JP2000124297A

JP2000124297A - 基板保持具

Info

Publication number: JP2000124297A
Application number: JP10298288A
Authority: JP
Inventors: Naotada Maekawa; 直嗣前川; Tsugumasa Matsuda; 承真松田; Koji Hasegawa; 公二長谷川
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】汚染物質の発生を抑制しつつ、基板を安定し
て保持することができる基板保持具を提供する。【解決手段】保持部９３には保持溝９３ａが形成され
ており、保持溝９３ａは、溝底部から基板が挿入される
開口側に向けて保持溝９３ａの幅が漸次広くなるように
相対向して形成された断面Ｖ字形状の１対の平面９３ｂ
を備えている。また、１対の平面９３ｂが成す開き角度
αは２゜以上２８゜以下となるようにされている。さら
に、１対の平面９３ｂはデュロメーター硬さ８０以下ま
たは動摩擦係数０．２２以下の材料で形成されている。
保持部９３に保持された基板の倒れが小さくなり、複数
の基板を保持している場合であっても基板が相互に接触
することなく安定して保持されることとなり、また、基
板と平面９３ｂとの摩擦による発塵が低減され、パーテ
ィクル等の汚染物質の発生を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、保持溝に半導体基
板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス
基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称す
る）の外縁部を嵌合させて基板を保持する基板保持具に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、上記基板に対しては、フッ酸等
の薬液による表面処理や純水による洗浄処理が繰り返さ
れて一連の処理が行われる。これら処理の工程におい
て、基板は所定の基板保持具によって保持されており、
処理間搬送の工程においても、搬送ロボットの基板保持
具によって保持されている。

【０００３】そして、従来より、このような基板保持具
が基板を保持するに際して、基板の外縁部のみを保持溝
にはめ込むことによりその基板を保持するという手法が
用いられている。特に、複数の基板を平行配列して同時
に保持する際には複数の平行溝を形成した保持具を用い
て基板を保持する方法が採用されている。

【０００４】図８は、基板を保持するための保持溝の従
来の一の形状を示す断面図である。同図では基板Ｗを保
持するための保持具９１０に保持溝９１１が形成されて
いる。保持溝９１１は、底部から基板Ｗの外縁部の形状
に沿って垂直に設けられた相対する側壁９１２と、その
側壁９１２の上端から保持溝９１１の開口部に向かって
溝の幅が直線的に広がるように設けられた解放上側縁部
９１３とを備えている。なお、以下この形状の保持溝９
１１を「Ｙ字型溝」と呼ぶ。また、解放上側縁部９１３
の開口部近傍が広がっているのは基板Ｗの保持溝９１１
への挿入を容易とするためのものであり、以下の図９に
おいても同様である。

【０００５】図９は、基板を保持するための保持溝の従
来の他の形状を示す断面図である。図９においても基板
Ｗを保持するための保持具９１０に保持溝９１４が形成
されている。保持溝９１４は、溝の底部から開口部へと
向かって溝の幅が直線的に広がる１対の傾斜面９１５を
備えている。なお、以下この形状の保持溝９１４を「Ｖ
字型溝」と呼ぶ。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８に示すように、
「Ｙ字型溝」においては側壁９１２にて基板Ｗの両主面
が保持されるため、基板Ｗが傾くおそれがなく、安定性
に優れている。しかしながら、側壁９１２が基板Ｗの両
側の主面と面接触するので、パーティクル等の汚染物質
が発生するとともに基板Ｗの損傷が著しいという問題を
有している。

【０００７】一方、図９に示す「Ｖ字型溝」は「Ｙ字型
溝」のような問題は有していないものの、開口部におけ
る保持溝９１４の幅を十分に確保するためには１対の傾
斜面９１５同士が成す開き角度が大きなものとならざる
を得ない。その結果、図９に示すように、保持具９１０
の振動等によって、基板Ｗの倒れが大きくなり、複数の
基板Ｗを保持したときに隣接する基板Ｗ同士が接触した
り、保持具９１０から基板Ｗが脱落する等、安定した基
板Ｗの保持が確保し難いという問題を有している。特
に、複数の基板Ｗをハーフピッチ（基板搬送用のカセッ
トに収納されている通常の基板間隔（ノーマルピッチ）
の半分の間隔）にて保持している保持具の場合は、隣接
する基板Ｗ同士の間隔が狭いため、基板Ｗの倒れが比較
的小さくても、基板Ｗ同士の接触が生じることとなる。

【０００８】また、「Ｖ字型溝」においても図９の如
く、基板Ｗが傾くと基板Ｗの主面と傾斜面９１５とが面
接触することとなり、パーティクルの発生や基板Ｗの損
傷という問題をも生じさせることとなる。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、汚染物質の発生を抑制しつつ、基板を安定して保
持することができる基板保持具を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、保持溝に基板の外縁部を嵌合さ
せて当該基板を保持する基板保持具であって、前記保持
溝に、開き角度２゜以上２８゜以下となる断面Ｖ字形状
の１対の平面を有させ、前記平面を、基板と接触すると
きの防塵性を有する材料で形成している。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板保持具において、前記材料を、デュロメータ
ー硬さ８０以下または動摩擦係数０．２２以下としてい
る。

【００１２】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板保持具において、前記材料を、ポリテトラフ
ルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエ
チレン−エチレン共重合体、ポリ塩化ビニルからなる群
の中から選択された材質としている。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。以下の説明におい
ては、まず本発明に係る基板保持具を適用した基板処理
装置全体の構成および動作について簡単に説明した後、
基板保持具の形態について説明する。

【００１４】＜１．基板処理装置の全体構成および動作
＞図１は、本発明に係る基板保持具を適用した基板処理
装置１の全体を示す斜視図である。なお、図１および以
下の各図には、それらの方向関係を明確にするため、Ｘ
ＹＺ直交座標系を適宜付している。

【００１５】基板処理装置１は、複数の基板Ｗを１つの
基板群として一括して洗浄処理を行う装置であり、大き
く分けてカセットＣに収容された基板Ｗの搬出入が行わ
れるカセット載置ユニット２Ｕ、基板Ｗに洗浄処理を施
す洗浄処理ユニット４Ｕ、および、カセット載置ユニッ
ト２Ｕと洗浄処理ユニット４Ｕとの間で基板Ｗの搬送を
行う基板搬送ロボット３を有している。

【００１６】カセット載置ユニット２Ｕは、装置外部か
らカセットＣが搬入され載置されるカセット載置部２
１、カセットＣの移載を行うカセット移載ロボット２
２、カセット移載ロボット２２によりカセットＣが載置
される突上部２３、および、カセットＣを洗浄するカセ
ット洗浄部２４を有しており、基板処理装置１に搬入さ
れた基板Ｗは突上部２３から基板搬送ロボット３に渡さ
れるようになっている。また、逆に、基板搬送ロボット
３から受け取った基板ＷをカセットＣに収容してカセッ
ト載置部２１へと導くことも可能とされている。

【００１７】洗浄処理ユニット４Ｕは、前工程の洗浄処
理を行う前洗浄部４ａ、後工程の洗浄処理を行う後洗浄
部４ｂ、および、洗浄後の基板Ｗを乾燥する乾燥部ＤＲ
を有しており、基板搬送ロボット３との受渡により、基
板Ｗは前洗浄部４ａ、後洗浄部４ｂ、乾燥部ＤＲをそれ
ぞれ順に経由してカセット載置ユニット２Ｕへと搬送さ
れるようになっている。

【００１８】以上が基板処理装置１の構成の概要である
が、次に、基板処理装置１の動作の説明を各構成の説明
とともに行う。

【００１９】基板処理装置１への基板Ｗの搬入はカセッ
トＣを介して行われる。カセットＣは複数の基板Ｗを起
立姿勢に平行配置して収納可能とされている。カセット
Ｃは搬送車（図示省略）などにより基板処理装置１まで
搬送され、カセット載置部２１上に図１中に示すＹ方向
に配列配置される。カセットＣがカセット載置部２１に
載置されると、当該カセットＣはカセット移載ロボット
２２により突上部２３に載置される。

【００２０】突上部２３は、２つのカセットＣがＹ方向
に配列配置可能なように２つの突上機構２３ａおよび２
３ｂを有しており、これらの突上機構２３ａ、２３ｂは
図示しない移動駆動源により移動する移動台２３１上に
設けられている。これにより、２つの突上機構２３ａ、
２３ｂは図中のＹ方向に移動可能とされている。２つの
突上機構２３ａ、２３ｂはそれぞれ図２（突上機構２３
ａのみについて例示）に示すように回転台２３２と突上
台２３３とを有しており、回転台２３２がＺ方向を向く
軸を中心に回転するとカセットＣも回転するようになっ
ている。また、突上台２３３がカセットＣの下部の開口
部Ｃａを通り抜けて基板Ｗを突き上げるように昇降する
ようになっている（図２（ａ）（ｂ）参照）。

【００２１】カセットＣが突上部２３に載置されると、
移動台２３１の移動により当該カセットＣが載置された
突上機構２３ａまたは突上機構２３ｂが基板搬送ロボッ
ト３の下方に移動し、回転台２３２が９０゜回転するこ
とによりカセットＣに収容された所定数の基板Ｗの主面
の法線がＸ方向からＹ方向へと向きを変える。

【００２２】次に、突上台２３３が上昇して所定数の基
板Ｗが基板群として基板搬送ロボット３の本体部３ａに
連結された２本の保持柱３５Ｒ、３５Ｌに渡され、突上
台２３３が下降する。なお、突上台２３３の形態につい
ては、さらに後述する。また、突上部２３から基板Ｗを
渡すときに、２つの突上機構２３ａ、２３ｂに載置され
たそれぞれのカセットＣに収容された基板Ｗを順次基板
搬送ロボット３に渡し、基板搬送ロボット３がこれらを
併せて１つの基板群として保持するようにしてもよい
（このときには、カセットＣに収容されている基板Ｗの
間隔の半分の間隔、すなわちハーフピッチで保持される
こととなる）。

【００２３】突上部２３より基板Ｗを受け取った基板搬
送ロボット３は、基板Ｗを前洗浄部４ａへと搬送する。
前洗浄部４ａはフッ酸、塩酸と過酸化水素水との混合溶
液等である薬液を貯留する薬液槽ＣＢ１と純水を貯留す
る水洗槽ＷＢ１とそれら両槽に対してリフターアーム５
１および昇降台５２を昇降させる浸漬ロボット５０とを
有している。浸漬ロボット５０は、リフターアーム５１
および昇降台５２を昇降させることと、薬液槽ＣＢ１の
上方と水洗槽ＷＢ１の上方との間で横行させることが可
能である。

【００２４】昇降台５２が薬液槽ＣＢ１の上方に位置す
る状態において、基板搬送ロボット３が昇降台５２に所
定数の基板Ｗを基板群として渡し、浸漬ロボット５０が
昇降台５２を下降させて基板Ｗを薬液槽ＣＢ１の薬液に
浸漬させることにより基板Ｗに前工程の表面処理が施さ
れる。薬液による表面処理が終了すると、浸漬ロボット
５０は一旦昇降台５２を上昇させて、水洗槽ＷＢ１の上
方までＸ方向に移動させた後、再び昇降台５２を下降さ
せて、基板Ｗを水洗槽ＷＢ１の純水に浸漬させることに
より基板Ｗに純水洗浄処理が施される。このようにし
て、前洗浄部４ａにおける一連の洗浄処理が完了する。

【００２５】基板Ｗの前工程の洗浄処理が完了すると浸
漬ロボット５０は昇降台５２を上昇させ、水洗槽ＷＢ１
から基板Ｗを取り出すとともに基板搬送ロボット３へと
基板Ｗを渡す。

【００２６】前洗浄部４ａより基板Ｗを受け取った基板
搬送ロボット３は、基板Ｗを後洗浄部４ｂへと搬送す
る。後洗浄部４ｂは上記薬液槽ＣＢ１に貯留されている
ものとは異なる薬液を貯留する薬液槽ＣＢ２と純水を貯
留する水洗槽ＷＢ２とそれら両槽に対してリフターアー
ム５１および昇降台５２を昇降させる浸漬ロボット５０
とを有している。後洗浄部４ｂの浸漬ロボット５０は、
前洗浄部４ａの浸漬ロボット５０と同じであり、リフタ
ーアーム５１および昇降台５２を昇降、横行させること
ができる。

【００２７】昇降台５２が薬液槽ＣＢ２の上方に位置す
る状態において、基板搬送ロボット３が昇降台５２に所
定数の基板Ｗを基板群として渡し、浸漬ロボット５０が
昇降台５２を下降させて基板Ｗを薬液槽ＣＢ２の薬液に
浸漬させることにより基板Ｗに後工程の表面処理が施さ
れる。薬液による表面処理が終了すると、浸漬ロボット
５０は一旦昇降台５２を上昇させて、水洗槽ＷＢ２の上
方までＸ方向に移動させた後、再び昇降台５２を下降さ
せて、基板Ｗを水洗槽ＷＢ２の純水に浸漬させることに
より基板Ｗに純水洗浄処理が施される。このようにし
て、後洗浄部４ｂにおける一連の洗浄処理が完了する。

【００２８】基板Ｗの後工程の洗浄処理が完了すると浸
漬ロボット５０は昇降台５２を上昇させ、基板Ｗを基板
搬送ロボット３に渡し、基板搬送ロボット３は基板Ｗを
乾燥部ＤＲへと搬送する。

【００２９】乾燥部ＤＲは、昇降ロボット４１と乾燥室
４２とを有しており、昇降ロボット４１が基板Ｗを基板
搬送ロボット３から受け取って乾燥室４２にて乾燥し、
再び基板搬送ロボット３へと乾燥後の基板Ｗを渡す。

【００３０】乾燥した基板Ｗを受け取った基板搬送ロボ
ット３は基板Ｗを突上部２３の上方へと搬送し、突上部
２３が基板Ｗを受け取る。このときの突上部２３および
基板搬送ロボット３の動作は、突上部２３から基板搬送
ロボット３へと基板Ｗを渡す際の動作の逆の動作であ
る。その後、カセットＣはカセット移載ロボット２２に
よりカセット載置部２１へと移載される。

【００３１】なお、基板Ｗが洗浄されている間に、カセ
ット洗浄部２４の蓋２４ａが開放され、突上部２３上の
空のカセットＣがカセット移載ロボット２２により搬送
されてカセット洗浄部２４にて洗浄処理が施され、再び
突上部２３に載置されている。したがって、洗浄後の基
板Ｗは洗浄された清浄なカセットＣに収容されることと
なる。

【００３２】＜２．基板保持具の形態＞以上、この発明
に係る基板保持具を適用した基板処理装置１の全体の構
成および動作の概略について説明してきたが、次に、そ
の基板保持具を有する突上台２３３の形態について説明
し、さらに、本発明に係る基板保持具を有する他の箇所
についても説明する。

【００３３】図３は、突上部２３の突上台２３３が上昇
したときの様子を示す斜視図である。同図に示すよう
に、突上台２３３は、基台９１の上部に３つの保持部９
２、９３、９４を立設して構成されている。保持部９３
には基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢に
て保持する複数の保持溝９３ａが所定間隔にてＹ方向に
配列して設けられている。同様の態様にて、保持部９２
には複数の保持溝９２ａが、保持部９４には複数の保持
溝９４ａが設けられている。また、これら保持溝９２
ａ、９３ａ、９４ａは、カセットＣに収容されている基
板Ｗの間隔にてＹ方向に配列して設けられている。従っ
て、突上台２３３が上昇することにより、カセットＣに
収容されている複数の基板Ｗ（または基板搬送ロボット
３に保持されている基板Ｗ）が複数の保持溝９３ａ（９
２ａ、９４ａ）のそれぞれに保持され、複数の基板Ｗが
１つの基板群として突上台２３３に保持される。なお、
突上台２３３においては、３つの保持部９２、９３、９
４のそれぞれが基板保持具に相当する。

【００３４】図４は、保持部９３に刻設された複数の保
持溝９３ａに複数の基板Ｗが保持されている様子を示す
図である。なお、基板Ｗは主面の法線がＹ方向を向くよ
うに保持されるため、同図における断面はＹ方向を向く
軸を含むような断面を示している。また、図５は、保持
溝９３ａの形態を説明する図である。

【００３５】図４に示すように、保持部９３には複数の
保持溝９３ａが形成されており、保持溝９３ａは、溝底
部から基板Ｗが挿入される開口側に向けて保持溝９３ａ
の幅が漸次広くなるように相対向して形成された断面Ｖ
字形状の１対の平面９３ｂを備えている。

【００３６】また、本実施形態の保持溝９３ａは、１対
の平面９３ｂが成す開き角度αが２゜以上２８゜以下と
なるように形成されている。ここで、開き角度αを２゜
以上としているのは、２゜未満であると１対の平面９３
ｂが実質的に平行となり、「Ｙ字型溝」（図８参照）の
側壁９１２にて基板Ｗの両主面を保持するのと同様に、
パーティクルが発生するからである。また、開き角度α
を２８゜以下としているのは、２８゜より大きくすると
基板Ｗの倒れが大きくなるからであり、特に複数の基板
Ｗをハーフピッチにて保持する場合は開き角度αを２８
゜以下とする必要がある。

【００３７】基板Ｗが保持されるときには、基板Ｗの外
縁部が保持溝９３ａの１対の平面９３ｂに点接触するこ
ととなる。なお、保持溝９３ａは保持される基板Ｗの外
周に沿って形成されているため、３次元的には基板Ｗの
外縁部が２本の曲線的領域として接触することとなり、
さらに保持溝９２ａ、９４ａも図４の保持溝９３ａと同
様の形態を有しているため、１枚の基板Ｗは３つの保持
溝９２ａ、９３ａ、９４ａのそれぞれに曲線的領域によ
って保持されている。そして、１対の平面９３ｂが成す
開き角度αが２゜以上２８゜以下であるため、突上台２
３３に保持されている複数の基板Ｗのそれぞれの倒れが
小さくなり、複数の基板Ｗ全体が相互に接触することな
く安定して保持されることとなる。

【００３８】また、本実施形態の保持溝９３ａにおいて
は、１対の平面９３ｂを基板Ｗと接触するときの防塵性
を有する材料で形成している。ここで、「基板Ｗと接触
するときの防塵性」とは、基板Ｗとの接触によるパーテ
ィクル等の汚染物質発生を抑制する性質のことである。
そして、基板Ｗとの接触による汚染物質発生を抑制する
ために、１対の平面９３ｂをデュロメーター硬さ８０以
下または動摩擦係数０．２２以下の材質を有する材料で
形成している。なお、ここでの「デュロメーター硬さ」
は、ＡＳＴＭ試験法（Ｄ２２４０）に従って測定された
ものであり、デュロメーター硬さ８０はロックウェル硬
度（Ｒスケール）１１８に相当する。また、動摩擦係数
は、７ｋｇｆ／ｃｍ²の荷重の下、相手材料をＳＴＥＥ
Ｌとして、３ｍ／分で移動させることによって測定した
値である。

【００３９】また、デュロメーター硬さ８０以下または
動摩擦係数０．２２以下の材質を有する材料として具体
的には、ポリテトラフルオロエチレン（デュロメーター
硬さ５０、動摩擦係数０．１０；以下、「ＰＴＦＥ」と
する）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキ
ルビニルエーテル共重合体（デュロメーター硬さ６４、
動摩擦係数０．２；以下、「ＰＦＡ」とする）、テトラ
フルオロエチレン−エチレン共重合体（デュロメーター
硬さ７５、動摩擦係数０．４；以下、「ＥＴＦＥ」とす
る）、またはポリ塩化ビニル（デュロメーター硬さ８
０、動摩擦係数０．２２；以下、「ＰＶＣ」とする）を
適用している。なお、保持部９３全体をこれらの材料に
よって形成するようにしても良いし、平面９３ｂ近傍の
みをこれらの材質によって形成するようにしても良く、
製作の容易性、コスト等を勘案して使い分ければよい。

【００４０】１対の平面９３ｂをデュロメーター硬さ８
０以下または動摩擦係数０．２２以下の上記材料で形成
すれば、基板Ｗと平面９３ｂとの摩擦による発塵が低減
され、パーティクル等の汚染物質の発生を抑制すること
ができる。

【００４１】すなわち、１対の平面９３ｂが成す開き角
度αを２゜以上２８゜以下となるようにして、かつ１対
の平面９３ｂをデュロメーター硬さ８０以下または動摩
擦係数０．２２以下の材料で形成すれば、パーティクル
等の汚染物質の発生を抑制しつつ、基板Ｗを安定して保
持することができるのである。

【００４２】また、基板Ｗの厚さには、種々の厚さのも
のが存在する。このような場合であっても、断面Ｖ字形
状の１対の平面９３ｂを備えた保持溝９３ａにおいて
は、基板Ｗが１対の平面９３ｂによって保持されるた
め、厚い基板Ｗと平面９３ｂとのなす角度は、薄い基板
Ｗと平面９３ｂとのなす角度と同じになる。つまり、基
板Ｗの保持部分を平面で形成していることにより、種々
の厚さの基板Ｗを一定の状態で安定して保持することが
できるのである。

【００４３】なお、本実施形態においては、突上台２３
３を基台９１の上部に３つの保持部９２、９３、９４を
立設して構成しているが、３つの保持部９２、９３、９
４のそれぞれの間に昇降自在の可動保持部を設け、洗浄
処理前の未処理基板はその可動保持部によって保持し、
洗浄処理後の処理済み基板は保持部９２、９３、９４に
よって保持するようにしてもよい。このようにすれば、
未処理基板に付着している汚染物質を保持部を介して処
理済み基板に転写することがない。そして、当該可動保
持部についても、保持溝９３ａと同様の保持溝を刻設す
ることにより、上記と同様の効果を得ることができる。

【００４４】また、保持溝９３ａの溝底部は図４および
図５に示したような尖鋭な形状のものに限定されず、図
７に示すような平坦な形状のものであってもよい。但
し、保持溝９３ａの溝底部の幅は、基板Ｗの厚さよりも
狭い方が好ましい。すなわち、１対の平面９３ｂによっ
て基板Ｗを保持するのが好ましい。これは、上述したよ
うに、１対の平面９３ｂによって基板Ｗを保持すること
により、種々の厚さの基板Ｗを一定の状態で安定して保
持することができるからである。

【００４５】また、デュロメーター硬さ８０以下または
動摩擦係数０．２２以下の材質としては、上述したＰＴ
ＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＰＶＣに限定されるものでは
なく、他の材料であっても良い。

【００４６】＜３．基板保持具の利用＞以上、説明した
ように、図４および図５に示すような保持溝９３ａを形
成した基板保持具（保持部９２、９３、９４）は、パー
ティクル等の汚染物質の発生を抑制しつつ、基板Ｗを安
定して保持することができる。そして、上記において
は、突上部２３の突上台２３３に、このような基板保持
具を利用していたのであったが、これに限らず、本発明
に係る基板保持具は複数の基板Ｗを保持する部位であれ
ば他の箇所に利用することも勿論可能である。

【００４７】図６は、基板処理装置１の前洗浄部４ａお
よび後洗浄部４ｂに設けられた浸漬ロボット５０の昇降
台５２を示す斜視図である。この昇降台５２も基板搬送
ロボット３から複数の基板Ｗを基板群として受け取り、
保持する部位である。

【００４８】昇降台５２は、２本の支持柱６１、６２の
間に３つの保持部６３、６４、６５を掛け渡して構成さ
れている。そして、支持柱６１はリフターアーム５１の
下端に固設されている。すなわち、昇降台５２が上記の
突上台２３３と大きく異なるのは、３つの保持部６３、
６４、６５のそれぞれの間が開放され、液体が通過可能
とされている点である。これにより、昇降台５２は、処
理液中（薬液または純水中）で容易に昇降できるととも
に、処理液から基板Ｗを引き揚げたときに、昇降台５２
に処理液が溜まるのを防いでいる。なお、昇降台５２に
おいては、３つの保持部６３、６４、６５のそれぞれが
基板保持具に相当する。

【００４９】３つの保持部６３、６４、６５は、上記保
持溝９３ａと同様の保持溝６３ａ、６４ａ、６５ａをそ
れぞれ所定間隔にてＹ方向に配列して設けている。ま
た、これら保持溝６３ａ、６４ａ、６５ａは、基板搬送
ロボット３に保持されている基板Ｗの間隔にてＹ方向に
配列して設けられている。従って、基板搬送ロボット３
に保持されている複数の基板Ｗのそれぞれの外縁部が保
持溝６３ａ、６４ａ、６５ａにはまり込むことによっ
て、複数の基板Ｗが基板群として昇降台５２に保持され
ることとなる。

【００５０】このような３つの保持部６３、６４、６５
においても、図４および図５に示すような保持溝９３ａ
と同様の保持溝６３ａ、６４ａ、６５ａを形成している
ため、それら保持溝の１対の平面の開き角度が２゜以上
２８゜以下であることにより昇降台５２に保持されてい
る複数の基板Ｗのそれぞれの倒れが小さくなり、複数の
基板Ｗ全体が相互に接触することなく、安定して保持さ
れることとなり、また、１対の平面をデュロメーター硬
さ８０以下または動摩擦係数０．２２以下の材料で形成
していることにより、基板Ｗと平面との摩擦による発塵
が低減され、パーティクル等の汚染物質の発生を抑制す
ることができる。特に、基板搬送ロボット３が搬送する
基板Ｗの間隔は、ハーフピッチである場合もあり、この
ような場合は、保持する複数の基板Ｗの相互間の間隔が
著しく狭くなるため、開き角度が２゜以上２８゜以下の
平面により基板Ｗを保持して、複数の基板Ｗのそれぞれ
の倒れを所定限度以内に抑える必要性は大きい。

【００５１】その他に、基板保持具を利用する箇所とし
ては、例えば、基板搬送ロボット３も複数の基板Ｗを保
持、搬送するロボットであり、本発明に係る基板保持具
を利用することが可能である。

【００５２】すなわち、図１および図２に示した、基板
搬送ロボット３の２本の保持柱３５Ｒ、３５Ｌのそれぞ
れに保持溝９３ａと同様の保持溝を形成することによ
り、２本の保持柱３５Ｒ、３５Ｌに保持された複数の基
板Ｗのそれぞれ倒れが小さくなり、複数の基板Ｗ全体が
相互に接触することなく安定して保持されることとな
り、また、基板Ｗと保持溝の平面との摩擦による発塵が
低減され、パーティクルの発生を抑制することができ
る。

【００５３】また、本発明に係る基板保持具は、乾燥部
ＤＲの昇降ロボット４１に適用することも勿論可能であ
る。すなわち、上述したように、本発明に係る基板保持
具は複数の基板Ｗを保持する部位であればいかなる箇所
に利用することも可能なのである。

【００５４】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、保持溝が開き角度２゜以上２８゜以下となる
断面Ｖ字形状の１対の平面を有し、その平面は、基板と
接触するときの防塵性を有する材料で形成されているた
め、基板保持具によって保持されている基板の倒れが小
さくなり、汚染物質の発生を抑制しつつ、基板を安定し
て保持することができる。

【００５５】また、請求項２および請求項３の発明によ
れば、上記材料がデュロメーター硬さ８０以下または動
摩擦係数０．２２以下であるため、基板と上記平面との
摩擦による発塵が低減され、汚染物質の発生を抑制する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板保持具を適用した基板処理装
置の全体を示す斜視図である。

【図２】(a)および(b)は図１の突上機構と基板搬送ロボ
ットとの基板の受渡動作を示す図である。

【図３】図１の基板処理装置の突上部の突上台が上昇し
たときの様子を示す斜視図である。

【図４】図３の保持部に刻設された複数の保持溝に複数
の基板が保持されている様子を示す図である。

【図５】図４の保持溝の形態を説明する図である。

【図６】図１の基板処理装置の前洗浄部および後洗浄部
に設けられた浸漬ロボットの昇降台を示す斜視図であ
る。

【図７】図４の保持溝の他の形態を説明する図である。

【図８】基板を保持するための保持溝の従来の一の形状
を示す断面図である。

【図９】基板を保持するための保持溝の従来の他の形状
を示す断面図である。

【符号の説明】

１基板処理装置３基板搬送ロボット２３３突上台５２昇降台９２、９３、９４保持部９２ａ、９３ａ、９４ａ保持溝９３ｂ平面Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松田承真京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者長谷川公二京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 CA07 EA06 FA01 FA09 FA12 FA19 HA42 HA45 HA73 HA74 MA23 PA16 PA26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】保持溝に基板の外縁部を嵌合させて当該
基板を保持する基板保持具であって、前記保持溝は、開き角度２゜以上２８゜以下となる断面
Ｖ字形状の１対の平面を有し、前記平面は、基板と接触するときの防塵性を有する材料
で形成されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項２】請求項１記載の基板保持具において、前記材料は、デュロメーター硬さ８０以下または動摩擦
係数０．２２以下であることを特徴とする基板保持具。
【請求項３】請求項２記載の基板保持具において、前記材料は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、
ポリ塩化ビニルからなる群の中から選択された材質であ
ることを特徴とする基板保持具。