JP2000044519A - トリナフチルベンゼン誘導体、及びそれを用いた有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高効率で長寿命な有機ＥＬ素子、これに用い
られる新規な正孔輸送材料及び発光材料となる化合物を
提供する。 【解決手段】 一般式（１）で表される特定のトリナフ
チルベンゼン誘導体。及び、このトリナフチルベンゼン
誘導体を正孔輸送材料、発光材料などとして有機電界発
光素子に含有させる。 【化１】 ［一般式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₆はそれぞれ独立に水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の
アリール基、またはヘテロ環基を示し、該置換もしくは
無置換のアリール基、またはヘテロ環基は、それらが隣
接している場合には、互いに縮合した構造のものであっ
てもよい］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トリナフチルベン
ゼン誘導体、およびこれを用いた発光材料、有機電界発
光材料ならびに有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と略記する）に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、これまでにない高輝度な平面ディ
スプレイの候補として有機ＥＬ素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機ＥＬ素子は有機材料から
なる発光層を２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から
注入された正孔と陰極から注入された電子とが、発光層
中で再結合して光を発する。用いられる有機材料には低
分子材料と高分子材料があり、共に高輝度の有機ＥＬ素
子を与えることが知られている。

【０００３】このような有機ＥＬ素子には２つのタイプ
がある。１つは、タン（C.W.Tang）らによって発表され
た蛍光色素を添加した電荷輸送材料を発光層として用い
たもの（ジャーナル・オブ・ジ・アプライド・フィジッ
クス(J.Appl.Phys.),65,3610(1989)）、もう１つは、蛍
光色素自身を発光層として用いたものである（例えば、
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・ジ・アプライド・フ
ィジックス(Jpn.J.Appl.Phys.),27,L269(1988)に記載さ
れている素子）。

【０００４】蛍光色素自身を発光層として用いた有機Ｅ
Ｌ素子は、大きく分けて、さらに３つのタイプに分けら
れる。１つ目は、発光層を正孔輸送層と電子輸送層とで
挟んで三層としたもの、２つ目は、正孔輸送層と発光層
とを積層して二層としたもの、３つ目は、電子輸送層と
発光層とを積層して二層としたものである。このように
二層もしくは三層に積層することにより、有機ＥＬ素子
の発光効率が向上することが知られている。

【０００５】上記各構成の有機ＥＬ素子における正孔輸
送層および電子輸送層は、それぞれ正孔および電子伝達
化合物を含有するものであって、電極より注入された電
荷を発光層に伝達する機能を有している。正孔注入層お
よび電子注入層は、それぞれ正孔および電子伝達化合物
を含有する層であって、電極より注入された電荷を発光
層に伝達する機能を有するが、この正孔注入層および／
もしくは電子注入層を、電極と輸送層との間に介在させ
ることにより、より低い電界で多くの電荷が発光層に注
入される。これらの層の導入は、もう一方の電極より注
入された電荷を発光層に閉じ込めることも可能になるの
で、発光効率が向上するなど、発光性能に優れた有機Ｅ
Ｌ素子を得ることができる。

【０００６】しかしながら、これらの有機ＥＬ素子は、
実用化のために十分な性能を有していなかった。その大
きな原因は、使用材料の耐久性の不足にあり、特に正孔
輸送材料の耐久性が乏しいことが挙げられる。有機ＥＬ
素子の有機層に結晶粒界などの不均質部分が存在する
と、その部分に電界が集中して素子の劣化・破壊につな
がると考えられている。そのため有機層はアモルファス
状態で使用されることが多い。また、有機ＥＬ素子は電
流注入型素子であり、使用する材料のガラス転移点（以
下、Ｔｇという）が低いと、駆動中の発熱により有機Ｅ
Ｌ素子が劣化する結果となるので、Ｔｇの高い材料が要
求されている。特に、車載用途などの高耐熱性が要求さ
れる分野においては、特に高Ｔｇ材料が必要で、好まし
くは１２０℃を超えるような材料が望まれている。ま
た、用いられている正孔輸送材料の正孔輸送性が十分で
なく、素子の発光効率が実用的には十分でないという欠
点を有していた。

【０００７】かかる有機ＥＬ素子に使用される正孔輸送
材料としては、トリフェニルアミン誘導体を中心にして
多種多様の材料が知られているにも拘わらず、実用化に
適した材料は少ない。例えば、N,N'-ジフェニル-N,N'-
ビス(3-メチルフェニル)-4,4'-ジアミノビフェニル（以
下、ＴＰＤと略記する）が報告されているが（アプライ
ド・フィジックス・レター第57巻第6号第531ページ1990
年）、この化合物は熱安定性に乏しく、素子の寿命など
に問題があった。米国特許第５０４７６８７号、米国特
許第４０４７９４８号、米国特許第４５３６４５７号、
特公平６−３２３０７号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平８−８
７１２２号公報および特開平８−２５９９４０号公報に
も多くのトリフェニルアミン誘導体が記載されている
が、十分な特性を持つ化合物はない。例えば、特開平８
−２５９９４０号公報に記載されている１，３，５−ト
リス−４−（ジフェニルアミノ）フェニルベンゼン（以
下、ＴＡＰＢと略記する）のＴｇは１１３℃であり、Ｔ
ｇの高さが十分でない。

【０００８】特開平４−３０８６８８号公報、特開平６
−１９７２号公報およびアドバンスド・マテリアル第6
巻第677ページ1994年に記載されているスターバースト
アミン誘導体、特開平７−１２６２２６号公報、特開平
７−１２６６１５号公報、特開平７−３３１２３８号公
報、特開平７−９７３５５号公報、特開平８−４８６５
６号公報、特開平８−１００１７２号公報およびジャー
ナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティー・ケミカル
・コミュニケーション第2175ページ1996年に記載されて
いる各化合物においても、高発光効率で長寿命であると
いう実用上必須の特性を併せ持つものはない。さらに、
特開平９−１９４４４１には、ナフチルアミン誘導体を
使用した例が報告されており、ＴＰＤの特性より向上し
ていることが記載されているが、これらにおいても正孔
輸送性及び耐熱性が十分足りてはいなかった。

【０００９】上述のように、従来の有機ＥＬ素子に用い
られる正孔輸送材料は、実用上十分な性能を有しておら
ず、優れた材料を使用することにより、有機ＥＬ素子の
耐熱性、効率及び寿命を高めることが望まれていた。さ
らに、大部分の有機ＥＬ素子の発光は、正孔輸送層とは
別個に設けられた発光層若しくは電子輸送層から得られ
ることが多く、正孔輸送層から得られるものは少ない。
この理由には、同時に使用する電子輸送層との相性の問
題もあるが、正孔輸送材料自身の発光色、および発光強
度も重要な因子になっていると考えられる。正孔輸送層
から発光が取り出せれば、より実用的価値が高くなるこ
とが予測されるにも係わらず、そのような材料は少な
い。また、そのような材料は多くの場合、発光波長が長
く、短波長の発光を取り出すことができないなどの問題
があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、高発光効率で長寿命な有機ＥＬ
素子、これに用いられる新規な化合物、正孔輸送材料及
び有機電界発光材料を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の有
機ＥＬ素子が抱えている上述の課題を解決すべく鋭意検
討した結果、特定のトリナフチルベンゼン誘導体を用い
ることにより、高効率、長寿命な有機ＥＬ素子が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１２】すなわち、本発明の第一は、一般式（１）
で表されるトリナフチルベンゼン誘導体である。

【００１３】

【化２】

【００１４】［一般式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₆はそれぞれ独
立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基、またはヘテロ環基を示し、該置
換もしくは無置換のアリール基、またはヘテロ環基は、
それらが隣接している場合には、互いに縮合した構造の
ものであってもよい］ 発明の第二は、上記一般式（１）で表されるトリナフチ
ルベンゼン誘導体を用いてなる有機電界発光素子。発明
の第三は、正孔輸送層を有し、この正孔輸送層に上記一
般式（１）で表されるトリナフチルベンゼン誘導体を含
有している有機電界発光素子。

【００１５】発明の第四は、発光層を有し、この発光層
に上記一般式（１）で表されるトリナフチルベンゼン誘
導体を含有している有機電界発光素子。発明の第五は、
正孔注入層を有し、この正孔注入層に上記一般式（１）
で表されるトリナフチルベンゼン誘導体を含有している
有機電界発光素子。発明の第六は、上記一般式（１）で
表されるトリナフチルベンゼン誘導体からなる有機電界
発光材料。発明の第七は、上記一般式（１）で表される
トリナフチルベンゼン誘導体からなる正孔輸送材料。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一般式（１）で表されるトリナフチルベンゼン
誘導体の具体例としては、下記の化学式（２）〜（６）
で表される化合物を挙げることができる。

【００１７】

【化３】

【００１８】

【化４】

【００１９】

【化５】

【００２０】

【化６】

【００２１】

【化７】

【００２２】これらのトリナフチルベンゼン誘導体は、
既知の合成法を利用して合成することができ、例えば、
本明細書の合成例に記載の方法により、得ることができ
る。本発明のトリナフチルベンゼン誘導体はそれ自身蛍
光を発し、発光材料として適している。これは、トリナ
フチルベンゼン基を導入したことに起因している。特
に、本発明のトリナフチルベンゼンは発光色が青色であ
るので、青、緑、赤色の他の発光材料を添加することに
よって、異なる発光色の有機ＥＬ素子を得ることができ
る。

【００２３】また、一般に、有機ＥＬ素子を構成する有
機層に用いられる化合物は、他の層に用いられている化
合物と励起錯体を形成しない方がよく、本発明のトリナ
フチルベンゼン誘導体は、他の化合物と励起錯体を形成
し難いという利点もある。これも、トリナフチルベンゼ
ン基を導入したことによると考えられる。また、本発明
の有機ＥＬ素子は、高効率ばかりでなく、保存時及び駆
動時の耐久性も高い。これは、本発明で使用されるトリ
ナフチルベンゼン誘導体のＴｇが高いためである。例え
ば、上記化学式（２）で表される化合物（以下、ＴＡＮ
Ｂと略記する）のＴｇは１７３℃であり、ＴＡＰＢのそ
れより約６０℃高い。本発明の一般式（１）で表される
トリナフチルベンゼン誘導体は、正孔輸送材料および正
孔注入材料としての機能をも有する。

【００２４】本発明の有機ＥＬ素子の構造としては、各
種の態様があるが、基本的には一対の電極（陽極と陰
極）間に、上記一般式（１）で表されるトリナフチルベ
ンゼン誘導体を含有する有機層（以下、トリナフチルベ
ンゼン誘導体層という）を挟持した構造であり、所望に
応じて、該トリナフチルベンゼン誘導体層に正孔注入材
料、正孔輸送材料、発光材料、電子注入材料あるいは電
子輸送材料などを添加することができる。また、本発明
のトリナフチルベンゼン誘導体層を発光層として使用す
る場合、この発光層に他の発光材料を添加することによ
り、異なる波長の光を発生させたり、発光効率を向上さ
せることができる。また、これら正孔注入材料、正孔輸
送材料、発光材料、電子注入材料および電子輸送材料な
どを正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層およ
び電子輸送層などとして本発明のトリナフチルベンゼン
誘導体を含有する層に積層することもできる。

【００２５】具体的な構成としては、（１）陽極／本発
明のトリナフチルベンゼン誘導体層／陰極、（２）陽極
／本発明のトリナフチルベンゼン誘導体層／発光層／陰
極、（３）陽極／本発明のトリナフチルベンゼン誘導体
層／発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入
層／本発明のトリナフチルベンゼン誘導体層／発光層／
電子注入層／陰極、（５）陽極／本発明のトリナフチル
ベンゼン誘導体層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／
陰極、（６）陽極／正孔注入層／本発明のリナフチルベ
ンゼン誘導体層／電子注入層／陰極などの積層構造を挙
げることができる。これらの場合、正孔注入層や電子注
入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層を設ける
ことにより、発光効率を向上させることができる。電極
と各層の間に界面層を導入することも可能である。界面
層に用いられる材料としては、酸化バナジウムなどの金
属酸化物あるいはフッ化リチウムなどの金属フッ化物が
挙げられる。

【００２６】本発明の有機ＥＬ素子は、上記のいずれの
構造であっても、基板に支持されていることが好まし
い。基板としては、機械的強度、熱安定性および透明性
を有するものであればよく、ガラス、透明プラスチック
フィルムなどを用いることができる。本発明の有機ＥＬ
素子の陽極物質としては、４ｅＶより大きな仕事関数を
有する金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合
物を用いることができる。具体例として、Ａｕなどの金
属、ＣｕＩ、インジウムチンオキサイド（以下、ＩＴＯ
と略記する）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの導電性透明材料
が挙げられる。

【００２７】陰極物質としては、４ｅＶより小さな仕事
関数の金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの
混合物を使用できる。具体例としては、カルシウム、マ
グネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合
金、リチウム合金、アルミニウム合金等があり、合金と
してはアルミニウム／リチウム、マグネシウム／銀、マ
グネシウム／インジウムなどが挙げられる。有機ＥＬ素
子の発光を効率よく取り出すために、電極の少なくとも
一方は光透過率が１０％以上とすることが望ましい。電
極としてのシート抵抗は数百Ω／ｍｍ以下とするのが好
ましい。なお、膜厚は電極材料の性質にもよるが、通常
１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜４００ｎｍの範囲
で選定される。このような電極は、上述の電極物質を使
用して蒸着やスパッタリングなどの方法により薄膜を形
成させることにより作製することができる。

【００２８】また、これら正孔注入材料、正孔輸送材
料、発光材料、電子注入材料および電子輸送材料などを
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層および電
子輸送層などとしてトリナフチルベンゼン誘導体を含有
する層に積層することもできる。本発明の有機ＥＬ素子
において、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電
子注入材料などの使用材料としては、好ましくはＴｇが
１００℃以上のもの、より好ましくはＴｇが１２０℃以
上のものである。

【００２９】本発明の有機ＥＬ素子に使用される他の正
孔注入材料および正孔輸送材料については、光導電材料
において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用され
ているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層および正孔輸
送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択
して用いることができる。例えば、カルバゾール誘導体
（N-フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールな
ど）、トリアリールアミン誘導体（ＴＰＤ、芳香族第３
級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、1,1-ビス
(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N'-
ジフェニル-N,N'-ジナフチル-4,4'-ジアミノビフェニ
ル、4,4',4''-トリス{N-(3-メチルフェニル)-N-フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン、ジャーナル・オブ・ザ
・ケミカル・ソサイエティー・ケミカル・コミュニケー
ション第2175ページ1996年に記載されている化合物、特
開昭５７−１４４５５８号公報、特開昭６１−６２０３
８号公報、特開昭６１−１２４９４９号公報、特開昭６
１−１３４３５４号公報、特開昭６１−１３４３５５号
公報、特開昭６１−１１２１６４号公報、特開平４−３
０８６８８号公報、特開平６−３１２９７９号公報、特
開平６−２６７６５８号公報、特開平７−９０２５６号
公報、特開平７−９７３５５号公報、特開平６−１９７
２号公報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平７−
１２６６１５号公報、特開平７−３３１２３８号公報、
特開平８−１００１７２号公報および特開平８−４８６
５６号公報に記載されている化合物、アドバンスド・マ
テリアル第6巻第677ページ1994年に記載されているスタ
ーバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体（日
本化学会第72春季年会講演予稿集(II)、1392ページ、2P
B098に記載のものなど）、フタロシアニン誘導体（無金
属、銅フタロシアニンなど）、ポリシランなどがあげら
れる。

【００３０】なお、本発明の有機ＥＬ素子における正孔
注入層および正孔輸送層は、上記の化合物の一種以上を
含有する一つの層で構成されてもよいし、また、異種の
化合物を含有する複数の層を積層したものであってもよ
い。本発明の有機ＥＬ素子に使用される他の電子注入材
料および電子輸送材料については特に制限はなく、光導
電材料において、電子伝達化合物として従来から慣用さ
れているもの、有機ＥＬ素子の電子注入層および電子輸
送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択
して用いることができる。

【００３１】かかる電子伝達化合物の好ましい例とし
て、ジフェニルキノン誘導体（電子写真学会誌、30,3(1
991)などに記載のもの）、ペリレン誘導体(J.Apply.Phy
s.,27,269(1988)などに記載のもの)や、オキサジアゾー
ル誘導体（前記文献、Jpn.J.Appl.Phys.,27,L713(198
8)、アプライド・フィジックス・レター(Appl.Phys.Let
t.),55,1489(1989)などに記載のもの）、チオフェン誘
導体（特開平４−２１２２８６号公報などに記載のも
の）、トリアゾール誘導体（Jpn.J.Appl.Phys.,32,L917
(1993)などに記載のもの）、チアジアゾール誘導体（第
43回高分子学会予稿集、(III)P1a007などに記載のも
の）、オキシン誘導体の金属錯体（電子情報通信学会技
術研究報告、92(311),43(1992)などに記載のもの）、キ
ノキサリン誘導体のポリマー（Jpn.J.Appl.Phys.,33,L2
50(1994)などに記載のもの）、フェナントロリン誘導体
（第43回高分子討論会予稿集、14J07などに記載のも
の）などを挙げることができる。

【００３２】本発明の有機ＥＬ素子の発光層に用いる他
の発光材料としては、高分子学会編高分子機能材料シリ
ーズ”光機能材料”、共立出版(1991)、P236 に記載され
ているような昼光蛍光材料、蛍光増白剤、レーザー色
素、有機シンチレータ、各種の蛍光分析試薬などの公知
の発光材料を用いることができる。具体的には、アント
ラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレ
ン、コロネン、ルブレン、キナクリドンなどの多環縮合
化合物、クオーターフェニルなどのオリゴフェニレン系
化合物、1,4-ビス(2-メチルスチリル)ベンゼン、1,4-ビ
ス(4-メチルスチリル)ベンゼン、1,4-ビス(4-メチル-5-
フェニル-2-オキザゾリル)ベンゼン、1,4-ビス(5-フェ
ニル-2-オキサゾリル)ベンゼン、2,5-ビス(5-タシャリ
ー-ブチル-2-ベンズオキサゾリル)チオフェン、1,4-ジ
フェニル-1,3-フ゛タジエン、1,6-ジフェニル-1,3,5-ヘキ
サトリエン、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエン
などの液体シンチレーション用シンチレータ、特開昭６
３−２６４６９２号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許２５３４７１３
号公報に記載のオキサジン系化合物、第40回応用物理学
関係連合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチル
ベン誘導体、特開平７−２７８５３７号公報記載のスピ
ロ化合物および特開平４−３６３８９１号公報記載のオ
キサジアゾール系化合物などが好ましい。

【００３３】本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層は、
各層を構成すべき材料を蒸着法、スピンコート法および
キャスト法などの公知の方法で薄膜とすることにより、
形成することができる。このようにして形成された各層
の膜厚については特に制限はなく、素材の性質に応じて
適宜選定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎ
ｍの範囲で選定される。なお、本発明のトリナフチルベ
ンゼン誘導体を薄膜化する方法としては、均質な膜が得
やすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から蒸
着法を適用するのが好ましい。蒸着法を用いて薄膜化す
る場合、その蒸着条件は、トリナフチルベンゼン誘導体
の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造及び会合構造
などにより異なるが、一般に、ボート加熱温度５０〜４
００℃、真空度１０^-6〜１０^-3Ｐａ、蒸着速度０．０１
〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚
５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選定することが望ましい。

【００３４】次に、本発明のトリナフチルベンゼン誘導
体を用いた有機ＥＬ素子を作製する方法の一例として、
前述の陽極／トリナフチルベンゼン誘導体層／陰極から
なる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。適当な基
板上に、陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ま
しくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸
着法により形成させて陽極を作製した後、この陽極上に
トリナフチルベンゼン誘導体の薄膜を形成させて発光層
とし、この発光層の上に陰極用物質からなる薄膜を蒸着
法により、１μｍ以下の膜厚になるよう形成させて陰極
とすることにより、目的の有機ＥＬ素子が得られる。な
お、上述の有機ＥＬ素子の作製においては、作製順序を
逆にして、陰極、発光層、陽極の順に作製することも可
能である。

【００３５】このようにして得られた有機ＥＬ素子に直
流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性
として印加すれば良く、電圧２〜４０Ｖ程度を印加する
と、透明又は半透明の電極側（陽極又は陰極、及び両
方）より発光が観測できる。また、この有機ＥＬ素子
は、交流電圧を印加した場合にも発光する。なお、印加
する交流の波形は任意でよい。

【００３６】

【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて更に詳しく
説明する。 ［Ｔｇ測定法］Ｔｇは、示差走査熱量計を用い、一旦融
解した試料を急冷してガラス状態にした後、４０℃／分
で昇温して測定した。

【００３７】合成例１ ＜ＴＡＮＢの合成＞窒素雰囲気下、N,N-ジフェニル-N-
(4-ブロモ-1-ナフチル)アミン３．６７ｇの２０ｍｌＴ
ＨＦ溶液に、ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／ｌヘキサ
ン溶液６．３ｍｌを−７８℃で滴下した。３０分攪拌
後、塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体２．
５ｇを加え、室温で１時間攪拌した。さらに、１，３，
５−トリブロモベンゼン０．９５ｇの１０ｍｌＴＨＦ溶
液及びジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウ
ム０．３４ｇを加え、２４時間加熱還流した。放冷後、
水を加えトルエンにて抽出した。減圧下に低沸点物を留
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン
／トルエン=３／１）にて精製した。収量は２．６６gで
あった。この化合物のトルエン中での蛍光色は青紫色で
あり、Ｔｇは１７３℃であった。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ＝6.9-7.0(m,6H), 7.05-7.
10(m,12H), 7.18-7.23(m,12H), 7.36-7.41(m,6H),7.49
(m,3H), 7.60(d,3H), 7.81(s,3H), 8.05(bd,3H), 8.25
(bd,3H).

【００３８】合成例２ ＜化学式（３）で表される化合物の合成＞実施例１で用
いたN,N-ジフェニル-N-(4-ブロモ-1-ナフチル)アミンを
N-フェニル-N-(２-ピリジル)-N-(4-ブロモ-1-ナフチル)
アミンに代えた以外は、実施例１と同様の方法で合成し
た。

【００３９】合成例３ ＜化学式（５）で表される化合物の合成＞実施例１で用
いたN,N-ジフェニル-N-(4-ブロモ-1-ナフチル)アミンを
４−ブロモ−１−カルバゾリルナフタレンに代えた以外
は、実施例１と同様な方法で合成した。

【００４０】実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さに蒸着したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、ＴＡＮＢをいれた石英るつぼ、1-アリル
-1,2,3,4,5-ペンタフェニルシラシクロペンタジエン
（以下ＡＰＳと略記する）を入れた石英製のるつぼ、マ
グネシウムを入れたグラファイト製のるつぼ、および銀
を入れたグラファイト製のるつぼを装着した。真空槽を
１×１０^-3Ｐａまで減圧し、ＴＡＮＢ入りのるつぼを加
熱して、膜厚５０ｎｍになるようにＴＡＮＢを蒸着して
正孔輸送層を形成し、次いで、ＡＰＳ入りのるつぼを加
熱して、膜厚５０ｎｍになるようにＡＰＳを蒸着して発
光層を形成した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒で
あった。その後真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧し、グ
ラファイト製のるつぼを加熱して、マグネシウムを１．
２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に銀を０．１〜
０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、有機層の上に２０
０ｎｍのマグネシウムと銀の合金電極を形成することに
より、有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、マグネ
シウムと銀の合金電極を陰極として、６．３Ｖの直流電
圧を印加すると、約２０ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れ、輝
度約２００ｃｄ／ｍ²、波長５０３ｎｍの緑色の発光を
得た。また、８０℃において、６．５Ｖの直流電圧を継
続して印加したが、１時間後にも発光していた。

【００４１】実施例２ 実施例１で用いたＡＰＳをトリス（８−ヒドロキシキノ
リン）アルミニウム（以下ＡＬＱと略記する）に代えた
以外は、実施例１と同様な方法で素子を作成した。ＩＴ
Ｏ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極とし
て、直流電圧５Ｖを印加すると電流が８ｍＡ／ｃｍ²程
度流れ、緑色の発光を得た。また、１２０℃において、
５Ｖの直流電圧を継続して印加したが、１時間後にも発
光していた。

【００４２】実施例３ 実施例１と同様に、透明支持基板を蒸着装置の基板ホル
ダーに固定し、ＴＡＮＢをいれた石英るつぼ、ＴＰＤを
入れた石英製のるつぼ、ＡＬＱを入れた石英製のるつ
ぼ、マグネシウムを入れたグラファイト製のるつぼ、お
よび銀を入れたグラファイト製のるつぼを装着した。真
空槽を１×１０^-3Ｐａまで減圧し、ＴＡＮＢ入りのるつ
ぼを加熱して、膜厚１０ｎｍになるようにＴＡＮＢを蒸
着して正孔注入層を形成し、次いで、ＴＰＤ入りのるつ
ぼを加熱して、膜厚４０ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着
して正孔輸送層を形成した。次いで、ＡＬＱ入りのるつ
ぼを加熱して、膜厚５０ｎｍになるようにＡＬＱを蒸着
して発光層を形成した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ
／秒であった。その後、真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減
圧し、グラファイト製のるつぼを加熱して、マグネシウ
ムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に銀を
０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、有機層の
上に２００ｎｍのマグネシウムと銀の合金電極を形成す
ることにより、有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、直流電
圧５．５Ｖを印加すると約５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流
れ、１５０ｃｄ／ｍ２の緑色の発光を得た。

【００４３】実施例４ 実施例１と同様に、透明支持基板を蒸着装置の基板ホル
ダーに固定し、ＴＡＮＢをいれた石英るつぼ、ＴＰＤを
入れた石英製のるつぼ、9,9'-スピロビシラフルオレン
を入れた石英製のるつぼ、マグネシウムを入れたグラフ
ァイト製のるつぼ、および銀を入れたグラファイト製の
るつぼを装着した。真空槽を１×１０^-3Ｐａまで減圧
し、ＴＰＤ入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍにな
るようにＴＰＤを蒸着して正孔輸送層を形成し、次い
で、ＴＡＮＢ入りのるつぼを加熱して、膜厚２０ｎｍに
なるようにＴＡＮＢを蒸着して発光層を形成し、次い
で、9,9'-スピロビシラフルオレン入りのるつぼを加熱
して、膜厚５０ｎｍになるように9,9'-スピロビシラフ
ルオレンを蒸着して電子輸送層を形成した。蒸着速度は
０．１〜０．２ｎｍ／秒であった。その後、真空槽を２
×１０^-4Ｐａまで減圧し、グラファイト製のるつぼを加
熱して、マグネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着
速度で、同時に銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度
で蒸着し、有機層の上に２００ｎｍのマグネシウムと銀
の合金電極を形成することにより、有機ＥＬ素子を得
た。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を
陰極として、直流電圧１０Ｖを印加すると約５０ｍＡ／
ｃｍ²の電流が流れ、ＴＡＮＢからの青色の発光を得
た。発光波長は４４５ｎｍであった。

【００４４】実施例５ 実施例１と同様に、透明支持基板を蒸着装置の基板ホル
ダーに固定し、ＴＡＮＢをいれた石英るつぼ、4,4',4''
-トリス{N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ}トリ
フェニルアミンを入れた石英製のるつぼ、2,5-ビス{5-
(2-ベンゾ[b]チエニル)チエニル}-1,1,3,4-テトラフェ
ニルシラシクロペンタジエンを入れた石英製のるつぼ、
マグネシウムを入れたグラファイト製のるつぼ、および
銀を入れたグラファイト製のるつぼを装着した。真空槽
を１×１０^-3Ｐａまで減圧し、4,4',4''-トリス{N-(3-
メチルフェニル)-N-フェニルアミノ}トリフェニルアミ
ン入りのるつぼを加熱して、膜厚３０ｎｍになるように
4,4',4''-トリス{N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルア
ミノ}トリフェニルアミンを蒸着して正孔注入層を形成
し、次いで、ＴＡＮＢ入りのるつぼを加熱して、膜厚２
０ｎｍになるようにＴＡＮＢを蒸着して正孔輸送層を形
成し、次いで、2,5-ビス{5-(2-ベンゾ[b]チエニル)チエ
ニル}-1,1,3,4-テトラフェニルシラシクロペンタジエン
入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍになるように2,
5-ビス{5-(2-ベンゾ[b]チエニル)チエニル}-1,1,3,4-テ
トラフェニルシラシクロペンタジエンを蒸着して電子輸
送性発光層を形成した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ
／秒であった。その後、真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減
圧し、グラファイト製のるつぼを加熱して、マグネシウ
ムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に銀を
０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、有機層の
上に２００ｎｍのマグネシウムと銀の合金電極を形成す
ることにより、有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、直流電
圧１０Ｖを印加すると約１００ｍＡ／ｃｍ²の電流が流
れ、赤色の発光を得た。

【００４５】実施例６ 実施例１で用いたＴＡＮＢを、合成例２で合成した上記
化学式（３）で表される化合物に代えた以外は、実施例
１と同様な方法で素子を作成した。ＩＴＯ電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、６．６Ｖの
直流電圧を印加すると、約２０ｍＡ／ｃｍ²の電流が流
れ、輝度約２００ｃｄ／ｍ²、波長５０３ｎｍの緑色の
発光を得た。

【００４６】比較例１ 実施例１で用いたＴＡＮＢをＴＰＤに代えた以外は、実
施例１と同様な方法で有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ
電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極とし、
直流電圧を７．５Ｖを印加すると約２０ｍＡ／ｃｍ²の
電流が流れ、２００ｃｄ／ｍ²の緑色の発光を得た。発
光波長は５０３ｎｍであった。さらに、８０℃で直流電
圧を印加すると数秒後に発光しなくなった。

【００４７】比較例２ 実施例２で用いたＴＡＮＢをＴＡＰＢに代えた以外は、
実施例２と同様な方法で有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴ
Ｏ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極と
し、直流電圧を５Ｖを印加すると約８ｍＡ／ｃｍ²の電
流が流れ緑色の発光を得た。さらに、１２０℃で直流電
圧を印加すると数秒後に発光しなくなった。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、特定のトリナフチルベ
ンゼン誘導体を用いることとしたため、高耐熱性で長寿
命な有機ＥＬ素子、これに用いられる新規な発光材料、
正孔輸送材料及び有機電界発光材料を提供することがで
きる。即ち、本発明のＥＬ素子は、トリナフチルベンゼ
ン誘導体を有機層として使用していることにより、高発
光効率、高耐熱性、長寿命、フルカラー化が容易であ
る。従って、本発明の有機ＥＬ素子を用いることによ
り、フルカラーディスプレーなどの高効率なディスプレ
イ装置が作成できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ 33/22 33/22 Ｄ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB03 AB04 AB06 AB14 CA01 CA06 CB01 DA00 DA01 DB03 EB00 FA01 4C055 AA01 BA02 BA52 BB04 BB10 CA01 DA01 EA02 4C204 BB05 CB25 EB01 FB16 GB01 4H006 AA01 AA03 AB92

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表されるトリナフチルベ
   ンゼン誘導体。 【化１】 ［一般式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₆はそれぞれ独立に水素原
   子、炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の
   アリール基、またはヘテロ環基を示し、該置換もしくは
   無置換のアリール基、またはヘテロ環基は、それらが隣
   接している場合には、互いに縮合した構造のものであっ
   てもよい］
2. 【請求項２】 請求項１記載のトリナフチルベンゼン誘
   導体を用いてなる有機電界発光素子。
3. 【請求項３】 正孔輸送層を有し、この正孔輸送層に請
   求項１記載のトリナフチルベンゼン誘導体を含有してい
   る有機電界発光素子。
4. 【請求項４】 発光層を有し、この発光層に請求項１記
   載のトリナフチルベンゼン誘導体を含有している有機電
   界発光素子。
5. 【請求項５】 正孔注入層を有し、この正孔注入層に請
   求項１記載のトリナフチルベンゼン誘導体を含有してい
   る有機電界発光素子。
6. 【請求項６】 請求項１記載のトリナフチルベンゼン誘
   導体からなる有機電界発光材料。
7. 【請求項７】 請求項１記載のトリナフチルベンゼン誘
   導体からなる正孔輸送材料。