JP2000103003A

JP2000103003A - 酸化チタン蒸着フィルム

Info

Publication number: JP2000103003A
Application number: JP27697898A
Authority: JP
Inventors: Katsutaka Tateno; 克孝舘野; Hiroyuki Yamada; 博之山田
Original assignee: Oji Paper Co Ltd
Current assignee: New Oji Paper Co Ltd
Priority date: 1998-09-30
Filing date: 1998-09-30
Publication date: 2000-04-11

Abstract

(57)【要約】【課題】高分子フィルムとの密着性が良好でかつ光触
媒反応を利用した悪臭分解能を有し、かつ周波数１〜３
００ＭＨｚの範囲内で３０ｄＢ以上の電磁波シールド性
能を有する透明な酸化チタン薄膜からなる窓や壁等に貼
り替え可能な透明導電性フィルムを提供する【解決手段】高分子フィルムと、その少なくとも１面
上に金属薄膜または金属酸化物薄膜を、さらに酸化チタ
ン薄膜を順次積層してなるものである。また前記金属薄
膜または金属酸化物薄膜の膜厚が、５０〜１００００Å
であり、前記酸化チタン薄膜の膜厚が、１００〜１００
００Åであることが好ましく、前記酸化チタン薄膜が、
Ｘ線回折パターンで２θ＝２０〜３０度に存在するルチ
ル型結晶のピーク強度とアナターゼ型結晶のピーク強度
との比Ｉ＜１１０＞／Ｉ＜１０１＞＝０／１〜１／３で
ある酸化チタンから形成したものであることがより好ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は防臭性、防汚性お
よび抗菌性に優れ、かつ妨害電磁波を減衰させる電磁波
シールド機能を有する酸化チタン蒸着フィルムに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、住宅やビルの気密性の向上に伴
い、生活空間の中の臭いに対する快適性を求める要求が
強くなっている。この臭いへの対応として、古くから芳
香と脱臭の二つの方法が種々検討されてきている。特
に、悪臭を脱臭することが、芳香以前の問題として注目
されている。脱臭機構は、主として、物理吸着によるも
のと化学反応によるものとの２つに大別されるが、物理
吸着には、再放出の問題があり、化学反応には、脱臭成
分自体の有害性や反応後物質の有害性が懸念されるとい
う問題がある。

【０００３】ところで、このような脱臭の要求に対し、
最近、酸化チタンは光触媒反応により有機物の分解を効
果的に行い、かつ半永久的に使用できること等から、注
目を浴びている。酸化チタンは、従来から白色顔料、紫
外線遮蔽剤、歯磨き剤等に広く使用されているが、光触
媒としての検討も行われており、特開昭６３−８０８３
３号公報では、車室内の脱臭について、また特開平３−
６９６９５号公報では脱臭の他に抗菌作用のあることが
開示されている。これらに使用される酸化チタン形状と
しては、粉末状、コロイド状、液体状等であり、そのま
まの状態で使用されたり、あるいは支持体に担持して使
用し、コロイド状や液体状のスラリーを支持体に担持さ
せる方法として、ディップコーティング法、スプレーコ
ーティング法、スピンコーティング法、グラビアコーテ
ィング等があげられることが開示されている。

【０００４】一方、近年、コンピュータおよび情報端末
機器の作動速度の高速化および携帯電話等の無線通信シ
ステムの増加に伴い、これらの機器が出す電磁波が他の
機器に進入し、誤動作や通信障害等を引き起こしてい
る。

【０００５】これらの外部からの有害電磁波対策とし
て、建物そのものをシールドする方法がとられており、
窓については透視性とシールド特性を兼備えた金属メッ
シュやカーボンネット等の導電性ネットをガラスの中間
層または表面に設ける方法や、蒸着ガラスを使用する方
法、蒸着フィルムを窓ガラスに貼り付ける方法が取られ
ている。

【０００６】しかしながら、導電性ネットをガラスの中
間層または表面に設けた場合は、透視性が低く、視野が
狭い等の問題がある。電磁波シールド性能を有する蒸着
ガラスや蒸着フィルムには、金属薄膜、金属酸化物薄膜
が使用されており真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法により成膜されているが、これらの
蒸着ガラスや蒸着フィルムに金属薄膜を使用した場合、
十分な電磁波シールド性能を得るためには透視性が低く
なる等の問題がある。広い視野と高い透視性を得るため
には、金属酸化物薄膜を蒸着法により形成することが適
当であるが、真空蒸着法では、十分に低い抵抗を得るた
めには成膜後の加熱が必要であり、耐熱性の低い基材に
は適用が難しく、スパッタリング法においては成膜速度
が低いため、十分に低い表面抵抗を得るには時間がかか
り、コスト高となる等の問題がある。

【０００７】また既に通常のガラスが施工されているも
のに関して蒸着ガラスを使用する場合は、全て交換しな
ければならず、コスト高となる問題がある。

【０００８】またこれらの電磁波シールド性能を有する
ものが、屋内外の窓に使用された場合、表面に汚れ等が
付着しても洗浄液等で窓を拭く以外に有効な方法がなか
った。

【０００９】この酸化チタン膜の形成方法としては、デ
ィップコーティング法、スプレーコーティング法、スピ
ンコーティング法、グラビアコーティング法等があげら
れが、高分子フィルム上に酸化チタンを直接形成する
と、高分子フィルムが酸化チタンの光触媒反応により分
解されてしまい、高分子フィルムとの密着性が低下する
等の問題を生じるので、酸化チタン層とフィルム基材間
に無機系のアンダーコート層を設ける必要がある。また
これらの成膜方法は高温での焼成が必要であり、耐熱性
の低い基材には、酸化チタン層の形成が難しい。さらに
通常、電磁波シールド性能を有する金属薄膜や金属酸化
物薄膜上にこの塗工液を使用し、酸化チタン層を設けた
場合、酸化チタン層用塗工液は強酸性のため、金属薄膜
や金属酸化物薄膜が溶解してしまい、支持体との密着性
が低下する問題がある。

【００１０】一方、これまでにイオンビーム法やスパッ
タリング法により、酸化チタン薄膜をガラス基板上に成
膜する技術開発が行われているが、光触媒反応を応用し
て、悪臭の分解を検討したものはなかった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低
温で高分子フィルム上に薄膜形成が可能であり、高分子
フィルムとの密着性が良好で、光触媒反応を利用した悪
臭分解能を有し、かつ周波数１〜３００ＭＨｚの範囲内
で３０ｄＢ以上の電磁波シールド性能を有する透明な酸
化チタン薄膜からなる酸化チタン蒸着フィルムを提供す
るものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の
課題を解決するため、高分子フィルムの一面上に金属薄
膜または金属酸化物薄膜を設け、さらにその上に酸化チ
タン薄膜を順次設けることにより、高分子フィルムと酸
化チタン薄膜の密着性を付与し、、酸化チタン中に発生
した正電荷と負電荷を効果的に分解し、再結合までの時
間を長くすることにより、高い光触媒反応が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１３】すなわち本発明に係る酸化チタン蒸着フィ
ルムは、（１）高分子フィルムと、その少なくとも１面上に金属
薄膜または金属酸化物薄膜を、さらに酸化チタン薄膜を
順次積層してなることを特徴とするものである。（２）前記金属薄膜または金属酸化物薄膜の膜厚が、５
０〜１００００Åである前記（１）記載のものである。（３）前記酸化チタン薄膜の膜厚が、１００〜１０００
０Åである前記（１）記載のものである。（４）前記酸化チタン薄膜が、Ｘ線回折パターンで２θ
＝２０〜３０度に存在するルチル型結晶のピーク強度と
アナターゼ型結晶のピーク強度との比Ｉ＜１１０＞／Ｉ
＜１０１＞＝０／１〜１／３である酸化チタンから形成
したものである前記（１）または前記（３）記載のもの
である。（５）前記金属薄膜または金属酸化物薄膜が、圧力勾配
型放電によるイオンプレーティング法で形成されたもの
である前記（１）または前記（２）記載のものである。（６）前記酸化チタン薄膜が、高周波イオンプレーティ
ング法で形成されたものである。（７）全光線透過率が７０％以上である前記（１）〜
（６）記載のものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】高分子フィルムの材料として
は、耐熱性を有する透明な高分子フィルムであれば、特
に制限はなく、１００℃以上においても耐熱性を有する
ものが好ましく、たとえばポリエステル、ポリオレフィ
ン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポ
リサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレン
オキサイド、ポリパラバン酸等が例示できる。また高分
子フィルムの厚みとしては、２５〜２５０μｍが好まし
く、より好ましくは５０〜２００μｍである。上記の高
分子フィルム上に密着性向上のため、予めコロナ放電処
理、表面改質を行うプラズマ処理や、サンドブラストを
用いた粗面化処理等の表面処理、または有機系樹脂によ
る公知のアンカーコート処理を施してもよい。

【００１５】このような金属酸化物薄膜は、スプレー
法、メッキ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、あるいはＣＶＤ法等の各種成膜法に
より作成されている。なかでも、金属薄膜を形成する際
は、蒸着法が膜厚のコントロールが容易であること等か
ら好適であり、また陰極と陽極の間に中間電極を設ける
圧力勾配型イオンプレーティング法は、成膜速度、イオ
ン化効率が高く、金属薄膜または金属酸化物薄膜の厚膜
化が容易に行えるので、表面抵抗の低い金属薄膜または
金属酸化物薄膜を成膜するのに好適である。

【００１６】高分子フィルム上に設けられる金属薄膜ま
たは金属酸化物薄膜の膜厚としては、５０〜１００００
Åが好ましく、より好ましくは１００〜８０００Åであ
る。金属薄膜または金属酸化物薄膜の膜厚が５０Å未満
であると、電荷の分離および高分子フィルムの隠蔽性が
十分では無く、１００００Åより厚いと、コストが高く
なる等の問題がある。

【００１７】高分子フィルム上に設けられる金属薄膜ま
たは金属酸化物薄膜の表面抵抗としては、３〜８００Ω
／□であり、好ましくは５〜１００Ω／□、より好まし
くは、５〜８０Ω／□である。金属薄膜または金属酸化
物薄膜の表面抵抗が３Ω／□未満の場合は、金属薄膜ま
たは金属酸化物薄膜の膜厚が厚くなるため、透明性が低
下し、かつコストが高くなるという問題を生じ、８００
Ω／□より大きいと、電磁波シールド性能が不十分であ
る等の問題を生じる。

【００１８】また金属薄膜または金属酸化物薄膜上に設
けられる酸化チタン薄膜は、蒸着法、スプレー法、ディ
ップコーティング法、スプレーコーティング法、スピン
コーティング法、グラビアコーティング法等の各種方式
により成膜を行われているが、なかでも低温で成膜が可
能であり、均一な薄膜形成が容易であること等から高分
子フィルムのように耐熱性の低い基材には、蒸着法が好
適である。なかでも本発明では、蒸発材料の活性化が可
能な高周波イオンプレーティング法が好適である。

【００１９】金属薄膜または金属酸化物薄膜上に設けら
れる酸化チタン薄膜の膜厚としては、１００〜１０００
０Åであり、より好ましくは３００〜３０００Å、さら
に好ましくは５００〜２０００Åである。酸化チタン薄
膜の膜厚が１００Å未満であると、十分な光触媒反応が
起こらず、１００００Åより厚いと、膜割れやコストが
高くなる等の問題を生じる。

【００２０】本発明に使用する酸化チタンは、Ｔｉ、Ｔ
ｉＯ₂、Ｔｉ₂Ｏ₃、Ｔｉ₃Ｏ₅、Ｔｉ₄Ｏ₇を出発材料とし
て、適度に酸化反応を行えば良い。酸化チタンの結晶形
態には、アナターゼ型、ルチル型、ブルッカイト型の３
形態があるが、工業的に利用されているのは、アナター
ゼ型とルチル型であり、ブルッカイト型は、学術的に取
り上げられているのみで、工業的な利用はない。３結晶
形態の中、ルチル型が最も安定で、アナターゼ型、ブル
ッカイト型は、加熱によりルチル型に転位する。光触媒
反応としては、アナターゼ型、ルチル型とも光化学活性
を持っているが、光化学活性はアナターゼ型の方が強い
ことが一般に知られている。高周波イオンプレーティン
グ法により、酸化チタン薄膜を成膜した場合、高周波出
力、蒸着速度、酸素分圧等の成膜条件によって異なる結
晶構造のものが生成することが知られている。特に、蒸
着速度を５〜１０Å／秒で成膜すると、Ｘ線回折パター
ンで２θ＝２０〜３０度に存在するルチル型の面指数＜
１１０＞のピーク強度と、アナターゼ型の面指数＜１０
１＞のピーク強度との比Ｉ＜１１０＞／Ｉ＜１０１＞が
０／１〜１／３の範囲にある酸化チタン薄膜が生成し、
悪臭のアンモニア分解能が高いことを見出した。

【００２１】本発明で使用する光照射の光エネルギー
は、光触媒を励起させるのに対応した波長を有するもの
であって、光触媒反応に寄与する４００ｎｍ以下の紫外
線波長を多く含む光エネルギーが好ましい。この光エネ
ルギー源としては、太陽光の自然光光源、水銀灯、蛍光
灯、ハロゲンランプ、アークキセノンランプ等が挙げら
れる。

【００２２】酸化チタン薄膜のアンモニア分解能として
は、１２時間後に９０％以上のアンモニアが分解される
こと好ましい。アンモニアの分解能が１２時間後に９０
％未満であると、日常的に堆積してくる汚れから発生す
る臭いを十分に分解することができない。

【００２３】本発明に係る酸化チタン蒸着フィルムの、
酸化チタン薄膜の他の１面に粘着層を形成してもよい。
粘着層を形成する粘着剤としては、従来公知のものが用
いることが可能である。たとえば、溶剤型粘着剤であれ
ば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系等があり、それ
ら単独または、混合物に粘着付与剤、可塑剤等を添加し
たものが挙げられる。無溶剤粘着剤であれば、天然もし
くは合成ゴム系、アクリル系エマルジョンが利用でき
る。粘着剤には、顔料、架橋剤、老化防止剤等を必要に
より混合して使用することができる。

【００２４】本発明に係る酸化チタン蒸着フィルムに設
けられる前記粘着層の粘着力は、２００〜９００ｇｆ／
１０ｍｍであることが、窓や壁等に貼り替え可能とな
り、好ましい。２００ｇｆ／ｍｍ未満では、粘着力が弱
くて端部より剥離し易くなり、９００ｇｆ／１０ｍｍよ
り大きいと、貼り直しが困難であり、剥がした場合でも
糊残りを生じ易くなることがある。

【００２５】

【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明をより具体
的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定される
ものではない。なお実施例および比較例で得られた酸化
チタン薄膜の評価は以下のように行い、評価結果を表１
に示す。

【００２６】ａ．アンモニア分解率１０ｃｍ角にサンプリングした試料を３０００ｍｌのフ
ラスコ中に挿入し、アンモニアガスを３ｍｌ注入する。
アンモニア注入後、紫外線ランプを試料上面で２ｍＷ／
ｃｍ²の紫外線強度になるように、紫外線照射を行っ
た。初期のアンモニア濃度と１２時間経過後のアンモニ
ア濃度の測定をガスクロマトグラフにて行い、測定前後
のアンモニア濃度の変化率を算出した。アンモニアの分
解率が７０％未満のものを×、７０〜９０未満のものを
△、９０％以上のものを○とした。

【００２７】ｂ．アセトアルデヒド分解率１０ｃｍ角にサンプリングした試料を３０００ｍｌのフ
ラスコ中に挿入し、アセトアルデヒドを３ｍｌ注入す
る。アセトアルデヒド注入後、紫外線ランプを試料上面
で２ｍＷ／ｃｍ²の紫外線強度になるように、紫外線照
射を行った。初期のアセトアルデヒド濃度と１２時間経
過後のアセトアルデヒド濃度の測定をガスクロマトグラ
フにて行い。測定前後のアセトアルデヒド濃度の変化率
を算出した。アセトアルデヒドの分解率が６０％未満の
ものを×、６０〜８０％未満のものを△、８０％以上の
ものを○とした。

【００２８】ｃ．電磁波シールド性能アドバンテスト法にて１〜３００ＭＨｚの周波数範囲の
電磁波シールド性能の評価を行った。周波数範囲１〜３
００ＭＨｚでの電磁波シールド性能が２０ｄＢ未満のも
のを×、２０〜３０ｄＢ未満のものを△、３０ｄＢ以上
のものを○とした。

【００２９】ｄ．全光線透過率村上色彩研究所社製の反射透過率計（ＨＲ-１００）を
用い、全光線透過率の測定を行った。全光線透過率が５
０％未満のものを×、５０〜７０％未満のものを△、７
０％以上のものを○とした。

【００３０】ｅ．密着性１０ｃｍ角にサンプリングした試料に、紫外線ランプを
試料上面で５ｍＷ／ｃｍ²の紫外線強度になるように調
整し、紫外線照射を４８時間行った。紫外線照射後、Ｊ
ＩＳＫ５４００に基づき、セロハンテープによる碁
盤目テープ法にて付着状態を目視により観察した。評価
方法としては、１ｍｍ角の１００ます中、剥がれが全く
ないものを○、剥がれた面積が３５％未満のものを△、
剥がれた面積が３５％以上のものを×とした。

【００３１】実施例１高分子フィルムとして厚さ１２５μｍのポリエステルフ
ィルム（帝人社製、以下、ＰＥＴフィルムという）を使
用し、蒸着材料には純度５Ｎの粒状銅（Ｃｕ）、純度５
Ｎの粒状酸化チタン（ＴｉＯ₂）を使用した。ＰＥＴフ
ィルムの１面上にＣｕを５０Åの厚さに蒸着を行い、金
属薄膜としてＣｕ薄膜を形成し、そのＣｕ薄膜上にＴｉ
Ｏ₂薄膜を２００Åの厚さに蒸着して酸化チタン蒸着フ
ィルムを作製した。

【００３２】実施例２Ｃｕ薄膜を１０００Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄
膜上にＴｉＯ₂薄膜を２００Åの厚さに蒸着を行う以
外、実施例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製し
た。

【００３３】実施例３Ｃｕ薄膜を５０Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄膜上
にＴｉＯ₂薄膜を５０００Åの厚さに蒸着を行う以外、
実施例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００３４】実施例４Ｃｕ薄膜を１０００Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄
膜上にＴｉＯ₂薄膜を５０００Åの厚さに蒸着を行う以
外、実施例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製し
た。

【００３５】実施例５基材に厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルムを使用し、蒸着
材料には純度４Ｎの酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）を用
い、高周波イオンプレーティング法により、膜厚２００
ÅのＩｎ₂Ｏ₃膜をＰＥＴフィルムの１面上に形成した。
そのときの光線透過率は、８９％であった。そのＩｎ₂
Ｏ₃膜上に純度４Ｎの粒状酸化チタン（Ｔｉ ₃Ｏ₅）を使
用し、高周波イオンプレーティング法により、高周波出
力２０Ｗとし、蒸着速度８Å／秒で膜厚１０００Åの酸
化チタン膜を形成し、酸化チタン蒸着フィルムを作製し
た。その時の酸化チタンの結晶性は、Ｘ線回折パターン
で２θ＝２０〜３０度に存在するルチルの面指数＜１１
０＞のピーク強度と、アナターゼの面指数＜１０１＞の
ピーク強度比が、I＜１１０＞／I＜１０１＞＝１／３で
あった。

【００３６】実施例６実施例５と同様にして、酸化チタン蒸着フィルムを作製
した。ただし、高周波イオンプレーティング法により、
高周波出力５００Ｗとし、蒸着速度８Å／秒で膜厚１０
００Åの酸化チタン膜を形成した。その時の酸化チタン
の結晶性は、X線回折パターンで２θ＝２０〜３０度に
存在するルチルの面指数＜１１０＞のピーク強度とアナ
ターゼの面指数＜１０１＞のピーク強度比が、I＜１１
０＞／I＜１０１＞＝０／１であった。

【００３７】実施例７金属酸化物としてＳｎＯ₂を５重量％含むＩＴＯ焼結体
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により、放電電流値１９０Ａで膜厚５００Åになるよ
うに、ＰＥＴフィルムの１面上に金属酸化物薄膜を成膜
し、さらにその金属酸化物薄膜からなる透明導電層上に
酸化チタン蒸着膜を厚さ５００Åに成膜し、酸化チタン
蒸着フィルムを作製した。

【００３８】実施例８酸化チタン蒸着膜を厚さ２０００Åに成膜を行う以外、
実施例７と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００３９】比較例１Ｃｕ薄膜を１０Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄膜上
にＴｉＯ₂薄膜を２００Åの厚さに蒸着を行う以外、実
施例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００４０】比較例２Ｃｕ薄膜を１０Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄膜上
にＴｉＯ₂薄膜を５０００Åの厚さに蒸着を行う以外、
実施例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００４１】比較例３Ｃｕ薄膜を５０Åの厚さに蒸着を行い、そのＣｕ薄膜上
にＴｉＯ₂薄膜を５０Åの厚さに蒸着を行う以外、実施
例１と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００４２】比較例４実施例５と同様にして、酸化チタン蒸着フィルムを作製
した。ただし、高周波イオンプレーティング法により、
高周波出力５００Ｗとし、蒸着速度２５Å／秒で膜厚１
０００Åの酸化チタン膜を形成した。その時の酸化チタ
ンの結晶性は、X線回折パターンで２θ＝２０〜３０度
に存在するルチルの面指数＜１１０＞のピーク強度とア
ナターゼの面指数＜１０１＞のピーク強度比が、I＜１
１０＞／I＜１０１＞＝１／０であった。

【００４３】比較例５実施例５と同様にして、酸化チタン蒸着フィルムを作製
した。ただし、高周波イオンプレーティング法により、
高周波出力０Ｗとし、蒸着速度５Å／秒で膜厚１０００
Åの酸化チタン膜を形成した。その時の酸化チタンの結
晶性は、Ｘ線回折パターンで２θ＝２０〜３０度に存在
するルチルの面指数＜１１０＞のピーク強度とアナター
ゼの面指数＜１０１＞のピーク強度比が、I＜１１０＞
／I＜１０１＞＝１／５であった。

【００４４】比較例６実施例５と同様にして、酸化チタン蒸着フィルムを作製
した。ただし、高周波イオンプレーティング法により、
高周波出力２０Ｗとし、蒸着速度８Å／秒で膜厚１１０
００Åの酸化チタン膜を形成した。その時の酸化チタン
の結晶性は、Ｘ線回折パターンで２θ＝２０〜３０度に
存在するルチルの面指数＜１１０＞のピーク強度とアナ
ターゼの面指数＜１０１＞のピーク強度比が、I＜１１
０＞／I＜１０１＞＝１／３であった。

【００４５】比較例７放電電流値１９０Ａで膜厚３０Åになるように金属酸化
物薄膜を成膜し、さらにその金属酸化物薄膜上に酸化チ
タン蒸着膜を厚さ５００Åに成膜を行う以外、実施例７
と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００４６】比較例８酸化チタン蒸着膜を厚さ５０Åに成膜を行う以外、実施
例７と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製した。

【００４７】比較例９酸化チタン蒸着膜を厚さ１１０００Åに成膜を行う以
外、実施例７と同様に酸化チタン蒸着フィルムを作製し
た。

【００４８】

【表１】

【００４９】実施例１〜４より、下地の金属薄膜または
金属酸化物薄膜を５０〜１００００Å設け、その金属薄
膜または金属酸化物薄膜上に酸化チタン薄膜を１００〜
１００００Å設けることにより、アンモニアの分解率が
９０％以上あり、密着性の良好な酸化チタン薄膜を得ら
れた。一方、比較例１では、金属薄膜または金属酸化物
薄膜が５０Å未満であるため、アンモニア分解率、密着
性とも充分なものが得られず、比較例２では、金属薄膜
または金属酸化物薄膜の膜厚が薄いため、高分子フィル
ムＰＥＴフィルムの隠蔽効果が充分に得られず、密着性
にも問題を生じた。また比較例３では、酸化チタン薄膜
の膜厚が薄いため、充分なアンモニア分解率が得られな
い等の問題を生じた。

【００５０】表１の実施例５，６より明らかなように、
酸化チタン薄膜のＸ線回折パターンが、ルチルの面指数
＜１１０＞のピーク強度とアナターゼの面指数＜１０１
＞のピーク強度比が、I＜１１０＞／I＜１０１＞＝０／
１〜１／３の時、アンモニアガスの残留率が、２％以下
となった。一方、比較例１では、アンモニアガスの残留
率は、７０％以上となり、分解能が低かった。また比較
例４では、アンモニアガスの残留率は、４８．５％であ
ったが、密着性が弱かった。また比較例５では、アンモ
ニアガスの残留率は、２％以下であったが、全光線透過
率が３５％と低かった。

【００５１】実施例７，８より、高分子フィルム上に圧
力勾配型放電方式によるイオンプレーティング法により
所定厚さの金属酸化物薄膜を設け、さらにその金属酸化
物薄膜上に所定膜厚の酸化チタン蒸着膜を設けることに
より、周波数範囲１〜３００ＭＨｚで３０ｄＢの電磁波
シールド性能を有し、かつ波長５５０ｎｍでの光線透過
率が７０％以上であり、防臭、防汚、抗菌性に優れた電
磁波シールド用に適する酸化チタン蒸着フィルムが得ら
れた。

【００５２】

【発明の効果】本発明に係る酸化チタン蒸着フィルム
は、高分子フィルム上に金属薄膜または金属酸化物薄膜
を５０Å〜１００００Å形成し、その金属薄膜または金
属酸化物薄膜上に酸化チタン薄膜を１００Å〜１０００
０Å形成することにより、高分子フィルムとの密着性が
良好で、光触媒反応を利用した悪臭分解能を有し、かつ
周波数１〜３００ＭＨｚの範囲内で３０ｄＢ以上の電磁
波シールド性能を有するものであり、実用上極めて有用
である。

フロントページの続きＦターム(参考） 4F100 AA17B AA17E AA21C AA21D AB01B AB01E AB17 AB33 AB33B AB33E AK01A AK41 AT00A BA10C BA10D EH66B EH66C EH66D EH66E EH662 GB08 JD08 JL08 JM02B JM02C JM02D JM02E JN01 YY00B YY00C YY00D YY00E 4K029 AA11 AA25 BA08 BA48 BB02 BB07 BC00 CA03 EA01 5E321 AA23 AA46 BB23 BB25 CC16 GG05 GH01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子フィルムと、その少なくとも１面
上に、金属薄膜または金属酸化物薄膜を、さらに酸化チ
タン薄膜を順次積層してなることを特徴とする酸化チタ
ン蒸着フィルム。
【請求項２】前記金属薄膜または金属酸化物薄膜の膜
厚が、５０〜１００００Åである請求項１記載の酸化チ
タン蒸着フィルム。
【請求項３】前記酸化チタン薄膜の膜厚が、１００〜
１００００Åである請求項１記載の酸化チタン蒸着フィ
ルム。
【請求項４】前記酸化チタン薄膜が、Ｘ線回折パター
ンで２θ＝２０〜３０度に存在するルチル型結晶のピー
ク強度とアナターゼ型結晶のピーク強度との比Ｉ＜１１
０＞／Ｉ＜１０１＞＝０／１〜１／３である酸化チタン
から形成したものである請求項１または請求項３記載の
酸化チタン蒸着フィルム。
【請求項５】前記金属薄膜または金属酸化物薄膜が、
圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法で形成さ
れたものである請求項１または請求項２記載の酸化チタ
ン蒸着フィルム。
【請求項６】前記酸化チタン薄膜が、高周波イオンプ
レーティング法で形成されたものである請求項１記載の
酸化チタン蒸着フィルム。
【請求項７】全光線透過率が７０％以上である請求項
１から請求項６記載の酸化チタン蒸着フィルム。