JP2000049429A - 給電系インピーダンス低減方法および回路基板ならびに電子機器 - Google Patents

給電系インピーダンス低減方法および回路基板ならびに電子機器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板に生じる反共振を抑制して、給電系
インピーダンスやEMIの低減を実現する。 【解決手段】 平面状のグランドパターンおよび電源パ
ターンからなる給電系を含む多層構造の回路基板30に
おいて、グランドパターンの周辺部に沿って複数のスリ
ット32aを形成することにより、グランドパターンの
角部と辺の中央部を接続する細長い導通路32bを形成
するとともに、この導通路32bの各々の途中に抵抗素
子37、38を配置し、グランドパターンの角部と辺の
中央部とが抵抗素子37、38を介して短絡されるよう
にした。回路基板30に実装されたIC35やLSI3
6への給電時にグランドパターンに生じる定在波の腹と
節または腹と腹に対応する部分が短絡されるため、定在
波によるノイズ電源が相殺され、定在波による反共振や
給電系インピーダンスの増加が抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、給電系インピーダ
ンス低減技術および回路基板ならびに、これらを用いた
電子機器に関し、特に、給電系インピーダンスや放射ノ
イズの低減等に好適な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子回路は電源より電圧及び電流を供給
されることにより動作する。この電源及び電子回路への
配線を給電系と呼ぶ。図8に示すように電源の電圧を
V、電子回路の動作電流をic、電源の内部インピーダ
ンスをZp、そして電源の内部インピーダンス以外の給
電系の持つインピーダンスをZ1とすると、実際の回路
に給電される電圧Vcは、 Vc=V−ic×(Zp+Z1)・・・・・(1) となる。icとZp+Z1の積が大きい場合、Vcが低
下し、回路が正常に動作しなくなる。このicとZp+
Z1の積を電源電圧降下と呼ぶ。icを一定とした場
合、電源電圧降下を小さくするためには、式(1)にお
いてZp+Z1を小さくする必要がある。Zp+Z1を
小さくするために電源回路のZpを低くするとともに、
給電系配線のインピーダンスZ1を低減することが必要
である。
【0003】給電系インピーダンスの低減の具体的な実
現方法としては給電系配線の断面積を大きくする方法
と、電源とグランドを近接させる方法、電源給電系全体
(又は配線)の長さを短くする方法の三つの方法があ
る。これら三つの方法を合わせたものとして、図9に示
すようなべた(平面状)の電源層とグランド層を持つ多
層回路基板にバイパスコンデンサ(以後パスコンと呼
ぶ)を電子回路近傍に実装する方法が従来より知られて
いる。電源とグランドを平面層とすることにより、断面
積が広くなるとともに、電源層とグランド層は近接して
平行になるので、インダクタンスが低くなる。さらにパ
スコンを電子回路の近傍に実装することにより、パスコ
ンが高速な電源電流に対応する電源の代わりの役割を
し、給電距離が短くなる。これらの効果により、電源給
電系のインピーダンスを低減することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】多層回路基板を使用す
ると給電系のインピーダンスが低減できることは前述の
とおりであるが、電源層とグランド層が広い面積で対向
することにより、給電系が高周波領域において分布定数
回路としての挙動を示す。このため、電源層のある点で
生じたノイズが電源グランド層を伝播し、基板の端で反
射を繰り返す。このことにより、電源グランド層上に定
在波を生じ、見かけ上の給電系インピーダンスが大きく
なるという技術的課題がある。これを並列共振または反
共振現象と呼ぶ。図10に、この定在波の様子を示す。
このように定在波が生じると、図11のように電源また
はグランド層はノイズ源907a、ノイズ源907bが
直列に接続された状態と等価になる。
【0005】この技術的課題の解決方法の一つとして、
特開平8−64984号公報の技術のように基板端部に
おいて終端する方法や、特開平9−246681号公報
の技術のように基板の形状を8角形にすることにより、
共振を起こしにくくする方法等がある。これらの従来技
術では、前者の特開平8−64984号公報の技術の場
合は基板の層構成が複雑になり基板単価が高くなる、と
いう技術的課題があり、後者の特開平9−246681
号公報の技術では基板の配線効率や実装効率が悪くな
る、という技術的課題がある。
【0006】また、電源グランド層が共振することによ
り次のような技術的課題が生じる。すなわち、図12の
ように該回路基板に信号ケーブルが接続されている場
合、グランドの等価回路は図13のようになり、ノイズ
源907a、ノイズ源907bにケーブルのグランド線
906が接続されることになる。このノイズ源907
a、ノイズ源907bがグランド線906をダイポール
アンテナとして励振し、これによりEMI(不要電磁輻
射)を生じる。特に反共振を起こしている場合にグラン
ド層に生じる定在波がこのノイズ源となり、大きなEM
Iを生じる懸念がある。
【0007】本発明の目的は、簡単な構造で回路基板に
おける反共振現象等による給電系インピーダンスの増加
を抑制することが可能な技術を提供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、給電系からの供給電
圧の安定化により、回路基板に搭載される機器の安定動
作や消費電力の低減を実現することが可能な技術を提供
することにある。
【0009】本発明の他の目的は、回路基板に接続され
るケーブル等からの放射ノイズを抑制することが可能な
技術を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の給電系インピー
ダンス低減方法は、電源パターンおよびグランドパター
ンを含む回路基板において、同一の電源パターンの異な
る2点、または同一のグランドパターンの異なる2点
を、抵抗部位を含む回路構造にて接続するものである。
【0011】また、本発明の回路基板は、同一電源パタ
ーンの異なる2点または同一グランドパターンの異なる
2点に両端が接続された導通経路と、導通経路の一部に
設けられた抵抗部位とを含む回路構造を備えたものであ
る。
【0012】また、本発明の回路基板は、同一電源パタ
ーンの異なる2点または同一グランドパターンの異なる
2点に両端が接続された導通経路と、導通経路の一部に
設けられた抵抗部位とを含む回路構造を備え、2点のう
ち、少なくとも1点は電源パターンまたはグランドパタ
ーンの側辺をほぼn分割(nは整数)した分割位置とし
たものである。
【0013】また、本発明の回路基板は、給電のために
設けられた導電パターンと、導電パターンの一部に形成
された少なくとも一つのスリットと、導電パターンの外
縁部とスリットとの間、または複数のスリットの間に挟
まれた導通領域に設けられた抵抗部位とを含むようにし
たものである。
【0014】すなわち、絶縁層901の上に電源層90
2やグランド層903がべたに形成された基板900に
生じる定在波の様子を図10に示す。1/2波長モード
や1波長モード、どちらの場合でも基板端部が腹となっ
ている。この様子を等価回路で表現すると図11のよう
になる。この等価電源(ノイズ電源)907a、等価電
源(ノイズ電源)907bが基板900の電源層902
やグランド層903上に生じる。
【0015】そこで、本発明では、上述のように、基板
900に発生する定在波の腹(等価電源907a、等価
電源907b)の部分(基板各辺のn分割位置)に相当
する電源層902やグランド層903の2点を冗長回路
にて短絡する。
【0016】すなわち、等価電源907a/等価電源9
07bの両端を短絡することにより、等価電源907
a、等価電源907bが相殺されるので、反共振を抑制
できる。ただし、この場合、単純に短絡しても共振周波
数を別の周波数に移動させることになるため、図14の
ように抵抗905を介して短絡する必要がある。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
【0018】(実施の形態1)図1は本発明の給電系イ
ンピーダンス低減方法を実施する回路基板の構成の一例
を示す平面図であり、図2は、図1において線II−I
Iにて示される部分の断面図、図3は、図1のIII部
を拡大して示す拡大図である。
【0019】本実施の形態では回路基板30を構成する
グランドパターンまたは電源パターンの任意の箇所を短
絡することにより反共振等を抑制する例を示す。
【0020】本実施の形態の回路基板は、複数の絶縁層
31を介して、給電系を構成するグランドパターン32
および電源パターン33、さらには配線パターン34が
積層された構造となっている。グランドパターン32、
電源パターン33、配線パターン34は、たとえば金属
箔やメッキ等で構成される。
【0021】最上の絶縁層31の上には、複数のIC3
5やLSI36等が実装され、これらは、当該絶縁層3
1上を引き回される図示しない配線パターンや、回路基
板30の厚さ方向に穿設された図示しないスルーホール
やビアホール内に形成された導体を介してグランドパタ
ーン32および電源パターン33に接続されることによ
って動作電力の供給を受けるとともに、配線パターン3
4に接続されることによって当該配線パターン34を介
して信号の授受等を行うことにより所定の動作を行う。
【0022】本実施の形態の場合、たとえばグランドパ
ターン32は、図4に例示されるように、周辺部に各辺
に沿って当該各辺をほぼ二分する位置に複数のスリット
32aが形成され、このスリット32aと、外縁部に挟
まれた細長い導通路32bは、両端部がグランドパター
ン32の角部と中央部とに接続された状態を呈するとと
もに、その中央部は切断されて切断端32cおよび切断
端32dをなしている。
【0023】なお、本実施の形態におけるスリット32
aは、導通路32bをグランドパターン32の他の領域
から電気的に分離させるために設けられている。したが
って、グランドパターン32に物理的に切り込みを形成
することに限らず、グランドパターン32の一部に細長
く形成された非導通部も、本実施の形態におけるスリッ
トの概念に含まれる。
【0024】さらに、図2に例示されるように、この切
断端32cおよび切断端32dの直上部には、絶縁層3
1を貫通するビアホール31aおよびビアホール31b
が穿設されている。ビアホール31aおよびビアホール
31bの内部にはメッキ等の方法により、下端が切断端
32cおよび切断端32dにそれぞれ接続された接続導
体32e、接続導体32fが形成され、この接続導体3
2eおよび接続導体32fの上端は、絶縁層31の上部
に形成された配線パターン32gおよび配線パターン3
2hを介して、抵抗素子37、抵抗素子38に接続され
ている。
【0025】すなわち、グランドパターン32の角部と
中央部(すなわち、図10にて例示された定在波の腹と
節の部分)は、スリット32aの存在によって形成され
た細長い導通路32bと、接続導体32eおよび接続導
体32f、配線パターン32gおよび配線パターン32
h、さらには抵抗素子37、38を介して短絡された状
態にされ、これにより、図14に例示される等価回路の
回路構成となる。
【0026】このことにより、グランド層(グランドパ
ターン32)に生じる定在波の腹と節を抵抗素子37、
38を介して短絡することとなり、定在波の電気的エネ
ルギーを抵抗素子37、38で消費し、熱エネルギーに
変換することで、グランドパターン32および電源パタ
ーン33からなる給電系の給電系インピーダンスの低減
や、回路基板30に接続される図示しないケーブル等か
らのEMIの低減を実現する。
【0027】なお、上述の例では、1本のスリット32
aと外縁との間に導通路32bを形成して例を示した
が、2本のスリットを平行に形成し、その間に細長い導
通路を形成してもよい。
【0028】また、図1〜図3の構成では、グランドパ
ターン32にスリット32aを形成することで当該グラ
ンドパターン32の一部を短絡の導通路として利用する
場合を例示したが、短絡回路をグランドパターン32と
独立に設けてもよい。
【0029】すなわち、図5に例示されるように、通常
のベタのグランドパターン32Aの角部および各辺の中
央部に、絶縁層31を貫通するビアホール41およびビ
アホール42を穿設するとともに、この内部に下端部が
グランドパターン32Aに接続される接続導体41aお
よび接続導体42aを形成する。さらに、絶縁層31の
上には、各辺に沿って引き回され、両端部がビアホール
41およびビアホール42の内部の接続導体41aおよ
び接続導体42aの上端に接続される配線パターン43
を形成し、この配線パターン43の切断部に、抵抗素子
44、抵抗素子45の両端部を接続することで、グラン
ドパターン32Aの角部と中央部(すなわち、図10に
て例示された定在波の腹と節の部分)が、接続導体41
aおよび接続導体42a、配線パターン43、および抵
抗素子44、45等を介して短絡される構成とする。
【0030】この図5の場合には、グランドパターン3
2Aの形状は一切変更することなく、ビアホール41
(接続導体41a)およびビアホール42(接続導体4
2a)の配置形成と、配線パターン43の引回しだけ
で、グランドパターン32A上の任意の二点を抵抗素子
44、45等を介して短絡することができ、短絡位置の
設定の自由度が増す、という利点がある。すなわち、回
路基板30の設計段階等で予測できなかった定在波の分
布が発生した場合、あるいは既存の回路基板30に対し
てでも、当該定在波を解消すべく、目的の任意の位置へ
のビアホール41(接続導体41a)、ビアホール42
(接続導体42a)の形成および配線パターン43、抵
抗素子44の配置形成等により、定在波等の発生による
反共振を抑制して、給電系インピーダンスの低減や、回
路基板30に接続される図示しないケーブル等からのE
MIの低減を実現することが可能となる。
【0031】なお、図1〜図5の例では短絡経路に別体
の抵抗素子を設けた場合を例示したが、図6に例示され
るように、細長い導通路32bの一部に括れ部46また
は選択的に高抵抗値の改質部47を形成することで抵抗
素子の代わりをさせてもよい。この場合には、別体の抵
抗素子が不要となるため、構造の簡素による小型化およ
び低価格化を実現できる、等の利点がある。
【0032】(実施の形態2)図7は、本発明の一実施
の形態である電子機器の構成の一例を示す一部破断図で
ある。
【0033】この実施の形態では、電子機器の一例とし
て、携帯型のパーソナルコンピュータ等の情報処理装置
50を例示する。すなわち、本実施の形態の情報処理装
置50は、キーボード51a等が設けられた筐体51
と、この筐体51に対して折り畳み自在にされた液晶デ
ィスプレイ等のディスプレイ部52を含んでいる。
【0034】筐体51の内部には、たとえば、汎用のマ
イクロプロセッサ53a、半導体メモリ53b、入出力
制御素子53c等が搭載されたマザーボード等の回路基
板53が内蔵されている。この回路基板53には、図1
に例示された回路基板30が用いられており、定在波等
の発生による反共振を抑制して、給電系インピーダンス
の低減や、回路基板30に接続される図示しないケーブ
ル等からのEMIの低減を実現している。
【0035】これにより、給電系インピーダンスの低減
による消費電力の低減による長時間動作や、図示しない
電源回路の定格容量の削減によるコスト低減、EMI等
のノイズ発生の抑止等を実現して、情報処理装置50の
性能を向上させることが可能になる。
【0036】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0037】たとえば、上述の説明では、電子機器とし
て半導体装置や情報処理装置等を例示したが、これに限
らず、携帯電話等の移動体通信機器等に広く適用でき
る。
【0038】
【発明の効果】本発明の回路基板によれば、簡単な構造
で回路基板における反共振現象等による給電系インピー
ダンスの増加を抑制することができる、という効果が得
られる。
【0039】また、本発明の回路基板によれば、給電系
からの供給電圧の安定化により、回路基板に搭載される
機器の安定動作や消費電力の低減を実現することができ
る、という効果が得られる。
【0040】また、本発明の回路基板によれば、回路基
板に接続されるケーブル等からの放射ノイズを抑制する
ことができる、という効果が得られる。
【0041】また、本発明の給電系インピーダンス低減
方法によれば、簡単な構造で回路基板における反共振現
象等による給電系インピーダンスの増加を抑制すること
ができる、という効果が得られる。
【0042】また、本発明の給電系インピーダンス低減
方法によれば、給電系からの供給電圧の安定化により、
回路基板に搭載される機器の安定動作や消費電力の低減
を実現することができる、という効果が得られる。
【0043】また、本発明の給電系インピーダンス低減
方法によれば、回路基板に接続されるケーブル等からの
放射ノイズを抑制することができる、という効果が得ら
れる。
【0044】また、本発明の電子機器によれば、簡単な
構造で回路基板における反共振現象等による給電系イン
ピーダンスの増加を抑制することができる、という効果
が得られる。
【0045】また、本発明の電子機器によれば、給電系
からの供給電圧の安定化により、回路基板に搭載される
機器の安定動作や消費電力の低減を実現することができ
る、という効果が得られる。
【0046】また、本発明の電子機器によれば、回路基
板に接続されるケーブル等からの放射ノイズを抑制する
ことができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の給電系インピーダンス低減方法を実施
する回路基板の構成の一例を示す平面図である。
【図2】図1において線II−IIにて示される部分の
断面図である。
【図3】図1におけるIII部を拡大した平面図であ
る。
【図4】本発明の給電系インピーダンス低減方法を実施
する回路基板におけるグランドパターンを取り出して示
す平面図である。
【図5】本発明の給電系インピーダンス低減方法を実施
する回路基板におけるグランドパターンの短絡方法の変
形例を示す断面図である。
【図6】本発明の給電系インピーダンス低減方法を実施
する回路基板におけるグランドパターンの変形例をす平
面図である。
【図7】本発明の一実施の形態である電子機器の構成の
一例を示す一部破断斜視図である。
【図8】本発明の参考技術における給電系のインピーダ
ンスを説明するための等価回路の一例を示す回路図であ
る。
【図9】多層回路基板において給電系のインピーダンス
を低減するためにバイパスコンデンサを用いる場合の等
価回路の一例を示す回路図である。
【図10】多層回路基板においてグランドパターン等に
発生する定在波の様子の一例を示す概念図である。
【図11】多層回路基板の電源またはグランド層に発生
するノイズ源の等価回路の一例を示す回路図である。
【図12】多層回路基板に信号ケーブルを接続した場合
のノイズ発生状況を説明する等価回路の一例を示す回路
図である。
【図13】多層回路基板のグランドパターンに信号ケー
ブルを接続した場合のノイズ発生状況を説明する等価回
路の一例を示す回路図である。
【図14】本発明の回路基板においてグランドパターン
または電源パターンを短絡する場合の作用を説明する等
価回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
30…回路基板、31…絶縁層、31a…ビアホール、
31b…ビアホール、32…グランドパターン、32A
…グランドパターン、32a…スリット、32b…導通
路、32c…切断端、32d…切断端、32e…接続導
体、32f…接続導体、32g…配線パターン、32h
…配線パターン、33…電源パターン、34…配線パタ
ーン、35…IC、36…LSI、37…抵抗素子、3
8…抵抗素子、41…ビアホール、41a…接続導体、
42…ビアホール、42a…接続導体、43…配線パタ
ーン、44…抵抗素子、45…抵抗素子、46…括れ
部、47…改質部、50…情報処理装置、51…筐体、
51a…キーボード、52…ディスプレイ部、53…回
路基板、53a…マイクロプロセッサ、53b…半導体
メモリ、53c…入出力制御素子、900…基板、90
1…絶縁層、902…電源層、903…グランド層、9
05…抵抗、906…グランド線、907a…ノイズ
源、907a…等価電源(ノイズ源)、907b…等価
電源(ノイズ源)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠井 真理子 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株 式会社日立製作所システム開発研究所内 (72)発明者 須賀 卓 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 沢田 栄夫 神奈川県海老名市下今泉810番地 株式会 社日立製作所PC事業部内 (72)発明者 石原 裕 神奈川県海老名市下今泉810番地 株式会 社日立製作所PC事業部内 Fターム(参考) 5E338 AA03 BB02 BB19 BB75 CC01 CC04 CC06 CD23 EE13 5E346 AA02 AA12 AA14 AA15 AA43 AA53 BB03 BB04 BB07 DD12 DD22 FF04 HH02

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源パターンおよびグランドパターンを
    含む回路基板における給電系インピーダンス低減方法で
    あって、同一の前記電源パターンの異なる2点、または
    同一の前記グランドパターンの異なる2点を、抵抗部位
    を含む回路構造にて接続することを特徴とする給電系イ
    ンピーダンス低減方法。
  2. 【請求項2】 同一電源パターンの異なる2点または同
    一グランドパターンの異なる2点に両端が接続された導
    通経路と、前記導通経路の一部に設けられた抵抗部位と
    を含む回路構造を備えたことを特徴とする回路基板。
  3. 【請求項3】 同一電源パターンの異なる2点または同
    一グランドパターンの異なる2点に両端が接続された導
    通経路と、前記導通経路の一部に設けられた抵抗部位と
    を含む回路構造を備え、前記2点のうち、少なくとも1
    点は前記電源パターンまたは前記グランドパターンの側
    辺をほぼn分割(nは整数)した分割位置であることを
    特徴とする回路基板。
  4. 【請求項4】 給電のために設けられた導電パターン
    と、前記導電パターンの一部に形成された少なくとも一
    つのスリットと、前記導電パターンの外縁部と前記スリ
    ットとの間、または複数の前記スリットの間に挟まれた
    導通領域に設けられた抵抗部位とを含むことを特徴とす
    る回路基板。
  5. 【請求項5】 請求項2または3記載の回路基板におい
    て、前記抵抗部位は前記導通経路とは別体の抵抗素子か
    らなる構成、もしくは、前記抵抗部位は前記導通経路の
    形状および材質の少なくとも一方を変化させることによ
    って形成された構成、のいずれかであることを特徴とす
    る回路基板。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の回路基板において、前記
    抵抗部位は前記導通領域とは別個の抵抗素子からなる構
    成、もしくは、前記抵抗部位は前記導通領域の一部の形
    状および材質の少なくとも一方を変化させることによっ
    て形成された構成、のいずれかであることを特徴とする
    回路基板。
  7. 【請求項7】 請求項2,3,4,5または6記載の回
    路基板を備えたことを特徴とする電子機器。
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