren aus nächster Nähe durch schrägeinfallende Lichtbestrahlung |
| KR1019990043830A KR100545360B1 (ko) | 1998-10-12 | 1999-10-11 | 경사광을 조사하는 프록시머티 노광방법 |
| EP99120251A EP0994378B1 (en) | 1998-10-12 | 1999-10-11 | Proximity exposure method by oblique irradiation with light |
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