JP2000100911A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に付着した材料が基板処理時に基板表面
に拡散するのを抑制することができるようにする。 【解決手段】 カセット搬入出ステージ２０、カセット
搬送ロボット３０、基板移載部４０、基板搬送ロボット
５０、基板処理部６０、基板乾燥部７０及びカセット洗
浄部８０を備える。基板移載部４０を構成する第１，第
２基板受渡し部の基板載置部及び基板搬送ロボット５０
を構成する基板チャック５３，５４は、テトラフルオロ
エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体又はポリテトラフルオロエチレンで構成される。ま
た、基板処理部６０に有するリフタ６２の基板保持部
は、石英母材からなり、該母材表面の基板との接触部分
にテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンが
設けられて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、プ
ラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶表示装置用ガラ
ス基板、プリント基板等の基板の表面を処理する基板処
理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ等の各種基板に処理液を供
給し、基板の表面に対して所定の処理を施す基板処理装
置は、基板を保持するための基板保持具を備えている。
この基板保持具として、例えば、カセット内に起立状態
で収納されている複数の基板をその下端部を保持して下
方から押し上げ、カセットの外部上方に取り出すもの、
カセットの外部上方に取り出された状態の基板をその下
端部で保持し、別の基板保持具に受け渡すもの、基板を
その下端部で保持して処理液に浸漬するもの等が存在す
る。

【０００３】これらの基板保持具のうち処理液に浸漬す
るものは、耐薬品性や耐熱性に優れている必要があるこ
とから一般に石英で構成されている。一方、それ以外
は、一般にポリエーテルエーテルケトン（以下、ＰＥＥ
Ｋという。）、ポリクロロトリフルオロエチレン（以
下、ＰＣＴＦＥという。）、ポリ塩化ビニール（以下、
ＰＶＣという。）等の合成樹脂材料で構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記基板保持具を構成
しているＰＥＥＫ、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＣ等の合成樹脂材
料は、基板を保持するときに基板と擦れて削られる結
果、パーティクルが生じ、基板保持具を構成している材
料自体が基板に対する汚染物質となる場合がある。特
に、起立姿勢にある基板に対し相対的に昇降して基板を
下端部で保持するようにした基板保持具は、基板を保持
するときに基板端縁と不可避的に擦れることからパーテ
ィクルが生じ易い。このため、このパーティクルが汚染
物質として基板の下端部に付着することになる。

【０００５】ところが、上記合成樹脂材料は比較的硬く
て粘性が小さいため、基板に付着した汚染物質は基板か
ら分離して処理液中に拡散し、この拡散した汚染物質が
基板表面の他の部分にも付着することになる。特に、処
理槽に貯留されている処理液に基板を起立姿勢で浸漬さ
せるようにした基板処理装置では、基板の下端部に汚染
物質が付着していると、その汚染物質が処理液への浸漬
時に基板上部に向かって拡散し、基板表面の広範囲に付
着することになる。このように、汚染物質が基板表面に
拡散すると、基板の処理品質が低下することになる。

【０００６】一方、上記基板保持具を構成している石英
は、合成樹脂材料に比べて格段に硬いために基板と擦れ
ても石英が削られることはないが、基板が削られてしま
う虞がある。そのため、石英の表面を他の基板保持具を
構成しているＰＥＥＫ、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＣ等の合成樹
脂材料で被覆すると基板が削られるのを効果的に防止す
ることができる。

【０００７】ところが、石英の表面をＰＥＥＫ、ＰＣＴ
ＦＥ、ＰＶＣ等の合成樹脂材料で被覆すると、基板が削
られるのは防止できても他の基板保持具の場合と同様に
基板と擦れたときに削られた合成樹脂材料が汚染物質と
して基板表面に付着することになり、その汚染物質が処
理液への浸漬時に基板表面に拡散することになる。

【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、基板に付着した材料が基板処理時に基板表面に拡散
するのを抑制することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、処理液内に基板を浸漬して処理
を施す処理槽と、該処理槽で処理されるべき基板を保持
する基板保持具とを備えた基板処理装置において、前記
基板保持具の少なくとも基板との接触部分をデュロメー
タ硬さＤ６０以下の合成樹脂材料で構成したことを特徴
としている。

【００１０】この構成によれば、基板保持具の合成樹脂
材料が適度の粘性を有しているため、基板に付着した汚
染物質は基板からあまり分離されず、処理液中への拡散
が行われにくくなる。この結果、基板処理時に汚染物質
が基板表面に拡散するのを抑制することができる。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１に係る
ものにおいて、前記基板保持具が、起立姿勢の基板に対
して相対的に昇降し、基板の下端部を保持するものであ
ることを特徴としている。

【００１２】この構成によれば、基板保持部が基板と擦
れて削れ易くなるが、基板に付着した汚染物質は基板か
ら分離しにくいので、処理液中への拡散が行われにくく
なる。この結果、基板処理時に汚染物質が基板表面に拡
散するのを効果的に抑制することができる。

【００１３】また、請求項３の発明は、請求項２に係る
ものにおいて、基板を保持した基板保持具を移動し、基
板を前記処理槽に貯留された処理液に対して搬入出させ
る駆動手段を備えたことを特徴としている。

【００１４】この構成によれば、処理液に対して基板を
搬入出させる際に駆動手段からの振動によって基板が振
動し、基板保持具が基板と擦れて削れ易くなるが、基板
に付着した汚染物質は基板から分離しにくいので、処理
液中への拡散が行われにくくなる。この結果、基板処理
時に汚染物質が基板表面に拡散するのを効果的に抑制す
ることができる。

【００１５】また、請求項４の発明は、請求項１乃至３
のいずれかに係るものにおいて、前記基板保持具が、デ
ュロメータ硬さＤ６０よりも大きい母材からなり、該母
材表面の少なくとも基板と接触する部分にデュロメータ
硬さＤ６０以下の合成樹脂材料を設けてなることを特徴
としている。

【００１６】この構成によれば、基板保持具の機械的強
度が保持され、しかも基板保持具が基板と擦れて削れる
のはデュロメータ硬さＤ６０以下の材料であるので、基
板に付着した汚染物質は基板から分離しにくくなり、処
理液中への拡散が行われにくくなる。この結果、基板処
理時に汚染物質が基板表面に拡散するのを抑制すること
ができる。

【００１７】また、請求項５の発明は、請求項１乃至４
のいずれかに係るものにおいて、デュロメータ硬さＤ６
０以下の合成樹脂材料は、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテ
トラフルオロエチレンであることを特徴としている。

【００１８】この構成によれば、いずれの合成樹脂材料
も適度の粘性を有しているため、基板に付着した汚染物
質は基板から分離しにくくなり、処理液中への拡散が行
われにくくなる。この結果、基板処理時に汚染物質が基
板表面に拡散するのを抑制することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。なお、
ここでは、各構成要素間の方向関係を明確にするため、
ＸＹＺ直角座標軸を併せて示している。この図におい
て、基板処理装置１０は、カセット搬入出ステージ２０
と、カセット搬送ロボット３０と、基板移載部４０と、
基板搬送ロボット５０と、基板処理部６０と、基板乾燥
部７０と、カセット洗浄部８０とを備えている。

【００２０】カセット搬入出ステージ２０は、手前側
（＋Ｙ方向）に位置し、処理前の複数の基板Ｗが起立姿
勢で収納された２つのカセットＣが外部から搬入されて
載置される搬入部２１と、奥行側（−Ｙ方向）に位置
し、基板処理部６０で処理された複数の基板Ｗが起立姿
勢で収納された２つのカセットＣが載置される搬出部２
２とを備えている。なお、このカセット搬入出ステージ
２０における各カセットＣ内の基板Ｗは、例えばそれぞ
れ２５枚収納されるようになっており、図示するように
左右方向（Ｘ方向）に一列に並べられた状態となってい
る。

【００２１】カセット搬送ロボット３０は、前後方向
（Ｙ方向）及び上下方向（Ｚ方向）に移動可能で、かつ
１８０度回転可能に構成され、搬入部２１に搬入された
カセットＣを把持した状態で１８０度反転させて該カセ
ットＣを基板移載部４０に搬送する一方、基板移載部４
０における処理済みの基板Ｗが収納されたカセットＣを
把持した状態で１８０度反転させて該カセットＣを搬出
部２２に搬出するものである。

【００２２】基板移載部４０は、搬入部２１から搬送さ
れたカセットＣ内の処理前の基板ＷをカセットＣの外部
上方に取り出す一方、基板処理部６０で処理された基板
ＷをカセットＣ内にその外部上方から収納するものであ
る。

【００２３】すなわち、基板移載部４０は、図２に示す
ように、前後方向（Ｙ方向）に移動可能に構成され、前
後方向に第１テーブル孔４１１及び第２テーブル孔４１
２が形成された平板テーブル４１と、第１テーブル孔４
１１に配設され、９０度回転可能に構成された第１ター
ンテーブル４２と、第２テーブル孔４１２に配設され、
９０度回転可能に構成された第２ターンテーブル４３
と、平板テーブル４１の下方に前後方向に隣接して配設
され、上下方向（Ｚ方向）に個別に移動可能に構成され
た第１基板受渡し部４４及び第２基板受渡し部４５とを
備えている。

【００２４】この第１，第２基板受渡し部４４，４５
は、それぞれ駆動軸４４１，４５１の上端にヘッド部４
４２，４５２が取り付けられ、このヘッド部４４２，４
５２の上面に基板載置部４４３，４５３が取り付けられ
ている。この基板載置部４４３，４５３は、テトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体（以下、ＰＦＡという。）又はポリテトラフルオ
ロエチレン（以下、ＰＴＦＥという。）で構成されてお
り、その上面には基板Ｗを保持するための基板整列保持
溝４４４，４５４が形成されている。

【００２５】このように、各基板載置部４４３，４５３
がＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成されている理由については
後述する。なお、駆動軸４４１，４５１及びヘッド部４
４２，４５３は他の種類の合成樹脂等の適宜の材料で構
成されるが、基板載置部４４３，４５３をヘッド部４４
２，４５２と一体にしてＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成する
ことも可能である。また、これらのヘッド部４４２，４
５２と基板載置部４４３，４５３とで基板保持具が構成
される。

【００２６】このように構成された基板移載部４０で
は、第１，第２ターンテーブル４２，４３上に処理前の
基板Ｗが収納された２つのカセットＣがそれぞれ載置さ
れると、各ターンテーブル４２，４３が互いに逆方向に
９０度回転され、各カセットＣ内の基板Ｗの向きがそれ
ぞれ前後方向（Ｙ方向）に一列に並んだ状態になるよう
にされる。

【００２７】そして、図３（ａ）に示すように、第１基
板受渡し部４４が上昇して手前側のカセットＣ内の基板
Ｗの下端部を基板整列保持溝４４１内に保持させ、この
状態でさらに上昇して基板ＷをカセットＣの外部上方に
取り出す。次いで、図３（ｂ）に示すように、平板テー
ブル４１を奥行側のカセットＣが第２基板受渡し部４５
の位置にくるように手前側（図２の＋Ｙ方向）に移動さ
せる。その後、図３（ｃ）に示すように、第２基板受渡
し部４５が上昇して奥行側のカセットＣ内の基板Ｗの下
端部を基板整列保持溝４５１内に保持させ、この状態で
さらに上昇して基板ＷをカセットＣの外部上方に取り出
す。これにより、基板搬送ロボット５０との間の基板Ｗ
の受渡しを可能とする。なお、基板処理部６０で処理さ
れた基板Ｗは、上記と逆の動作で各カセットＣ内に収納
されることになる。

【００２８】基板搬送ロボット５０は、左右方向（Ｘ方
向）に移動可能に構成され、基板移載部４０で第１，第
２基板受渡し部４４，４５により２つのカセットＣ内か
ら取り出された状態の基板Ｗ（図３（ｃ））を同時に下
端部で保持して基板処理部６０の後述するリフタ６２に
受け渡す一方、基板処理部６０で処理されたリフタ６２
上の基板Ｗを下端部で保持して基板移載部４０の第１，
第２基板受渡し部４４，４５に受け渡すものである。な
お、基板搬送ロボット５０は、基板処理部６０の複数の
リフタ６２間における基板Ｗの受渡しも行う。

【００２９】この基板搬送ロボット５０は、図４に示す
ように、一対のアーム５１，５２にそれぞれ取り付けら
れてなる一対の基板チャック５３，５４と、一対のアー
ム５１，５２を回転可能に支持する支持体５５と、一対
のアーム５１，５２をその軸心回りに回転させる回転駆
動機構部５６とを備えている。この一対の基板チャック
５３，５４は、ＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成されており、
一方の対向面５３１，５４１にアーム５１，５２の軸方
向に沿って複数の基板整列保持溝５３２，５４２が形成
される一方、反対面である他方の対向面５３３，５４３
にもアーム５１，５２の軸方向に沿って複数の基板整列
保持溝５３４，５４４が形成されている。なお、この一
対の基板チャック５３，５４により基板保持具が構成さ
れる。

【００３０】この一方の対向面の基板整列保持溝５３
２，５４２では、処理前の基板Ｗがその下端部を各溝内
に収納させることにより保持され、他方の対向面の基板
整列保持溝５３４，５４４では、アーム５１，５２の回
転により反転され、処理済みの基板Ｗがその下端部を各
溝内に収納させることにより保持されるようになってい
る。このように、処理前の基板Ｗと処理済みの基板Ｗと
を異なる対向面で保持することにより、処理済みの基板
Ｗの汚染が効果的に防止される。このように各基板チャ
ック５３，５４がＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成されている
理由については後述する。

【００３１】基板処理部６０は、基板移載部４０でカセ
ットＣ内から取り出された基板Ｗの表面を処理するもの
で、処理液が貯留される複数（図示では３つ）の処理槽
６１と、各処理槽６１内において昇降可能に配設され、
基板Ｗを保持した状態で処理槽内に進入して基板Ｗを処
理液に浸漬させる一方、処理槽内から退出して処理の終
了した基板Ｗを処理液から引き上げるリフタ６２とを備
えている。

【００３２】なお、最初の処理槽６１で処理された基板
Ｗは基板搬送ロボット５０により次の処理槽６１のリフ
タ６２に受け渡され、その処理槽６１で処理された基板
Ｗは基板搬送ロボット５０によりさらに次の処理槽６１
のリフタ６２に受け渡されて順次所定の処理が行われ
る。

【００３３】このリフタ６２は、図５に示すように、上
下方向に移動可能な昇降軸６２１の上端に取り付けられ
たヘッド部６２２の端面に背板６２３が下方に伸びるよ
うに取り付けられ、この背板６２３の下端部に基板保持
具を構成する基板保持部６２４が取り付けられて構成さ
れている。この基板保持部６２４は、左端に起立して配
設された左ガイド６２５と、右端に起立して配設された
右ガイド６２６と、中央に起立して配設された中央ガイ
ド６２７と、各ガイド６２５，６２６，６２７の下端面
を連結し、各ガイド間に貫通孔が形成されたエンドプレ
ート６２８とで構成される一方、各ガイド６２５，６２
６，６２７の上端面に基板整列保持溝６２９，６３０，
６３１が形成され、各基板整列保持溝６２９，６３０，
６３１に跨って基板Ｗが起立姿勢で保持されるようにな
っている。

【００３４】これらの背板６２３並びに基板保持部６２
４を構成する各ガイド６２５，６２６，６２７及びエン
ドプレート６２８は、それぞれ石英を母材とし、その母
材となる石英の表面にＰＦＡ又はＰＴＦＥがコーティン
グされて構成されている。このように、石英の表面にＰ
ＦＡ又はＰＴＦＥが設けられている理由については後述
する。

【００３５】基板乾燥部７０は、基板処理部６０で処理
された基板Ｗを基板搬送ロボット５０によりリフタ６２
から受け取り、その受け取った基板Ｗを乾燥処理するも
のである。また、カセット洗浄部８０は、処理前の基板
Ｗが取り出された後の空のカセットＣを処理済みの基板
Ｗを収納するのに先立ち洗浄するもので、基板移載部４
０にある空のカセットＣがカセット搬送ロボット３０に
よりカセット洗浄部８０に搬送されて洗浄が行われる。

【００３６】次に、第１，第２基板受渡し部４４，４５
の基板載置部４４３，４５３及び基板ロボット５０の基
板チャック５３，５４をＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成し、
また、リフタ６２の背板６２３並びに基板保持部６２４
の各ガイド６２５，６２６，６２７及びエンドプレート
６２８を石英母材の表面にＰＦＡ又はＰＴＦＥを設けて
構成した理由について説明する。

【００３７】図６は、基板Ｗの表面に付着した各種合成
樹脂材料の基板表面における拡散状態を示す図である。
すなわち、図７に示すように、基板Ｗ（フッ酸による処
理済みの疎水性シリコンウエハ）の表面を各種合成樹脂
材料で擦ることにより帯状の擦り痕Ｋを形成し、この基
板Ｗを処理槽Ｓに貯留された純水中に起立姿勢で全体が
水中に陥没するまで進入させて引き上げた後に乾燥して
基板表面の汚染物質の拡散状態を光学顕微鏡で観察した
ものである。

【００３８】なお、図６では、擦り痕Ｋを形成した基板
Ｗを処理前として示し、純水に浸漬した後の基板を処理
後として示している。また、帯状の擦り痕Ｋは、各材料
についてそれぞれ同一荷重を加えて形成したものであ
り、純水に対する進入及び引き上げはそれぞれ同一速度
で行っている。また、ここで用いた合成樹脂材料は、ポ
リエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ塩化ビニ
ール（ＰＶＣ）、フッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ
プロピレン（ＰＰ）、ポリクロロトリフルオロエチレン
（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）及びポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。

【００３９】すなわち、図６から明らかなように、ＰＦ
Ａ及びＰＴＦＥについては、基板表面における拡散は認
められなかったが、他の合成樹脂材料については、基板
表面における拡散が顕著に認められた。この原因につい
て種々検討を行ったところ、ＰＦＡ及びＰＴＦＥによる
擦り痕Ｋは、基板表面に粘状（粘り気のある状態）で付
着していて基板表面から分離しにくい状態にあるのに対
し、他の材料では粒子状（あまり粘り気のない状態）に
付着していて基板表面から分離し易い状態にあることが
明らかとなった。

【００４０】そして、さらに各材料の物性について検討
を進めたところ、デュロメータ硬さが、ＰＦＡはＤ６０
の値を有し、ＰＴＦＥはＤ５５の値を有する一方、ＰＶ
ＤＦはＤ８０の値を有し、ＰＣＴＦＥはＤ９０の値を有
する等、ＰＦＡ及びＰＴＦＥ以外の他の材料は全てＤ６
０を超える値を有することが明らかになった。なお、デ
ュロメータ硬さは、ＡＳＴＭ（アメリカ材料試験協会）
試験法Ｄ１７０６により計測したものである。

【００４１】すなわち、上記種々の検討の結果、デュロ
メータ硬さがＤ６０以下の比較的軟らかい合成樹脂材料
は、適度の粘性を有しているために基板表面に擦れ痕と
して付着しても処理液中に浸漬した場合にほとんど拡散
することがないが、デュロメータ硬さがＤ６０よりも大
きな比較的硬い合成樹脂材料は、粘性があまりないため
に基板Ｗ表面に擦れ痕として付着すると処理液中に浸漬
した場合に広範囲に拡散することが明らかとなった。

【００４２】このため、第１，第２基板受渡し部４４，
４５の基板載置部４４３，４５３及び基板ロボット５０
の各基板チャック５３，５４をデュロメータ硬さがＤ６
０以下であるＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成することにより
各基板整列保持溝４４４，４５４，５３２，５３４，５
４２，５４４に基板Ｗを保持させたときに基板Ｗの表面
にＰＦＡ又はＰＴＦＥによる擦れ痕が形成されても基板
表面に拡散しないようにしたのである。

【００４３】また、リフタ６２の背板６２３並びに基板
保持部６２４を構成する各ガイド６２５，６２６，６２
７及びエンドプレート６２８についてデュロメータ硬さ
がＤ６０を超えることが明らかな石英母材の表面にＰＦ
Ａ又はＰＴＦＥを設けることにより、所定の機械的強度
を保持させた上で基板Ｗが削られるのを効果的に防止す
ることができ、かつ基板整列保持溝６２９，６３０，６
３１に基板Ｗを保持させたときに基板Ｗの表面にＰＦＡ
又はＰＴＦＥによる擦れ痕が形成されても基板表面に拡
散しないようにしたのである。

【００４４】次に、上記のように構成された基板処理装
置１０の概略動作について説明する。すなわち、外部か
ら搬入部２１に処理前の基板Ｗの収納された２つのカセ
ットＣが搬入されてくると、この２つのカセットＣがカ
セット搬送ロボット３０により基板移載部４０に搬送さ
れ、基板Ｗがその方向を変更された上で第１，第２基板
受渡し部４４，４５で下端部が保持されてカセットＣの
外部上方に取り出される。このとき、基板Ｗの表面に
は、基板Ｗが基板整列保持溝４４４，４５４部分で擦れ
て基板載置部４４３，４５３を構成する材料が付着する
ことがあるが、基板載置部４４３，４５３がＰＦＡ又は
ＰＴＦＥで構成されているので、基板Ｗが処理液に浸漬
されたときでも表面に付着した材料が拡散せず、基板の
処理品質の低下を防止することができる。

【００４５】カセットＣの外部上方に取り出された基板
Ｗは、基板搬送ロボット５０を構成する基板チャック５
３，５４で下端部が保持されて基板処理部６０へ搬送さ
れる。このとき、基板Ｗの表面には、基板Ｗが基板整列
保持溝５３２，５４２部分で擦れて基板チャック５３，
５４を構成する材料が付着することがあるが、基板チャ
ック５３，５４はＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成されている
ので、基板Ｗが処理液に浸漬されたときでも表面に付着
した材料が拡散せず、基板の処理品質の低下を防止する
ことができる。

【００４６】基板搬送ロボット５０により基板Ｗが基板
処理部６０に搬送されてきたとき、リフタ６２は処理槽
６１の上方に上昇しており、基板搬送ロボット５０で保
持された基板Ｗはリフタ６２に受け渡される。このリフ
タ６２は、基板保持部６２４で基板Ｗを保持した状態で
降下して基板Ｗを処理液中に浸漬させ、処理終了後に上
昇して基板Ｗを処理液中から退出させる。この処理槽で
の処理が終了した基板Ｗは、基板搬送ロボット５０の基
板チャック５３，５４の反対面の基板整列保持溝５３
４，５４４で保持され、次のリフタ６２に受け渡されて
次の処理槽での処理が行われる。そして、最後の処理槽
での処理が終了すると、リフタ６２上の基板Ｗは基板搬
送ロボット５０で保持されて基板乾燥部７０に搬送さ
れ、乾燥が終了した後に基板移載部４０に搬送される。

【００４７】なお、リフタ６２の基板保持部６２４で基
板Ｗを保持するとき、基板Ｗの表面には、基板Ｗが基板
整列保持溝６２９，６３０，６３１部分で擦れて基板保
持部６２４を構成する材料が付着することがあるが、基
板保持部６２４の基板Ｗとの接触部分はＰＦＡ又はＰＴ
ＦＥで構成されているので、基板Ｗが処理液に浸漬され
たときでも表面に付着した材料が拡散せず、基板の処理
品質の低下を防止することができる。

【００４８】基板移載部４０では、カセット洗浄部８０
で洗浄された２つのカセットＣが載置され、このカセッ
トＣ内を貫通して第１，第２基板受渡し部４４，４５の
基板載置部４４３，４５３が上方に移動された状態にあ
り、基板搬送ロボット５０で保持された処理済みの基板
Ｗが基板載置部４４３，４５３に受け渡される。その
後、基板載置部４４３，４５３に受け渡された基板Ｗは
カセットＣ内に収納され、このカセットＣはカセット搬
送ロボット３０により保持されて搬出部２２に搬送され
る。

【００４９】本発明の基板処理装置１０は、上記のよう
に各基板保持具の少なくとも基板Ｗとの接触部分がデュ
ロメータ硬さＤ６０以下の合成樹脂材料で構成されてい
るので、基板に付着した材料は基板から分離しにくい状
態にある結果、基板処理時に基板表面に拡散するのを抑
制することができる。

【００５０】なお、本発明の基板処理装置１０は、上記
実施形態の構成に限定されるものではなく、次のような
種々の変形態様を採用することができる。

【００５１】（１）上記実施形態では、基板移載部４０
の第１，第２の基板受渡し部４４，４５を構成する少な
くとも基板載置部４４３，４５３がＰＦＡ又はＰＴＦＥ
で構成されているが、基板整列保持溝４４４，４５４部
分等にＰＦＡ又はＰＴＦＥをコーティングする等して基
板載置部４４３，４５３の少なくとも基板Ｗとの接触部
分のみをＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成するようにすること
も可能である。この場合、ＰＦＡ又はＰＴＦＥ以外の部
分をデュロメータ硬さＤ６０よりも大きい母材で構成す
るようにすると、全体の機械的強度を高めることができ
る。

【００５２】（２）上記実施形態では、基板搬送ロボッ
ト５０の各基板チャック５３，５４がＰＦＡ又はＰＴＦ
Ｅで構成されているが、各基板チャック５３，５４を別
の合成樹脂等の他の母材で構成し、基板整列保持溝５３
２，５４２，５３４，５４４部分等にＰＦＡ又はＰＴＦ
Ｅをコーティングする等して少なくとも基板Ｗとの接触
部分のみをＰＦＡ又はＰＴＦＥで構成するようにするこ
とも可能である。この場合、ＰＦＡ又はＰＴＦＥ以外の
部分をデュロメータ硬さＤ６０よりも大きい母材で構成
するようにすると、全体の機械的強度を高めることがで
きる。

【００５３】（３）上記実施形態では、リフタ６２の背
板６２３及び基板保持部６２４を石英母材の表面にデュ
ロメータ硬さＤ６０以下の合成樹脂材料であるＰＦＡ又
はＰＴＦＥをコーティングする等して構成しているが、
例えば基板保持部６２４を構成する石英に代えてデュロ
メータ硬さＤ６０よりも大きい他の材料を用いることも
可能である。このように、デュロメータ硬さＤ６０より
も大きい材料を用いることによって所定の機械的強度を
確保することができる。

【００５４】（４）上記実施形態では、デュロメータ硬
さＤ６０以下の合成樹脂材料としてＰＦＡ又はＰＴＦＥ
を用いているが、デュロメータ硬さＤ６０以下であれば
他の合成樹脂材料であってもよい。勿論、耐薬品性や耐
熱性等の他の要件が要求される場合は、その要件をも同
時に満足する必要があることはいうまでもない。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１乃至３の
発明は、基板保持具の少なくとも基板との接触部分をデ
ュロメータ硬さＤ６０以下の合成樹脂材料で構成したの
で、基板に付着した材料が基板処理時に基板表面に拡散
するのを抑制できる基板処理装置を実現することができ
る。

【００５６】また、請求項４の発明は、基板保持具が、
デュロメータ硬さＤ６０よりも大きい母材からなり、該
母材表面の少なくとも基板との接触部分にデュロメータ
硬さＤ６０以下の合成樹脂材料を設けてなるものである
ので、所定の機械的強度を保持した上で基板に付着した
材料が基板処理時に基板表面に拡散するのを抑制できる
基板処理装置を実現することができる。

【００５７】また、請求項５の発明は、デュロメータ硬
さＤ６０以下の合成樹脂材料が、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又は
ポリテトラフルオロエチレンであるので、基板に付着し
た材料が基板処理時に基板表面に拡散するのを抑制でき
る基板処理装置が容易に実現可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略
構成を示す斜視図である。

【図２】図１に示す基板処理装置の基板移載部の構成を
説明するための要部断面図である。

【図３】図２に示す基板移載部の移載動作を説明するた
めの図であり、（ａ）は一方のカセット内の基板をカセ
ット上方に取り出した状態を示す図、（ｂ）は他方のカ
セット内の基板を取り出すために平板テーブルを移動さ
せた状態を示す図、（ｃ）は他方のカセット内の基板を
カセット上方に取り出した状態を示す図である。

【図４】図１に示す基板処理装置の基板搬送ロボットの
構成を説明するための図で、（ａ）はその斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】図１に示す基板処理装置のリフタの構成を説明
するための斜視図である。

【図６】基板表面に付着した各種合成樹脂材料の拡散状
態を示す図である。

【図７】基板表面に付着した材料の拡散状態の確認方法
を説明するための図である。

【符号の説明】

１０ 基板処理装置 ２０ カセット搬入出ステージ ３０ カセット搬送ロボット ４０ 基板移載部 ４４ 第１基板受渡し部 ４５ 第２基板受渡し部 ５０ 基板搬送ロボット ５３，５４ 基板チャック（基板保持具） ６０ 基板処理部 ６１ 処理槽 ６２ リフタ ７０ 基板乾燥部 ８０ カセット洗浄部 ４４２，４５２ ヘッド部（基板保持具） ４４３，４５３ 基板載置部（基板保持具） ６２４ 基板保持部（基板保持具）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液内に基板を浸漬して処理を施す処
   理槽と、該処理槽で処理されるべき基板を保持する基板
   保持具とを備えた基板処理装置において、前記基板保持
   具の少なくとも基板との接触部分をデュロメータ硬さＤ
   ６０以下の合成樹脂材料で構成したことを特徴とする基
   板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記基板保持具は、起立姿勢の基板に対して相対的に昇
   降し、基板の下端部を保持するものであることを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、
   基板を保持した基板保持具を移動し、基板を前記処理槽
   に貯留された処理液に対して搬入出させる駆動手段を備
   えたことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の基板
   処理装置において、前記基板保持具は、デュロメータ硬
   さＤ６０よりも大きい母材からなり、該母材表面の少な
   くとも基板との接触部分にデュロメータ硬さＤ６０以下
   の合成樹脂材料を設けてなることを特徴とする基板処理
   装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の基板
   処理装置において、デュロメータ硬さＤ６０以下の合成
   樹脂材料は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
   ルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロ
   エチレンであることを特徴とする基板処理装置。