JPH06325316A

JPH06325316A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH06325316A
Application number: JP11593993A
Authority: JP
Inventors: Tomio Kobayashi; 富夫小林; Toshinobu Watanabe; 利信渡辺; Tadashi Saito; 正斎藤; Shinji Takahashi; 伸司高橋
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-05-18
Filing date: 1993-05-18
Publication date: 1994-11-25

Abstract

(57)【要約】【目的】金属磁性膜を形成する基板の段差によって生
ずる該金属磁性膜の磁気特性の劣化を防止すると共に、
狭トラック化した場合でも磁気コアの飽和を抑制し高出
力化を図る。【構成】磁気記録媒体が摺接する摺接部３ａ，４ａが
非磁性材料Ｎよりなりバック部３ｂ，４ｂが磁性材料Ｍ
よりなる第１の基板３，４と、金属磁性膜１，２が一主
面に形成された非磁性材料Ｎよりなる第２の基板５，６
とによって、該金属磁性膜１，２をその膜厚方向より挟
み込んでなる一対の磁気コア半体７，８を、その突合わ
せ面に呈する金属磁性膜１，２の端面同士を突合わせ接
合一体化してなる磁気ヘッドにおいて、上記第１の基板
３，４の摺接部３ａ，４ａとバック部３ｂ，４ｂを低温
熱拡散接合により接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ等に搭載される磁気ヘッドに関し、特に高密度磁
気記録用ヘッドとして最適な磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、磁気記録の分野においては、高
周波特性に優れる高密度磁気記録用の磁気ヘッドとして
金属磁性薄膜を絶縁膜を介して何層にも積層してなる積
層メタル膜ヘッドの開発が行われている。かかる磁気ヘ
ッドとしては、例えば膜厚の薄い金属磁性薄膜を絶縁膜
を介して何層にも積層してなる積層メタル膜を一対の磁
気コア基板によって挾み込んで作製される磁気コア半体
同士を、上記積層メタル膜の端面同士を突き合わせて融
着ガラスにより接合一体化することにより構成される。

【０００３】一般に、この種の磁気ヘッドにおいては、
積層メタル膜の膜厚を磁気ギャップのトラック幅とする
ことから、上記磁気コア基板にはセラミックスや結晶化
ガラス等の非磁性材料よりなる基板が用いられる。

【０００４】しかしながら、かかる磁気ヘッドにおい
て、さらなる高密度記録を達成するためにトラック幅を
狭くして行くと、磁路を構成するコア断面積の減少によ
ってヘッド効率が劣化する。

【０００５】このため、従来においては、コア断面積の
確保によってヘッド効率の劣化を防止すべく、磁気コア
基板に磁性フェライトを使用する方法と磁性フェライト
と非磁性材料とを接合してなる接合基板を用いることが
提案されている。これらの方法によれば、狭トラック化
した場合でも、磁性フェライトによってコア断面積が充
分に確保されることから、非磁性基板を用いた磁気ヘッ
ドに比べてヘッド効率の劣化を抑制することができる。

【０００６】このうち、磁性フェライトよりなる基板を
用いて積層メタル膜ヘッドを作成しようとした場合、ト
ラック幅を規制するための切削工程が必要となるため、
製造工程が煩雑化する。また、トラック幅を機械加工に
よって出すため、狭トラック化すればする程寸法精度を
出し難くなる。

【０００７】一方、磁性フェライトよりなる基板と非磁
性材料よりなる基板を接合してなる接合基板を用いた場
合には、先の磁性フェライトを用いた場合に比べてトラ
ック幅規制をする必要がないため、トラック幅出しのた
めの高精度な切削加工及び煩雑な工程を行う必要がな
い。したがって、かかる接合基板を用いた方が、製造工
程上有利である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁性フェラ
イト基板と非磁性基板を接合する方法としては、金属膜
成膜後の基板ラミネートやギャップ接合時の加熱によっ
ても接合強度の劣化が発生しないことが要求されること
から、高温の加熱によっても強度の劣化がない低温熱拡
散金属接合が一般に使用されている。低温熱拡散金属接
合は、磁性フェライト基板と非磁性基板の接合面にそれ
ぞれＣｒ等の下地膜を成膜した後、この上にＡｕ等の金
属膜を成膜し、これら金属膜同士を突合わせ、所定加圧
を加えながら低温加熱することにより、当該金属膜の熱
拡散により接合一体化するものである。

【０００９】しかしながら、低温熱拡散金属接合法を使
用した場合には、金属膜を成膜する接合基板の成膜面を
ポリッシング等の方法を用いて鏡面加工すると、接合部
分に１０〜２０ｎｍ程度の段差が発生する。したがっ
て、この段差のある成膜面に金属磁性材料をスパッタリ
ングすると、成膜された金属磁性膜の連続性が段差部に
て分断され、当該金属磁性膜の磁気特性が劣化する。

【００１０】そこで本発明は、かかる従来の技術的な実
情に鑑みて提案されたものであって、金属磁性膜の磁気
特性の劣化を防止し、且つ磁気コアの飽和を抑制できる
高出力な磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、磁気記録媒体が摺接する摺接部が非磁
性材料よりなりバック部が磁性材料よりなる第１の基板
と、金属磁性膜が一主面に形成された非磁性材料よりな
る第２の基板とによって、該金属磁性膜をその膜厚方向
より挟み込んでなる一対の磁気コア半体を、その突合わ
せ面に呈する金属磁性膜の端面同士を突合わせ接合一体
化してなる磁気ヘッドにおいて、上記第１の基板の摺接
部とバック部が低温熱拡散金属接合により接合一体化さ
れていることを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明に係る磁気ヘッドにおいては、金属磁性
膜は非磁性材料よりなる単一基板の平坦な主面に形成さ
れているので、段差上に成膜されることによる金属磁性
膜の磁気特性の劣化が発生しない。また、この金属磁性
膜をその厚み方向から挾み込む基板が、磁気記録媒体と
摺接する摺動部が非磁性材料よりなりバック部が磁性材
料よりなる接合基板とされているので、このバック部の
磁性材料により磁気コア断面積が確保され、ヘッド効率
の低下が抑制される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ヘッドは、図１に示すように、金属磁性膜１，２がそ
の膜厚方向より第１の基板３，４と第２の基板５，６に
よって挟み込まれてなる一対の磁気コア半体７，８から
なり、これら磁気コア半体７，８が上記金属磁性膜１，
２の端面同士を突合わせるようにして融着ガラス９によ
り接合一体化されて構成されている。

【００１４】上記磁気コア半体７，８は、主コアとなる
金属磁性膜１，２とこれを膜厚方向より挾み込む補助コ
アとなる第１の基板３，４と第２の基板５，６とから構
成され、該第２の基板５，６の一主面に被着形成される
金属磁性膜１，２を挾み込むようにして第１の基板３，
４が積層されることにより接合一体化されている。

【００１５】上記金属磁性膜１，２は、図３に磁気記録
媒体摺動面を拡大して示すように、高周波特性を向上さ
せる目的で膜厚の薄い磁性金属薄膜１ａ，１ｂ及び２
ａ，２ｂを絶縁膜１０ｂ，１１ｂを介して何層にも積層
してなる積層メタル膜とされている。そして、上記第２
の基板５，６と磁性金属薄膜１ａ，２ａとの界面には、
これらの付着力の向上並びに反応防止として機能する下
地膜１０ａ，１１ａが成膜されている。

【００１６】上記磁性金属薄膜１ａ，１ｂ及び２ａ，２
ｂには、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）やＦｅ
−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ、又はこれらにＯ，Ｎ等を添加した
結晶質磁性金属材料或いはＦｅ系又はＣｏ系の微結晶磁
性金属材料よりなる膜がいずれも使用できる。ここでの
磁性金属薄膜１ａ，１ｂ及び２ａ，２ｂの膜厚は、渦電
流損失の回避という観点から１層当たりの膜厚を２〜５
μｍとすることが望ましい。

【００１７】そして、上記絶縁膜１０ｂ，１１ｂには、
例えばＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜やＳｉ₃Ｎ₄
等の窒化物膜等が使用される。上記絶縁膜１０ｂ，１１
ｂの膜厚としては、例えば０．１〜０．３μｍ程度が好
ましい。

【００１８】一方、下地膜１０ａ，１１ａには、磁性金
属薄膜１ａ，２ａと第２の基板５，６との付着力を高め
る必要性から、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金
属膜及びそれらの合金膜或いはそれらを組合わせた積層
膜等が使用される。

【００１９】なお、本実施例では、磁性金属薄膜１ａ，
１ｂ及び２ａ，２ｂにセンダスト、絶縁膜１０ｂ，１１
ｂにＳｉＯ₂、下地膜１０ａ，１１ａにＳｉＯ₂よりな
る膜を使用した。そのときの膜厚は、トラック幅を５μ
ｍとするために、１層当たりの磁性金属薄膜１ａ，１
ｂ，２ａ，２ｂを２．４μｍ、絶縁膜１０ｂ，１１ｂを
０．２μｍ、下地膜１０ａ，１１ａを５０ｎｍとした。

【００２０】上記第１の基板３，４は、磁気記録媒体と
摺接する摺接部３ａ，４ａが非磁性材料Ｎよりなり、そ
の他の部分であるバック部３ｂ，４ｂが磁性材料Ｍから
なっている。摺接部３ａ，４ａとバック部３ｂ，４ｂ
は、本実施例では磁気ギャップｇのデプスを規制しコイ
ルを巻装するための巻線溝１２，１３の傾斜面１２ａ，
１３ａの中途部位置で接合一体化されている。

【００２１】これら摺接部３ａ，４ａとバック部３ｂ，
４ｂとは、図２にその接合部分を拡大して示すように、
下地膜１４ａ，１４ｂ上に成膜された金属膜１５同士の
低温熱拡散によって接合一体化されている。低温熱拡散
接合法は、摺接部３ａ，４ａとバック部３ｂ，４ｂの突
合わせ面にそれぞれ金属膜１５の付着力の向上或いは反
応防止等を目的として設けられる下地膜１４ａ，１４ｂ
の上に、例えばＡｕよりなる金属膜１５を成膜し、これ
ら金属膜１５４同士を所定の圧力を持って突合わせ、こ
れに加熱（低温）を加えることで、上記金属膜１５同士
の熱拡散により接合一体化を図る手法である。

【００２２】なお、図２には一方の磁気コア半体７のみ
を示してあるが、他方の磁気コア半体８も同様の構成で
ある。

【００２３】上記金属膜１５には、例えばＡｕ，Ｐｂ，
Ａｇ，Ｐｔ等の貴金属よりなる膜がいずれも使用でき
る。一方、下地膜１４ａ，１４ｂには、ＳｉＯ₂，Ｔａ
₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜或いはそれらを組合わせた
積層膜等が使用できる。本実施例では、摺接部３ａ，４
ａとバック部３ｂ，４ｂの接合界面にそれぞれ０．１μ
ｍ厚のＣｒよりなる膜を成膜した後、０．１μｍ厚のＡ
ｕよりなる膜を成膜した。

【００２４】なお、上記摺接部３ａ，４ａに用いられる
非磁性材料Ｎには、例えばＣａＴｉＯ₃，ＺｒＯ₂，Ｂ
ａＴｉＯ₂等のセラミックス或いは結晶化ガラス、非磁
性フェライト等が挙げられる。一方、バック部３ｂ，４
ｂに用いられる磁性材料Ｍには、磁性フェライト等が用
いられる。

【００２５】一方、第２の基板５，６は、磁気記録媒体
と摺接する摺接部からバック部に至るまで全て非磁性材
料Ｎからなっている。この第２の基板５，６には、例え
ばＣａＴｉＯ₃，ＺｒＯ₂，ＢａＴｉＯ₂等のセラミッ
クス或いは結晶化ガラス、非磁性フェライト等よりなる
基板がいずれも使用できる。そして、この第２の基板
５，６の主面に先に述べた金属磁性膜１，２が成膜され
ている。

【００２６】このような構成とされた第１の基板３，４
と第２の基板５，６は、図３にその接合部分を拡大して
示すように、Ｃｒよりなる下地膜１６ａ，１６ｂ及び１
７ａ，１７ｂを介して低融点ガラスをスパッタリングし
てなるガラス膜１８，１９によって接合一体化されてい
る。上記ガラス膜１８，１９には、ガラスをスパッタリ
ングして作成されたもの以外に、スピンコーティング等
によって塗布されたフリットガラスよりなる膜が使用で
きる。上記下地膜１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂに
は、磁性金属薄膜１ｂ，２ｂ又はフェライト（第１の基
板３，４のバック部３ｂ，４ｂ）とガラス膜１８，１９
との反応防止等を目的として、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等
の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｐ
ｔ等の金属膜或いはそれらを組合わせた積層膜等が使用
できる。

【００２７】本実施例では、磁性金属薄膜１ｂ，２ｂ上
と第１の基板３，４の主面にそれぞれ０．１μｍ厚のＣ
ｒ膜を成膜した後、０．２μｍ厚のＰｂ系低融点ガラス
をスパッタリングした。

【００２８】そして、上述のようにして構成された磁気
コア半体７，８は、互いの突合わせ面に呈する金属磁性
膜１，２の端面同士を図示しないギャップ膜を介して突
合わせ、融着ガラス９によりギャップ接合されることに
より接合一体化され、その金属磁性膜１，２の突合わせ
面間に記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップｇ
を構成するようになっている。また、この磁気ヘッドに
おいては、磁気記録媒体に対する当たりを確保するため
に磁気記録媒体と摺接する磁気記録媒体摺動面に段差が
設けられるとともに、巻線溝１２，１３に形成されたコ
イルの巻装状態を良好なものとなすためにこの巻線溝１
２，１３と相対向する位置に巻線補助溝２０，２１が形
成されている。なお、上記磁気コア半体７，８の接合強
度を確保するために、各磁気コア半体７，８のバック側
である突合わせ面には、ガラス溝２２，２３が形成され
ている。

【００２９】このようにして構成された磁気ヘッドにお
いては、主コアとなる金属磁性膜１，２と、補助コアと
なる第１の基板３，４のバック部３ｂ，４ｂに配された
磁性材料Ｍとによって閉磁路が構成されるため、上記磁
気ギャップｇのトラック幅を例えば１３μｍ以下と狭ト
ラック化（金属磁性膜１，２の膜厚を薄くする）しても
コア断面積の充分な確保により、ヘッド効力の低下を防
止することができる。また、金属磁性膜１，２は、鏡面
加工された段差のない平坦な成膜面を有する非磁性材料
Ｎよりなる第２の基板５，６上にスパッタリングによっ
て形成されるので、膜厚が一定で磁気特性に劣化が発生
することがない。さらに、第１の基板３，４の摺動部３
ａ，４ａとバック部３ｂ，４ｂを低温熱拡散接合によっ
て接合しているので、ガラススパッタ膜によるガラス接
合に比べて低温で接合が図れ、また高い接合力が得られ
ることから、当該バック部３ｂ，４ｂを構成する磁性フ
ェライトの磁気特性を劣化させることがない。したがっ
て、かかる磁気ヘッドによれば、高密度磁気記録媒体に
対しても良好に記録再生を行うことができる。

【００３０】次に、前述した図１に示す磁気ヘッドを製
造する方法について、以下工程順に従って図面を参照し
ながら説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、Ｃａ
ＴｉＯ₂等よりなる非磁性基板２４を用意し、この非磁
性基板２４の一主面２４ａをポリッシング加工等によっ
て鏡面加工する。

【００３１】次に、上記非磁性基板２４の一主面２４ａ
に、マスクスパッタを用いて必要最小限の面積に一対の
金属磁性膜２５，２６を帯状に所定間隔を持って平行と
なるように被着形成する。

【００３２】金属磁性膜２５，２６を形成するに際して
は、図４（ｂ）に示すように、非磁性基板２４との付着
力向上等のために、ＳｉＯ₂よりなる下地膜２７をその
膜厚が５０ｎｍとなるように形成した。そして、高周波
特性を向上させるために、金属磁性膜２５，２６は絶縁
膜２８を介して膜厚の薄いセンダストよりなる磁性金属
薄膜２５ａ，２５ｂ（一方の金属磁性膜２６は図示を省
略する。）を何層にも積層することにより形成した。本
実施例では、膜厚０．２μｍの絶縁膜２８を介して一層
当たりの膜厚２．４μｍの磁性金属薄膜２５ａ，２５ｂ
を２層重ねた。

【００３３】このように、成膜面が鏡面加工されて段差
のない平坦面上に金属磁性膜２５，２６が形成されるの
で、得られる金属磁性膜２５，２６はその膜厚が一定と
なり、段差による影響で磁気特性の劣化が生じない。

【００３４】次に、図５（ａ）に示すような長方形状を
なす非磁性基板２９を用意する。そして、この非磁性基
板２９の主面２９ａをポリッシング等によって鏡面加工
した後、図５（ｂ）に示すようにスパッタリングによっ
て金属膜３０を成膜する。その際、金属膜３０の付着力
の向上或いは反応防止等を目的として、Ｃｒよりなる下
地膜３１を成膜する。

【００３５】本実施例では、膜厚が０．１μｍとなるよ
うにＣｒを成膜した後、Ａｕを０．１μｍ厚となるよう
に成膜した。

【００３６】次に、図６（ａ）に示すように、上記非磁
性基板２９と接合一体化させるための磁性フェライト基
板３２を用意する。そして、この磁性フェライト基板３
２の主面３２ａを鏡面加工した後、この主面３２ａに、
図６（ｂ）に示すようにしてＣｒよりなる下地膜３３を
成膜し、その上に金属膜３４をスパッタリングによって
形成した。

【００３７】本実施例では、膜厚が０．１μｍとなるよ
うにＣｒを成膜した後、Ａｕを０．１μｍ厚となるよう
に成膜した。

【００３８】次いで、これら非磁性基板２９と磁性フェ
ライト基板３２を低温熱拡散接合法によって接合一体化
する。すなわち、これら非磁性基板２９と磁性フェライ
ト基板３２を、互いの金属膜３０，３４同士を突合わせ
面として図７（ａ）に示すように突合わせ、加圧しなが
ら加熱を行い基板接合を行う。このときの加圧条件は、
１０ＭＰａ以上とする。１０ＭＰａ以上とするのは、か
かる圧力でこれら基板の接合強度が飽和するからであ
る。なお、上限は基板が破損しない程度とする。一方、
加熱は、１５０℃〜３００℃とする。１５０℃で、これ
ら基板の接合強度が飽和するからである。上限を３００
℃とするのは、３００℃以上であると金属膜の磁気特性
が劣化するためである。本実施例では、加圧を１０ＭＰ
ａ，加熱を２００℃とした。

【００３９】この結果、互いの突合わせ面に形成された
金属膜３０，３４は、図７（ｂ）に示すように、互いに
熱拡散し、一体化される。これにより、非磁性基板２９
と磁性フェライト基板３２とが強固に接合一体化され
る。そして、接合一体化された接合基板３５の主面３５
ａをポリッシング等によって鏡面加工する。

【００４０】しかる後、図８（ａ）に示すように、非磁
性基板２４上の金属磁性膜２５，２６の上に、Ｃｒより
なる下地膜３８を成膜した後、Ｐｂ系の低融点ガラスを
スパッタリングしてガラス膜３９を成膜した。同様にし
て、図８（ｂ）に示すように、上記接合基板３５の主面
３５ａにＣｒよりなる下地膜３６を成膜した後、Ｐｂ系
の低融点ガラスをスパッタリングしてガラス膜３７を成
膜した。

【００４１】本実施例では、膜厚が０．１μｍとなるよ
うにＣｒを成膜した後、ガラスを０．２μｍ厚となるよ
うに成膜した。

【００４２】次に、非磁性基板２４と接合基板３５を、
図９（ａ）に示すように、互いの突合わせ面に形成され
たガラス膜３７，３９同士を突合わせ、圧着しながら５
００℃〜７００℃に加熱する。この結果、互いの突合わ
せ面に形成されたガラス膜３７，３９同士が図９（ｂ）
に示すように融合する。

【００４３】次に、この接合一体化された積層基板を、
作製する磁気ヘッドに付与するアジマス角と同じ角度を
持って図１０中線Ａ−Ａ´，線Ｂ−Ｂ´，線Ｃ−Ｃ´で
示す位置で切断する。次いで、フェライトの不要部分を
平面研削盤等を用いて除去した後、各磁気コア半体ブロ
ック４０，４１に、図１１及び図１２に示すようにコイ
ルを巻装するための巻線溝４２，４３とガラス融着する
際のガラス溝４４，４５をそれぞれの突合わせ面に形成
する。

【００４４】上記巻線溝４２，４３とガラス溝４４，４
５は、いずれも断面略コ字状をなす溝として形成する
が、巻線溝４２，４３の一方の側面４２ａ，４３ａは磁
気ギャップｇのデプスを規制するために傾斜面とする。
なお、巻線溝４２，４３の他方の側面４２ｂ，４３ｂ
は、傾斜面又は垂直面のいずれでもよい。

【００４５】次に、上記各磁気コア半体ブロック４０，
４１に、ブロックの接合強度を確保するためのガラス流
込み溝４６ａ，４６ｂ及び４７ａ，４７ｂを形成する。
かかるガラス流込み溝４６ａ，４６ｂ及び４７ａ，４７
ｂは、金属磁性膜２５，２６の両側であってこの金属磁
性膜２５，２６に近接した位置に、それぞれ断面略コ字
状をなす溝としてブロック全体に亘って形成する。

【００４６】次に、上記各磁気コア半体ブロック４０，
４１の突合わせ面であるギャップ形成面４０ａ，４１ａ
をポリッシング等によって鏡面加工する。

【００４７】そして、一方の磁気コア半体ブロック４０
のギャップ形成面４０ａ又は双方の磁気コア半体ブロッ
ク４０，４１のギャップ形成面４０ａ及び４１ａにギャ
ップ膜（図示は省略する。）を形成した後、図１５に示
すように、これら磁気コア半体ブロック４０，４１をト
ラック位置合わせしながら突合わせ、融着ガラス４８を
流し込みながらギャップ接合を行う。

【００４８】この結果、これら磁気コア半体ブロック４
０，４１は、融着ガラス４８によって接合一体化され、
金属磁性膜２５，２６の突合わせ面間に記録再生ギャッ
プとして動作する磁気ギャップｇが構成される。そし
て、融着ガラス４８によって接合一体化されたフェライ
トブロックに、巻線補助溝を形成した後、磁気記録媒体
摺動面に円筒研磨を行い当たり幅加工を施し、所定チッ
プ形状となるように切断する。

【００４９】この結果、図１に示す高密度記録媒体に対
して良好に記録再生が行える磁気ヘッドが完成する。

【００５０】そして本実施例では、上述の工程を経て作
製された磁気ヘッドの相対出力の周波数依存性を測定し
た。比較例として、金属磁性膜１，２をラミネートする
基板として、摺動部が非磁性材料でバック部が磁性フェ
ライトよりなる低温熱拡散接合してなる接合基板を用い
た磁気ヘッドの相対出力の周波数依存性も測定した。な
お、比較例の磁気ヘッドは、実施例の磁気ヘッドに対し
て金属磁性膜をラミネートする基板のみが異なり、その
他は全く同一である。その結果を図１６に示す。

【００５１】この結果からわかるように、積層金属膜を
スパッタリング等によって形成する基板に、セラミック
ス，結晶化ガラス等の単一基板を用いた本実施例の磁気
ヘッド（同図中線ａで示す。）では、低温熱拡散接合に
よって接合した接合基板を用いた磁気ヘッド（同図中線
ｂで示す。）に比べて、周波数全域に亘って相対出力が
高いことがわかる。すなわち、本実施例の磁気ヘッドで
は、高周波数領域でも高出力を得ることができる。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜をスパッタリン
グ等を用いて形成する基板に、セラミックス等の非磁性
材料よりなる単一の基板を用いているので、低温熱拡散
接合による金属接合部分の段差によって生じる金属磁性
膜の磁気特性の劣化を防止することができる。

【００５３】また、本発明の磁気ヘッドにおいては、こ
の金属磁性膜の上に重ね合わされる基板に、摺動部が非
磁性材料でバック部が磁性材料よりなる基板を低温熱拡
散接合した接合基板を用いているので、狭トラック化し
てもバック部の磁性材料によって磁気コア断面積が十分
に確保され、磁気コアの飽和を抑制することができる。
したがって、本発明の磁気ヘッドによれば、高出力化が
なされ、高密度記録媒体に対して良好に情報信号の記録
再生を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】図１の磁気ヘッドにおける第１の基板の接合部
分を拡大して示す要部拡大断面図である。

【図３】図１の磁気ヘッドにおける磁気記録媒体摺動面
部分を拡大して示す要部拡大断面図である。

【図４】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は非磁性基板に金属磁性膜を形成する工
程を示す斜視図であり、（ｂ）は金属磁性膜部分を拡大
して示す要部拡大正面図である。

【図５】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は接合基板作成のための非磁性基板の斜
視図であり、（ｂ）はこの非磁性基板に金属膜を成膜す
る工程を示す要部拡大正面図である。

【図６】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は接合基板作成のための磁性フェライト
基板の斜視図であり、（ｂ）はこの磁性フェライト基板
に金属膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図である。

【図７】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は非磁性基板と磁性フェライト基板を低
温熱拡散接合して接合基板を作成する工程を示す斜視図
であり、（ｂ）はその接合基板の接合部分を拡大して示
す要部拡大平面図である。

【図８】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は非磁性基板上に成膜された金属磁性膜
上にガラス膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図であ
り、（ｂ）は接合基板上にガラス膜を成膜する工程を示
す要部拡大正面図である。

【図９】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、（ａ）は金属磁性膜が形成された非磁性基板と
接合基板を接合する工程を示す斜視図であり、（ｂ）は
その接合部分を拡大して示す要部拡大正面図である。

【図１０】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、接合された積層基板を切断する工程を示す斜
視図である。

【図１１】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、一方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガ
ラス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１２】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、他方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガ
ラス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１３】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、一方の磁気コア半体ブロックにガラス流込み
溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１４】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、他方の磁気コア半体ブロックにガラス流込み
溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１５】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、ガラス融着工程を示す斜視図である。

【図１６】本実施例の磁気ヘッドと低温熱拡散接合によ
り非磁性基板と磁性基板を接合してなる接合基板によっ
て金属磁性膜をラミネートしてなる従来ヘッドの相対出
力特性を示す特性図である。

【符号の説明】

１，２・・・金属磁性膜１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ・・・磁性金属薄膜３，４・・・第１の基板３ａ，４ａ・・・摺接部３ｂ，４ｂ・・・バック部５，６・・・第２の基板７，８・・・磁気コア半体９・・・融着ガラス１２，１３・・・巻線溝１５，１８，１９・・・金属膜２０，２１・・・巻線補助溝２２，２３・・・ガラス溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋伸司東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体が摺接する摺接部が非磁性
材料よりなりバック部が磁性材料よりなる第１の基板
と、金属磁性膜が一主面に形成された非磁性材料よりな
る第２の基板とによって、該金属磁性膜をその膜厚方向
より挟み込んでなる一対の磁気コア半体を、その突合わ
せ面に呈する金属磁性膜の端面同士を突合わせ接合一体
化してなる磁気ヘッドにおいて、上記第１の基板の摺接部とバック部が低温熱拡散金属接
合により接合一体化されていることを特徴とする磁気ヘ
ッド。