JP2000081467A - 半導体試験装置の実行手順制御方式 - Google Patents

半導体試験装置の実行手順制御方式

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JP2000081467A
JP2000081467A JP10267294A JP26729498A JP2000081467A JP 2000081467 A JP2000081467 A JP 2000081467A JP 10267294 A JP10267294 A JP 10267294A JP 26729498 A JP26729498 A JP 26729498A JP 2000081467 A JP2000081467 A JP 2000081467A
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JP10267294A
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Kenichi Tamura
健一 田村
Toshiaki Watanabe
利明 渡辺
Kenji Seiki
健二 清木
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Advantest Corp
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Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 一定時間内に試験できる半導体装置の個数を
増やすことにより、試験の効率を向上させることができ
る半導体試験装置の実行手順制御方式を提供すること。 【解決手段】 テスタプロセッサ10は、半導体装置1
00に対して複数のテスト項目からなる試験を行う際
に、まずフェイル分布データ格納部12から各テスト項
目のフェイル頻度が含まれるフェイル分布データを読み
出して、フェイル頻度が高い順番に各テスト項目の実行
順番を設定しており、その後、この設定した順番で各テ
スト項目を実行する。したがって、試験の前半において
フェイルが発生する確率が高くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に対し
て各種の試験を行う半導体試験装置の実行手順制御方式
に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、LSIに集積されるトランジスタ
の数は飛躍的に増加しており、特にマイクロプロセッサ
に代表されるロジックLSIやメモリ、アナログLS
I、システムLSI等の各種の半導体装置は、回路の複
雑度が増している。このような大規模で複雑、しかも高
速動作をする半導体装置の不良解析を行うために半導体
試験装置が用いられる。
【0003】図3は、従来の半導体試験装置の動作手順
を示す図である。例えば、半導体装置に対する試験項目
として、コンタクトテスト、ルーズファンクションテス
ト、リークテスト、入出力電圧テスト、タイミングテス
ト、メモリテスト、アナログテストがあるものとする。
それぞれのテスト内容および実行手順は、デバイステス
トプログラムによって設定されており、あらかじめ設定
された順番にしたがってそれぞれのテストが実施され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体試験装置では、半導体装置に対して実施され
る各試験項目の順番があらかじめ設定されているため、
実施の順番が遅いテストにおいて不具合が発生すると、
それまでに終了しているテストに要した時間が無駄にな
ってしまい、試験効率が悪いという問題点があった。例
えば、図3に示したように、半導体試験装置に対する試
験が開始され、コンタクトテスト、ルーズファンクショ
ンテスト、リークテスト、入出力電圧テストにおいて良
品であると判断されても、その次のタイミングテストに
おいて試験結果に不具合が生じると、この試験対象とな
っている半導体装置は不良品であると判断されることに
なる。
【0005】特に、近年では1チップ化された半導体装
置の規模が増大するにしたがって、半導体装置の試験に
要する時間も長くなる傾向にあり、全ての試験項目を終
了するまでに10秒を越えるような半導体装置も製造さ
れるようになっている。したがって、試験の後半におい
て不具合が発生する頻度が高いと、一定時間内に試験で
きる半導体装置の数も減って、さらに歩留まりの低下に
つながることになるため、試験の後半において発生する
不具合の頻度を減らすことによって試験の効率を向上さ
せる手法が望まれている。
【0006】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、その目的は、一定時間内に試験できる半
導体装置の個数を増やすことにより、試験の効率を向上
させることができる半導体試験装置の実行手順制御方式
を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の半導体試験装置の実行手順制御方式で
は、試験実行順序設定手段によって、否定的な試験結果
が得られる頻度の高低に応じて試験の実行順序が設定さ
れており、試験実行手段によって、この設定された順番
で各項目の試験が実施される。したがって、否定的な結
果が得られる確率が高い項目については早い順番で試験
を実施することができ、試験に要する時間を短縮して一
定時間内に試験できる半導体装置の個数を増やし、試験
の効率を向上させることができる。
【0008】また、試験対象となる各項目のそれぞれに
対応させて、否定的な試験結果が得られる頻度に関する
過去の実績データを格納しておくことが好ましい。この
実績データを参照することにより、各項目毎に否定的な
結果が得られる頻度が判断できるため、各項目の実行順
序の設定を容易に行うことができる。特に、半導体装置
に対する所定の試験が終了したときに、試験結果に基づ
いてこの実績データの内容を更新することが好ましい。
毎回の試験結果を実績データに反映させることにより、
実情に適合した各項目の実行順序の設定が可能になり、
さらに試験の効率を向上させることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施形
態の半導体試験装置について、図面を参照しながら説明
する。
【0010】図1は、本実施形態の半導体試験装置の構
成を示す図である。図1に示す半導体試験装置は、被試
験デバイスとしての半導体装置100に対して各種のテ
スト項目からなる試験を実施するために、テスタプロセ
ッサ10、フェイル分布データ格納部12、タイミング
ジェネレータ20、パターンジェネレータ30、データ
セレクタ40、フォーマットコントロール部50、ピン
カード60、デジタルコンペア部70、DC測定部8
0、デバイス電源90を含んで構成されている。
【0011】上述したテスタプロセッサ10は、オペレ
ーティングシステム(OS)により所定のテストプログ
ラムを実行して所定の試験を実施するために半導体試験
装置全体を制御する。
【0012】フェイル分布データ格納部12は、半導体
装置100に対して実施される試験の各テスト項目毎の
フェイル頻度が含まれるフェイル分布データを格納す
る。ここで、「フェイル」とは、否定的な試験結果が得
られるテスト結果をいい、各項目に対応した試験を実施
したときに期待値に反する試験結果が得られた場合がこ
れに対応する。
【0013】タイミングジェネレータ20は、試験動作
の基本周期を設定するとともに、この設定した基本周期
内に含まれる各種のタイミングエッジを生成する。パタ
ーンジェネレータ30は、半導体装置100の各端子に
入力するパターンデータを発生する。データセレクタ4
0は、パターンジェネレータ30から出力される各種の
データと、このデータが入力される半導体装置100の
各端子とを対応させる。フォーマットコントロール部5
0は、パターンジェネレータ30により生成されデータ
セレクタ40によって選択されたパターンデータと、タ
イミングジェネレータ20により生成されたタイミング
エッジとに基づいて、半導体メモリ100に対して入力
する実際のパターン波形を生成する。
【0014】また、ピンカード60は、半導体装置10
0との間の物理的なインタフェースをとるためのもので
ある。例えば、ピンカード60には、半導体装置100
の対応する端子に所定のパターン波形を印可するドライ
バと、各端子に現れる電圧波形と所定のローレベル電圧
およびハイレベル電圧との比較を行うコンパレータが含
まれている。デジタルコンペア部70は、半導体装置1
00の各ピンの出力に対し、データセレクタ40で選択
された各ピンの期待値データとの比較を行う。DC測定
部80は、半導体装置100の各端子に所定の電圧を印
加したり、所定の電流を流すことにより、各端子の電圧
特性、電流特性を測定する。デバイス電源90は、半導
体装置100の電源端子に所定の動作電圧を印加する。
【0015】上述したテスタプロセッサ10、タイミン
グジェネレータ20、パターンジェネレータ30、デー
タセレクタ40、フォーマットコントロール部50、ピ
ンカード60、デジタルコンペア部70、DC測定部8
0、デバイス電源90が試験実行手段に、テスタプロセ
ッサ10が試験実行順序設定手段および実績データ更新
手段に、フェイル分布データ格納部12が実績データ格
納手段にそれぞれ対応する。
【0016】本実施形態の半導体試験装置はこのような
構成を有しており、次にその動作を説明する。図2は、
本実施形態の半導体試験装置の動作手順を示す流れ図で
あり、複数のテスト項目の実行順序を各項目毎のフェイ
ル頻度に応じて設定する場合の動作手順が示されてい
る。
【0017】半導体装置100に対する試験が開始され
ると、まずテスタプロセッサ10は、フェイル分布デー
タ格納部12に格納されているフェイル分布データを読
み込んで(ステップ100)、各テスト項目毎のフェイ
ル頻度に基づいて各テスト項目を実行する順番を設定す
る(ステップ101)。フェイル頻度の高い順(過去の
フェイル回数が多い順)に各テスト項目の実行順番が設
定される。
【0018】例えば、半導体装置100に対して実施さ
れる試験に含まれる各種のテスト項目をフェイル頻度の
高い順に並べたときに、以下に示すような順番になった
ものとし、この順で各テスト項目の実行順番が設定され
る。 (1)リークテスト (2)タイミングテスト (3)メモリテスト (4)アナログテスト (5)コンタクトテスト (6)ルーズファンクション(LF)テスト 上述したリークテストでは、半導体装置100の各ピン
の間に電流や電圧の漏れがあるか否かがチェックされ
る。タイミングテストでは、LFテストに比べて、余裕
のない入出力タイミングで所定のパターンを入力し、対
応する出力パターンと期待値とが一致するか否かがチェ
ックされる。メモリテストでは、半導体装置100の内
蔵メモリに対して所定のパターンデータを書き込んだ後
に、正常に読み出しが行われるか否かがチェックされ
る。アナログテストでは、半導体装置100に内蔵され
るA/D変換器やD/A変換器等のアナログ回路が正常
に動作するか否かがチェックされる。コンタクトテスト
では、半導体装置100内部で配線が良好につながって
いるか否かがチェックされる。LFテストでは、比較的
余裕のある入出力タイミングで所定のパターンを入力
し、対応する出力パターンと期待値とが一致するか否か
がチェックされる。
【0019】このようにして各テスト項目の実行順序が
設定された後に、テスタプロセッサ10は、未実行のテ
スト項目の中から最もフェイル頻度の高いものを選択し
て、次に実行するテスト項目として設定する(ステップ
102)。試験開始直後においては、フェイル頻度が最
も高いテスト項目である「リークテスト」が、次に実行
されるテスト項目として設定される。
【0020】次に、テスタプロセッサ10は、次に実行
されるテスト項目として「コンタクトテスト」が設定さ
れたか否か(ステップ103)、「LFテスト」設定さ
れたか否か(ステップ105)、「リークテスト」が設
定されたか否か(ステップ107)、「タイミングテス
ト」が設定されたか否か(ステップ109)、「メモリ
テスト」が設定されたか否か(ステップ111)、アナ
ログテストが設定されたか否か(ステップ113)を判
断する。
【0021】上述したように次に実行するテスト項目と
して「リークテスト」が設定されている場合にはステッ
プ107において肯定判断がなされ、テスタプロセッサ
10は、半導体装置100に対してリークテストを実行
する(ステップ108)。例えば、テスタプロセッサ1
0からDC測定部80に対して実行指示が送られて、半
導体装置100に対するリークテストが実行される。リ
ークテストが終了すると、次にテスタプロセッサ10は
テスト結果がフェイルであるか否かを判定し(ステップ
115)、フェイルでない場合、すなわちこのテスト項
目を実行したことによっては不良個所が検出されなかっ
た場合には、上述したステップ102に戻って他のテス
ト項目について実行される一連の試験が継続される。
【0022】例えば、2番目にフェイル頻度が高いテス
ト項目である「タイミングテスト」が、次に実行するテ
スト項目として設定されると(ステップ102)、ステ
ップ109において肯定判断がなされ、タイミングテス
トが実行される(ステップ110)。直前に実行された
テスト項目に対応するテスト結果がフェイルでない場合
には、以後同様にして、3番目にフェイル頻度が高いテ
スト項目である「メモリテスト」が、次に実行するテス
ト項目として設定されると(ステップ102)、ステッ
プ111において肯定判断がなされ、メモリテストが実
行される(ステップ112)。また、4番目にフェイル
頻度が高いテスト項目である「アナログテスト」が、次
に実行されるテスト項目として設定されると(ステップ
102)、ステップ113において肯定判断がなされ、
アナログテストが実行される(ステップ114)。ま
た、5番目にフェイル頻度が高いテスト項目である「コ
ンタクトテスト」が、次に実行されるテスト項目として
設定されると(ステップ102)、ステップ103にお
いて肯定判断がなされ、コンタクトテストが実行される
(ステップ104)。また、6番目にフェイル頻度が高
いテスト項目である「LFテスト」が、次に実行される
テスト項目として設定されると(ステップ102)、ス
テップ105において肯定判断がなされ、LFテストが
実行される(ステップ106)。
【0023】このようにして全てのテスト項目の実行が
終了すると、ステップ102において、次に実行される
テスト項目の内容として、未実行のテスト項目が存在し
ない旨の所定のデータが設定される。したがって、上述
したステップ104、106、108、110、11
2、114のそれぞれにおいて否定判断が行われ、一連
の試験動作が終了する。
【0024】また、いずれかのテスト項目の結果がフェ
イルであった場合には上述したステップ115において
肯定判断がなされ、次にテスタプロセッサ10は、フェ
イル分布データの内容を更新した後に(ステップ11
6)、一連の試験動作が終了する。なお、テスト結果が
フェイルの場合には、試験対象となっている半導体装置
100は不良品であり、それ以後のテスト項目を実行す
る必要がないため、いずれかのテスト項目の結果がフェ
イルになった時点で試験動作が強制的に中断され、フェ
イル分布データが更新された後に試験動作が終了する。
【0025】このように、本実施形態の半導体試験装置
では、半導体装置100に対して複数のテスト項目から
なる試験を実施する際に、各テスト項目の実行順番をそ
れぞれのフェイル頻度が高い順に設定している。したが
って、比較的早い順番で実行されるテスト項目において
フェイルとなる確率が高くなるため、後半に実行される
試験項目においてフェイルが発生する頻度を低減するこ
とができる。このため、一定時間内に試験できる半導体
装置100の個数を増やすことができ、試験の効率を向
上させることができる。
【0026】特に、各テスト項目を実行してフェイルが
発生した場合に、フェイル分布データ格納部12に格納
されているフェイル分布データの内容がその都度更新さ
れるため、常に最新のフェイル発生状態が反映され、実
情に適合した最も効率よい順番で試験を実施することが
できる。
【0027】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、上述した実施形態では、リーク
テスト等の6種類のテスト項目からなる試験を実施する
場合を説明したが、テスト項目の数やその内容は半導体
装置100の種類等に応じて適宜変更することができ
る。また、上述した実施形態では、異なる種類のテスト
項目毎にフェイル頻度を調べて、その実行順番を可変に
設定したが、1つのテスト項目(例えばLFテスト)内
の試験手順を複数のブロックに分割し、それぞれのブロ
ックの実行順番を各ブロックに対応するフェイル頻度の
高い順番に設定するようにしてもよい。あるいは、複数
(例えば2つ)のテスト項目を単位としてフェイル頻度
の比較を行って実行順番を設定するようにしてもよい。
【0028】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、否定
的な結果が得られる確率が高い項目については早い順番
で試験を実施することができ、試験に要する時間を短縮
して一定時間内に試験できる半導体装置の個数を増や
し、試験の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の半導体試験装置の構成を示す図で
ある。
【図2】本実施形態の半導体試験装置の動作手順を示す
流れ図である。
【図3】従来の半導体試験装置の動作手順を示す図であ
る。
【符号の説明】 10 テスタプロセッサ 12 フェイル分布データ格納部 20 タイミングジェネレータ 30 パターンジェネレータ 40 データセレクタ 50 フォーマットコントロール部 60 ピンカード 70 デジタルコンペア部 80 DC測定部 90 デバイス電源 100 半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清木 健二 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 Fターム(参考) 2G003 AA07 AA08 AB05 AE01 AE06 AH01 AH02 AH04 2G032 AA07 AA09 AB02 AC03 AE10 AE12 AL00 9A001 BB05 LL05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置に対して複数の項目からなる
    所定の試験を実行し、それぞれの項目毎に試験結果の良
    否判定を行う試験実行手段と、 前記複数の項目の実行順序を、否定的な試験結果が得ら
    れる頻度が高い前記項目については早く設定し、否定的
    な試験結果が得られる頻度が低い前記項目については遅
    く設定する試験実行順序設定手段と、 を備えることを特徴とする半導体試験装置の実行手順制
    御方式。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記複数の項目のそれぞれについて、否定的な試験結果
    が得られる頻度に関する過去の実績データを格納する実
    績データ格納手段をさらに備えており、 前記試験実行順序設定手段は、前記実績データ格納手段
    に格納されている前記実績データに基づいて、前記複数
    の項目のそれぞれに対して否定的な試験結果が得られる
    頻度を判定することを特徴とする半導体試験装置の実行
    手順制御方式。
  3. 【請求項3】 請求項2において、 前記試験実行手段によって前記半導体装置に対する前記
    所定の試験が終了したときに、この試験結果に基づいて
    前記実績データ格納手段に格納されている前記実績デー
    タの内容を更新する実績データ更新手段をさらに備える
    ことを特徴とする半導体試験装置の実行手順制御方式。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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