JP2000215407A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッド特性、耐候性等を劣化させることな
く、低温処理で強固に接合された磁気ヘッドの提供を図
る。 【解決手段】 一対の磁性コア１，２がギャップ材を介
して接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コア１，
２はフェライトからなり、各磁性コア１，２の接合面
に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜５と、この下
地膜５の上にＰｄまたはＰｔからなる層３が形成され、
下地膜５とＰｄまたはＰｔの層３によってギャップ材が
形成され、ＰｄまたはＰｔの層３の相互拡散により接合
されて成る磁気ヘッド。
く、低温処理で強固に接合された磁気ヘッドの提供を図
る。 【解決手段】 一対の磁性コア１，２がギャップ材を介
して接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コア１，
２はフェライトからなり、各磁性コア１，２の接合面
に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜５と、この下
地膜５の上にＰｄまたはＰｔからなる層３が形成され、
下地膜５とＰｄまたはＰｔの層３によってギャップ材が
形成され、ＰｄまたはＰｔの層３の相互拡散により接合
されて成る磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲ等に使用さ
れる磁気ヘッドに関する。
れる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】耐久性を要求されるＶＴＲ用磁気ヘッド
等では、磁気ギャップ等の接合箇所はガラス接合法が望
ましいとされている。その理由は、ガラスが化学的に安
定な為、有機溶剤による洗浄が可能であり、また強固な
接合が得られる等の利点を有しているからである。
等では、磁気ギャップ等の接合箇所はガラス接合法が望
ましいとされている。その理由は、ガラスが化学的に安
定な為、有機溶剤による洗浄が可能であり、また強固な
接合が得られる等の利点を有しているからである。
【０００３】ＶＴＲ用磁気ヘッドとして、フェライト磁
気ヘッドの他、フェライトコアの磁気ギャップ部に高飽
和磁束密度Ｂｓの金属磁性膜を有して高抗磁力テープ
（メタルテープ、蒸着テープ）の飽和記録を可能にした
メタルインギャップヘッドと称する磁気ヘッド、或は金
属磁性膜を複数積層してなる所謂ラミネートヘッド等が
提案されている。
気ヘッドの他、フェライトコアの磁気ギャップ部に高飽
和磁束密度Ｂｓの金属磁性膜を有して高抗磁力テープ
（メタルテープ、蒸着テープ）の飽和記録を可能にした
メタルインギャップヘッドと称する磁気ヘッド、或は金
属磁性膜を複数積層してなる所謂ラミネートヘッド等が
提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したガ
ラス接合法は、５５０℃以上と高温の為（即ち５５０℃
以下のガラスは信頼性に欠ける）、熱膨張係数に起因す
る歪みを金属磁性膜やフェライトに与え、磁気特性の劣
化やひび割れを誘発していた。
ラス接合法は、５５０℃以上と高温の為（即ち５５０℃
以下のガラスは信頼性に欠ける）、熱膨張係数に起因す
る歪みを金属磁性膜やフェライトに与え、磁気特性の劣
化やひび割れを誘発していた。
【０００５】また、金属磁性膜としてアモルファス合金
を用いたメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
等においては、上記のガラス接合法を用いるとアモルフ
ァス合金の結晶化温度（５００℃程度）以上の熱処理を
施すことになり、結晶化によるヘッド特性の劣化という
問題が生じ、ガラス接合法を用いることができないこと
から、水ガラスや有機接着剤を接合剤として使用してい
た。しかし、これらの接合剤は強度、耐候性の点で問題
があり、磁気ヘッドの信頼性を著しく悪化させていた。
を用いたメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
等においては、上記のガラス接合法を用いるとアモルフ
ァス合金の結晶化温度（５００℃程度）以上の熱処理を
施すことになり、結晶化によるヘッド特性の劣化という
問題が生じ、ガラス接合法を用いることができないこと
から、水ガラスや有機接着剤を接合剤として使用してい
た。しかし、これらの接合剤は強度、耐候性の点で問題
があり、磁気ヘッドの信頼性を著しく悪化させていた。
【０００６】さらに、数回のガラス接合を必要とするフ
ロッピーディスク用ヘッドやハードディスク用コンポジ
ットヘッド等では、１次融着に高融点ガラスを、２次融
着に低融点ガラスを夫々使用しなくてはならず、信頼性
のない低融点ガラスの使用を余儀なくされていた。
ロッピーディスク用ヘッドやハードディスク用コンポジ
ットヘッド等では、１次融着に高融点ガラスを、２次融
着に低融点ガラスを夫々使用しなくてはならず、信頼性
のない低融点ガラスの使用を余儀なくされていた。
【０００７】本発明は、上述の点に鑑み、ヘッド特性、
耐候性等を劣化させることなく、強固に接合された信頼
性の高い磁気ヘッドを提供するものである。
耐候性等を劣化させることなく、強固に接合された信頼
性の高い磁気ヘッドを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の磁性コ
アがギャップ材を介して接合されてなる磁気ヘッドにお
いて、磁性コアはフェライトからなり、各磁性コアの接
合面に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜と、この
下地膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成され、下
地膜とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材が形成さ
れ、ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合された構
成とする。本発明は、一対の磁性コアがギャップ材を介
して接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアはフ
ェライトと金属磁性薄膜からなり、各磁性コアの接合面
に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜と、この下地
膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成され、下地膜
とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材が形成され、
ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合された構成と
する。本発明は、一対の磁性コアがギャップ材を介して
接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアは非磁性
基板ではさまれた金属磁性薄膜の積層膜からなり、磁路
が金属磁性薄膜のみにより形成されるとともに、各磁性
コアの接合面に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜
と、この下地膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成
され、下地膜とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材
が形成され、ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合
された構成とする。
アがギャップ材を介して接合されてなる磁気ヘッドにお
いて、磁性コアはフェライトからなり、各磁性コアの接
合面に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜と、この
下地膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成され、下
地膜とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材が形成さ
れ、ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合された構
成とする。本発明は、一対の磁性コアがギャップ材を介
して接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアはフ
ェライトと金属磁性薄膜からなり、各磁性コアの接合面
に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜と、この下地
膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成され、下地膜
とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材が形成され、
ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合された構成と
する。本発明は、一対の磁性コアがギャップ材を介して
接合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアは非磁性
基板ではさまれた金属磁性薄膜の積層膜からなり、磁路
が金属磁性薄膜のみにより形成されるとともに、各磁性
コアの接合面に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜
と、この下地膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形成
され、下地膜とＰｄまたはＰｔの層によってギャップ材
が形成され、ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合
された構成とする。
【０００９】本発明においては、一対の磁性コアの接合
面に形成したＰｄ又はＰｔの層の相互拡散によって接合
するので、低温処理で強固に接合することができる。こ
のため、熱膨張係数に起因する歪みの影響は抑制され、
良好なヘッド特性が得られる。第２、第３の発明におい
て、金属磁性薄膜としてアモルファス合金膜を用いたメ
タルインギャップヘッド、ラミネートヘッド等に適用し
た場合にもアモルファス合金膜の結晶化は起らず良好な
ヘッド特性が得られる。また、Ｐｄ，Ｐｔの貴金属で接
合されるので、耐候性にも優れているものである。Ｐｄ
またはＰｔの層の下にＣｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下
地膜を有するので、ＰｄまたはＰｔの層の磁性コアに対
する被着強度が向上し、より信頼性の高い磁気ヘッドが
得られる。
面に形成したＰｄ又はＰｔの層の相互拡散によって接合
するので、低温処理で強固に接合することができる。こ
のため、熱膨張係数に起因する歪みの影響は抑制され、
良好なヘッド特性が得られる。第２、第３の発明におい
て、金属磁性薄膜としてアモルファス合金膜を用いたメ
タルインギャップヘッド、ラミネートヘッド等に適用し
た場合にもアモルファス合金膜の結晶化は起らず良好な
ヘッド特性が得られる。また、Ｐｄ，Ｐｔの貴金属で接
合されるので、耐候性にも優れているものである。Ｐｄ
またはＰｔの層の下にＣｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下
地膜を有するので、ＰｄまたはＰｔの層の磁性コアに対
する被着強度が向上し、より信頼性の高い磁気ヘッドが
得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る磁気ヘッドの実施の形態を説明する。
る磁気ヘッドの実施の形態を説明する。
【００１１】本発明に係る磁気ヘッドは、基本的には、
磁気ヘッドの必要とする接合面（磁気ギャップ部、その
他の部分）に夫々Ａｇ，Ｐｄ又はＰｔの層を被着形成
し、その低温熱処理を行い、層の相互拡散により接合一
体化して構成するものである。
磁気ヘッドの必要とする接合面（磁気ギャップ部、その
他の部分）に夫々Ａｇ，Ｐｄ又はＰｔの層を被着形成
し、その低温熱処理を行い、層の相互拡散により接合一
体化して構成するものである。
【００１２】図１は、基本的な構成をフェライトヘッド
に適用した場合であり、その製法と共に説明する。本例
においては、図１Ａに示すように、一対のフェライトコ
ア１及び２の磁気ギャップ形成面を含む接合面１ａ及び
２ａに、Ａｇ，Ｐｄ又はＰｔの層３を蒸着法、スパッタ
法等により被着形成する。
に適用した場合であり、その製法と共に説明する。本例
においては、図１Ａに示すように、一対のフェライトコ
ア１及び２の磁気ギャップ形成面を含む接合面１ａ及び
２ａに、Ａｇ，Ｐｄ又はＰｔの層３を蒸着法、スパッタ
法等により被着形成する。
【００１３】次いで、図１Ｂに示すように、互いの層３
が対接するように一対のフェライトコア１及び２を突き
合せ、例えば１００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度の圧力で加圧し
た状態で、真空炉を用い、１０-6Ｔｏｒｒオーダの雰囲
気下で例えば２５０℃、１時間保持の熱処理を行い、互
いの層３の相互拡散によって接合一体化する。Ａｇ，Ｐ
ｄ又はＰｔは非磁性であり、ここに磁気ギャップｇを有
して接合された図１Ｃに示す目的のフェライトヘッド４
を構成する。
が対接するように一対のフェライトコア１及び２を突き
合せ、例えば１００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度の圧力で加圧し
た状態で、真空炉を用い、１０-6Ｔｏｒｒオーダの雰囲
気下で例えば２５０℃、１時間保持の熱処理を行い、互
いの層３の相互拡散によって接合一体化する。Ａｇ，Ｐ
ｄ又はＰｔは非磁性であり、ここに磁気ギャップｇを有
して接合された図１Ｃに示す目的のフェライトヘッド４
を構成する。
【００１４】ここで、接合条件としては、接合圧力１０
ｋｇｆ／ｃｍ2 以上、熱処理温度４００℃以下で接合が
可能である。本法により、４００℃以下の低温で接合強
度、耐候性等に優れた接合が可能となる。
ｋｇｆ／ｃｍ2 以上、熱処理温度４００℃以下で接合が
可能である。本法により、４００℃以下の低温で接合強
度、耐候性等に優れた接合が可能となる。
【００１５】さらに、図２に示すように、Ａｇ，Ｐｄ又
はＰｔの層３の下に夫々例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ等の非
磁性の下地膜５を介在させて２層構造とする。Ｌｇはギ
ャップ長である。かかる構成のフェライトヘッド６によ
れば、下地膜５はフェライトコア１及び２に対する密着
性がよいので、フェライトコア１及び２とＡｇ，Ｐｄ又
はＰｔの層３間の接着強度が増し、より強固な接合が得
られる。
はＰｔの層３の下に夫々例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ等の非
磁性の下地膜５を介在させて２層構造とする。Ｌｇはギ
ャップ長である。かかる構成のフェライトヘッド６によ
れば、下地膜５はフェライトコア１及び２に対する密着
性がよいので、フェライトコア１及び２とＡｇ，Ｐｄ又
はＰｔの層３間の接着強度が増し、より強固な接合が得
られる。
【００１６】さらに、図３に示すように下地膜５とフェ
ライトコア１及び２との界面に、ギャップ形成面を構成
するコア材、即ちこの場合はフェライト材と光学特性が
異なる（例えば光透過率が大きい、光吸収が大きい等）
例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 等の非磁性の膜７
を介在させて３層構造とすることもできる。ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 等は光透過率が大きい。
ライトコア１及び２との界面に、ギャップ形成面を構成
するコア材、即ちこの場合はフェライト材と光学特性が
異なる（例えば光透過率が大きい、光吸収が大きい等）
例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 等の非磁性の膜７
を介在させて３層構造とすることもできる。ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 等は光透過率が大きい。
【００１７】かかる構成のフェライトヘッド８において
は、記録媒体摺動面に光を当てたときにフェライトコア
１，２の面と膜７の面での反射率の異なりにより、例え
ば光学顕微鏡で磁気ギャップ長Ｌｇを容易に検知するこ
とができる。
は、記録媒体摺動面に光を当てたときにフェライトコア
１，２の面と膜７の面での反射率の異なりにより、例え
ば光学顕微鏡で磁気ギャップ長Ｌｇを容易に検知するこ
とができる。
【００１８】次の表１に、フェライトコア１及び２を接
合層３としてＡｇ，Ｐｄを夫々用いて接合したときの抗
折力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）を示す。但し、下地膜５として
Ｃｒを用いた。
合層３としてＡｇ，Ｐｄを夫々用いて接合したときの抗
折力（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）を示す。但し、下地膜５として
Ｃｒを用いた。
【００１９】
【表１】
【００２０】通常のヘッドのギャップ接合に使用されて
いる高融点ガラスの抗折力は４．３ｋｇｆ／ｍｍ2 程度
である。表１により、Ｐｄ，Ａｇによる抗折力は従来の
高融点ガラスの抗折力と同等以上となり、強固に接合さ
れることが認められる。なお、Ｐｔについても、十分抗
折力が得られる。
いる高融点ガラスの抗折力は４．３ｋｇｆ／ｍｍ2 程度
である。表１により、Ｐｄ，Ａｇによる抗折力は従来の
高融点ガラスの抗折力と同等以上となり、強固に接合さ
れることが認められる。なお、Ｐｔについても、十分抗
折力が得られる。
【００２１】図４は、メタルインギャップヘッドに適用
した場合である。本例はフェライトコア１，２のギャッ
プ部にセンダスト、ＦｅＧａＳｉ（Ｒｕ）合金或はアモ
ルファス合金等の金属磁性膜１１を有した磁性コア１２
及び１３の金属磁性膜１１面に夫々Ｃｒ，ＴｉまたはＭ
ｏの下地膜、例えばＣｒ膜５を介してＡｇ，Ｐｄ又はＰ
ｔの層、例えばＰｄ層３を蒸着法、スパッタ法により被
着形成し、上例と同じ接合条件で接合一体化してメタル
インギャップヘッド１４を構成する。
した場合である。本例はフェライトコア１，２のギャッ
プ部にセンダスト、ＦｅＧａＳｉ（Ｒｕ）合金或はアモ
ルファス合金等の金属磁性膜１１を有した磁性コア１２
及び１３の金属磁性膜１１面に夫々Ｃｒ，ＴｉまたはＭ
ｏの下地膜、例えばＣｒ膜５を介してＡｇ，Ｐｄ又はＰ
ｔの層、例えばＰｄ層３を蒸着法、スパッタ法により被
着形成し、上例と同じ接合条件で接合一体化してメタル
インギャップヘッド１４を構成する。
【００２２】ここで、メタルインギャップヘッド１４と
しては、平面的にみて図５Ａ及び図５Ｂに示すように構
成することができる。同図中、１，２はフェライトコ
ア、１１1 は例えばＦｅＧａＳｉ（Ｒｕ）合金膜、１１
2 は例えばセンダスト膜、１５はガラス材、１４Ａ，１
４Ｂはメタルインギャップヘッドの全体を示す。
しては、平面的にみて図５Ａ及び図５Ｂに示すように構
成することができる。同図中、１，２はフェライトコ
ア、１１1 は例えばＦｅＧａＳｉ（Ｒｕ）合金膜、１１
2 は例えばセンダスト膜、１５はガラス材、１４Ａ，１
４Ｂはメタルインギャップヘッドの全体を示す。
【００２３】また、図６の例に示すメタルインギャップ
ヘッド１６は、磁性コアの磁気ギャップ形成面を構成す
る金属磁性膜１１と下地膜５との間に金属磁性膜１１と
光学特性が異なる例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5
等の非磁性の膜７を介在させて構成した場合である。
ヘッド１６は、磁性コアの磁気ギャップ形成面を構成す
る金属磁性膜１１と下地膜５との間に金属磁性膜１１と
光学特性が異なる例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5
等の非磁性の膜７を介在させて構成した場合である。
【００２４】かかる構成のメタルインギャップヘッド１
４によれば、例えばアモルファス合金の結晶化温度より
も低温で接合されるので、金属磁性膜１１としてアモル
ファス合金膜を用いても結晶化されず、良好なヘッド特
性を維持して且つ強固に接合された信頼性の高いヘッド
が得られる。
４によれば、例えばアモルファス合金の結晶化温度より
も低温で接合されるので、金属磁性膜１１としてアモル
ファス合金膜を用いても結晶化されず、良好なヘッド特
性を維持して且つ強固に接合された信頼性の高いヘッド
が得られる。
【００２５】また、図６に示すように金属磁性膜１１と
の界面にＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5 等の膜７を形成
するときは、図３で説明したと同様に光学手段によって
磁気ギャップ長Ｌｇを容易に検知することができる。
の界面にＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5 等の膜７を形成
するときは、図３で説明したと同様に光学手段によって
磁気ギャップ長Ｌｇを容易に検知することができる。
【００２６】図７及び図８はラミネートヘッドに適用し
た場合である。図７は、複数の金属磁性膜２１と非磁性
層（図示せず）を積層した一対のラミネートコア２２及
び２３を接合して磁気ギャップｇを形成すると共に、こ
のラミネートコア２２，２３のトラック幅方向の両面に
例えばＭｎ−Ｚｎフェライトによる非磁性基板２４を配
すると共に、さらに記録媒体摺動方向の両端に同材料に
よる補強部材２５を配して構成する。２７はガラス材で
ある。
た場合である。図７は、複数の金属磁性膜２１と非磁性
層（図示せず）を積層した一対のラミネートコア２２及
び２３を接合して磁気ギャップｇを形成すると共に、こ
のラミネートコア２２，２３のトラック幅方向の両面に
例えばＭｎ−Ｚｎフェライトによる非磁性基板２４を配
すると共に、さらに記録媒体摺動方向の両端に同材料に
よる補強部材２５を配して構成する。２７はガラス材で
ある。
【００２７】そして、この例では斜線で示す接合部２６
を前述したＣｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜５とそ
の上に形成したＡｇ，Ｐｄ又はＰｔの層３（非磁性の膜
７を有するを可）を用いて接合する。
を前述したＣｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜５とそ
の上に形成したＡｇ，Ｐｄ又はＰｔの層３（非磁性の膜
７を有するを可）を用いて接合する。
【００２８】図８の場合は、ラミネートコア２２，２３
のトラック幅方向の両側に例えばＭｎ−Ｚｎフェライト
等による非磁性基板２４を配して構成する。そして、こ
の例では斜線で示す接合部２６を前述したＣｒ，Ｔｉま
たはＭｏからなる下地膜５とその上に形成したＡｇ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの層３（非磁性の膜７を有するを可）を用いて
接合する。
のトラック幅方向の両側に例えばＭｎ−Ｚｎフェライト
等による非磁性基板２４を配して構成する。そして、こ
の例では斜線で示す接合部２６を前述したＣｒ，Ｔｉま
たはＭｏからなる下地膜５とその上に形成したＡｇ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの層３（非磁性の膜７を有するを可）を用いて
接合する。
【００２９】かかるラミネートヘッド２８及び２９にお
いても、例えばアモルファス合金膜によるラミネートコ
アを用いても、ラミネートコアが結晶化せずに強固に接
合され、良好なヘッド特性を有して耐候性、信頼性の高
いラミネートヘッドが得られる。
いても、例えばアモルファス合金膜によるラミネートコ
アを用いても、ラミネートコアが結晶化せずに強固に接
合され、良好なヘッド特性を有して耐候性、信頼性の高
いラミネートヘッドが得られる。
【００３０】上述したように、本発明の実施の形態によ
れば、低温接合が可能なために、熱膨張係数に起因する
歪みを軽減することができる。特にアモルファス合金膜
を用いるメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
等においては、そのアモルファス合金膜の劣化（結晶
化）をさせることなくヘッドの接合を行うことができ
る。
れば、低温接合が可能なために、熱膨張係数に起因する
歪みを軽減することができる。特にアモルファス合金膜
を用いるメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
等においては、そのアモルファス合金膜の劣化（結晶
化）をさせることなくヘッドの接合を行うことができ
る。
【００３１】また、接合材としてＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔの貴
金属を使用するために高耐候性、高信頼性のあるヘッド
が得られる。
金属を使用するために高耐候性、高信頼性のあるヘッド
が得られる。
【００３２】そしてＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔの相互拡散で接合
するので、接合強度の高いヘッドが得られる。また、低
温接合が可能なため、メタルインギャップヘッドで問題
となる疑似ギャップ（反応層）の発生を抑制することが
できる。
するので、接合強度の高いヘッドが得られる。また、低
温接合が可能なため、メタルインギャップヘッドで問題
となる疑似ギャップ（反応層）の発生を抑制することが
できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドによれば、Ｐｄ又は
Ｐｔの層を用いて低温処理で接合することにより、従来
の高融点ガラス接合に比べて熱膨張係数に起因する歪み
の影響が軽減され、磁気特性の劣化、ひび割れ等を誘発
することがない。
Ｐｔの層を用いて低温処理で接合することにより、従来
の高融点ガラス接合に比べて熱膨張係数に起因する歪み
の影響が軽減され、磁気特性の劣化、ひび割れ等を誘発
することがない。
【００３４】特に、アモルファス合金を金属磁性膜とし
て用いたメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
においてはアモルファスの結晶化温度以下の低温で接合
されることにより、ヘッド特性が劣化することがない。
て用いたメタルインギャップヘッド、ラミネートヘッド
においてはアモルファスの結晶化温度以下の低温で接合
されることにより、ヘッド特性が劣化することがない。
【００３５】そして、Ｐｄ又はＰｔの層の相互拡散で接
合されるので、接合強度は大きく、且つ該層が所謂貴金
属であるために耐候性にも優れるものである。
合されるので、接合強度は大きく、且つ該層が所謂貴金
属であるために耐候性にも優れるものである。
【００３６】また、Ｐｄ又はＰｔの層の下にＣｒ，Ｔｉ
またはＭｏからなる下地膜を形成するので、さらに磁性
コアとＰｄ又はＰｔの層との接着強度が上がり、より接
合強度が向上する。従って、信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することができる。
またはＭｏからなる下地膜を形成するので、さらに磁性
コアとＰｄ又はＰｔの層との接着強度が上がり、より接
合強度が向上する。従って、信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することができる。
【図１】Ａ〜Ｃ 本発明による磁気ヘッドの基本構成を
示す製造工程図である。
示す製造工程図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成
図である。
図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る磁気ヘッドの構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る磁気ヘッドの構
成図である。
成図である。
【図５】Ａ メタルインギャップヘッドの平面図であ
る。 Ｂ メタルインギャップヘッドの平面図である。
る。 Ｂ メタルインギャップヘッドの平面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係る磁気ヘッド（メ
タルインギャップヘッド）の構成図である。
タルインギャップヘッド）の構成図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る磁気ヘッド（ラ
ミネートヘッド）の斜視図である。
ミネートヘッド）の斜視図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る磁気ヘッド（ラ
ミネートヘッド）の斜視図である。
ミネートヘッド）の斜視図である。
１，２‥‥フェライトコア、３‥‥Ａｇ，Ｐｄ又はＰｔ
の層、ｇ‥‥磁気ギャップ、５‥‥下地膜、７‥‥磁性
コアと光学特性を異にする膜、１１‥‥金属磁性膜、２
１‥‥金属磁性膜、２２，２３‥‥ラミネートコア、２
５‥‥補強部材、２４‥‥非磁性基板、２６‥‥接合
部、４，６，８‥‥フェライトヘッド、１４，１６‥‥
メインインギャップヘッド、２８，２９‥‥ラミネート
ヘッド
の層、ｇ‥‥磁気ギャップ、５‥‥下地膜、７‥‥磁性
コアと光学特性を異にする膜、１１‥‥金属磁性膜、２
１‥‥金属磁性膜、２２，２３‥‥ラミネートコア、２
５‥‥補強部材、２４‥‥非磁性基板、２６‥‥接合
部、４，６，８‥‥フェライトヘッド、１４，１６‥‥
メインインギャップヘッド、２８，２９‥‥ラミネート
ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 篤 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 青木 薫 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の磁性コアがギャップ材を介して接
合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアはフェライ
トからなり、各磁性コアの接合面に、Ｃｒ，Ｔｉまたは
Ｍｏからなる下地膜と、この下地膜の上にＰｄまたはＰ
ｔからなる層が形成され、前記下地膜と前記Ｐｄまたは
Ｐｔの層によって前記ギャップ材が形成され、前記Ｐｄ
またはＰｔの層の相互拡散により接合されて成る磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 一対の磁性コアがギャップ材を介して接
合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアはフェライ
トと金属磁性薄膜からなり、各磁性コアの接合面に、Ｃ
ｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地膜と、この下地膜の上
にＰｄまたはＰｔからなる層が形成され、前記下地膜と
前記ＰｄまたはＰｔの層によって前記ギャップ材が形成
され、前記ＰｄまたはＰｔの層の相互拡散により接合さ
れて成る磁気ヘッド。 - 【請求項３】 一対の磁性コアがギャップ材を介して接
合されてなる磁気ヘッドにおいて、磁性コアは非磁性基
板ではさまれた金属磁性薄膜の積層膜からなり、磁路が
前記金属磁性薄膜のみにより形成されるとともに、各磁
性コアの接合面に、Ｃｒ，ＴｉまたはＭｏからなる下地
膜と、この下地膜の上にＰｄまたはＰｔからなる層が形
成され、前記下地膜と前記ＰｄまたはＰｔの層によって
前記ギャップ材が形成され、前記ＰｄまたはＰｔの層の
相互拡散により接合されて成る磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035598A JP2000215407A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-14 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035598A JP2000215407A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-14 | 磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18319190A Division JP3165691B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215407A true JP2000215407A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=18559774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000035598A Pending JP2000215407A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-14 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215407A (ja) |
-
2000
- 2000-02-14 JP JP2000035598A patent/JP2000215407A/ja active Pending
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