KR20070048266A - 다중 전압용 분리형 박막 커패시터 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 유전 상수를 갖는 유전 물질을 이용하여 제1 전도성 전극을 제2 전도성 전극으로부터 전기적으로 분리시키는 단계;상기 제1 전도성 전극의 제1 부분을 상기 제1 전도성 전극의 제2 부분으로부터 전기적으로 분리시키는 단계; 및상기 제1 전도성 전극의 상기 제1 부분에 제1 전압을 제공하고, 상기 제2 전도성 전극에 제2 전압을 제공하고, 상기 제1 전도성 전극의 상기 제2 부분에 제3 전압을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 유전 물질은 실리콘 질화물의 유전 상수보다 높은 유전 상수를 갖고, 본질적으로 바륨 스트론튬 티탄산염(barium strontium titanate), 바륨 티탄산염(barium titanate), 스트론튬 티탄산염(strontium titanate) 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 전압은 집적 회로의 캐시부에 대해 제1 전원에 의해 제공되고, 상기 제2 전압은 기준 전원에 의해 제공되고, 상기 제3 전압은 상기 집적 회로의 코 어 로직부에 대해, 상기 제1 전압을 공급하는 상기 전원과는 다른 전원에 의해 제공되는 방법.
- 제1항에 있어서,본질적으로 단결정 실리콘(single crystal silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 유리, 단결정 산화물(single crystal oxide), 반도체 재료, 금속박(metal foil), 테이프 캐스트 세라믹(tape cast ceramic), 폴리머, 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 된 실질적으로 편평한 기판 위에 상기 제2 전극을 더 배치하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 기판 재료는 상기 기판의 상측(top side)에서 상기 기판의 바닥측(bottom side)까지 전기 신호들을 전도하기 위해 배치된 복수의 전도성 비아를 갖는 방법.
- 제5항에 있어서,상기 복수의 전도성 비아는,상기 제1 전도성 전극의 상기 제1 부분을 상기 기판의 상기 바닥측의 제1 부분에 전기적으로 접속시키는 제1 복수의 비아;상기 제2 전도성 전극을 상기 기판의 상기 바닥측의 제2 부분에 전기적으로 접속시키는 제2 복수의 비아;상기 제1 전도성 전극의 상기 제2 부분을 상기 기판의 상기 바닥측의 제3 부분에 전기적으로 접속시키는 제3 복수의 비아; 및상기 기판의 상기 상측 상의 제4 복수의 접촉 위치를 상기 기판의 상기 바닥측 상의 제5 복수의 접속 위치에 전기적으로 접속시키는 제4 복수의 비아를 포함하고,상기 복수의 비아 중 선택된 비아들은 집적 회로 상의 복수의 플립 칩 실장 범프(flip chip mounting bump) 중 선택된 범프에 전기적으로 접속하도록 배치되는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2 전도성 전극을 적어도 두 개의 부분으로 전기적으로 더 분리하고, 각 부분에 개별적인 전원을 공급하는 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2 전극의 전기적으로 분리된 각 부분은 상기 제1 전극의 전기적으로 분리된 관련 부분 아래에 배치되는 방법.
- 제4항에 있어서,제2 유전 상수를 갖는 유전 물질에 의해 제4 전도성 전극으로부터 분리된, 상기 기판의 상기 바닥측 상에 배치된 제3 전도성 전극을 더 포함하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 제2 유전 상수는 상기 제1 유전 상수와 동일하고, 상기 제4 전극은 적어도 두 개의 부분으로 전기적으로 분리되는 방법.
- 박막 커패시터를 형성하는 방법으로서,기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상면 상에 제1 복수의 전극을 패터닝하는 단계;상기 제1 복수의 전극 상에 제1 유전 물질을 패터닝하는 단계;상기 제1 유전 물질 상에 제2 복수의 전극을 패터닝하는 단계;상기 제2 복수의 전극 상에 제2 유전 물질을 패터닝하는 단계;상기 제2 복수의 전극의 상기 패턴 내의 갭들을 통과하는 상기 제1 및 제2 유전체들 내에 복수의 접촉홀(contact hole)을 형성하는 단계; 및상기 제2 유전 물질 상에 제3 복수의 전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 방법.
- 제11항에 있어서,상기 제1 유전 물질은, 본질적으로 바륨 스트론튬 티탄산염, 바륨 티탄산염, 스트론튬 티탄산염 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 방법.
- 제11항에 있어서,상기 기판은, 본질적으로 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 유리, 단결정 산화물, 반도체 재료, 금속박, 테이프 캐스트 세라믹, 폴리머 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 재료를 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서,상기 기판의 상측으로부터 상기 기판의 바닥측까지 전기 신호들을 전도하기 위해 배치된 복수의 전도성 비아를 상기 기판 재료에 더 제공하는 방법.
- 제14항에 있어서,상기 기판의 바닥면 상에 형성된 커패시터를 더 포함하는 방법.
- 제11항에 있어서,제1 전원 전압을 상기 제1 복수의 전극에 제공하고,접지 전압(ground voltage)을 상기 제2 복수의 전극에 제공하고;제2 전원 전압을 상기 제3 복수의 전극에 더 제공하는 방법.
- 제11항에 있어서,상기 제3 복수의 전극의 상면에 복수의 접촉 위치를 더 제공하고, 상기 복수의 접촉 위치 각각은 상기 제1, 제2 및 제3 복수의 전극 중 하나의 선택된 부분에 전기적으로 접속되고, 집적 회로 상의 복수의 플립 칩 실장 범프 중 선택된 범프에 전기적으로 접속하도록 배치되는 방법.
- 제11항에 있어서,외부 회로에 상기 복수의 전극을 접속하도록 배치된 복수의 전기적 접촉 핀을 상기 기판에 더 제공하는 방법.
- 제18항에 있어서,상기 전기적 접촉 핀들은, 본질적으로 핀들, 솔더 범프들 및 리드들로 이루어진 군으로부터 하나 이상이 선택되는, 전기적 커넥터들의 영역 어레이를 포함하는 방법.
- 제18항에 있어서,상기 전기적 접촉 핀들은 적어도 하나의 열(row)을 갖는 주변 어레이(peripheral array)를 포함하고, 추가 열들은 상기 제1 열에 평행한 방법.
- 상면, 바닥면, 상기 상면의 선택된 부분들을 상기 바닥면의 선택된 부분들에 접속하는 복수의 전기적 비아, 및 적어도 하나의 외부 전기 회로에 접속하도록 배 치된 복수의 전기적 접속; 및적어도 둘의 복수의 전극을 포함하는 적어도 하나의 표면을 포함하고,각 복수의 전극은 적어도 하나의 유전체층에 의해 다른 복수의 전극으로부터 전기적으로 분리되는 장치.
- 제21항에 있어서,적어도 하나의 상기 복수의 전극은, 각 부분이 상이한 전원에 접속되는 적어도 두 개의 부분을 포함하는 장치.
- 제21항에 있어서,상기 유전체층들 중 적어도 하나는, 본질적으로 바륨 스트론튬 티탄산염, 바륨 티탄산염, 스트론튬 티탄산염 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 높은 유전 상수를 갖는 물질인 장치.
- 제21항에 있어서,적어도 하나의 외부 전기 회로에 접속하도록 배치된 상기 복수의 전기적 접속은 집적 회로 상의 복수의 플립 칩 실장 범프 중 하나에 전기적으로 개별 접속되는 장치.
- 제21항에 있어서,상기 전기적 접속들은 핀들, 솔더 범프들, 리드들 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 커넥터로 구성된 영역 어레이를 포함하는 장치.
- 제21항에 있어서,상기 전기적 접속들은 리드들의 적어도 하나의 동심(concentric) 열을 갖는 주변 어레이를 포함하는 장치.
- 제21항에 있어서,상기 기판은, 본질적으로 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 유리, 단결정 산화물, 반도체 재료, 금속박, 테이프 캐스트 세라믹, 무기 폴리머(inorganic polymer), 유기 폴리머(organic polymer) 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 장치.
- 다이폴 안테나(dipole antenna)를 포함하는 복수의 연결된 요소;상면, 바닥면, 상기 상면의 선택된 부분들을 상기 바닥면의 선택된 부분들에 접속하는 복수의 전기적 비아, 및 적어도 하나의 외부 전기 회로에 접속하도록 배치된 복수의 전기적 접속을 포함하는 기판을 포함하는 전자 회로; 및적어도 둘의 복수의 전극을 포함하는 적어도 하나의 표면을 포함하고,각 복수의 전극은 적어도 하나의 유전체층에 의해 다른 복수의 전극으로부터 전기적으로 분리되는 시스템.
- 제28항에 있어서,적어도 하나의 상기 복수의 전극은 적어도 두 개의 부분을 포함하고, 각 부분은 상이한 전원에 접속되는 시스템.
- 제28항에 있어서,상기 유전체층들 중 적어도 하나는, 본질적으로 바륨 스트론튬 티탄산염, 바륨 티탄산염, 스트론튬 티탄산염 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질들을 포함하는 높은 유전 상수를 갖는 물질인 시스템.
- 계산 요소들(calculating elements), 메모리 요소들(memory elements), 통신 요소들(communication elements) 및 입력/출력 요소들을 적어도 포함하는 복수의 요소 - 상기 요소들 중 적어도 하나의 요소는 상면, 바닥면, 상기 상면의 선택된 부분들을 상기 바닥면의 선택된 부분들에 접속하는 복수의 전기적 비아, 및 적어도 하나의 외부 전기 회로에 접속하도록 배치된 복수의 전기적 접속을 포함하는 기판을 포함함 -; 및적어도 둘의 복수의 전극을 포함하는 적어도 하나의 표면을 포함하고,각 복수의 전극은 적어도 하나의 유전체층에 의해 다른 복수의 전극으로부터 전기적으로 분리되는 컴퓨터 시스템.
- 제31항에 있어서,적어도 하나의 상기 복수의 전극은 적어도 두 개의 부분을 포함하고, 각 부분은 상이한 전원에 접속되는 컴퓨터 시스템.
- 제31항에 있어서,상기 유전체층들 중 적어도 하나는, 본질적으로 바륨 스트론튬 티탄산염, 바륨 티탄산염, 스트론튬 티탄산염 및 그들의 혼합물들로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 물질들을 포함하는 높은 유전 상수를 갖는 물질인 컴퓨터 시스템.
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US20140177150A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Olufemi B. Oluwafemi | Crosstalk cancelation in striplines |
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US5012153A (en) * | 1989-12-22 | 1991-04-30 | Atkinson Gary M | Split collector vacuum field effect transistor |
US5150019A (en) * | 1990-10-01 | 1992-09-22 | National Semiconductor Corp. | Integrated circuit electronic grid device and method |
US5177670A (en) * | 1991-02-08 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Capacitor-carrying semiconductor module |
GB9110858D0 (en) * | 1991-05-20 | 1991-07-10 | Shell Int Research | Herbicidal compounds |
US5572042A (en) * | 1994-04-11 | 1996-11-05 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit vertical electronic grid device and method |
US5586206A (en) * | 1994-09-09 | 1996-12-17 | Deacon Research | Optical power splitter with electrically-controlled switching structures |
US5745334A (en) | 1996-03-25 | 1998-04-28 | International Business Machines Corporation | Capacitor formed within printed circuit board |
US6023408A (en) * | 1996-04-09 | 2000-02-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Floating plate capacitor with extremely wide band low impedance |
JPH1027987A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Hitachi Ltd | 低emi回路基板及び低emiケーブルコネクタ |
US6075285A (en) | 1997-12-15 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Semiconductor package substrate with power die |
US6285050B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | Decoupling capacitor structure distributed above an integrated circuit and method for making same |
US6072690A (en) | 1998-01-15 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias |
US6178082B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High temperature, conductive thin film diffusion barrier for ceramic/metal systems |
US6023407A (en) * | 1998-02-26 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Structure for a thin film multilayer capacitor |
US6461493B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-10-08 | International Business Machines Corporation | Decoupling capacitor method and structure using metal based carrier |
US6300161B1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-10-09 | Alpine Microsystems, Inc. | Module and method for interconnecting integrated circuits that facilitates high speed signal propagation with reduced noise |
KR200206444Y1 (ko) | 2000-07-07 | 2000-12-01 | 이복균 | 산업용 탈수장치의 벨트식 여과포 세척장치 |
US6611419B1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising substrate with embedded capacitors |
JP2002075781A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 薄膜コンデンサ |
JP2002075783A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償用薄膜コンデンサ |
US6577490B2 (en) | 2000-12-12 | 2003-06-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board |
JP4174967B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2008-11-05 | 船井電機株式会社 | 追記型光ディスクの記録方法 |
JP2003087007A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sony Corp | 高周波モジュール基板装置 |
US6477034B1 (en) * | 2001-10-03 | 2002-11-05 | Intel Corporation | Interposer substrate with low inductance capacitive paths |
JP2003158378A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | 多層回路基板を有する電子回路装置の製造方法 |
KR20040008955A (ko) | 2002-07-19 | 2004-01-31 | (주)아녹시스 | 삼차원 입체 영상 표시 장치 |
JP4013734B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2007-11-28 | 松下電器産業株式会社 | Mim容量 |
JP3910908B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2007-04-25 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
KR100455890B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2004-11-06 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
JP2004140403A (ja) * | 2003-12-25 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
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