JP2009231386A - 基板ケース及び処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に割れや反りが発生することを抑制できる基板ケース及びそれを用いて基板に薬液処理を施す処理方法を提供する。
【解決手段】基板ケース１において、縦溝２０Ｇの一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれは、配列方向に対して角度θ_２を有する。角度θ_２は、配列方向における基板Ｓの撓みに基づいて決定される。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板を支持する基板ケース及びそれを用いて基板に薬液処理を施す処理方法に関する。

一般的に、半導体装置の製造工程において基板に薬液処理を施す場合、複数の基板が収納された基板ケースを薬液中に浸漬する。複数の基板それぞれは、基板ケースの一対の内壁に形成された一対の縦溝に差し込まれる。これにより、複数の基板は、基板ケース内において互いに平行に立たされた状態で支持される。

ここで、基板ケースを薬液中から引き上げる際に、互いに隣接する基板どうしが貼りつくことを抑制するために、複数の基板それぞれの間に仕切り治具を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−２０８６０４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の基板ケースを薬液中から引き上げる際、基板が縦溝の側面あるいは仕切り治具と貼りつくことにより、基板に割れや反りが生じるという問題があった。

本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、基板に割れや反りが発生することを抑制できる基板ケース及びそれを用いて基板に薬液処理を施す処理方法を提供することを目的とする。

本発明の一の特徴に係る基板ケースは、基板を所定の方向に対して略垂直に支持する基板ケースであって、基板の下端部を支持する下側溝を有する下端支持部と、基板の上端部を支持する上側溝を有する上端支持部と、基板の両側端部を支持する縦溝をそれぞれ有する一対の側端支持部とを備え、縦溝は、上下方向に沿って延び、縦溝は、テーパー状に形成されており、縦溝が有する一対の側面それぞれは、所定の方向に対して第１の角度を有し、第１の角度は、所定の方向における基板の撓みに基づいて決定されることを要旨とする。

本発明の一の特徴に係る基板ケースによれば、基板ケースを薬液中から引き上げる際に、基板が縦溝の一対の側面それぞれに貼りつかない角度に第１の角度を決定することができる。従って、基板が縦溝の一対の側面それぞれに貼りつくことを抑制できる。その結果、基板に割れや反りが発生することを抑制できる。

本発明の一の特徴において、縦溝は、縦溝が有する一対の側面それぞれに繋がる平面状の底面を有していてもよい。

本発明の一の特徴において、下側溝及び上側溝の少なくとも一方の溝は、テーパー状に形成されており、一方の溝が有する一対の側面は、所定の方向に対して第２の角度を有しており、第２の角度は、所定の方向における基板の撓みに応じて決定されてもよい。

本発明の一の特徴において、下側溝は、下側溝が有する一対の側面に繋がる平面状の底面を有していてもよい。

本発明の一の特徴において、下端支持部は、所定の方向に沿って延びる第１下端支持部及び第２下端支持部を含み、第１下端支持部及び第２下端支持部それぞれは、下側溝を有していてもよい。

本発明の一の特徴において、下側溝及び上側溝は、基板の所定の方向における位置ずれを所定の範囲に制約してもよい。

本発明の一の特徴に係る処理方法は、基板に薬液処理を施す処理方法であって、基板を基板ケース内に立てて収納する工程Ａと、基板ケースを薬液中に浸漬する工程Ｂと、基板ケースを薬液中から取り出す工程Ｃとを備え、基板ケースは、基板の下端部を支持する下側溝を有する下端支持部と、基板の上端部を支持する上側溝を有する上端支持部と、基板の両側端部を支持する縦溝をそれぞれ有する一対の側端支持部とを備え、縦溝は、上下方向に沿って延び、縦溝は、テーパー状に形成されており、縦溝が有する一対の側面それぞれは、基板に垂直な方向に対して第１の角度を有し、第１の角度は、基板に垂直な方向における基板の撓みに基づいて決定されていることを要旨とする。

本発明によれば、基板に割れや反りが発生することを抑制できる基板ケース及びそれを用いて基板に薬液処理を施す処理方法を提供することができる。

次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

（基板ケースの構成）
本発明の実施形態に係る基板ケース１の構成について、図１〜３を参照しながら説明する。図１は、基板ケース１の上面図である。図２は、図１に示す上端支持部１０を取外した状態での基板ケース１の上面図である。図３は、図１のＡ−Ａ断面図である。

図１及び図２に示すように、基板ケース１は、上端支持部１０、側端支持部２０、固定部３０及び下端支持部４０を備える。

基板ケース１は、半導体製造装置の製造工程において、例えば、ガラス基板や半導体ウェハなどの基板Ｓに対して薬液処理を施す際に用いられる。従って、基板ケース１は、薬液処理に用いられる薬液に対する耐性を有する材料によって構成される。このような材料としては、例えば、酸性及びアルカリ性の薬液に対する耐性を有するＰＦＡ（Tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy vinyl ether copolymer）やＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）などのフッ素系樹脂、或いはＰＥＥＫ（Polyether ether ketone）などを用いることができる。複数の基板Ｓは、基板ケース１内において、配列方向に従って配列され、互いに略平行に支持される。なお、基板ケース１は、基板Ｓに薬液処理を施す際に限らず、基板Ｓを搬送する際の収納ケースとして用いることもできる。

上端支持部１０は、第１上端支持部１０ａと第２上端支持部１０ｂ（以下、上端支持部１０と併称する。）とを含む。上端支持部１０は、基板Ｓの上端部を支持しており、基板ケース１が薬液中に浸漬された際に基板Ｓが浮き上がることを抑止する。上端支持部１０は、配列方向に沿って配置される。上端支持部１０は、固定具１５を用いることにより、後述する固定部３０に取外し可能に固定される。基板Ｓは、図２に示すように、上端支持部１０を取外した状態で、基板ケース１の上方から挿入される。

上端支持部１０は、配列方向に沿って連なる複数の上側溝１０Ｇを有する。上側溝１０Ｇは、テーパー状に形成される。基板Ｓの上端部は、上側溝１０Ｇの内側に収められることで支持される（図４参照）。なお、本実施形態において、上側溝１０Ｇは、上端支持部１０の軸心を中心として環状に形成されているが、上端支持部１０の下面側のみに形成されていてもよい。

側端支持部２０は、互いに対向する一対の第１側端支持部２０ａと第２側端支持部２０ｂ（以下、側端支持部２０と併称する。）とを含む。側端支持部２０は、基板Ｓの側端部を支持しており、上面視で配列方向に略直交する直交方向における基板Ｓの動きを制約する。側端支持部２０の配列方向両端部は、固定部３０に固定される。薬液は、上端支持部１０どうしの間、又は、上端支持部１０と側端支持部２０との間を通過する。

側端支持部２０は、配列方向に沿って連なる複数の縦溝２０Ｇを有する。縦溝２０Ｇは、テーパー状に形成される。縦溝２０Ｇは、上下方向に沿って延びる。基板Ｓの側端部は、縦溝２０Ｇの内側に収められることで支持される（図６参照）。

下端支持部４０は、第１下端支持部４０ａと第２下端支持部４０ｂ（以下、下端支持部４０と併称する。）とを含む。下端支持部４０は、基板Ｓの下端部を支持する。下端支持部４０の両端部は、固定部３０に固定される。薬液は、下端支持部４０どうしの間、又は、下端支持部４０と側端支持部２０との間を通過する。

下端支持部４０は、配列方向に沿って連なる複数の下側溝４０Ｇを有する。下側溝４０Ｇは、テーパー状に形成される。基板Ｓの下端部は、下側溝４０Ｇ内に載置される（図５（ｂ）参照）。

固定部３０は、互いに対向する一対の第１固定部３０ａと第２固定部３０ｂ（以下、固定部３０と併称する。）とを含む。固定部３０は、側端支持部２０と下端支持部４０それぞれの端部を固定する。

以上より、基板Ｓは、図３に示すように、上側溝１０Ｇ、縦溝２０Ｇ及び下側溝４０Ｇによって、基板ケース１内で略垂直に支持される。

（上側溝の構成）
次に、上端支持部１０が有する上側溝１０Ｇの構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、図１のＢ−Ｂ線における第１上端支持部１０ａの拡大断面図である。

上側溝１０Ｇは、図４に示すように、上方に向かってテーパー状に形成される。基板Ｓが上側溝１０Ｇの内側に収められることによって、基板Ｓの配列方向における位置ずれは所定の範囲に抑制される。

ここで、基板Ｓが下側溝４０Ｇに載置された場合、上側溝１０Ｇの深部と基板Ｓとの間隔αは、間隔β以上であることが好ましい。すなわち、上端支持部１０は、基板Ｓを押さえつけないことが好ましい。例えば、約１０４ｍｍ角、約７０μｍ厚の単結晶シリコン基板を用いる場合には、間隔αを約０．５ｍｍ、上側溝１０Ｇの幅γ_１を約４．７５ｍｍ、上側溝１０Ｇの高さδ_１を約４．００ｍｍに設定することができる。

（下側溝の構成）
次に、下端支持部４０が有する下側溝４０Ｇの構成について、図５を参照しながら説明する。図５（ａ）は、図２のＣ−Ｃ線における第１下端支持部４０ａの断面図である。図５（ｂ）は、同図（ａ）のＹ部分の拡大図である。

下側溝４０Ｇは、図５（ａ）に示すように、下方に向かってテーパー状に形成される。基板Ｓが下側溝４０Ｇ内に収められることによって、基板Ｓの配列方向における位置ずれは所定の範囲に抑制される。

下側溝４０Ｇは、図５（ｂ）に示すように、一対の側面４０Ｌ，４０Ｍと、底面４０Ｎとを有する。底面４０Ｎは、平面状に形成されており、一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれに繋がる。基板Ｓの下端部は、底面４０Ｎ上に載置される。

ここで、一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれは、配列方向に対して角度θ_１を有する。このような角度θ_１は、配列方向における基板Ｓの撓みに基づいて決定されることが好ましい。具体的には、図５（ｂ）に示すように、角度θ_１は、底面４０Ｎの配列方向端部で基板Ｓが撓んだ場合であっても、基板Ｓと一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれとが面接触しない大きさであることが好ましい。例えば、約１０４ｍｍ角、約７０μｍ厚の単結晶シリコン基板を用いる場合には、下側溝４０Ｇの幅γ_２を約４．７５ｍｍ、下側溝４０Ｇの高さδ_２を約３．００ｍｍ、角度θ_１を約６５度に設定することができる。

ただし、角度θ_１が小さくなれば、下側溝４０Ｇどうしのピッチが広がるため、基板ケース１に収納できる基板Ｓの数が減少する。従って、角度θ_１は、上記条件を満たす範囲内でできるだけ大きいことが好ましい。

（縦溝の構成）
次に、側端支持部２０が有する縦溝２０Ｇの構成について、図６を参照しながら説明する。図６は、図１のＸ部分の拡大図である。

縦溝２０Ｇは、図６に示すように、側方に向かってテーパー状に形成される。基板Ｓが縦溝２０Ｇの内側に収められることによって、基板Ｓの直交方向における位置ずれは抑制される。

縦溝２０Ｇは、図６に示すように、一対の側面２０Ｌ，２０Ｍと、底面２０Ｎとを有する。底面２０Ｎは、上下方向に延びる平面であり、一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれに繋がる。

ここで、一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれは、配列方向に対して角度θ_２を有する。このような角度θ_２は、配列方向における基板Ｓの撓みに基づいて決定されることが好ましい。具体的には、図６に示すように、角度θ_２は、底面２０Ｎの配列方向端部で基板Ｓが撓んだ場合であっても、基板Ｓと一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれとが面接触しない大きさであることが好ましい。例えば、約１０４ｍｍ角、約７０μｍ厚の単結晶シリコン基板を用いる場合には、縦溝２０Ｇの幅γ_３を約４．７５ｍｍ、縦溝２０Ｇの高さδ_３を約６ｍｍ、底面２０Ｎと下側溝４０Ｇの間隔δ_４を約１９ｍｍ、角度θ_２を約７３度に設定することができる。

ただし、角度θ_２は、上記条件を満たす範囲内でできるだけ大きいことが好ましい。

（作用及び効果）
本実施形態に係る基板ケース１において、縦溝２０Ｇの一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれは、配列方向に対して角度θ_２を有する。角度θ_２は、配列方向における基板Ｓの撓みに基づいて決定される。

従って、基板ケース１を薬液中から引き上げる際に、基板Ｓが縦溝２０Ｇの一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれに貼りつかない角度に角度θ_２を決定することができる。従って、基板Ｓが縦溝２０Ｇの一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれに貼りつくことを抑制できる。その結果、基板Ｓに割れや反りが発生することを抑制できる。

また、下側溝４０Ｇと上側溝１０Ｇとは、基板Ｓの配列方向における位置ずれを所定の範囲に制約する。従って、このような制約の下で角度θ_２を設定できるため、角度θ_２を精度良く設定することができる。また、基板Ｓの位置ずれが所定の範囲に制約されるため、基板ケース１に複数の基板Ｓが収納される場合、複数の基板Ｓどうしが貼りつくことを抑制できる。

また、縦溝２０Ｇは、テーパー状であり、一対の側面２０Ｌ，２０Ｍそれぞれに繋がる平面状の底面２０Ｎを有する。ここで、縦溝がＶ字状に形成されている場合において、基板Ｓを縦溝に抜き差しする際、基板Ｓが縦溝に挟まれることにより、基板Ｓに割れや欠けが生じやすい。一方、本実施形態に係る縦溝２０Ｇは、平面状の底面２０Ｎを有するため、基板Ｓが縦溝２０Ｇに挟まれることを抑制できる。

また、本実施形態に係る下側溝４０Ｇの一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれは、配列方向に対して角度θ_１を有する。角度θ_１は、配列方向における基板Ｓの撓みに基づいて決定される。従って、基板ケース１を薬液中から引き上げる際に、基板Ｓが、下側溝４０Ｇの一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれに貼りつくことを抑制できる。

また、下側溝４０Ｇは、テーパー状であり、一対の側面４０Ｌ，４０Ｍそれぞれに繋がる平面状の底面４０Ｎを有する。ここで、下側溝がＶ字状に形成されている場合には、基板Ｓが下側溝に挟み込まれることにより、基板Ｓに割れや欠けが生じやすい。一方、本実施形態に係る下側溝４０Ｇは、平面状の底面４０Ｎで基板Ｓを支持するため、基板Ｓが下側溝４０Ｇに挟み込まれることを抑制できる。

また、本実施形態に係る下端支持部４０に含まれる第１下端支持部４０ａ及び第２下端支持部４０ｂそれぞれは、下側溝４０Ｇを有する。従って、基板Ｓの下端部は２つの下側溝４０Ｇにおいて支持される。そのため、基板Ｓの一部に自重が集中することにより、基板Ｓに割れや欠けが生じることを抑制できる。また、下端支持部４０と側端支持部２０との間隔を小さくすることができるため、下端支持部４０と側端支持部２０との間で基板Ｓが撓むことを抑制できる。

（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

例えば、上記実施形態では、上側溝１０Ｇと下側溝４０Ｇとを異なる形状にしたが、上側溝１０Ｇは、下側溝４０Ｇと同様の構成を有していてもよい。この場合には、上側溝１０Ｇと基板Ｓとが貼りつくことを抑制できる。

また、上記実施形態では、上側溝１０Ｇ、縦溝２０Ｇ、下側溝４０Ｇの寸法を例示したが、これらの寸法は、基板Ｓの寸法や材質などを考慮して適宜変更することができる。

また、上記実施形態では、上端支持部１０及び下端支持部４０を配列方向に沿って２本ずつ設けたが、これに限らない。例えば、上端支持部１０及び下端支持部４０を板状に形成するとともに、直交方向に沿って延びる上側溝１０Ｇ及び下側溝４０Ｇを形成してもよい。

また、上記実施形態では、上面視において、上側溝１０Ｇと下側溝４０Ｇとを同じ位置に形成したが、上側溝１０Ｇの位置と下側溝４０Ｇの位置とは同じでなくてもよい。すなわち、基板Ｓ及び縦溝２０Ｇは、水平面に対して略垂直であれば良く、水平面に対する若干の傾きを許容するものである。

また、上記実施形態では、上側溝１０Ｇ及び下側溝４０Ｇそれぞれの断面をテーパー状にしたが、上側溝１０Ｇ及び下側溝４０Ｇそれぞれの断面は矩形であってもよい。

また、上記実施形態では、上端支持部１０を取外した状態で基板Ｓを基板ケース１内に収納することとしたが、上端支持部１０は、固定部３０に固定されていてもよい。この場合には、側端支持部２０または下端支持部４０の何れかが固定部３０に対して取外し可能であればよい。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

以下、本発明に係る基板ケースの実施例について具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができる。

（基板ケースの構成）
本実施例に係る基板ケースは、図１〜６を用いて説明した上記実施形態に係る基板ケース１と同様の構成を有する。具体的に、本実施例に係る基板ケースは、以下の寸法で構成される。

図４を参照して、上側溝１０Ｇの深部と基板との間隔αは０．５ｍｍ、上側溝１０Ｇの幅γ_１は４．７５ｍｍ、上側溝１０Ｇの高さδ_１は４．００ｍｍであった。

また、図５を参照して、下側溝４０Ｇの幅γ_２は４．７５ｍｍ、下側溝４０Ｇの高さδ_２は約３．００ｍｍ、角度θ_１は６５度であった。

また、図６を参照して、縦溝２０Ｇの幅γ_３は４．７５ｍｍ、縦溝２０Ｇの高さδ_３は６ｍｍ、底面２０Ｎと下側溝４０Ｇの間隔δ_４は１９ｍｍ、角度θ_２は７３度であった。

（基板のエッチング処理）
次に、様々な厚みを有する単結晶シリコン基板（１０４ｍｍ角）を複数枚ずつ準備し、次のようにエッチング処理を行った。

まず、上記構成を有する基板ケース内に、複数枚の単結晶シリコン基板を略平行に並べた。

次に、アルカリエッチング液が入れられたエッチング槽に基板ケースを浸漬して、複数枚の単結晶シリコン基板にエッチング処理を施した。

その後、基板ケースをエッチング槽から引き上げた。

（貼りつきの確認）
基板ケースをエッチング槽から引き上げた後、単結晶シリコン基板と上側溝の側面及び下側溝の側面との貼りつきの発生状況を確認した。

その結果、単結晶シリコン基板の厚みが約７０μｍ以上である場合には、単結晶シリコン基板と各溝の側面との貼りつきは発生しなかったため、エッチング処理工程の歩留まりは１００％であった。一方、単結晶シリコン基板の厚みが約７０μｍより小さい場合には、単結晶シリコン基板と各溝の側面との貼りつきが発生したため、単結晶シリコン基板に割れや反りが生じた。これは、単結晶シリコン基板の厚みが小さいほど、単結晶シリコン基板の撓みが大きいためである。

このことから、７０μｍ厚以上の単結晶シリコン基板の撓みに対しては、下側溝４０Ｇの側面の角度θ_１を６５度以下、縦溝２０Ｇの側面の角度θ_２を７３度以下とすることが好ましいことが判った。

また、７０μｍより小さい厚みの単結晶シリコン基板の撓みに対しては、下側溝４０Ｇの側面の角度θ_１を６５度より小さくし、縦溝２０Ｇの側面の角度θ_２を７３度より小さくすることが好ましいことが判った。

以上より、縦溝２０Ｇ及び下側溝４０Ｇの側面の角度を、基板の材質と寸法、すなわち基板の撓みに基づいて決定することによって、基板と各溝の側面との貼りつきを抑制できることが確認された。

本発明の実施形態に係る基板ケース１の上面図である。 本発明の実施形態に係る基板ケース１の上面図である。 図１のＡ−Ａ線における断面図である。 図１のＢ−Ｂ線における断面図である。 図２のＣ−Ｃ線における断面図である。 図２のＸ部分の拡大図である。

符号の説明

１…基板ケース
１０…上端支持部
１０Ｇ…上側溝
１０ａ…上端支持部
１５…固定具
２０…側端支持部
２０Ｇ…縦溝
２０Ｌ，２０Ｍ…側面
２０Ｎ…底面
３０…固定部
４０…下端支持部
４０Ｇ…下側溝
４０Ｌ，４０Ｍ…側面
４０Ｎ…底面
Ｓ…基板

Claims (7)

1. 基板を所定の方向に対して略垂直に支持する基板ケースであって、
   前記基板の下端部を支持する下側溝を有する下端支持部と、
   前記基板の上端部を支持する上側溝を有する上端支持部と、
   前記基板の両側端部を支持する縦溝をそれぞれ有する一対の側端支持部と
   を備え、
   前記縦溝は、上下方向に沿って延び、
   前記縦溝は、テーパー状に形成されており、
   前記縦溝が有する一対の側面それぞれは、前記所定の方向に対して第１の角度を有し、
   前記第１の角度は、前記所定の方向における前記基板の撓みに基づいて決定される
   ことを特徴とする基板ケース。
2. 前記縦溝は、前記縦溝が有する一対の側面それぞれに繋がる平面状の底面を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板ケース。
3. 前記下側溝及び前記上側溝の少なくとも一方の溝は、テーパー状に形成されており、
   前記一方の溝が有する一対の側面は、前記所定の方向に対して第２の角度を有しており、
   前記第２の角度は、前記所定の方向における前記基板の撓みに応じて決定される
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板ケース。
4. 前記下側溝は、前記下側溝が有する一対の側面それぞれに繋がる平面状の底面を有する
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板ケース。
5. 前記下端支持部は、前記所定の方向に沿って延びる第１下端支持部及び第２下端支持部を含み、
   前記第１下端支持部及び前記第２下端支持部それぞれは、前記下側溝を有する
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板ケース。
6. 前記下側溝及び前記上側溝は、前記基板の前記所定の方向における位置ずれを所定の範囲に制約する
   ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板ケース。
7. 基板に薬液処理を施す処理方法であって、
   前記基板を基板ケース内に立てて収納する工程Ａと、
   前記基板ケースを薬液中に浸漬する工程Ｂと、
   前記基板ケースを前記薬液中から取り出す工程Ｃと
   を備え、
   前記基板ケースは、
   前記基板の下端部を支持する下側溝を有する下端支持部と、
   前記基板の上端部を支持する上側溝を有する上端支持部と、
   前記基板の両側端部を支持する縦溝をそれぞれ有する一対の側端支持部と
   を備え、
   前記縦溝は、上下方向に沿って延び、
   前記縦溝は、テーパー状に形成されており、
   前記縦溝が有する一対の側面それぞれは、前記基板に垂直な方向に対して第１の角度を有し、
   前記第１の角度は、前記基板に垂直な方向における前記基板の撓みに基づいて決定されている
   ことを特徴とする処理方法。

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