JP2000036107A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JP2000036107A
JP2000036107A JP11199516A JP19951699A JP2000036107A JP 2000036107 A JP2000036107 A JP 2000036107A JP 11199516 A JP11199516 A JP 11199516A JP 19951699 A JP19951699 A JP 19951699A JP 2000036107 A JP2000036107 A JP 2000036107A
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metal
thin film
gap
bonding
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JP11199516A
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Inventor
Katsumi Sakata
勝美 坂田
Tatsuo Hisamura
達雄 久村
Yoshito Ikeda
義人 池田
Hironari Eguchi
裕也 江口
Hideaki Matsuyama
秀昭 松山
Hideaki Karakado
秀明 唐門
Ikuko Sato
郁子 佐藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気特性の劣化及び疑似ギャップの発生を防
止し、接合強度を改善する。 【解決手段】 一対の磁気コアがギャップ材を介して接
合されてなる磁気ヘッドが開示される。少なくとも一方
の磁気コアは酸化物基板と金属磁性薄膜とからなる。各
磁気コアの接合面には、Cr又はTiからなる第1の金
属層が直接接して形成され、この第1の金属層上にAu
からなる第2の金属層が積層形成されてギャップ材とさ
れ、第2の金属層同士の熱拡散により磁気コアが接合さ
れている。あるいは、磁路が金属磁性薄膜のみにより形
成され、各磁気コアの接合面にギャップ材として少なく
ともCr又はTiからなる第1の金属層とAuからなる
第2の金属層とが積層され、第2の金属層同士の熱拡散
により磁気コアが接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオテープレコ
ーダ等の磁気記録再生装置又はフロッピーディスク駆動
装置あるいはハードディスク駆動装置等に搭載される磁
気ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】Mn−Znフェライトやセラミクス等の
酸化物材料と金属磁性薄膜が複合化された,いわゆる複
合型の磁気ヘッドにおいては、その製造工程において酸
化物材料と金属磁性薄膜との接合を必要とする場合があ
る。例えば、ギャップ部に対して垂直方向に金属磁性薄
膜が複合化されている磁気ヘッドでは、金属磁性薄膜が
成膜された酸化物基板に対し、当該金属磁性薄膜を挾み
込むように別の酸化物基板を接合したり、薄帯化された
金属磁性薄膜の両側に酸化物基板を接合する必要があ
る。 従来の技術では、上述のような酸化物基板と金属
磁性薄膜の接合には、問題が生じない場合に限り、高融
点の融着ガラスが使用されている。これは、高融点ガラ
スが化学的に安定なため有機溶剤による洗浄が可能であ
ること、強固な接合が得られること等の利点を有するか
らである。
【0003】ところが、高融点ガラスによるガラス接合
においては、融着温度を550℃以上とする必要があ
り、熱膨張に起因する歪みがフェライトや金属磁性薄膜
に加わる虞れがある。この影響で磁気コアにヒビ割れが
生じ、結果として磁気特性が劣化することがある。ある
いは、金属磁性薄膜に強磁性非晶質金属合金,いわゆる
アモルファス合金等を用いた場合には、一般に前記融着
温度が結晶化温度(一般に結晶化温度は400℃〜50
0℃)以上であることから、結晶化による軟磁気特性の
劣化を生じている。また、酸化物基板と金属磁性薄膜と
が高融点ガラスによりガラス接合された場合には、ガラ
スと金属磁性薄膜,あるいは酸化物基板と金属磁性薄膜
とがその界面において酸化還元反応を起こし、著しく透
磁率の低下した領域、すなわち反応層が形成されること
がある。
【0004】以上のような点が問題となる場合には、酸
化物基板と金属磁性薄膜の接合には低融点の融着ガラ
ス,水ガラス又は有機接着剤等の低温接合剤が使用され
る。ところが、酸化物磁性材料と金属磁性薄膜の接合に
上記のような低温接合剤を使用した場合、接合強度,耐
候性,耐磨耗性,表面性あるいは接合層の厚さの精度の
点で高融点ガラスに比べて劣るという欠点がある。
【0005】一方、Mn−Znフェライト等の酸化物磁
性材料からなる磁気ヘッド、あるいはこれら酸化物磁性
材料と金属磁性薄膜が複合化された磁気ヘッドにおける
磁気コア同士のギャップ接合についても、上述した複合
型の磁気ヘッドにおける酸化物基板と金属磁性薄膜の接
合と同様に、化学的に安定であり接合強度の高いとされ
る高融点ガラスによる接合が望ましいとされている。特
に、ビデオテープレコーダ等の磁気記録再生装置等に搭
載される磁気ヘッドでは、耐久性が要求されるため、こ
の傾向が強い。
【0006】しかし、ギャップ接合においても、融着温
度が高温とされると、熱膨張に起因する歪みの発生やそ
の影響で生じる磁気特性の劣化が問題となる。特に、フ
ェライト等の酸化物磁性材料と金属磁性薄膜が複合化さ
れた磁気コア同士が高温でガラス接合された場合には、
反応層が形成されることがある。この反応層は、フェラ
イトと金属磁性薄膜との界面が磁気ギャップと平行に形
成されるような場合には、疑似ギャップとして作用し、
再生出力の周波数特性にうねりを生ずる。
【0007】しかし、この疑似ギャップを避けるために
融着温度が550℃以下のガラスを使用すると、耐湿性
や硬度等の点で信頼性に欠け、特に、複数回のガラス接
合を必要とするフロッピーディスク駆動装置やハードデ
ィスク駆動装置等に搭載されるコンポジット型の磁気ヘ
ッド(スライダーと称される非磁性部材に一体化された
磁気コアがガラス融着により埋め込まれたもの。)で
は、2次融着ガラスに信頼性の低い低融点ガラスの使用
が余儀無くされる。すなわち、この種の磁気ヘッドは、
最初に高融点ガラスでギャップ接合(1次融着)を行っ
た後、接合一体化された磁気コアをスライダーに低融点
ガラスで融着(2次融着)して埋め込み固定することに
より作製される。このため、2次融着の際に1次融着ガ
ラスが溶け出してギャップ長やトラック幅等がずれると
磁気ヘッドの信頼性は大きく低下するので、当該2次融
着ガラスにはどうしても低融点ガラスを使用するしかな
かった。
【0008】このように、ギャップ接合においても、融
着ガラスを使用する方法では、磁気コアの本来有する磁
気特性の維持、疑似ギャップの発生防止、2以上のガラ
ス接合を必要とする磁気ヘッドでの接合強度をいずれも
満足させることは難しい。
【0009】そこで、例えばギャップ接合に関しては、
融着ガラスにかえてギャップ材に主としてAuを用い、
当該Au同士を低温で熱拡散して接合するようにしたも
のが、アイ・イー・イー・イー トランザクションズ
オン マグネティクス 第24号2号,1988年(IE
EE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL. 24,NO.2, MARCH
1 1988)により報告されている。この磁気ヘッドは、一
対の磁気コアの突合わせ面にそれぞれSiO2 ,Mo,
Auを所定の膜厚に順次積層し、Au同士を突き合わせ
て熱拡散し、接合一体化したものである。Auによる熱
拡散は、ガラス接合による融着温度に比べて極めて低温
で行われるため、熱膨張に起因する歪みの影響や疑似ギ
ャップの発生が無く、さらには結晶化によるヘッド特性
の劣化も防止できるとされている。
【0010】しかしながら、ギャップ部の接合につい
て、ギャップ材に主としてAuを用い、当該Au同士を
低温で熱拡散して接合する方法は、融着ガラスを用いる
ことによる従来の問題をある程度解消することができる
ものの、Au層と酸化物材料,あるいはAu層と金属磁
性薄膜間の接合強度に不満があり、特に耐久性が要求さ
れるビデオテープレコーダ等の磁気記録再生装置に搭載
される磁気ヘッドとして満足のいく値であるとは言い難
い。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、複合型
磁気ヘッドにおける磁気コア同士のギャップ接合に、高
融点ガラスを使用したガラス融着を採用すると、金属磁
性薄膜の磁気特性の劣化や反応層の形成による疑似ギャ
ップの発生等が問題となる。これに対して、低融点ガラ
スや有機接着剤等による接合では、接合強度を確保する
ことが難しく、信頼性の点で問題が残る。また、ギャッ
プ接合にAu層の熱拡散を利用する方法も提案されてい
るが、やはり、接合強度の点で十分なものとは言えな
い。
【0012】このように、従来の技術では、磁気特性の
確保と接合強度の確保を両立するのは難しいのが実情で
ある。
【0013】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、磁気特性の劣化及び疑似ギ
ャップの発生が防止でき、しかも接合強度の点で信頼性
に優れた磁気ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであって、一対の磁気コ
アがギャップ材を介して接合されてなる磁気ヘッドにお
いて、少なくとも一方の磁気コアは酸化物基板と金属磁
性薄膜とからなり、各磁気コアの接合面にCr又はTi
からなる第1の金属層が直接接して形成されるととも
に、この第1の金属層上にAuからなる第2の金属層が
積層形成されてギャップ材とされ、当該第2の金属層同
士の熱拡散により前記磁気コアが接合されていることを
特徴とするものである。
【0015】さらに、本発明は、一対の磁気コアがギャ
ップ材を介して接合されてなる磁気ヘッドにおいて、こ
れら一対の磁気コアは酸化物基板と金属磁性薄膜とから
なり、磁路が金属磁性薄膜のみにより形成されるととも
に、各磁気コアの接合面にギャップ材として少なくとも
Cr又はTiからなる第1の金属層とAuからなる第2
の金属層とが積層され、当該第2の金属層同士の熱拡散
により前記磁気コアが接合されていることを特徴とする
ものである。
【0016】Auによる熱拡散接合は、その接合温度が
150℃〜300℃と極めて低温で行われる。これは、
ガラス接合による融着温度550℃と比較するとその差
が250〜400℃にもなる。従って、磁気特性の劣化
や熱膨張に起因する歪みの影響,界面での酸化拡散反応
等が抑えられる。
【0017】これは、特に金属磁性薄膜にアモルファス
合金を使用した場合に有利で、熱拡散温度が結晶化温度
(400℃〜500℃)以上となることはないので、結
晶化による軟磁気特性の劣化が防止される。さらに、2
以上のガラス接合を必要とする磁気ヘッドにおいては、
2次融着ガラスに信頼性の高い融着ガラスの使用が可能
となり、接合強度のより一層の向上が図れる。
【0018】一方、Auからなる第2の金属層の下地層
としてCr又はTiよりなる第1の金属層を設けている
ので、高い接合強度が確保される。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気ヘッ
ドについて図面を参照しながら説明する。
【0020】第一の例 本例の磁気ヘッドは、いわゆるラミネートタイプの磁気
ヘッドで、図1に示すように、フェライトやセラミクス
等の酸化物材料からなる基板(1),(2) 及び基板(3),(4)
の間にアモルファス合金等よりなる金属磁性薄膜(5),
(6) がそれぞれ挾持されている一対の磁気コア(I),
(II)同士が接合され、上記金属磁性薄膜(5),(6) の突
き合わせ面に磁気ギャップgが形成され、閉磁路が構成
されたものである。
【0021】ここで、上記基板(1),(2),(3),(4) は、磁
気ギャップg近傍部が切り取られ、その切欠き部にはガ
ラス材(7),(8) が充填されている。従って、磁気ギャッ
プgは、金属磁性薄膜(5),(6) の端面間に形成されるこ
ととなり、この金属磁性薄膜(5),(6) の膜厚がトラック
幅に相当することになる。
【0022】なお、基板(3),(4) 及び金属磁性薄膜(6)
からなる磁気コア(II)にはコイルを巻回するための巻
線溝(9) が形成されており、図示されない巻線を施すこ
とによって当該磁気ヘッドに信号を供給し、あるいは当
該磁気ヘッドで読み取った信号を取り出すようになって
いる。この巻線溝は基板(1),(2) 及び金属磁性薄膜(5)
からなる磁気コア(I)または上記磁気コア(II)のう
ち少なくとも一方の側に形成すればよい。
【0023】金属磁性薄膜(5),(6) には、前記アモルフ
ァス合金の他に、例えば次のような合金がいずれも使用
可能である。例示するならば、Fe−Al−Si系合
金、Fe−Al系合金、Fe−Si−Co系合金、Fe
−Ni系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−
Ge系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co−S
i−Al系合金、Fe−Ga−Si系合金等が挙げられ
る。さらには、耐蝕性や耐摩耗性等の一層の向上を図る
ために、Ti,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,
W,Ru,Os,Rh,Ir,Re,Ni,Pb,P
t,Hf,V等の少なくとも1種を添加したものであっ
てもよい。
【0024】金属磁性薄膜(5),(6) は、先ず基板(2),
(4) 上の表面(2a),(4a) に、例えばスパッタリング法,
真空蒸着法, イオンプレーティング法, クラスター・イ
オンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術により形
成される。そして、次に金属磁性薄膜(5),(6) の基板
(2),(4) に膜付けされた面とは反対側の面が基板(1),
(3)と接合され、上述のようなラミネート構造とされ
る。なお、この接合面Cには接合材(14)が形成される。
【0025】また、磁気コア(I),(II)同士の接合
を補強するために、磁気コア(I),(II)の両端にそ
れぞれ補助部材(10),(11) が形成される。この補助部材
(10),(11) の幅及び高さは磁気コア(I),(II)の端
面部と同じ寸法であればよく、使用する材料も基板(1),
(2),(3),(4) と同じでよい。磁気コア(I)と補助部材
(10)の接合面Aには接合材(12)が形成され、磁気コア
(II)と補助部材(11)の接合面Bには接合材(13)が形成
される。
【0026】実際、本発明者等は接合材(12),(13),(14)
を下記の条件で形成し、図1に示した構造を有する磁気
ヘッドを作成した。なお、接合面A,B,Cにおいて接
合材(12),(13),(14)はいずれも同様にして形成される
が、ここでは接合材(12)の形成方法についてのみ説明を
行う。
【0027】接合材(12)は、Cr又はTiからなる第1
の金属層(12a) 及びAuからなる第2の金属層(12b) よ
り構成されている。すなわち、図2に示すように、磁気
コア(I)と補助部材(10)上にそれぞれ順次第1の金属
層(12a) 、第2の金属層(12b) がスパッタリング又は蒸
着により積層され、2層構造となされている。上記第1
の金属層(12a) 及び第2の金属層(12b) の膜厚はそれぞ
れ適宜選定されるが、通常は数百〜数千Åの範囲とされ
る。本実施例においては、それぞれ1200Åとしたと
ころ良好な結果が得られた。そして、図3に示すよう
に、磁気コア (I)と補助部材(10) は、前記第2の金
属層(12b) 同士が突合わされ熱拡散されることにより接
合されている。これら第2の金属層(12b) の熱拡散によ
る接合は、当該第2の金属層(12b) を突合わせ面として
磁気コア (I) と補助部材(10)を突合わせ、10MPa
以上の圧力を加えて300℃程度の温度で熱処理するこ
とにより接合される。このとき、熱処理雰囲気を10-5
Torr程度の真空とすれば、より強固な接合強度が得られ
る。
【0028】これら第2の金属層(12b) の熱拡散による
接合は、高融点ガラスの融着温度(550℃)に比較し
て250℃〜400℃も低い。このため、磁気コア
(I)は、高温加熱による熱膨張に起因する歪みの影響
を受けることがない。また、基板(1),(2) と金属磁性薄
膜(5) との界面に反応層が形成される虞れもない。さら
には、上記金属磁性薄膜(5) がアモルファス合金であっ
ても、当該熱拡散温度は結晶化温度以下であるため、磁
気特性が劣化することはない。
【0029】また、低温で接合したにもかかわらず上記
第2の金属層(12b) の接合強度は高く、磁気ヘッドの加
工にも十分耐えるものである。
【0030】従って、本例の磁気ヘッドは、磁気コアの
本来有する磁気特性が損なわれることがなく、電磁変換
特性に優れている。このため、再生出力特性の向上が期
待できる。さらに、接合強度においても高い信頼性が確
保できる。
【0031】さらに、上記第2の金属層(12b) の熱拡散
接合は、耐候性,耐磨耗性,表面性及び接合層の厚さの
精度の点で信頼性が高い。例えば、接合面A,B及びC
をAuの熱拡散により接合した場合、磁気記録媒体摺動
面の表面性が良いので、テープの走行時のクロッグや焼
きつき等の問題はおこらない。
【0032】また、Au層の熱拡散による接合を磁気コ
ア同士のギャップ部の接合にも適用することが可能であ
る。本例でも、ギャップ接合を上述の磁気コア(I)と
補助部材(10)の接合と同様、第1の金属層と第2の金属
層の積層による4層構造を形成し、Auの熱拡散接合を
行い、非常に良好な結果を得た。すなわち、ギャップ接
合にAuの熱拡散を利用することでガラス融着を不必要
とし、熱による磁気特性の劣化を皆無とすることができ
た。
【0033】第二の例 本例の磁気ヘッドは、図4及び図5に示すように、フェ
ライト等の酸化物磁性材料よりなる基板(23),(24) にア
モルファス合金等よりなる金属磁性薄膜(25),(26) が被
着された一対の磁気コア(III),(IV) がギャップ材
(21),(22) を用いて接合され、当該磁気コア(III),
(IV) の突合わせ面に磁気ギャップgが形成され、閉
磁路が構成されたものである。
【0034】なお、上記基板(23),(24) にはコイルを巻
回するための巻線溝(23a),(24a) が形成されている。
【0035】上記金属磁性薄膜(25),(26) には、前記ア
モルファス合金の他に、例えば次のような合金がいずれ
も使用可能である。例示するならば、Fe−Al−Si
系合金、Fe−Al系合金、Fe−Si−Co系合金、
Fe−Ni系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe−G
a−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co
−Si−Al系合金、Fe−Ga−Si系合金等が挙げ
られる。さらには、耐蝕性や耐摩耗性等の一層の向上を
図るために、Ti,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,T
a,W,Ru,Os,Rh,Ir,Re,Ni,Pb,
Pt,Hf,V等の少なくとも1種を添加したものであ
ってもよい。
【0036】金属磁性薄膜(25),(26) は、基板(23),(2
4) 上に、例えばスパッタリング法,真空蒸着法, イオン
プレーティング法, クラスター・イオンビーム法等に代
表される真空薄膜形成技術により被着される。また、金
属磁性薄膜(25),(26) が膜付けされた磁気コア(II
I),(IV) の接合面には、ギャップ材(21),(22) がそ
れぞれ形成されている。上記ギャップ材(21),(22) は、
SiO2 層(21a),(22a) とCr又はTiからなる第1の
金属層(21b),(22b) 及びAuからなる第2の金属層(21
c),(22c) より構成されている。すなわち、金属磁性薄
膜(25), (26)上に順次SiO2 層(21a),(22a) 、第1の
金属層(21b),(22b) 、第2の金属層(21c),(22c) がスパ
ッタリング又は蒸着により積層され、3層構造となされ
ている。これらギャップ材(21),(22) の膜厚のトータル
が当該磁気ヘッドの磁気ギャップg長に相当する。上記
第1の金属層(21b),(22b) の膜厚は100〜600Å、
第2の金属層(21c),(22c) の膜厚は200〜600Å程
度とすることが好ましい。
【0037】なお、上記SiO2 層(21a),(22a) は、前
記金属磁性薄膜(25),(26) と密着性が悪い場合には省略
しても差し支えない。また、SiO2 層(21a),(22a) を
省略せずに前記金属磁性薄膜(25),(26) とSiO2 層(2
1a),(22a) 間にさらに別のCr又はTiよりなる金属層
を介在させ、4層構造( 全体としては8層)としてもよ
い。
【0038】上記のように構成された磁気コア(II
I),(IV) は、前記第2の金属層(21c),(22c) 同士が
突合わされ熱拡散されることにより接合されている。こ
れら第2の金属層(21c),(22c) の熱拡散による接合は、
当該第2の金属層(21c),(22c) を突合わせ面として磁気
コア(III),(IV) 同士を突合わせ、10MPa以上
の圧力を加え、150℃〜300℃程度の温度で熱処理
することにより接合される。このとき、熱処理雰囲気を
10-5Torr程度の真空とすれば、より強固な接合強度が
得られる。上記第2の金属層(21c),(22c) の熱拡散接合
は、上記のように150℃〜300℃と極めて低温で行
われるため、融着ガラスを用いた場合の融着温度(55
0℃)に比較して250℃〜400℃も低い。このた
め、基板(23),(24)及び金属磁性薄膜(25),(26) は、高
温加熱による熱膨張に起因する歪みの影響を受けること
がない。また、基板(23),(24) と金属磁性薄膜(25),(2
6) との界面に反応層が形成される虞れもないので、当
該界面が磁気ギャップgと平行に位置する場合でも疑似
ギャップの発生を心配する必要がない。さらには、上記
金属磁性薄膜(25),(26) がアモルファス合金であって
も、当該熱拡散温度は結晶化温度以下であるため、磁気
特性が劣化することはない。
【0039】また、上記第2の金属層(21c),(22c) の接
合強度は融着ガラスを用いた場合より数倍高く、熱拡散
接合後に再加熱してもギャップ開きが無い。このため、
ヘッドチップへの加工後、高温でアニール処理を行うこ
とができ、加工ストレスを除去することができる。
【0040】したがって、本例の磁気ヘッドによれば、
磁気コアの本来有する磁気特性が損なわれることがな
く、また疑似ギャップの発生がない。よって、電磁変換
特性に優れ、再生出力特性のより一層の向上が期待でき
る。もちろん、磁気コア同士の接合強度も十分高く、信
頼性も向上する。また、本実施例の磁気ヘッドをフロッ
ピーディスク駆動装置やハードディスク駆動装置等に搭
載されるコンポジット型の磁気ヘッドに適用すれば、ス
ライダーとの固定に使用される2次融着ガラスに信頼性
の高い高融点ガラスを使用することができる。
【0041】上記磁気ヘッドを作製するには、以下のよ
うにして行われる。
【0042】先ず、フェライトよりなる基板(23),(24)
を用意し、これに所望形状の巻線溝(23a),(24a) を切削
加工等によって形成する。
【0043】次に、上記基板(23),(24) の突合わせ面と
なる面上に上記巻線溝(23a),(24a)を含めて
アモルファス合金を所望膜厚にスパッタリングして金属
磁性薄膜(25),(26) を形成する。
【0044】次に、上記金属磁性薄膜(25),(26) 上に順
次 SiO2 、Cr又はTi、Auをそれぞれ所望膜厚
にスパッタリングし、SiO2 層(21a),(22a) 、Cr又
はTiからなる第1の金属層(21b),(22b) 、Auからな
る第2の金属層(21c),(22c)の3層構造としたギャップ
材(21),(22) を形成する。
【0045】次に、上記第2の金属層(21c),(22c) を接
合面として磁性コア(III),(IV)を突合わせ、治具
等を使用してこれらに10MPa以上の圧力を前記接合
面に加える。
【0046】そして、この状態で約10-5Torrとなされ
た熱処理雰囲気中で150℃〜300℃の熱をかけて一
定時間熱処理する。
【0047】すると、上記Au同士の熱拡散が進行して
接合が行われる。この結果、上記磁気コア(III),(I
V) は強固に接合される。もちろん、熱拡散は低温で行
われるので当該磁気コア(III),(IV) の本来有する
特性が劣化することもない。
【0048】最後に、所望の大きさのヘッドチップに切
り出することにより完成する。
【0049】以上が本発明を適用した具体的な実施例で
あるが、ここではさらに前記実施例で使用したギャップ
材を用いた場合、どの程度の接合強度が得られるかにつ
いて検討してみた。なお、接合強度の測定にあたって
は、SiO2 層と第2の金属層たるAu層との間に介在
されるAu層の下地材たるCr,Tiの他にMoも使用
した。
【0050】接合強度を測定するには、以下のようにし
て行った。
【0051】先ず、フェライトからなる第1のブロック
(27)を用意し、これに図6に示すように、両端縁部に長
手方向に亘って切削溝(28),(29) を形成した後、当該第
1のブロック(27)の一主面を鏡面仕上げして接合面(30)
を形成した。
【0052】なお、上記第1のブロック(27)は、長さ13
045 μm,幅2573μm,高さ1000μm,切削溝(28),(2
9) の深さ150 μm,接合面(30)の幅2435μmとした。
【0053】次に、同様にしてフェライトからなる第2
のブロック(31)に対して、図7に示すように、両端縁部
に長手方向に亘って切削溝(32),(33) を形成した後、前
記一主面を鏡面仕上げした。
【0054】次いで、上記一主面に対して先の切削溝(3
2), (33)と直交する方向に切削加工を施し、ギャップ材
を被着する接合面(34)を有する凸部(35)を形成した。
【0055】なお、上記第2のブロック(31)は、長さ13
045 μm,幅2573μm,高さ1000μm,切削溝(32),(3
3) の深さ150 μm,凸部(35)の長手方向の長さ2264μ
m,凸部(35)の短辺方向の幅26mm,凸部(35)の高さ10
0 μmとした。また、上記凸部(35)は23個形成した。
【0056】次に、上記第1のブロック(27)と第2のブ
ロック(31)の各接合面(30),(34) にそれぞれギャップ材
をスパッタリングした。
【0057】上記ギャップ材は、SiO2 600Å,M
o300Å,Au600Åを順次積層したものを実験
1、SiO2 600Å,Cr300Å,Au600Åを
順次積層したものを実験2、SiO2 600Å,Ti3
00Å,Au600Åを順次積層したものを実験3とし
た。
【0058】なお、スパッタリングは、4.0×10-2
TorrのAr雰囲気中で行い、SiO 2 ,Mo,Cr,T
iをスパッタリングする際の出力を300Wとし、また
Auをスパッタリングする際の出力を100Wとした。
なお、これら第1のブロック(27)及び第2のブロック(3
1)の加熱は行わなかった。
【0059】次に、これら第1のブロック(27)と第2の
ブロック(31)を前記Au層を接合面として突合わせ、図
8に示す接合治具を用いて当該接合面に所望の圧力を加
えた。なお、本実験では接合圧力を80MPaとした。
【0060】上記接合治具は、基台(36)と、前記第1の
ブロック(27)及び第2のブロック(31)を挾み込む一対の
平ブロック(37),(38) と、リングバネ(39)と、該リング
バネ(39)を押圧する板体(40)と、この板体(40)を前後さ
せる回転棒(41)とから構成されている。なお、上記リン
グバネ(39)を除いたものはいずれもAl23によって形
成されている。
【0061】上記基台(36)は、長手方向の両端部に凸部
(36a),(36b) を有している。上記一方の凸部(36a) は、
前記一方の平ブロック(37)を固定するためのもので、他
方の凸部(36b) は回転棒(41)を取付ける役目をするもの
である。なお、上記他方の凸部(36b) には、前記回転棒
(41)に設けられたねじ部(41a) に螺合するねじ部が設け
られている。上記凸部(36a),(36b) 間には、前記一対の
平ブロック(37), (38)、リングバネ(39)、板体(40)、回
転棒(41)が配設されている。すなわち、上記一方の凸部
(36a) に接して一方の平ブロック(37)が設けられ、これ
に対向して他方の平ブロック(38)が設けられている。そ
して、上記他方の平ブロック(38)と板体(40)との間にス
ペーサ(42)を介してリングバネ(39)が配設され、さらに
上記板体(40)に先の回転棒(41)が当接する形となされて
いる。
【0062】上記接合治具を用いて前記第1のブロック
(27)と第2のブロック(31)の接合面に所望の圧力を加え
るには、先ず、一対の平ブロック(37),(38) 間に第1の
ブロック(27)と第2のブロック(31)を配置させる。そし
て、上記第1のブロック(27)と第2のブロック(31)の接
合面に80MPaの圧力が加わるようにトルクドライバ
ーによって前記回転棒(41)を第3図(c) 中矢印方向に回
転させる。すると、上記回転棒(41)が前に出て前記板体
(40)を押圧し、さらに該板体(40)がリングバネ(39)を押
すことになる。そして、上記リングバネ(39)の弾性力で
スペーサ(42)を介して前記他方の平ブロック(38)が押圧
される。この結果、上記第1のブロック(27)と第2のブ
ロック(31)の接合面に所望の圧力が加えられる。
【0063】次に、上記第1のブロック(27)と第2のブ
ロック(31)を熱処理した。なお、このとき上記第1のブ
ロック(27)と第2のブロック(31)の当接面には先の工程
で所望の圧力が加えられた状態のままである。
【0064】熱処理は、10-5Torrの真空炉内で20℃
から300℃となるまでを1時間、300℃を保持した
状態で1時間、300℃から50℃となるまでを1時間
として熱処理した。
【0065】次に、熱拡散接合された第1のブロック(2
7)と第2のブロック(31)を図9に示すように、切削加工
してヘッドチップ(43)を作製した。
【0066】本実験では、上記ヘッドチップ(43)の大き
さを幅W1 240 μ,長さL1 1900μm,接合部の幅W2
26μm,接合部の長さL2 1746μmとした。なお、上記
ヘッドチップ(43)の接合面積は、45396 μm2 である。
【0067】次に、図10に示すように、凹溝(44)を有
しその両側に所定間隔で凸状の支持部(45),(46) が形成
された抗折試験治具(47)に上記ヘッドチップ(43)を支持
させた。
【0068】すなわち、上記支持部(45),(46) 間距離l
〔凹溝(44)の幅に相当する。〕のl/2の位置に前記ヘ
ッドチップ(43)の接合面(43a) がくるように前記ヘッド
チップ(43)を2点支持させた。
【0069】次に、上記ヘッドチップ(43)の接合面(43
a) 上に所定の重さのナイフ(48)を落としてヘッドチッ
プ(43)を抗折させ、そのときの荷重Pを読み取った。な
お、抗折試験はそれぞれ10回行った。その結果を表1
に示す。
【0070】
【表1】
【0071】次に、上記のようにして求められた抗折荷
重Pより、各ヘッドチップ(43)の抗折力を求めた。上記
抗折力σmax は下記数1に示される(1)式により求め
られる。
【0072】
【数1】
【0073】なお、上記(1)式においてPは抗折荷重
(kg)、lは支持部間距離(mm)、hはヘッドチップの
接合部の幅(mm)、bはヘッドチップの接合部の長さ
(mm)をそれぞれ表す。本実験では、l=1mm,h=0.
026mm,b=1.746mmとした。
【0074】実験1〜実験3における抗折力σmax1〜σ
max3を数2に示す。
【0075】
【数2】
【0076】なお、融着ガラスを用いて同様の実験を行
った場合の抗折力は54kg/mm2 であった。
【0077】上記結果からわかるように、実験2及び実
験3では実験1に比べて約2〜3倍程度の強度を有す
る。したがって、Au層の下地層としてCr,Tiを用
いれば、Mo下地層や融着ガラスによるものと比べて遙
かに高い接合強度を有した信頼性の高い磁気ヘッドが得
られる。
【0078】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、ギャップ部がAu同士の低
温熱拡散により接合されるものであるため、疑似ギャッ
プの発生や磁気コアが本来有する磁気特性が損なわれる
ことがない。したがって、本発明の磁気ヘッドによれ
ば、電磁変換特性が向上し、優れた再生出力特性を示
す。
【0079】また、本発明の磁気ヘッドにおいては、極
めて高い接合強度を示す。また、耐候性,耐摩擦性にお
いても優れているので、耐久性等の点で信頼性の向上が
図れる。したがって、耐久性が要求されるビデオテープ
レコーダ等に使用される磁気ヘッドに使用して有用であ
る。
【0080】また、本発明の磁気ヘッドを複数回のガラ
ス接合を必要とするコンポジット型の磁気ヘッドに適用
すれば、信頼性の高い2次融着ガラスの使用が可能とな
り、接合強度のより一層の向上が図れ信頼性が向上す
る。
【0081】さらに、表面性が良いので、磁気記録媒体
摺動面におけるテープの走行時のクロッグや焼きつき等
の問題が解決される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示
す概略斜視図である。
【図2】図2は接合前における金属層の積層状態を示す
要部拡大断面図である。
【図3】図3は接合材を拡大して示す要部拡大断面図で
ある。
【図4】図4は本発明を適用した磁気ヘッドの他の例を
示す断面図である。
【図5】図5は磁気ギャップ部を拡大して示す要部拡大
断面図である。
【図6】図6はヘッドチップの抗折力の測定方法をその
工程順に示すもので、第1のブロックを示す斜視図であ
る。
【図7】図7は第2のブロックを示す斜視図である。
【図8】図8は第1のブロックと第2のブロックの接合
面に圧力を加える接合治具の一例を示す斜視図である。
【図9】図9は低温で熱拡散接合されたヘッドチップを
示す斜視図である。
【図10】図10はヘッドチップを抗折試験治具に支持
した状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
I,II,III,IV 磁気コア、1,2,3,4,23,
24 基板、5,6,25,26 金属磁性薄膜、1
2,13,14 接合材、12a,21b,22b第1
の金属層、12b,21c,22c 第2の金属層、2
1,22 ギャップ材、21a,22a SiO2
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 義人 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 江口 裕也 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 松山 秀昭 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 唐門 秀明 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 佐藤 郁子 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の磁気コアがギャップ材を介して接
    合されてなる磁気ヘッドにおいて、 少なくとも一方の磁気コアは酸化物基板と金属磁性薄膜
    とからなり、 各磁気コアの接合面にCr又はTiからなる第1の金属
    層が直接接して形成されるとともに、この第1の金属層
    上にAuからなる第2の金属層が積層形成されてギャッ
    プ材とされ、当該第2の金属層同士の熱拡散により前記
    磁気コアが接合されていることを特徴とする磁気ヘッ
    ド。
  2. 【請求項2】 各磁気コアにおいて、酸化物基板の上記
    接合面側の端面に金属磁性薄膜が成膜され、上記第1の
    金属層がこれら金属磁性薄膜と直接接して形成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。
  3. 【請求項3】 一対の磁気コアがギャップ材を介して接
    合されてなる磁気ヘッドにおいて、 これら一対の磁気コアは酸化物基板と金属磁性薄膜とか
    らなり、磁路が金属磁性薄膜のみにより形成されるとと
    もに、 各磁気コアの接合面にギャップ材として少なくともCr
    又はTiからなる第1の金属層とAuからなる第2の金
    属層とが積層され、当該第2の金属層同士の熱拡散によ
    り前記磁気コアが接合されていることを特徴とする磁気
    ヘッド。
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