TWI292676B - Method of providing multiple voltages, method for forming thin film capacitor, semiconductor apparatus, communication system and computer system - Google Patents

Method of providing multiple voltages, method for forming thin film capacitor, semiconductor apparatus, communication system and computer system Download PDF

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Description

1292676 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 . 在此描述的各種實施例大致上有關於電容器設計，包 \ 含與諸如積體電路之電子裝置一起使用之薄膜電容器。 【先前技術】 許多電子裝置具有電源供應器無法適當地供應之局部 • 瞬間電流需求，導致區域電壓位準之移動及可能的錯誤訊 號傳播。已知於電氣與電子裝置中使用電容器於區域功率 平穩應用中。惟，當電子裝置越變越小時電子裝置中的時 脈週期速率持續地增加，尤其係在諸如微處理器與記憶體 之積體電路裝置中，緊密耦合之電容器的需求增加。此 外，當電子裝置持續變小，需要降低裝置某些部分的操作 電壓以將電場保持在臨界位準下，在該臨界位準時裝置之 可靠性會減少。維持電子裝置性能同時降低裝置的臨界可 ® 靠性部分中的操作電壓的一種方法係以具有不同電壓供應 位準的兩個電源供應器操作。例如，積體電路（亦即1C ) 之內部邏輯部分可使用最小尺寸的電晶體以獲得儘可能最 快速的操作速度，所以因而需要較低電壓電源供應器，同 時1C之週邊裝置上的輸入以及輸出（亦即1/0 )驅動器可 使用較大且較強大之電晶體，其需要較高電壓電源供應器 並可承受比小邏輯電晶體更高的電壓位準而不造成可靠性 的下降。上述兩個電源供應器電壓情況的結果爲可能需要 與相同的積體電路晶片關聯的兩種不同的密集耦合電容 -4- 1292676 * (2) 器。兩種具有不同電壓供應位準之不同電容器的使用可能 變成電子裝置中空間上的問題，例如於1C封裝內，因此 需要一種能夠具有多種電壓位準的單一電容器。亦需要一 種具有兩個個別的電源供應器之電容器以將雜訊隔離。 ， 【發明內容】 本發明揭示一種形成分離薄膜電容器之方法與裝置， φ 以提供多功率與參考供應電壓位準至諸如積體電路之電性 電路’這在空間有限之應用中以及在電源以及功率消耗二 者間需要非常緊密之電性連結的應用中爲有用者。空間有 限之應用以及緊密耦合之應用兩者之範例可爲諸如微處理 器之積體電路（1C )。供應功率至微處理器並節制功率之 電容器需要緊密地耦合，以對於在高時脈速率的微處理器 中可能出現的瞬間功率需求作出反應，並且微處理器封裝 內的空間非常的有限。微處理器可針對微處理器中快速核 • 心邏輯部分中的最小尺寸之快速電晶體使用低電壓電源位 準’以及針對微處理器之快取記億體與I/O電晶體部分使 用較正常的電壓電源位準。因此，需要具有多功率與參考 供應位準之電容器以提供高頻1C所需之功率。 【實施方式】 於下列詳細說明中，將參照形成詳細說明之一部分的 附圖’且其中藉由圖解本發明的原理之方式顯示能夠最佳 實施本發明的特定實施方式。於圖中，類似符號描述全部 -5- (3) 1292676 實施例的各種觀點中實質上類似之構件。以足夠 述這些實施例以使熟悉該項技藝者得以實施本發 用此揭露的原理之其他實施例以及對在此揭露之 出各種結構上與材料上的改變而不悖離本發明之 理。 在此針對介電常數所使用之詞“高”與“低 高k以及低k)爲相對用語，係指具有相對於諸 # 矽以及氮化矽之標準介電質材料之介電常數的材 “高”與“低”在此用於電壓，它們係指於電源 壓値中的比較値，以及詞“接地”係指參考電 “高”電壓的値會隨著其中實施這些實施例之電 各種因素改變，諸如電系統中可見之積體電路的 寸，以及其他此種之不同。例如，當1C變小， 對MOSFET中閘極氧化物的高電壓品質降格以及 電晶體中的接面貫穿更敏感，且經常得降低操作 • 加裝置的壽命。 茲參考第1圖，顯示薄膜電容器之內部構 圖，薄膜電容器具有通常由標準或低値的介電質 即低k)製成的基板100,於其上表面具有第二 1 〇2，通常由低k材料製成以降低多數電性通孔 種方向橫貫基板之多條訊號線的訊號串音，以各 貫基板之多條訊號線例如爲從上表面直接貫穿到 利用上表面、內表面以及底表面連接裝置不同部 導電線以及與其他電性裝置與印刷電路板（亦即 的細節描 明。可使 實施例做 範疇與原 ”（亦即 如二氧化 料。當詞 供應器電 壓供應。 系統中的 技術與尺 它們變得 雙極接面 電壓以增 造的側視 材料（亦 介電質層 以及以各 種方向橫 底表面、 分的橫向 PCB )進 (4) 1292676 行外界電性接觸。於此圖解的實施例中，以剖面顯 薄膜電容器（亦即TFC)之上層片並連接上層片 1 00的後側之數個電線與通孔1 04。亦有形成埋在 電質層102之中的TFC之底層片並連接底層片至a 的後側之數個電線與通孔1 06。兩個電容器片1 〇4 係由高介電値（亦即高k )介電質材料1 〇 8分隔， 高値之電容器。任何高k材料可用作爲層1 〇8。高 # 之範例可包含鈦酸鋇緦、鈦酸鋇或鈦酸緦，若基板 薄片成型陶瓷（tape cast ceramic)，這些高k材 例爲有用的。許多其他高k介電質材料對熟悉該項 爲已知者，且可依照特定應用中使用的材料與程序 使用於此實施例之賓施中。 第1圖所示之圖解範例可清楚地延伸至包含垂 傳導線，如1 1 0，以將上表面的某些部分藉由使用 或底表面上的接觸墊連接至外部電性裝置，以及將 ® 置中的TFC的某些部分連接至基板100上的其他位 如，藉由熟悉該技藝者已知的方法使用位在基板 側、上側或埋在內側之水平電性導體將所有的上層 電極片104連接在一起以形成一個大的電容器。結 層片電極線可接著連接至垂直導電體H0，因而透 上表面或底表面上的接觸墊連接至外部電源供應器 代之，結合的上層片電極線可藉由位在基板1 〇〇的 上之連接墊連接至外部電性裝置，而無須垂直 1 1 〇。同樣地，以上述那些類似的方法可將埋入的 -Ί - 示形成 至基板 第二介 :板 1 0 0 與106 以形成 k材料 100爲 料之範 技藝者 之需要 直電性 位在上 於一位 置。例 100底 電容器 合之上 過位在 。取而 底表面 連接器 底電容 (5) 1292676 器片106連接在一起以形成一個大的電容器片，並藉由位 在上或底表面上的連結而連接至外部電性裝置，如1C或 電源供應器。 第1圖所示之圖解範例可延伸至包含一種配置，其中 顯示於基板上表面上的結構亦可形成於底表面上，以提供 一電容器，具有在與電容器連接之電子裝置之相同的總使 用面積量中實質上兩倍的面積與電容。亦應了解到垂直電 # 性導體1 1 〇並不僅限於顯示圍繞在電容器周圍的單一列， 而可具有多列的垂直連接器與接觸墊，並可形成連接器之 區域陣列以降低出去或進來之電流的電阻與電感。因此， 於第1圖所示之圖解範例中，上層電容器片1 04的每一個 可藉由諸如垂直連結1 1 0的包含之電性導體的方式連接至 不同的電壓電源供應器，同時所有的下層電容器片106可 連接至參考電源供應以提供所謂的接地電壓。取而代之， 爲了各種原因，例如接地雜訊（ground bounce)隔離，下 ® 層電容器片106可連接至不同的參考電壓供應同時與上層 電容器片104隔離。藉由此種配置，可提供如1C之電性 電路兩種不同的電源供應電壓，在供應較高電壓位準至I C 的內部最小尺寸電晶體邏輯部分同時供應較高電壓位準至 同一顆1C之記憶體快取或輸入/輸出（亦即I/O)部分時 有用。 於第2圖中，於圖的上部分中顯示具有上層電容器片 例示性分成兩個個別的部分之薄膜電容器（亦即TFC )之 上視圖。於此範例中，電容器之左側2 0 2選擇成提供操作 (6) 1292676 電壓位準至密集耦合電子裝置之記億體快取部分，該密集 耦合電子裝置例如爲直接安裝於TFC上表面的1C。電容 器之右側204選擇成提供不同的操作電壓位準至IC的電 .壓敏感邏輯核心。取而代之，兩側2 0 2與2 0 4可個別供應 因爲同時切換問題或其他設計原因需要互相電性隔離的內 部1C訊號。 於第2圖之下部的擴展側視部份中顯示圍繞上層電容 ® 器片隔離之區域。於此範例中，上層電容器片係顯示爲僅 分隔成兩個部分，且下層電容器片208係顯示爲單一片的 電性導體。於此所描述的實施例清楚地並未非常地受限， 如同前述參考第1圖之範例，其中下層電容器片係被分隔 的。電容器形成在基板210上並具有被高k介電質材料 206覆蓋的下層電容器片208，爲了簡明於此範例中高k 介電質材料顯示成連續的。介電質材料2〇6的選擇將取決 於其中使用實施例的特定應用。例如，於低溫共燒陶瓷技 ® 術中，可將高k介電質材料選擇爲鈦酸鋇緦或其他類似的 材料。爲了簡明高k介電質材料206係顯示成單一連續的 層，但實施例並未非常地受限，而可將高k介電質材料分 成許多不同的部分，視實施之特定應用而言作爲有用而 定。 於第3圖中顯示一範例，具有上視圖，其具有區域 3 02選擇成提供較低電源供應電壓位準至ic之最小尺寸電 晶體核心邏輯區域，以及區域3 04選擇成提供較高、較低 或不同的電源供應電壓位準至相同1C的記憶體快取區
-9 - (7) 1292676 域。在擴展上視圖中可見於此範例中之區域3 02藉由交替 條的上層電容器片導體的方式被配置成提供兩個不同的較 低電壓電源供應値到1C的核心區域之不同的區域，例如 條紋306具有至與條紋3 08相比之不同的外部電源供應器 之連接。不同的電源供應器可具有相同的電壓位準且可因 爲訊號隔離的因素而互相分離，或不同的電源供應器可提 供不同的電壓位準以回應根據應用的特定需求個別區域電 • 晶體之操作上的不同。同樣的電源供應器之隔離可發生於 選擇用於1C之快取部分的區域3 04中。例如，較高電壓 供應位準區域3 04可針對快取記憶體部分以及I/O部分利 用兩個不同的電源供應電壓位準。若1C的I/O部分係所 謂的BiCMOS程序，或其他I/O種類的裝置，可能會使用 雙極接面電晶體作爲輸出裝置，因此需要與快取MOS電 晶體不同的電源供應位準。 由範例的側視圖可見，上層電容器片3 02的分別的導 ® 電體條紋306與308位在高k介電質層310之上，爲了簡 明高k介電質層310於第3圖中顯示爲連續的層。實施例 並非受限於上述者。形成下層電容器片312之下層導電體 於此範例中係顯示成分成數個個別的導電體條紋，每一個 與上層電容器片3 02之導電體條紋關聯，但於許多特定應 用中連接至參考電壓供應（例如接地）之單一的下層電容 器片可能爲較佳的方法。下層電容器片導電體312形成於 基板3 1 4上，其亦可具有穿孔的導電體、內部層級水平導 電體及/或另一電容器結構，如先前連同第1與2圖之說 -10- (8) 1292676 明描述般位在基板3 1 4的底側。 藉由此種配置，可提供1C之快取區域一個較高供應 電壓位準電容器3 04，同時使用較低電源供應器電壓電容 器區域3 02的部分3 06與3 08提供內部核心邏輯區域兩個 不同的較低電壓供應位準。供應至較低區域3 02的不同部 分之總電容量可隨特定應用需求調整，藉由改變條紋306 相對於條紋3 0 8的尺寸之相對的尺寸。 # 控制供應至1C的較低3 02或較高304電壓供應區域 的不同部分的總電容量之替代方法係顯示於第3圖底下的 側視圖中，其顯示具有兩個不同的高k介電質層310與 3 1 1之範例。供應至1C的不同部分的總電容量可仍如先前 藉由改變導電體條紋3 06與3 08的相對面積而予以控制， 但藉由此範例的配置，亦可改變這兩個高k介電質層的厚 度，如圖中層311顯示爲比另一高k介電質層310更薄， 或者可針對這兩層使用作爲高k介電質不同的材料，亦或 ^ 這兩種方法的結合，端視使用於其中實行實施例之特定應 用的恰當性。 顯示於第3圖中的範例實施例之堆疊電容器配置中， 基板314除了已描述之特徵外可具有先前與第1以及2圖 關聯描述且與已討論過並排條紋實施例的關聯之垂直貫穿 孔連接器、內部連接器以及雙側上與底層形成的電容器結 構。 於第4圖中顯示與直接安裝之ic 一起使用之TFC的 範例實施例。TFC電容器4 02於一實施例中顯示爲具有可 -11 - (9) 1292676 爲多層印刷電路板之有機基板404，其具有上側形成的電 容器406以及底側形成的電容器408。這些電容器亦可嵌 入基板中。上與底電容器可以各種方式連接，例如，它們 可以完全的互相隔絕以負責安裝的1C 4 1 2的不同部分， 或它們可互相連接以實質上加倍可得電容量，或TFC所應 用之特定應用需要的任何連結的結合。 TFC電容器402的底表面顯示有可連接外部接觸之多 Φ 個連接墊。例如，範例實施例顯示一區域陣列接腳4 1 0， 用以連接至穿孔印刷電路板。替代的連結可包含用於表面 安裝之應用的鷗翼式（gull wing )引線、球柵陣列或如圖 中所示之諸如全栅式插槽（亦即Full Grid Socket; FGS) 之插槽連接器接腳。 於此範例實施例中TFC電容器402的上表面具有區域 陣列連接墊，可接收並使用銲球陣列414銲接經封裝的1C 4 1 2。替代連接方法可包含使用電鑛之銲料或金凸塊覆晶 • 式安裝非經封裝之矽晶粒，或表面安裝具有附接之散熱器 的陶瓷引線1C封裝。 藉由此種配置，1C 412具有連接到來自TFC 402各個 部分之任何希望的數量之不同電源與參考供應電壓源之短 電性連結。TFC 402亦可有好處地使用電性連結接腳41 0 提供一種將I C 4 1 2附接至電性裝置的方法。此種配置的 好處爲允許在將1C 412組裝置完整的電子裝置之前對1C 4 1 2作更完整的測試，因爲針對局速I C測試之所需電容的 適當放置。 -12 - (10) 1292676 第5圖爲根據各種實施例製造物件5 02的方塊圖，諸 如通訊網路、電腦、記憶體系統、磁或光碟、某些其他資 訊儲存裝置以及/或任何種類的電子裝置或系統。物件5 02 可包含耦合至諸如記憶體506的機器可存取媒體之處理器 5 04以儲存關聯之資訊（例如電腦程式指令5 08以及/或其 他資料）以及輸入/輸出驅動器5 1 0，藉由諸如匯流排或纜 線5 1 2的各種方式連接至外部電性裝置或電子裝置，當存 • 取物件5 02時，將導致一機器執行如計算數學問題之解答 的動作。物件5 02之各個元件，如處理器504，可能會有 瞬間電流的問題，而使用本實施例可使這接元件因而受益 並且使用密集電容器幫助減輕或緩和電流之變動。作爲一 範例，處理器5 04可受益地封裝於直接在TFC之上的陶瓷 封裝中，如先前於第4圖中所示與討論。實施例可應用至 物件502的各任何構件部份以及處理器5 04。 作爲另一範例，物件5 02可爲諸如經由匯流排纜線 ® 4 1 2附接至其他網路元件（爲了簡化而未圖示）的通訊網 路元件。通訊網路可包含數個耦合的網路元件，藉由如圖 中所示之纜線5 1 2的匯流排互連。網路元件可包含偶極天 線、單向天線或其他無線互連能力之形式，代替有線纜線 5 1 2或與有線纜線5 1 2 —倂使用。在例示性通訊網路中可 得之各種元件中，可能會有使用上述TFC範例實施例而受 益之電子電路。可因上述密集耦合電容器受益之通訊網路 中的電子電路可包含區域處理器5 04以及外部線驅動器， 如圖中所示之輸入/輸出驅動器5 1 0，以發送訊號至纜線 •13- (11) 1292676 5 1 2。根據系統之使用或特定應用，實施例可使所示之系 統的任一個別構件受益。 作爲另一範例，物件5 02可替代地爲電腦系統，具有 數個元件包含諸如微處理器之計算元件5 04、儲存程式碼 5 0 8的記憶體元件5 06、通訊元件以及輸入/輸出驅動器元 件5 1 0，且可藉由匯流排或纜線5 1 2或藉由無線連結（未 圖示）連接至其他電腦系統。這些元件之一或更多可因使 # 用了上述TFC而獲益，尤其是I/O驅動器510以及/或計 算元件5 04，兩者皆具有密集耦合TFC可改善之瞬間電流 問題。根據使用，實施例可使系統的任一個別構件受益。 具有使用於每一個所述元件中的超過一個或任何數量的上 述電容器的實施例亦爲有用的，在電容器之使用的其他各 種範例中，這些元件亦可包含電荷泵、濾波器、射頻應用 以及差動AC耦合器。 形成此說明書一部分之附圖例式性而非限制性地顯示 ^ 其中可實行此揭露的標的之特定實施例。圖解說明之實施 例係以足夠的細節加以描述，以使熟悉該項技藝者得以實 施在此揭露之教示。可從實施例導出及使用其他實施例， 而做出各種結構上與材料上的替代與改變而不悖離此揭露 之範疇。因此，不應該以限制的方式解釋[實施方式]，且 各種實施例之範疇僅由所附之申請專利範圍以及所賦予這 些申請專利範圍之最大等效範圍所界定。 發明標的的這些實施例可個別稱爲或統稱爲“發 明”，這僅爲了方便而非意圖自願地限制此說明書的範疇 •14- (12) 1292676 至任何單一發明或發明槪念，若事實上揭露了超過一個發 明或發明槪念。因此’雖以在此說明與描述特定實施例’ 應了解可以計劃達到相同目的之任何安排代替所示之特定 實施例。此揭露意圖涵蓋各種實施例的任何以及所有調整 與變化。上述實施例之結合，以及未於此特別描述之其他 實施例對於閱讀了上述說明後之熟悉該項技藝者而言爲顯 而易知者。 • 提出此說明書之[摘要]以符合專利法相關定，其要求 摘要能允許讀者迅速地確定技術揭露之性質。此摘要不應 用於解釋或限制申請專利範圍之涵義的範圍。此外，於上 述[實施方式]中，爲了使揭露流暢並增加其清楚性而將各 種特徵聚集於單一個實施例中。此揭露之方法不應被視爲 表現欲申請專利保護之本發明的實施例需要比申請專利範 圍的每一項中明確描述的更多的特徵之意圖。更確切地來 說，如同下列申請專利範圍所表現，具發明性之標的比單 • 一揭露之實施例的所有特徵更少。因此，下列申請專利範 圍在此包含於[實施方式]中，其中每一項申請專利範圍可 單獨成立作爲單獨的較佳實施例。 【圖式簡單說明】 第1圖爲本發明的範例實施例之側視圖； 第2圖爲本發明的另一範例實施例之上視圖； 第3圖爲本發明的其他範例實施例之上視圖與側視 圖， -15- (13) 1292676 第4圖爲使用本發明的實施例之裝配的側視圖；以及 第5圖爲使用本發明的實施例之系統的方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 〇 :基板 102 :第二介電質層 104 :上層電容器片 . 106 :底層電容器片 1 0 8 :介電質材料 1 10 :垂直導電體 2 0 2 ··左側 204 :右側 206:高k介電質材料 208 :下層電容器片 3 02 :上層電容器片 > 3 〇4 :較高電壓供應位準電容器 3 0 6，3 0 8 ·•條紋 310, 311 :高k介電質材料 312··下層電容器片導電键 3 1 4 :基板 402 :薄膜電容器 404 :有機基板 4 0 6 :上側形成的電容器 4 0 8 :底側形成的電容器
-16- (14) (14)1292676 4 1 Ο :電性連接接腳 4 1 2 :積體電路 4 1 4 :銲球陣列 5 0 2 :物件 5 0 4 :處理器 5 0 6 :記憶體 5 0 8 :電腦程式指令 5 1 0 :輸入/輸出驅動器 5 1 2 :纜線

Claims (1)

1292676 (1) 十、申請專利範圍 h一種提供多電壓之方法，包含： 以具有一介電常數之介電質材料自第二導電電極電性 分離第~導電電極； 自該第一導電電極之第二部分電性分離該第一導電電 極之第一部分；以及 提供第一電壓給該第一導電電極之該第一部分，提供 • 弟一電壓給該第二導電電極，以及提供第二電壓給該第一 導電電極之該第二部分。 2·如申請專利範圍第〗項之方法，其中該介電質材料 具有較氮化矽之介電常數更高之介電常數，以及包含選自 主要由鈦酸鋇緦、鈦酸鋇、鈦酸緦以及其混合物所組成之 族群的一或更多材料。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一電壓係 由用於積體電路之快取部分的第一電源提供，該第二電壓 ® 係由參考電源提供，以及該第三電壓係由非供給該第一電 壓者的電源所提供其用於該積體電路之核心邏輯部分。 4·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含將該第 二電極設置於實質上平的基板材料上，該基板材料係選自 主要由單晶砂、多晶砂、玻璃、單晶氧化物、半導體材 料、金屬范、薄片成型陶瓷（tape cast ceramic)、聚合 物以及其混合物組成之族群之一或更多。 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中該基板材料具 有複數個導電通孔，該複數個導電通孔配置成自該基板之 1292676 (2) 頂側傳導電性訊號至該基板之底側。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中該複數個導電 通孔包含： 第一複數個通孔，電性連接該第一導電電極之該第一 部分至該基板之該底側之第一部分； 第二複數個通孔，電性連接該第二導電電極至該基板 之該底側之第二部分； • 第三複數個通孔，電性連接該第一導電電極之該第二 部分至該基板之該底側之第三部分；以及 第四複數個通孔，電性連接該基板之該頂側上的第四 複數個接觸位置至該基板之該底側上之第五複數個接觸位 置，其中該複數個通孔的經選擇者係配置成電性連接至積 體電路上之複數個覆晶安裝凸塊之經選擇之一覆晶安裝凸 塊。 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含電性分 Φ 離該第二導電電極成至少兩個部分，以及供應分離的電源 至各個部分。 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中該第二電極之 每一個電性分離部分係設置於該第一電極之相關聯的電性 分離部分之下方。 9 ·如申請專利範圍第4項之方法，進一步包含設置於 該基板之該底側上之弟二導電電極，zlt藉由具有*第一介電 常數之介電質材料而與第四導電電極#離。 1 0 ·如申I靑專利$B圍弟9項之方法，宜中該第二介電 -19- (3) 1292676 常數與該第一介電常數相同，以及該第四電極電性分離$ 至少兩部分。 11.一種形成薄膜電容器之方法，包含： 形成基板； 圖案化該基板之頂表面上之第一複數個電極； 圖案化該第一複數個電極上之第一介電質材料； 圖案化該第一介電質材料上之第二複數個電極； • 圖案化該第二複數個電極上之第二介電質材料； 於該第一以及第二介電質中形成複數個接觸孔貫穿該 第二複數個電極之圖案中的間隙；以及 圖案化該第二介電質材料上之第三複數個電極。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中該第一介電 質材料包含選自主要由鈦酸鋇緦、鈦酸鋇、鈦酸緦以及其 混合物組成之族群的一或更多材料。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中該基板包含 ® 選自主要由單晶矽、多晶矽、玻璃、單晶氧化物、半導體 材料、金屬箔、薄片成型陶瓷、聚合物以及其混合物組成 之族群之一或更多材料。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，進一步包含提供 複數個導電通孔給該基板材料，該複數個導電通孔配置成 自該基板之頂側傳導電性訊號至該基板之底側。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之方法，進一步包含形成 於該基板底表面上的電容器。 1 6 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，進一步包含提供 -20- 1292676 (4) 第一功率電壓至該第一複數個電極； 提供接地電壓至該第二複數個電極；以及 提供第二功率電壓至該第三複數個電極。 17·如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含提供 複數個接觸位置給該第三複數個電極之頂表面，該複數個 接觸位置之每一個電性連接至該第一、第二以及第三複數 個電極之一經選擇之部分，並且配置成電性連接至於積體 • 電路上之複數個覆晶安裝凸塊之一經選擇者。 18.如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含提供 複數個電性接觸接腳給該基板，該接腳配置以連接該複數 個電極至外部電路。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該電性接觸 接腳包含電性連接器之區域陣列，該些電性連接器之一或 更多係選自主要由接腳、銲錫凸塊以及引線組成之族群。 2〇·如申請專利範圍第18項之方法，其中該些電性接 β 觸接腳包含具有至少一列之週邊陣列，其中額外的列與該 第一列平行。 21· —種半導體裝置，包含： 基板，包含頂表面、底表面、將該頂表面之經選擇的 部分連接至該底表面之選擇的部分之複數個電性通孔，以 及設置成連接到至少一外部電性電路之複數個電性連結； 以及 至少一表面，包含至少兩複數個電極，每一複數個電 極藉由至少一介電質層而和另一複數個電極電性分離。 -21 - 1292676 (5) 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之半導體裝置，其中至少 一複數個電極包含至少兩個部分，每一個部分連接至不同 的電源。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項之半導體裝置，其中該些 介電質層之至少一者爲高介電常數材料，包含選自主要由 金太酸II鍊、、鈦酸鋇、鈦酸緦以及其混合物組成之族群之一 或更多材料。 > 24 ·如申請專利範圍第21項之半導體裝置，其中設置 成連接至少一外部電性電路之該複數個電性連結係個別電 性連接至積體電路上之複數個覆晶安裝凸塊之一。 25.如申請專利範圍第2ι項之半導體裝置，其中該電 性連結包含一區域陣列，該區域陣列係由選自由接腳、銲 錫凸塊、引線以及其混合物組成之族群的一或更多連接器 所構成。 26·如申請專利範圍第21項之半導體裝置，其中該電 b 性連結包含具有至少一同心列的引線之週邊陣列。 27·如申請專利範圍第21項之半導體裝置，其中該基 板主要由單晶矽、多晶矽、玻璃、單晶氧化物、半導體材 料、金屬箔、薄片成型陶瓷、無機聚合物、有機聚合物以 及其混合物所構成。 28.-種通訊系統，包含： 複數個耦合元件，包含偶極天線； 包含基板之電子電路，該基板包含頂表面、底表面、 將該頂表面之經選擇的部分連接至該底表面之經選擇的部 -22- 1292676 (6) 分之複數個電性通孔，以及設置成連接到至少一外部電性 電路之複數個電性連結；以及 至少一表面，包含至少兩複數個電極，每一複數個電 極藉由至少一介電質層而和另一複數個電極電性分離。 29.如申請專利範圍第28項之通訊系統，其中該複數 個電極中之至少一電極包含至少兩個部分，每一個部分連 接至不同的電源來源。 # 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之通訊系統，其中該些介 電質層之至少一者爲高介電常數材料，包含選自主要由鈦 酸鋇緦、鈦酸鋇、鈦酸緦以及其混合物組成之族群之一或 更多材料。 3 1.—種電腦系統，包含： 複數個元件，至少包含計算元件、記憶體元件、通訊 元件，以及輸入/輸出元件，該些元件之至少一者包含基 板，該基板包含頂表面、底表面、將該頂表面之經選擇的 ® 部分連接至該底表面之經選擇的部分之複數個電性通孔， 以及設置成連接到至少一外部電性電路之複數個電性連 結；以及 至少一表面，包含至少兩複數個電極，每一複數個電 極藉由至少一介電質層而和另一複數個電極電性分離。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之電腦系統，其中該複數 個電極中之至少一電極包含至少兩個部分，每一個部分連 接至不同的電源。 3 3 ·如申請專利範圍第3 1項之電腦系統，其中該些介 -23- 1292676 (7) 電質層之至少一者爲高介電常數材料，包含選自主要由鈦 酸鋇緦、鈦酸鋇、鈦酸緦以及其混合物組成之族群之一或 更多材料。
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