JP2000106366A - 薄膜電池一体型素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜電池一体型素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜電池の実質的な占有面積を低減し、かつ
リード線を使用することなく電気的な連結を可能とす
る、薄膜電池を備えた素子及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 素子２０と、上記素子を被覆する電気的
に不導体な絶縁層４０と、上記素子上又はその側面に垂
設された一対の素子端子５０と、上記素子端子上にその
上端から上記絶縁層の最上面の位置まで垂設された導電
性を有する一対の垂直導体６０と、上記一対の垂直導体
上に形成された負極薄膜と正極薄膜とを備える薄膜電池
３０とを備えるように構成した。また、上記絶縁層４０
上に水平に離間して上記一対の垂直導体６０上に配設さ
れ、上記薄膜電池の正極及び負極と電気的に連結する一
対の電極導体７０を備えるように構成した。
リード線を使用することなく電気的な連結を可能とす
る、薄膜電池を備えた素子及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 素子２０と、上記素子を被覆する電気的
に不導体な絶縁層４０と、上記素子上又はその側面に垂
設された一対の素子端子５０と、上記素子端子上にその
上端から上記絶縁層の最上面の位置まで垂設された導電
性を有する一対の垂直導体６０と、上記一対の垂直導体
上に形成された負極薄膜と正極薄膜とを備える薄膜電池
３０とを備えるように構成した。また、上記絶縁層４０
上に水平に離間して上記一対の垂直導体６０上に配設さ
れ、上記薄膜電池の正極及び負極と電気的に連結する一
対の電極導体７０を備えるように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力供給源として
の役割を果す薄膜電池を一体型に備えた素子及びその製
造方法に関する。詳しくは、素子上に薄膜電池を積層し
て形成し、パッケージ等に対する薄膜電池の占有面積の
減少と集積度の向上を図るとともに、ワイヤ等の接続手
段を用いることなく薄膜電池と素子とを電気的に連結し
得る構造を備えた薄膜電池一体型素子及びその製造方法
に関する。
の役割を果す薄膜電池を一体型に備えた素子及びその製
造方法に関する。詳しくは、素子上に薄膜電池を積層し
て形成し、パッケージ等に対する薄膜電池の占有面積の
減少と集積度の向上を図るとともに、ワイヤ等の接続手
段を用いることなく薄膜電池と素子とを電気的に連結し
得る構造を備えた薄膜電池一体型素子及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜電池は、安定した動作特性を有する
ので素子の小型化を可能とし、また、半導体製造工程に
おいて通常使用されているスパッタリング等の薄膜形成
工程をそのまま利用して製造することができる。このた
め、近年、電子部品や半導体デバイスの主電源又はスタ
ンドバイ（standby）電源若しくはバックアップ（back-
up）電源のような待機電源として、薄膜電池を利用する
技術について、多くの研究がなされている。
ので素子の小型化を可能とし、また、半導体製造工程に
おいて通常使用されているスパッタリング等の薄膜形成
工程をそのまま利用して製造することができる。このた
め、近年、電子部品や半導体デバイスの主電源又はスタ
ンドバイ（standby）電源若しくはバックアップ（back-
up）電源のような待機電源として、薄膜電池を利用する
技術について、多くの研究がなされている。
【０００３】薄膜電池の発明に関しては、米国特許第
５，３３８，６２５号明細書が開示されている。この発
明に係る薄膜電池の構成の一態様は、図５に示すよう
に、半導体チップパッケージ４と、上記チップパッケー
ジの上面に蒸着されたＬｉ−ＶＯx薄膜電池セル３と、
上記チップパッケージ４上に配設された半導体チップ２
と、上記電池セル３と上記半導体チップ２とを接続する
電流リード線８と、を備えている。この場合、面積１cm
2の大きさを有する薄膜電池は、１３０マイクロアンペ
ア・時間の容量を有しており、また、パッケージ上の未
使用部分により大きな電池が蒸着されると、電池の容量
及び電流密度を増大することができる。
５，３３８，６２５号明細書が開示されている。この発
明に係る薄膜電池の構成の一態様は、図５に示すよう
に、半導体チップパッケージ４と、上記チップパッケー
ジの上面に蒸着されたＬｉ−ＶＯx薄膜電池セル３と、
上記チップパッケージ４上に配設された半導体チップ２
と、上記電池セル３と上記半導体チップ２とを接続する
電流リード線８と、を備えている。この場合、面積１cm
2の大きさを有する薄膜電池は、１３０マイクロアンペ
ア・時間の容量を有しており、また、パッケージ上の未
使用部分により大きな電池が蒸着されると、電池の容量
及び電流密度を増大することができる。
【０００４】この発明においては、薄膜電池自体の大き
さを小型化することができるが、薄膜電池を作製した後
にそれをチップ若しくはパッケージに実装するか、また
はパッケージに薄膜電池を直接作製している。したがっ
て、薄膜電池は素子と平面的に配設されているため、薄
膜電池と素子との間を接続する配線（interconnection
wire）が必要となり、実質的に薄膜電池の占有面積が増
大し、素子の集積化に限界があるという不都合な点があ
った。
さを小型化することができるが、薄膜電池を作製した後
にそれをチップ若しくはパッケージに実装するか、また
はパッケージに薄膜電池を直接作製している。したがっ
て、薄膜電池は素子と平面的に配設されているため、薄
膜電池と素子との間を接続する配線（interconnection
wire）が必要となり、実質的に薄膜電池の占有面積が増
大し、素子の集積化に限界があるという不都合な点があ
った。
【０００５】また、上記明細書においては、薄膜電池
は、半導体チップパッケージ上のみならず、半導体チッ
プ上又は半導体チップキャリヤ上にも直接配設され得る
ことが記載されているが、その具体的な方法については
開示されていない。
は、半導体チップパッケージ上のみならず、半導体チッ
プ上又は半導体チップキャリヤ上にも直接配設され得る
ことが記載されているが、その具体的な方法については
開示されていない。
【０００６】一方、半導体チップを薄膜電池構成部分上
に載置した電池内蔵型の半導体装置に関する発明が、特
開昭６１−２５５０３３号公報に開示されている。この
発明は、半導体装置チップを載置すべきダイマウント部
にあらかじめ薄膜固体電池を設け、その上に半導体装置
チップをダイマウントしたものである。薄膜固体電池を
半導体装置チップと同一パッケージに内蔵させることに
より、例えばメモリーＩＣでは安定動作特性を得ること
を目的としている。しかしながら、この発明において
は、半導体チップと薄膜電池の正極及び負極とは、Ａｕ
ワイヤを用いて結線されている。
に載置した電池内蔵型の半導体装置に関する発明が、特
開昭６１−２５５０３３号公報に開示されている。この
発明は、半導体装置チップを載置すべきダイマウント部
にあらかじめ薄膜固体電池を設け、その上に半導体装置
チップをダイマウントしたものである。薄膜固体電池を
半導体装置チップと同一パッケージに内蔵させることに
より、例えばメモリーＩＣでは安定動作特性を得ること
を目的としている。しかしながら、この発明において
は、半導体チップと薄膜電池の正極及び負極とは、Ａｕ
ワイヤを用いて結線されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の薄膜電池を利用する技術においては、薄膜電池は素
子と平面的に配設され両者の間は電流リード線で接続さ
れているため、パッケージ全体の小型化、換言すると素
子の高集積化に限界があった。また、電池内蔵型の半導
体チップでは、装置全体の小型化を達成することができ
るものの、素子と薄膜電池との結線を必要としていた。
一方、素子の高集積化、製造工程の合理化等の点から、
配線を使用することなく、現状の半導体及び薄膜製造技
術を活用して素子を高集積化することの要請が強い。
来の薄膜電池を利用する技術においては、薄膜電池は素
子と平面的に配設され両者の間は電流リード線で接続さ
れているため、パッケージ全体の小型化、換言すると素
子の高集積化に限界があった。また、電池内蔵型の半導
体チップでは、装置全体の小型化を達成することができ
るものの、素子と薄膜電池との結線を必要としていた。
一方、素子の高集積化、製造工程の合理化等の点から、
配線を使用することなく、現状の半導体及び薄膜製造技
術を活用して素子を高集積化することの要請が強い。
【０００８】そこで、本発明は、このような従来技術の
課題を解決するためになされたものであって、その目的
とするところは、薄膜電池の実質的な占有面積を低減
し、素子の高集積化を図り得る薄膜電池を備えた素子を
提供することにある。
課題を解決するためになされたものであって、その目的
とするところは、薄膜電池の実質的な占有面積を低減
し、素子の高集積化を図り得る薄膜電池を備えた素子を
提供することにある。
【０００９】また他の目的は、薄膜電池と素子との間を
電流リード線で結線することなく両者を電気的に連結し
て結線工程の合理化を図り、また、結線部分の占有面積
を低減して素子の一層の高集積化を図り得る薄膜電池を
備えた素子を提供することにある。
電流リード線で結線することなく両者を電気的に連結し
て結線工程の合理化を図り、また、結線部分の占有面積
を低減して素子の一層の高集積化を図り得る薄膜電池を
備えた素子を提供することにある。
【００１０】さらに他の目的は、占有面積を最小化し、
配線を使用することなく素子と電気的に連結し得る薄膜
電池を備えた素子の製造方法を提供することにある。
配線を使用することなく素子と電気的に連結し得る薄膜
電池を備えた素子の製造方法を提供することにある。
【００１１】なお、本発明において、「素子」とは部品
又は装置を１つの機能としてみた場合にその機能体を構
成する単位をいい、電気素子及び電子素子の両者が含ま
れる。ここで電気素子にはコンデンサー、抵抗、キャパ
シタ及び太陽電池等が含まれ、また、電子素子にはトラ
ンジスター、ダイオード、半導体メモリー、光電池、セ
ンサー及びアクチュエータが含まれる。
又は装置を１つの機能としてみた場合にその機能体を構
成する単位をいい、電気素子及び電子素子の両者が含ま
れる。ここで電気素子にはコンデンサー、抵抗、キャパ
シタ及び太陽電池等が含まれ、また、電子素子にはトラ
ンジスター、ダイオード、半導体メモリー、光電池、セ
ンサー及びアクチュエータが含まれる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明は、チップ又は素子上に薄膜電池を直接
積層して形成し、かつ、ワイヤ等の接続手段を用いるこ
となく薄膜電池と素子とを電気的に連結し得る薄膜電池
一体型素子の構造とした。
るため、本発明は、チップ又は素子上に薄膜電池を直接
積層して形成し、かつ、ワイヤ等の接続手段を用いるこ
となく薄膜電池と素子とを電気的に連結し得る薄膜電池
一体型素子の構造とした。
【００１３】すなわち本発明に係る素子上に薄膜電池を
電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型素子
は、素子２０と薄膜電池３０とが電気的に不導体な絶縁
層４０で離間して設けられ、かつ両者が素子上又はその
側面に垂設した一対の導電体５０、６０により電気的に
連結するように構成されている。
電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型素子
は、素子２０と薄膜電池３０とが電気的に不導体な絶縁
層４０で離間して設けられ、かつ両者が素子上又はその
側面に垂設した一対の導電体５０、６０により電気的に
連結するように構成されている。
【００１４】詳しくは、素子２０と、上記素子上の少な
くとも一部を被覆するように形成された電気的に不導体
な絶縁層４０と、上記素子上又はその側面に垂設された
一対の素子端子５０と、上記素子端子上にその上端から
上記絶縁層の最上面の位置まで垂設された導電性を有す
る一対の垂直導体６０と、上記一対の垂直導体中の１つ
の垂直導体６０ａ上に形成された負極薄膜３２と、上記
一対の垂直導体を電気的に隔てるように上記負極薄膜３
２上と上記絶縁層４０上面の１部とに形成された電解質
薄膜３４と、上記電解質薄膜３４上と上記絶縁層４０上
面の残りの部分と上記一対の垂直導体中の他の垂直導体
６０ｂ上とに形成された正極薄膜３６と、を備えてい
る。
くとも一部を被覆するように形成された電気的に不導体
な絶縁層４０と、上記素子上又はその側面に垂設された
一対の素子端子５０と、上記素子端子上にその上端から
上記絶縁層の最上面の位置まで垂設された導電性を有す
る一対の垂直導体６０と、上記一対の垂直導体中の１つ
の垂直導体６０ａ上に形成された負極薄膜３２と、上記
一対の垂直導体を電気的に隔てるように上記負極薄膜３
２上と上記絶縁層４０上面の１部とに形成された電解質
薄膜３４と、上記電解質薄膜３４上と上記絶縁層４０上
面の残りの部分と上記一対の垂直導体中の他の垂直導体
６０ｂ上とに形成された正極薄膜３６と、を備えてい
る。
【００１５】また本発明に係る薄膜電池一体型素子は、
さらに、上記絶縁層４０上に水平に離間して上記一対の
垂直導体６０上に配設され、上記薄膜電池の正極及び負
極と電気的に連結する一対の電極導体７０を備えるよう
に構成することができる。またさらに、本発明の素子が
基板１０上に載置されるように構成することができる。
さらに、上記絶縁層４０上に水平に離間して上記一対の
垂直導体６０上に配設され、上記薄膜電池の正極及び負
極と電気的に連結する一対の電極導体７０を備えるよう
に構成することができる。またさらに、本発明の素子が
基板１０上に載置されるように構成することができる。
【００１６】なお本発明において、「素子上に薄膜電池
を積層」とは、薄膜電池は素子と平面的に配設されてい
ないことを意味し、必ずしも薄膜電池が素子の上面に載
置されることのみを意味するものではない。したがっ
て、本発明の薄膜電池一体型素子の積層態様には、垂直
方向の下方から上方に向けて、素子−絶縁層−薄膜電
池、薄膜電池−絶縁層−素子、基板−素子−絶縁層−薄
膜電池、基板−薄膜電池−絶縁層−素子、素子−絶縁性
の基板−薄膜電池、薄膜電池−絶縁性の基板−素子、の
順序で積層される構成が含まれる。
を積層」とは、薄膜電池は素子と平面的に配設されてい
ないことを意味し、必ずしも薄膜電池が素子の上面に載
置されることのみを意味するものではない。したがっ
て、本発明の薄膜電池一体型素子の積層態様には、垂直
方向の下方から上方に向けて、素子−絶縁層−薄膜電
池、薄膜電池−絶縁層−素子、基板−素子−絶縁層−薄
膜電池、基板−薄膜電池−絶縁層−素子、素子−絶縁性
の基板−薄膜電池、薄膜電池−絶縁性の基板−素子、の
順序で積層される構成が含まれる。
【００１７】一方、本発明に係る素子上に薄膜電池を電
気的に連結するように積層した薄膜電池一体型素子の製
造方法は、一対の素子端子５０を素子上又はその側面に
有する素子２０の外表面の少なくとも一部に電気的に不
導体な絶縁層４０を形成する段階と、上記絶縁層４０内
に一対の素子端子の上面を露出させる垂直孔６５を形成
する段階と、上記垂直孔６５に導電性物質を充填し上記
一対の素子端子５０と電気的に連結する一対の垂直導体
６０を形成する段階と、上記一対の垂直導体６０中の１
つの垂直導体６０ａ上に負極薄膜３２を形成する段階
と、上記負極薄膜３２上と上記絶縁層４０上面の１部と
を覆い上記一対の垂直導体６０を電気的に隔てる電解質
薄膜３４を形成する段階と、上記電解質薄膜３４上と上
記絶縁層４０上面の残りの部分と上記一対の垂直導体６
０中の他の垂直導体６０ｂ上とを覆う正極薄膜３６を形
成する段階と、を順次行う方法である。
気的に連結するように積層した薄膜電池一体型素子の製
造方法は、一対の素子端子５０を素子上又はその側面に
有する素子２０の外表面の少なくとも一部に電気的に不
導体な絶縁層４０を形成する段階と、上記絶縁層４０内
に一対の素子端子の上面を露出させる垂直孔６５を形成
する段階と、上記垂直孔６５に導電性物質を充填し上記
一対の素子端子５０と電気的に連結する一対の垂直導体
６０を形成する段階と、上記一対の垂直導体６０中の１
つの垂直導体６０ａ上に負極薄膜３２を形成する段階
と、上記負極薄膜３２上と上記絶縁層４０上面の１部と
を覆い上記一対の垂直導体６０を電気的に隔てる電解質
薄膜３４を形成する段階と、上記電解質薄膜３４上と上
記絶縁層４０上面の残りの部分と上記一対の垂直導体６
０中の他の垂直導体６０ｂ上とを覆う正極薄膜３６を形
成する段階と、を順次行う方法である。
【００１８】また本発明に係る上記薄膜電池一体型素子
の製造方法は、上記垂直導体６０を形成する段階の次
に、さらに、上記絶縁層４０上に水平に離間して配設さ
れ、上記一対の垂直導体６０中の１つの垂直導体６０ａ
と上記負極薄膜３２及び上記一対の垂直導体６０中の他
の垂直導体６０ｂと上記正極薄膜３６とを電気的に連結
する、導電性を有する一対の電極導体７０を形成する段
階を行うことができる。またさらに、いずれかの段階の
前後に、本発明の素子を基板１０上に載置する段階を行
うことができる。
の製造方法は、上記垂直導体６０を形成する段階の次
に、さらに、上記絶縁層４０上に水平に離間して配設さ
れ、上記一対の垂直導体６０中の１つの垂直導体６０ａ
と上記負極薄膜３２及び上記一対の垂直導体６０中の他
の垂直導体６０ｂと上記正極薄膜３６とを電気的に連結
する、導電性を有する一対の電極導体７０を形成する段
階を行うことができる。またさらに、いずれかの段階の
前後に、本発明の素子を基板１０上に載置する段階を行
うことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施例
に基いて説明する。本発明に係る薄膜電池一体型素子
は、図１において、基板１０と、素子２０と、一対の素
子端子５０と、絶縁層４０と、薄膜電池３０と、一対の
垂直導体６０と、一対の電極導体７０と、を備えてい
る。
に基いて説明する。本発明に係る薄膜電池一体型素子
は、図１において、基板１０と、素子２０と、一対の素
子端子５０と、絶縁層４０と、薄膜電池３０と、一対の
垂直導体６０と、一対の電極導体７０と、を備えてい
る。
【００２０】基板１０は、その上に素子を形成する土台
であり、例えばガラス、アルミナ等の無機材料、シリコ
ンのような半導体材料、又は高分子材料等が用いられ
る。なお、素子が抵抗やコンデンサー等の剛性の大きな
電気素子の場合は、必ずしも基板を備える必要はなく、
素子上に直接薄膜電池を載置した構成をとることができ
る。素子２０は、部品又は装置等の機能体であり、所望
の形態に適宜な公知の方法により形成されたコンデンサ
ー、抵抗、キャパシタ及び太陽電池等の電気素子、又は
トランジスター、ダイオード、半導体メモリー、光電
池、センサー及びアクチュエータ等の電子素子が含まれ
る。また、一対の素子端子５０は、上記素子と電気的に
連結し、公知の方法により所望の形態に形成され素子上
又はその側面に垂設されている。素子端子の材料として
は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）等の金属類、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化イリジウム
（ＩｒＯ2）等の導電性酸化物及び導電性多結晶シリコ
ンが用いられる。
であり、例えばガラス、アルミナ等の無機材料、シリコ
ンのような半導体材料、又は高分子材料等が用いられ
る。なお、素子が抵抗やコンデンサー等の剛性の大きな
電気素子の場合は、必ずしも基板を備える必要はなく、
素子上に直接薄膜電池を載置した構成をとることができ
る。素子２０は、部品又は装置等の機能体であり、所望
の形態に適宜な公知の方法により形成されたコンデンサ
ー、抵抗、キャパシタ及び太陽電池等の電気素子、又は
トランジスター、ダイオード、半導体メモリー、光電
池、センサー及びアクチュエータ等の電子素子が含まれ
る。また、一対の素子端子５０は、上記素子と電気的に
連結し、公知の方法により所望の形態に形成され素子上
又はその側面に垂設されている。素子端子の材料として
は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）等の金属類、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化イリジウム
（ＩｒＯ2）等の導電性酸化物及び導電性多結晶シリコ
ンが用いられる。
【００２１】絶縁層４０は、素子２０と薄膜電池３０と
を電気的に隔てるためのものであり、例えば蒸着法によ
り素子の外表面の少なくとも一部を覆うように不導体の
材料が形成された層である。例えば酸化物、窒化物の不
導体の材料が用いられる。また、絶縁層４０は、形成さ
れたままの形状の絶縁層のほか、必要に応じて例えば蒸
着を施した後に平坦化された平坦化層（planarizing la
yer）とすることもできる。平坦化層は、薄膜電池作製
の後工程を容易にする効果がある。さらに、絶縁層４０
は、素子上のみを覆う絶縁層であるほか、一対の素子端
子５０と接する部分を除く上記素子２０の外表面を完全
に覆い、基板１０の一部まで覆うように形成された絶縁
層とすることもできる。なお、上記基板１０の材料がガ
ラス等の絶縁材料の場合であって、上記素子２０と薄膜
電池３０とが基板１０を挟む態様で構成された薄膜電池
一体型素子の場合には、基板が絶縁層の役割を果たすこ
とができるので、絶縁層を別に設ける必要はない。
を電気的に隔てるためのものであり、例えば蒸着法によ
り素子の外表面の少なくとも一部を覆うように不導体の
材料が形成された層である。例えば酸化物、窒化物の不
導体の材料が用いられる。また、絶縁層４０は、形成さ
れたままの形状の絶縁層のほか、必要に応じて例えば蒸
着を施した後に平坦化された平坦化層（planarizing la
yer）とすることもできる。平坦化層は、薄膜電池作製
の後工程を容易にする効果がある。さらに、絶縁層４０
は、素子上のみを覆う絶縁層であるほか、一対の素子端
子５０と接する部分を除く上記素子２０の外表面を完全
に覆い、基板１０の一部まで覆うように形成された絶縁
層とすることもできる。なお、上記基板１０の材料がガ
ラス等の絶縁材料の場合であって、上記素子２０と薄膜
電池３０とが基板１０を挟む態様で構成された薄膜電池
一体型素子の場合には、基板が絶縁層の役割を果たすこ
とができるので、絶縁層を別に設ける必要はない。
【００２２】上記一対の素子端子５０上には、その上端
から上記絶縁層４０の最上面の位置まで導電性物質を充
填して垂設された一対の垂直導体６０が備えられてい
る。導電性物質には、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、アルミニウム
（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）等の金属類、酸
化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸
化イリジウム（ＩｒＯ2）等の導電性酸化物及び導電性
多結晶シリコンを用いることができる。
から上記絶縁層４０の最上面の位置まで導電性物質を充
填して垂設された一対の垂直導体６０が備えられてい
る。導電性物質には、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、アルミニウム
（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）等の金属類、酸
化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸
化イリジウム（ＩｒＯ2）等の導電性酸化物及び導電性
多結晶シリコンを用いることができる。
【００２３】また、上記一対の垂直導体６０上に、上記
絶縁層４０上に水平に離間して配設され、上記一対の垂
直導体中の１つの垂直導体６０ａと薄膜電池の負極薄膜
３２及び上記一対の垂直導体６０中の他の垂直導体６０
ｂと薄膜電池の正極薄膜３６とを電気的に連結する、導
電性を有する一対の電極導体７０を備えることができ
る。この電極導体７０は、薄膜電池３０の電流コレクタ
として作用する。電極導体には、例えば導電性を有する
薄膜のバナジウム（Ｖ）が用いられる。また、この一対
の電極導体７０は、上記負極薄膜３２と連結する１つの
電極導体７０ａの方が上記正極薄膜３６と連結する他の
電極導体７０ｂよりも広い面積を有していることが好ま
しい。
絶縁層４０上に水平に離間して配設され、上記一対の垂
直導体中の１つの垂直導体６０ａと薄膜電池の負極薄膜
３２及び上記一対の垂直導体６０中の他の垂直導体６０
ｂと薄膜電池の正極薄膜３６とを電気的に連結する、導
電性を有する一対の電極導体７０を備えることができ
る。この電極導体７０は、薄膜電池３０の電流コレクタ
として作用する。電極導体には、例えば導電性を有する
薄膜のバナジウム（Ｖ）が用いられる。また、この一対
の電極導体７０は、上記負極薄膜３２と連結する１つの
電極導体７０ａの方が上記正極薄膜３６と連結する他の
電極導体７０ｂよりも広い面積を有していることが好ま
しい。
【００２４】薄膜電池３０は、上記絶縁層４０上及び上
記一対の垂直導体６０上又はその上に形成される上記一
対の電極導体７０上に配設されるように構成することが
できる。すなわち、上記薄膜電池３０は、１つの垂直導
体６０ａ上又はその上の電極導体７０ａ上に形成される
負極薄膜３２と、この負極薄膜３２上と上記絶縁層４０
の上面の１部とを覆い一対の垂直導体６０を電気的に隔
てるように形成される電解質薄膜３４と、この電解質薄
膜３４上と絶縁層４０の上面の残りの部分と一対の垂直
導体中の他の垂直導体６０ｂとを覆う正極薄膜３６と、
から構成されている。この場合、上記負極３２には、例
えばスパッタリングにより形成した酸化バナジウム（Ｖ
ＯX）の薄膜を、上記電解質薄膜３４には、例えばスパ
ッタリングにより形成したＬｉXＰＯYＮZの組成を有す
るガラス質の非晶質オキシニトリルリチウムの薄膜を、
また、上記正極３６には、例えばリチウムの薄膜を、用
いることができる。
記一対の垂直導体６０上又はその上に形成される上記一
対の電極導体７０上に配設されるように構成することが
できる。すなわち、上記薄膜電池３０は、１つの垂直導
体６０ａ上又はその上の電極導体７０ａ上に形成される
負極薄膜３２と、この負極薄膜３２上と上記絶縁層４０
の上面の１部とを覆い一対の垂直導体６０を電気的に隔
てるように形成される電解質薄膜３４と、この電解質薄
膜３４上と絶縁層４０の上面の残りの部分と一対の垂直
導体中の他の垂直導体６０ｂとを覆う正極薄膜３６と、
から構成されている。この場合、上記負極３２には、例
えばスパッタリングにより形成した酸化バナジウム（Ｖ
ＯX）の薄膜を、上記電解質薄膜３４には、例えばスパ
ッタリングにより形成したＬｉXＰＯYＮZの組成を有す
るガラス質の非晶質オキシニトリルリチウムの薄膜を、
また、上記正極３６には、例えばリチウムの薄膜を、用
いることができる。
【００２５】このように薄膜電池一体型素子を構成する
と、薄膜電池３０が素子２０上に連続して配設され、ま
た、素子２０と薄膜電池３０とは素子端子５０、垂直導
体６０さらには電極導体７０を介して電気的に連結され
るため、垂直に積層連結された素子２０と薄膜電池３０
は、素子の部分に相当する極めて小さい面積を占有して
形成することができる。すなわち、薄膜電池及びその電
気的な連結部を形成するために必要な表面積部分を省略
することができ、水平に配置される従来技術に比べて、
素子の高集積化を向上することができる。
と、薄膜電池３０が素子２０上に連続して配設され、ま
た、素子２０と薄膜電池３０とは素子端子５０、垂直導
体６０さらには電極導体７０を介して電気的に連結され
るため、垂直に積層連結された素子２０と薄膜電池３０
は、素子の部分に相当する極めて小さい面積を占有して
形成することができる。すなわち、薄膜電池及びその電
気的な連結部を形成するために必要な表面積部分を省略
することができ、水平に配置される従来技術に比べて、
素子の高集積化を向上することができる。
【００２６】本発明の実施態様の１つは、図１に示すよ
うに、素子２０の上面に薄膜電池３０を載置した構成を
とる。しかし、薄膜電池と素子との間の絶縁、及び、素
子端子から薄膜電池の正極、負極までの電気的な連結を
行うことにより、薄膜電池３０を素子２０の下面に載置
する構成、又は基板を挟み薄膜電池３０を素子２０の上
下面にそれぞれ載置する構成をとることができる。この
ような変更は、本発明の実施形態から容易に予測可能な
範囲である。
うに、素子２０の上面に薄膜電池３０を載置した構成を
とる。しかし、薄膜電池と素子との間の絶縁、及び、素
子端子から薄膜電池の正極、負極までの電気的な連結を
行うことにより、薄膜電池３０を素子２０の下面に載置
する構成、又は基板を挟み薄膜電池３０を素子２０の上
下面にそれぞれ載置する構成をとることができる。この
ような変更は、本発明の実施形態から容易に予測可能な
範囲である。
【００２７】次に、本発明に係る素子上に薄膜電池を積
層連結した薄膜電池一体型素子の製造方法を、図２
（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｂ）を用いて説明す
る。
層連結した薄膜電池一体型素子の製造方法を、図２
（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｂ）を用いて説明す
る。
【００２８】本発明に係る素子が基板１０上に形成され
る場合は、図２（ａ）に示すように、まず、一対の素子
端子５０を有する素子２０を、例えばシリコンのような
基板１０上に載置する。このとき、例えば、薄膜工程を
施した後基板に接合する方法、または単に素子を作製し
た後に基板に接合する方法により、素子２０を基板１０
上に装着する。ここで、上記素子２０は、適宜な公知の
工程により所望の形態に形成され、また一対の素子端子
５０は、公知の工程により所望の形態に形成され素子上
又はその側面に垂設されたものである。
る場合は、図２（ａ）に示すように、まず、一対の素子
端子５０を有する素子２０を、例えばシリコンのような
基板１０上に載置する。このとき、例えば、薄膜工程を
施した後基板に接合する方法、または単に素子を作製し
た後に基板に接合する方法により、素子２０を基板１０
上に装着する。ここで、上記素子２０は、適宜な公知の
工程により所望の形態に形成され、また一対の素子端子
５０は、公知の工程により所望の形態に形成され素子上
又はその側面に垂設されたものである。
【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁層４
０を、上記一対の素子端子を有する素子２０の外表面の
少なくとも一部に形成する。この絶縁層４０は、電気的
に不導体の材料を、例えば、蒸着（deposition）により
薄膜状又は層状に形成されたものである。この場合、必
要に応じて、蒸着を施した後に絶縁層４０を平坦化する
平坦化工程を追加して施すことができる。また、一対の
素子端子５０と接する部分を除く素子の外表面を完全に
覆い基板１０の一部まで覆うように、絶縁層４０を形成
することもできる。
０を、上記一対の素子端子を有する素子２０の外表面の
少なくとも一部に形成する。この絶縁層４０は、電気的
に不導体の材料を、例えば、蒸着（deposition）により
薄膜状又は層状に形成されたものである。この場合、必
要に応じて、蒸着を施した後に絶縁層４０を平坦化する
平坦化工程を追加して施すことができる。また、一対の
素子端子５０と接する部分を除く素子の外表面を完全に
覆い基板１０の一部まで覆うように、絶縁層４０を形成
することもできる。
【００３０】絶縁層４０を形成した後、図２（ｃ）に示
すように、上記素子端子５０の上部に位置する絶縁層４
０内に垂直孔６５を形成して上記素子端子５０の上面を
露出させる。この場合、上記垂直孔６５は、例えば、従
来と同様に、絶縁層４０にエッチングマスクとしてのフ
ォトレジストフィルムを蒸着し又は塗布し、パターニン
グし、絶縁層４０を選択的にエッチングして形成するこ
とができる。
すように、上記素子端子５０の上部に位置する絶縁層４
０内に垂直孔６５を形成して上記素子端子５０の上面を
露出させる。この場合、上記垂直孔６５は、例えば、従
来と同様に、絶縁層４０にエッチングマスクとしてのフ
ォトレジストフィルムを蒸着し又は塗布し、パターニン
グし、絶縁層４０を選択的にエッチングして形成するこ
とができる。
【００３１】その後、図２（ｄ）に示すように、導電性
を有する物質を絶縁層４０内の上記垂直孔６５に充填し
て、素子端子５０と電気的に連結する一対の垂直導体６
０を形成する。この場合、導電性を有する物質を上記垂
直孔６５に充填する方法として、例えば、ロールコータ
ーを用いる方法があげられる。また、絶縁層４０上にパ
ターニングされたフォトレジストフィルムを残存させた
まま、その上に、垂直孔６５を完全に埋めるように導電
性を有する物質を蒸着し、上記垂直孔６５に充填した垂
直導体６０をそのまま残して、フォトレジストフィルム
を完全に除去することにより、行うことができる。
を有する物質を絶縁層４０内の上記垂直孔６５に充填し
て、素子端子５０と電気的に連結する一対の垂直導体６
０を形成する。この場合、導電性を有する物質を上記垂
直孔６５に充填する方法として、例えば、ロールコータ
ーを用いる方法があげられる。また、絶縁層４０上にパ
ターニングされたフォトレジストフィルムを残存させた
まま、その上に、垂直孔６５を完全に埋めるように導電
性を有する物質を蒸着し、上記垂直孔６５に充填した垂
直導体６０をそのまま残して、フォトレジストフィルム
を完全に除去することにより、行うことができる。
【００３２】次に、図３（ａ）に示すように、従来と同
様に、上記一対の垂直導体６０と電気的に連結する、薄
膜電池の電流コレクターとして作用する一対の電極導体
７０を絶縁層４０上に形成することができる。この場合
は、例えば、絶縁層４０上に導電性フィルムを蒸着した
後、この導電性フィルムをマスキングし、エッチングし
て一対の電極導体７０を形成することができる。
様に、上記一対の垂直導体６０と電気的に連結する、薄
膜電池の電流コレクターとして作用する一対の電極導体
７０を絶縁層４０上に形成することができる。この場合
は、例えば、絶縁層４０上に導電性フィルムを蒸着した
後、この導電性フィルムをマスキングし、エッチングし
て一対の電極導体７０を形成することができる。
【００３３】詳しくは、絶縁層４０上に、導電性のバナ
ジウム（Ｖ）を０．５μm厚さの薄膜状に蒸着し、この
導電性薄膜上にフォトレジストフィルムを形成し、パタ
ーニングし、その後エッチングマスクとしてのパターニ
ングされたフォトレジストフィルムにより導電性薄膜を
エッチングすることにより製造することができる。この
場合、一対の電極導体７０は、薄膜電池の正極及び負極
が主電流コレクタ及び副電流コレクタとして作用するた
め、一対の電極導体７０のいずれか一つの電極導体は、
他の一つに比べて一層広く形成することが好ましい。
ジウム（Ｖ）を０．５μm厚さの薄膜状に蒸着し、この
導電性薄膜上にフォトレジストフィルムを形成し、パタ
ーニングし、その後エッチングマスクとしてのパターニ
ングされたフォトレジストフィルムにより導電性薄膜を
エッチングすることにより製造することができる。この
場合、一対の電極導体７０は、薄膜電池の正極及び負極
が主電流コレクタ及び副電流コレクタとして作用するた
め、一対の電極導体７０のいずれか一つの電極導体は、
他の一つに比べて一層広く形成することが好ましい。
【００３４】また、絶縁層４０内の垂直孔６５に充填し
て形成した一対の垂直導体６０を直接薄膜電池の正極及
び負極として用い、上記電極導体７０の形成を省略する
ことができる。
て形成した一対の垂直導体６０を直接薄膜電池の正極及
び負極として用い、上記電極導体７０の形成を省略する
ことができる。
【００３５】その後、図３（ｂ）に示すように、一対の
電極導体７０上及び絶縁層４０上に薄膜電池３０を形成
する。詳しくは、負極薄膜３２を一対の電極導体７０中
の面積が大きい１つの電極導体７０ａ上に蒸着する。次
に、この負極薄膜３２上と上記絶縁層の上面の１部とを
覆い上記一対の電極導体７０を電気的に隔てる電解質薄
膜３４を蒸着し、そして、この電解質薄膜３４上と上記
絶縁層４０の上面の残りの部分と上記一対の電極導体中
の面積が小さい電極導体７０ｂとを覆う正極薄膜３６を
蒸着して薄膜電池を製造する。
電極導体７０上及び絶縁層４０上に薄膜電池３０を形成
する。詳しくは、負極薄膜３２を一対の電極導体７０中
の面積が大きい１つの電極導体７０ａ上に蒸着する。次
に、この負極薄膜３２上と上記絶縁層の上面の１部とを
覆い上記一対の電極導体７０を電気的に隔てる電解質薄
膜３４を蒸着し、そして、この電解質薄膜３４上と上記
絶縁層４０の上面の残りの部分と上記一対の電極導体中
の面積が小さい電極導体７０ｂとを覆う正極薄膜３６を
蒸着して薄膜電池を製造する。
【００３６】この場合、上記負極薄膜３２は、例えば酸
化バナジウム（ＶＯX）をスパッタリングにより厚さ１
μmに蒸着し、また、上記電解質薄膜３４は、例えばＬ
ｉXＰＯYＮZの組成を有するガラス質の非晶質オキシニ
トリルリチウムをスパッタリングにより１μmの厚さに
蒸着し、さらに上記正極薄膜３６は、例えばリチウムを
スパッタリングにより約５μmの厚さに蒸着して、薄膜
電池を製造する。なお、電解質にＬｉXＰＯYＮZを用い
る場合、ｘは、約２．８、２ｙ＋３ｚは、約７．８、Ｚ
は０．１６〜０．４６の値を夫々有するものである。
化バナジウム（ＶＯX）をスパッタリングにより厚さ１
μmに蒸着し、また、上記電解質薄膜３４は、例えばＬ
ｉXＰＯYＮZの組成を有するガラス質の非晶質オキシニ
トリルリチウムをスパッタリングにより１μmの厚さに
蒸着し、さらに上記正極薄膜３６は、例えばリチウムを
スパッタリングにより約５μmの厚さに蒸着して、薄膜
電池を製造する。なお、電解質にＬｉXＰＯYＮZを用い
る場合、ｘは、約２．８、２ｙ＋３ｚは、約７．８、Ｚ
は０．１６〜０．４６の値を夫々有するものである。
【００３７】こうして、図１及び図４に示すように、薄
膜電池３０を素子２０とほぼ同様な大きさとなるように
形成し、素子と薄膜電池とを、素子上に施した絶縁層の
大きさの範囲内に容易に組み立てることができる。ま
た、必要に応じて、薄膜電池の大きさを、素子の大きさ
よりも小さく、又は大きく形成することもできる。
膜電池３０を素子２０とほぼ同様な大きさとなるように
形成し、素子と薄膜電池とを、素子上に施した絶縁層の
大きさの範囲内に容易に組み立てることができる。ま
た、必要に応じて、薄膜電池の大きさを、素子の大きさ
よりも小さく、又は大きく形成することもできる。
【００３８】さらに、本発明は、このような実施の形態
に限定されるものでなく、特許請求の範囲に記載された
事項の範囲内で多様な形態に変更して使用することがで
きる。
に限定されるものでなく、特許請求の範囲に記載された
事項の範囲内で多様な形態に変更して使用することがで
きる。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る薄膜電池一体型素子は、前
述したように、従来の半導体及び薄膜製造技術を活用し
て製造できるという効果がある。また、薄膜電池と素子
とを電気的に連結して積層しているので、薄膜電池と素
子の全体の占有面積を素子自体の占有面積に最小化する
ことができ、素子の高集積化を図り、半導体メモリ貯蔵
手段のような広範囲のマイクロ素子に採用される小型の
内蔵型主電源又は待機電源を提供することができるとい
う効果を有する。さらに、本発明の薄膜電池一体型素子
は、ＭＥＭＳ（Micro-electro-mechanical System）素
子のような極小素子の超小型電力供給系として利用する
ことができるという効果がある。
述したように、従来の半導体及び薄膜製造技術を活用し
て製造できるという効果がある。また、薄膜電池と素子
とを電気的に連結して積層しているので、薄膜電池と素
子の全体の占有面積を素子自体の占有面積に最小化する
ことができ、素子の高集積化を図り、半導体メモリ貯蔵
手段のような広範囲のマイクロ素子に採用される小型の
内蔵型主電源又は待機電源を提供することができるとい
う効果を有する。さらに、本発明の薄膜電池一体型素子
は、ＭＥＭＳ（Micro-electro-mechanical System）素
子のような極小素子の超小型電力供給系として利用する
ことができるという効果がある。
【００４０】さらに、本発明に係る素子上に薄膜電池を
積層連結した薄膜電池一体型素子の製造方法において
は、電力供給源として薄膜電池を素子上に積層し、かつ
配線を使用することなく薄幕電池と素子とが電気的に連
結するように製造されるので、基板上の薄膜電池の占有
面積を減らし素子の集積度を向上し得るという効果に加
えて、従来の配線工程を合理化できるという効果が得ら
れる。
積層連結した薄膜電池一体型素子の製造方法において
は、電力供給源として薄膜電池を素子上に積層し、かつ
配線を使用することなく薄幕電池と素子とが電気的に連
結するように製造されるので、基板上の薄膜電池の占有
面積を減らし素子の集積度を向上し得るという効果に加
えて、従来の配線工程を合理化できるという効果が得ら
れる。
【図１】本発明に係る素子上に薄膜電池を電気的に連結
するように積層した薄膜電池一体型素子の構成を示す断
面図である。
するように積層した薄膜電池一体型素子の構成を示す断
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る素子上に薄膜
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の製造方法を断面図として示す図である。
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の製造方法を断面図として示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る素子上に薄膜
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の製造工程を断面図として示す図である。
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の製造工程を断面図として示す図である。
【図４】本発明の製造方法により製造した素子上に薄膜
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の平面図である。
電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型
素子の平面図である。
【図５】従来技術の薄膜電池を備えた素子の構成を示す
平面図である。
平面図である。
１０：基板 ２０：素子 ３０：薄膜電池 ３２：負極薄膜 ３４：電解質薄膜 ３６：正極薄膜 ４０：絶縁層 ５０：一対の素子端子 ６０：一対の垂直導体 ６０ａ、６０ｂ：１つの垂直導体 ６５：垂直孔 ７０：一対の電極導体 ７０ａ、７０ｂ：１つの電極導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 崔 原 國 大韓民国ソウル特別市陽川区木５洞 木洞 アパート303−1202 (72)発明者 尹 錫 鎭 大韓民国京畿道軍浦市山本洞 住公アパー ト651−504
Claims (16)
- 【請求項１】 素子上に薄膜電池を電気的に連結するよ
うに積層した薄膜電池一体型素子であって、 素子と、 上記素子上に載置された電気的に不導体な絶縁層と、 上記素子上又はその側面に垂設された一対の導電体と、 上記一対の導電体と電気的に連結し上記絶縁層を介して
上記素子上に載置された薄膜電池と、 を備えたことを特徴とする薄膜電池一体型素子。 - 【請求項２】 上記絶縁層が、上記素子の外表面の少な
くとも一部を被覆するように形成された絶縁層であるこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜電池一体型素子。 - 【請求項３】 上記一対の導電体が、上記素子上又はそ
の側面に垂設された一対の素子端子と、上記素子端子上
にその上端から上記絶縁層の最上面の位置まで垂設され
た一対の垂直導体と、を備えたことを特徴とする請求項
１又は２に記載の薄膜電池一体型素子。 - 【請求項４】 上記一対の導電体が、さらに、上記絶縁
層上に水平に離間して上記一対の垂直導体上に配設さ
れ、上記薄膜電池の正極及び負極と電気的に連結する一
対の電極導体を備えたことを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の薄膜電池一体型素子。 - 【請求項５】 上記一対の電極導体が、上記薄膜電池の
負極と連結する１つの電極導体が上記薄膜電池の正極と
連結する他の電極導体よりも広い面積を有していること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜電池
一体型素子。 - 【請求項６】 上記薄膜電池が、上記一対の垂直導体中
の１つの垂直導体上又はその上に配設された１つの電極
導体上に形成された負極薄膜と、上記一対の垂直導体又
は電極導体を電気的に隔てるように上記負極薄膜上と上
記絶縁層上面の１部とに形成された電解質薄膜と、上記
電解質薄膜上と上記絶縁層上面の残りの部分と上記一対
の垂直導体中の他の垂直導体上とに形成された正極薄膜
と、を備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の薄膜電池一体型素子。 - 【請求項７】 上記絶縁層が、一対の素子端子と接する
部分を除く素子の外表面を覆う絶縁層であることを特徴
とする請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜電池一体型
素子。 - 【請求項８】 上記絶縁層が、平坦化された絶縁層であ
ることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の薄
膜電池一体型素子。 - 【請求項９】 上記素子が、基板上に載置された素子で
あることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の
薄膜電池一体型素子。 - 【請求項１０】 素子上に薄膜電池を電気的に連結する
ように積層した薄膜電池一体型素子の製造方法であっ
て、 一対の素子端子を素子上又はその側面に有する素子の外
表面の少なくとも一部に電気的に不導体な絶縁層を形成
する段階と、 上記絶縁層内に一対の素子端子の上面を露出させる垂直
孔を形成する段階と、 上記垂直孔に導電性物質を充填し上記一対の素子端子と
電気的に連結する一対の垂直導体を形成する段階と、 上記一対の垂直導体中の１つの垂直導体上に負極薄膜を
形成する段階と、 上記負極薄膜上と上記絶縁層上面の１部とを覆い、上記
一対の垂直導体を電気的に隔てる電解質薄膜を形成する
段階と、 上記電解質薄膜上と上記絶縁層上面の残り上記一対の垂
直導体中の他の垂直導体上とを覆う正極薄膜を形成する
段階と、 を順次行うことを特徴とする薄膜電池一体型素子の製造
方法。 - 【請求項１１】 上記垂直導体を形成する段階の次に、
さらに、上記絶縁層上に水平に離間して設けられ、上記
一対の垂直導体中の１つの垂直導体と上記負極薄膜及び
上記一対の垂直導体中の他の垂直導体と上記正極薄膜と
を電気的に連結する、導電性を有する一対の電極導体を
形成する段階を行うことを特徴とする請求項１０記載の
薄膜電池一体型素子の製造方法。 - 【請求項１２】 上記負極薄膜と連結する一対の電極導
体中の１つの電極導体が上記正極薄膜と連結する一対の
電極導体中の他の電極導体よりも広い面積を有するよう
に形成することを特徴とする請求項１０又１１に記載の
薄膜電池一体型素子の製造方法。 - 【請求項１３】 上記絶縁層を形成する段階が、一対の
素子端子と接する部分を除く素子の外表面を覆うように
形成することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか
に記載の薄膜電池一体型素子の製造方法。 - 【請求項１４】 上記絶縁層を形成する段階の次に、さ
らに、上記絶縁層を平坦化する段階を行うことを特徴と
する請求項１０〜１３のいずれかに記載の薄膜電池一体
型素子の製造方法。 - 【請求項１５】 上記薄膜電池一体型素子の製造方法
が、さらに、上記素子を基板上に載置する段階を行うこ
とを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の薄
膜電池一体型素子の製造方法。 - 【請求項１６】 素子上に薄膜電池を電気的に連結する
ように積層した薄膜電池一体型素子であって、請求項１
０〜１５のいずれかに記載の方法で製造したことを特徴
とする薄膜電池一体型素子。
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