JP2019071430A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019071430A JP2019071430A JP2018227348A JP2018227348A JP2019071430A JP 2019071430 A JP2019071430 A JP 2019071430A JP 2018227348 A JP2018227348 A JP 2018227348A JP 2018227348 A JP2018227348 A JP 2018227348A JP 2019071430 A JP2019071430 A JP 2019071430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- oxide
- transistor
- film
- battery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 342
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 215
- 230000006870 function Effects 0.000 description 80
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 37
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 35
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 31
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229910010707 LiFePO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910013716 LiNi Inorganic materials 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 201000003373 familial cold autoinflammatory syndrome 3 Diseases 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003477 cochlea Anatomy 0.000 description 2
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 210000005245 right atrium Anatomy 0.000 description 2
- 210000005241 right ventricle Anatomy 0.000 description 2
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 210000001321 subclavian vein Anatomy 0.000 description 2
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 2
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical class CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000012766 Cannabis sativa ssp. sativa var. sativa Nutrition 0.000 description 1
- 235000012765 Cannabis sativa ssp. sativa var. spontanea Nutrition 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical class CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018111 Li 2 S-B 2 S 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018127 Li 2 S-GeS 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018130 Li 2 S-P 2 S 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018133 Li 2 S-SiS 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018119 Li 3 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009178 Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009324 Li2S-SiS2-Li3PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009326 Li2S-SiS2-Li4SiO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009328 Li2S-SiS2—Li3PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007295 Li2S—SiS2—Li3PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007290 Li2S—SiS2—Li4SiO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007860 Li3.25Ge0.25P0.75S4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013936 Li3.25P0.95S4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012316 Li3.6Si0.6P0.4O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012029 Li4SiO4-Li3BO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012078 Li4SiO4—Li3BO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011281 LiCoPO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010835 LiI-Li2S-P2S5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010833 LiI-Li2S-SiS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010840 LiI—Li2S—P2S5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010855 LiI—Li2S—SiS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013275 LiMPO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 229920002978 Vinylon Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005607 chanvre indien Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000000860 cochlear nerve Anatomy 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 208000019622 heart disease Diseases 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011487 hemp Substances 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K lithium iron phosphate Chemical compound [Li+].[Fe+2].[O-]P([O-])([O-])=O GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URIIGZKXFBNRAU-UHFFFAOYSA-N lithium;oxonickel Chemical compound [Li].[Ni]=O URIIGZKXFBNRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002931 mesocarbon microbead Substances 0.000 description 1
- 239000011302 mesophase pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Chemical class 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Chemical class 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000010450 olivine Substances 0.000 description 1
- 229910052609 olivine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 239000004627 regenerated cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000036387 respiratory rate Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 210000002620 vena cava superior Anatomy 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
- H01M10/46—Accumulators structurally combined with charging apparatus
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N1/00—Electrotherapy; Circuits therefor
- A61N1/18—Applying electric currents by contact electrodes
- A61N1/32—Applying electric currents by contact electrodes alternating or intermittent currents
- A61N1/36—Applying electric currents by contact electrodes alternating or intermittent currents for stimulation
- A61N1/372—Arrangements in connection with the implantation of stimulators
- A61N1/378—Electrical supply
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/163—Wearable computers, e.g. on a belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8221—Three dimensional integrated circuits stacked in different levels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
- H01M10/0562—Solid materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/058—Construction or manufacture
- H01M10/0585—Construction or manufacture of accumulators having only flat construction elements, i.e. flat positive electrodes, flat negative electrodes and flat separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
- H01M10/425—Structural combination with electronic components, e.g. electronic circuits integrated to the outside of the casing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/60—Heating or cooling; Temperature control
- H01M10/61—Types of temperature control
- H01M10/613—Cooling or keeping cold
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/60—Heating or cooling; Temperature control
- H01M10/62—Heating or cooling; Temperature control specially adapted for specific applications
- H01M10/623—Portable devices, e.g. mobile telephones, cameras or pacemakers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/20—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using microwaves or radio frequency waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2220/00—Batteries for particular applications
- H01M2220/30—Batteries in portable systems, e.g. mobile phone, laptop
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2300/00—Electrolytes
- H01M2300/0017—Non-aqueous electrolytes
- H01M2300/0065—Solid electrolytes
- H01M2300/0068—Solid electrolytes inorganic
- H01M2300/0071—Oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Public Health (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
ュファクチャ、又は組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。また、本発明の
一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法又
はそれらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、酸化物半導体を含む半導体装置
、表示装置、又は発光装置に関する。
全般を指す。表示装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は、半導体装置を有する
場合がある。
。
作するため、消費電力を極力抑えている。特に電子機器にCPU(Central Pr
ocessing Unit)が含まれている場合、CPUは動作時に多くの電力を消費
するため、CPUの処理は消費電力に大きな影響を与える。
、無線で電力または信号の送受信を行う半導体装置が、特許文献1に記載されている。
電力の低減を行う半導体装置が、特許文献2に記載されている。
解質を用いた全固体電池を作製する技術が提案されている(特許文献3)。
て、CPUによって消費される電力と、CPU周辺のシステムによって消費される電力と
、電子機器の内外に接続された複数の入出力機器および周辺機器によって消費される電力
と、に分けることができる。CPU周辺のシステムによって消費される電力には、コンバ
ータでのロス、配線パターンでのロス、及びバスやコントローラなどでの消費電力などが
含まれる。
テリーは体積が小さくなると、容量が小さくなってしまう。従って、より小さなスペース
に回路やバッテリーなどを収納することとなる。
る。
、消費電力と発熱をどう制御するかが、課題の一つとなっている。
置、消費電力が小さい半導体装置、または、発熱が抑えられた半導体装置を提案する。
観形状にすることができる新規な構造の電子機器を提案する。より具体的には、体に装着
して使用するウェアラブル型電子機器や、体内に埋め込んで使用する電子機器を提案する
。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細
書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本
発明の一形態の課題となり得る。
を有する半導体装置である。第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び二次バッテリ
ーは、基板に設けられる。第1のトランジスタのチャネル領域はシリコンを含む。第2の
トランジスタのチャネル領域は酸化物半導体を含む。二次バッテリーは、固体電解質を有
する。
しい。
リーと第1のトランジスタの間、又は、二次バッテリーと第2のトランジスタの間に、ハ
ロゲンを含む絶縁膜を設けても良い。
。
る。
収納された半導体装置を提供すること、消費電力が小さい半導体装置を提供すること、ま
たは、発熱が抑えられた半導体装置を提供することが可能になる。
的には、さまざまな外観形状にすることができる新規な構造の電子機器を提供することが
可能になる。より具体的には、体に装着して使用するウェアラブル型電子機器や、体内に
埋め込んで使用する電子機器を提供することが可能になる。
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に説明する
実施の形態及び実施例において、同一部分又は同様の機能を有する部分には同一の符号を
異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模
式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係
は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した
語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン
領域またはドレイン電極層)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極層)の
間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流す
ことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主とし
て流れる領域をいう。
作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細
書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする
。
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタ
などのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有す
る素子などが含まれる。
<デバイスのブロック図>
図1は、本発明の一態様であるデバイス10のブロック図を示している。
通信モジュール26とを有する。制御モジュール15は、デバイス10全体の制御と、通
信や、表示部16への情報の表示を制御するコントローラである。
信部14を有する。
レータ18、および無線受信部20を有する。
び無線受信部25を有する。
うに制御する回路のことである。レギュレータは、電力負荷の程度などによって、リニア
レギュレータとスイッチングレギュレータの2種類に分類される。なお、スイッチングレ
ギュレータはDCDCコンバータとも呼ばれる。
返し充放電が可能な二次バッテリーであり、無線充電ができるように回路が接続されてい
る。各バッテリーは、それぞれのレギュレータを介してそれぞれの無線受信部と電気的に
接続される構成とする。各レギュレータは、接続されているバッテリーから各機能回路に
必要な電力または信号を供給する。また、各レギュレータは、接続されているバッテリー
が充電している時に、過充電などを防止する機能をもつ。
ができる。使用するモジュールのみを選択的に駆動させるオペレーションシステムにより
、デバイス10の省電力化を図ることができる。
ール26においては、通信回路22への電力を遮断し、バッテリー23を使わないオフ状
態とし、表示モジュール21及び制御モジュール15をオン状態とする。
表示部16で静止画を表示させた後、静止画を表示させたまま制御モジュール15をオフ
状態としても、表示モジュール21のみをオン状態として静止画を表示し続けることがで
きる。この場合、静止画を表示しているものの制御モジュール15は動作させておらず、
外から見て制御モジュール15の消費電力はゼロとみなすこともできる。なお、表示部1
6において、オフ電流の低い酸化物半導体(例えばIn、Ga、及びZnを含む酸化物材
料など)トランジスタを用いる、または画素ごとにメモリを有する構成とすれば、静止画
表示後にバッテリー17からの電力供給を遮断しても一定時間の間であれば、静止画を表
示しつづけることもできる。
的に駆動させることで、省電力化を図ることができる。
とが好ましい。CPU11に酸化物半導体トランジスタを用いることで、一時的にCPU
11の動作を停止し、電源電圧の供給を停止した場合においてもデータを保持することが
可能であり、消費電力の低減を行うことができる。具体的には、例えば、パーソナルコン
ピュータのユーザーが、キーボードなどの入力装置への情報の入力を停止している間でも
、CPU11の動作を停止することができ、それにより消費電力を低減することができる
。
スタを用いると、オフ電流が小さいため、省電力化を図ることができる。特に、酸化物半
導体トランジスタで制御回路が構成されたレギュレータ(DC−DCコンバータ)は、1
50℃以上の高温下でも動作可能である。よって、このようなDC−DCコンバータは、
動作時に温度が上昇する可能性が高い電子機器に好適である。
がそれぞれバッテリーを有する例を示したが、特にこれら3つのバッテリーに限定されず
、さらに機能モジュール及びそのバッテリーを加えて4つ以上のバッテリーを有する電子
機器としてもよい。
ェアラブル型デバイスを実現できる。その場合、小型のバッテリーをデバイス10内部に
分散させて配置することにより、一つの大きなバッテリーを有するデバイスよりも重量感
を軽減することができる。また、個々の小型のバッテリーが発熱しても使用者の装着感を
阻害しない。
明を行う。
図2は、同一基板上に作製された、トランジスタ720と、トランジスタ730と、バッ
テリー740と、を含む半導体装置1000の断面図を示している。トランジスタ720
は基板700に設けられ、トランジスタ730はトランジスタ720の上に設けられ、バ
ッテリー740はトランジスタ730の上に設けられている。
縁膜731と、トランジスタ730と、絶縁膜732と、絶縁膜741と、バッテリー7
40と、絶縁膜742と、プラグ701、703、704、706と、配線702、70
5と、配線707と、を有し、トランジスタ720は、ゲート電極726と、ゲート絶縁
膜724と、側壁絶縁層725と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領
域721と、LDD(Lightly Doped Drain)領域やエクステンショ
ン領域として機能する不純物領域722と、チャネル領域723と、を有する。
び側壁絶縁層725をマスクとして用いて、不純物領域721及び不純物領域722を自
己整合的に形成することができる。
基板、シリコンゲルマニウムからなる化合物半導体基板や、SOI(Silicon o
n Insulator)基板などを用いることができる。半導体基板を用いて形成され
たトランジスタは、高速動作が容易である。なお、基板700としてp型の単結晶シリコ
ン基板を用いた場合、基板700の一部にn型を付与する不純物元素を添加してn型のウ
ェルを形成し、n型のウェルが形成された領域にp型のトランジスタを形成することも可
能である。n型を付与する不純物元素としては、リン(P)、砒素(As)等を用いるこ
とができる。p型を付与する不純物元素としては、ボロン(B)等を用いることができる
。
えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、
ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを
有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィル
ムなどが挙げられる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノ
ホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエー
テルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する
合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステ
ル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。基材フィルムの一例としては、
ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は
紙類などがある。
もよい。半導体素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板、セ
ロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、
布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)
若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)
、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいト
ランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱
性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
タと分離されている。
層を有さないトランジスタを用いてもよい。シリサイド(サリサイド)を有する構造であ
ると、ソース領域およびドレイン領域がより低抵抗化でき、半導体装置の高速化が可能で
ある。また、低電圧で動作できるため、半導体装置の消費電力を低減することが可能であ
る。
を用いた場合、第1の半導体材料と第2の半導体材料は異なる禁制帯幅を持つ材料とする
ことが好ましい。例えば、第1の半導体材料を酸化物半導体以外の半導体材料(シリコン
(歪シリコン含む)、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ
素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、有機半導体など)とし
、第2の半導体材料を酸化物半導体とすることができる。酸化物半導体以外の材料として
単結晶シリコンなどを用いたトランジスタは、高速動作が容易である。一方で、酸化物半
導体を用いたトランジスタは、オフ電流が低い。
。
ランジスタ720の半導体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素はシリコンのダングリン
グボンドを終端し、トランジスタ720の信頼性を向上させる効果がある。一方、上層に
設けられるトランジスタ730に酸化物半導体を用いた場合、トランジスタ730の半導
体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する要因の
一つとなるため、トランジスタ730の信頼性を低下させる要因となる場合がある。した
がって、シリコン系半導体材料を用いたトランジスタ720の上層に酸化物半導体を用い
たトランジスタ730を積層して設ける場合、これらの間に水素の拡散を防止する機能を
有する絶縁膜731を設けることは特に効果的である。絶縁膜731により、下層に水素
を閉じ込めることでトランジスタ720の信頼性が向上することに加え、下層から上層に
水素が拡散することが抑制されることでトランジスタ730の信頼性も同時に向上させる
ことができる。
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)等を用いることができる。
タ730上に水素の拡散を防止する機能を有する絶縁膜732を形成することが好ましい
。絶縁膜732としては、絶縁膜731と同様の材料を用いることができ、特に酸化アル
ミニウムを適用することが好ましい。酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物お
よび酸素の双方に対して膜を透過させない遮断(ブロッキング)効果が高い。したがって
、トランジスタ730を覆う絶縁膜732として酸化アルミニウム膜を用いることで、ト
ランジスタ730に含まれる酸化物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸化
物半導体膜への水および水素の混入を防止することができる。
、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マン
ガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)
、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)の低抵抗材料からなる単体、
もしくは合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とする
ことが好ましい。特に、これらプラグ及び配線に、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含
む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、該酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能
を持つので好ましい。
を含む全固体電池である。また、バッテリー740は無線充電が可能となるように、レギ
ュレータを介して無線受信部と電気的に接続されている。
半導体製造プロセスとは、成膜工程、結晶化工程、メッキ工程、洗浄工程、リソグラフィ
工程、エッチング工程、研磨工程、不純物注入工程、熱処理工程など、半導体デバイスを
製造するときに用いられる手法全般を表す。
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ランタン、酸化セシウム、酸化タン
タルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。
クする)機能を有することが好ましい。バッテリー740に含まれるリチウムが、可動イ
オンとして半導体素子(トランジスタ720またはトランジスタ730)へ侵入すると、
半導体素子の劣化を引き起こす。絶縁膜741がリチウムイオンをブロックすることで、
信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜741がハロゲンを含むことで、アルカリ
金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁膜741の中で固定化され、リチウ
ムが絶縁膜741の外へ拡散することを防ぐことができる。
Deposition)法で成膜した場合、原料ガス中に体積比で3%から6%、例えば
5%ほどのハロゲンを含むガスを混入させておくと、得られる窒化シリコン膜中にハロゲ
ンが取り込まれる。絶縁膜741に含まれるハロゲン元素は、二次イオン質量分析法(S
IMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)により得
られる濃度を、1×1017atoms/cm3以上、好ましくは1×1018atom
s/cm3以上、より好ましくは1×1019atoms/cm3以上とする。
えば樹脂(ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂など)、ガラス、アモルファス化合物、セラミックス等の絶縁性材
料を用いることができる。また、樹脂の層間に、吸水層としてフッ化カルシウムなどを有
する層を設けてもよい。絶縁膜742は、スピンコート法、インクジェット法などによっ
て形成する事ができる。また、絶縁膜742は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化
酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニ
ウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ラン
タン、酸化セシウム、酸化タンタルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層
または積層で作製してもよい。
この場合、絶縁膜741と同様に、絶縁膜742にリチウムの拡散を防ぐ(ブロックする
)機能を有することが好ましい。絶縁膜742がリチウムをブロックすることで、信頼性
の高い半導体装置を提供することができる。
様に、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜742
がハロゲンを含むことで、アルカリ金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁
膜742の外へ拡散することを防ぐことができる。
縁体で構成された領域を表している。該領域には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化
ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上含む
絶縁体を用いることができる。また、該領域には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ア
クリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の有機樹脂を用いること
もできる。
、冷却ファンなどの冷却装置を設けることが好ましい。冷却装置を設けることで、バッテ
リー740の発熱による、半導体装置1000の誤動作を防ぐことができる。
ャップ(真空層の隙間)を設けてもよい。その場合の断面図を図16に示す。図16に示
す半導体装置1300は、バッテリー740とトランジスタ730との間に、エアギャッ
プ762を有している。エアギャップ762は、トレンチを有する絶縁膜761に、被覆
性の低い絶縁膜763を成膜することで形成することが可能である。絶縁膜761、76
3には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどから選ばれた一種以上含む絶縁体を用いてもよい。
バッテリー740の下にエアギャップ762を設けることで、バッテリー740から発熱
した熱が、トランジスタ720及びトランジスタ730まで伝わるのを防ぐことができ、
熱によるトランジスタ720及びトランジスタ730の誤動作を防ぐことができる。
いるが、バッテリー740を、トランジスタ720とトランジスタ730の間に設けても
よい。その場合、トランジスタ720、バッテリー740、トランジスタ730の順に素
子が形成されることになる。特に、バッテリー740を作製する際に、トランジスタ73
0が破壊されるほどの高温な熱処理が必要な場合、バッテリー740を形成してからトラ
ンジスタ730を形成することが好ましい。
まれるCPU11またはレギュレータ13、18、24などの回路を作製し、これら回路
に電源を供給するバッテリー740を、これら回路と同一基板上に作製することで、デバ
イス10を小型化又は薄膜化することが可能になる。
図2では、トランジスタ720がプレーナ型のトランジスタの場合を示したが、トランジ
スタ720の形状はこれに限定されない。例えば、FIN(フィン)型、TRI−GAT
E(トライゲート)型などのトランジスタなどとすることができる。その場合の断面図の
例を、図3に示す。
0を有する点で、図2の半導体装置1000と相違する。図3において、左側に示したト
ランジスタ750は、トランジスタのチャネル長方向の断面図を示し、右型に示したトラ
ンジスタ750は、トランジスタのチャネル幅方向の断面図を示している。
い凸部(フィンともいう)を有する。なお、凸部の上には、絶縁膜が設けられていてもよ
い。その絶縁膜は、凸部を形成するときに、基板700がエッチングされないようにする
ためのマスクとして機能するものである。なお、凸部は、先端が細くなくてもよく、例え
ば、略直方体の凸部であってもよいし、先端が太い凸部であってもよい。基板700の凸
部の上には、ゲート絶縁膜754が設けられ、その上には、ゲート電極756及び側壁絶
縁層755が設けられている。基板700には、ソース領域又はドレイン領域として機能
する不純物領域751と、LDD領域やエクステンション領域として機能する不純物領域
752と、チャネル領域753が形成されている。なお、ここでは、基板700が、凸部
を有する例を示したが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されない。例え
ば、SOI基板を加工して、凸部を有する半導体領域を形成しても構わない。
る。
図4に示した半導体装置1200は、バッテリー740がトランジスタ730の下に設け
られている点で、図2の半導体装置1000と相違する。
るプラグ及び配線と、バッテリー740に接続されるプラグ及び配線を同時に作製するこ
とができ、工程を簡略化することができる。また、バッテリー740を作製する際に、プ
ラグ701または配線702が破壊される程の高温処理が必要な場合は、バッテリー74
0を形成してから、プラグ701及び配線702を形成する必要がある。その場合、図4
のように、トランジスタ720とバッテリー740を同一の階層に設ける方が好ましい。
が、バッテリー740を先に形成してから、トランジスタ720を形成してもよい。特に
、バッテリー740を形成する際に、トランジスタ720が破壊される程の高温処理が必
要な場合は、先にバッテリー740を形成してから、トランジスタ720を形成した方が
好ましい。
る。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1で示したバッテリーの詳細及び構成例について、図を用
いて詳述する。
図5(A)は、バッテリー100の上面図であり、図5(A)における一点鎖線X−Yに
おける断面図を図5(B)に示す。なお、図5(A)では、図の明瞭化のために一部の要
素を拡大、縮小、または省略して図示している。
極集電体層102と、正極集電体層102上に形成された正極活物質層103と、正極活
物質層103上に形成された固体電解質層104と、固体電解質層104上に形成された
負極活物質層105と、負極活物質層105上に形成された負極集電体層106と、を有
し、正極集電体層102及び正極活物質層103は正極として機能し、負極集電体層10
6及び負極活物質層105は負極として機能する。さらに、負極集電体層106上に、絶
縁膜107が成膜され、絶縁膜107の開口部には、配線108が形成され、配線108
は、正極集電体層102又は負極集電体層106と電気的に接続されている。
電解質層104と負極活物質層105の界面に、リチウム層が形成されていてもよい。こ
のリチウム層は、バッテリー100において、キャリアとなるリチウムを正極活物質層ま
たは負極活物質層へ供給する(プレドープともいう。)ための層である。なお、上記リチ
ウム層は、被形成面全てに形成されていてもよい。また、リチウム層と接して、銅層また
はニッケル層が形成されてもよい。該銅層またはニッケル層の形状は、リチウム層と略同
一であればよい。該銅層またはニッケル層は、リチウム層から、正極活物質層または負極
活物質層へリチウムのプレドープを行う際に、集電体として機能することができる。
物質層へドープされてもよいし、リチウム層が残っていてもよい。このようにプレドープ
後もリチウム層が残っていることによって、その後、バッテリーの充放電による不可逆容
量で消失したリチウムを補充するために用いることができる。
い。
6は、スパッタリング法、CVD法、ナノインプリント法、蒸着法などにより形成するこ
とができる。スパッタリング法を用いた場合、RFではなくDC電源を用いて成膜するこ
とが好ましい。DC電源を用いたスパッタリング法は、成膜レートが大きく、そのためタ
クトが短くなり、好ましい。正極集電体層102、正極活物質層103、負極活物質層1
05および負極集電体層106の膜厚は、例えば100nm以上100μm以下とすれば
よい。
(Pt)の一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。また、上記金属の合金
またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、単層または積層で用いてもよい。
ニッケル酸リチウムおよび酸化バナジウムの一種以上を選択して、単層または積層で用い
ればよい。
きる。リチウム含有複合リン酸塩(一般式LiMPO4(Mは、Fe(II)、Mn(I
I)、Co(II)、Ni(II)の一以上))の代表例としては、LiFePO4、L
iNiPO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiFeaNibPO4、LiFea
CobPO4、LiFeaMnbPO4、LiNiaCobPO4、LiNiaMnbP
O4(a+bは1以下、0<a<1、0<b<1)、LiFecNidCoePO4、L
iFecNidMnePO4、LiNicCodMnePO4(c+d+eは1以下、0
<c<1、0<d<1、0<e<1)、LiFefNigCohMniPO4(f+g+
h+iは1以下、0<f<1、0<g<1、0<h<1、0<i<1)等がある。
体電解質を用いる。無機系固体電解質は、硫化物系固体電解質や酸化物系固体電解質を用
いることができる。
、Li10GeP2S12、Li3.25Ge0.25P0.75S4、Li2S−P2
S5、Li2S−GeS2、Li2S−SiS2−Li3PO4、Li2S−SiS2−
Ga2S3、Li2S−SiS2−Li4SiO4、LiI−Li2S−P2S5、Li
I−Li2S−B2S3、LiI−Li2S−SiS2、等のリチウム複合硫化物材料が
挙げられる。
i1.07Al0.69Ti1.46(PO4)3、Li4SiO4−Li3BO3、L
i2.9PO3.3N0.46、Li3.6Si0.6P0.4O4、Li1.5Al0
.5Ge1.6(PO4)3、Li2O、Li2CO3、Li2MoO4、Li3PO4
、Li3VO4、Li4SiO4、LLT(La2/3−xLi3xTiO3)、LLZ
(Li7La3Zr2O12)等のリチウム複合酸化物および酸化リチウム材料が挙げら
れる。
)等の高分子系固体電解質を用いてもよい。さらに、上述した無機系固体電解質と高分子
系固体電解質を含む複合的な固体電解質を用いてもよい。
レータを設けてもよい。セパレータは、空孔が設けられた絶縁体を用いることが好ましい
。例えば、セルロース、ガラス繊維、セラミックス、或いはナイロン(ポリアミド)、ビ
ニロン(ポリビニルアルコール系繊維)、ポリエステル、アクリル、ポリオレフィン、ポ
リウレタンを用いた合成繊維等で形成されたものを用いることができる。
Sn)、アルミニウム(Al)、リチウム(Li)、チタン酸リチウム、ニオブ酸リチウ
ム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素の一種以上を選択して、単層または積層で用
いればよい。
u)、白金(Pt)およびニッケル(Ni)の一種以上を選択して、単層または積層で用
いればよい。また、上記金属の合金またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、
単層または積層で用いてもよい。
るための結着剤(バインダ)、を有してもよい。
は、例えば多糖類などを用いることができる。多糖類としては、カルボキシメチルセルロ
ース(CMC)、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース
およびジアセチルセルロース、再生セルロースなどのセルロース誘導体や、澱粉、などを
用いることができる。
・スチレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、エチレン・プロ
ピレン・ジエン共重合体などのゴム材料を用いることが好ましい。これらのゴム材料は、
前述の水溶性高分子と併用して用いると、さらに好ましい。
チル(PMMA)、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリ
エチレンオキシド(PEO)、ポリプロピレンオキシド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、
ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、イソブチレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ナイロン、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)、ポリアクリロニト
リル(PAN)、等の材料を用いることが好ましい。
の導電助剤等を有してもよい。
維などを用いることができる。炭素繊維としては、例えばメソフェーズピッチ系炭素繊維
、等方性ピッチ系炭素繊維等の炭素繊維を用いることができる。また炭素繊維として、カ
ーボンナノファイバーやカーボンナノチューブなどを用いることができる。カーボンナノ
チューブは、例えば気相成長法などで作製することができる。また、導電助剤として、例
えばカーボンブラック(アセチレンブラック(AB)など)又はグラフェンなどの炭素材
料を用いることができる。また、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金などの金
属粉末や金属繊維、導電性セラミックス材料等を用いることができる。
械的強度という優れた物理特性を有する。そのため、グラフェンを、導電助剤として用い
ることにより、活物質同士の接触点や、接触面積を増大させることができる。
の多層グラフェンを含む。単層グラフェンとは、π結合を有する1原子層の炭素分子のシ
ートのことをいう。また、酸化グラフェンとは、上記グラフェンが酸化された化合物のこ
とをいう。なお、酸化グラフェンを還元してグラフェンを形成する場合、酸化グラフェン
に含まれる酸素は全て脱離されずに、一部の酸素はグラフェンに残存する。グラフェンに
酸素が含まれる場合、酸素の割合は、XPS(X線光電子分光法)で測定した場合にグラ
フェン全体の2%以上20%以下、好ましくは3%以上15%以下である。
い。
。つまり、下から順に、負極集電体層106、負極活物質層105、固体電解質層104
、正極活物質層103、正極集電体層102を作製してもよい。
100の容量を計算すると、およそ60μAh/cm2の容量が得られる。
00の容量を計算すると、およそ70μAh/cm2の容量が得られる。
100の容量を計算すると、およそ60μAh/cm2の容量が得られる。
質の理論容量値(LiFePO4は170mAh/g、LiCoO2は137mAh/g
、LiMn2O4は148mAh/g)を用いて計算を行った。
ッテリー100の面積及び容量を決定すればよい。例えば、正極活物質層103にLiF
ePO4を用いた場合、上記計算結果を用いると、バッテリー100の面積(正極活物質
層103と負極活物質層105が重なる部分の面積)を、1cm2以上、100cm2以
下に収めることで、バッテリー100の容量を60μAh以上、6mAh以下にすること
ができる。
のバッテリー100を、直列および/または並列に接続してもよい。特に、積層された複
数のバッテリー100を直列および/または並列に接続することで、バッテリーのエネル
ギー密度を大きくし、且つ占有面積を小さくできるので好ましい。
図6に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図6(A)は、バッテリー
120の上面図であり、図6(A)における一点鎖線X−Yにおける断面図を、図6(B
)に示す。なお、図6(A)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または
省略して図示している。
形成された正極集電体層102および負極集電体層106と、正極集電体層102上の正
極活物質層103と、負極集電体層106上の負極活物質層105と、少なくとも正極活
物質層103および負極活物質層105と接する固体電解質層104と、を有し、正極集
電体層102および正極活物質層103は正極として機能し、負極集電体層106および
負極活物質層105は負極として機能する。さらに、固体電解質層104上に絶縁膜10
7が形成され、絶縁膜107の開口部には配線108が形成され、配線108は、正極集
電体層102または負極集電体層106に、電気的に接続されている。
、図6(B)のXY方向に正極と負極が存在する点で、図5のバッテリー100と異なる
。バッテリー120を図6(B)に示す構成にすることで、正極と負極の間にある一定の
距離を設けることが可能になり、正極と負極の短絡を防ぐことができる。
を参照すればよい。
に形成してもよい。正極と負極の集電体層を同一材料で同時に形成することで、製造工程
を簡略化することができる。
図7に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図7(A)は、バッテリー
130の上面図であり、図7(A)における一点鎖線X−Yにおける断面図を、図7(B
)に示す。なお、図7(A)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または
省略して図示している。
形成された正極集電体層102および負極集電体層106と、正極集電体層102上に形
成された正極活物質層103と、正極活物質層103、絶縁膜101及び負極集電体層1
06の上に形成された固体電解質層104と、固体電解質層104を介して正極活物質層
103の一部と重なり、固体電解質層104及び負極集電体層106上に形成された負極
活物質層105と、を有し、正極集電体層102および正極活物質層103は正極として
機能し、負極集電体層106および負極活物質層105は負極として機能する。さらに、
負極活物質層105上に絶縁膜107が形成され、絶縁膜107の開口部には配線108
が形成され、配線108は、正極集電体層102または負極集電体層106と、電気的に
接続されている。
に形成されている点で、図6(B)に示すバッテリー120と異なる。バッテリー130
を図7(B)に示す構成にすることで、短絡を防ぐために正極集電体層102と負極集電
体層106との間に、ある一定の距離を設けることができ、イオンの移動を効率よく行う
ために、正極活物質層103と負極活物質層105の距離を近づけることができる。
を参照すればよい。
電体層102と負極集電体層106の位置関係、及び正極活物質層103と負極活物質層
105の位置関係を入れ替えても良い。
してもよい。正極と負極の集電体層を同一工程で形成することで、製造工程を簡略化する
ことができる。
図8に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図8(A)は、バッテリー
140の断面図である。
極集電体層102と、正極集電体層102上に形成された正極活物質層103と、正極活
物質層103上に形成された固体電解質層104と、固体電解質層104上に形成された
絶縁膜110と、固体電解質層104および絶縁膜110上に形成された負極活物質層1
05と、負極活物質層105上に形成された負極集電体層106と、を有し、正極集電体
層102及び正極活物質層103は正極として機能し、負極集電体層106及び負極活物
質層105は負極として機能する。さらに、負極集電体層106の上に、絶縁膜107が
形成されている。また、図示されていないが、正極集電体層102及び負極集電体層10
6は、配線を介して外部の装置に電気的に接続されている。
に、絶縁膜110が存在する領域を有する。絶縁膜110は、正極と負極の短絡を防ぐ機
能を有する。
しては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エ
ポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化
シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜110の作製が容易となる
ため、特に感光性の樹脂を用いることが好ましい。絶縁膜110の形成方法は、特に限定
されず、例えば、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェ
ット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いればよい。
参照すればよい。
110を形成してもよい。
えてもよい。つまり、下から順に、負極集電体層106、負極活物質層105、固体電解
質層104、正極活物質層103、正極集電体層102を作製してもよい。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1で示した酸化物半導体トランジスタついて図を用いて説
明する。なお、本実施の形態に示す酸化物半導体トランジスタは一例であり、本発明に用
いることができるトランジスタの形状はこれに限定されない。
図9(A)乃至図9(D)は、トランジスタ600の上面図および断面図である。図9(
A)は上面図であり、図9(A)に示す一点鎖線Y1−Y2方向の断面が図9(B)に相
当し、図9(A)に示す一点鎖線X1−X2方向の断面が図9(C)に相当し、図9(A
)に示す一点鎖線X3−X4方向の断面が図9(D)に相当する。なお、図9(A)乃至
図9(D)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示して
いる。また、一点鎖線Y1−Y2方向をチャネル長方向、一点鎖線X1−X2方向をチャ
ネル幅方向と呼称する場合がある。
ジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域
、またはチャネルが形成される領域における、ソース(ソース領域またはソース電極)と
ドレイン(ドレイン領域またはドレイン電極)との間の距離をいう。なお、一つのトラン
ジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのト
ランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では
、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値
または平均値とする。
電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域にお
ける、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジ
スタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのト
ランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では
、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値
または平均値とする。
ル幅(以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。)と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅(以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。)と、が異なる場合がある。例えば、
立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図
において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる
場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に
形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合
が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よ
りも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積
もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状
が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャ
ネル幅を、「囲い込みチャネル幅(SCW:Surrounded Channel W
idth)」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合に
は、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細
書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。な
お、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチ
ャネル幅などは、断面TEM像などを取得して、その画像を解析することなどによって、
値を決定することができる。
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
体661、酸化物半導体662の順で形成された積層と、該積層の一部と電気的に接続す
るソース電極671およびドレイン電極672と、該積層の一部、ソース電極671の一
部、およびドレイン電極672の一部を覆う酸化物半導体663と、該積層の一部、ソー
ス電極671の一部、ドレイン電極672の一部、酸化物半導体663と重なるゲート絶
縁膜653およびゲート電極673と、ソース電極671およびドレイン電極672、な
らびにゲート電極673上の絶縁膜654と、絶縁膜654上の絶縁膜655を有する。
なお、酸化物半導体661、酸化物半導体662および酸化物半導体663をまとめて、
酸化物半導体660と呼称する。
は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体層
の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)に設けられて
いる。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)と、接触し
ている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の、少なくと
も一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)など
の半導体層の少なくとも一部(又は全部)と、接触している。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)と、電気的
に接続されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の
、少なくとも一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体6
61)などの半導体層の一部(又は全部)と、電気的に接続されている。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)に、近接し
て配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の
、少なくとも一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体6
61)などの半導体層の一部(又は全部)に、近接して配置されている。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)の横側に配
置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の、少
なくとも一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661
)などの半導体層の一部(又は全部)の横側に配置されている。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)の斜め上側
に配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の
、少なくとも一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体6
61)などの半導体層の一部(又は全部)の斜め上側に配置されている。
又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661)などの半導体
層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)の上側に配
置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)の、少
なくとも一部(又は全部)は、酸化物半導体662(および/又は、酸化物半導体661
)などの半導体層の一部(又は全部)の上側に配置されている。
採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることが
ある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れ替
えて用いることができるものとする。
くはチャネル長が20nm 以上500nm以下、より好ましくはチャネル長が30nm
以上300nm以下のトップゲート型構造である。
基板640は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された
基板であってもよい。この場合、トランジスタ600のゲート電極673、ソース電極6
71、およびドレイン電極672の一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されてい
てもよい。
絶縁膜652は、基板640からの不純物の拡散を防止する役割を有するほか、酸化物半
導体660に酸素を供給する役割を担うことができる。したがって、絶縁膜652は酸素
を含むことが好ましく、化学量論組成よりも多い酸素を含むことがより好ましい。例えば
、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)法にて
、酸素原子に換算しての酸素の放出量が1.0×1019atoms/cm3以上である
膜とする。なお、上記TDS分析時における膜の表面温度としては100℃以上700℃
以下、または100℃以上500℃以下の範囲が好ましい。また、上述のように基板64
0が他のデバイスが形成された基板である場合、絶縁膜652は、表面が平坦になるよう
にCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等で平坦
化処理を行うことが好ましい。
リコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化
ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの
酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶
縁膜、または上記材料を混合した膜を用いて形成することができる。
酸化物半導体660は、代表的には、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物、In−M−
Zn酸化物(Mは、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)がある
。とくに、酸化物半導体660としては、In−M−Zn酸化物(Mは、Ti、Ga、Y
、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)を用いると好ましい。
660は、例えば、Zn−Sn酸化物、Ga−Sn酸化物であっても構わない。
、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)の場合、In−M−Zn酸化物
を成膜するために用いるターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満た
すことが好ましい。このようなターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn
=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:
M:Zn=2:1:3が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体660の原子数比はそ
れぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプ
ラスマイナス40%の変動を含む。
り構成される酸化物半導体660の機能およびその効果について、図10(B)に示すエ
ネルギーバンド構造図を用いて説明する。図10(A)は、図9(B)に示すトランジス
タ600のチャネル領域を拡大した図で、図10(B)は、図10(A)にA1−A2の
鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。また、図10(B)は、トラン
ジスタ600のチャネル領域のエネルギーバンド構造を示している。
れぞれ、絶縁膜652、酸化物半導体661、酸化物半導体662、酸化物半導体663
、ゲート絶縁膜653の伝導帯下端のエネルギーを示している。
空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差(イオン化ポテンシャルともいう。)からエネ
ルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ(
HORIBA JOBIN YVON社 UT−300)を用いて測定できる。また、真
空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析(UPS:Ultrav
iolet Photoelectron Spectroscopy)装置(PHI社
VersaProbe)を用いて測定できる。
成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約4
.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:3:4のスパッタリングター
ゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.4eV、
電子親和力は約4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:3:6のス
パッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップ
は約3.3eV、電子親和力は約4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn
=1:6:2のスパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエ
ネルギーギャップは約3.9eV、電子親和力は約4.3eVである。また、原子数比が
In:Ga:Zn=1:6:8のスパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga
−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約4.4eVである。
また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:6:10のスパッタリングターゲットを用いて
形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約
4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:1:1のスパッタリングタ
ーゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.2eV
、電子親和力は約4.7eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=3:1:2の
スパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャッ
プは約2.8eV、電子親和力は約5.0eVである。
c661、Ec662、およびEc663よりも真空準位に近い(電子親和力が小さい)
。
c662よりも0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上または0.15e
V以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下または0.4eV以下真空準位に
近いことが好ましい。
c662よりも0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上または0.15e
V以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下または0.4eV以下真空準位に
近いことが好ましい。
62と酸化物半導体663との界面近傍では、混合領域が形成されるため、伝導帯下端の
エネルギーは連続的に変化する。即ち、これらの界面において、準位は存在しないか、ほ
とんどない。
2を主として移動することになる。そのため、酸化物半導体661と絶縁膜652との界
面、または、酸化物半導体663とゲート絶縁膜653との界面に準位が存在したとして
も、当該準位は電子の移動にほとんど影響しない。また、酸化物半導体661と酸化物半
導体662との界面、および酸化物半導体663と酸化物半導体662との界面に準位が
存在しないか、ほとんどないため、当該領域において電子の移動を阻害することもない。
従って、上記酸化物半導体の積層構造を有するトランジスタ600は、高い電界効果移動
度を実現することができる。
半導体663とゲート絶縁膜653の界面近傍には、不純物や欠陥に起因したトラップ準
位Et600が形成され得るものの、酸化物半導体661、および酸化物半導体663が
あることにより、酸化物半導体662と当該トラップ準位とを遠ざけることができる。
半導体662の上面と側面が酸化物半導体663と接し、酸化物半導体662の下面が酸
化物半導体661と接して形成されている(図9(C)参照)。このように、酸化物半導
体662を酸化物半導体661と酸化物半導体663で覆う構成とすることで、上記トラ
ップ準位の影響をさらに低減することができる。
化物半導体662の電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位に達することがある。ト
ラップ準位に電子が捕獲されることで、絶縁膜の界面にマイナスの固定電荷が生じ、トラ
ンジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。
.1eV以上、好ましくは0.15eV以上とすると、トランジスタのしきい値電圧の変
動が低減され、トランジスタの電気特性を良好なものとすることができるため、好ましい
。
体662のバンドギャップよりも広いほうが好ましい。
Y、Zr、Sn、La、CeまたはHfを酸化物半導体662よりも高い原子数比で含む
材料を用いることができる。具体的には、当該原子数比を1.5倍以上、好ましくは2倍
以上、さらに好ましくは3倍以上とする。前述の元素は酸素と強く結合するため、酸素欠
損が酸化物半導体に生じることを抑制する機能を有する。すなわち、酸化物半導体661
および酸化物半導体663は、酸化物半導体662よりも酸素欠損が生じにくいというこ
とができる。
ンジウム、亜鉛およびM(Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ceまたは
Hf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物であるとき、酸化物半導体661をIn:M
:Zn=x1:y1:z1[原子数比]、酸化物半導体662をIn:M:Zn=x2:
y2:z2[原子数比]、酸化物半導体663をIn:M:Zn=x3:y3:z3[原
子数比]とすると、y1/x1およびy3/x3がy2/x2よりも大きくなることが好
ましい。y1/x1およびy3/x3はy2/x2よりも1.5倍以上、好ましくは2倍
以上、さらに好ましくは3倍以上とする。このとき、酸化物半導体662において、y2
がx2以上であるとトランジスタの電気特性を安定させることができる。ただし、y2が
x2の3倍以上になると、トランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、y2は
x2の3倍未満であることが好ましい。
原子数比率は、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomic%以上
、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic%以上とする
。また、酸化物半導体662のZnおよびOを除いてのInおよびMの原子数比率は、好
ましくはInが25atomic%以上、Mが75atomic%未満、さらに好ましく
はInが34atomic%以上、Mが66atomic%未満とする。
ましくは3nm以上50nm以下とする。また、酸化物半導体662の厚さは、3nm以
上200nm以下、好ましくは3nm以上100nm以下、さらに好ましくは3nm以上
50nm以下とする。また、酸化物半導体662は、酸化物半導体661および酸化物半
導体663より厚い方が好ましい。
は、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にす
ることが有効である。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体のキャリア密度が、1×
1017/cm3未満であること、好ましくは1×1015/cm3未満であること、さ
らに好ましくは1×1013/cm3未満であることを指す。
素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度
を増大させてしまう。また、シリコンは酸化物半導体中で不純物準位の形成に寄与する。
当該不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。し
たがって、酸化物半導体661、酸化物半導体662および酸化物半導体663の層中や
、それぞれの界面において不純物濃度を低減させることが好ましい。
、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、シリコ
ン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/c
m3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とする。また、水素濃
度は、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域にお
いて、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm
3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1
018atoms/cm3以下とする。また、窒素濃度は、例えば、酸化物半導体のある
深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、5×1019atoms/c
m3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×101
8atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とす
る。
導体の結晶性を低下させることがある。酸化物半導体の結晶性を低下させないためには、
例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、
シリコン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atom
s/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とする部分を有
していればよい。また、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導
体のある領域において、炭素濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5
×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3
未満とする部分を有していればよい。
オフ電流は極めて小さい。例えば、ソースとドレインとの間の電圧を0.1V、5V、ま
たは、10V程度とした場合に、トランジスタのチャネル幅で規格化したオフ電流を数y
A/μmから数zA/μmにまで低減することが可能となる。
電気的に取り囲むようにゲート電極673が形成されているため、酸化物半導体660に
対しては垂直方向からのゲート電界に加えて、側面方向からのゲート電界が印加される(
図9(C)参照)。すなわち、酸化物半導体の全体的にゲート電界が印加させることとな
り、電流はチャネルとなる酸化物半導体662全体に流れるようになり、さらにオン電流
を高められる。
次に、酸化物半導体膜の構造について説明する。
配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、
「略平行」とは、二つの直線が−30°以上30°以下の角度で配置されている状態をい
う。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている
状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」と
は、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
。
たは、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられ
る。
Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物
半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導
体としては、単結晶酸化物半導体、CAAC−OS、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物
半導体などがある。
scope)によって、CAAC−OS膜の明視野像および回折パターンの複合解析像(
高分解能TEM像ともいう。)を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能TEM像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバ
ウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAAC−OS膜は、結
晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、
CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映した
形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
ると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認で
きる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS膜
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
の変動が小さい。
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜
に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下、または1nm以上10nm以下の大き
さであることが多い。特に、1nm以上10nm以下、または1nm以上3nm以下の微
結晶であるナノ結晶(nc:nanocrystal)を有する酸化物半導体膜を、nc
−OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)
膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確
認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、nc−OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXR
D装置を用いて構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子回折(制限視野電子回折ともいう。)を
行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OS膜に対し
、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子
回折を行うと、スポットが観測される。また、nc−OS膜に対しナノビーム電子回折を
行うと、円を描くように(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
nc−OS膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが
観測される場合がある。
ため、nc−OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc−OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−O
S膜は、CAAC−OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
lane法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが
観測される。
を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化
物半導体(a−like OS:amorphous−like Oxide Semi
conductor)膜と呼ぶ。
る場合がある。また、高分解能TEM像において、明確に結晶部を確認することのできる
領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。a−like OS膜は、
TEMによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見ら
れる場合がある。一方、良質なnc−OS膜であれば、TEMによる観察程度の微量な電
子照射による結晶化はほとんど見られない。
EM像を用いて行うことができる。例えば、InGaZnO4の結晶は層状構造を有し、
In−O層の間に、Ga−Zn−O層を2層有する。InGaZnO4の結晶の単位格子
は、In−O層を3層有し、またGa−Zn−O層を6層有する、計9層がc軸方向に層
状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、(009)面の
格子面間隔(d値ともいう。)と同程度であり、結晶構造解析からその値は0.29nm
と求められている。そのため、高分解能TEM像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が0.28nm以上0.30nm以下である箇所においては、それぞれの格子縞がInG
aZnO4の結晶のa−b面に対応する。
体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、
その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、a−
like OS膜の密度は78.6%以上92.3%未満となる。また、例えば、単結晶
の密度に対し、nc−OS膜の密度およびCAAC−OS膜の密度は92.3%以上10
0%未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が78%未満となる酸化物半導体膜は、
成膜すること自体が困難である。
数比]を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶InGaZnO4
の密度は6.357g/cm3となる。よって、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1
[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、a−like OS膜の密度は5.0g
/cm3以上5.9g/cm3未満となる。また、例えば、In:Ga:Zn=1:1:
1[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、nc−OS膜の密度およびCAAC−
OS膜の密度は5.9g/cm3以上6.3g/cm3未満となる。
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
晶酸化物半導体膜、CAAC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
とが好ましい。
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素、および窒素など)
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
レーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を100℃以上740℃以下、好ましく
は200℃以上500℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平
板状又はペレット状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーシ
ョンが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100体
積%とする。
後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn−G
a−Zn系酸化物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは任意の正数である。ここで
、所定のmol数比は、例えば、InOX粉末、GaOY粉末およびZnOZ粉末が、2
:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3、1:4:4、3:1:2
または2:1:3である。なお、粉末の種類、およびその混合するmol数比は、作製す
るターゲットによって適宜変更すればよい。
ゲート電極673は、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)
、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)
、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(
Co)、ルテニウム(Ru)から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金
、または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、
ゲート電極673は、一層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコ
ンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、
窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層
する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する
二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタ
ン膜を形成する三層構造、Cu−Mn合金膜の単層構造、Cu−Mn合金膜上にCu膜を
積層する二層構造、Cu−Mn合金膜上にCu膜を積層し、さらにその上にCu−Mn合
金膜を積層する三層構造等がある。特にCu−Mn合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸
素を含む絶縁膜との界面に酸化マンガンを形成し、Cuの拡散を防ぐことができるため好
ましい。
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添
加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また
、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
ゲート絶縁膜653には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒
化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化
イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび
酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、ゲート絶縁膜653は
上記材料の積層であってもよい。なお、ゲート絶縁膜653に、ランタン(La)、窒素
、ジルコニウム(Zr)などを、不純物として含んでいてもよい。
例えば、酸素、窒素、シリコン、ハフニウムなどを有する。具体的には、酸化ハフニウム
、および酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含むと好ましい。
て、等価酸化膜厚に対して物理的な膜厚を大きくできるため、等価酸化膜厚を10nm以
下または5nm以下とした場合でも、トンネル電流によるリーク電流を小さくすることが
できる。即ち、オフ電流の小さいトランジスタを実現することができる。さらに、結晶構
造を有する酸化ハフニウムは、非晶質構造を有する酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率
を備える。したがって、オフ電流の小さいトランジスタとするためには、結晶構造を有す
る酸化ハフニウムを用いることが好ましい。結晶構造の例としては、単斜晶系や立方晶系
などが挙げられる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。
ソース電極671およびドレイン電極672は、ゲート電極673と同様の材料で作製す
ることができる。特にCu−Mn合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸化物半導体660
との界面に酸化マンガンを形成し、Cuの拡散を防ぐことができるため好ましい。
絶縁膜654は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングで
きる機能を有する。絶縁膜654を設けることで、酸化物半導体660からの酸素の外部
への拡散と、外部から酸化物半導体660への水素、水等の入り込みを防ぐことができる
。絶縁膜654としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜
としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム
等がある。なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効
果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化
物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜と
しては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、
酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等があ
る。
せない遮断効果が高いので絶縁膜654に適用するのに好ましい。したがって、酸化アル
ミニウム膜は、トランジスタの作製工程中および作製後において、トランジスタの電気特
性の変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体660への混入防止、酸化物
半導体660を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体からの放出防止、絶縁膜6
52からの酸素の不必要な放出防止の効果を有する保護膜として用いることに適している
。また、酸化アルミニウム膜に含まれる酸素を酸化物半導体中に拡散させることもできる
。
また、絶縁膜654上には絶縁膜655が形成されていることが好ましい。当該絶縁膜に
は、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリ
コン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラ
ンタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用い
ることができる。また、当該絶縁膜は上記材料の積層であってもよい。
なお、図9において、トランジスタ600が1つのゲート電極を有する例を示したが、本
発明の一態様は、これに限定されない。トランジスタに複数のゲート電極が設けられてい
てもよい。一例として、トランジスタ600に、第2のゲート電極として導電膜674が
設けられている例を、図11(A)乃至図11(D)に示す。図11(A)は上面図であ
り、図11(A)に示す一点鎖線Y1−Y2方向の断面が図11(B)に相当し、図11
(A)に示す一点鎖線X1−X2方向の断面が図11(C)に相当し、図11(A)に示
す一点鎖線X3−X4方向の断面が図11(D)に相当する。なお、図11(A)乃至図
11(D)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示して
いる。
2のゲート電極としての機能を有する。なお、導電膜674は、ゲート電極673と同じ
電位が与えられてもよいし、異なる電位が与えられてもよい。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図12を用いて説明を行う。
5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、操作キー500
5(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子5006、センサ5007(力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン5008、等を有することがで
きる。
赤外線ポート5010、等を有することができる。図12(B)は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置(たとえば、DVD再生装置)であり、上述したものの他に、第2表示
部5002、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図12(C)はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第2表示部5002、支持部5012、
イヤホン5013、等を有することができる。図12(D)は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図12(E)はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ5014、シャ
ッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。図12(F)は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、
等を有することができる。
えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチ
パネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プロ
グラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコン
ピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受
信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表
示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器において
は、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を
表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画
像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器において
は、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正
する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカメラに内蔵)に保存する機能、撮影した
画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図12(A)乃至図12
(F)に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有
することができる。
線受信部を有することを特徴とする。
テナから電子機器5100に電力供給できるようにする。電子機器5100は複数のバッ
テリーを有しており、そのうちの少なくとも一つが無線充電によって充電される。ハンド
ル5103に電子機器5100を固定できるような治具を設けてもよい。ハンドル510
3に電子機器5100を固定すれば、ハンドフリーで電話、またはテレビ電話をかけるこ
ともできる。また、電子機器5100に設けたマイクで音声認証し、操縦者の音声によっ
て車を操縦することもできる。
とができる。また、車の表示部5101に表示していない情報、例えばエンジン回転数、
ハンドル角度、温度、タイヤ空気圧などを表示部5102に表示させてもよい。表示部5
102はタッチ入力機能を有する。また、車外を撮影する1つまたは複数のカメラを用い
て車外の様子を表示部5102に表示させることもでき、例えばバックモニターとしても
用いることができる。また、居眠り運転を防止するために、車から走行速度などの情報を
無線で受信し、走行速度をモニタリングしながら走行時は、電子機器5100から運転手
を撮影し、目を閉じている状態が長いと電子機器5100を振動させる、または、警告音
や、音楽が流れるようにする設定などを運転手が適宜選択できる。また、車の停止時には
運転手の撮影を停止して省電力を図り、さらに停止中には無線で電子機器5100のバッ
テリーを充電することができるようにしてもよい。
、そのいろいろな機能を持たせるために多くのセンサや、複数のアンテナが内蔵されるこ
とが望まれる。車などの移動体は、電源を有しているが制限があり、移動体を駆動させる
電力などを考慮すると、電子機器5100に使用する電力はなるべく少なく抑えることが
好ましく、特に電気自動車などは電子機器5100が使用する消費電力によって走行距離
が短くなる恐れがある。電子機器5100にいろいろな機能を持たせても同時に全ての機
能を使用することは少なく、必要に応じて1つの機能または2つの機能だけ使用すること
が多い。機能ごとにバッテリーを用意し、複数のバッテリーを有する電子機器5100に
いろいろな機能を持たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に
対応するバッテリーから電力を供給することで省電力化が図れる。さらに、複数のバッテ
リーのうち、停止している機能に対応するバッテリーは、車に設けたアンテナから無線充
電することができる。
どの機内においては個人の情報端末を使用できる時間などが制限されることもあり、長時
間のフライトである場合には飛行機に備え付けの情報端末が使用できることが望まれる。
おり、通信機能により現在の飛行位置や、残りの到着時間などをリアルタイムに取得でき
る情報端末である。また、表示部5202はタッチ入力機能を有する。
0と重なる位置にアンテナ設置部5203を設け、はめ込んでいる間は無線充電できるよ
うにする。また、電子機器5200は、使用者が体調不良などを乗務員に連絡したい場合
の電話や連絡ツールとしても機能させることができる。電子機器5200に翻訳機能など
を持たせておけば、乗務員とは言語の異なる乗員であっても電子機器5200の表示部5
202を用いてコミュニケーションをとることができる。また、隣り合った言語の異なる
乗員同士でも電子機器5200の表示部5202を用いてコミュニケーションをとること
ができる。また、例えば、乗員が寝ている間、表示部5202に「起こさないでください
」と英語表示させ続ける、など伝言板としても機能させることもできる。
機器であり、使用したい機能だけをオン状態とし、使用していない機能をオフ状態とし、
省電力化が図れる。さらに、複数のバッテリーのうち、停止している機能に対応するバッ
テリーは、アンテナ設置部5203から無線充電することができる。
る電子機器5200は、安全性が高く、例え一つのバッテリーが爆発したとしてもサイズ
が小さいため、被害を最小限に抑えることができる。また、故障、爆発、または破壊によ
って、一つのバッテリーが使えなくなっても他のバッテリーを用いることで電子機器52
00が有する機能の一部は使用できる。
00の複数のバッテリーを非常用に使用できるように設計してもよい。複数のシートにそ
れぞれある電子機器5200は全て同じ製品であり、同じ設計であるため、非常用電源と
して直列接続できるようにシステムを構築してもよい。
リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタ、電気二重層キャパシタ、レドック
スキャパシタのいずれか一、または複数種用いることができる。
できる。
本実施の形態では、本発明の一態様である人工臓器の例を示す。
制御回路と、アンテナ5304と、右心房へのワイヤ5302、右心室へのワイヤ530
3とを少なくとも有している。
静脈5305及び上大静脈5306を通過させて一方のワイヤ先端が右心室、もう一方の
ワイヤ先端が右心房に設置されるようにする。
301bに充電され、ペースメーカの交換頻度を少なくすることができる。ペースメーカ
本体5300は複数のバッテリーを有しているため、安全性が高く、一方が故障したとし
てももう一方が機能させることができるため、補助電源としても機能する。また、ペース
メーカに設けるバッテリーをさらに複数に分けて薄型のバッテリーとすれば、CPUなど
を含む制御回路が設けられているプリント基板に搭載し、ペースメーカ本体5300の小
型化や、ペースメーカ本体5300の厚さを薄くすることができる。
していてもよく、例えば、脈拍、呼吸数、心拍数、体温などの生理信号を外部のモニタ装
置で確認できるような心臓活動を監視するシステムを構成してもよい。
込んだ場所に生じる凸部を目立たない大きさにすることができる。
る場合がある。
人工臓器として人工内耳がある。人工内耳は音を電気信号に変え、蝸牛の中に入れた刺激
装置で聴神経を直接刺激する装置である。
1の装置へ送る第2の装置とで構成される。第1の装置と第2の装置は電気的には接続さ
れておらず、ワイヤレスで送受信するシステムである。第1の装置は、音を変換した電気
信号を受信するアンテナと、蝸牛に達するワイヤとを少なくとも有している。また、第2
の装置は、音を電気信号に変換するための音声処理部と、その電気信号を第1の装置に送
信する送信回路とを少なくとも有している。
人工内耳の小型化を図ることができる。
じる凸部を目立たない大きさにすることができる。
できる。
本実施の形態では、本発明の一態様であるウェアラブルな電子機器の例を示す。
置させることで、電子機器の設計の自由度を上げることができる。図15(A)に示すよ
うに電子機器5400は、円筒形であり、人体に装着するためには、1つのバッテリーよ
りも複数のバッテリーに分けて適宜配置することで重量感を緩和させることができる。ま
た、多くの機能を持たせると、待機時のバッテリーの消費が多くなるため、機能ごとにバ
ッテリーを用意する。複数のバッテリーを有する電子機器5400にいろいろな機能を持
たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に対応するバッテリー
から電力を供給することで省電力化が図れる。
から装着している。服5401としては、軍服、防護服、スーツ、制服、宇宙服などの袖
のある服が挙げられる。装着する方法としては特に限定されないが、上腕部に重なる服に
縫製加工によって縫い付ける方式や、上腕部に重なる服にマジックテープ(登録商標)な
どを設けて電子機器5400を貼り付ける方式、バンドや留め金などで固定する方式、帯
状の板バネで巻きつける方式などがある。
、無線充電を行っている場合の斜視図を図15(B)に示す。図15(B)では、上腕5
402に電子機器5400を装着している。皮膚に接するため、電子機器5400の肌に
触れる表面は、肌に優しいフィルムや、皮革、紙、布などの天然素材を用いることが好ま
しい。また、5412は、電力送信装置であり、電子機器5400に電波5413を用い
て無線で充電を行うことができる。また、電子機器5400は、電力だけでなく、その他
の情報も送受信できるアンテナや回路を設けることで、その他の情報も送受信できる。例
えば、電子機器5400をスマートフォンのように用いることもできる。
できる。
11 CPU
12 バッテリー
13 レギュレータ
14 無線受信部
15 制御モジュール
16 表示部
17 バッテリー
18 レギュレータ
19 表示駆動回路
20 無線受信部
21 表示モジュール
22 通信回路
23 バッテリー
24 レギュレータ
25 無線受信部
26 通信モジュール
100 バッテリー
101 絶縁膜
102 正極集電体層
103 正極活物質層
104 固体電解質層
105 負極活物質層
106 負極集電体層
107 絶縁膜
108 配線
110 絶縁膜
120 バッテリー
130 バッテリー
140 バッテリー
600 トランジスタ
640 基板
652 絶縁膜
653 ゲート絶縁膜
654 絶縁膜
655 絶縁膜
660 酸化物半導体
661 酸化物半導体
662 酸化物半導体
663 酸化物半導体
671 ソース電極
672 ドレイン電極
673 ゲート電極
674 導電膜
700 基板
701 プラグ
702 配線
703 プラグ
704 プラグ
705 配線
706 プラグ
707 配線
720 トランジスタ
721 不純物領域
722 不純物領域
723 チャネル領域
724 ゲート絶縁膜
725 側壁絶縁層
726 ゲート電極
727 素子分離層
730 トランジスタ
731 絶縁膜
732 絶縁膜
740 バッテリー
741 絶縁膜
742 絶縁膜
750 トランジスタ
751 不純物領域
752 不純物領域
753 チャネル領域
754 ゲート絶縁膜
755 側壁絶縁層
756 ゲート電極
757 絶縁膜
761 絶縁膜
762 エアギャップ
763 絶縁膜
1000 半導体装置
1100 半導体装置
1200 半導体装置
1300 半導体装置
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5100 電子機器
5101 表示部
5102 表示部
5103 ハンドル
5200 電子機器
5201 シート
5202 表示部
5203 アンテナ設置部
5300 ペースメーカ本体
5301a バッテリー
5301b バッテリー
5302 ワイヤ
5303 ワイヤ
5304 アンテナ
5305 鎖骨下静脈
5306 上大静脈
5400 電子機器
5401 服
5402 上腕
5413 電波
Claims (2)
- 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上の第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタ上の二次バッテリーと、を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタと重なり、
前記二次バッテリーは、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと重なり、
前記第1のトランジスタのチャネル領域は、シリコンを含み、
前記第2のトランジスタのチャネル領域は、酸化物半導体を含み、
前記二次バッテリーは、固体電解質を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上の二次バッテリーと、前記二次バッテリー上の第2のトランジスタと、を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタと重なり、
前記第2のトランジスタは、前記二次バッテリーと重なり、
前記二次バッテリーは、前記第1のトランジスタとは重ならず、
前記第1のトランジスタのチャネル領域は、シリコンを含み、
前記第2のトランジスタのチャネル領域は、酸化物半導体を含み、
前記二次バッテリーは、固体電解質を有する半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014026312 | 2014-02-14 | ||
JP2014026312 | 2014-02-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015025932A Division JP6448400B2 (ja) | 2014-02-14 | 2015-02-13 | 電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019005251A Division JP2019091905A (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-16 | 電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019071430A true JP2019071430A (ja) | 2019-05-09 |
JP6726730B2 JP6726730B2 (ja) | 2020-07-22 |
Family
ID=53799641
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015025932A Expired - Fee Related JP6448400B2 (ja) | 2014-02-14 | 2015-02-13 | 電子機器 |
JP2018227348A Active JP6726730B2 (ja) | 2014-02-14 | 2018-12-04 | 半導体装置 |
JP2019005251A Withdrawn JP2019091905A (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-16 | 電子機器 |
JP2020154722A Withdrawn JP2021007018A (ja) | 2014-02-14 | 2020-09-15 | 電子機器 |
JP2021204563A Active JP7186852B2 (ja) | 2014-02-14 | 2021-12-16 | 電子機器 |
JP2022189847A Active JP7413490B2 (ja) | 2014-02-14 | 2022-11-29 | 電子機器 |
JP2023220437A Pending JP2024026556A (ja) | 2014-02-14 | 2023-12-27 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015025932A Expired - Fee Related JP6448400B2 (ja) | 2014-02-14 | 2015-02-13 | 電子機器 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019005251A Withdrawn JP2019091905A (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-16 | 電子機器 |
JP2020154722A Withdrawn JP2021007018A (ja) | 2014-02-14 | 2020-09-15 | 電子機器 |
JP2021204563A Active JP7186852B2 (ja) | 2014-02-14 | 2021-12-16 | 電子機器 |
JP2022189847A Active JP7413490B2 (ja) | 2014-02-14 | 2022-11-29 | 電子機器 |
JP2023220437A Pending JP2024026556A (ja) | 2014-02-14 | 2023-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10290908B2 (ja) |
JP (7) | JP6448400B2 (ja) |
WO (1) | WO2015121771A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1962408B1 (en) * | 2006-11-16 | 2015-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same |
DE102011086799A1 (de) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Robert Bosch Gmbh | System mit einem Handwerkzeugkoffer und einem Handwerkzeugakku |
US20170038795A1 (en) * | 2014-01-05 | 2017-02-09 | Vorbeck Materials Corp. | Coated leather articles and method of preparation |
US9711994B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its operation system |
US9595955B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including power storage elements and switches |
JP6553444B2 (ja) | 2014-08-08 | 2019-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10204898B2 (en) | 2014-08-08 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
CN109997224B (zh) * | 2016-12-27 | 2024-03-05 | 英特尔公司 | 非晶氧化物半导体存储器件 |
US10943169B2 (en) * | 2017-03-07 | 2021-03-09 | International Business Machines Corporation | Battery-based neural network weights |
KR102292645B1 (ko) * | 2017-03-09 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 소자 |
WO2019048981A1 (ja) | 2017-09-06 | 2019-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、バッテリーユニット、バッテリーモジュール |
JP6957310B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置およびcmosトランジスタ |
US10559463B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-02-11 | International Business Machines Corporation | Multi-state device based on ion trapping |
KR20210096212A (ko) | 2018-12-19 | 2021-08-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 이차 전지의 과방전 방지 회로 및 이차 전지 모듈 |
CN113675223B (zh) * | 2021-05-17 | 2023-06-20 | 松山湖材料实验室 | 一种光电突触器件及其应用 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106366A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-04-11 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 薄膜電池一体型素子及びその製造方法 |
JP2008009972A (ja) * | 2006-05-31 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置を具備するicラベル、icタグ、icカード |
JP2008181108A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2013236068A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2013254942A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP2014003280A (ja) * | 2012-04-20 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57109183A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Hitachi Ltd | Non-volatile memory |
CA2006788C (en) | 1988-12-29 | 1999-07-27 | Shigeaki Sano | Portable type data input terminal |
JP2759997B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1998-05-28 | トッパン・フォームズ株式会社 | 節電回路及び端末装置 |
JPH10112939A (ja) | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Nec Corp | 電源切替回路 |
JP2002049444A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Sony Corp | 情報処理装置 |
JP2003033420A (ja) | 2001-07-23 | 2003-02-04 | Michiko Wakui | 健康リング |
JP3708474B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JP2004045913A (ja) | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Nikon Corp | 電子機器システム、電子機器および着脱式外部表示装置 |
JP3989389B2 (ja) | 2003-03-14 | 2007-10-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 固体薄膜二次電池を内蔵する半導体装置 |
JP3713036B2 (ja) | 2003-04-04 | 2005-11-02 | 松下電器産業株式会社 | 電池搭載集積回路装置 |
US7253494B2 (en) | 2003-04-04 | 2007-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Battery mounted integrated circuit device having diffusion layers that prevent cations serving to charge and discharge battery from diffusing into the integrated circuit region |
JP2005109616A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Casio Comput Co Ltd | 通信端末装置およびその信号処理のプログラム |
JP5072196B2 (ja) | 2004-06-14 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2005122280A1 (en) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and communication system |
JP4984316B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2012-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置及び電子機器 |
WO2007139205A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and ic label, ic tag, and ic card having the same |
JP4626578B2 (ja) | 2006-06-27 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 電池パック |
US8463332B2 (en) * | 2006-08-31 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless communication device |
JP2008172905A (ja) | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
US7952328B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-05-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-battery charging system and method |
US8115448B2 (en) * | 2007-06-01 | 2012-02-14 | Michael Sasha John | Systems and methods for wireless power |
JP5138284B2 (ja) | 2007-06-25 | 2013-02-06 | 京セラ株式会社 | 情報処理装置 |
KR101651206B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2016-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작 방법 |
JP2011010501A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 電源装置 |
JP2011101458A (ja) | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Fujitsu Ltd | 電子装置および電源制御装置 |
US8415731B2 (en) | 2010-01-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections |
JP2011188733A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 移動体、無線給電システムおよび無線給電方法 |
WO2011145468A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5605153B2 (ja) | 2010-10-15 | 2014-10-15 | ソニー株式会社 | 給電装置、給電方法および給電システム |
JP2012223070A (ja) | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Sony Corp | 電力制御装置、電力制御方法、およびプログラム |
KR101991735B1 (ko) | 2011-05-19 | 2019-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
JP2013084083A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Force Media Inc | ワイヤレスキーボード |
WO2013080900A1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013125782A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置 |
TWI613882B (zh) * | 2011-12-16 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 直流對直流轉換器、受電裝置及供電系統 |
KR102433736B1 (ko) | 2012-01-23 | 2022-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5870746B2 (ja) | 2012-02-22 | 2016-03-01 | 富士ゼロックス株式会社 | 電力供給制御装置、画像処理装置、画像処理制御用ドライバ、及び電力供給制御プログラム |
US20130265010A1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protective circuit module and battery pack |
US9006024B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102099445B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9312390B2 (en) * | 2012-07-05 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Remote control system |
US9577446B2 (en) * | 2012-12-13 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device |
-
2015
- 2015-02-02 US US15/117,349 patent/US10290908B2/en active Active
- 2015-02-02 WO PCT/IB2015/050768 patent/WO2015121771A1/en active Application Filing
- 2015-02-13 JP JP2015025932A patent/JP6448400B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-12-04 JP JP2018227348A patent/JP6726730B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-16 JP JP2019005251A patent/JP2019091905A/ja not_active Withdrawn
- 2019-03-21 US US16/360,065 patent/US10862177B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-14 US US17/019,700 patent/US11342599B2/en active Active
- 2020-09-15 JP JP2020154722A patent/JP2021007018A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-12-16 JP JP2021204563A patent/JP7186852B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-22 US US17/676,874 patent/US11848429B2/en active Active
- 2022-11-29 JP JP2022189847A patent/JP7413490B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-08 US US18/534,217 patent/US20240113346A1/en active Pending
- 2023-12-27 JP JP2023220437A patent/JP2024026556A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106366A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-04-11 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 薄膜電池一体型素子及びその製造方法 |
JP2008009972A (ja) * | 2006-05-31 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置を具備するicラベル、icタグ、icカード |
JP2008181108A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2013236068A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2014003280A (ja) * | 2012-04-20 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013254942A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220181711A1 (en) | 2022-06-09 |
US20200411917A1 (en) | 2020-12-31 |
US20160351975A1 (en) | 2016-12-01 |
JP6448400B2 (ja) | 2019-01-09 |
US10862177B2 (en) | 2020-12-08 |
JP2021007018A (ja) | 2021-01-21 |
JP2023027137A (ja) | 2023-03-01 |
JP2019091905A (ja) | 2019-06-13 |
JP2024026556A (ja) | 2024-02-28 |
JP7413490B2 (ja) | 2024-01-15 |
JP7186852B2 (ja) | 2022-12-09 |
JP2022043174A (ja) | 2022-03-15 |
US11848429B2 (en) | 2023-12-19 |
US10290908B2 (en) | 2019-05-14 |
WO2015121771A1 (en) | 2015-08-20 |
JP6726730B2 (ja) | 2020-07-22 |
US20240113346A1 (en) | 2024-04-04 |
US11342599B2 (en) | 2022-05-24 |
US20190221896A1 (en) | 2019-07-18 |
JP2015167227A (ja) | 2015-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7413490B2 (ja) | 電子機器 | |
JP7142135B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6718002B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10659860B2 (en) | Headphones and headphone system | |
WO2020194116A1 (ja) | 半導体装置、電池パック、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200609 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6726730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |