JP2000081335A - ヨーレートセンサ - Google Patents

ヨーレートセンサ

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JP2000081335A
JP2000081335A JP10252871A JP25287198A JP2000081335A JP 2000081335 A JP2000081335 A JP 2000081335A JP 10252871 A JP10252871 A JP 10252871A JP 25287198 A JP25287198 A JP 25287198A JP 2000081335 A JP2000081335 A JP 2000081335A
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vibrator
yaw rate
excitation
electrodes
vibration
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JP10252871A
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Hiroaki Ito
弘明 伊藤
Eiji Kawasaki
栄嗣 川崎
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Denso Corp
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】より低コスト化を図ることができるヨーレート
センサを提供する。 【解決手段】振動子3は基板の上において基板表面にて
形成されるX−Y座標面に変位可能に支持され、可動電
極7a〜7d,8a〜8dを有する。基板の上において
固定電極9a〜9d,10a〜10d,12a〜12
d,13a〜13dが、振動子3の可動電極と対向して
いる。励振信号発生回路15は励振信号(I),(II)を送出
して振動子3の可動電極と固定電極との間に静電気力を
発生させて振動子3を励振させる。スイッチング制御回
路16は振動子3の励振動作を停止して振動子3を自由
振動させ、演算装置20は振動子3が自由振動を行って
いるときにおいて、振動子3の振動方向に直交する振動
子3の変位を、可動電極と固定電極との間の静電容量か
ら検出してヨーレートを算出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はヨーレートセンサ
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的な静電駆動容量検出式ヨーレート
センサの構成例を図11に示す。この静電駆動容量検出
式ヨーレートセンサは可動部励振用電極201,202
とヨーレート検出用電極203を備えている。励振用電
極201,202には、可動部204を静電気力により
励振させるための電気信号(駆動信号)を常に印加し、
可動部204をX方向に振動させる。具体的には、逆相
の正弦波を励振用電極201と202に印加する。この
際、低電圧で大きな振幅を得るために可動部204のX
方向の共振周波数で駆動するのが一般的である。
【0003】そして、Y軸回りのヨーレートが加わった
とき、可動部204はZ軸方向に駆動周波数で振動し始
める。この振動は可動部204とヨーレート検出用電極
203との容量値の変化として検出する。ヨーレート検
出用電極203には、容量値を電圧に変換するC−V変
換器205が接続されており、ヨーレートが作用してい
る時、C−V変換出力には、ヨーレートに比例した振幅
の正弦波が駆動周波数で現れている。この信号から、同
期検波回路206においてヨーレート信号を得るために
駆動周波数で同期検波をする。同期検波のリファレンス
信号には可動部励振用電極201,202に印加した駆
動信号が用いられるのが一般的である。
【0004】しかし、これら別個の電極201,20
2,203を用いる構成では、センササイズの増大や工
程数の増加により、低コスト化の妨げとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、より低コスト化を図ることができるヨーレートセ
ンサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のヨーレ
ートセンサは、励振信号生成手段による振動子の励振動
作を停止して振動子を自由振動させる励振中断手段と、
励振中断手段により振動子が自由振動を行っているとき
において、振動子の振動方向に直交する振動子の変位
を、可動電極と固定電極との間の静電容量から検出して
ヨーレートを算出するヨーレート算出手段と、を備えた
ことを特徴としている。
【0007】この構成を採用することにより、励振信号
生成手段は、振動子の可動電極と固定電極との間に静電
気力を発生させて振動子を励振させるための信号を生成
する。励振中断手段は、励振信号生成手段による振動子
の励振動作を停止して振動子を自由振動させる。そし
て、ヨーレート算出手段は、励振中断手段により振動子
が自由振動を行っているときにおいて、振動子の振動方
向に直交する振動子の変位を、可動電極と固定電極との
間の静電容量から検出してヨーレートを算出する。
【0008】よって、励振用・ヨーレート検出用の電極
を共通化し、1つの電極に2つの用途をもたせること
で、より低コスト化を図ることができる。つまり、従来
のセンサのように別個の電極の構成とした場合には、セ
ンササイズの増大や工程数の増加により低コスト化の妨
げとなったが、本発明によれば、低コストなセンサとす
ることができる。
【0009】ここで、請求項2に記載の発明は、励振中
断手段として、固定電極または可動電極への励振信号ラ
インに設けられたスイッチと、ヨーレートを算出する際
にスイッチを制御して励振信号ラインを遮断するスイッ
チング制御手段と、を備えたものとする。すると、スイ
ッチング制御手段は、ヨーレートを算出する際に、固定
電極または可動電極への励振信号ラインに設けられたス
イッチを制御して励振信号ラインを遮断する。
【0010】よって、ヨーレートによる容量変化検出時
に励振信号が寄生容量によりカップリングされてヨーレ
ート検出信号に回り込むことが回避される。つまり、図
11の従来のセンサにおいては、駆動信号(励振信号)
を常に印加し続けているために駆動信号が寄生容量のカ
ップリングにより検出電極203に回り込み、最終的に
ヨーレートのオフセットとして現れる問題があったが、
本発明によれば、これを回避することができる。
【0011】また、請求項3に記載のように、請求項2
での前記スイッチング制御手段として、振動子の振動状
態を検出する振動状態検出手段にて、振動子の振動状態
をモニタしつつスイッチを制御するようにすると、より
確実に振動子の振動状態を把握して正確なる測定を行う
ことが可能となる。
【0012】また、請求項4に記載のように、請求項3
での振動状態検出手段として、振動子の梁に形成した歪
みゲージを用いると、より確実に振動子の振動状態をモ
ニタすることができる。
【0013】また、請求項5に記載のように、請求項2
でのスイッチング制御手段として、励振信号の波の数の
計数動作に基づいてスイッチを制御するようにすると、
振動状態検出手段を不要にでき、構造の簡素化を図るこ
とができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図1には、本実施形態
における静電容量式ヨーレートセンサの平面図および周
辺の電気的構成を示す。図2には、図1のA−A線での
断面図を示す。
【0015】図1に示すように、本センサはセンサエレ
メント100を具備している。センサエレメント100
として、本例では、図2に示すように、シリコン基板1
の上に絶縁膜(2a,2c,11等)を介してシリコン
層(9a〜9d,10a〜10d等)を形成したSOI
基板を用いている。
【0016】シリコン基板1の上にはアンカー部2a,
2b,2c,2d(図1参照)により振動子3が基板1
の表面から所定の間隔をおいて支持されている。この振
動子3が可動電極として機能する。振動子3に関し、よ
り詳しくは、振動子3は、梁4a,4b,4c,4dと
本体部(重り)5を備えている。梁4a,4b,4c,
4dはL字状をなし、本体部5は長方形状をなしてい
る。角形の本体部5の角部からは梁4a,4b,4c,
4dが延びるとともに梁4a,4b,4c,4dの他端
がアンカー部2a,2b,2c,2dに固定されてい
る。振動子3は、SOI基板のシリコン層より成り、ア
ンカー部2a〜2dはSOI基板の絶縁膜より成る。図
1において、角形の本体部5の左端面には棒状の可動電
極7a,7b,7c,7dが突設され、櫛歯状を成して
いる。また、角形の本体部5の右端面には棒状の可動電
極8a,8b,8c,8dが突設され、櫛歯状を成して
いる。
【0017】この振動子3は、基板1の表面にて形成さ
れる2軸直交座標面に変位可能に支持されている。つま
り、図1のX−Y座標面において自在に変位できる。よ
り詳しくは、本例では、梁4a〜4dの形状としてL字
型にすることによってX,Yの2方向の自由度をもつ構
造としている。
【0018】一方、図1,2に示すように、基板1の上
には、棒状の固定電極9a,9b,9c,9dが、可動
電極7a,7b,7c,7dの一方の面に対向するよう
に配置されている。また、基板1の上には、棒状の固定
電極10a,10b,10c,10dが、可動電極7
a,7b,7c,7dの他方の面に対向するように配置
されている。同様に、図1に示すように、基板1の上に
は、棒状の固定電極12a,12b,12c,12d
が、可動電極8a,8b,8c,8dの一方の面に対向
するように配置されている。また、基板1の上には、棒
状の固定電極13a,13b,13c,13dが、可動
電極8a,8b,8c,8dの他方の面に対向するよう
に配置されている。
【0019】各固定電極9a〜9d,10a〜10d,
12a〜12d,13a〜13dはSOI基板のシリコ
ン層より成り、絶縁膜11(図2参照)にて基板1側に
固定されている。
【0020】本例では、X方向は振動子3を静電気力に
よって振動させる振動子励振方向であり、Y方向は振動
している振動子3にZ軸回りの角速度が加わったときに
コリオリ力が作用する方向であり、Y方向がそれを容量
値の変化として検出するコリオリ力(ヨーレート)検出
方向である。
【0021】次に、制御系について図1を用いて説明す
る。固定電極9a〜9dは配線L1にて電気的に接続さ
れ、固定電極10a〜10dは配線L2にて電気的に接
続されている。また、固定電極12a〜12dは配線L
3にて電気的に接続され、固定電極13a〜13dは配
線L4にて電気的に接続されている。
【0022】制御系の回路として、励振信号発生回路1
5を備えている。この励振信号発生回路15は信号線L
5を通して前記配線L2(固定電極10a〜10d)と
接続できるとともに、信号線L5,L6を通して前記配
線L1(固定電極9a〜9d)と接続できるようになっ
ている。信号線L5の途中にはスイッチSW1が、ま
た、信号線L6の途中にはスイッチSW2が配置されて
いる。
【0023】同様に、励振信号発生回路15は信号線L
7を通して前記配線L4(固定電極13a〜13d)と
接続できるとともに、信号線L7,L8を通して前記配
線L3(固定電極12a〜12d)と接続できるように
なっている。信号線L7の途中にはスイッチSW4が、
また、信号線L8の途中にはスイッチSW3が配置され
ている。
【0024】そして、スイッチSW1,SW2を閉じた
状態で、励振信号発生回路15から励振信号(I)が固定
電極9a〜9d,10a〜10dに送られる。また、ス
イッチSW3,SW4を閉じた状態で、励振信号発生回
路15から励振信号(II) が固定電極12a〜12d,
13a〜13dに送られる。この励振信号(I),(II)
により、振動子3の可動電極7a〜7d,8a〜8dと
固定電極9a〜9d,10a〜10d,12a〜12
d,13a〜13dとの間に静電気力が発生して振動子
3を励振させることができるようになっている。
【0025】ここで、2つの可動電極励振信号(I),
(II) には、図3に示すようにオフセットがついた正弦
波を用い、2つの励振信号(I),(II) は逆相となって
いる。可動電極7a〜7d,8a〜8dの電位は接地
(GND)とする。そして、この励振信号(I),(II)
を印加することにより、固定・可動電極間には、励振信
号と同じ周波数の静電気力が発生し、可動電極7a〜7
d,8a〜8dは励振信号と同じ周波数で振動する。ま
た、この励振信号の周波数を振動子3の励振方向(X方
向の)共振周波数と一致させることで、低電圧でも(小
さい静電気力でも)大きな振動振幅を得ることが可能に
なる。
【0026】励振信号の他の例としては、図8のように
オフセットがついていない正弦波信号とし、固定電極9
a〜9d,10a〜10dに印加する信号に対し固定電
極12a〜12d,13a〜13dに印加する信号は位
相差90°の正弦波を用いてもよい。オフセットがつい
ていない信号の時に作用する静電気力は、この励振信号
の2倍の周波数で発生することから、このような信号を
印加することで可動電極7a〜7d,8a〜8dは励振
信号の2倍の周波数で振動する。この時、振動子3の共
振を利用する場合には、振動子3のX方向の共振周波数
の半分の周波数で駆動することで大きい振動振幅を低電
圧で(低静電気力で)実現することができる。
【0027】図1の説明に戻り、配線L1(固定電極9
a〜9d)は信号線L9を通して容量−電圧変換器18
に接続され、配線L3(固定電極12a〜12d)は信
号線L10,L9を通して容量−電圧変換器18に接続
されている。信号線L9の途中にはスイッチSW5が、
また、信号線L10の途中にはスイッチSW6が配置さ
れている。
【0028】同様に、配線L2(固定電極10a〜10
d)は信号線L11を通して容量−電圧変換器19に接
続され、配線L4(固定電極13a〜13d)は信号線
L12,L11を通して容量−電圧変換器19に接続さ
れている。信号線L11の途中にはスイッチSW7が、
また、信号線L12の途中にはスイッチSW8が配置さ
れている。
【0029】そして、スイッチSW5,SW6を閉じた
状態で、固定電極9a〜9d,12a〜12dと可動電
極7a〜7d,8a〜8dとの間の容量に応じた信号が
容量−電圧変換器18に送られるとともに、スイッチS
W7,SW8を閉じた状態で、固定電極10a〜10
d,13a〜13dと可動電極7a〜7d,8a〜8d
との間の容量に応じた信号が容量−電圧変換器19に送
られる。
【0030】容量−電圧変換器18,19は、固定電極
と可動電極との間の容量を電圧に変換して出力するもの
である。容量−電圧変換器18,19の出力端子は演算
装置20に接続されている。演算装置20は変換器1
8,19の出力値に基づいてヨーレートを算出する。
【0031】演算装置20の具体的構成例としては、図
4に示すように、差動増幅器を用いる。つまり、容量−
電圧変換器18,19の出力をそれぞれオペアンプ30
に入力し、その差をとり、所定量だけ増幅して出力す
る。
【0032】スイッチSW1〜SW8の具体的構成例と
しては、図5に示すように、FET(Field Effect
Transistor )を用いる、あるいは、図6に示すよう
に、CMOSトランジスタを用いる。
【0033】図1のスイッチング制御回路16は、振動
子3の梁4dに形成した歪みゲージ14からの信号を入
力して振動子3の振動状態をモニタし、このモニタ結果
に基づいてスイッチSW1〜SW8を開閉制御する。歪
みゲージ14の出力を用いてスイッチの制御を行うため
の構成例としては、振動子3の振動モニタ信号の振幅を
整流回路で検出し、コンパレータで基準の信号と比較し
て、その出力をスイッチング制御信号とする。このスイ
ッチング制御信号は、スイッチSW1〜SW4に対して
はそのまま信号(I)として送られ、スイッチSW5〜S
W8に対してはインバータ17にて反転して信号(II)
として送られる。スイッチング制御信号によりスイッチ
SW1〜SW4とスイッチSW5〜SW8のいずれか一
方がオンされる。
【0034】次に、ヨーレートセンサの作用について説
明する。センサとしての動作は、図7に示すように、固
定電極の使用目的の違いから可動部励振モードとヨーレ
ート検出モードの2つからなる。これら2つのモードを
繰り返してヨーレートの検出を可能にしている。
【0035】可動部励振モードでは、スイッチング制御
信号はHレベルとなり、スイッチSW1〜SW4がオ
ン、スイッチSW5〜SW8はオフ状態になる。それに
より、図1の固定電極9a〜9dと10a〜10dが同
電位となり、また、固定電極12a〜12dと13a〜
13dも同電位となる。
【0036】同時に、振動子3を静電気力により励振さ
せるための励振信号(I)が励振信号発生回路15から固
定電極9a〜9d,10a〜10dに印加され、また、
励振信号(II) が固定電極12a〜12d,13a〜1
3dに印加される。この励振信号によって、固定電極と
可動電極7a〜7d,8a〜8dの間には静電気力が作
用し、可動電極7a〜7d,8a〜8dは固定電極に引
き寄せられてX方向に変位する。固定電極9a〜9d,
10a〜10dに加える信号と固定電極12a〜12
d,13a〜13dに加える信号を交互に静電気力が作
用させるようにすることで可動電極はX方向に振動す
る。
【0037】ヨーレート検出モードについて説明する。
ヨーレートのセンシングはヨーレート検出モード時に行
われる。本例では、Z軸回りに作用したヨーレート(角
速度)を、Y軸方向に発生するコリオリ力を検知するこ
とにより行う。具体的には、可動電極7a〜7d,8a
〜8dと固定電極をコンデンサの対向電極板として、コ
リオリ力によって発生した振動子3のY軸方向の変位
を、同コンデンサの容量値の変化として検出する。
【0038】そして、図1のスイッチング制御回路16
は、可動部励振モード時に歪みゲージ14からの信号を
モニタしており、振動子3のX方向の振動振幅が所定の
レベルLmax に達したときに(図7のt2のタイミン
グ)、可動部励振モードからヨーレート検出モードへ切
り換える。このヨーレート検出モードへの切り換えにて
モード切換信号がLレベルになる。
【0039】ここで、ヨーレート検出モードに移るタイ
ミングは、X方向の励振振幅とヨーレートが作用したと
きに発生するコリオリ力とは比例関係にあるため、検出
したい最小のヨーレートが作用した時に発生するコリオ
リ力による振動子3の変位、つまりは、検出したい最小
のヨーレートが作用した時の可動電極7a〜7d,8a
〜8dと固定電極との容量値の変化がC−V変換器1
8,19で検出可能である時の励振振幅とする。つま
り、振動子3の励振振幅を検出できるように梁4dに歪
みゲージ14を形成しておき、その出力を検出して望む
べき励振振幅に達したときにモードを切り換える。
【0040】他の切り換えのための構成例としては、セ
ンサを使用する環境での可動部励振モードの時間と励振
振幅との関係を予め測定しておき、望むべき励振振幅に
達するときの励振信号の波の数でモード切り換えを行っ
てもよい。一般に励振時間と励振振幅との関係は構造体
の形状、センサの置かれた環境の真空度等によって異な
る。低真空度の場合、ヨーレートを検出できるような振
動振幅を得るためには高真空度の場合より、時間が長く
なる。より詳しくは、図1に代わる図9のように歪みゲ
ージを用いずにスイッチング制御回路16に励振信号を
取り込み、図10に示すように、励振信号の波の数の計
数動作に基づいてスイッチを制御する。
【0041】図10においては、励振信号のピークをカ
ウンタで計数していきカウント値n=4にて可動部励振
モードからヨーレート検出モードに切り換え(t10の
タイミング)、ヨーレート検出モードにおいて所定時間
が経過したt11のタイミングにて可動部励振モードに
復帰する場合を示している。
【0042】センサの作用説明に戻り、図7に示すごと
く、ヨーレート検出モードにおいては、可動電極7a〜
7d,8a〜8dに静電気力は作用していないが、振動
子3は励振モードで振動させた惰性により自由振動で振
動している。可動電極7a〜7d,8a〜8dが振動し
ている限り、ヨーレートが作用したときのコリオリ力は
発生するが、X方向の振動振幅が変化するとヨーレート
検出感度が変化してしまいセンサとして悪影響を及ぼ
す。可動電極7a〜7d,8a〜8dの振動振幅とヨー
レートの検出感度との関係は比例関係にあり、つまり、
X方向の振動振幅が1/2になった場合、センサの感度
も1/2に低下する。よって、検出モードの時間は、こ
の自由振動の振幅がセンサ感度に影響を与えない程度の
変化内にある期間とする。具体的には、センサに要求さ
れる感度の分解能から逆算して、許される振動振幅の変
化幅Lmin を設定し、この振幅レベルLmin になると励
振モードに復帰する。振動子3の自由振動振幅の減衰率
は、構造体の形状、センサの置かれた環境の真空度によ
って異なるが、構造体を共振特性の良いもの、真空度を
高真空にすることで、つまりは振動のQ値の高いセンサ
とすることで、この減衰を小さくすることができる。
【0043】また、ヨーレート検出モードでは、図1の
スイッチング制御信号(I)はLレベルになり、スイッチ
ング制御信号(II) はHレベルとなり、スイッチSW1
〜SW4は全てオフ、スイッチSW5〜SW8がオン状
態となる。それにより、固定電極9a〜9dと12a〜
12dが同電位となり、また、固定電極10a〜10d
と13a〜13dも同電位となる。同時に、固定電極9
a〜9d,12a〜12dはC−V変換器18に、ま
た、固定電極10a〜10d,13a〜13dはC−V
変換器19に接続される。つまり、ヨーレート検出モー
ドにおいて、固定電極9a〜9d,12a〜12d,1
0a〜10d,13a〜13dは可動電極との容量値を
検出する電極として使用される。
【0044】X方向に振動している可動電極7a〜7
d,8a〜8dにZ軸回りヨーレートが作用すると、コ
リオリ力がY軸方向に発生し、可動電極7a〜7d,8
a〜8dはY方向にX方向の振動と同じ周波数で振動し
始める。このヨーレートによって生じたY方向の振動
を、可動電極7a〜7d,8a〜8dと固定電極9a〜
9d,12a〜12dとの容量値、および可動電極7a
〜7d,8a〜8dと固定電極10a〜10d,13a
〜13dとの容量値の変化として検出する。
【0045】この可動電極7a〜7d,8a〜8dと固
定電極9a〜9d,12a〜12dとの容量値と、可動
電極7a〜7d,8a〜8dと固定電極10a〜10
d,13a〜13dとの容量値の関係は、振動子3のY
軸方向の変位によって一方の容量値が増加したとき、他
方の容量値は減少するようになっていることから、それ
ぞれの容量値を電圧に変換したC−V変換器18,19
の出力には逆相の正弦波として現れる。ヨーレートが逆
回りの時には、それぞれ位相が反転した出力となる。演
算装置20でこの2つのC−V変換出力の差をとること
で高感度に容量の変化を検出できるようになり、つまり
は高感度にヨーレートを検出することが可能になる。
【0046】演算装置20はC−V変換器18,19の
演算結果(出力)をX軸方向の振動の周波数をもつ信号
で同期検波することで、センサに作用したヨーレートを
検出する。
【0047】また、このヨーレート検出モードにおいて
は、可動電極7a〜7d,8a〜8dを励振させる駆動
信号は印加されていないので、Y軸方向の容量値の変化
を検出するC−V変換出力には、駆動信号が寄生容量に
よってカップリングされる駆動信号の回り込みは現れな
い。つまり、ヨーレート検出には不要な信号成分を除去
して容量の検出を行うことができるので、励振と検出を
同時に行っている従来の方法に比べてS/N比が向上す
る。演算装置20でこの2つのC−V変換出力の差をと
ることで高感度に容量の変化を検出できるようになる。
【0048】このように、センサ駆動回路の回路構成と
して、固定電極の使用目的を切り換えるスイッチSW1
〜SW8を設け、振動子3の両側に配置した固定電極9
a〜9d,10a〜10d,12a〜12d,13a〜
13dを、図7のt1〜t2の期間においては可動部励
振用に使用し、その後のt2〜t3の期間においてはヨ
ーレートを検出するための容量検出電極として使用す
る。これにより、固定電極数を減らすことが可能にな
り、工程数の減少、低コスト化が可能になる。
【0049】つまり、振動子3の両側に配置された固定
電極9a〜9d,10a〜10d,12a〜12d,1
3a〜13dを時分割して使用することでヨーレートセ
ンサに必要な電極数を減らし、励振、検出の電極を共通
化することでセンサの小型化、コストの低減を図ること
ができる。
【0050】このように本実施の形態は、下記の特徴を
有する。 (イ)図1に示すように、励振信号生成手段としての励
振信号発生回路15により、振動子3の可動電極7a〜
7d,8a〜8dと固定電極9a〜9d,10a〜10
d,12a〜12d,13a〜13dとの間に静電気力
を発生させて振動子3を励振させるための信号を生成
し、励振中断手段を構成するスイッチSW1〜SW8お
よびスイッチング制御回路16により、励振信号発生回
路15による振動子3の励振動作を停止して振動子3を
自由振動させ、ヨーレート算出手段としての演算装置2
0により、振動子3が自由振動を行っているときにおい
て、振動子3の振動方向に直交する振動子3の変位を、
可動電極7a〜7d,8a〜8dと固定電極9a〜9
d,10a〜10d,12a〜12d,13a〜13d
との間の静電容量から検出してヨーレートを算出するよ
うにした。
【0051】よって、図11に示した従来センサのよう
に別個の電極201,202,203を用いるとセンサ
サイズの増大や工程数の増加により低コスト化の妨げと
なっていたが、本実施形態においては、励振用・ヨーレ
ート検出用の電極7a〜7d,8a〜8d,9a〜9
d,10a〜10d,12a〜12d,13a〜13d
を共通化し、1つの電極に2つの用途をもたせること
で、より低コスト化を図ることができる。 (ロ)スイッチング制御回路16は、ヨーレートを算出
する際に、固定電極または可動電極への励振信号ライン
(信号線)L5〜L8に設けられたスイッチSW4〜S
W8を制御して励振信号ラインL5〜L8を遮断するの
で、ヨーレートによる容量変化検出時に励振信号が寄生
容量によりカップリングされてヨーレート検出信号に回
り込むことが起こらない。つまり、従来のセンサにおい
ては、駆動信号を常に印加し続けているために駆動信号
が寄生容量のカップリングにより検出電極に回り込み最
終的にヨーレートのオフセットとして現れる問題があっ
たが、本実施形態によれば、これを回避することができ
る。 (ハ)スイッチング制御回路16は、振動子3の振動状
態を検出する振動状態検出手段14にて、振動子3の振
動状態をモニタしつつスイッチSW1〜SW8を制御す
るので、より確実に振動子3の振動状態を把握して正確
なる測定を行うことが可能となる。 (ニ)振動状態検出手段14として、振動子3の梁4d
に形成した歪みゲージ14を用いたので、より確実に振
動子3の振動状態をモニタすることができる。 (ホ)図9,10に示すように、スイッチング制御回路
16が、励振信号の波の数の計数動作に基づいてスイッ
チSW1〜SW8を制御するようにすると、図1の振動
状態検出手段14を不要にでき、構造の簡素化を図るこ
とができる。
【0052】これまで説明してきたものの他にも、次の
ように実施してもよい。可動電極に対し両側に固定電極
を配置したが(例えば、図1の可動電極7aに対し固定
電極9aと10aを配置)、一方のみに固定電極を配置
した構成としてもよい。
【0053】また、可動電極を接地(GND)するとと
もに固定電極に励振信号を印加する例を示したが、固定
電極を接地するとともに可動電極に励振信号を印加する
等の態様にて実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態におけるヨーレートセンサの全体構
成図。
【図2】 図1のA−A断面図。
【図3】 励振信号の波形図。
【図4】 演算装置の構成例を示す図。
【図5】 スイッチの構成例を示す図。
【図6】 スイッチの構成例を示す図。
【図7】 信号の波形図。
【図8】 別例の励振信号の波形図。
【図9】 別例のヨーレートセンサの全体構成図。
【図10】 別例の信号の波形図。
【図11】 従来のヨーレートセンサの全体構成図。
【符号の説明】
1…シリコン基板、3…振動子、4a〜4d…梁、7a
〜7d…可動電極、8a〜8d…可動電極、9a〜9d
…固定電極、10a〜10d…固定電極、12a〜12
d…固定電極、13a〜13d…固定電極、14…歪み
ゲージ、15…励振信号発生回路、16…スイッチング
制御回路、20…演算装置、L1〜L12…配線、SW
1〜SW8…スイッチ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の上に、当該基板の表面にて形成さ
    れる2軸直交座標面に変位可能に支持され、可動電極を
    有する振動子と、 前記基板の上において前記振動子の可動電極と対向する
    固定電極と、 前記振動子の可動電極と固定電極との間に静電気力を発
    生させて前記振動子を励振させるための信号を生成する
    励振信号生成手段と、 前記励振信号生成手段による振動子の励振動作を停止し
    て振動子を自由振動させる励振中断手段と、 前記励振中断手段により振動子が自由振動を行っている
    ときにおいて、振動子の振動方向に直交する前記振動子
    の変位を、可動電極と固定電極との間の静電容量から検
    出してヨーレートを算出するヨーレート算出手段と、を
    備えたことを特徴とするヨーレートセンサ。
  2. 【請求項2】 前記励振中断手段は、 固定電極または可動電極への励振信号ラインに設けられ
    たスイッチと、 ヨーレートを算出する際にスイッチを制御して励振信号
    ラインを遮断するスイッチング制御手段と、を備えてな
    る請求項1に記載のヨーレートセンサ。
  3. 【請求項3】 前記スイッチング制御手段は、振動子の
    振動状態を検出する振動状態検出手段にて、振動子の振
    動状態をモニタしつつスイッチを制御するものである請
    求項2に記載のヨーレートセンサ。
  4. 【請求項4】 振動状態検出手段は、振動子の梁に形成
    した歪みゲージである請求項3に記載のヨーレートセン
    サ。
  5. 【請求項5】 前記スイッチング制御手段は、励振信号
    の波の数の計数動作に基づいてスイッチを制御するもの
    である請求項2に記載のヨーレートセンサ。
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