JP2000036749A5 - Ｄ／ａ変換回路、半導体装置及び電子機器 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路であって、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２^ｘ＋１）本の階調電圧線のうち隣り合う２本の階調電圧線が選択され、
選択された前記隣り合う２本の階調電圧線の階調電圧から、２^ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２^ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項２】
入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路であって、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２^ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２^ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２^ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２^ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２^ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項３】
前記Ｄ／Ａ変換回路は、薄膜トランジスタを用いて絶縁基板上に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＤ／Ａ変換回路。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２^ｘ＋１）本の階調電圧線のうち隣り合う２本の階調電圧線が選択され、
選択された前記隣り合う２本の階調電圧線の階調電圧から、２^ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２^ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２^ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２^ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２^ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２^ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２^ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２^ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２^ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２^ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２^ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２^ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記複数のＴＦＴと、前記ソース信号線側駆動回路と、前記ゲイト信号線側駆動回路とは、薄膜トランジスタを用いて絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置のブラックマスク層は、前記ソース信号線側駆動回路または前記ゲイト信号線側駆動回路の第３配線として用いられることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体装置のブラックマスク層には、Ａｌ膜あるいはＡｌおよびＴｉの積層膜が用いられることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置を有する請求項４乃至請求項９のいずれか一に記載の電子機器。