JP2000311308A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ギャップ接合の強度を高めて、ギャップ近傍
の割れ、クラックのない、また偏摩耗による記録再生特
性の劣化のない、信頼性の高い磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 金属磁性膜２を形成したヘッドコアの磁
気ギャップを、金属磁性膜２上に下地層２９を形成し、
その上に順次ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物３０
と低融点結晶化ガラス３６を形成した三層構造のギャッ
プ材で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルＶＴＲや
データストリーマ等のシステムで用いられる高保磁力磁
気記録媒体に対して多量の磁気情報の記録・再生を行う
のに適する磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野において、一対の
板状のフェライト製の磁気コア半体を突き合わせて磁気
ギャップを形成し、磁気ギャップ部の両側をガラス等の
非磁性材料で溶着したフェライトヘッドや、磁性膜を一
対の非磁性材料からなる基板で挟み込んだ薄膜積層型ヘ
ッドや、磁気ギャップ部に飽和密度の高い金属磁性膜を
配したメタル・イン・ギャップ型ヘッド（以下ＭＩＧヘ
ッドと記す）等が実用化されている。特にメタルテープ
や蒸着テープといった高保磁力の磁気記録媒体に対して
高密度に情報記録するシステムでは、前記の薄膜積層型
ヘッドやＭＩＧヘッドが主として用いられる。

【０００３】薄膜積層型ヘッドは、通常、図１５に示す
ように、金属磁性膜と絶縁層を交互に積層した磁気コア
４の両側を非磁性基板１で挟持した構造を有する。薄膜
積層型ヘッドのテープ摺動面１３の拡大図である図１６
に示すように、磁気ギャップを形成するギャップ材料は
ＳｉＯ２等の非磁性層１１と結晶化ガラス１２の二層か
ら構成されている。

【０００４】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を図１
７〜図２２に基づいて説明する。まず非磁性基板１上
に、図１７のA部の拡大図である図２３に示すように、
スパッタリング法などによって順次形成された高飽和磁
束密度および高透磁率を有する金属磁性膜２とＳｉＯ２
等の絶縁層３から成る磁気コア４を形成し、非磁性基板
１の反対側に接着ガラス層５を形成して図１７に示すヘ
ッドコア６を作製する。このようにして得られた複数の
ヘッドコア６を重ねあわせ、加圧熱処理することによっ
て図１８に示す積層ブロック７を作製する。その後、積
層ブロック７を所定の寸法に加工することによって、図
１９に示す一対のヘッドコア半体８ａ、８ｂを得る。続
いて、図２０、２１に示すように必要に応じてヘッドコ
ア半体８ａに巻線溝１０を形成し、ギャップ面９ａ、９
ｂを平滑に研磨し、所定の厚みのＳｉＯ２等の非磁性層
１１をスパッタリング法等によって形成し、その上に所
定の厚みの結晶化ガラス１２をスパッタリング法等によ
って形成する。そして、図２２に示すように各ヘッドコ
ア半体８ａ、８ｂのギャップ面９ａ、９ｂを突き合わせ
て加熱処理してギャップを接合させる。その後、図２２
の切断線Ｃ１、Ｃ２で所定のヘッドチップコア幅に切断
し、摺動面を研磨して図１５に示すヘッドチップが完成
する。この後、ベース接着・巻線等の処理を行い、薄膜
積層型ヘッドが完成する。

【０００５】ＭＩＧヘッドは、通常、図２４に示すよう
に、フェライト等の強磁性酸化物３７に飽和磁束密度の
高い金属磁性膜２１を形成したヘッドコア半体２２を突
き合わせ、金属磁性膜２１間に磁気ギャップ２６を設け
た構造を有している。従来、磁気ギャップ２６を構成す
るギャップ材料は、ＭＩＧヘッドのテープ摺動面２５の
拡大図である図２５に示すように、金属磁性膜２１上に
順次ＳｉＯ２や珪酸ガラスからなるＳｉＯ２を主成分と
する非磁性酸化物層２７と、ＣｒやＣｒ２Ｏ３からなる
ガラス流動層２８の二層から構成されている。そしてヘ
ッドコア半体２２は低融点ガラスである鉛ガラス２４に
より接合されている。

【０００６】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を図２６〜
図３１に基づいて説明する。まず、図２６に示す一対の
フェライトコア３１に図２７に示す巻線溝３２およびバ
ックガラス溝３３を形成する。次にフェライトコア３１
に図２８に示すトラック溝３４を形成し、ギャップ面３
５を研磨する。さらに、図２９に示すようにフェライト
コア３１のギャップ面３５を含む領域に、金属磁性膜２
１とＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物層２７とガラ
ス流動層２８とをこの順にスパッタリング法などにより
形成する。このようにしてギャップ材料を形成した一対
のヘッドコア半体２２を図３０に示すようにギャップ面
が対向するように突き合わせ、鉛ガラス２４を溝部に載
置する。さらに熱処理により図３１に示すように鉛ガラ
ス２４をガラス流動層２８上に流し込んで一対のヘッド
コア半体２２をギャップで接合し、一つのギャップドバ
ーを作製する。この工程の後、ギャップドバーを所定の
ヘッドチップコア幅、アジマス角度で切断し、摺動面を
研磨して図２４に示すヘッドチップが完成する。この
後、ベース接着・巻線等の処理を行い、ＭＩＧヘッドが
完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の薄
膜積層型ヘッドの製造方法に示されている結晶化ガラス
によるギャップ接合では、接合されているギャップの強
度が充分ではなく、ギャップ近傍における割れ、クラッ
クなどの発生が問題であった。また、ギャップ強度の向
上のために、ギャップ部をガラスでモールドして補強す
る方法があるが、このモールドガラスが記録媒体との摺
動面上に露出していると、各材料の摩耗特性の違いに起
因した偏摩耗によって摺動面形状が変化し、記録再生特
性の劣化が生じるという別の問題が発生する。

【０００８】一方、上記のＭＩＧヘッドの製造方法に示
されているようなガラスの流し込み、または圧入による
ギャップ接合では、ギャップ接合時に熱処理によってガ
ラスを流動させなければならず、低融点のガラスを用い
る必要がある。しかし一般的に低融点ガラスにはＰｂＯ
が多く含まれており、還元されたＰｂＯによってＰｂの
金属微粒子の析出が生じ、ガラス自体の強度が低下する
という問題がある。また、ガラス自体の摩耗速度が大き
く、記録媒体との摺動時に偏摩耗によって摺動面形状が
変化し、記録再生特性の劣化が生じる。また、融点の高
いガラスを高温にして半溶融状態で圧入してギャップ接
合する方法の場合は、加圧する最にギャップ部分の突き
合わせがずれてしまうという問題も生じる。

【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ギャップ接合の強度を高めて、ギャップ近傍の割
れ、クラックのない、また偏摩耗による記録再生特性の
劣化のない、信頼性の高い磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、金属磁性膜を形成したヘ
ッドコアの磁気ギャップが、前記金属磁性膜上に下地層
を形成し、その上に順次ＳｉＯ２を主成分とする非磁性
酸化物と低融点結晶化ガラスを形成した三層構造のギャ
ップ材で構成されていることを特徴としたものである。

【００１１】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
金属磁性膜を形成したヘッドコア半体の磁気ギャップ面
に下地層とＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物を順次
形成する工程と、前記非磁性酸化物上に低融点結晶化ガ
ラスを形成する工程と、両コア半体を磁気ギャップ面で
突き合わせて熱処理を行い、前記低融点結晶化ガラスを
溶融、結晶化させて磁気ギャップにおける機械的強度を
高めたコアバーを作製する工程と、前記コアバーを所定
のコア幅で切断し、磁気ヘッドチップを完成させる工程
を有することを特徴としたものである。

【００１２】本発明により、ギャップ近傍における割れ
やクラックのない、また偏摩耗による記録再生特性の劣
化のない、信頼性の高いヘッドが得られる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、金属磁性膜を形成したヘッドコアの磁気ギャップ
が、前記金属磁性膜上に下地層を形成し、その上に順次
ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物と低融点結晶化ガ
ラスを形成した三層構造のギャップ材で構成されている
ことを特徴とする磁気ヘッドである。

【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、金属磁
性膜を一対の非磁性材料からなる基板で挟み込んだ薄膜
積層型ヘッドであることを特徴とする請求項１記載の磁
気ヘッドである。

【００１５】本発明の請求項３に記載の発明は、金属磁
性膜が強磁性酸化物のギャップ対向面上に形成されたメ
タル・イン・ギャップ型ヘッドであることを特徴とする
請求項１記載の磁気ヘッドである。

【００１６】本発明の請求項４に記載の発明は、下地層
が、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＮ、Ｔａ２Ｏ５のう
ちの一種からなることを特徴とする請求項２または請求
項３のいずれかに記載の磁気ヘッドである。

【００１７】本発明の請求項５に記載の発明は、下地層
の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２
または請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッドである。

【００１８】本発明の請求項６に記載の発明は、ＳｉＯ
２を主成分とする非磁性酸化物層が珪酸ガラス層である
ことを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに
記載の磁気ヘッドである。

【００１９】本発明の請求項７に記載の発明は、珪酸ガ
ラス層がホウ珪酸ガラス層であることを特徴とする請求
項２または請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッドであ
る。

【００２０】本発明の請求項８に記載の発明は、金属磁
性膜を形成したヘッドコア半体の磁気ギャップ面に下地
層とＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物を順次形成す
る工程と、前記非磁性酸化物上に低融点結晶化ガラスを
形成する工程と、両コア半体を磁気ギャップ面で突き合
わせて熱処理を行い、前記低融点結晶化ガラスを溶融、
結晶化させて磁気ギャップにおける機械的強度を高めた
コアバーを作製する工程と、前記コアバーを所定のコア
幅で切断し、磁気ヘッドチップを完成させる工程を有す
ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。

【００２１】本発明の請求項９に記載の発明は、金属磁
性膜を一対の非磁性材料からなる基板で挟み込んだ薄膜
積層型ヘッドであることを特徴とする請求項８記載の磁
気ヘッドの製造方法である。

【００２２】本発明の請求項１０に記載の発明は、金属
磁性膜が強磁性酸化物のギャップ対向面上に形成された
メタル・イン・ギャップ型ヘッドであることを特徴とす
る請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法である。

【００２３】本発明の請求項１１に記載の発明は、下地
層が、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＮ、Ｔａ２Ｏ５の
うちの一種からなることを特徴とする請求項９または請
求項１０のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法であ
る。

【００２４】本発明の請求項１２に記載の発明は、下地
層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
９または請求項１０のいずれかに記載の磁気ヘッドの製
造方法である。

【００２５】本発明の請求項１３に記載の発明は、Ｓｉ
Ｏ２を主成分とする非磁性酸化物層が珪酸ガラス層であ
ることを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれ
かに記載の磁気ヘッドの製造方法である。

【００２６】本発明の請求項１４に記載の発明は、珪酸
ガラス層がホウ珪酸ガラス層であることを特徴とする請
求項９または請求項１０のいずれかに記載の磁気ヘッド
の製造方法である。

【００２７】以下、本発明の実施の形態について図面を
用いて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。

【００２８】（実施の形態１）図１に本発明による薄膜
積層型ヘッドの実施の形態１におけるテープ摺動面の拡
大図を示す。従来の薄膜積層型ヘッドと同様に、飽和磁
束密度の高いＣｏＣｒＮｂ層のような金属磁性膜２とＳ
ｉＯ２等の絶縁層３を交互に積層した磁気コアの両側を
非磁性基板１で狭持して得られた一対のヘッドコア半体
が、ギャップ材料を介して接合されている。本発明の薄
膜積層型ヘッドのギャップ材料として、平滑に研磨され
たギャップ面上にＡｌ２Ｏ３から成る下地層２９、ホウ
珪酸ガラスから成るＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化
物層３０、低融点結晶化ガラス３６がこの順に形成され
ている。低融点結晶化ガラスとしては、軟化点４４５℃
（η＝１０の７．６乗ｄＰａ・ｓ）、作業点５３５℃
（η＝１０の４乗ｄＰａ・ｓ）の特性を有する結晶性は
んだガラスを用いた。

【００２９】本発明の薄膜積層型ヘッドの実施の形態１
における製造方法を図２〜図７に示すが、図５、図６に
示すようにギャップ面を平滑に研磨した後、Ａｌ２Ｏ３
から成る下地層２９、ホウ珪酸ガラスから成るＳｉＯ２
を主成分とする非磁性酸化物層３０、低融点結晶化ガラ
ス３６をこの順に形成する以外は、図１７〜図２２に示
した従来の製造方法と基本的には同様の手順で製造でき
る。各ヘッドコアのギャップ面を突き合わせた後の加熱
処理温度は、結晶性半田ガラスの軟化点と作業点の間の
５１０℃とした。

【００３０】（実施の形態２）図８に本発明によるＭＩ
Ｇヘッドの実施の形態２におけるテープ摺動面の拡大図
を示す。従来のＭＩＧヘッドと同様に、強磁性酸化物３
７、飽和磁束密度の高いＦｅＴａＮ層のような金属磁性
膜２１、ギャップ材料から成る一対のヘッドコア半体２
２が低融点ガラスである鉛ガラス２４によって接合され
ている。本発明のＭＩＧヘッドのギャップ材料として金
属磁性膜２１上に、Ａｌ２Ｏ３から成る下地層２９、ホ
ウ珪酸ガラスから成るＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸
化物層３０、低融点結晶化ガラス３６がこの順に形成さ
れている。

【００３１】本発明のＭＩＧヘッドの製造方法の実施の
形態２を図９〜図１４に示すが、図１２に示すようにフ
ェライトコア３１のギャップ面３５を含む領域に金属磁
性膜２１を形成した後、Ａｌ２Ｏ３から成る下地層２
９、ホウ珪酸ガラスから成るＳｉＯ２を主成分とする非
磁性酸化物層３０、低融点結晶化ガラス３６をこの順に
形成する以外は、図２６〜図３１に示した従来の製造方
法と基本的には同様の手順で製造できる。

【００３２】このように実施の形態１、実施の形態２に
おける磁気ヘッドでは、下地層としてＡｌ２Ｏ３を用い
たが、Ａｌ２Ｏ３に限られることはなく、Ｃｒ２Ｏ３、
ＣｒＮ、Ｔａ２Ｏ５等の材料を用いても良い。低融点結
晶化ガラスとしては、加熱処理時の金属磁性膜の特性劣
化を避けるためにも、軟化点５００℃以下のガラスを用
いるのが好ましい。また、実施の形態２において、強磁
性酸化物としてフェライトを用いたが、これに限られる
ことはなく、他の強磁性酸化物を用いても良い。また、
一対のヘッドコア半体の少なくとも一方の強磁性酸化物
のギャップ対向面上に金属磁性層が形成され、その上に
下地層等のギャップ材料が形成されている構成でも良
い。金属磁性膜として実施の形態１の薄膜積層型ヘッド
ではＣｏ系アモルファス合金膜を、実施の形態２のＭＩ
ＧヘッドではＦｅＴａＮ膜を用いたが、これらの材料に
限られることはなく、薄膜積層型ヘッドでＦｅＴａＮ膜
を、またＭＩＧヘッドでＣｏ系アモルファス合金膜を用
いても良く、センダスト、ＦｅＧａＳｉＲｕ等のその他
の金属磁性膜も同様に使用できる。また、下地層上にホ
ウ珪酸ガラスから成るＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸
化物層を形成したが、これに限ることはなく、ＳｉＯ２
を主成分とする非磁性層であれば良い。非磁性層として
は、例えばＳｉＯ２ガラス層、アルミノ珪酸ガラス層、
ソーダライム珪酸ガラス層等のＳｉＯ２を骨格成分とす
るガラスを用いることが好ましい。これは、ギャップ材
料全体の硬度が大きくなりすぎると、例えば金属蒸着
（ＭＥ）テープ等のメタルテープを長時間走行させた時
にギャップ材料が金属磁性膜より突出した偏摩耗が生
じ、ヘッド出力を低下させるからである。

【００３３】

【実施例】次に、本発明の具体例を示す。

【００３４】（実施例１）図１に示したような構造を有
する薄膜積層型ヘッドを、図２〜図７に示したような工
程に従って製造した。非磁性基板としてはチタン酸カル
シウム、金属磁性膜としてはＣｏ系アモルファス合金、
絶縁層としてＳｉＯ２、接着ガラス層として結晶化ガラ
スを用いた。また、ギャップ面には膜厚５ｎｍのＡｌ２
Ｏ３下地層、膜厚５０ｎｍのホウ珪酸ガラス、膜厚２５
ｎｍの低融点結晶化ガラスを順次形成した。

【００３５】（実施例２）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と
同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００３６】（実施例３）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例１と
同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００３７】（実施例４）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を２０ｎｍとした以外は、実施例１と
同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００３８】（実施例５）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を２５ｎｍとした以外は、実施例１と
同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００３９】（実施例６）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を３０ｎｍとした以外は、実施例１と
同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００４０】次に、本発明の比較例を示す。

【００４１】（比較例１）ギャップ面にＡｌ２Ｏ３下地
層を形成せずに、膜厚５０ｎｍのホウ珪酸ガラス、膜厚
２５ｎｍの低融点結晶化ガラスを順次形成した以外は、
実施例１と同様にして薄膜積層型ヘッドを作製した。

【００４２】次に、本発明の別の具体例を示す。

【００４３】（実施例７）図８に示したような構造を有
するＭＩＧヘッドを、図９〜図１４に示したような工程
に従って製造した。強磁性酸化物としてはＭｎ−Ｚｎフ
ェライト、金属磁性膜としてはＦｅＴａＮ膜を用いた。
また、ギャップ面には膜厚５ｎｍのＡｌ２Ｏ３下地膜、
膜厚５０ｎｍのホウ珪酸ガラス、膜厚２５ｎｍの低融点
結晶化ガラスを順次形成した。

【００４４】（実施例８）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例７と
同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００４５】（実施例９）ギャップ面に形成するＡｌ２
Ｏ３下地層の膜厚を１５ｎｍとした以外は、実施例７と
同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００４６】（実施例１０）ギャップ面に形成するＡｌ
２Ｏ３下地層の膜厚を２０ｎｍとした以外は、実施例７
と同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００４７】（実施例１１）ギャップ面に形成するＡｌ
２Ｏ３下地層の膜厚を２５ｎｍとした以外は、実施例７
と同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００４８】（実施例１２）ギャップ面に形成するＡｌ
２Ｏ３下地層の膜厚を３０ｎｍとした以外は、実施例７
と同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００４９】次に、本発明の別の比較例を示す。

【００５０】（比較例２）ギャップ面にＡｌ２Ｏ３下地
層を形成せずに、膜厚５０ｎｍのホウ珪酸ガラス、膜厚
２５ｎｍの低融点結晶化ガラスを順次形成した以外は、
実施例７と同様にしてＭＩＧヘッドを作製した。

【００５１】以上の各実施例および各比較例で得られた
磁気ヘッドチップについて、図３２に示すように磁気ヘ
ッドチップ４０を二つの支柱４１で支え、二つの支柱４
１の中央に荷重Fをかけて、磁気ヘッドチップのギャッ
プ接合面が破壊する時の応力を測定して、磁気ヘッドチ
ップ強度を評価した。

【００５２】比較例で得られた薄膜積層型ヘッドおよび
ＭＩＧヘッドの磁気ヘッドチップ強度を１とした時の本
発明における磁気ヘッドのチップ強度を（表１）に各々
示す。

【００５３】

【表１】 （表１）から明らかなように、ホウ珪酸ガラスの下地層
にＡｌ２Ｏ３層を用いた本発明の磁気ヘッドチップ強度
は大幅に向上していることがわかる。また、その磁気ヘ
ッドチップ強度はＡｌ２Ｏ３下地層の膜厚と関係があ
り、Ａｌ２Ｏ３下地層の膜厚が１０ｎｍを超えると低下
する傾向にあることがわかる。磁気ヘッドチップ強度試
験にて破壊した面を分析すると、Ａｌ２Ｏ３下地層を形
成していない磁気ヘッドの場合はホウ珪酸ガラス形成面
とホウ珪酸ガラスの界面で剥離破壊していることが判明
した。一方、Ａｌ２Ｏ３下地層を形成した本発明の磁気
ヘッドの場合は、Ａｌ２Ｏ３形成面とＡｌ２Ｏ３膜の界
面で剥離破壊していることが判明した。従って、Ａｌ２
Ｏ３下地層を形成することによって、ホウ珪酸ガラス形
成面とホウ珪酸ガラスの付着強度以上の強度が得られ、
磁気ヘッドチップ強度が向上したことがわかる。しか
し、ホウ珪酸ガラスの下地層としてのＡｌ２Ｏ３の膜厚
が増加するとＡｌ２Ｏ３下地層内部の応力が増加し、Ａ
ｌ２Ｏ３下地層とＡｌ２Ｏ３下地層形成面との付着強度
が急に劣化するために、Ａｌ２Ｏ３下地層の膜厚が大き
いと磁気ヘッドチップ強度が低下すると考えられる。従
って、下地層の膜厚は１０ｎｍ以下が望ましい。

【００５４】また上記実施例では、ホウ珪酸ガラス層の
膜厚を５０ｎｍとしたが、この膜厚が小さすぎると、低
融点結晶化ガラスの相互拡散による金属磁性膜の表面酸
化が発生する。これは、Ａｌ２Ｏ３下地層による低融点
結晶化ガラスと金属磁性膜の拡散反応防止効果が非常に
小さく、主としてホウ珪酸ガラスが拡散防止の役割を果
たしているが、ホウ珪酸ガラス層の膜厚が薄くなると低
融点結晶化ガラスと金属磁性膜の拡散反応防止効果が小
さくなるためと考えられる。従って、金属磁性膜の表面
酸化防止のためには、ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸
化物層の膜厚は３０ｎｍ以上が好ましい。

【００５５】なお、上記実施例では金属磁性膜上に形成
する下地層をＡｌ２Ｏ３としたが、本発明の磁気ヘッド
およびその製造方法はこれに限ることはなく、Ｃｒ２Ｏ
３、ＣｒＮ、Ｔａ２Ｏ５のうちの一種類から構成しても
同様の効果が得られる。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明の磁気ヘッドおよび
その製造方法によれば、従来の磁気ヘッドで課題であっ
たギャップ近傍における割れやクラックを低減すること
が可能となる。また薄膜積層型ヘッドで、ギャップ強度
向上のために必要であったモールドガラスの量を大幅に
減少、あるいはゼロとすることが可能となり、その結
果、各材料の摩耗特性の違いに起因した偏摩耗によって
記録再生特性が劣化するという問題が解決でき、信頼性
の高いヘッドの供給が可能となる。一方ＭＩＧヘッドに
おいても接合されているギャップの強度が向上したため
に、対摩耗性の良好な高融点ガラスの圧入が可能とな
り、薄膜積層型ヘッドの場合と同様に、偏摩耗による記
録再生特性の劣化のない、信頼性の高いヘッドが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドのテープ摺動面を示す拡大図

【図２】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図３】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図４】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図５】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図６】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図７】本発明の実施の形態１における薄膜積層型ヘッ
ドの製造方法を示す斜視図

【図８】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッドの
テープ摺動面を示す拡大図

【図９】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッドの
製造方法を示す斜視図

【図１０】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッド
の製造方法を示す斜視図

【図１１】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッド
の製造方法を示す斜視図

【図１２】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッド
の製造方法を示す拡大図

【図１３】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッド
の製造方法を示す拡大図

【図１４】本発明の実施の形態２におけるＭＩＧヘッド
の製造方法を示す拡大図

【図１５】従来の薄膜積層型ヘッドの構造を示す斜視図

【図１６】従来の薄膜積層型ヘッドのテープ摺動面を示
す拡大図

【図１７】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図１８】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図１９】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図２０】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図２１】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図２２】従来の薄膜積層型ヘッドの製造方法を示す斜
視図

【図２３】従来の薄膜積層型ヘッドの要部を示す拡大図

【図２４】従来のＭＩＧヘッドの構造を示す斜視図

【図２５】従来のＭＩＧヘッドのテープ摺動面を示す拡
大図

【図２６】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す斜視図

【図２７】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す斜視図

【図２８】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す斜視図

【図２９】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す拡大図

【図３０】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す拡大図

【図３１】従来のＭＩＧヘッドの製造方法を示す拡大図

【図３２】磁気ヘッドチップ強度試験の概略を示す模式
図

【符号の説明】

１ 非磁性基板 ２、２１ 金属磁性膜 ３ 絶縁層 ５ 接着ガラス層 １１ 非磁性層 １２ 結晶化ガラス ２７、３０ 非磁性酸化物層 ２９ 下地層 ３１ フェライトコア ３６ 低融点結晶化ガラス ３７ 強磁性酸化物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山西 斉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D093 AA01 AD05 CA01 HB15 HC01 5D111 AA02 AA13 AA23 BB12 FF21 GG03 HH16 JJ34 KK07

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属磁性膜を形成したヘッドコアの磁気
   ギャップが、前記金属磁性膜上に下地層を形成し、その
   上に順次ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物と低融点
   結晶化ガラスを形成した三層構造のギャップ材で構成さ
   れていることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 金属磁性膜を一対の非磁性材料からなる
   基板で挟み込んだ薄膜積層型ヘッドであることを特徴と
   する請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 金属磁性膜が強磁性酸化物のギャップ対
   向面上に形成されたメタル・イン・ギャップ型ヘッドで
   あることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 下地層が、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃ
   ｒＮ、Ｔａ２Ｏ５のうちの一種からなることを特徴とす
   る請求項２または請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッ
   ド。
5. 【請求項５】 下地層の膜厚が１０ｎｍ以下であること
   を特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載
   の磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物層
   が珪酸ガラス層であることを特徴とする請求項２または
   請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 珪酸ガラス層がホウ珪酸ガラス層である
   ことを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに
   記載の磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 金属磁性膜を形成したヘッドコア半体の
   磁気ギャップ面に下地層とＳｉＯ２を主成分とする非磁
   性酸化物を順次形成する工程と、前記非磁性酸化物上に
   低融点結晶化ガラスを形成する工程と、両コア半体を磁
   気ギャップ面で突き合わせて熱処理を行い、前記低融点
   結晶化ガラスを溶融、結晶化させて磁気ギャップにおけ
   る機械的強度を高めたコアバーを作製する工程と、前記
   コアバーを所定のコア幅で切断し、磁気ヘッドチップを
   完成させる工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの
   製造方法。
9. 【請求項９】 金属磁性膜を一対の非磁性材料からなる
   基板で挟み込んだ薄膜積層型ヘッドであることを特徴と
   する請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 金属磁性膜が強磁性酸化物のギャップ
    対向面上に形成されたメタル・イン・ギャップ型ヘッド
    であることを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドの製
    造方法。
11. 【請求項１１】 下地層が、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、
    ＣｒＮ、Ｔａ２Ｏ５のうちの一種からなることを特徴と
    する請求項９または請求項１０のいずれかに記載の磁気
    ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 下地層の膜厚が１０ｎｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれかに
    記載の磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 ＳｉＯ２を主成分とする非磁性酸化物
    層が珪酸ガラス層であることを特徴とする請求項９また
    は請求項１０のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方
    法。
14. 【請求項１４】 珪酸ガラス層がホウ珪酸ガラス層であ
    ることを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれ
    かに記載の磁気ヘッドの製造方法。