JP2000119690A - テキスタイルの清浄化方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テキスタイルから任意の油状及び／又は油脂
状の汚れを除去する方法を提供すること。 【解決手段】 無機塩基化合物の存在下、式： 【化１】 （式中、ｎは１〜７の整数である）により表される低分
子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤を含む組成物
を汚れたテキスタイルに適用し、そのテキスタイルが劣
化する温度よりも低い温度に加熱することを含むテキス
タイルの清浄化方法。
状の汚れを除去する方法を提供すること。 【解決手段】 無機塩基化合物の存在下、式： 【化１】 （式中、ｎは１〜７の整数である）により表される低分
子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤を含む組成物
を汚れたテキスタイルに適用し、そのテキスタイルが劣
化する温度よりも低い温度に加熱することを含むテキス
タイルの清浄化方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テキスタイルの清
浄化方法に関し、特にテキスタイルから任意の油状及び
／又は油脂状の汚れを除去する方法並びにテキスタイル
上に保持されたシリコーンを除去する方法に関する。
浄化方法に関し、特にテキスタイルから任意の油状及び
／又は油脂状の汚れを除去する方法並びにテキスタイル
上に保持されたシリコーンを除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４，６５４，０４１号明細書
には、オルガノシロキサンのための界面活性な平衡化触
媒を含み、場合に応じて洗浄剤、湿潤剤及びアルカリ金
属炭酸塩を含んでいても良い水性調製物の作用により繊
維、ヤーン又は２次元テキスタイルからシリコーンを除
去する方法が開示されている。
には、オルガノシロキサンのための界面活性な平衡化触
媒を含み、場合に応じて洗浄剤、湿潤剤及びアルカリ金
属炭酸塩を含んでいても良い水性調製物の作用により繊
維、ヤーン又は２次元テキスタイルからシリコーンを除
去する方法が開示されている。
【０００３】米国特許第４，６８５，９３０号明細書に
は、環状シロキサンと界面活性剤、例えばアニオン界面
活性剤、非イオン界面活性剤、両性イオン界面活性剤又
は両性界面活性剤とから本質的になる液状組成物を、
油、油脂又は皮脂で汚れたテキスタイルに適用し、環状
シロキサンと油、油脂又は皮脂を含んで成る組み合わせ
をそのテキスタイルから除去することを含むテキスタイ
ルの清浄化方法が開示されている。
は、環状シロキサンと界面活性剤、例えばアニオン界面
活性剤、非イオン界面活性剤、両性イオン界面活性剤又
は両性界面活性剤とから本質的になる液状組成物を、
油、油脂又は皮脂で汚れたテキスタイルに適用し、環状
シロキサンと油、油脂又は皮脂を含んで成る組み合わせ
をそのテキスタイルから除去することを含むテキスタイ
ルの清浄化方法が開示されている。
【０００４】ドイツ国特許出願公開第３７３９７１１号
明細書には、シクロシロキサンとアニオン界面活性剤、
カチオン界面活性剤及び／又はイオン界面活性剤を含
む、布帛を洗浄するための洗浄剤が開示されている。
明細書には、シクロシロキサンとアニオン界面活性剤、
カチオン界面活性剤及び／又はイオン界面活性剤を含
む、布帛を洗浄するための洗浄剤が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】清浄化の目的に合う種
々の方法でテキスタイルから油状／油脂状の汚れが除去
されている。一方、シリコーン流体は、滑かさ、柔軟性
等を付与するためにテキスタイル処理剤として使用され
ている。しかしながら、そのようなシリコーン処理剤が
テキスタイル上に存在することによりテキスタイルの再
染色に有害な影響が及ぶため、再染色前にそのようなシ
リコーン処理剤は除去しなければならない。そのため、
カチオン界面活性剤の組み合わせにより製造される「剥
離剤」と呼ばれている製品が市場に出回っているが、特
にアミノシリコーン系テキスタイル処理剤に対しては十
分に満足のいくものではない。
々の方法でテキスタイルから油状／油脂状の汚れが除去
されている。一方、シリコーン流体は、滑かさ、柔軟性
等を付与するためにテキスタイル処理剤として使用され
ている。しかしながら、そのようなシリコーン処理剤が
テキスタイル上に存在することによりテキスタイルの再
染色に有害な影響が及ぶため、再染色前にそのようなシ
リコーン処理剤は除去しなければならない。そのため、
カチオン界面活性剤の組み合わせにより製造される「剥
離剤」と呼ばれている製品が市場に出回っているが、特
にアミノシリコーン系テキスタイル処理剤に対しては十
分に満足のいくものではない。
【０００６】「揮発性シロキサン」と呼ばれている低分
子量シロキサンは、テキスタイル等の基材を清浄にする
ために使用されている。この低分子量シロキサンは界面
活性剤との組み合わせでしばしば使用される。これらは
参考のために本明細書に含める上記の特許明細書に開示
されている。上記先行特許出願に係る発明で使用される
環状シロキサンは本発明では作用しない。
子量シロキサンは、テキスタイル等の基材を清浄にする
ために使用されている。この低分子量シロキサンは界面
活性剤との組み合わせでしばしば使用される。これらは
参考のために本明細書に含める上記の特許明細書に開示
されている。上記先行特許出願に係る発明で使用される
環状シロキサンは本発明では作用しない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、無機塩基化合
物の存在下、式：
物の存在下、式：
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、ｎは１〜７の整数である）により
表される低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤
を含む組成物を汚れたテキスタイルに適用し、そしてそ
のテキスタイルが劣化する温度よりも低い温度に加熱す
ることを含むテキスタイルの清浄化方法に関する。
表される低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤
を含む組成物を汚れたテキスタイルに適用し、そしてそ
のテキスタイルが劣化する温度よりも低い温度に加熱す
ることを含むテキスタイルの清浄化方法に関する。
【００１０】本発明の方法によって、テキスタイルから
任意の油状及び／又は油脂状の汚れを除去できるととも
にテキスタイル上に保持されたシリコーンを除去でき
る。
任意の油状及び／又は油脂状の汚れを除去できるととも
にテキスタイル上に保持されたシリコーンを除去でき
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のテキスタイルの清浄化方
法は、無機塩基化合物の存在下、式：
法は、無機塩基化合物の存在下、式：
【００１２】
【化３】
【００１３】（式中、ｎは１〜７の整数である）により
表される低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤
を含む組成物を汚れたテキスタイルに適用し、そのテキ
スタイルが劣化する温度よりも低い温度に加熱すること
を含む。
表される低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤
を含む組成物を汚れたテキスタイルに適用し、そのテキ
スタイルが劣化する温度よりも低い温度に加熱すること
を含む。
【００１４】式：
【００１５】
【化４】
【００１６】（式中、ｎは１〜７の整数である）により
表される本発明の低分子量線状シロキサンは当該技術分
野で周知である。本発明に適するシロキサンは５ｃｓ
（５×１０-6ｍ2 ／ｓｅｃ）未満の粘度を有すべきであ
る。５ｃｓ（５×１０-6ｍ2 ／ｓｅｃ）よりも高い粘度
を有するシロキサンは本発明において使用できない。好
ましいシロキサンは２量体、３量体及び４量体である。
比較例で示すように、本発明において環状シロキサンを
使用することはできない。シリコーンの汚れは本発明の
シロキサンを吸収した後に膨潤し、前記カチオン界面活
性剤により保持された強塩基によって小さな断片に容易
に切断され、その断片はシロキサン流体に溶解しうる。
低分子量シロキサンがカチオン界面活性剤及び塩基と共
に適用される場合には、低分子量シロキサンが溶剤とし
て作用してポリシロキサンを膨潤させ、ヒドロキシイオ
ンが油の汚点（ｓｐｏｔ）の内部により容易に浸透でき
るようになるため、低分子量シロキサンは「切断」効率
を高めることができる。
表される本発明の低分子量線状シロキサンは当該技術分
野で周知である。本発明に適するシロキサンは５ｃｓ
（５×１０-6ｍ2 ／ｓｅｃ）未満の粘度を有すべきであ
る。５ｃｓ（５×１０-6ｍ2 ／ｓｅｃ）よりも高い粘度
を有するシロキサンは本発明において使用できない。好
ましいシロキサンは２量体、３量体及び４量体である。
比較例で示すように、本発明において環状シロキサンを
使用することはできない。シリコーンの汚れは本発明の
シロキサンを吸収した後に膨潤し、前記カチオン界面活
性剤により保持された強塩基によって小さな断片に容易
に切断され、その断片はシロキサン流体に溶解しうる。
低分子量シロキサンがカチオン界面活性剤及び塩基と共
に適用される場合には、低分子量シロキサンが溶剤とし
て作用してポリシロキサンを膨潤させ、ヒドロキシイオ
ンが油の汚点（ｓｐｏｔ）の内部により容易に浸透でき
るようになるため、低分子量シロキサンは「切断」効率
を高めることができる。
【００１７】本発明において使用されるカチオン界面活
性剤は第４級アンモニウム塩であることができる。好ま
しくは、このカチオン界面活性剤は、トリアルキルメチ
ルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩
及びそれらの混合物からなる群から選ばれる。アルキル
基が８個以下から１６個以上にも及ぶ炭素原子を含み、
塩が塩化物又は臭化物である第４級アンモニウム塩が市
場において入手可能である。トリラウリルメチルアンモ
ニウムクロリド及びジデシルジメチルアンモニウムクロ
リドが最も好ましい。これらのアンモニウム塩は個々に
若しくはそれらの混合物として又はアルキルベンジルジ
メチルアンモニウム塩のような他のアンモニウム塩との
組み合わせで使用される。カチオン界面活性剤だけでテ
キスタイル表面上の負電荷を中和させることができ、強
塩基がシリコーン油の汚点に接近してそのシリコーン油
の汚点と反応し（ポリシロキサンを小さな断片に切断す
る）、テキスタイル表面からシリコーン油の汚点を除去
することを可能にする。塩基が真のシリコーン剥離剤で
あり、カチオン界面活性剤は、塩基がその目標に到達す
るのを助ける助剤である。
性剤は第４級アンモニウム塩であることができる。好ま
しくは、このカチオン界面活性剤は、トリアルキルメチ
ルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩
及びそれらの混合物からなる群から選ばれる。アルキル
基が８個以下から１６個以上にも及ぶ炭素原子を含み、
塩が塩化物又は臭化物である第４級アンモニウム塩が市
場において入手可能である。トリラウリルメチルアンモ
ニウムクロリド及びジデシルジメチルアンモニウムクロ
リドが最も好ましい。これらのアンモニウム塩は個々に
若しくはそれらの混合物として又はアルキルベンジルジ
メチルアンモニウム塩のような他のアンモニウム塩との
組み合わせで使用される。カチオン界面活性剤だけでテ
キスタイル表面上の負電荷を中和させることができ、強
塩基がシリコーン油の汚点に接近してそのシリコーン油
の汚点と反応し（ポリシロキサンを小さな断片に切断す
る）、テキスタイル表面からシリコーン油の汚点を除去
することを可能にする。塩基が真のシリコーン剥離剤で
あり、カチオン界面活性剤は、塩基がその目標に到達す
るのを助ける助剤である。
【００１８】本発明に適する塩基化合物は、テキスタイ
ルの材料に依存する。本発明の好ましい無機塩基化合物
は、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ2 ＣＯ3 及びＮａＨＣＯ3
等である。テキスタイルの材料に依存して、例えば、Ｎ
ａＯＨは綿布帛に対して相応しいが羊毛に対しては相応
しくない。羊毛に対してはＮａ2 ＣＯ3 又はＮａＨＣＯ
3 が相応しい。
ルの材料に依存する。本発明の好ましい無機塩基化合物
は、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ2 ＣＯ3 及びＮａＨＣＯ3
等である。テキスタイルの材料に依存して、例えば、Ｎ
ａＯＨは綿布帛に対して相応しいが羊毛に対しては相応
しくない。羊毛に対してはＮａ2 ＣＯ3 又はＮａＨＣＯ
3 が相応しい。
【００１９】本発明の組成物は他の成分をさらに含むこ
とができる。例えば、非イオン界面活性剤を本発明の組
成物に加えることができる。非イオン界面活性剤は、本
発明の組成物を安定化させるために使用される。本発明
の組成物は水系に概して加えられるため、本発明の組成
物は好ましくはエマルジョンの形態で使用される。任意
の非イオン界面活性剤が有用でこの必要条件を満足する
ことは当業者に周知である。さらに、殺生物剤をエマル
ジョンのための防腐剤として使用できる。
とができる。例えば、非イオン界面活性剤を本発明の組
成物に加えることができる。非イオン界面活性剤は、本
発明の組成物を安定化させるために使用される。本発明
の組成物は水系に概して加えられるため、本発明の組成
物は好ましくはエマルジョンの形態で使用される。任意
の非イオン界面活性剤が有用でこの必要条件を満足する
ことは当業者に周知である。さらに、殺生物剤をエマル
ジョンのための防腐剤として使用できる。
【００２０】本発明の組成物に関して構成成分の割合は
重要ではない。しかしながら、概して、カチオン界面活
性剤に対する低分子量線状シロキサンの比は１：２５〜
２５：１の範囲内である。塩基化合物に対する低分子量
線状シロキサンとカチオン界面活性剤の合計の比（有効
成分を基準とする）は１６：１〜１６：２０の範囲内で
ある。
重要ではない。しかしながら、概して、カチオン界面活
性剤に対する低分子量線状シロキサンの比は１：２５〜
２５：１の範囲内である。塩基化合物に対する低分子量
線状シロキサンとカチオン界面活性剤の合計の比（有効
成分を基準とする）は１６：１〜１６：２０の範囲内で
ある。
【００２１】構成成分の添加順序も重要ではない。しか
しながら、低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性
剤を含む水性エマルジョンの形態の清浄化用組成物を予
め調製し、水と汚れたテキスタイルが入れられた洗浄槽
に清浄化用組成物と無機塩基を加え、次に室温よりも高
い温度に洗浄槽を加熱する。温度の上限は、テキスタイ
ルの熱劣化を引き起こさずにテキスタイルをさらすこと
のできる温度である。温度は加熱時間の長さに依存して
変動する。例えば、温度は好ましくは８０〜１００℃で
あり、時間は好ましくは３０分間〜３時間である。より
低い温度を用いることができるが、より長い時間が必要
である。清浄化処理の後、塩基のような弱酸によりテキ
スタイルを中和できるであろう。
しながら、低分子量線状シロキサンとカチオン界面活性
剤を含む水性エマルジョンの形態の清浄化用組成物を予
め調製し、水と汚れたテキスタイルが入れられた洗浄槽
に清浄化用組成物と無機塩基を加え、次に室温よりも高
い温度に洗浄槽を加熱する。温度の上限は、テキスタイ
ルの熱劣化を引き起こさずにテキスタイルをさらすこと
のできる温度である。温度は加熱時間の長さに依存して
変動する。例えば、温度は好ましくは８０〜１００℃で
あり、時間は好ましくは３０分間〜３時間である。より
低い温度を用いることができるが、より長い時間が必要
である。清浄化処理の後、塩基のような弱酸によりテキ
スタイルを中和できるであろう。
【００２２】以下の実施例により本発明の有効性をさら
に説明する。以下の実施例は例示のためのもので、本発
明の範囲を限定するものではない。
に説明する。以下の実施例は例示のためのもので、本発
明の範囲を限定するものではない。
【００２３】
【実施例】（Ａ）次の例により本発明の方法によるテキ
スタイルからの油の汚点の除去を例示する。カチオン界
面活性剤及び非イオン界面活性剤を水と混合し、次に攪
拌しながらその組成物に低分子量シロキサンを加えるこ
とにより種々の清浄化用組成物を調製した。構成成分の
量（単位：ｇ）は表１に記載されている。
スタイルからの油の汚点の除去を例示する。カチオン界
面活性剤及び非イオン界面活性剤を水と混合し、次に攪
拌しながらその組成物に低分子量シロキサンを加えるこ
とにより種々の清浄化用組成物を調製した。構成成分の
量（単位：ｇ）は表１に記載されている。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】０．２重量％（布重量に対する重量％）の
シリコーン柔軟剤（粘度１，５００ｃｓ（１．５×１０
-3ｍ2 ／ｓｅｃ）のポリジメチルメチル（アミノエチル
アミノ−イソブチル）シロキサン）を含む試験にかける
１枚（６ｇ）の綿布上に、０．１ｇの同じシリコーン柔
軟剤を拡げて油の円形の汚点を形成した。
シリコーン柔軟剤（粘度１，５００ｃｓ（１．５×１０
-3ｍ2 ／ｓｅｃ）のポリジメチルメチル（アミノエチル
アミノ−イソブチル）シロキサン）を含む試験にかける
１枚（６ｇ）の綿布上に、０．１ｇの同じシリコーン柔
軟剤を拡げて油の円形の汚点を形成した。
【００２８】まず洗浄容器に８０ｇの水を入れた。次
に、汚れた布、清浄化用組成物及び０．２ｇの５０％Ｎ
ａＯＨを入れ、９０℃の温度で６０分間攪拌した。洗浄
液を排出し、布を水で濯ぎ、０．０９３ｇの６０％酢酸
を加えて布を中和した。再び布を水で濯ぎ、１８０℃の
温度で２分間乾燥させた。
に、汚れた布、清浄化用組成物及び０．２ｇの５０％Ｎ
ａＯＨを入れ、９０℃の温度で６０分間攪拌した。洗浄
液を排出し、布を水で濯ぎ、０．０９３ｇの６０％酢酸
を加えて布を中和した。再び布を水で濯ぎ、１８０℃の
温度で２分間乾燥させた。
【００２９】洗浄した布を、乾燥後、水を滴下して観察
した。油の汚点が完全に除去された場合には５の等級を
付け、油の汚点が除去されていなかった場合には０の等
級を付けた。結果を表２に示す。
した。油の汚点が完全に除去された場合には５の等級を
付け、油の汚点が除去されていなかった場合には０の等
級を付けた。結果を表２に示す。
【００３０】
【表４】
【００３１】本発明の方法は、周知の方法よりもテキス
タイルから油の汚点を除去することに有効であることは
明らかである。
タイルから油の汚点を除去することに有効であることは
明らかである。
【００３２】（Ｂ）次の例により本発明の方法によるテ
キスタイル上に保持されたシリコーンの除去を例示する
（再染色プロセスに関する）。
キスタイル上に保持されたシリコーンの除去を例示する
（再染色プロセスに関する）。
【００３３】エマルジョンの形態にある清浄化用組成物
０．３ｇを、カチオン界面活性剤（カチオン界面活性剤
（ａ）０．０１８ｇ；カチオン界面活性剤（ｂ）０．０
０９ｇ；カチオン界面活性剤（ｃ）０．０３０ｇ）及び
非イオン界面活性剤（非イオン界面活性剤（１）０．０
０３ｇ；非イオン界面活性剤（２）０．０９３ｇ；非イ
オン界面活性剤（３）０．００１ｇ）と０．０７２ｇの
水及び０．０３５ｇの種々の有機溶剤とを混合し、次に
攪拌しながら低分子量シロキサン（シロキサン（２）
０．０３９ｇ）を組成物に加えることにより調製した。
０．３ｇを、カチオン界面活性剤（カチオン界面活性剤
（ａ）０．０１８ｇ；カチオン界面活性剤（ｂ）０．０
０９ｇ；カチオン界面活性剤（ｃ）０．０３０ｇ）及び
非イオン界面活性剤（非イオン界面活性剤（１）０．０
０３ｇ；非イオン界面活性剤（２）０．０９３ｇ；非イ
オン界面活性剤（３）０．００１ｇ）と０．０７２ｇの
水及び０．０３５ｇの種々の有機溶剤とを混合し、次に
攪拌しながら低分子量シロキサン（シロキサン（２）
０．０３９ｇ）を組成物に加えることにより調製した。
【００３４】試験にかける１枚（６ｇ）の染色された綿
布上を、０．２重量％（布重量に対する重量％）のシリ
コーン柔軟剤（粘度１，５００ｃｓ（１．５×１０-3ｍ
2 ／ｓｅｃ）のポリジメチルメチル（アミノエチルアミ
ノ−イソブチル）シロキサン）で処理した。
布上を、０．２重量％（布重量に対する重量％）のシリ
コーン柔軟剤（粘度１，５００ｃｓ（１．５×１０-3ｍ
2 ／ｓｅｃ）のポリジメチルメチル（アミノエチルアミ
ノ−イソブチル）シロキサン）で処理した。
【００３５】まず洗浄容器に８０ｇの水を入れた。次
に、前記染色された布を前記柔軟剤により処理し、０．
３ｇの前記清浄化用組成物及び０．０３ｇの５０％Ｎａ
ＯＨを入れ、９０℃の温度で６０分間攪拌した。洗浄液
を排出し、布を水で濯いだ。０．０１４ｇの６０％酢酸
を加えて布を中和した。再び布を水で濯ぎ、乾燥させ
た。
に、前記染色された布を前記柔軟剤により処理し、０．
３ｇの前記清浄化用組成物及び０．０３ｇの５０％Ｎａ
ＯＨを入れ、９０℃の温度で６０分間攪拌した。洗浄液
を排出し、布を水で濯いだ。０．０１４ｇの６０％酢酸
を加えて布を中和した。再び布を水で濯ぎ、乾燥させ
た。
【００３６】乾燥させた布に水を滴下して観察するとシ
リコーン柔軟剤が完全に除去されたことが確認され、新
しい染色された布とシリコーン柔軟剤の除去後に再染色
された布の間に違いは見られなかった。
リコーン柔軟剤が完全に除去されたことが確認され、新
しい染色された布とシリコーン柔軟剤の除去後に再染色
された布の間に違いは見られなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 3/43 Ｃ１１Ｄ 3/43 (72)発明者 ウー ピーター エス. 台湾，タオユアン シャン，チュンリ，チ ュン−フ ロード，ナンバー452 (72)発明者 チァン サミュエル エヌ. シンガポール国，シンガポール 456644, フア シン コート，ナルー ロード 23 エー，ナンバー09−02
Claims (17)
- 【請求項１】 無機塩基化合物の存在下、式： 【化１】 （式中、ｎは１〜７の整数である）により表される低分
子量線状シロキサンとカチオン界面活性剤を含む組成物
を汚れたテキスタイルに適用し、そしてそのテキスタイ
ルが劣化する温度よりも低い温度に加熱することを含む
テキスタイルの清浄化方法。 - 【請求項２】 前記カチオン界面活性剤が第４級アンモ
ニウム塩である請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記カチオン界面活性剤が、トリアルキ
ルメチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニ
ウム塩及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求
項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記カチオン界面活性剤がトリラウリル
メチルアンモニウムクロリド又はジデシルジメチルアン
モニウムクロリドである請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記組成物がカチオン界面活性剤と組み
合わせてアルキルベンジルジメチルアンモニウム塩をさ
らに含む請求項３記載の方法。 - 【請求項６】 前記無機塩基化合物が、ＮａＯＨ，ＫＯ
Ｈ，Ｎａ2 ＣＯ3 及びＮａＨＣＯ3 からなる群から選ば
れる請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記シロキサンが２量体、３量体及び４
量体からなる群から選ばれる請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記組成物が非イオン界面活性剤をさら
に含む請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記組成物が有機溶剤をさらに含む請求
項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記組成物がエマルジョンの形態にあ
る請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記カチオン界面活性剤に対する前記
低分子量線状シロキサンの重量比が１：２５〜２５：１
の範囲内にある請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 前記無機塩基化合物に対する前記低分
子量線状シロキサンと前記カチオン界面活性剤の合計の
重量比が１６：１〜１６：２０の範囲内にある請求項１
記載の方法。 - 【請求項１３】 加熱温度が室温よりも高い請求項１記
載の方法。 - 【請求項１４】 加熱温度が８０〜１００℃の範囲内で
ある請求項１記載の方法。 - 【請求項１５】 前記テキスタイルが３０分間〜３時間
加熱される請求項１記載の方法。 - 【請求項１６】 テキスタイルから任意の油状及び／又
は油脂状の汚れを除去するために使用される請求項１記
載の方法。 - 【請求項１７】 テキスタイル上に保持されたシリコー
ンを除去するために使用される請求項１記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87116635 | 1998-10-07 | ||
| TW087116635A TW374095B (en) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | A process for cleaning textile |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=21631579
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2000119690A (ja) |
| DE (1) | DE19948186A1 (ja) |
| TW (1) | TW374095B (ja) |
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