JP2000021337A

JP2000021337A - 絶縁膜

Info

Publication number: JP2000021337A
Application number: JP19024998A
Authority: JP
Inventors: Yoshiki Masaki; 孝樹正木; Akihiko Tanaka; 明彦田中
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1998-07-06
Filing date: 1998-07-06
Publication date: 2000-01-21
Anticipated expiration: 2018-07-06
Also published as: JP3948124B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電子放出素子を有する画像形成装置における薄
膜絶縁膜やプラズマディスプレイパネルの基板ガラスに
対するパッシベーション膜として利用でき、表面平滑性
が高く、その上部に設置または構成される部材の形成を
精度よく行うことができる絶縁膜を提供する。【解決手段】基板上に形成された絶縁膜であって、厚み
が０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜
０．５μｍである絶縁膜とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を用
いた表示装置や露光装置などの画像形成装置、プラズマ
ディスプレイパネル、またはプラズマアドレス液晶ディ
スプレイの部材に形成される絶縁膜に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】大きく重いブラウン管に代わる画像形成
装置として、軽く、薄型のいわゆるフラットディスプレ
イが注目されている。フラットディスプレイとして液晶
ディスプレイが盛んに開発されているが、これには画像
が暗い、視野角が狭いといった課題が残っている。この
液晶ディスプレイに代わるものとして自発光型の放電型
ディスプレイであるプラズマディスプレイパネルや電子
放出素子を用いた画像形成装置は、液晶ディスプレイに
比べて明るい画像が得られると共に、視野角が広い、さ
らに大画面化、高精細化の要求に応えうることから、そ
のニーズが高まりつつある。

【０００３】プラズマディスプレイパネルの場合、それ
ぞれの機能を付与した前面ガラス基板と背面ガラス基板
との間に設けられた放電空間内で、電極間にプラズマ放
電を生じさせ、放電空間内に封入されたガスから発生し
た紫外線を、放電空間内に設けた蛍光体にあてることに
より表示を行う。

【０００４】プラズマディスプレイパネルの前面ガラス
基板と背面ガラス基板にはそれぞれ電極が形成されてい
るが、これらを被覆する形で絶縁膜が全面に形成されて
いる。その絶縁膜には、ガラス組成物が用いられるが、
例えば、特開平８−１１９６６５号公報においては、基
板の反りが少なく、残留歪みが小さいため割れが生じに
くく、さらに電気的特性に優れているガラス組成物とし
て酸化鉛系ガラス組成物の使用が提案されている。

【０００５】一方、電子放出素子としては、大別して熱
放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類が知られてお
り、冷陰極電子放出素子には電界放出型（ＦＥ型と称
す）、金属／絶縁層／金属型（ＭＩＭ型と称す）や表面
伝導型電子放出素子などがある。冷陰極電子放出素子を
用いた画像形成装置は、それぞれのタイプの電子放出素
子から放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光を
発生させることで画像を表示するものである。

【０００６】この様な画像形成装置においても、前面ガ
ラス基板と背面ガラス基板にそれぞれの機能を付与して
用いるが、背面ガラス基板には、複数の電子放出素子と
それらの素子を接続するためのマトリックス状の配線が
設けられている。これらの配線はＸ方向およびＹ方向に
設置され電子放出素子の電極の部分で交差するが、この
交差部において両者を絶縁するためにパターン状の絶縁
膜を必須としている。絶縁膜のパターン形状について
は、種々の考案が行われている。このような層間絶縁膜
は、例えば酸化鉛を主成分とするガラスを用いて、膜厚
１０〜１００μｍ、好ましくは２０〜５０μｍで形成さ
れる。

【０００７】特開平１０−１２１４０号公報によれば、
電子放出素子の作製において、素子電極を絶縁するため
に真空蒸着法、印刷法、スパッタ法などで形成された酸
化珪素などの絶縁性材料で構成された絶縁膜が用いられ
る。その膜厚は、絶縁膜の製法および素子電極間に印加
される電圧を考慮して設定されるが、数十ｎｍ〜数μｍ
の範囲が好ましい。

【０００８】また、特開平９−２８３０６０号公報は、
表面伝導型電子放出素子を用いる電界放射型表示装置に
関するものであり、下配線を形成した後、それに直交す
る形で帯状の絶縁膜を設置し、その絶縁膜の上に上配線
を形成している。この時、上配線を形成する際のアライ
メントに対する余裕を取るため、交差部では下配線を部
分的にカバーする突出部を有する形状として用いる方法
が提案されている。

【０００９】このように電子放出素子を有する画像形成
装置においても、比較的に薄膜の絶縁膜と厚膜の絶縁膜
が形成される。

【００１０】特に薄膜の絶縁膜は、電気的絶縁性の発揮
やパッシベーション膜（保護膜）としての遮蔽効果の発
現などの機能を有するものであると共に、その上部表面
が平滑であり、その上部に形成される電極配線、隔壁あ
るいは蛍光体層などのパターン精度、それぞれの層との
密着性よく形成するための効果を発揮することが期待さ
れる。さらに、画像形成装置に適用するものとして、光
学的に透明性の高いことが望ましい。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来の方法で得られた絶縁膜は、薄膜下において、遮蔽
効果や均一かつ表面の平滑性、透明性の点で十分満足で
きるものでなかった。

【００１２】そこで本発明は、平滑な表面を有し、その
上部に設置または構成される部材の形成における精度を
高く保持することが可能な薄膜絶縁膜を提供することを
その第１の目的とするものであり、光学的に透明な絶縁
膜を提供することを第２の目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の絶縁膜は次の構成からなる。

【００１４】すなわち、基板上に形成された絶縁膜であ
って、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが
０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする絶縁膜で
ある。

【００１５】特に、全光線透過率が９６％以上であり、
また正規透過率は９７％以上であることが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の絶縁膜は、プラズマディ
スプレイパネルや電子放出素子を用いた画像形成装置
（以下電界放射型表示装置と称す）、プラズマアドレス
液晶ディスプレイ等に好ましく用いられるものである。

【００１７】上記した装置のガラス基板として、通常、
青板ガラス（ソーダガラス）が使用される。これらの用
途において、ガラス基板のナトリウムなどの不純物を低
減する処理が予め行われているが、それでも尚これらの
成分が電極や配線に悪影響を与えることを抑止するた
め、パッシベーション膜を形成することが好ましいが、
本発明の絶縁膜は、これらの目的にも適用できるもので
ある。

【００１８】本発明の絶縁膜は、厚みが０．５〜５μｍ
で、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍである必
要がある。好ましくは、厚みが０．５〜２μｍ、かつ表
面粗さＲａが０．０１〜０．１μｍであり、さらに好ま
しい表面粗さＲａは０．０１〜０．０４μｍである。

【００１９】本発明の絶縁膜の厚みは、それが覆うべき
下部の配線、電極などの厚み、あるいは遮蔽効果を十分
に発揮する能力に応じて決められる。例えば、電子放出
素子の電極の膜厚は１００オングストローム〜１μｍの
範囲である。また、パッシベーション膜としては遮蔽効
果や保護効果が有効な範囲で薄い方が好ましい。さらに
プラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板や背面ガ
ラス基板に形成された電極の厚みは、電極形成の手法に
もよるが、２０ｎｍ〜５μｍであるのが好ましい。特に
蒸着法、スパッタリング法あるいはスピンコータ法で電
極膜を形成する場合には、厚い膜を形成するのに時間が
掛かるため２０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましい。この点
から、本発明の絶縁膜の厚みは、０．５〜５μｍとする
必要がある。

【００２０】さらに電子放出素子を配列したものを電子
源として画像形成装置を作製する場合、それらを接続す
る配線は導電性金属で構成されるが、配線を被覆する場
合の膜厚は厚い方が電気抵抗を低減できるので有利であ
り、厚膜印刷法で形成する場合には、厚い膜が得られる
ため、２〜５μｍが好ましい。

【００２１】０．５μｍ未満の場合は、膜が薄くなり過
ぎて電極上に形成した場合に、電極表面の凹凸の影響を
受けて、パッシベーション膜や層間絶縁膜の機能が発揮
できない。また、ソーダガラス基板上からのアルカリ金
属成分のマイグレーションを回避ができない。５μｍを
超えると焼成後に緻密な膜を均一に形成することができ
ない。また、膜が厚くなり、全光線透過率や正規透過率
が低下する。

【００２２】また、本発明の絶縁膜は、上記の範囲の厚
みを有すると同時に、表面粗さＲａが０．０１〜０．５
μｍであることを特徴としている。

【００２３】本発明において、表面粗さＲａは中心線平
均粗さを意味し、その定義はＪＩＳＢ０６０１に準拠す
るものであり、粗さ曲線を基にして得られる物性値であ
る。粗さ曲線は、対象面に直角な平面で対象面を切断し
た時にその切り口に現れる輪郭から、表面のうねり成分
を除去した曲線のことである。また、中心線は、この粗
さ曲線の平均線に平行に直線を引いた時に、この直線と
粗さ曲線で囲まれた面積が、この直線の両側で等しくな
る直線のことである。中心線平均粗さは、粗さ曲線と中
心線とで囲まれた面積を測定長さで除した値をμｍ単位
で表したもので、測定範囲内の表面の凹凸の程度を表し
ている。測定には、触針式粗さ計（例：(株）小坂研究
所製粗さ測定器ＳＥ−３３００）を用いた。

【００２４】絶縁膜の表面粗さＲａが０．０１〜０．５
μｍであることが、絶縁膜上に設置または構成される機
能部材の寸法精度や位置精度に支障を与えない点で必要
である。０．０１〜０．１μｍの範囲が好ましく、０．
０１〜０．０４μｍであることがさらに好ましい。

【００２５】０．０１μｍ未満では、電極や絶縁膜を積
層した場合に、密着力が低下する。０．５μｍを超える
と、表面粗さの影響を受けて光線透過率や正規透過率が
低下する。特に、電極の上に積層した場合は、光線透過
率、正規透過率の低下が顕著になる。

【００２６】本発明の絶縁膜は、上記の厚みおよび表面
粗さＲａの特徴に加えて、光学的に透明なことが好まし
く、全光線透過率が９６％以上、また正規透過率が９７
％以上であることが好ましい。全光線透過率の測定は、
分光光度計（島津製作所製ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用い
て行った。測定条件は次の通りである。

【００２７】試料厚み：５０μｍ試料セル：石英スリット幅：７．５ｎｍ測定速度：ＳＬＯＷ（約１００ｎｍ／ｍｉｎ）光源：ハロゲンランプ測定波長：３６０〜８５０ｎｍ白板：ＢａＳＯ₄（サンプル側）副白板：ＢａＳＯ₄（リファレンス側）入射角：０度積分球：６０φ積分球ホトマル窓（球の下側）：１６ｍｍφ ＰｄＳセル窓（球の上側）：１６ｍｍφ 積分球の開口比率：１２．９％検出器：ホトマルおよびＰｂＳセルこのような条件で全光線透過率（Ｔ１とする）を測定し
た後、積分球の直進光を測定する部分（白板：出口窓に
とりつける部分）を取り外し、直進光を検出しないよう
にして拡散透過率Ｔ２（散乱などによって直進せずに透
過した光の割合）を測定した。そして、次式に従って、
正規透過率（直進透過率ともいう）Ｔ３を計算により求
めた。

【００２８】Ｔ３＝（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１全光線透過率を９６％以上、正規透過率を９７％以上に
するには、絶縁膜を構成するガラス成分が均一に溶融し
て組成の分布や気泡の発生などがないことが重要であ
る。組成の分布が起こると、屈折率が異なる部分が存在
することになり、散乱などの原因となり、全光線透過率
が減少すると共に、正規透過率も低下する。気泡の存在
も同様の影響を与える。そのため、絶縁膜を構成するガ
ラスペースト塗布膜を焼成する際に、用いるガラス基板
が熱変形を起こさない温度範囲において、ガラスペース
トに用いられている有機成分を完全に除去すると共に、
ガラス成分が溶融することが必要である。

【００２９】このため本発明の絶縁膜は、ガラス転移点
４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃のガラスで
構成されていることが好ましい。ガラス転移点が４００
℃より低く、軟化点が４５０℃より低い場合には、絶縁
膜を形成した後に、その絶縁膜を伴う部材または部品が
経由する後工程においての加熱条件で変形、変質などの
変化を起こす可能性があるので好ましくない。また、ガ
ラス転移点が５５０℃より高く、軟化点が６００℃より
高い場合には、焼成工程において基板ガラスの熱変形が
起こる可能性がある。

【００３０】上記のような熱特性を有し、焼成後に得ら
れる絶縁膜が高い光線透過率を示すガラス成分として、
酸化ビスマスを含有する組成物および酸化鉛を含有する
組成物が好ましく挙げられる。

【００３１】酸化ビスマスを含有するガラス組成物とし
て、酸化物換算表記で酸化ビスマス２０〜７０重量％酸化珪素３〜３０重量％酸化ホウ素１０〜３０重量％酸化亜鉛１０〜４０重量％酸化ジルコニウム３〜１０重量％の組成からなるガラスを８０重量％以上含有するものが
好ましい。

【００３２】上記組成において、ガラス成分中の酸化ビ
スマスは、２０〜７０重量％の範囲で配合される。２０
重量％未満では、焼成温度や軟化点を制御するのに効果
が少ない。７０重量％を超えるとガラスの耐熱温度が低
くなりすぎてガラス基板上への焼き付けが難しくなる。
酸化ビスマスは比重が高いので、その含有比率が大きな
ガラスは密度が大になり、従って屈折率が大きくなるの
で、この点からも７０重量％以下が好ましい。

【００３３】酸化珪素は、３〜３０重量％の範囲で配合
される。３重量％未満の場合は、ガラス層の緻密性、強
度や安定性が低下し、またガラス基板と熱膨張係数のミ
スマッチが起こり所望の値から外れる。３０重量％を超
えると、軟化点やガラス転移点が上昇し、耐熱温度が増
加する。このため６００℃以下でガラス基板上に緻密に
焼き付けることが難しくなり、気泡が残留し、電気絶縁
性が低下する傾向がある。また、酸化珪素は屈折率が低
い成分であり、この割合が高いガラスは屈折率が低くな
り、この点からも３０重量％以下が好ましい。

【００３４】酸化ホウ素は、１０〜３０重量％の範囲で
配合されることによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係
数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上する
ことができる。３０重量％を超えるとガラスの安定性が
低下する。

【００３５】酸化亜鉛は、１０〜４０重量％の範囲で配
合される。１０重量％未満では緻密性向上の効果が無
く、４０重量％を超えると、焼き付け温度が低くなり過
ぎて制御しにくくなり、また絶縁抵抗が低くなるので好
ましくない。

【００３６】酸化ジルコニウムは３〜１０重量％の範囲
で配合される。酸化ジルコニウムはガラスの耐酸性を向
上する。すなわち、ペーストを構成する有機成分と反応
してゲル化することを抑制する効果がある。３重量％未
満ではゲル化を抑制する効果が少ない。１０重量％を超
えるとガラスの耐熱温度が高くなり過ぎてガラス基板上
への焼き付けが難しくなる。

【００３７】同様の熱特性を有する酸化鉛を含有するガ
ラス組成物として、酸化物換算表記で、酸化鉛６０〜７０重量％酸化珪素１２〜１７重量％酸化ホウ素８〜１５重量％酸化亜鉛５〜１２重量％酸化アルミニウム０．１〜５重量％の組成範囲からなるガラスを８０重量％以上含有するも
のが好ましい。

【００３８】上記組成において、酸化鉛が６０重量％未
満では、軟化点が高く流動性が悪く焼成不足となり、緻
密性が損なわれる傾向がある。また、７０重量％を超え
ると、熱膨張係数が大きくなり過ぎて、ガラス基板の反
りの原因となることがあるので好ましくない。

【００３９】酸化珪素の配合量が１２重量％未満では、
軟化点が低くなり過ぎ耐熱性は低下し、後工程において
支障を生じる懸念がある。また、１７重量％を超えると
軟化点が高くなり過ぎてガラス基板への焼き付けが難し
くなる。

【００４０】酸化ホウ素の配合量が８重量％未満では焼
き付け不良となり、１５重量％を超えると化学的耐久性
が悪くなるので好ましくない。

【００４１】酸化亜鉛の配合量が５重量％未満ではガラ
スの融解性が悪く、１２重量％を超えると化学的耐久性
が悪くなる傾向がある。

【００４２】酸化アルミニウムは、ガラスの化学的耐久
性の向上のため使用する。０．１重量％未満では効果が
なく、５重量％を超えるとガラスの軟化点が高くなり過
ぎるのでガラス基板への焼き付けが難しくなる。

【００４３】絶縁膜を構成するガラスの好ましい組成は
上記の通り、酸化ビスマス含有系の配合組成を有するも
のおよび酸化鉛含有系の配合組成を有するものである
が、さらにこれらのガラスは、実質的にアルカリ金属を
含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、
含有しても０．５重量％以下、好ましくは０．１重量％
以下であることを意味する。

【００４４】次に本発明の絶縁膜の好ましい製造方法に
ついて説明する。

【００４５】本発明の絶縁膜は、例えば、上記の熱特性
および酸化物換算表記のガラス類を用いて構成したペー
ストを塗布し、これを焼成して形成される。この場合、
ガラスの粒度とその分布が絶縁膜を形成する上で重要で
あり、ペースト中でのガラスの充填性、分散性、ペース
トの塗布性、ペーストから得られる塗布膜の緻密性、気
泡の含有量などに影響を与える。

【００４６】このためペーストに用いられるガラスの平
均粒子径が０．３〜１．５μｍ、最大粒子径が１０μｍ
以下であることが好ましい。さらに１０体積％粒子径が
０．２〜０．８μｍ、９０体積％粒子径が２．５μｍ以
下であることが好ましい。ガラス微粒子の平均粒子径が
０．３μｍより小さい場合には、ガラス微粒子の凝集が
起こりやすく、１．５μｍより大きいと焼成時に十分流
動して緻密な絶縁膜を形成することが難しい。さらに、
膜中に気泡（ボイド）を生じやすくなるので好ましくな
い。

【００４７】絶縁膜の形成は、ガラスを混合・分散して
構成したペーストを必要箇所に塗布した後、焼成して行
われる。なおペーストとしては、例えば、セルロース樹
脂、アクリル樹脂等の有機バインダーに上記ガラス微粒
子を分散させたものが挙げられ、塗布方法に応じて有機
溶媒で粘度を調整し、ガラス基板上に塗布される。

【００４８】絶縁膜がガラス基板全面に形成される場合
には、ペーストを既存の塗布方法のいずれかを用いて塗
布し、乾燥後、焼成して形成する。一方、絶縁膜をパタ
ーン状に形成する場合には、スクリーン印刷法、フォト
レジスト膜を用いてパターン化した後エッチングする方
法（フォトリソ法）およびペースト自体に感光性の機能
を付与してパターン化を行う感光性ペースト法などが用
いられる。本発明の絶縁膜は、これらいずれの方法によ
って形成されたものであってもよい。

【００４９】なお、絶縁膜の厚み調整については、ペー
ストの粘度・チキソトロピー性・レベリング性、印刷条
件、すなわち印刷速度、スキージの角度、スクリーンの
メッシュなどを適宜選定することによってなされる。ま
た、表面粗さの調整は、上述のガラス粉末の粒子サイズ
・熱特性を厳密に制御することによって達成される。

【００５０】本発明の絶縁膜は、表面が平滑で、その上
部に形成される部材を精度よく形成でき、電子放出素子
を用いた画像形成装置、プラズマディスプレイパネルお
よびプラズマアドレス液晶ディスプレイの絶縁膜として
好ましく用いることができる。

【００５１】

【実施例】以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明
する。ただし、本発明はこれに限定されるものではな
い。なお、実施例中の濃度は断りのない場合は重量％で
ある。

【００５２】実施例１ガラス微粒子として、以下の酸化ビスマス含有系ガラス
を用意した。

【００５３】ガラス微粒子：酸化ビスマス２８％、酸化
珪素２０％、酸化ホウ素２０％、酸化亜鉛１５％、酸化
ジルコニウム７％、酸価バリウム５％、酸化アルミニウ
ム５％。ガラス転移点５００℃、軟化点５３９℃、平均
粒子径１．２μｍ、最大粒子径８μｍ。

【００５４】エチルセルロース５％含有のテルピネオー
ル溶液３０ｇに、上記酸化ビスマス含有系ガラス微粒子
７０ｇを混合し、三本ロールで混練して絶縁膜ペースト
を得た。

【００５５】ソーダガラス基板に、得られた絶縁膜ペー
ストを塗布し、乾燥後、５６０℃で焼成してパッシベー
ション膜として作用する絶縁膜を形成した。

【００５６】このようにして得られた絶縁膜の膜厚は
２．５μｍで、そのＲａは０．３μｍであった。また、
絶縁膜の全光線透過率と正規透過率はそれぞれ９６％と
９７％であった。その上に、Ｔｉ（厚み５ｎｍ）下引き
Ｐｔ（厚み３０ｎｍ）からなる素子電極（Ｐｔ／Ｔｉ）
を形成した。すなわち、フォトレジストパターンを有機
溶剤で溶解し、Ｐｔ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフして作製
して、素子電極間隔（Ｌ）が１０μｍ、電極幅（Ｗ）１
００μｍの素子電極を形成した。次に５００℃でアニー
リングしたところ、電極膜の光沢の変化やしわ発生もな
く良好な高密着力のある電極が得られた。

【００５７】実施例２酸化鉛６２％、酸化珪素１５％、酸化ホウ素９％、酸化
亜鉛９．５％、酸化アルミニウム４．５％の組成を有す
る酸化鉛含有ガラス微粒子を用いた以外は、実施例１を
繰り返した。この酸化鉛含有ガラス微粒子の平均粒子径
は０．８μｍ、最大粒子径は６μｍであった。この絶縁
膜の厚みは１．５μｍ、Ｒａは０．２８μｍ、全光線透
過率９８％、正規透過率９７％であった。次に、実施例
１と同じように絶縁膜上に電極を形成し、アニーリング
したところ、電極の光沢の変化やしわ発生もなく良好な
素子電極が形成できた。

【００５８】実施例３実施例１で用いた酸化ビスマス含有系ガラス微粒子７０
重量部、感光性ポリマ（Ｘ−４００７）１５重量部、感
光性モノマ（ＭＧＰ４００）１５重量部、光重合開始剤
（ＩＣ３６９）２．４重量部、増感剤（ＤＥＴＸ−Ｓ）
２．４重量部を配合し、γ−ブチロラクトンの添加量で
粘度を調整して感光性絶縁膜ペーストを作製した。

【００５９】電界放射型表示装置の基板となる電子放出
素子を有する電子源基板を得るために、青板ガラス上に
真空蒸着法を用いてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（３００Ａ／７０
００Ａ／３００Ａ）からなる下部配線を形成した後、感
光性絶縁膜ペーストを乾燥厚み３μｍになるようにブレ
ードコーターで塗布した。モデルとして２００μｍ×１
５０μｍの開口部を有するパターンがＸ方向とＹ方向に
それぞれ５００μｍピッチで配置されたフォトマスクを
介して塗布膜にパターン露光し、アルカリ水溶液で現像
してパターン化した。これを５６０℃で焼成して、厚さ
２μｍの絶縁膜パターンを形成した。

【００６０】ここで得られた絶縁膜のＲａは０．２μ
ｍ、全光線透過率９８％、正規透過率９８％あった。

【００６１】実施例４絶縁膜ペーストのガラス成分を、実施例２で用いた酸化
鉛含有系ガラス微粒子とし、スクリーン印刷法で上下配
線間のパターン化された層間絶縁膜を実施例３と同様に
形成した。形成された絶縁膜の特性は、実施例２の場合
と同様であった。

【００６２】実施例５実施例２と同じガラス組成であるが、平均粒子径は０．
６μｍ、最大粒子径は４．５μｍの粉末を用い、実施例
１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは１．２μｍ、Ｒａ
は０．０８μｍ、全光線透過率９９％、正規透過率９８
％であった。

【００６３】次に、実施例１と同じように絶縁膜上に電
極を形成し、アニーリングしたところ、電極の光沢の変
化やしわ発生もなく良好な素子電極が形成できた。

【００６４】比較例１実施例１と同じガラス組成であるが、平均粒子径は２．
２μｍ、最大粒子径は１１μｍの粉末を用いた以外は、
実施例１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは３．２μ
ｍ、Ｒａは０．８μｍ、全光線透過率９４％、正規透過
率９０％であった。次に、実施例１と同じように絶縁膜
上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極にし
わが発生し、光沢がなくなり、電極と絶縁膜から剥がれ
た。

【００６５】比較例２実施例２と同じガラス組成であるが、平均粒子径は２．
６μｍ、最大粒子径は２２μｍの粉末を用いた以外は、
実施例１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは５．２μ
ｍ、Ｒａは１．２μｍ、全光線透過率９０％、正規透過
率８５％であった。次に、実施例１と同じように絶縁膜
上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極にし
わが発生し、光沢がなくなり、電極と絶縁膜から剥がれ
た。

【００６６】略記号の説明Ｘ−４００７：４０％メタクリル酸、３０％メチルメタ
クリレート、３０％スチレンからなる共重合体のカルボ
キシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレー
トを付加反応した重量平均分子量４３，０００，酸価９
５の側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有す
るポリマ。

【００６７】ＭＧＰ４００：X₂NCH(CH₃)CH₂(OCH₂CH(C
H₃))_nNX₂ ここでX=-CH₂CH(OH)CH₂OCOCH(CH₃)=CH₂ ｎ＝２〜１０ＩＣ３６９：Irgacure369（チバ・ガイギー社製品） 2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェ
ニル）ブタノン-1 ＤＥＴＸ−Ｓ：2,4-ジエチルチオキサントン

【００６８】

【発明の効果】本発明の絶縁膜は、基板上に形成された
絶縁膜であって、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗
さＲａが０．０１〜０．５μｍであるため、表面平滑性
・密着性が高く、その上部に設置または構成される部材
の形成を精度よく行うことができ、電子放出素子を有す
る画像形成装置における薄膜絶縁膜やプラズマディスプ
レイパネルの基板ガラスに対するパッシベーション膜と
して好ましく利用できる。特に、全光線透過率を９６％
以上、正規透過率を９７％以上とすることにより、画像
表示装置に適した光学的透明性を有する絶縁膜となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５０５Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５０５５Ｃ０９４Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１２Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１２Ｚ５Ｇ３０３Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｆ 3/08 3/08 ＡＨ０１Ｊ 11/02 Ｈ０１Ｊ 11/02 Ｂ 17/04 17/04 Ｆターム(参考） 2H089 HA36 HA40 NA60 QA09 QA12 RA18 TA05 TA07 4G059 AA01 AC20 CA03 CB01 CB02 4G062 AA03 BB01 DA03 DA04 DB01 DB02 DB03 DC03 DC04 DD01 DE04 DE05 DF01 DF06 DF07 EA10 FA01 FB01 FC01 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA04 GA05 GB01 GC01 GD01 GE01 HH20 JJ10 KK10 MM23 MM25 NN40 5C032 AA01 AA07 DD10 DE03 DF03 DG10 5C040 DD03 DD07 5C094 AA02 AA25 AA43 AA55 BA04 BA31 BA33 BA43 CA19 DA15 EB02 ED01 FA02 FA04 FB02 FB15 GB00 JA01 JA08 JA11 5G303 AA07 AB20 BA03 CA02 CB01 CB02 CB05 CB25 CB30 CB38 CB39

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された絶縁膜であって、厚み
が０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜
０．５μｍであることを特徴とする絶縁膜。
【請求項２】厚み０．５〜２μｍであって、かつ表面粗
さＲａが０．０１〜０．１μｍであることを特徴とする
請求項１記載の絶縁膜。
【請求項３】全光線透過率が９６％以上であることを特
徴とする請求項１または２記載の絶縁膜。
【請求項４】正規透過率が９７％以上であることを特徴
とする請求項１〜３いずれか１項記載の絶縁膜。
【請求項５】ガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４
５０〜６００℃のガラスからなることを特徴とする請求
項１〜４いずれか１項記載の絶縁膜。
【請求項６】酸化物換算表記で、酸化ビスマス２０〜７０重量％酸化珪素３〜３０重量％酸化ホウ素１０〜３０重量％酸化亜鉛１０〜４０重量％酸化ジルコニウム３〜１０重量％の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有する
ことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の絶縁
膜。
【請求項７】酸化物換算表記で、酸化鉛６０〜７０重量％酸化珪素１２〜１７重量％酸化ホウ素８〜１５重量％酸化亜鉛５〜１２重量％酸化アルミニウム０．１〜５重量％の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有する
ことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の絶縁
膜。
【請求項８】実質的にアルカリ金属を含有しないことを
特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載の絶縁膜。
【請求項９】電子放出素子を用いた画像形成装置、プラ
ズマディスプレイパネル、プラズマアドレス液晶ディス
プレイの絶縁膜に用いられることを特徴とする請求項１
〜８いずれか１項記載の絶縁膜。