JP2000088673A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
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- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
Abstract
える温度センサにおいて、金属キャップの酸化によるサ
ーミスタの特性変動を抑制する組付性の容易な遮熱構造
を実現する。 【解決手段】 サーミスタ10はサーミスタ信号を外部
に取出す為のシースピン20に接続されて金属キャップ
30内に収納されている。金属キャップ30とサーミス
タ10との間には、サーミスタ10を被覆することによ
り、金属キャップ30とサーミスタ10とを遮熱し且つ
電気的に絶縁するアルミナ等からなる円筒状のセラミッ
ク成形体40が介在している。
Description
めに用いられるサーミスタ素子を有する温度センサおよ
びその製造方法に関し、特に、1000℃程度の耐熱性
が要求される温度センサ、例えば、自動車排気系の触媒
コンバータ等に取付けられ、異常温検出とか触媒劣化検
出等を行なう排気温センサ等に用いて好適である。
開平9−189618号公報に記載のものが提案されて
いる。これは、サーミスタ素子(温度検出素子)を、サ
ーミスタ信号を外部に取出す為の配線部材(二芯管)の
先端に設け、この先端部分を有底筒状の耐熱金属性の金
属ケース(金属キャップ)で被覆し、金属ケース及び配
線部材先端部分にて形成される空間内にサーミスタ素子
を収納した構成としている。
温度センサにおいては、金属ケース内にサーミスタ素子
を収納しているのであるが、金属ケースは、高温(例え
ば700℃以上)になると耐熱金属の酸化が進行する。
従って、使用初期(製品完成時の高温特性検査とか実使
用初期の金属ケースが完全に酸化されないまでの期間)
での金属ケース内面または外面における酸化の進行度合
により輻射率が変わり、その影響が収納されているサー
ミスタ素子への伝熱に顕著に現われる。
も、金属ケースから酸化膜がはがれ落ちることにより、
上記と同様に、サーミスタ素子への伝熱に微妙に影響が
現れ特性変動を示す。一方、特開昭54−150181
号公報には、サーミスタ素子と金属ケース(ステンレス
ケース)の間に、MgO等の無機粉末を充填した温度セ
ンサが提案されており、素子とケースとの間に介在する
無機粉末によって遮熱がなされ、金属ケース内面酸化に
よる輻射率変化の素子特性への影響を、軽減できると考
えられる。
ば、予め金属ケース内に無機粉末を入れてからではサー
ミスタ素子を挿入しにくく、また、金属ケースを被せて
からでは粉末注入に手間がかかる等、サーミスタ素子と
金属ケースとの間に、無機粉末を隙間なく充填すること
は容易ではなく、温度センサにおいて遮熱構造を形成す
る際の組付性において問題が生じることがわかった。
属ケース内に収納されたサーミスタ素子を備える温度セ
ンサにおいて、金属ケースの酸化によるサーミスタ素子
の特性変動を抑制する組付性の容易な遮熱構造を実現す
ることを目的とする。
め、請求項1記載の発明では、金属製のケース(30)
とサーミスタ素子(10)との間に、サーミスタ素子
(10)を被覆することにより、ケース(30)とサー
ミスタ素子(10)とを遮熱し且つ電気的に絶縁するセ
ラミック成形体(40)を介在させたことを特徴として
いる。
遮熱性を有するため、サーミスタ素子(10)に対して
ケース(30)からの輻射を抑制し、また、ケース(3
0)の酸化の有無に関わらず、ケース(30)とサーミ
スタ素子(10)との間に介在するセラミック成形体
(40)の表面状態が変わりないため、ケース(30)
の酸化によりケース(30)の輻射率が変化しても、サ
ーミスタ素子(10)の特性が変動するのを抑制するこ
とができる。
(30)とサーミスタ素子(10)との間に介在するの
であるが、電気的に絶縁性を有するため、サーミスタ素
子(10)の短絡防止となる。また、本発明では、粉末
に比べて取り扱いが簡単なセラミック成形体(40)を
用いているので、セラミック成形体(40)をサーミス
タ素子(10)に被せるだけで組付可能であり、組付性
が容易とできる。
(40)としては、請求項2記載の発明のように、筒状
のものを用いることができる。また、本発明者等の検討
によれば、遮熱機能を持たせるには、セラミック成形体
(40)の肉厚は、0.1mm以上であることが好まし
い(請求項3の発明)。そして、遮熱し且つ電気的に絶
縁するセラミック成形体(40)の材質としては、アル
ミナ、ムライトまたはジルコニア等を用いることができ
る(請求項4の発明)。
(10)との間にセラミック成形体(40)を介在させ
た場合、使用時の振動(車両振動等)によりセラミック
成形体(40)が動き、サーミスタ素子(10)に当た
って破損させる可能性があるが、請求項5記載の発明に
よれば、ケース(30)とセラミック成形体(40)と
の隙間を、セラミック成形体(40)とサーミスタ素子
(10)との隙間よりも狭くしているから、セラミック
成形体(40)を、先にケース(30)に当ててサーミ
スタ素子(10)には当てないようにでき、サーミスタ
素子(10)の破損防止ができる。
実施形態記載の具体的手段との対応関係を示す一例であ
る。
について説明する。本実施形態では、本発明の温度セン
サを、例えば触媒コンバータ等の自動車排気ガス浄化装
置に装着され異常温検出とか触媒劣化検出を行なう排気
温センサ(サーミスタ式排気温センサ)に適用したもの
として説明する。図1は本実施形態に係る温度センサ1
00の一部切欠断面図である。
上)での使用に耐えうる高温用のサーミスタ(サーミス
タ素子)であり、Cr(クロム)−Mn(マンガン)−
Y(イットリウム)系セラミック半導体からなる円柱体
形状の素子部11、及び素子部11の抵抗(R)−温度
(T)特性に基づき、素子部11から出力(抵抗値)を
取り出すための一対の電極線12とからなる。
線(例えばφ0.3mm)を、素子部11の円柱軸方向
と平行に所定の間隔(極間)を有した形で埋設成形及び
焼成し、焼成収縮することにより、焼ばめ固定したもの
である。各電極線12は、素子部11から同一方向に引
き出され、各々、シースピン(配線部材)20の一端側
にて一対の芯線21に溶接等により電気的に接続されて
いる(図1中、M1部)。
等)製の一対の芯線21とMgO等の絶縁粉末22と金
属(ステンレス等)製の外筒23とから構成される。シ
ースピン20は、焼鈍しながら外筒23の外径の減径加
工を繰返すことにより形成されているため、芯線21
は、絶縁粉末22の中で固く固定、絶縁保持されてい
る。また、芯線21は、図示しないシースピン20の他
端側からリードワイヤ等につながれ、例えば車両のEC
U等の制御回路(図示せず)に導かれ、サーミスタ10
の出力は、上記制御回路に導かれる。
テンレス等)製の金属キャップ(ケース)30が被せら
れている。金属キャップ30は、一端側が開口し他端側
が閉塞された有底円筒管形状をなし、外筒23の外周面
と重なり合ったラップ部にて、レーザ溶接等で円周溶接
(図1中、M2部)されている。温度センサ100にお
いては、金属キャップ30及びサーミスタ10により感
温部が構成され、この感温部が排気ガス通路内に配置さ
れる。
が金属キャップ30内部に侵入するのを防止できるた
め、収納されたサーミスタ10は、排気ガスに直にさら
されることなく、排気ガス中の有害物質(イオウ等)に
よる異常な腐食及び断線を防止できる。ここで、本実施
形態では、サーミスタ10と金属キャップ30との間に
は、サーミスタ10を被覆することにより、金属キャッ
プ30とサーミスタ10とを遮熱し且つ絶縁するセラミ
ック成形体40が介在している。
40は筒状(本例ではリング状)をなし、遮熱性且つ絶
縁性(高温絶縁性)のあることが条件となるためアルミ
ナ(Al2 O3 )、ムライト、ジルコニア等(本例では
アルミナ)から構成されている。そして、セラミック成
形体40の遮熱効果により、金属キャップ30の酸化に
より金属キャップ30の輻射率が変化しても、サーミス
タ10の特性(R−T特性)が変動するのを抑制するよ
うになっている。
0の無いセンサ(従来の温度センサに相当)において
は、高温(例えば700℃以上)になると、金属キャッ
プにおいて耐熱金属の酸化が進行する。従って、使用初
期(製品完成時の高温特性検査とか実使用初期の金属ケ
ースが完全に酸化されないまでの期間)での金属キャッ
プ内面または外面における酸化の進行度合により輻射率
が変わり、その影響が収納されているサーミスタへの伝
熱に顕著に現われる。
も、金属キャップから酸化膜がはがれ落ちることによ
り、上記と同様に、サーミスタへの伝熱に微妙に影響が
現れ特性変動を示す。それに対し、セラミック成形体4
0を介在させた本実施形態では、金属キャップ30内外
面の酸化の有無にかかわらずサーミスタ10に近接した
セラミック成形体40の表面状態が変わり無いので、金
属キャップ30からの熱伝達の影響が少なくてすむ。よ
って、サーミスタ10の特性変動の抑制が成される。
の遮熱効果の一例を図2に示す。図2は、完成直後(新
品)の温度センサ100、及び比較例として図1におい
てセラミック成形体40の無いセンサを用いて、900
℃の高温放置テストを行い、サーミスタ特性値の変動を
調べたものである。図2において、横軸に放置時間(単
位:Hr)、縦軸に温度偏り(℃)を示した。温度偏り
は、放置100Hr時におけるサーミスタ10の抵抗値
を基準にして、そこからの抵抗値の偏りを温度換算した
ものである。
センサ100は、セラミック成形体40の遮熱効果によ
り、比較例に比べて特性指示値が安定しており、サーミ
スタ特性の変動が抑制されていることがわかる。尚、本
実施形態では、排気ガス流れ方向に対して金属キャップ
30の軸が略直交するように排気ガス通路内に配置され
ており、金属キャップ30底面に比べて、金属キャップ
30の筒の側面からの輻射の影響が大きいため、セラミ
ック成形体40は、金属キャップ30底面に対向するサ
ーミスタ10の部分では被覆していない。
0底面からの輻射の影響も考慮して、金属キャップ30
底面と素子部11とを、その輻射の影響が無いように離
している。例えば、金属キャップ30底面と素子部11
との距離Lを、セラミック成形体40の内径をBとした
とき、L≧B×1/2としている。また、セラミック成
形体40は、固定せずに介在させているため、車両搭載
時の車両振動等により金属キャップ30とサーミスタ1
0との間で動く。そのため、素子部11がセラミック成
形体40に当たって破損したり、セラミック成形体40
の内面がサーミスタ10を動かして、電極線12と芯線
21との接合が弱い場合、断線を引き起こすといった、
サーミスタ10の破損の可能性がある。
して、セラミック成形体40と素子部11との隙間を、
金属キャップ30とセラミック成形体40との隙間より
も広くした構成としている。それにより、セラミック成
形体40が動いても、常に先に金属キャップ30に当た
り、サーミスタ10には当たらないので、サーミスタ1
0の破損防止ができる。
に、セラミック成形体40の内面と素子部11の外面と
が最近接したときの隙間xに基づいて、決めることが出
来る。この隙間xは、図3の右図に示す様に、セラミッ
ク成形体40が偏って金属キャップ30の内面に当接し
たときの最小隙間に相当する。隙間xがゼロであると当
たってしまうので、組付け時の偏心等を考慮し少なくと
も0.05mm以上とすることが好ましい。
めには、金属キャップ30とセラミック成形体40との
クリアランスを小さく、セラミック成形体40の肉厚を
小さくした方がよい。隙間xを規定する一設計例を、隙
間xの規定方法を示す図4を参照して述べる。図4にお
いて、Aは素子部11の外径、B、Cは各々セラミック
成形体40の内径、外径、Dは金属キャップ30の内径
である。
に示す式にて求められる。例えば、Aをφ1.5mm±
0.02mm、Bをφ1.8mm(公差:+0.05m
m〜0mm)、Cをφ2.25mm(公差:0mm〜−
0.05mm)、Dをφ2.25mm(公差:+0.0
5mm〜0mm)としたとき、xmin は0.09mmに
設定される。この設計例にて、耐振性調査(加速度30
G、振動周波数240Hz、振動回数107 回)を行な
ったところ、サーミスタ10の破損は発生しなかった。
体40の肉厚tは0.175〜0.225mmであり、
金属キャップ30の輻射率変化の影響を抑える遮熱効果
を発揮するには適当な厚さである。本発明者等の検討に
よれば、具体的に、輻射の影響を抑えるに適当なセラミ
ック成形体40の肉厚tとしては、0.10mm以上程
度であれば十分な効果が得られる。
なり、細径化(例えば、金属キャップ30の外径φ3m
m以下)によるセンサの高応答化を実現するためには好
ましくない。逆に、肉厚tが薄すぎると、製造、強度等
の点からも好ましくない。部品調達、コスト面も考慮す
ると、肉厚tは、0.15mm〜0.4mmのものが好
ましく、上記検討例では、肉厚tを0.175mm〜
0.225mm程度とできる。
る温度センサ100の製造方法について述べる。まず、
Cr−Mn−Y系セラミック半導体からなる円柱体に一
対の電極線12を埋設成形した後、焼成及び焼成収縮す
ることにより、電極線12が素子部11に焼ばめ固定さ
れたサーミスタ10を形成する。次に、サーミスタ10
の一対の電極線12とシースピン20の一対の芯線21
とを、各々、レーザ溶接、抵抗溶接等により溶接して、
両者を電気的に接続する。
ことによりリング状に形成されたセラミック成形体40
にサーミスタ10を素子部11側から挿入し、セラミッ
ク成形体40内部にサーミスタ10を配置する。その
後、セラミック成形体40周囲を被覆するように、シー
スピン20に金属キャップ30を被せ、外筒23の外周
面と重なり合ったラップ部にて、レーザ溶接等で円周溶
接する。
セラミック成形体40を挿入配置しておき、ここに、シ
ースピン20をサーミスタ10側から金属キャップ30
内に挿入するようにしてもよい。こうして、図1に示す
温度センサ100が完成する。この後、温度センサ10
0は、上述のように、シースピン20の他端側からリー
ドワイヤ等につながれ、例えば車両のECU等の制御回
路(図示せず)に導かれる。
ク成形体40は遮熱性を有するため、サーミスタ10に
対して金属キャップ30からの輻射を抑制し、また、金
属キャップ30の酸化の有無に関わらず、セラミック成
形体40の表面状態が変わりないため、金属キャップ3
0の酸化によりその輻射率が変化しても、サーミスタ1
0の特性が変動するのを抑制することができ、精度のよ
い温度検出が可能となる。
縁性を有するため、サーミスタ10の短絡防止となる。
また、本実施形態によれば、粉末に比べて取り扱いが簡
単な成形体であるセラミック成形体40を用いているの
で、上記製造方法に述べたように、セラミック成形体4
0をサーミスタ10に被せるだけで組付可能であり、組
付性が容易とできる。
30とセラミック成形体40との隙間を、セラミック成
形体40とサーミスタ10との隙間よりも狭くしている
から、セラミック成形体40が車両振動等により動いた
としても、常に金属キャップ30に先に当たり、サーミ
スタ10には当たらず、サーミスタ10の破損防止がで
きる。
40の形状は、図5に示す様に、有底筒状とし、サーミ
スタ10と金属キャップ30の底部内面との間にも介在
するようにしてもよい。更に、セラミック成形体40の
形状は、サーミスタ10に被せることが可能な形状であ
るならば、筒状に限定されるものではない。
プ30表面にメッキ層とか貴金属層を設けてもよい。ま
た、上記実施形態では、サーミスタ10は、素子部11
から一対の電極線12が同一方向に引き出された、いわ
ゆるラジアル型サーミスタであるが、一対の電極線が互
いに反対方向に引き出され、一方が配線部材と、他方が
金属キャップに接続された、いわゆるアキシャル型サー
ミスタにも、本発明は適用可能である。つまり、電極線
の数は何本でもよく、配線部材の芯線は電極線の数に対
応した数となる。
してもよい。特に、金属キャップが酸化されやすい10
00℃程度までの温度域に使用される温度センサに好適
である。
断面図である。
ラフである。
したときの隙間xを示す説明図である。
ック成形体。
Claims (5)
- 【請求項1】 金属製のケース(30)内に収納された
サーミスタ素子(10)を備える温度センサにおいて、 前記ケース(30)と前記サーミスタ素子(10)との
間には、前記サーミスタ素子(10)を被覆することに
より、前記ケース(30)と前記サーミスタ素子(1
0)とを遮熱し且つ電気的に絶縁するセラミック成形体
(40)が介在していることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項2】 前記セラミック成形体(40)は、筒状
であることを特徴とする請求項1に記載の温度センサ。 - 【請求項3】 前記セラミック成形体(40)の肉厚
は、0.1mm以上であることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の温度センサ。 - 【請求項4】 前記セラミック成形体(40)は、アル
ミナ、ムライトまたはジルコニアから構成されているこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載
の温度センサ。 - 【請求項5】 前記ケース(30)と前記セラミック成
形体(40)との隙間は、前記セラミック成形体(4
0)と前記サーミスタ素子(10)との隙間よりも狭い
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記
載の温度センサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10263565A JP2000088673A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 温度センサ |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10263565A JP2000088673A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000088673A true JP2000088673A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17391323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10263565A Pending JP2000088673A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 温度センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000088673A (ja) |
DE (1) | DE19939493A1 (ja) |
FR (1) | FR2783602B1 (ja) |
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CN108351259B (zh) * | 2015-11-12 | 2021-06-01 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 温度传感器以及位置检测装置 |
JP2021513647A (ja) * | 2018-02-06 | 2021-05-27 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | 温度センサ |
JP7009641B2 (ja) | 2018-02-06 | 2022-01-25 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | 温度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19939493A1 (de) | 2000-03-23 |
FR2783602B1 (fr) | 2001-04-06 |
FR2783602A1 (fr) | 2000-03-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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