JP2000028298A - 半導体点火装置 - Google Patents
半導体点火装置Info
- Publication number
- JP2000028298A JP2000028298A JP11101728A JP10172899A JP2000028298A JP 2000028298 A JP2000028298 A JP 2000028298A JP 11101728 A JP11101728 A JP 11101728A JP 10172899 A JP10172899 A JP 10172899A JP 2000028298 A JP2000028298 A JP 2000028298A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- ignition
- layer
- support
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42B—EXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
- F42B3/00—Blasting cartridges, i.e. case and explosive
- F42B3/10—Initiators therefor
- F42B3/12—Bridge initiators
- F42B3/13—Bridge initiators with semiconductive bridge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Air Bags (AREA)
- Carpets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が簡単であり、高い点火効率を維持しつ
つ高い構造上の安定性が得られるような半導体点火装置
を形成する。 【解決手段】 半導体点火装置は熱絶縁層（１０４）か
らなる中間層を有する支持体（１０２）上にその一端側
で電気接点領域（１１４，１１６）に接続され、且つ点
火経路領域（１０８）に通電するとき点火を引き起こす
ように熱くなる半導体層（１０６）からなる、特に自動
車に乗っている人の防護装置用のガス発生装置用の半導
体点火装置において、支持体への半導体層の機械的に確
実な結合は、熱絶縁層を半導体層の点火経路領域上に限
定し、半導体層をその熱絶縁層を除いた端部分（１１
０，１１２）において直接支持体に結合することによっ
て達成される。
つ高い構造上の安定性が得られるような半導体点火装置
を形成する。 【解決手段】 半導体点火装置は熱絶縁層（１０４）か
らなる中間層を有する支持体（１０２）上にその一端側
で電気接点領域（１１４，１１６）に接続され、且つ点
火経路領域（１０８）に通電するとき点火を引き起こす
ように熱くなる半導体層（１０６）からなる、特に自動
車に乗っている人の防護装置用のガス発生装置用の半導
体点火装置において、支持体への半導体層の機械的に確
実な結合は、熱絶縁層を半導体層の点火経路領域上に限
定し、半導体層をその熱絶縁層を除いた端部分（１１
０，１１２）において直接支持体に結合することによっ
て達成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体点火装置に関
し、特に請求項１のプレアンブルに記載の自動車に乗っ
ている人の防護装置用ガス発生装置の半導体点火装置に
関する。
し、特に請求項１のプレアンブルに記載の自動車に乗っ
ている人の防護装置用ガス発生装置の半導体点火装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体点火装置は、熱線点火装
置とは対象的に、主にその本質的に低い妨害感受性(Sto
erempfindlichkeit)のためますます普及しつつあるもの
で、ＥＰ０７６２０７３Ａ１又はＵＳ５３０９８４１に
より既知のものであり、ｐ型又はｎ型にドーピングされ
た半導体層からなり、この半導体層は、電気的に絶縁さ
れた又は非導電性の支持体上の端部側に位置する接点部
分の間に位置しており、イオン化した半導体プラズマ(H
albleiterplasma)が発生している状態下に、電流が流れ
るとき、急激に熱くなり乃至は蒸発し、それによって点
火が大抵一次点火電荷(Primaerzuendladung)によりおこ
る。高い点火効率のため、その場合半導体層と支持体の
間に熱絶縁層を挿入することが必要とされる。しかし、
この熱絶縁層の挿入によって支持体に対する半導体層の
機械的な結合が悪くなり、半導体層が特に自動車を利用
しているときに発生する、熱的な又は動的な負荷の作用
を受けて剥がれ、それ故半導体点火装置は機能しなくな
る恐れがある。
置とは対象的に、主にその本質的に低い妨害感受性(Sto
erempfindlichkeit)のためますます普及しつつあるもの
で、ＥＰ０７６２０７３Ａ１又はＵＳ５３０９８４１に
より既知のものであり、ｐ型又はｎ型にドーピングされ
た半導体層からなり、この半導体層は、電気的に絶縁さ
れた又は非導電性の支持体上の端部側に位置する接点部
分の間に位置しており、イオン化した半導体プラズマ(H
albleiterplasma)が発生している状態下に、電流が流れ
るとき、急激に熱くなり乃至は蒸発し、それによって点
火が大抵一次点火電荷(Primaerzuendladung)によりおこ
る。高い点火効率のため、その場合半導体層と支持体の
間に熱絶縁層を挿入することが必要とされる。しかし、
この熱絶縁層の挿入によって支持体に対する半導体層の
機械的な結合が悪くなり、半導体層が特に自動車を利用
しているときに発生する、熱的な又は動的な負荷の作用
を受けて剥がれ、それ故半導体点火装置は機能しなくな
る恐れがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、製造
が簡単であり、高い点火効率を維持しつつ高い構造上の
安定性が得られるように上記した種類の半導体点火装置
を形成することである。
が簡単であり、高い点火効率を維持しつつ高い構造上の
安定性が得られるように上記した種類の半導体点火装置
を形成することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１に
おいて特徴付けられた半導体点火装置によって解決され
る。
おいて特徴付けられた半導体点火装置によって解決され
る。
【０００５】本発明によれば、支持体に対して直接ブリ
ッジ−端部分(Bruecken-Endabschnitte)を材料を同じに
して相応に堅固に結合することと関連して、半導体層の
点火経路領域(Zuendstreckenbereich)上に熱絶縁層を空
間的に限定することによって作用する負荷に関して最高
に安定な半導体層の支持が保証され、機能の信頼性が費
用のかかる付加の処置なしに著しく改善せしめられる。
それにもかかわらず点火経路領域の、高い点火効率のた
めに必要とされる熱からの保護が全面的に得られる。
ッジ−端部分(Bruecken-Endabschnitte)を材料を同じに
して相応に堅固に結合することと関連して、半導体層の
点火経路領域(Zuendstreckenbereich)上に熱絶縁層を空
間的に限定することによって作用する負荷に関して最高
に安定な半導体層の支持が保証され、機能の信頼性が費
用のかかる付加の処置なしに著しく改善せしめられる。
それにもかかわらず点火経路領域の、高い点火効率のた
めに必要とされる熱からの保護が全面的に得られる。
【０００６】特に好ましい本発明の構成において、請求
項２の記載にしたがって、半導体層が端部分において支
持体と一体に形成されており、それによって半導体層と
支持体の間のいっそう確実な結合が達成される。
項２の記載にしたがって、半導体層が端部分において支
持体と一体に形成されており、それによって半導体層と
支持体の間のいっそう確実な結合が達成される。
【０００７】同時に高い熱保護作用が働くとき更に安定
性を向上させるため、請求項３の記載にしたがって、熱
絶縁層が、多孔質の、点火経路領域において半導体層を
支持する材料で作ること、且つ請求項４の記載にしたが
って、支持材料それ自体が例えば電気化学的過程で局部
的に多孔質化されることによって製造的に簡単な方法で
作ることが望ましい。この場合請求項５の記載にしたが
って多孔質化した材料は、好ましくは絶縁層の熱伝導性
をさらに減少させるために酸化せしめられる。
性を向上させるため、請求項３の記載にしたがって、熱
絶縁層が、多孔質の、点火経路領域において半導体層を
支持する材料で作ること、且つ請求項４の記載にしたが
って、支持材料それ自体が例えば電気化学的過程で局部
的に多孔質化されることによって製造的に簡単な方法で
作ることが望ましい。この場合請求項５の記載にしたが
って多孔質化した材料は、好ましくは絶縁層の熱伝導性
をさらに減少させるために酸化せしめられる。
【０００８】しかし、任意に、請求項６の記載にしたが
って好ましくは、半導体層を点火経路領域において空白
になっているブリッジ構造として形成すること、即ち請
求項７の記載にしたがって合目的的に、先に多孔質化さ
れた絶縁材料がエッチング技術により除かれ、その結果
熱絶縁層として点火経路領域の下にある(untergreifend
er) 、空気が充填され、所望に応じて真空にされた中空
空間が生じ、それによって熱的点火エネルギー損失がい
っそう減じられるように半導体層を形成することも可能
である。
って好ましくは、半導体層を点火経路領域において空白
になっているブリッジ構造として形成すること、即ち請
求項７の記載にしたがって合目的的に、先に多孔質化さ
れた絶縁材料がエッチング技術により除かれ、その結果
熱絶縁層として点火経路領域の下にある(untergreifend
er) 、空気が充填され、所望に応じて真空にされた中空
空間が生じ、それによって熱的点火エネルギー損失がい
っそう減じられるように半導体層を形成することも可能
である。
【０００９】特に好ましい仕方で、半導体層は請求項８
の記載にしたがって温度上昇時に爆発的に燃焼する点火
強化剤(Zuendverstaerkungsmittel)によって囲まれ、そ
れによって比較的少ない温度水準に到達した後非電気的
な発生熱が点火過程のために利用できるようにされる。
請求項９の記載にしたがって点火強化剤が合目的的に少
ない点火遅れを考慮して半導体層上に薄膜の形態で被着
される。しかし、多孔質の絶縁層を利用するとき点火パ
ルスを増幅するために任意に又は付加的に請求項１０の
記載にしたがって多孔質絶縁層にガス状の又は金属を含
む点火強化剤を入れることも可能である。
の記載にしたがって温度上昇時に爆発的に燃焼する点火
強化剤(Zuendverstaerkungsmittel)によって囲まれ、そ
れによって比較的少ない温度水準に到達した後非電気的
な発生熱が点火過程のために利用できるようにされる。
請求項９の記載にしたがって点火強化剤が合目的的に少
ない点火遅れを考慮して半導体層上に薄膜の形態で被着
される。しかし、多孔質の絶縁層を利用するとき点火パ
ルスを増幅するために任意に又は付加的に請求項１０の
記載にしたがって多孔質絶縁層にガス状の又は金属を含
む点火強化剤を入れることも可能である。
【００１０】請求項１１の記載にしたがって半導体層は
特に複数の互いに平行な、互いに且つ支持体に対して熱
的に絶縁されたブリッジ・ウエブに分割され、それによ
って半導体層の上方に存在する点火電荷(Zuendladung)
のために大きな接触面を作るために有利である比較的大
きなブリッジ幅で、ブリッジ・ウエブの間に存在する中
間空間によって問題なく熱絶縁層をブリッジの下側に形
成することができる。
特に複数の互いに平行な、互いに且つ支持体に対して熱
的に絶縁されたブリッジ・ウエブに分割され、それによ
って半導体層の上方に存在する点火電荷(Zuendladung)
のために大きな接触面を作るために有利である比較的大
きなブリッジ幅で、ブリッジ・ウエブの間に存在する中
間空間によって問題なく熱絶縁層をブリッジの下側に形
成することができる。
【００１１】特に好ましい仕方で、請求項１２の記載に
したがって半導体層が遮断をする方向に働く、降伏電圧
を越えるとき点火をおこすように熱くなる、少なくとも
一つのｐ−ｎ接合を有する半導体要素として、即ち例え
ば一対のダイオードとして形成されている。これによっ
て半導体点火装置の妨害感受性はさらに減じられ、はっ
きりした短いシャープな点火パルスが得られる。
したがって半導体層が遮断をする方向に働く、降伏電圧
を越えるとき点火をおこすように熱くなる、少なくとも
一つのｐ−ｎ接合を有する半導体要素として、即ち例え
ば一対のダイオードとして形成されている。これによっ
て半導体点火装置の妨害感受性はさらに減じられ、はっ
きりした短いシャープな点火パルスが得られる。
【００１２】最後に請求項１３の記載にしたがって支持
体及び半導体層が種々にドーピングされたシリコン、例
えばシリコンウエハーの形態のシリコンからなる。
体及び半導体層が種々にドーピングされたシリコン、例
えばシリコンウエハーの形態のシリコンからなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て幾つかの実施の形態によって詳細に説明する。図面に
おいて図１は、本発明の半導体点火装置の略拡大平面図
である。図２は、図１に示すＩ−Ｉ線に沿った半導体点
火装置の断面図である。図３は、図２に相応して図示す
る、一体に成形された半導体ブリッジを有する半導体点
火装置の第２の実施の形態の略図である。図４は、数部
分よりなる半導体ブリッジを有する半導体点火装置の別
の実施の形態の略平面図である。
て幾つかの実施の形態によって詳細に説明する。図面に
おいて図１は、本発明の半導体点火装置の略拡大平面図
である。図２は、図１に示すＩ−Ｉ線に沿った半導体点
火装置の断面図である。図３は、図２に相応して図示す
る、一体に成形された半導体ブリッジを有する半導体点
火装置の第２の実施の形態の略図である。図４は、数部
分よりなる半導体ブリッジを有する半導体点火装置の別
の実施の形態の略平面図である。
【００１４】図１及び図２に示す半導体は僅かにｐ型に
ドーピングされたシリコンウエハ−の形態の支持体２
と、支持体２内に溝状に形成された熱絶縁層４と、同様
にシリコンからなるが、高度にｎ型にドーピングされ、
且つ点火経路領域(Zuendstreckenbereich)８において熱
絶縁層４に支持され、且つ同じ材料からなる機械的に堅
固な結合部によって直接支持体２にブリッジ−端部分１
０，１２に被着された半導体ブリッジ６と、ブリッジ端
部分１０，１２を大面積にわたり覆い且つ接続要素１
８，２０を介して図示しない点火電子装置に接続される
電気接点部分１４，１６を含む。
ドーピングされたシリコンウエハ−の形態の支持体２
と、支持体２内に溝状に形成された熱絶縁層４と、同様
にシリコンからなるが、高度にｎ型にドーピングされ、
且つ点火経路領域(Zuendstreckenbereich)８において熱
絶縁層４に支持され、且つ同じ材料からなる機械的に堅
固な結合部によって直接支持体２にブリッジ−端部分１
０，１２に被着された半導体ブリッジ６と、ブリッジ端
部分１０，１２を大面積にわたり覆い且つ接続要素１
８，２０を介して図示しない点火電子装置に接続される
電気接点部分１４，１６を含む。
【００１５】熱絶縁層４はそれ自身支持体材料から、支
持体２の半導体ブリッジ６の点火経路領域８に限定され
た帯域を電気化学的又は光化学的な方法により局部的に
多孔質化するような方法で作られる。半導体ブリッジ６
を通して通電中に熱絶縁層４は、電気的な発生熱を十分
に点火エネルギーに変換することをもたらしその結果点
火経路の材料が急激に熱くなり、そのため半導体ブリッ
ジ６の上に配置された一次点火電荷（図示せず）におい
て点火がおきる。それに対して熱絶縁層４から自由に保
たれた端部分１０，１２において半導体ブリッジ６が、
影響を及ぼす熱的及び機械的負荷に関して堅固に支持体
２に固定されている。熱の保護作用を高めるために多孔
シリコン層４の少なくとも点火経路領域８に隣接する表
面領域を酸化することができる。
持体２の半導体ブリッジ６の点火経路領域８に限定され
た帯域を電気化学的又は光化学的な方法により局部的に
多孔質化するような方法で作られる。半導体ブリッジ６
を通して通電中に熱絶縁層４は、電気的な発生熱を十分
に点火エネルギーに変換することをもたらしその結果点
火経路の材料が急激に熱くなり、そのため半導体ブリッ
ジ６の上に配置された一次点火電荷（図示せず）におい
て点火がおきる。それに対して熱絶縁層４から自由に保
たれた端部分１０，１２において半導体ブリッジ６が、
影響を及ぼす熱的及び機械的負荷に関して堅固に支持体
２に固定されている。熱の保護作用を高めるために多孔
シリコン層４の少なくとも点火経路領域８に隣接する表
面領域を酸化することができる。
【００１６】点火パルスを増幅するために、多孔熱絶縁
層４に点火経路領域８が熱せられると急激に燃焼しそれ
によって付加的な熱エネルギーを点火過程に対して与え
る爆発性ガス又はガス混合物が充填される。その代わり
に熱絶縁層４の多孔質表面を薄膜の、点火を強化する、
所謂ゾル−ゲル法によって被着された、例えばAl, Mg,
水素化チタン等からなる金属被膜で覆うこともできる。
層４に点火経路領域８が熱せられると急激に燃焼しそれ
によって付加的な熱エネルギーを点火過程に対して与え
る爆発性ガス又はガス混合物が充填される。その代わり
に熱絶縁層４の多孔質表面を薄膜の、点火を強化する、
所謂ゾル−ゲル法によって被着された、例えばAl, Mg,
水素化チタン等からなる金属被膜で覆うこともできる。
【００１７】図３（この図においては第１の実施例に相
応する構成要素に１００だけ増した符号が付けられてい
る）に示す半導体点火装置の場合、半導体ブリッジ１０
６はその端部分１１０及び１１２において支持体１０２
と一体に成形されている。その場合において半導体ブリ
ッジ１０６は、異なるドーピングによって、即ち半導体
ブリッジ１０６における高いｎ型シリコンドーピングと
支持体１０２の領域における低いｐ型シリコンドーピン
グによって支持体１０２と区別を付けられている。その
他の相違点は、この実施の形態において熱絶縁層が空気
が充填され、所望の場合真空にすることができ支持体材
料内に形成された中空室１０４からなることである。そ
のため後の点火経路領域１０８の下側の支持体材料が先
ず再び電気化学的又は光化学的な過程を経て多孔質化さ
れ、次いで多孔シリコン材料が下方にエッチングするこ
とによって除かれ、点火経路領域１０８の下方に入り込
み、ブリッジ−端部分１１０，１１２にまでのびる中空
室１０４が作られる。代わりに中空室１０４をプラズマ
技術的エッチング(Plasmatechnischen Aetzangriff) に
よって直接作り出すこともできる。点火の強化のため再
び薄膜の、この場合点火経路領域１０８の上に被着した
Al, Mg, 水素化チタン等からなる金属被膜２２が設けら
れる。その他の点では図３に示す半導体点火装置の構造
及び機能の仕方は第１の実施例と同様である。
応する構成要素に１００だけ増した符号が付けられてい
る）に示す半導体点火装置の場合、半導体ブリッジ１０
６はその端部分１１０及び１１２において支持体１０２
と一体に成形されている。その場合において半導体ブリ
ッジ１０６は、異なるドーピングによって、即ち半導体
ブリッジ１０６における高いｎ型シリコンドーピングと
支持体１０２の領域における低いｐ型シリコンドーピン
グによって支持体１０２と区別を付けられている。その
他の相違点は、この実施の形態において熱絶縁層が空気
が充填され、所望の場合真空にすることができ支持体材
料内に形成された中空室１０４からなることである。そ
のため後の点火経路領域１０８の下側の支持体材料が先
ず再び電気化学的又は光化学的な過程を経て多孔質化さ
れ、次いで多孔シリコン材料が下方にエッチングするこ
とによって除かれ、点火経路領域１０８の下方に入り込
み、ブリッジ−端部分１１０，１１２にまでのびる中空
室１０４が作られる。代わりに中空室１０４をプラズマ
技術的エッチング(Plasmatechnischen Aetzangriff) に
よって直接作り出すこともできる。点火の強化のため再
び薄膜の、この場合点火経路領域１０８の上に被着した
Al, Mg, 水素化チタン等からなる金属被膜２２が設けら
れる。その他の点では図３に示す半導体点火装置の構造
及び機能の仕方は第１の実施例と同様である。
【００１８】図４（この図においては先の実施例に相応
する構成要素に２００だけ増した符号が付けられてい
る）に示す半導体点火装置の場合、支持体２０２と半導
体ブリッジ２０６が図３に示す実施例と同様に一体にシ
リコンウエハーで構成されているが、点火経路領域２０
８の下方の多孔質化したシリコン材料は腐食除去されて
いず、熱絶縁層２０４として残っている。更に半導体ブ
リッジ２０６は、半導体ブリッジ２０６の上方に存在す
る一次点火電荷が大面積にわたってイニシアチブを取る
のに(Initierung)有利な大きなブリッジ幅の場合ブリッ
ジウエブ２４の間の中間の空間を介して熱絶縁層２０４
を多孔質化するために問題なく、即ち過度に深い打ち込
み深さ(Eintreibtiefe) なしにそれ故熱絶縁層２０６の
厚さを要せずに電気化学的エッチング過程を実施できる
ように、点火経路領域２０８において複数の互いに平行
なブリッジ・ウエブ２４に分割されている。平行な複数
のブリッジ・ウエブ２４への細分の代わりに半導体ブリ
ッジ２０６には腐食用穿孔部又はスリットを設けること
ができ、その場合前記腐食用穿孔部又はスリットを通し
て熱絶縁層２０４を作るためのエッチング過程が実施さ
れる。
する構成要素に２００だけ増した符号が付けられてい
る）に示す半導体点火装置の場合、支持体２０２と半導
体ブリッジ２０６が図３に示す実施例と同様に一体にシ
リコンウエハーで構成されているが、点火経路領域２０
８の下方の多孔質化したシリコン材料は腐食除去されて
いず、熱絶縁層２０４として残っている。更に半導体ブ
リッジ２０６は、半導体ブリッジ２０６の上方に存在す
る一次点火電荷が大面積にわたってイニシアチブを取る
のに(Initierung)有利な大きなブリッジ幅の場合ブリッ
ジウエブ２４の間の中間の空間を介して熱絶縁層２０４
を多孔質化するために問題なく、即ち過度に深い打ち込
み深さ(Eintreibtiefe) なしにそれ故熱絶縁層２０６の
厚さを要せずに電気化学的エッチング過程を実施できる
ように、点火経路領域２０８において複数の互いに平行
なブリッジ・ウエブ２４に分割されている。平行な複数
のブリッジ・ウエブ２４への細分の代わりに半導体ブリ
ッジ２０６には腐食用穿孔部又はスリットを設けること
ができ、その場合前記腐食用穿孔部又はスリットを通し
て熱絶縁層２０４を作るためのエッチング過程が実施さ
れる。
【００１９】図４に示すように、半導体ブリッジ２０６
は、また、数個のｐ−ｎトランジスタを備える半導体要
素のように、即ちほぼ図示のように、相対する極性の、
接続された、遮断をする方向に働く一対のダイオード２
６として、ブリッジ・ウエブ２４の表面に堅固に形成さ
れており、降伏電圧(Durchbruchspannung)を越えるとき
点火パルスを発生させるように熱せられる。これによっ
て半導体点火装置のい妨害感受性がさらに減じられ、さ
らに急な点火パルスがもたらされる。
は、また、数個のｐ−ｎトランジスタを備える半導体要
素のように、即ちほぼ図示のように、相対する極性の、
接続された、遮断をする方向に働く一対のダイオード２
６として、ブリッジ・ウエブ２４の表面に堅固に形成さ
れており、降伏電圧(Durchbruchspannung)を越えるとき
点火パルスを発生させるように熱せられる。これによっ
て半導体点火装置のい妨害感受性がさらに減じられ、さ
らに急な点火パルスがもたらされる。
【００２０】典型的に半導体ブリッジは１乃至１０μm
の厚さと２０乃至１，０００μm の長さと２０乃至３０
０μm の幅を有し（図４によれば、ブリッジの長さはほ
ぼ１００μm であり、ブリッジの幅はほぼ２００μm で
ある。）、熱絶縁層の厚さはほぼブリッジ幅乃至ウエブ
幅の２分の１に相当し、ほぼ３０μm であり、金属性点
火強化層２２の厚さはほぼ０．５μm であり、また半導
体点火装置はほぼ５００μm の全高を有する。
の厚さと２０乃至１，０００μm の長さと２０乃至３０
０μm の幅を有し（図４によれば、ブリッジの長さはほ
ぼ１００μm であり、ブリッジの幅はほぼ２００μm で
ある。）、熱絶縁層の厚さはほぼブリッジ幅乃至ウエブ
幅の２分の１に相当し、ほぼ３０μm であり、金属性点
火強化層２２の厚さはほぼ０．５μm であり、また半導
体点火装置はほぼ５００μm の全高を有する。
【図１】本発明の半導体点火装置の略拡大平面図であ
る。
る。
【図２】図１に示すＩ−Ｉ線に沿った半導体点火装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】図２に相応して図示する、一体に成形された半
導体ブリッジを有する半導体点火装置の第２の実施の形
態の略図である。
導体ブリッジを有する半導体点火装置の第２の実施の形
態の略図である。
【図４】数部分よりなる半導体ブリッジを有する半導体
点火装置の別の実施の形態の略平面図である。
点火装置の別の実施の形態の略平面図である。
２ 支持体 ４ 熱絶縁層 ６ 半導体ブリッジ ８ 点火経路領域 １０，１２ ブリッジ端部分 １４，１６ 電気接点部分 １８，２０ 接続要素 ２２ 金属性点火増強層 ２４ ブリッジ・ウエブ ２６ ダイオード １０２ 支持体 １０４ 中空室 １０６ 半導体ブリッジ １０８ 点火経路領域 １１０，１１２ 半導体ブリッジの端部分 ２０２ 支持体 ２０４ 熱絶縁層 ２０６ 半導体ブリッジ ２０８ 点火経路領域 ２１０，２１２ 半導体ブリッジの端部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルハルド・ミューラー ドイツ連邦共和国 ディー−85567 グラ フィング，スデーテンストラッセ 126 (72)発明者 ウォルフガング・ウェルサー ドイツ連邦共和国 ディー−85551 キル ヒハイム，ザイスィーグガッセ ２
Claims (13)
- 【請求項１】 熱絶縁層からなる中間層を有する支持体
上に配置され、その一端側は電気接点領域に接続され、
且つ通電中に点火経路領域に点火を引き起こすように熱
くなる半導体層を有する、特に自動車に乗っている人の
防護装置用ガス発生装置の半導体点火装置であって、熱
絶縁層（４；１０４；２０４）が半導体層（６；１０
６；２０６）の点火経路領域（８；１０８；２０８）に
限定され、且つ前記半導体層はその熱絶縁層のない端部
分（１０，１２；１１０；１１２；２１０；２１２）に
おいて支持体（２；１０２；２０２）と堅固に結合され
ていることを特徴とする半導体点火装置。 - 【請求項２】 半導体層（１０６；２０６）が端部分
（１１０，１１２；２１０；２１２）において支持体
（１０２；２０２）と一体に形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体点火装置。 - 【請求項３】 熱絶縁層（４；２０４）が多孔質の、点
火経路領域（８；２０８）において半導体層（６，２０
６）を支持する材料からなることを特徴とする請求項１
又は２に記載の半導体点火装置。 - 【請求項４】 多孔質の絶縁材料が多孔質化された支持
体材料からなることを特徴とする請求項３に記載の半導
体点火装置。 - 【請求項５】 多孔質の絶縁層が酸化されていることを
特徴とする請求項３又は４に記載の半導体点火装置。 - 【請求項６】 熱絶縁層が支持体材料を食刻除去してな
る中空空間（１０４）からなることを特徴とする先行す
る請求項の何れか一項に記載の半導体点火装置。 - 【請求項７】 中空空間（１０４）が多孔質の絶縁層を
除くことによって形成されていることを特徴とする請求
項３乃至５の何れか一項と組み合わせた請求項６に記載
の半導体点火装置。 - 【請求項８】 半導体層（６；１０６；２０６）が点火
経路領域（８；１０８；２０８）において熱せられると
爆発的に燃焼する点火強化剤（２２）によって囲まれて
いることを特徴とする先行する請求項の何れか一項に記
載の半導体点火装置。 - 【請求項９】 点火強化剤（２２）が半導体層（１０
６）の上に局部的に被着された被膜からなることを特徴
とする請求項８に記載の半導体点火装置。 - 【請求項１０】 多孔質の絶縁層（４；２０４）にガス
状の又は金属を含む点火強化剤が入れられていることを
特徴とする請求項３乃至５の何れか一項と組み合わせた
請求項８に記載の半導体点火装置。 - 【請求項１１】 半導体層（２０６）が複数の、互いに
平行な、互いに且つ支持体（２０２）に対して熱的に絶
縁されたブリッジ・ウエブ（２４）に分割されているこ
とを特徴とする先行する請求項の何れか一項に記載の半
導体点火装置。 - 【請求項１２】 半導体層（２０６）が点火経路領域
（２０８）において、遮断をする方向に働く、降伏電圧
を越えるとき点火をおこすように熱くなる、少なくとも
一つのｐ−ｎ接合を有する半導体要素（一対のダイオー
ド２６）として形成されていることを特徴とする先行す
る請求項の何れか一項に記載の半導体点火装置。 - 【請求項１３】 支持体（２；１０２；２０２）及び半
導体層（６；１０６；２０６）が種々にドーピングされ
たシリコンからなることを特徴とする先行する請求項の
何れか一項に記載の半導体点火装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19815928:5 | 1998-04-09 | ||
| DE19815928A DE19815928C2 (de) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Halbleiterzünder mit verbesserter konstruktiver Festigkeit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000028298A true JP2000028298A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=7864104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11101728A Pending JP2000028298A (ja) | 1998-04-09 | 1999-04-08 | 半導体点火装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6220164B1 (ja) |
| EP (1) | EP0949479B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000028298A (ja) |
| AT (1) | ATE224529T1 (ja) |
| DE (1) | DE19815928C2 (ja) |
| ES (1) | ES2181330T3 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161790B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-01-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Ignition device for bus connection |
| US8250978B2 (en) | 2005-09-07 | 2012-08-28 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Semiconductor bridge, igniter, and gas generator |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6279477B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-08-28 | Hitachi Zosen Corporation | Destroying apparatus and method, and holding member for use in that method |
| DE10006528C2 (de) * | 2000-02-15 | 2001-12-06 | Infineon Technologies Ag | Fuseanordnung für eine Halbleitervorrichtung |
| WO2002057705A2 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Smi Technology (Pty) Limited | An initiating device for an electronic detonator |
| FR2827377B1 (fr) * | 2001-07-13 | 2003-12-05 | Poudres & Explosifs Ste Nale | Dispositif d'allumage pour microcharges pyrotechniques |
| DE10162413B4 (de) * | 2001-12-19 | 2006-12-21 | Robert Bosch Gmbh | Integriertes Spreng- oder Zündelement und dessen Verwendung |
| DE10204833B4 (de) * | 2002-02-06 | 2005-11-10 | Trw Airbag Systems Gmbh & Co. Kg | Mikroelektronisch-Pyrotechnisches Bauteil |
| US7951247B2 (en) * | 2002-10-01 | 2011-05-31 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Nano-laminate-based ignitors |
| DE10241363A1 (de) * | 2002-09-06 | 2004-03-18 | Flexiva Automation & Anlagenbau Gmbh | Pyrotechnisches Zündsystem |
| US7942989B2 (en) * | 2002-12-10 | 2011-05-17 | The Regents Of The University Of California | Porous silicon-based explosive |
| WO2006058349A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | The University Of Pretoria | Detonator device |
| IL210260A (en) * | 2010-12-26 | 2015-08-31 | Rafael Advanced Defense Sys | A tiny system for securing a shatter chain |
| CN102278769A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-14 | 南京理工大学 | 孔内嵌导电含能材料的点火器件及其制法 |
| RU2522362C1 (ru) * | 2012-12-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Микроэлектромеханический взрыватель изохорический |
| RU2522323C1 (ru) * | 2012-12-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Микроэлектромеханический взрыватель |
| CN105007994B (zh) | 2013-03-06 | 2018-05-15 | 庞巴迪公司 | 在灭火剂管道与飞行器货舱之间的接口 |
| US9500448B1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-11-22 | Reynolds Systems, Inc. | Bursting switch |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550989B2 (ja) | 1973-03-26 | 1980-12-22 | ||
| US3882324A (en) * | 1973-12-17 | 1975-05-06 | Us Navy | Method and apparatus for combustibly destroying microelectronic circuit board interconnections |
| JPS5150587A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Handotaisochino seizohoho |
| GB2038548B (en) * | 1978-10-27 | 1983-03-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Isolating semiconductor device by porous silicon oxide |
| JPS592185B2 (ja) | 1980-02-04 | 1984-01-17 | 日本電信電話株式会社 | 半導体基体内への絶縁領域の形成法 |
| US4484523A (en) * | 1983-03-28 | 1984-11-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Detonator, solid state type I film bridge |
| JPH0792358B2 (ja) | 1987-09-14 | 1995-10-09 | 日本工機株式会社 | 電気式点火装置用点火器 |
| US4831933A (en) | 1988-04-18 | 1989-05-23 | Honeywell Inc. | Integrated silicon bridge detonator |
| US4976200A (en) * | 1988-12-30 | 1990-12-11 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Tungsten bridge for the low energy ignition of explosive and energetic materials |
| US5113764A (en) * | 1989-09-25 | 1992-05-19 | Olin Corporation | Semiconductor bridge (SCB) packaging system |
| JPH0418371A (ja) | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
| US5088413A (en) * | 1990-09-24 | 1992-02-18 | Schlumberger Technology Corporation | Method and apparatus for safe transport handling arming and firing of perforating guns using a bubble activated detonator |
| US5080016A (en) | 1991-03-20 | 1992-01-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Hydrogen loaded metal for bridge-foils for enhanced electric gun/slapper detonator operation |
| US5309841A (en) | 1991-10-08 | 1994-05-10 | Scb Technologies, Inc. | Zener diode for protection of integrated circuit explosive bridge |
| US5285727A (en) * | 1992-04-02 | 1994-02-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Semiconductor ignitor |
| US5327834A (en) * | 1992-05-28 | 1994-07-12 | Thiokol Corporation | Integrated field-effect initiator |
| US5370054A (en) * | 1992-10-01 | 1994-12-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Semiconductor slapper |
| IL109841A0 (en) * | 1994-05-31 | 1995-03-15 | Israel State | Monolithic semiconductor igniter for explosives and pyrotechnic mixtures and process for its manufacture |
| FR2738334A1 (fr) * | 1995-09-05 | 1997-03-07 | Motorola Semiconducteurs | Dispositif allumeur a semiconducteur, pour declenchement pyrotechnique, et procede de formation d'un tel dispositif |
| DE19702118C1 (de) * | 1997-01-22 | 1998-03-26 | Siemens Ag | Zündpille |
-
1998
- 1998-04-09 DE DE19815928A patent/DE19815928C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-08 JP JP11101728A patent/JP2000028298A/ja active Pending
- 1999-04-09 US US09/288,615 patent/US6220164B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-09 AT AT99106969T patent/ATE224529T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-04-09 ES ES99106969T patent/ES2181330T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-09 EP EP99106969A patent/EP0949479B1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161790B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-01-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Ignition device for bus connection |
| US8250978B2 (en) | 2005-09-07 | 2012-08-28 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Semiconductor bridge, igniter, and gas generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0949479B1 (de) | 2002-09-18 |
| ES2181330T3 (es) | 2003-02-16 |
| US6220164B1 (en) | 2001-04-24 |
| ATE224529T1 (de) | 2002-10-15 |
| DE19815928A1 (de) | 1999-11-04 |
| EP0949479A1 (de) | 1999-10-13 |
| DE19815928C2 (de) | 2000-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000028298A (ja) | 半導体点火装置 | |
| US4703553A (en) | Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells | |
| KR980006021A (ko) | 정전척용 실드 | |
| CN102067322B (zh) | 一种单晶太阳能电池的制造方法 | |
| KR960039147A (ko) | 접속홀의 플러그 형성 방법 | |
| EP0963017A3 (en) | Semiconductor emission element and method of manufacturing same | |
| EP0022001A1 (fr) | Transistor à effet de champ vertical de puissance pour hautes fréquences, et procédé de réalisation d'un tel transistor | |
| JP3772312B2 (ja) | 花火技術的な作用物質のための薄膜点火要素及びその製造方法 | |
| TW200718931A (en) | A temperature sensing device | |
| JP2001508945A (ja) | 非対称サイリスタ | |
| KR970067442A (ko) | 진공 마이크로디바이스 및 그 제조 방법 | |
| KR970009470A (ko) | 박막형 전열기 | |
| US5438014A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR970705833A (ko) | 반도체장치의 제조방법(method for manufacturing semiconductor device) | |
| JPH08315969A (ja) | マイクロヒーターとその製造方法及びガスセンサー | |
| JP2648828B2 (ja) | マイクロヒータ | |
| US20050020007A1 (en) | Semiconductor element and method for its production | |
| JP3018316B2 (ja) | 面状発熱体用ヒーターエレメント | |
| JPS62122175A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3801773B2 (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JP2852241B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| RU98109576A (ru) | Монолитное интегральное устройство | |
| KR960015942A (ko) | 다공질 실리콘을 이용한 mmic 기판의 제조방법 | |
| JP5167478B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| FR2721139A1 (fr) | Structure de circuit intégré à semiconducteur et son procédé de fabrication. |