JP2000036478A - 半導体製造装置における汚染物の洗浄方法 - Google Patents
半導体製造装置における汚染物の洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄能力が比較的に高く、且つ、地球温暖化
係数が低く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装
置の洗浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置における部品に付着した
汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメー
タ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）0.5 であるヒ
ドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロ
フルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部品を
浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加える
か、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。
係数が低く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装
置の洗浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置における部品に付着した
汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメー
タ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）0.5 であるヒ
ドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロ
フルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部品を
浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加える
か、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特にドライエッチング装置の反応室内壁および内部治具
の洗浄方法に関する。
特にドライエッチング装置の反応室内壁および内部治具
の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置、特にドライエッチング
装置において、半導体ウェハーは、主としてＣＦ4 等の
フルオロカーボンによりプラズマエッチングされる。例
えば、ポリシリコン・酸化膜ドライエッチング装置のプ
ラズマ生成過程において、発生したフッ素ラジカルをＳ
ｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等と反応させることにより、
エッチングは行われる。しかし、フッ素ラジカルの発生
と同時にＣＦ2 またはＣＦ3 ラジカルも発生し、これら
が反応して、ＣＦ3 （ＣＦ2 ）x ＣＦ3 と推定される炭
素原子とフッ素原子からなる固体化合物が生成し、反応
室内壁および内部治具を汚染する。このような汚染物を
処理するために、従来は、アセトンが使用されてきた
が、アセトンは引火性が高いため、洗浄剤としては危険
であった。
装置において、半導体ウェハーは、主としてＣＦ4 等の
フルオロカーボンによりプラズマエッチングされる。例
えば、ポリシリコン・酸化膜ドライエッチング装置のプ
ラズマ生成過程において、発生したフッ素ラジカルをＳ
ｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等と反応させることにより、
エッチングは行われる。しかし、フッ素ラジカルの発生
と同時にＣＦ2 またはＣＦ3 ラジカルも発生し、これら
が反応して、ＣＦ3 （ＣＦ2 ）x ＣＦ3 と推定される炭
素原子とフッ素原子からなる固体化合物が生成し、反応
室内壁および内部治具を汚染する。このような汚染物を
処理するために、従来は、アセトンが使用されてきた
が、アセトンは引火性が高いため、洗浄剤としては危険
であった。
【０００３】そこで、特開平４−１９８３９９号公報に
開示されているように、パーフルオロポリエーテル〔Ｃ
Ｆ3 −｛Ｏ−ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 ｝m −｛Ｏ−Ｃ
Ｆ2 ｝n−Ｏ−ＣＦ3 〕またはパーフルオロカーボン
〔Ｃ6 Ｆ14〕単独の洗浄液、またはそれらを主体とする
混合物の洗浄液中に浸漬することによる洗浄方法が開発
された。この方法に用いられるパーフルオロポリエーテ
ルまたはパーフルオロカーボンは、被洗浄物を腐蝕させ
ず、引火の危険が少なく、安全で、且つ、ある程度の洗
浄能力を有するものであった。しかし、地球温暖化係数
（ＧＷＰ）が高く、環境面に対する影響が懸念される。
開示されているように、パーフルオロポリエーテル〔Ｃ
Ｆ3 −｛Ｏ−ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 ｝m −｛Ｏ−Ｃ
Ｆ2 ｝n−Ｏ−ＣＦ3 〕またはパーフルオロカーボン
〔Ｃ6 Ｆ14〕単独の洗浄液、またはそれらを主体とする
混合物の洗浄液中に浸漬することによる洗浄方法が開発
された。この方法に用いられるパーフルオロポリエーテ
ルまたはパーフルオロカーボンは、被洗浄物を腐蝕させ
ず、引火の危険が少なく、安全で、且つ、ある程度の洗
浄能力を有するものであった。しかし、地球温暖化係数
（ＧＷＰ）が高く、環境面に対する影響が懸念される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、洗浄能力がより高く、且つ、地球温暖化係数が低
く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装置の洗浄
方法を提供することにある。
は、洗浄能力がより高く、且つ、地球温暖化係数が低
く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装置の洗浄
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によると、半導体
製造装置における部品に付着した汚染物は、溶解度パラ
メータ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）0.5 であ
るヒドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒ
ドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部
品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加
えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方
法により洗浄される。
製造装置における部品に付着した汚染物は、溶解度パラ
メータ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）0.5 であ
るヒドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒ
ドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部
品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加
えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方
法により洗浄される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いるヒドロフルオロカ
ーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロフルオロカーボ
ン（ＨＦＣ）は、溶解度パラメータが５〜１５（ｃａｌ
／ｃｍ3 ）0. 5 のものである。一般に、汚染物の溶解度
パラメータが洗浄液の溶解度パラメータと一致するとき
に汚染物は良好な膨潤現象を示し、エッチング装置内の
部品に付着する汚染物の溶解度パラメータは上記範囲に
あることが実験的に判っている。従って、上記範囲の溶
解度パラメータを有する洗浄液は汚染物を膨潤させる。
さらに、部品に対して外力作用を加えるか、または洗浄
液を沸騰させることにより、既に膨潤した汚染物は容易
に剥離され、除去される。ここで、溶解度パラメータと
は、（Ｅｖ／Ｖ）0.5 （式中、Ｅｖは液体の蒸発エネル
ギーであり、そしてＶはモル体積である）により示され
る値である。
ーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロフルオロカーボ
ン（ＨＦＣ）は、溶解度パラメータが５〜１５（ｃａｌ
／ｃｍ3 ）0. 5 のものである。一般に、汚染物の溶解度
パラメータが洗浄液の溶解度パラメータと一致するとき
に汚染物は良好な膨潤現象を示し、エッチング装置内の
部品に付着する汚染物の溶解度パラメータは上記範囲に
あることが実験的に判っている。従って、上記範囲の溶
解度パラメータを有する洗浄液は汚染物を膨潤させる。
さらに、部品に対して外力作用を加えるか、または洗浄
液を沸騰させることにより、既に膨潤した汚染物は容易
に剥離され、除去される。ここで、溶解度パラメータと
は、（Ｅｖ／Ｖ）0.5 （式中、Ｅｖは液体の蒸発エネル
ギーであり、そしてＶはモル体積である）により示され
る値である。
【０００７】さらに、本発明において用いる洗浄液は、
地球温暖化係数が低く、環境に対して優しいという利点
がある。ここで、地球温暖化係数（ＧＷＰ）は、国際特
許出願公開ＷＯ９６２２３５６（特願平８−５３４９９
１号）に記載される通りに定義されるものであり、数値
が大きいほど、地球温暖化に対する寄与が大きい。本発
明に用いられるヒドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦ
Ｅ）またはヒドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）と従来技
術の洗浄液であるＣ6 Ｆ14を比較するデータについて
は、実施例の結果を示す表１を参照されたい。
地球温暖化係数が低く、環境に対して優しいという利点
がある。ここで、地球温暖化係数（ＧＷＰ）は、国際特
許出願公開ＷＯ９６２２３５６（特願平８−５３４９９
１号）に記載される通りに定義されるものであり、数値
が大きいほど、地球温暖化に対する寄与が大きい。本発
明に用いられるヒドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦ
Ｅ）またはヒドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）と従来技
術の洗浄液であるＣ6 Ｆ14を比較するデータについて
は、実施例の結果を示す表１を参照されたい。
【０００８】上記のような溶解度パラメータを有するＨ
ＦＥとして、Ｃm Ｆ2m+1−Ｏ−ＣnＨ2n+1（式中、ｍは
１〜８の整数であり、そしてｎは１〜４の整数である）
が挙げられる。例えば、Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ3 （ＳＰ＝６．
０、ＧＷＰ＝４８０）およびＣ4 Ｈ9 ＯＣ2 Ｈ5 （ＳＰ
＝６．２、ＧＷＰ＝１００）は用いられてよく、それら
はMinnesota Mining and Manufacturing Company(3M
社) からHFE-7100およびHFE-7200の商品名でそれぞれ入
手可能である。
ＦＥとして、Ｃm Ｆ2m+1−Ｏ−ＣnＨ2n+1（式中、ｍは
１〜８の整数であり、そしてｎは１〜４の整数である）
が挙げられる。例えば、Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ3 （ＳＰ＝６．
０、ＧＷＰ＝４８０）およびＣ4 Ｈ9 ＯＣ2 Ｈ5 （ＳＰ
＝６．２、ＧＷＰ＝１００）は用いられてよく、それら
はMinnesota Mining and Manufacturing Company(3M
社) からHFE-7100およびHFE-7200の商品名でそれぞれ入
手可能である。
【０００９】上記のような溶解度パラメータを有するＨ
ＦＣとしては、１，１，１，２，３，４，４，５，５，
５−デカフルオロペンタン（ＣＦ3 ＣＨＦＣＨＦＣＦ2
ＣＦ 3 ；ＳＰ＝６．８ 、ＧＷＰ＝１３００）（Du Pon
t 社からバートレルＸＦの商品名で入手可能）、並び
に、下記式の１，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
フルオロシクロペンタン（ＳＰ＝７．０ 、ＧＷＰ＝１
０００）
ＦＣとしては、１，１，１，２，３，４，４，５，５，
５−デカフルオロペンタン（ＣＦ3 ＣＨＦＣＨＦＣＦ2
ＣＦ 3 ；ＳＰ＝６．８ 、ＧＷＰ＝１３００）（Du Pon
t 社からバートレルＸＦの商品名で入手可能）、並び
に、下記式の１，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
フルオロシクロペンタン（ＳＰ＝７．０ 、ＧＷＰ＝１
０００）
【００１０】
【化１】
【００１１】および下記式の２，３，３，４，４，５，
５−ヘプタフルオロシクロペンタン（ＳＰ＝７．２、Ｇ
ＷＰ＝１０００）
５−ヘプタフルオロシクロペンタン（ＳＰ＝７．２、Ｇ
ＷＰ＝１０００）
【００１２】
【化２】
【００１３】（日本ゼオン社からそれぞれゼオローラシ
リーズに係る商品として紹介されている）が挙げられ
る。
リーズに係る商品として紹介されている）が挙げられ
る。
【００１４】本発明に用いる洗浄液は上記に例示したＨ
ＦＥまたはＨＦＣ化合物からなる洗浄液であっても、ま
たは、上記の溶解度パラメータを維持する限り、他の有
機溶剤との混合物として用いてもよい。使用可能な有機
溶剤の例としては、６〜８個の炭素数の直鎖、分枝鎖お
よび環状のアルカン、４〜６個の炭素数の環状若しくは
非環状エーテル、３個の炭素数の塩素化アルカン、２ま
たは３個の炭素数のケトン、１、３または４個の炭素数
の塩素化アルカン、２または３個の炭素数の塩素化アル
ケン、１〜４個の炭素数のアルコール、２または３個の
炭素数の部分フッ素化アルコール、１−ブロモプロパ
ン、アセトニトリル、ＨＣＦＣ（ヒドロクロロフルオロ
カーボン）が挙げられる。詳細には、他の有機溶剤との
混合物として、Minnesota Mining and Manufacturing C
ompanyから市販されているＨＦＥ−７１ＤＡ（Ｃ4 Ｆ9
ＯＣＨ3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ／Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ ＝５０
／４７／３）およびＨＦＥ−７１ＤＥ（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ
3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ ＝５０／５０）は好ましい。
ＦＥまたはＨＦＣ化合物からなる洗浄液であっても、ま
たは、上記の溶解度パラメータを維持する限り、他の有
機溶剤との混合物として用いてもよい。使用可能な有機
溶剤の例としては、６〜８個の炭素数の直鎖、分枝鎖お
よび環状のアルカン、４〜６個の炭素数の環状若しくは
非環状エーテル、３個の炭素数の塩素化アルカン、２ま
たは３個の炭素数のケトン、１、３または４個の炭素数
の塩素化アルカン、２または３個の炭素数の塩素化アル
ケン、１〜４個の炭素数のアルコール、２または３個の
炭素数の部分フッ素化アルコール、１−ブロモプロパ
ン、アセトニトリル、ＨＣＦＣ（ヒドロクロロフルオロ
カーボン）が挙げられる。詳細には、他の有機溶剤との
混合物として、Minnesota Mining and Manufacturing C
ompanyから市販されているＨＦＥ−７１ＤＡ（Ｃ4 Ｆ9
ＯＣＨ3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ／Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ ＝５０
／４７／３）およびＨＦＥ−７１ＤＥ（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ
3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ ＝５０／５０）は好ましい。
【００１５】洗浄は、外力作用を加えることにより行う
場合には、外力作用として、例えば、超音波洗浄、シャ
ワー洗浄、蒸気洗浄、または、紙、布若しくはブラシに
よる摩擦洗浄を用いることができる。この場合、洗浄は
常温において行ってもよいが、洗浄液を昇温することに
より、より効果的な洗浄が期待できる。洗浄液沸騰によ
り行う場合には、被洗浄物を洗浄液中に浸漬し、その後
に洗浄液を沸騰させるか、または沸騰している洗浄液中
に浸漬することにより行われる。洗浄温度は洗浄液の沸
点によって変わるが、実用上、４０〜１００℃が好まし
い。また、沸騰による洗浄の場合、沸騰時の気泡による
外力作用に相当する機械エネルギーに加えて、熱エネル
ギーを加えることになるため、より良好な洗浄を行え
る。
場合には、外力作用として、例えば、超音波洗浄、シャ
ワー洗浄、蒸気洗浄、または、紙、布若しくはブラシに
よる摩擦洗浄を用いることができる。この場合、洗浄は
常温において行ってもよいが、洗浄液を昇温することに
より、より効果的な洗浄が期待できる。洗浄液沸騰によ
り行う場合には、被洗浄物を洗浄液中に浸漬し、その後
に洗浄液を沸騰させるか、または沸騰している洗浄液中
に浸漬することにより行われる。洗浄温度は洗浄液の沸
点によって変わるが、実用上、４０〜１００℃が好まし
い。また、沸騰による洗浄の場合、沸騰時の気泡による
外力作用に相当する機械エネルギーに加えて、熱エネル
ギーを加えることになるため、より良好な洗浄を行え
る。
【００１６】本発明の洗浄方法が適用される半導体製造
装置は、フッ素および炭素を含む汚染物が生じる装置の
いずれかである。例えば、対象となる装置としては、フ
ルオロカーボンを用いてプラズマを発生する、プラズマ
エッチング装置および反応イオンエッチング装置を含め
たドライエッチング装置が含まれる。
装置は、フッ素および炭素を含む汚染物が生じる装置の
いずれかである。例えば、対象となる装置としては、フ
ルオロカーボンを用いてプラズマを発生する、プラズマ
エッチング装置および反応イオンエッチング装置を含め
たドライエッチング装置が含まれる。
【００１７】
【実施例】以下の実施例により本発明を例示する。 ｉ）被洗浄サンプルの製造 図１に示すような半導体製造装置の１つである反応イオ
ンエッチング装置においてアルミ合金製の真空チャンバ
ー内部品を汚染することにより被洗浄サンプルを製造し
た。サンプルはポンプ吸引サクション行きのアウトレッ
ト付近に設置された。サンプルは１．５ｃｍｘ６ｃｍｘ
３〜４ｍｍのアルミ合金であり、汚染物（デポジット）
の厚さは０．５〜０．７ｍｍであった。エッチング装置
の運転条件は下記の通りであった。 設定値 （制御値） 温度 −３０℃ （−３５〜−２５℃） 真空度 ２００ミリトル （１５０〜２５０ミリトル） 被エッチング膜 ＳｉＯ2 反応エッチングガス種 Ｃ4 Ｆ8 、ＡｒおよびＯ2 の混合ガス 反応エッチングガス流量 ４５０ｃｍ3 ／秒（３００〜６００ｃｍ3 ／秒） 印加電力 ３．０ｋＷ （２．０〜４．０ｋＷ） 周波数 １５ＭＨｚ （１０〜２０ＭＨｚ） エッチング時間 １００ 時間
ンエッチング装置においてアルミ合金製の真空チャンバ
ー内部品を汚染することにより被洗浄サンプルを製造し
た。サンプルはポンプ吸引サクション行きのアウトレッ
ト付近に設置された。サンプルは１．５ｃｍｘ６ｃｍｘ
３〜４ｍｍのアルミ合金であり、汚染物（デポジット）
の厚さは０．５〜０．７ｍｍであった。エッチング装置
の運転条件は下記の通りであった。 設定値 （制御値） 温度 −３０℃ （−３５〜−２５℃） 真空度 ２００ミリトル （１５０〜２５０ミリトル） 被エッチング膜 ＳｉＯ2 反応エッチングガス種 Ｃ4 Ｆ8 、ＡｒおよびＯ2 の混合ガス 反応エッチングガス流量 ４５０ｃｍ3 ／秒（３００〜６００ｃｍ3 ／秒） 印加電力 ３．０ｋＷ （２．０〜４．０ｋＷ） 周波数 １５ＭＨｚ （１０〜２０ＭＨｚ） エッチング時間 １００ 時間
【００１８】ｉｉ）洗浄液 洗浄液として、ＨＦＥの単独物としてＨＦＥ−７１００
（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ3 ）およびＨＦＥ−７２００（Ｃ4 Ｆ
9 ＯＣ2 Ｈ5 ）、ＨＦＥと他の溶剤の混合物としてＨＦ
Ｅ−７１００／イソプロパノール（ＩＰＡ）（容積比９
５／５）および（容積比５０／５０）およびＨＦＥ−７
１ＤＡ（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ／Ｃ2
Ｈ5 ＯＨ＝５０／４７／３）を用い、ＨＦＣとしてバー
トレルＸＦ（Ｃ5 Ｈ2 Ｆ10）を用いた。また、比較のた
めに、従来の洗浄液としてＣ6 Ｆ 14を用い、更に、水に
よる洗浄も行った。 ｉｉｉ）洗浄方法 上記のように調製したサンプルを以下のように試験し
た。 ｉｉｉ−ａ）浸漬＋沸騰による洗浄 ４つ口フラスコに還流管接続し、洗浄液を満たし、マン
トルヒーターで沸騰させた。汚染物が付着したサンプル
をフラスコ中に浸漬させた。洗浄状態の確認は１時間毎
に剥離状態を追跡することにより行った。 ｉｉｉ−ｂ）浸漬＋超音波印加による洗浄 洗浄液を含む１００ｍｌ容器中に汚染物が付着したサン
プルを浸漬し、そして水を満たした超音波洗浄槽中に上
記容器を入れ、超音波を印加した。超音波印加条件は下
記の通りであった。 周波数 ４７ＭＨｚ エネルギー １２０Ｗ 処理温度 ２５〜３５℃
（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ3 ）およびＨＦＥ−７２００（Ｃ4 Ｆ
9 ＯＣ2 Ｈ5 ）、ＨＦＥと他の溶剤の混合物としてＨＦ
Ｅ−７１００／イソプロパノール（ＩＰＡ）（容積比９
５／５）および（容積比５０／５０）およびＨＦＥ−７
１ＤＡ（Ｃ4 Ｆ9 ＯＣＨ3 ／ＣＨＣｌ＝ＣＨＣｌ／Ｃ2
Ｈ5 ＯＨ＝５０／４７／３）を用い、ＨＦＣとしてバー
トレルＸＦ（Ｃ5 Ｈ2 Ｆ10）を用いた。また、比較のた
めに、従来の洗浄液としてＣ6 Ｆ 14を用い、更に、水に
よる洗浄も行った。 ｉｉｉ）洗浄方法 上記のように調製したサンプルを以下のように試験し
た。 ｉｉｉ−ａ）浸漬＋沸騰による洗浄 ４つ口フラスコに還流管接続し、洗浄液を満たし、マン
トルヒーターで沸騰させた。汚染物が付着したサンプル
をフラスコ中に浸漬させた。洗浄状態の確認は１時間毎
に剥離状態を追跡することにより行った。 ｉｉｉ−ｂ）浸漬＋超音波印加による洗浄 洗浄液を含む１００ｍｌ容器中に汚染物が付着したサン
プルを浸漬し、そして水を満たした超音波洗浄槽中に上
記容器を入れ、超音波を印加した。超音波印加条件は下
記の通りであった。 周波数 ４７ＭＨｚ エネルギー １２０Ｗ 処理温度 ２５〜３５℃
【００１９】上記の実験結果を地球温暖化係数および引
火点とともに下記表１に示す。
火点とともに下記表１に示す。
【００２０】 表１ ＨＦＥ単独 ＨＦＥ混合物 HFE-7100 HFE-7200 HFE-7100+IPA HFE-71DA (C4F9OCH3) (C4F9OC2H5) IPA(5%) IPA(50%) 地球温暖化係数 480 100 480 480 480 引火点 なし なし なし 30℃ なし 汚染物除去までの 洗浄時間（時間） 超音波印加- (25 ℃) 7 6 5 5 1 洗浄液沸騰 4(60)* 3(78)* 2(60)* 1(57)* 1(42)* 浸漬のみ >50 >50 >50 >50 >50 洗浄液の 溶解度パラメータ 6.0 6.2 7.0 10.4 7.8
【００２１】 ＨＦＣ単独 ＰＦＣ（比較）水（比較）メタノール（比較） バートレルXF (C5H2F10) (C6F14) (CH3OH) 地球温暖化係数 1300 6400 - - 引火点 なし なし なし 11℃ 汚染物除去までの 洗浄時間（時間) 洗浄液沸騰 4(55)* 16(56)* 4 **(100) * 1(63)* 超音波印加- 25℃ 7 20 >50 15 浸漬のみ >50 >50 >50 >50 洗浄液の 溶解度パラメータ 6.8 7.0 23.4 15 ＊（ ）内は洗浄温度であり、即ち、洗浄液の沸点である。 ＊＊処理中、洗浄液はＨＦを含むこととなり、被洗浄物に錆を生じさせるとと もに、排水処理の必要性がある。
【００２２】上記の表から、溶解度パラメータが２３．
４である水に比べて、溶解度パラメータが５〜１５（ｃ
ａｌ／ｃｍ3 ）0.5 である洗浄液の洗浄効果が高いこと
が判る。本発明において用いられるＨＦＥおよびＨＦＣ
の洗浄液は、従来の洗浄液であるＰＦＣよりも地球温暖
化係数が低く、且つ、洗浄力も高いことが判る。尚、メ
タノールの溶解度パラメータは１５であり、良好な洗浄
作用を示したが、引火点が低く危険である。以上のよう
に、本発明に用いられる洗浄液は、引火による危険が少
なく、洗浄能力が高く、且つ、地球温暖化係数が低く、
その為、環境に優しいことが判る。
４である水に比べて、溶解度パラメータが５〜１５（ｃ
ａｌ／ｃｍ3 ）0.5 である洗浄液の洗浄効果が高いこと
が判る。本発明において用いられるＨＦＥおよびＨＦＣ
の洗浄液は、従来の洗浄液であるＰＦＣよりも地球温暖
化係数が低く、且つ、洗浄力も高いことが判る。尚、メ
タノールの溶解度パラメータは１５であり、良好な洗浄
作用を示したが、引火点が低く危険である。以上のよう
に、本発明に用いられる洗浄液は、引火による危険が少
なく、洗浄能力が高く、且つ、地球温暖化係数が低く、
その為、環境に優しいことが判る。
【図１】本発明の洗浄方法に用いることができるエッチ
ング装置の態様の模式断面図ある。
ング装置の態様の模式断面図ある。
１…反応イオンエッチング装置 ２…基板ホルダー ３…ウェハー ４…エッチングガス ５…プラズマ ６…ポンプ ７…ＲＦ電源
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置における部品に付着した
汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメー
タ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）0. 5 であるヒ
ドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロ
フルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部品を
浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加える
か、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液はＣ4 Ｆ9 ＯＣＨ3 、Ｃ4 Ｆ
9 ＯＣ2 Ｈ5 またはＣ5 Ｈ2 Ｆ10を含む、請求項１記載
の方法。
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1998
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