CN105199859B - 一种半导体表面清洗剂及其制备方法 - Google Patents

一种半导体表面清洗剂及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组份：氟碳溶剂10‑60份、氢氟醚10‑60份、有机醇1‑20份、表面活性剂1‑20份、螯合剂1‑15份和稳定剂1‑15份。本发明半导体表面清洗剂含氟代化合物,因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环境的氟氯烃类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能，适用于半导体表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘的清洗，清洗效果良好。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的表面清洗上。

Description

一种半导体表面清洗剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及清洗剂领域，尤其涉及一种半导体表面清洗剂及其制备方法。
背景技术
无机的半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用。其污物主要是表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘，清洗剂需是易挥发有机体系、且快速、高效、通常在较低温度下进行清洗。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种成本相对较低、使用效果佳、快速、且在较低温度下进行清洗的半导体表面清洗剂。
本发明所采用的技术方案为：一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分：氟碳溶剂10-60份、氢氟醚10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、螯合剂1-15份和稳定剂1-15份。
优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分：氟碳溶剂30-50份、氢氟醚30-50份、有机醇5-10份、表面活性剂1-10份、螯合剂2-5份和稳定剂2-7份。
更优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量分包括如下组分：氟碳溶剂40份、氢氟醚50份、有机醇5份、表面活性剂1份、螯合剂2份和稳定剂2份。
优选的，所述氟碳溶剂为含C5～C10的氟代烃化合物或其混合物，更优选的，所述氟碳溶剂为十六氟庚烷或其它类似物的混合物。
优选的，所述氢氟醚为含C5～C10的氟代氢氟醚或其混合物，更优选的，所述氢氟醚为九氟丁基甲醚或其它类似物的混合物。
优选的，所述有机醇为含C3～C7的有机醇或其混合物，更优选的所述有机醇为异丙醇或其它类似物的混合物。
优选的，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，更优选的，为非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型)。
优选的，所述螯合剂为含C7-C20的含N杂环类有机螯合物或其混合物，更优选的为2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑或其类似物的混合物。
优选的，所述稳定剂为含C2-C7的氟代醇或其混合物，更优选的为三氟乙醇或其类似物的混合物。
本发明还提供了一种半导体清洗剂的制备方法，主要包括如下步骤：
(1)按化学式准确称量氟碳溶剂、氢氟醚、有机醇、表面活性剂、螯合剂和稳定剂；
(2)将混合后的上述原料搅拌、溶解，即可制得本发明的半导体表面清洗剂。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明半导体表面清洗剂含氟代化合物,因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环境的氟氯烃类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能。对半导体材料或产品的表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘有优良的清洗效果，而且清洗需在较低温度下的有机体系中进行、具备快速、高效的特点。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的表面清洗上。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明作进一步地详细描述。
实施例1：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量40％；
九氟丁基甲醚,其用量50％；
异丙醇,其用量5％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量1％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量2％；
三氟乙醇,其用量2％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解,并在超级恒温槽中恒温50-80℃。把含污物的半导体芯片放入,搅拌清洗4-7分钟取出,观察清洗效果。
对比:实验条件不变,但原料中缺了螯合剂,2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑的情况。实验结果(实验编号1、2、3、4)见表1。
实施例2：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量50％；
九氟丁基甲醚,其用量30％；
异丙醇,其用量10％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量2％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量5％；
三氟乙醇,其用量3％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解,并在超级恒温槽中恒温40-70℃。把含污物的半导体芯片放入,搅拌清洗4-7分钟取出,观察清洗效果。
对比:实验条件不变,但原料中缺了螯合剂,2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑的情况,实验结果(实验编号5、6、7、8)见表1。
实施例3：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量30％；
九氟丁基甲醚,其用量50％；
异丙醇,其用量8％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量2％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量3％；
三氟乙醇,其用量7％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解,并在超级恒温槽中恒温20-50℃。把含污物的半导体芯片放入,搅拌清洗4-7分钟取出,观察清洗效果。
对比:实验条件不变,但原料中缺了螯合剂,2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑的情况,实验结果(实验编号9、10、11、12)见表1。
表1实施例实验情况表
表1包括了原料比例变化、清洗温度变化及清洗时间变化的实验结果，结果表明：本发明的半导体表面清洗剂，是优良的半导体材料清洗剂,可以有效地清洗半导体表面的各种污染物。由于半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用，因此对这类清洗材料的需求很大，市场化前景十分广阔。
实施例4：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量80％；
九氟丁基甲醚,其用量10％；
异丙醇,其用量2％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量3％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量2％；
三氟乙醇,其用量3％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解，并在超级恒温槽中恒温50-80℃。
实施例5：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量10％；
九氟丁基甲醚,其用量60％；
异丙醇,其用量10％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量10％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量5％；
三氟乙醇,其用量5％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解,并在超级恒温槽中恒温50-80℃。
实施例6：
按化学式准确称量十六氟庚烷、九氟丁基甲醚、异丙醇、Ee602型非离子型氟碳表面活性剂、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑和三氟乙醇；
控制各成份重量百分比如下:
十六氟庚烷,其用量30％；
九氟丁基甲醚,其用量30％；
异丙醇,其用量15％；
非离子型氟碳表面活性剂(Ee602型,上海久士城化学有限公司),其用量15％；
2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑,其用量5％；
三氟乙醇,其用量5％；
在制造过程中，包括：混料、搅拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原料,机械混合、溶解,并在超级恒温槽中恒温50-80℃。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (3)

1.一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：十六氟庚烷10-60份、九氟丁基甲醚10-60份、异丙醇1-20份、非离子型氟碳表面活性剂1-20份、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑1-15份和三氟乙醇1-15份。
2.根据权利要求1所述的一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：十六氟庚烷30-50份、九氟丁基甲醚30-50份、异丙醇5-10份、非离子型氟碳表面活性剂1-10份、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑2-5份和三氟乙醇2-7份。
3.根据权利要求2所述的一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：十六氟庚烷40份、九氟丁基甲醚50份、异丙醇5份、非离子型氟碳表面活性剂1份、2-(2′-羟基苯基)苯并咪唑2份和三氟乙醇2份。
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