JP2000029143A

JP2000029143A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP2000029143A
Application number: JP10191855A
Authority: JP
Inventors: Takashi Shiyouji; たか志荘司
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1998-07-07
Filing date: 1998-07-07
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】光検出器及び記録材料の分光感度特性がフラ
ットでなくても、記録材料の濃度を一定に保つことがで
きる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子５０から出射された光
ビームＬを記録材料Ａに照射すると共に、出射された光
ビームＬの一部を検出する光検出器５９を備え、光検出
器５９の出力を半導体レーザ素子５０にフィードバック
して光量制御を行う半導体レーザ装置において、記録材
料Ａの分光感度特性と、光検出器５９の分光感度特性の
双方に対応した分光透過率特性を有する光学フィルタ５
８ａを用いて光量調整を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
を用いた半導体レーザ装置に関し、特に光検出器及び記
録材料の分光感度特性に応じて記録材料への照射光量を
補正する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディジタルジオグラフィーシステム、Ｃ
Ｔ、ＭＲ等の医療用の画像を記録する各種画像記録装置
が実用化されている。この種の画像記録装置は、光源と
してレーザ光源を用いており、感光体として、例えばフ
ィルム上に熱現像感光材料をコーティングした記録材
料、又は汎用化されているハロゲン化銀・ゼラチン乳剤
等の湿式現像感光材料をコーティングした記録材料を用
いている。このような構成とすることにより、高解像度
の画像記録を可能にしている。しかし、レーザ光源から
の出力光を感度の高い記録材料に照射する場合は、感光
材料の感度の波長依存性が大きな問題となる。例えば、
半導体レーザ（以下ＬＤ：レーザダイオードと略記す
る）から出射されるレーザ光の波長は８００ｎｍ前後で
近赤外領或にあるため、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レー
ザ、或いは固体レーザと比較すると通常使用される記録
材料では感度が低くなる。

【０００３】このため、ＬＤをこの種の画像記録装置に
用いる場合は、記録材料を増感して使用することが多
い。しかし、たとえ増感を行っても画質の安定性や記録
材料の耐久性確保等の理由により分光感度を使用するレ
ーザ光波長域でフラットにすることができず、記録材料
は依然として波長依存性を呈することになる。この点に
関し、例えば特公昭６３−６０３８５号公報には、ＬＤ
の環境温度変化等によるレーザ光波長の変化に応じて光
量コントロールを行う半導体レーザ装置が開示されてい
る。これによれば、出射されるレーザ光をフォトダイオ
ード等の光検出器で検出してレーザ光源にフィードバッ
クすると共に、レーザ光の波長変化による記録材料の感
度変化をキャンセルする光学フィルタを光検出器の光路
前段に設け、常に適正な光量が記録材料に照射されるよ
うに補正している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
光検出器自体も分光感度特性を有しており、特に半導体
レーザであるＬＤに顕著なレーザ光源の波長変動が生じ
た場合、その波長変動域で光検出器の分光感度特性がフ
ラットでないために、実際の光量と検出値との間に差が
生じる。このように波長変動を有する光源を使用してい
る場合、光検出器の分光感度特性のために正確な光量制
御を行うことができないという問題があった。上記フィ
ードバック制御用の光検出器としては、シリコンフォト
ダイオードがよく用いられるが、このフォトダイオード
は一般的に赤外波長域で感度のピークを有する分光感度
特性を有している。そのため、ＬＤの光量検出に使用さ
れる波長域においても波長依存性を有するため、高精度
のフィードバック制御が困難となり、記録される画像に
濃度変動等の画質劣化が生じる。

【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、光検出器及び記録材料の分光感度特性がフ
ラットでなくても、記録材料の濃度を一定に保つことが
できる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子から出
射された光ビームを記録材料に照射すると共に、該出射
された光ビームの一部を検出する光検出器を備えた半導
体レーザ装置において、前記光検出器の分光感度特性と
前記記録材料の分光感度特性との双方に対応した分光透
過率特性を有する光学フィルタを用いて光量調整を行う
ことを特徴としている。

【０００７】この半導体レーザ装置では、半導体レーザ
素子から出射された光ビームをビームスプリッタにより
光路を分岐させ、分岐された光路の光量を光検出器によ
り検出し、該光検出器の出力を前記半導体レーザ素子に
フィードバックして光源の光量制御を行うと共に、記録
材料と光検出器の分光感度特性に対応した分光透過率特
性を有する光学フィルタを光路の途中に設けることで、
記録材料及び光検出器の分光感度特性に応じた画像様の
露光量を記録材料に照射することができる。

【０００８】請求項２の半導体レーザ装置は、前記光学
フィルタは、前記記録材料への照射光路から分岐された
前記光検出器への光路の前段に配置したことを特徴とし
ている。

【０００９】この半導体レーザ装置では、光検出器と記
録材料の分光感度特性に対応した光フィルタを介して光
量が検出されるため、検出された光量に基づいて正確に
光源をフィードバック制御することができる。

【００１０】請求項３の半導体レーザ装置は、前記光学
フィルタは、記録材料への照射光路上に配置したことを
特徴としている。

【００１１】この半導体レーザ装置では、光検出器と記
録材料の分光感度特性に対応した光フィルタを介して記
録材料に露光されるため、各分光感度特性に応じて光量
が制御された後に光ビームが記録材料に照射されること
になる。

【００１２】請求項４の半導体レーザ装置は、前記光検
出器の光路前段に配置した第１の光学フィルタと、記録
材料の照射光路上に配置した第２の光学フィルタとを備
え、第１の光学フィルタの分光透過率特性を光検出器の
分光感度特性に対応させると共に、第２の光学フィルタ
の分光透過率特性を記録材料の分光感度特性に対応させ
たことを特徴としている。

【００１３】この半導体レーザ装置では、第１の光学フ
ィルタにより光検出器の分光感度特性に応じて光量が調
整され、第２の光学フィルタにより記録材料の分光感度
特性に応じて光量が調整される。また、異なる分光感度
特性を有する記録材料に記録する際は、第２の光学フィ
ルタのみ交換することで対処できるため、予め用意する
光学フィルタの数を低減し、装置間での互換性を確保す
ることができる。

【００１４】請求項５の半導体レーザ装置は、前記半導
体レーザ素子は、波長が７００ｎｍ以下の赤色光を発す
ることを特徴としている。

【００１５】この半導体レーザ装置では、波長が７００
ｎｍ以下の赤色光で記録材料に露光することができる。

【００１６】請求項６の半導体レーザ装置は、前記光検
出器は、シリコンフォトダイオードにより光検出するこ
とを特徴としている。

【００１７】この半導体レーザ装置では、シリコンフィ
とダイオードにより安価で安定した光検出が行える。

【００１８】請求項７の半導体レーザ装置は、前記記録
材料は、パンクロ系感光材料であることを特徴としてい
る。

【００１９】この半導体レーザ装置では、パンクロ系感
光材料に対して記録することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体レーザ
装置の各実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明す
る。まず、本発明の半導体レーザ装置を画像記録装置に
組み込んだ第１実施形態を説明する。図１は本実施形態
の画像記録装置の概略構成図である。図示したように画
像記録装置１０は、湿式の現像処理を必要としない熱現
像感光材料又は感光感熱記録材料（以下、記録材料Ａと
する）を用い、レーザ光である光ビームＬによる走査露
光により記録材料Ａを像様露光して潜像を形成した後に
熱現像を行って可視像を得る装置である。

【００２１】この画像記録装置１０は、記録材料Ａの搬
送方向順に、記録材料供給部１２と、幅寄せ部１４と、
画像露光部１６と、熱現像部１８とから構成される。記
録材料供給部１２は、記録材料Ａを一枚ずつ取り出し
て、記録材料Ａの搬送方向の下流に位置する幅寄せ部１
４に供給する部分であり、装填部２２及び２４と、前記
各装填部に配置される吸盤２６及び２８を有する記録材
料供給手段並びに供給ローラ対３０及び３２と、搬送ロ
ーラ対３４及び３６と、搬送ガイド３８、４０及び４２
とを有して構成される。

【００２２】装填部２２及び２４は、記録材料Ａを収納
したマガジン１００を所定位置に装填する部位である。
図示の例では、２つの装填部２２及び２４を有してお
り、両装填部には、通常、サイズの異なる（例えば、Ｃ
ＴやＭＲＩ用の半切サイズと、ＦＣＲ（富士コンピュー
テッドラジオグラフィー）用のＢ４サイズ等）記録材料
Ａを収納するマガジン１００が装填される。各装填部
２２及び２４に配置される記録材料供給手段は、吸盤２
６及び２８によって記録材料Ａを吸着保持して、リンク
機構等の公知の移動手段で吸盤２６及び２８を移動する
ことによって記録材料Ａを搬送し、それぞれの装填部２
２及び２４に配置される供給ローラ対３０及び３２に供
給する。

【００２３】記録材料Ａとしては、熱現像記録材料、感
光感熱記録材料等があり、パンクロ系の記録材料が用い
られる。熱現像感光材料は、少なくとも１本のレーザビ
ームのような光ビームによって画像を記録（露光）し、
その後熱現像して発色させる記録材料である。また、感
光感熱記録材料は、少なくとも１本のレーザビームであ
る光ビームによって画像を記録（露光）し、その後熱現
像して発色させる、あるいは、レーザビームのヒートモ
ード（熱）によって画像を記録し、同時に発色させて、
その後光照射で定着する記録材料である。また、記録材
料Ａは、シート状に加工され、通常、１００枚等の所定
単位の積層体（束）とされ、袋体や帯等で包装されてパ
ッケージ８０とされている。

【００２４】供給ローラ対３０に供給された装填部２２
の記録材料Ａは、搬送ガイド３８，４０，４２に案内さ
れつつ搬送ローラ対３４，３６によって、また供給ロー
ラ対３２に供給された装填部２４の記録材料Ａは、搬送
ガイド４０，４２に案内されつつ搬送ローラ対３６によ
って、それぞれ下流の幅寄せ部１４に搬送される。

【００２５】幅寄せ部１４は、記録材料Ａを、搬送方向
と直交する方向（以下、幅方向とする）に位置合わせす
ることにより、下流の画像露光部１６における主走査方
向の記録材料Ａの位置合わせ、いわゆるサイドレジスト
を取って、搬送ローラ対４４によって記録材料Ａを下流
の画像露光部１６に搬送する部位である。幅寄せ部１４
におけるサイドレジストの方法には特に限定はなく、例
えば、記録材料Ａの幅方向の１端面と当接して位置決め
を行うレジスト板と、記録材料Ａを幅方向に押動して端
面をレジスト板に当接させるローラ等の押動手段とを用
いる方法や、前記レジスト板と、記録材料Ａの搬送方向
を幅方向で規制して同様にレジスト板に当接させる、記
録材料Ａの幅方向のサイズに応じて移動可能なガイド板
等とを用いる方法等、公知の方法が各種例示される。幅
寄せ部１４に搬送された記録材料Ａは、上記のように幅
方向に位置合わせされた後、搬送ローラ対４４によって
下流の画像露光部１６に搬送される。

【００２６】画像露光部１６は、光ビーム走査露光によ
って記録材料Ａを像様に露光する部位で、露光ユニット
４６と副走査搬送手段４８とを有して構成される。露光
ユニット４６は、図２に示すように記録画像に応じて変
調した光ビームＬを記録材料Ａの幅方向である主走査方
向ｂに偏向して、所定の記録位置Ｘに入射させる公知の
光ビーム走査装置に、詳細は後述するが、出射された光
ビームの光量に基づいてフィードバック制御を行うフィ
ードバック制御部７０を付加したものである。

【００２７】具体的には、記録材料Ａの分光感度特性に
応じた狭帯波長域の光ビームＬを射出する半導体レーザ
素子としてのＬＤ５０と、記録画像に応じてＬＤ５０を
パルス幅変調して駆動することで記録画像様に光ビーム
を出射させるドライバユニット５１と、ＬＤ５０から出
射された光ビームＬを整形するコリメータレンズ５２
と、フィードバック制御部７０への光路を分割するビー
ムスプリッタ５３と、光源５０から出射された光ビーム
の光量を検出し、検出された光量に基づいてフィードバ
ック制御を行うフィードバック制御部７０と、光偏向器
であるポリゴンミラー５４と、ｆθレンズ５５と、立ち
下げミラー５６とを有して構成される。ＬＤ５０は、好
ましくは赤色のレーザ（波長７００ｎｍ以下）を発する
もので、例えばＡｌＧａＩｎＰ等の半導体レーザ素子を
用いることができる。

【００２８】尚、露光ユニット４６には、これ以外に
も、ビームエキスパンダ、面倒れ補正光学系、光路調整
用ミラー等、公知の光ビーム走査装置に配置される各種
の部材が必要に応じて適宜配置されている。また、図示
の例ではモノクロの画像記録を行う装置で、露光ユニッ
ト４６は光源５０を１つのみ有するが、カラー画像の記
録に利用する際には、例えば、カラー感光材料のＲ
（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の分光感度特性に応じた
波長の光ビームを射出する３種の光源を有す露光ユニッ
トが用いられる。

【００２９】ドライバユニット５１は、記録画像に応じ
て光源５０をパルス幅変調して駆動し、記録画像に応じ
てパルス幅変調された光ビームＬを射出させる。ＬＤ５
０から射出された光ビームＬは、ポリゴンミラー５４に
よって主走査方向ｂに偏光され、ｆθレンズ５５によっ
て記録位置Ｘで結像するように調光され、立ち下げミラ
ー５６によって光路を変更されて記録位置Ｘに入射され
る。フィードバック制御部７０は、ビームスプリッタ５
３から分岐して導入される光ビームを集光する集光レン
ズ５７と、集光レンズ５７の光路後段に配置され所定の
分光透過率を有する光学フィルタ５８ａと、光学フィル
タ５８ａを通過した光ビームの光量を検出する光検出器
５９を備えて構成している。光検出器５９としては、例
えばシリコンフォトダイオードを用いることができる。
このシリコンフォトダイオードは、赤外波長域に感度ピ
ークがあり、入力される光の波長によって出力が変化す
ることになる。

【００３０】一方、副走査搬送手段４８は、記録位置Ｘ
（走査線）を挟んで配置される一対の搬送ローラ対６０
及び６２を有するものであり、搬送ローラ対６０及び６
２によって記録材料Ａを記録位置Ｘに保持しつつ、前記
主走査方向と直交する副走査方向（図２中の矢印ａ方
向）に搬送する。ここで、前述したように記録画像に応
じてパルス幅変調された光ビームＬは、主走査方向ｂに
偏向されているので、記録材料Ａは光ビームによって２
次元的に走査露光されて潜像が記録される。

【００３１】図示の例では、光源５０を直接変調してパ
ルス幅変調を行う構成であるが、本発明はこれ以外に
も、バルス数変調を行う装置にも利用可能であり、ま
た、パルス変調を行う装置であれば、ＡＯＭ（音響工学
変調器）等の外部変調器を用いた間接変調の装置にも利
用可能である。また、アナログ強度変調により画像記録
を行うようにしてもよい。

【００３２】画像露光部１６に搬送された記録材料Ａ
は、光ビーム走査されるレーザー光等によって露光さ
れ、記録材料Ａ上に潜像が形成された後、搬送ローラ６
４、６６等によって熱現像部１８へ搬送される。その
際、記録材料Ａは、塵埃除去ローラ１３２によって裏面
及び表面の塵埃が除去される。

【００３３】熱現像部１８は、記録材料Ａを加熱するこ
とにより、熱現像を行って潜像を可視像とする部位で、
加熱ドラム６８と、エンドレスベルト７０と、剥離爪７
２とを備えている。加熱ドラム６８は、ハロゲンランプ
等の加熱用光源やヒータ等の熱源を内蔵するドラムで、
その表面が記録材料Ａの熱現像温度に応じた温度に加熱
・保持されており、また、軸６８ａを中心に回転してエ
ンドレスベルト７０と共に記録材料Ａを挟持搬送する。

【００３４】エンドレスベルト７０は、ローラ７４ａ，
７４ｂ，７４ｃ，７４ｄの４つのローラに張架されて、
加熱ドラム６８に巻き掛けられるようにして押圧されて
いる。剥離爪７２は、記録材料Ａを加熱ドラム６８から
剥離するものであり、加熱ドラム６８による記録材料Ａ
の搬送に対応して、加熱ドラム６８に軽く当接、離脱す
るように構成される。搬送ローラ対６６によって熱現像
部１８に搬入された記録材料Ａは、エンドレスベルト７
０と、ローラ７６、７８とによって挟持搬送されて、加
熱ドラム６８とエンドレスベルト７０との間に搬入さ
れ、加熱ドラム６８の回転に応じて搬送されつつ、加熱
ドラム６８によって熱現像されて、露光によって記録さ
れた潜像が可視像となる。

【００３５】記録材料Ａの先端が剥離爪７２の近傍に搬
送されると、剥離爪７２が軽く加熱ドラム６８に当接し
て、加熱ドラム６８と記録材料Ａとの間に侵人し、記録
材料Ａを加熱ドラム６８から剥離する。剥離爪７２によ
って加熱ドラム６８から剥離された記録材料Ａは、装置
外に搬送されてトレイ７９に排出され、一回の記録作業
を終了する。

【００３６】次に、上記構成の画像記録装置における画
像露光部１６のフィードバック制御を詳細に説明する。
記録材料Ａの分光感度Ｓｆ（λ）は、記録材料Ａの種類
によって異なり、例えば図３(a)に示す波長依存性を有
している。また、光検出器５９の分光感度Ｓｄ（λ）も
図３(b)に示す波長依存性を有している。従って、一般
的に波長変動が比較的大きいとされるＬＤ５０において
は、光源５０からの光の波長が経時的に変化し、記録材
料Ａや光検出器の分光感度特性が光源の波長変動範囲で
フラットでないために、記録結果や検出結果にずれが生
じる。特に画像記録装置においては、このずれは記録画
像の品質に大きな影響を及ぼすことになる。

【００３７】そのため、本実施形態においては光学フィ
ルタ５８ａの分光透過率を、図３(c)に示すように記録
材料Ａの分光感度特性と光検出器５９の分光感度特性の
双方を考慮して設定している。即ち、光学フィルタ５８
ａの分光透過率Ｔ（λ）は、（１）式で表される特性を
備えている。Ｔ（λ）≒ｋ・Ｓｆ（λ）／Ｓｄ（λ）（１）ここで、λは波長であり、Ｓｆ（λ）は記録材料Ａの分
光感度であり、Ｓｄ（λ）は光検出器の分光感度であ
る。また、ｋは比例定数である。

【００３８】光源５０の波長λの変動範囲において、記
録材料Ａの分光感度は図３(a)に示すように短波長側で
は高く、長波長側では低くなっている。従って、波長変
動範囲における短波長側では感度が高くなるため、光源
５０の光量を減少制御する。一方、長波長側では感度が
低くなるため、光源５０の光量を増加制御する。これに
より、記録材料Ａの分光感度に応じた光ビームが記録材
料Ａに照射されることになる。また同時に、光検出器５
９からの出力信号は、光検出器５９の分光感度特性に基
づいて補正される。つまり、図３(b)によれば、波長変
動範囲における短波長側では感度が低くなり検出値が実
際より小さくなるため、光源５０の光量の補正量を通常
より増加させる。一方、長波長側では感度が高くなり検
出値が実際より大きくなるため、光源５０の光量の補正
量を通常より減少させる。これにより、検出器５９の分
光感度特性に応じて光源５０からの光量を正確に検出す
ることができ、以て、高精度のフィードバック制御が行
える。

【００３９】尚、光学フィルタ５８ａは、ビームスプリ
ッタ５３からの光軸に対し、所定角度θ傾けて配置され
ている。これは光学フィルタ５８からの反射光の戻りを
防止するためのもので、周知のように反射光がＬＤに戻
されると複合共振器が形成され特性が不安定となるた
め、これを防止するために傾斜させている。

【００４０】次に、フィードバック制御部の光学フィル
タを記録材料Ａの照射光路上に配置した第２実施形態を
説明する。図４は本実施形態の光学系を示した概念図で
ある。本実施形態においては、ビームスプリッタ５３と
ポリゴンミラー５４とを結ぶ光路上に、光学フィルタ５
８ｂを所定角度θ傾けて配置している。この場合の光学
フィルタ５８ｂの分光透過率Ｔ（λ）は、（２）式で表
される分光特性を備えている。Ｔ（λ）≒ｋ・Ｓｄ（λ）／Ｓｆ（λ）（２）

【００４１】まず、光検出器５９の分光感度特性の補正
について説明する。光検出器５９からの検出信号は光検
出器５９の分光感度特性に基づいた結果の光量信号であ
る。従って、図３(b)に示すように短波長側では光検出
器５９の感度が低くなるため、検出値は実際の光量より
小さくなる。そのため、光源５０は光量不足とみなされ
て光量の増加制御が行われる。ところが実際の光量は検
出値より大きいため、この増加分をキャンセルするため
に光フィルタ８５ｂの透過率を低く設定する。また、長
波長側では光検出器５９の感度が高くなるため、検出値
は実際の光量より大きくなり、光源５０は光量過多とみ
なされて光量の減少制御が行われる。ところが実際の光
量は検出値より小さいため、この減少分をキャンセルす
るために光フィルタ８５ｂの透過率を高く設定する。

【００４２】即ち、光学フィルタ５８ｂの分光透過率特
性を光検出器５９の分光感度特性と同じ特性にすること
で、光ビームを光検出器５９の分光感度特性に応じた光
量で記録材料Ａに照射することができる。

【００４３】次に、記録材料Ａの分光感度特性の補正に
ついて説明する。光源５０からの光ビームは記録材料Ａ
の分光感度特性を考慮しない光量で出射されている。従
って、図３(a)に示すように短波長側では記録材料Ａの
感度が高くなるため、光ビームをこのまま記録材料Ａに
照射すると過剰な記録濃度で記録される。そこで、光フ
ィルタ８５ｂの透過率を低く設定して露光量を制限す
る。また、長波長側では記録材料Ａの感度が低くなるた
め、記録濃度が不足する、そこで、光フィルタ８５ｂの
透過率を高く設定して露光量を相対的に増加させる。

【００４４】即ち、光学フィルタ５８ｂの分光透過率特
性を記録材料Ａの分光感度特性を逆転させた特性にする
ことで、光ビームを記録材料Ａの分光感度特性に応じた
光量で記録材料Ａに照射することができる。このような
光学フィルタの分光透過率特性とすることで、フィード
バック信号は波長依存性がキャンセルされていないが、
光学フィルタ５８ｂを通過させることにより、光検出器
５９及び記録材料Ａに対して波長に応じた光量に調光さ
れる。このため、光学フィルタ５８ｂを介して記録材料
Ａに照射される光は、結果的に記録材料Ａ及び光検出器
５９の分光感度特性に合致することになる。

【００４５】次に、フィードバック制御部の光学フィル
タを記録材料Ａの分光特性補正用と光検出器の分光特性
補正用とに分離して設けた第３実施形態を説明する。図
５は本実施形態の光学系を示した概念図である。本実施
形態においては、フィードバック制御部７０の集光レン
ズの光路後段に光検出器の分光特性補正用光学フィルタ
（第１の光学フィルタ）５８ｄを設けると共に、ビーム
スプリッタ５３とポリゴンミラー５４とを結ぶ光路上に
記録材料Ａの分光特性補正用光学フィルタ（第２の光学
フィルタ）５８ｃを設けている。この光検出器５９の分
光特性補正用光学フィルタ５８ｄの分光透過率特性は、
光検出器５９の分光感度特性と同じ特性に設定され、ま
た、記録材料Ａの分光特性補正用光学フィルタ５８ｃの
分光透過率特性は、記録材料Ａの分光感度特性と同じ特
性に設定されている。

【００４６】従って、本実施形態においては、記録材料
Ａ及び光検出器の分光感度特性に応じて記録材料Ａに照
射される光ビームの光量が補正され、常に入力された画
像情報を忠実に再現することができる。また、画像記録
装置が使用する記録材料Ａの分光感度特性に対応させる
には、単に記録材料Ａの分光特性補正用光学フィルタ５
８ｃを交換するだけでよい。このため、記録材料Ａの種
類に応じて予め用意する交換用の光学フィルタの種類を
極力減少させることができ、コスト低減が図れ画像記録
装置の調整作業をより簡便化することが可能となる。そ
して、異なる画像記録装置間でも記録材料Ａの分光特性
補正用光学フィルタは共用でき、汎用性を持たせること
ができる。上記各実施形態においては、ドライシステム
による記録装置を例に取り説明したが、本発明はこれに
限定されることなく、ウエットシステムによる記録装置
に対しても同様に適用することができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置によれば、光検出器の分光感度特性と、記録材
料の分光感度特性に対応した光学フィルタを光路の途中
に設けることにより、光検出器及び記録材料の分光感度
特性がフラットでなくても、光源からのレーザビームの
波長が変動した場合に光量制御を高精度に行うことがで
きる。以て、記録される画像品質を劣化させることなく
忠実に再現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザ装置が搭載された画像記
録装置の概略図である。

【図２】画像記録装置の画像露光部の概略図である。

【図３】光検出器及び記録材料の分光感度特性と光学フ
ィルタの分光透過率特性を説明する図である。

【図４】本発明の第２実施形態における光学系を示す概
略図である。

【図５】本発明の第３実施形態における光学系を示す概
略図である。

【符号の説明】

１６画像露光部４６露光ユニット５０ＬＤ５１ドライブユニット５２コリメータレンズ５３ビームスプリッタ５７集光レンズ５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ光学フィルタ５９光検出器７０フィードバック制御部Ａ記録材料 λ 光源の波長Ｓｆ（λ）記録材料の分光感度Ｓｄ（λ）光検出器の分光感度Ｔ（λ）光学フィルタの分光透過率

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザ素子から出射された光ビー
ムを記録材料に照射すると共に、該出射された光ビーム
の一部を検出する光検出器を備えた半導体レーザ装置に
おいて、前記光検出器の分光感度特性と前記記録材料の分光感度
特性との双方に対応した分光透過率特性を有する光学フ
ィルタを用いて光量調整を行うことを特徴とする半導体
レーザ装置。
【請求項２】前記光学フィルタは、前記記録材料への
照射光路から分岐された前記光検出器への光路の前段に
配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
装置。
【請求項３】前記光学フィルタは、記録材料への照射
光路上に配置したことを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置。
【請求項４】前記光検出器の光路前段に配置した第１
の光学フィルタと、記録材料の照射光路上に配置した第
２の光学フィルタとを備え、第１の光学フィルタの分光
透過率特性を光検出器の分光感度特性に対応させると共
に、第２の光学フィルタの分光透過率特性を記録材料の
分光感度特性に対応させたことを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザ装置。
【請求項５】前記半導体レーザ素子は、波長が７００
ｎｍ以下の赤色光を発することを特徴とする請求項１〜
請求項４のいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】前記光検出器は、シリコンフォトダイオ
ードにより光検出することを特徴とする請求項１〜請求
項５のいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】前記記録材料は、パンクロ系感光材料で
あることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１
項記載の半導体レーザ装置。