JP2000173475A - プラズマディスプレイパネル用の背面板 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用の背面板Info
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- JP2000173475A JP2000173475A JP34670498A JP34670498A JP2000173475A JP 2000173475 A JP2000173475 A JP 2000173475A JP 34670498 A JP34670498 A JP 34670498A JP 34670498 A JP34670498 A JP 34670498A JP 2000173475 A JP2000173475 A JP 2000173475A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体層の欠陥が極めて少なく、良好な画像
表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現できる
背面板を提供する。 【解決手段】 基板上に形成した複数のアドレス電極
を、幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ１と中央部
の厚みＴ２との間にＴ１−Ｔ２＜３μｍなる関係が存在
するものとし、このアドレス電極を覆うように誘電体層
を形成して背面板とする。
表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現できる
背面板を提供する。 【解決手段】 基板上に形成した複数のアドレス電極
を、幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ１と中央部
の厚みＴ２との間にＴ１−Ｔ２＜３μｍなる関係が存在
するものとし、このアドレス電極を覆うように誘電体層
を形成して背面板とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルに使用する背面板に係り、特にアドレス電極
上における誘電体層の欠陥発生率を大幅に低減した背面
板に関する。
レイパネルに使用する背面板に係り、特にアドレス電極
上における誘電体層の欠陥発生率を大幅に低減した背面
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フラットディスプレイの一つとし
てプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の開発が進ん
でいる。例えば、ＡＣ型ＰＤＰは、通常、維持電極とバ
ス電極とからなる複合電極が互いに平行に形成され、こ
れらを覆うように誘電体層が設けられた前面板と、上記
の複合電極と直交するようにアドレス電極が形成された
背面板とが対向して配設されている。背面板の前面側に
は、上記のアドレス電極を覆うように誘電体層が設けら
れ、この誘電体層上のアドレス電極間に位置する部位に
は障壁が形成されており、この障壁の壁面と誘電体層を
覆うようにして蛍光体層が設けられている。これによ
り、前面板と背面板と障壁とで区画され、上記の複合電
極とアドレス電極とが交差する空間が表示要素としての
セルとなる。このようなＡＣ型ＰＤＰの駆動は、バス電
極とアドレス電極間に所定の電圧を印加して放電させ、
前面板上の複合電極間に所定の維持電圧を印加してセル
内で放電を維持し、この放電により生じる紫外線により
蛍光体層を発光させるものである。
てプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の開発が進ん
でいる。例えば、ＡＣ型ＰＤＰは、通常、維持電極とバ
ス電極とからなる複合電極が互いに平行に形成され、こ
れらを覆うように誘電体層が設けられた前面板と、上記
の複合電極と直交するようにアドレス電極が形成された
背面板とが対向して配設されている。背面板の前面側に
は、上記のアドレス電極を覆うように誘電体層が設けら
れ、この誘電体層上のアドレス電極間に位置する部位に
は障壁が形成されており、この障壁の壁面と誘電体層を
覆うようにして蛍光体層が設けられている。これによ
り、前面板と背面板と障壁とで区画され、上記の複合電
極とアドレス電極とが交差する空間が表示要素としての
セルとなる。このようなＡＣ型ＰＤＰの駆動は、バス電
極とアドレス電極間に所定の電圧を印加して放電させ、
前面板上の複合電極間に所定の維持電圧を印加してセル
内で放電を維持し、この放電により生じる紫外線により
蛍光体層を発光させるものである。
【０００３】従来、ＰＤＰを構成する背面板のアドレス
電極や誘電体層の形成は、所望の特性を有する塗布組成
物を用いてスクリーン印刷やオフセット印刷等により所
定のパターンを形成し、乾燥後に焼成するような印刷
法、所望の特性を有する塗布組成物を用いてベースフィ
ルム上に剥離可能に転写層を形成して転写シートとし、
この転写シートを用いて転写層を基板に転写し必要なパ
ターニングを行った後、焼成して形成する転写法等によ
り行われている。また、アドレス電極は、基板上に設け
た金属薄膜をパターニングして形成することもできる。
電極や誘電体層の形成は、所望の特性を有する塗布組成
物を用いてスクリーン印刷やオフセット印刷等により所
定のパターンを形成し、乾燥後に焼成するような印刷
法、所望の特性を有する塗布組成物を用いてベースフィ
ルム上に剥離可能に転写層を形成して転写シートとし、
この転写シートを用いて転写層を基板に転写し必要なパ
ターニングを行った後、焼成して形成する転写法等によ
り行われている。また、アドレス電極は、基板上に設け
た金属薄膜をパターニングして形成することもできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、背面板
の誘電体層は前面板の誘電体層に比べて厚みが小さく、
誘電体層に亀裂やピンホール等が存在すると、この部位
から障壁形成用の材料が侵入して誘電体層に膨れが生じ
て欠陥となる。特に、誘電体層のうちアドレス電極を覆
う部位において、誘電体層の厚みが異常に薄くなって亀
裂が発生したり、アドレス電極が露出するという重大な
欠陥が発生し易く、また、アドレス電極の近傍において
誘電体層の浮きが発生し易いという問題がある。
の誘電体層は前面板の誘電体層に比べて厚みが小さく、
誘電体層に亀裂やピンホール等が存在すると、この部位
から障壁形成用の材料が侵入して誘電体層に膨れが生じ
て欠陥となる。特に、誘電体層のうちアドレス電極を覆
う部位において、誘電体層の厚みが異常に薄くなって亀
裂が発生したり、アドレス電極が露出するという重大な
欠陥が発生し易く、また、アドレス電極の近傍において
誘電体層の浮きが発生し易いという問題がある。
【０００５】本発明は、上述のような実情に鑑みてなさ
れたものであり、誘電体層の欠陥が極めて少なく、良好
な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現
できる背面板を提供することを目的とする。
れたものであり、誘電体層の欠陥が極めて少なく、良好
な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現
できる背面板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基板と、該基板上に形成された複
数のアドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記
基板上に形成された誘電体層とを少なくとも備え、前記
アドレス電極の幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ
１と中央部の厚みＴ２との間に、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍの
関係が存在するような構成とした。
るために、本発明は、基板と、該基板上に形成された複
数のアドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記
基板上に形成された誘電体層とを少なくとも備え、前記
アドレス電極の幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ
１と中央部の厚みＴ２との間に、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍの
関係が存在するような構成とした。
【０００７】また、本発明は、前記アドレス電極の幅方
向の垂直断面における上端部の幅Ｗ１と下端部の幅Ｗ２
との間に、｜Ｗ１−Ｗ２｜＜１２μｍの関係が存在する
ような構成とした。
向の垂直断面における上端部の幅Ｗ１と下端部の幅Ｗ２
との間に、｜Ｗ１−Ｗ２｜＜１２μｍの関係が存在する
ような構成とした。
【０００８】このような本発明では、アドレス電極が誘
電体層によって確実に被覆され、かつ、アドレス電極に
対する誘電体層の密着が確実になされているので、アド
レス電極の露出や誘電体層の亀裂、ピンホールおよび浮
きが防止される。
電体層によって確実に被覆され、かつ、アドレス電極に
対する誘電体層の密着が確実になされているので、アド
レス電極の露出や誘電体層の亀裂、ピンホールおよび浮
きが防止される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明のプラズマディスプレイパネ
ル用の背面板の一実施形態を示す概略断面図である。図
１において、本発明の背面板１１は、背面ガラス基板１
２を有し、この背面ガラス基板１２の一方に下地層１３
を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極１
４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された誘
電体層１５とを備えている。
て説明する。図１は本発明のプラズマディスプレイパネ
ル用の背面板の一実施形態を示す概略断面図である。図
１において、本発明の背面板１１は、背面ガラス基板１
２を有し、この背面ガラス基板１２の一方に下地層１３
を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極１
４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された誘
電体層１５とを備えている。
【００１０】本発明の背面板１１は、アドレス電極１４
の幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ１と中央部の
厚みＴ２との間に、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍの関係が存在す
ることを特徴とする。すなわち、アドレス電極１４の幅
方向の両端部が上方に大きく突出したような形状ではな
いことを必須とする。尚、アドレス電極１４の幅方向の
両端部における厚みＴ１´、Ｔ１″が異なる（例えば、
Ｔ１´＞Ｔ１″）場合、厚みの大きい端部において上記
の条件（この場合、Ｔ１´−Ｔ２＜３μｍ）が満足され
ることが必須となる。本発明では、Ｔ１＜Ｔ２なる関係
となってもよく、図２は、このような断面形状であるア
ドレス電極を有する本発明の背面板１１を示すものであ
る。これにより、アドレス電極１４が誘電体層１５によ
って確実に被覆され、かつ、アドレス電極１４に対する
誘電体層１５の密着が確実なものとなる。アドレス電極
１４の断面形状において、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍが満足さ
れない場合、アドレス電極１４の幅方向の両端部が上方
に大きく突出したものとなり、このアドレス電極１４を
覆うように形成される誘電体層（通常、設定厚みは０．
５〜１５μｍ）が、アドレス電極１４の両端部において
設定厚みよりも薄くなり、アドレス電極１４が露出する
危険性がある。
の幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ１と中央部の
厚みＴ２との間に、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍの関係が存在す
ることを特徴とする。すなわち、アドレス電極１４の幅
方向の両端部が上方に大きく突出したような形状ではな
いことを必須とする。尚、アドレス電極１４の幅方向の
両端部における厚みＴ１´、Ｔ１″が異なる（例えば、
Ｔ１´＞Ｔ１″）場合、厚みの大きい端部において上記
の条件（この場合、Ｔ１´−Ｔ２＜３μｍ）が満足され
ることが必須となる。本発明では、Ｔ１＜Ｔ２なる関係
となってもよく、図２は、このような断面形状であるア
ドレス電極を有する本発明の背面板１１を示すものであ
る。これにより、アドレス電極１４が誘電体層１５によ
って確実に被覆され、かつ、アドレス電極１４に対する
誘電体層１５の密着が確実なものとなる。アドレス電極
１４の断面形状において、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍが満足さ
れない場合、アドレス電極１４の幅方向の両端部が上方
に大きく突出したものとなり、このアドレス電極１４を
覆うように形成される誘電体層（通常、設定厚みは０．
５〜１５μｍ）が、アドレス電極１４の両端部において
設定厚みよりも薄くなり、アドレス電極１４が露出する
危険性がある。
【００１１】尚、本発明におけるアドレス電極の厚み
は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定されるアド
レス電極の厚みを意味する。また、アドレス電極１４の
中央部の厚みＴ２は、２〜１０μｍの範囲で設定するこ
とが好ましい。
は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定されるアド
レス電極の厚みを意味する。また、アドレス電極１４の
中央部の厚みＴ２は、２〜１０μｍの範囲で設定するこ
とが好ましい。
【００１２】また、本発明の背面板１１を構成するアド
レス電極１４は、その幅方向の垂直断面における上端部
の幅Ｗ１と下端部の幅Ｗ２との間に、｜Ｗ１−Ｗ２｜＜
１２μｍの関係が存在することが好ましい。すなわち、
アドレス電極１４の幅方向の上端部が、背面ガラス基板
１２側である下端部から横方向に大きく突出したような
形状ではないことが好ましい。本発明では、Ｗ１＜Ｗ２
なる関係となってもよく、上述の図２は、このような断
面形状であるアドレス電極を有する本発明の背面板１１
を示すものである。これにより、アドレス電極１４に対
する誘電体層１５の密着が確実なものとなり、アドレス
電極１４の近傍において誘電体層１５の浮き発生が防止
される。
レス電極１４は、その幅方向の垂直断面における上端部
の幅Ｗ１と下端部の幅Ｗ２との間に、｜Ｗ１−Ｗ２｜＜
１２μｍの関係が存在することが好ましい。すなわち、
アドレス電極１４の幅方向の上端部が、背面ガラス基板
１２側である下端部から横方向に大きく突出したような
形状ではないことが好ましい。本発明では、Ｗ１＜Ｗ２
なる関係となってもよく、上述の図２は、このような断
面形状であるアドレス電極を有する本発明の背面板１１
を示すものである。これにより、アドレス電極１４に対
する誘電体層１５の密着が確実なものとなり、アドレス
電極１４の近傍において誘電体層１５の浮き発生が防止
される。
【００１３】このようなアドレス電極１４の形成は、
予め形成した金属薄膜をエッチング等によりパターニン
グして形成する方法、導電性粉体、ガラスフリット、
焼成除去可能な有機バインダ等からなる感光性樹脂組成
物を塗布し所定のパターンで露光、現像した後に焼成し
て形成する方法、上記のような感光性樹脂組成物から
なる転写層を備えた転写シートを使用し、背面ガラス基
板１２（下地層１３）に転写した転写層を所定のパター
ンで露光、現像した後に焼成して形成する方法等、いず
れの方法で行ってもよい。
予め形成した金属薄膜をエッチング等によりパターニン
グして形成する方法、導電性粉体、ガラスフリット、
焼成除去可能な有機バインダ等からなる感光性樹脂組成
物を塗布し所定のパターンで露光、現像した後に焼成し
て形成する方法、上記のような感光性樹脂組成物から
なる転写層を備えた転写シートを使用し、背面ガラス基
板１２（下地層１３）に転写した転写層を所定のパター
ンで露光、現像した後に焼成して形成する方法等、いず
れの方法で行ってもよい。
【００１４】上記のおよびの方法でアドレス電極を
形成する場合、アドレス電極１４の形成に使用する導電
性粉体としては、Ａｕ粉体、Ａｇ粉体、Ｃｕ粉体、Ｎｉ
粉体、Ａｌ粉体、Ａｇ−Ｐｄ粉体等の１種または２種以
上を使用することができる。この導電性粉体の形状は、
球状、板状、塊状、円錐状、棒状等の種々の形状であっ
てよいが、凝集性がなく分散性が良好な球状の導電性粉
体が好ましく、その平均粒径は０．０５〜１０μｍの範
囲が好ましい。使用する導電性粉体とガラスフリットと
の含有割合は、導電性粉末１００重量部に対してガラス
フリットが２〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部
の範囲とすることができる。
形成する場合、アドレス電極１４の形成に使用する導電
性粉体としては、Ａｕ粉体、Ａｇ粉体、Ｃｕ粉体、Ｎｉ
粉体、Ａｌ粉体、Ａｇ−Ｐｄ粉体等の１種または２種以
上を使用することができる。この導電性粉体の形状は、
球状、板状、塊状、円錐状、棒状等の種々の形状であっ
てよいが、凝集性がなく分散性が良好な球状の導電性粉
体が好ましく、その平均粒径は０．０５〜１０μｍの範
囲が好ましい。使用する導電性粉体とガラスフリットと
の含有割合は、導電性粉末１００重量部に対してガラス
フリットが２〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部
の範囲とすることができる。
【００１５】また、アドレス電極１４の形成に使用する
ガラスフリットとしては、例えば、軟化温度が３５０〜
６５０℃であり、熱膨張係数α300 が６０×１０-7〜１
００×１０-7／℃であるガラスフリットを使用すること
ができる。ガラスフリットの軟化温度が６５０℃を超え
ると焼成温度を高くする必要があり、例えば、背面板を
構成する基板の耐熱性が低い場合には焼成段階で熱変形
を生じることになり好ましくない。また、ガラスフリッ
トの軟化温度が３５０℃未満では、焼成により有機成分
が完全に分解、揮発して除去される前にガラスフリット
が融着するため、空隙を生じやすく好ましくない。さら
に、ガラスフリットの熱膨張係数α300が６０×１０-7
／℃未満、あるいは、１００×１０-7／℃を超えると、
背面板を構成する基板の熱膨張係数との差が大きくなり
すぎる場合があり、歪み等を生じることになり好ましく
ない。このようなガラスフリットの平均粒径は０．１〜
５μｍの範囲が好ましく、例えばＢｉ2 Ｏ3 またはＰｂ
Ｏを主成分とするものを使用することができる。
ガラスフリットとしては、例えば、軟化温度が３５０〜
６５０℃であり、熱膨張係数α300 が６０×１０-7〜１
００×１０-7／℃であるガラスフリットを使用すること
ができる。ガラスフリットの軟化温度が６５０℃を超え
ると焼成温度を高くする必要があり、例えば、背面板を
構成する基板の耐熱性が低い場合には焼成段階で熱変形
を生じることになり好ましくない。また、ガラスフリッ
トの軟化温度が３５０℃未満では、焼成により有機成分
が完全に分解、揮発して除去される前にガラスフリット
が融着するため、空隙を生じやすく好ましくない。さら
に、ガラスフリットの熱膨張係数α300が６０×１０-7
／℃未満、あるいは、１００×１０-7／℃を超えると、
背面板を構成する基板の熱膨張係数との差が大きくなり
すぎる場合があり、歪み等を生じることになり好ましく
ない。このようなガラスフリットの平均粒径は０．１〜
５μｍの範囲が好ましく、例えばＢｉ2 Ｏ3 またはＰｂ
Ｏを主成分とするものを使用することができる。
【００１６】尚、上記の感光性樹脂組成物には、導電性
粉体とガラスフリットの他に、無機粉体として酸化アル
ミニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バ
リウム、炭酸カルシウム等の無機粉体をガラスフリット
１００重量部に対して３０重量部以下の範囲で含有する
ことができる。このような無機粉体は、平均粒径が０．
１〜２０μｍの範囲が好ましく、骨材として焼成時のパ
ターン流延防止の作用をなすものである。また、コント
ラストを向上させるために、無機粉体として耐火性の黒
色顔料を転写層３，１３に含有させてもよい。黒色顔料
としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ
−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等を挙げるこ
とができる。
粉体とガラスフリットの他に、無機粉体として酸化アル
ミニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バ
リウム、炭酸カルシウム等の無機粉体をガラスフリット
１００重量部に対して３０重量部以下の範囲で含有する
ことができる。このような無機粉体は、平均粒径が０．
１〜２０μｍの範囲が好ましく、骨材として焼成時のパ
ターン流延防止の作用をなすものである。また、コント
ラストを向上させるために、無機粉体として耐火性の黒
色顔料を転写層３，１３に含有させてもよい。黒色顔料
としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ
−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等を挙げるこ
とができる。
【００１７】ここで、上記のおよびの方法でアドレ
ス電極を形成する場合、（１）濃度、温度、時間等の現
像条件を調整して電極パターンのサイドエッジを少なく
する、（２）ガラスフリットとして、焼成温度よりも低
い軟化温度を有するもの、より好ましくは焼成温度より
も３０〜１５０℃低い軟化温度を有するもの、さらに好
ましくは焼成温度よりも３０〜７０℃低い軟化温度を有
するものを使用することにより、上述のＴ１−Ｔ２＜３
μｍと｜Ｗ１−Ｗ２｜＜１２μｍを満足することができ
る。
ス電極を形成する場合、（１）濃度、温度、時間等の現
像条件を調整して電極パターンのサイドエッジを少なく
する、（２）ガラスフリットとして、焼成温度よりも低
い軟化温度を有するもの、より好ましくは焼成温度より
も３０〜１５０℃低い軟化温度を有するもの、さらに好
ましくは焼成温度よりも３０〜７０℃低い軟化温度を有
するものを使用することにより、上述のＴ１−Ｔ２＜３
μｍと｜Ｗ１−Ｗ２｜＜１２μｍを満足することができ
る。
【００１８】本発明の背面板１１を構成する背面ガラス
基板１２としては、石英ガラス、パイレックスガラス、
合成石英板等が挙げられる。
基板１２としては、石英ガラス、パイレックスガラス、
合成石英板等が挙げられる。
【００１９】誘電体層１５は、少なくともガラスフリッ
トと無機粉体からなり、上記のようにアドレス電極１４
を覆うように形成されている。この誘電体層１５のアド
レス電極上の厚みは０．５〜１５μｍ、より好ましくは
０．５〜１０μｍ、さらに好ましくは１〜８μｍの範囲
で設定することができる。本発明における誘電体層の厚
みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定される誘
電体層の厚みを意味する。また、上述のＴ１−Ｔ２＜３
μｍを満足する範囲内で、アドレス電極１４の幅方向に
厚みのバラツキが存在し、このため、アドレス電極１４
上の誘電体層１５の厚みにバラツキがある場合、誘電体
層１５の厚みは最も薄い部位で管理することが好まし
い。
トと無機粉体からなり、上記のようにアドレス電極１４
を覆うように形成されている。この誘電体層１５のアド
レス電極上の厚みは０．５〜１５μｍ、より好ましくは
０．５〜１０μｍ、さらに好ましくは１〜８μｍの範囲
で設定することができる。本発明における誘電体層の厚
みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定される誘
電体層の厚みを意味する。また、上述のＴ１−Ｔ２＜３
μｍを満足する範囲内で、アドレス電極１４の幅方向に
厚みのバラツキが存在し、このため、アドレス電極１４
上の誘電体層１５の厚みにバラツキがある場合、誘電体
層１５の厚みは最も薄い部位で管理することが好まし
い。
【００２０】このような誘電体層１５の形成は、少な
くともガラスフリットと無機粉体と焼成除去可能な有機
バインダを含有する誘電体層形成用のペーストを用い
て、スクリーン印刷、ダイコート、ブレードコート等の
手段によりアドレス電極１４を覆うように背面ガラス基
板１２に塗布を行い、乾燥後に焼成して形成する方法、
上記のようなペーストで形成した転写層を備えた転写
シートを使用し、アドレス電極１４を覆うように背面ガ
ラス基板１２に転写した後に焼成して形成する方法等に
より行うことができる。
くともガラスフリットと無機粉体と焼成除去可能な有機
バインダを含有する誘電体層形成用のペーストを用い
て、スクリーン印刷、ダイコート、ブレードコート等の
手段によりアドレス電極１４を覆うように背面ガラス基
板１２に塗布を行い、乾燥後に焼成して形成する方法、
上記のようなペーストで形成した転写層を備えた転写
シートを使用し、アドレス電極１４を覆うように背面ガ
ラス基板１２に転写した後に焼成して形成する方法等に
より行うことができる。
【００２１】誘電体層１５の形成に使用するガラスフリ
ットとしては、上述のアドレス電極形成で挙げたものと
同じガラスフリットを挙げることができ、例えばＢｉ2
Ｏ3、ＺｎＯまたはＰｂＯを主成分とするガラスフリッ
トを使用することができ、平均粒径は０．１〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲とすることができる。
ットとしては、上述のアドレス電極形成で挙げたものと
同じガラスフリットを挙げることができ、例えばＢｉ2
Ｏ3、ＺｎＯまたはＰｂＯを主成分とするガラスフリッ
トを使用することができ、平均粒径は０．１〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲とすることができる。
【００２２】また、誘電体層１５の形成に使用する無機
粉体として、酸化アルミニウム、酸化硼素、シリカ、酸
化チタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ス
トロンチウム、酸化バリウム、炭酸カルシウム等の無機
粉体をガラスフリット１００重量部に対して４０重量部
以下の範囲で含有することができる。このような無機粉
体は、平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、
骨材として焼成時のパターン流延防止の作用をなす、ま
たは、帯電特性を制御するものである。このような誘電
体層１５は、その表面抵抗が１×１０10〜１×１０13Ω
／ｃｍ 2 、好ましくは１×１０11〜１×１０13Ω／ｃｍ
2 の範囲にある。
粉体として、酸化アルミニウム、酸化硼素、シリカ、酸
化チタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ス
トロンチウム、酸化バリウム、炭酸カルシウム等の無機
粉体をガラスフリット１００重量部に対して４０重量部
以下の範囲で含有することができる。このような無機粉
体は、平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、
骨材として焼成時のパターン流延防止の作用をなす、ま
たは、帯電特性を制御するものである。このような誘電
体層１５は、その表面抵抗が１×１０10〜１×１０13Ω
／ｃｍ 2 、好ましくは１×１０11〜１×１０13Ω／ｃｍ
2 の範囲にある。
【００２３】図３は図１に示されるような本発明のプラ
ズマディスプレイパネル用の背面板を用いたＡＣ型のプ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の一例を示す概略
構成図であり、前面板と背面板を離した状態を示したも
のである。図３において、ＰＤＰ１は背面板１１と前面
板２１とが互いに平行に、かつ対向して配設されてお
り、背面板１１の前面側には、立設するように障壁１６
が形成され、この障壁１６によって背面板１１と前面板
２１とが一定間隔で保持される。
ズマディスプレイパネル用の背面板を用いたＡＣ型のプ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の一例を示す概略
構成図であり、前面板と背面板を離した状態を示したも
のである。図３において、ＰＤＰ１は背面板１１と前面
板２１とが互いに平行に、かつ対向して配設されてお
り、背面板１１の前面側には、立設するように障壁１６
が形成され、この障壁１６によって背面板１１と前面板
２１とが一定間隔で保持される。
【００２４】本発明の背面板１１は、背面ガラス基板１
２を有し、この背面ガラス基板１２の前面側に下地層１
３を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極
１４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された
誘電体層１５と、誘電体層１５上のアドレス電極１４間
に形成された障壁１６と、さらに障壁１６の壁面と誘電
体層１５を覆うようにして設けられた蛍光体層１７とを
備えている。
２を有し、この背面ガラス基板１２の前面側に下地層１
３を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極
１４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された
誘電体層１５と、誘電体層１５上のアドレス電極１４間
に形成された障壁１６と、さらに障壁１６の壁面と誘電
体層１５を覆うようにして設けられた蛍光体層１７とを
備えている。
【００２５】また、前面板２１は、前面ガラス基板２２
を有し、この前面ガラス基板２２の背面側に透明電極で
ある維持電極２３と金属電極であるバス電極２４とから
なる複合電極が上記のアドレス電極１４と直交するよう
に互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層２５が
形成されており、さらにその上にＭｇＯ層２６が形成さ
れている。
を有し、この前面ガラス基板２２の背面側に透明電極で
ある維持電極２３と金属電極であるバス電極２４とから
なる複合電極が上記のアドレス電極１４と直交するよう
に互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層２５が
形成されており、さらにその上にＭｇＯ層２６が形成さ
れている。
【００２６】このＡＣ型ＰＤＰ１では、前面板２１上の
複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を
形成することにより、背面ガラス基板１２と前面ガラス
基板２２と障壁１６とで区画される表示要素としての各
セル内で放電が行われる。そして、この放電により生じ
る紫外線により蛍光体層１７が発光し、前面ガラス基板
２２を透過してくるこの光を観察者が視認するようにな
っている。
複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を
形成することにより、背面ガラス基板１２と前面ガラス
基板２２と障壁１６とで区画される表示要素としての各
セル内で放電が行われる。そして、この放電により生じ
る紫外線により蛍光体層１７が発光し、前面ガラス基板
２２を透過してくるこの光を観察者が視認するようにな
っている。
【００２７】
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （アドレス電極の形成）まず、アドレス電極形成用とし
て下記組成の感光性樹脂組成物を調製した。 感光性樹脂組成物の組成 ・銀粉（球形状、平均粒径１μｍ） … ９６重量部 ・ガラスフリット … ４重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 軟化点＝５００℃） ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート ／メタクリル酸共重合体 … １３重量部 （分子量＝８万、酸価＝９０ｍｇＫＯＨ／ｇ） ・ペンタエリスリトールトリ／テトラアクリレート … １１重量部 ・光重合開始剤（チバガイギ社製イルガキュア３６９）… １重量部 ・３−メトキシブチルアセテート … ２０重量部
明する。 （アドレス電極の形成）まず、アドレス電極形成用とし
て下記組成の感光性樹脂組成物を調製した。 感光性樹脂組成物の組成 ・銀粉（球形状、平均粒径１μｍ） … ９６重量部 ・ガラスフリット … ４重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 軟化点＝５００℃） ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート ／メタクリル酸共重合体 … １３重量部 （分子量＝８万、酸価＝９０ｍｇＫＯＨ／ｇ） ・ペンタエリスリトールトリ／テトラアクリレート … １１重量部 ・光重合開始剤（チバガイギ社製イルガキュア３６９）… １重量部 ・３−メトキシブチルアセテート … ２０重量部
【００２８】次に、ベースフィルムとしてポリエチレン
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の感光性樹脂組成物
をブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して厚み１７μｍの転写層を形成した。
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の感光性樹脂組成物
をブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して厚み１７μｍの転写層を形成した。
【００２９】次に、この転写層に保護フィルムとしてシ
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネー
トして転写シートを作製した。
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネー
トして転写シートを作製した。
【００３０】次いで、この転写シートを所定の幅にスリ
ットし、保護フィルムを剥離した後、４０℃に加温した
ガラス基板上にオートカットラミネータを用いて４０℃
の熱ロールで圧着した。次に、室温まで冷却した後、ベ
ースフィルムを剥離して転写層をガラス基板に転写し
た。
ットし、保護フィルムを剥離した後、４０℃に加温した
ガラス基板上にオートカットラミネータを用いて４０℃
の熱ロールで圧着した。次に、室温まで冷却した後、ベ
ースフィルムを剥離して転写層をガラス基板に転写し
た。
【００３１】次に、プラズマディスプレイパネルの電極
のネガパターンマスク（開口部線幅９０μｍ）を介して
紫外線（光源：超高圧水銀ランプ）を照射（７００ｍＪ
／ｃｍ2 ）して転写層を露光した。その後、炭酸ナトリ
ウム水溶液を用い４種の条件で現像し、所定のパターン
を得た。次いで、ガラス基板を６００℃で焼成して、ア
ドレス電極パターンを形成した。
のネガパターンマスク（開口部線幅９０μｍ）を介して
紫外線（光源：超高圧水銀ランプ）を照射（７００ｍＪ
／ｃｍ2 ）して転写層を露光した。その後、炭酸ナトリ
ウム水溶液を用い４種の条件で現像し、所定のパターン
を得た。次いで、ガラス基板を６００℃で焼成して、ア
ドレス電極パターンを形成した。
【００３２】このように形成されたアドレス電極パター
ンの厚み（図１および図２に示されるＴ１、Ｔ２）、幅
（図１および図２に示されるＷ１、Ｗ２）を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により測定し、（Ｔ１−Ｔ２）と（Ｗ
１−Ｗ２）を計算して下記の表１に示した。
ンの厚み（図１および図２に示されるＴ１、Ｔ２）、幅
（図１および図２に示されるＷ１、Ｗ２）を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により測定し、（Ｔ１−Ｔ２）と（Ｗ
１−Ｗ２）を計算して下記の表１に示した。
【００３３】（誘電体層の形成１）次に、下記組成の誘
電体形成用のインキ組成物を調製した。 インキ組成物の組成 ・ガラスフリット … ７０重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 平均粒径＝３μｍ） ・ＴｉＯ2 … ２０重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチル メタクリレート共重合体（８／２（モル比）） … ２０重量部 （分子量＝３００，０００） ・アジピン酸エステル系の転写性付与剤 … １２重量部 （旭電化工業（株）製アデカカイザーＲＳ１０７） ・プロピレングリコールモノメチルエーテル … ５０重量部
電体形成用のインキ組成物を調製した。 インキ組成物の組成 ・ガラスフリット … ７０重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 平均粒径＝３μｍ） ・ＴｉＯ2 … ２０重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチル メタクリレート共重合体（８／２（モル比）） … ２０重量部 （分子量＝３００，０００） ・アジピン酸エステル系の転写性付与剤 … １２重量部 （旭電化工業（株）製アデカカイザーＲＳ１０７） ・プロピレングリコールモノメチルエーテル … ５０重量部
【００３４】次に、ベースフィルムとしてポリエチレン
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の各インキ組成物を
ブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して、厚みが２５μｍの転写層を形成した。
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の各インキ組成物を
ブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して、厚みが２５μｍの転写層を形成した。
【００３５】次に、この転写層に保護フィルムとしてシ
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ（厚み２５μ
ｍ））をラミネートして、転写シートを作製した。
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ（厚み２５μ
ｍ））をラミネートして、転写シートを作製した。
【００３６】次いで、上記の転写シートの保護フィルム
を剥離し、１００℃に加温した各ガラス基板（上述のア
ドレス電極パターンが形成されたもの）上にオートカッ
トラミネータを用いて４０℃の熱ロールで圧着した。次
に、室温まで冷却した後、ベースフィルムを剥離して転
写層をガラス基板に転写した。
を剥離し、１００℃に加温した各ガラス基板（上述のア
ドレス電極パターンが形成されたもの）上にオートカッ
トラミネータを用いて４０℃の熱ロールで圧着した。次
に、室温まで冷却した後、ベースフィルムを剥離して転
写層をガラス基板に転写した。
【００３７】次に、ガラス基板を５７０℃で焼成して誘
電体層を形成し、プラズマディスプレイパネル用の背面
板（試料１〜４）を得た。
電体層を形成し、プラズマディスプレイパネル用の背面
板（試料１〜４）を得た。
【００３８】このように形成された背面板の電極上の誘
電体層の厚みを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定
し、亀裂やピンホールの有無、および、誘電体層の浮き
の有無を観察して、結果を下記の表１に示した。
電体層の厚みを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定
し、亀裂やピンホールの有無、および、誘電体層の浮き
の有無を観察して、結果を下記の表１に示した。
【００３９】（誘電体層の形成２）次に、下記組成の誘
電体形成用の塗布液を調製した。 誘電体形成用塗布液の組成 ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 平均粒径＝３μｍ） ・ＴｉＯ2 … ３５重量部 ・エチルセルロース … ６重量部 ・ブチルカルビトールアセテート … ２５重量部 ・タピネオール … ２０重量部
電体形成用の塗布液を調製した。 誘電体形成用塗布液の組成 ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 平均粒径＝３μｍ） ・ＴｉＯ2 … ３５重量部 ・エチルセルロース … ６重量部 ・ブチルカルビトールアセテート … ２５重量部 ・タピネオール … ２０重量部
【００４０】次に、上記の誘電体形成用の塗布液を、各
ガラス基板（上述のアドレス電極パターンが形成された
もの）上にブレードコート法により塗布し乾燥した後、
ガラス基板を５７０℃で焼成して誘電体層を形成し、プ
ラズマディスプレイパネル用の背面板（試料５〜８）を
得た。
ガラス基板（上述のアドレス電極パターンが形成された
もの）上にブレードコート法により塗布し乾燥した後、
ガラス基板を５７０℃で焼成して誘電体層を形成し、プ
ラズマディスプレイパネル用の背面板（試料５〜８）を
得た。
【００４１】このように形成された背面板（試料５〜
８）の電極上の誘電体層の厚みを走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）により測定し、亀裂やピンホールの有無、およ
び、誘電体層の浮きの有無を観察して、結果を下記の表
１に示した。
８）の電極上の誘電体層の厚みを走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）により測定し、亀裂やピンホールの有無、およ
び、誘電体層の浮きの有無を観察して、結果を下記の表
１に示した。
【００４２】
【表１】 表１に示されるように、背面板（試料１〜３、５〜７）
は、いずれもアドレス電極の露出がなく、また、誘電体
層に亀裂やピンホールがなく、さらに、誘電体層の浮き
も発生していないことが確認された。
は、いずれもアドレス電極の露出がなく、また、誘電体
層に亀裂やピンホールがなく、さらに、誘電体層の浮き
も発生していないことが確認された。
【００４３】これに対して、アドレス電極において（Ｔ
１−Ｔ２）が３μｍを超える背面板（試料４、８）で
は、アドレス電極の露出が発生し、また、背面板（試料
４）では、アドレス電極近傍において誘電体層の浮きが
みられた。
１−Ｔ２）が３μｍを超える背面板（試料４、８）で
は、アドレス電極の露出が発生し、また、背面板（試料
４）では、アドレス電極近傍において誘電体層の浮きが
みられた。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板上に形成した複数のアドレス電極を、幅方向の垂直断
面における端部の厚みＴ１と中央部の厚みＴ２との間に
Ｔ１−Ｔ２＜３μｍなる関係が存在するものとし、この
アドレス電極を覆うように誘電体層を形成して背面板と
するので、アドレス電極が誘電体層によって確実に被覆
され、かつ、アドレス電極上に形成された誘電体層は、
アドレス電極に対して確実に密着され、アドレス電極の
露出や誘電体層の亀裂、ピンホールおよび浮きが防止さ
れ、これにより、本発明の背面板を用いたプラズマディ
スプレイパネルは、高品質の画像表示が可能となる。
板上に形成した複数のアドレス電極を、幅方向の垂直断
面における端部の厚みＴ１と中央部の厚みＴ２との間に
Ｔ１−Ｔ２＜３μｍなる関係が存在するものとし、この
アドレス電極を覆うように誘電体層を形成して背面板と
するので、アドレス電極が誘電体層によって確実に被覆
され、かつ、アドレス電極上に形成された誘電体層は、
アドレス電極に対して確実に密着され、アドレス電極の
露出や誘電体層の亀裂、ピンホールおよび浮きが防止さ
れ、これにより、本発明の背面板を用いたプラズマディ
スプレイパネルは、高品質の画像表示が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマディスプレイパネル用の背面
板の一例を示す概略断面図である。
板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のプラズマディスプレイパネル用の背面
板の一例を示す概略断面図である。
板の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のプラズマディスプレイパネル用の背面
板を用いたＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの一例
を示す概略構成図である。
板を用いたＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの一例
を示す概略構成図である。
１…ＡＣ型のプラズマディスプレイパネル １１…背面板 １２…背面ガラス基板 １３…下地層 １４…アドレス電極 １５…誘電体層 １６…障壁 １７…蛍光体層 ２１…前面板 Ｔ１…アドレス電極の端部の厚み Ｔ２…アドレス電極の中央部の厚み Ｗ１…アドレス電極の上端部の幅 Ｗ２…アドレス電極の下端部の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小坂 陽三 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC02 GD09 MA23
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された複数のア
ドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記基板上
に形成された誘電体層とを少なくとも備え、前記アドレ
ス電極の幅方向の垂直断面における端部の厚みＴ１と中
央部の厚みＴ２との間に、Ｔ１−Ｔ２＜３μｍの関係が
存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネル
用の背面板。 - 【請求項２】 前記アドレス電極の幅方向の垂直断面に
おける上端部の幅Ｗ１と下端部の幅Ｗ２との間に、｜Ｗ
１−Ｗ２｜＜１２μｍの関係が存在することを特徴とす
る請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用の背
面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34670498A JP2000173475A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34670498A JP2000173475A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173475A true JP2000173475A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18385257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34670498A Pending JP2000173475A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019369A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Unite d'affichage a plasma et son procede de fabrication |
| KR100612232B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이의 플라즈마 디스플레이 패널 |
-
1998
- 1998-12-07 JP JP34670498A patent/JP2000173475A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019369A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Unite d'affichage a plasma et son procede de fabrication |
| US6891331B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display unit and production method thereof |
| US7040947B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming electrode layers |
| KR100891240B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2009-04-01 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100612232B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이의 플라즈마 디스플레이 패널 |
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