JP2000306513A - プラズマディスプレイパネル用の背面板 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用の背面板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体層上に高いアスペクト比を有する障壁
を優れた密着性で備えるプラズマディスプレイパネル用
の背面板を提供する。 【解決手段】 基板上に複数のアドレス電極と、このア
ドレス電極を覆うように表面粗さＲａが０．１〜１０μ
ｍの範囲内にある誘電体層を形成し、この誘電体層上に
アドレス電極と平行に複数の障壁を形成してプラズマデ
ィスプレイパネル用の背面板とする。
を優れた密着性で備えるプラズマディスプレイパネル用
の背面板を提供する。 【解決手段】 基板上に複数のアドレス電極と、このア
ドレス電極を覆うように表面粗さＲａが０．１〜１０μ
ｍの範囲内にある誘電体層を形成し、この誘電体層上に
アドレス電極と平行に複数の障壁を形成してプラズマデ
ィスプレイパネル用の背面板とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルに使用する背面板の係り、特に誘電体層上に
高い密着性で障壁を備える背面板に関する。
レイパネルに使用する背面板の係り、特に誘電体層上に
高い密着性で障壁を備える背面板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電パネルであるプラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の対向するガラス基板に
それぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間に
Ｎｅ、Ｈｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入した構造
となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
情報表示するためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方式の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式に分類される。
レイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の対向するガラス基板に
それぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間に
Ｎｅ、Ｈｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入した構造
となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
情報表示するためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方式の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式に分類される。
【０００３】ＤＣ型のＰＤＰおよびＡＣ型のＰＤＰにお
いて、各セルは前面板と背面板が、背面板の設けられた
障壁により対向保持されて形成されている。このような
障壁は、表示放電空間をできるだけ大きくして高輝度の
発光を得るために、ガラス基板に対して垂直に切り立
ち、かつ、幅が狭く十分な高さを有することが要求され
る。特に高精細のＰＤＰでは、例えば、高さ１００μｍ
に対して幅が３０〜５０μｍであるような高アスペクト
比の障壁が必要とされる。
いて、各セルは前面板と背面板が、背面板の設けられた
障壁により対向保持されて形成されている。このような
障壁は、表示放電空間をできるだけ大きくして高輝度の
発光を得るために、ガラス基板に対して垂直に切り立
ち、かつ、幅が狭く十分な高さを有することが要求され
る。特に高精細のＰＤＰでは、例えば、高さ１００μｍ
に対して幅が３０〜５０μｍであるような高アスペクト
比の障壁が必要とされる。
【０００４】従来、ＰＤＰの製造工程では、スクリーン
印刷により所定パターンの障壁を形成することが行われ
ていた。スクリーン印刷では、１回の印刷で形成できる
膜厚の限界が数１０μｍであるため、印刷と乾燥を多数
回、一般には１０回以上繰り返すことが必要であった。
しかし、一般にスクリーン印刷で形成される塗膜は周辺
部が低くなった凸形状であり、上記のような多数回の重
ね刷りを行った場合、パターンの周辺部における塗液の
ダレが蓄積されて底面部が広がった断面形状を呈すると
いう問題があった。したがって、要求される高アスペク
ト比を有する障壁をスクリーン印刷によって形成するこ
とは困難であった。
印刷により所定パターンの障壁を形成することが行われ
ていた。スクリーン印刷では、１回の印刷で形成できる
膜厚の限界が数１０μｍであるため、印刷と乾燥を多数
回、一般には１０回以上繰り返すことが必要であった。
しかし、一般にスクリーン印刷で形成される塗膜は周辺
部が低くなった凸形状であり、上記のような多数回の重
ね刷りを行った場合、パターンの周辺部における塗液の
ダレが蓄積されて底面部が広がった断面形状を呈すると
いう問題があった。したがって、要求される高アスペク
ト比を有する障壁をスクリーン印刷によって形成するこ
とは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、サンドブラスト法を用いた障壁形成方法が
提案されている。この障壁形成方法では、誘電体層上に
障壁形成層を設け、この障壁形成層の上に障壁用レジス
トパターンを印刷やフォトリソグラフィーにより形成
し、レジストの開口部に露出している障壁形成層を除去
して障壁パターンを形成し、その後、障壁パターンを焼
成することにより障壁が形成される。この障壁形成層の
除去方法として、微粒子が混合された圧縮気体を高速で
噴射して物理的にエッチングを行う、いわゆるサンドブ
ラスト法が用いられる。このサンドブラスト法を用いる
ことにより、基板に対して垂直に切り立ち、かつ、幅が
狭く十分な高さを有する所望の形状に障壁形成層を加工
することができる。
するために、サンドブラスト法を用いた障壁形成方法が
提案されている。この障壁形成方法では、誘電体層上に
障壁形成層を設け、この障壁形成層の上に障壁用レジス
トパターンを印刷やフォトリソグラフィーにより形成
し、レジストの開口部に露出している障壁形成層を除去
して障壁パターンを形成し、その後、障壁パターンを焼
成することにより障壁が形成される。この障壁形成層の
除去方法として、微粒子が混合された圧縮気体を高速で
噴射して物理的にエッチングを行う、いわゆるサンドブ
ラスト法が用いられる。このサンドブラスト法を用いる
ことにより、基板に対して垂直に切り立ち、かつ、幅が
狭く十分な高さを有する所望の形状に障壁形成層を加工
することができる。
【０００６】しかしながら、上述のようなサンドブラス
ト法を用いた障壁形成では、レジストマスクの開口部に
露出している障壁形成層をサンドブラスト法により除去
するエッチング工程、および、エッチング工程後にレジ
ストパターンを剥離液を用いて洗浄除去する工程で、障
壁パターンとして残されるべき障壁形成層が倒れて欠陥
を生じるという問題がある。このような問題は、障壁の
幅が狭くアスペクト比が高くなるにしたがって、より顕
著となる。
ト法を用いた障壁形成では、レジストマスクの開口部に
露出している障壁形成層をサンドブラスト法により除去
するエッチング工程、および、エッチング工程後にレジ
ストパターンを剥離液を用いて洗浄除去する工程で、障
壁パターンとして残されるべき障壁形成層が倒れて欠陥
を生じるという問題がある。このような問題は、障壁の
幅が狭くアスペクト比が高くなるにしたがって、より顕
著となる。
【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、誘電体層上に高いアスペクト比を有す
る障壁を優れた密着性で備えるプラズマディスプレイパ
ネル用の背面板を提供することを目的とする。
れたものであり、誘電体層上に高いアスペクト比を有す
る障壁を優れた密着性で備えるプラズマディスプレイパ
ネル用の背面板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基板と、該基板上に形成された複
数のアドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記
基板上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に前記ア
ドレス電極と平行に形成された複数の障壁とを備え、該
誘電体層の表面粗さＲａは０．１〜１０μｍの範囲内、
特に望ましくは０．１〜２．０μｍの範囲内にあるよう
な構成とした。
るために、本発明は、基板と、該基板上に形成された複
数のアドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記
基板上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に前記ア
ドレス電極と平行に形成された複数の障壁とを備え、該
誘電体層の表面粗さＲａは０．１〜１０μｍの範囲内、
特に望ましくは０．１〜２．０μｍの範囲内にあるよう
な構成とした。
【０００９】このような本発明では、誘電体層が、その
表面の粗さにより障壁形成材料に対する高い密着性を発
現し、障壁が誘電体層上に確実に形成維持される。
表面の粗さにより障壁形成材料に対する高い密着性を発
現し、障壁が誘電体層上に確実に形成維持される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明のプラズマディスプレイパネ
ル用の背面板の一実施形態を示す概略断面図である。図
１において、本発明の背面板１１は、背面ガラス基板１
２を有し、この背面ガラス基板１２の一方に下地層１３
を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極１
４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された誘
電体層１５と、誘電体層１５上にアドレス電極１４の間
に位置するように形成された障壁１６と、各障壁１６の
壁面と誘電体層１５を覆うように設けられている蛍光体
層１７とを備えている。
ル用の背面板の一実施形態を示す概略断面図である。図
１において、本発明の背面板１１は、背面ガラス基板１
２を有し、この背面ガラス基板１２の一方に下地層１３
を介して所定の間隔で平行に形成されたアドレス電極１
４と、このアドレス電極１４を覆うように形成された誘
電体層１５と、誘電体層１５上にアドレス電極１４の間
に位置するように形成された障壁１６と、各障壁１６の
壁面と誘電体層１５を覆うように設けられている蛍光体
層１７とを備えている。
【００１２】背面板１１に用いられる背面ガラス基板１
２としては、石英ガラス、パイレックスガラス、合成石
英板等が挙げられる。
２としては、石英ガラス、パイレックスガラス、合成石
英板等が挙げられる。
【００１３】アドレス電極１４は、背面ガラス基板１
２上に形成した金属薄膜をパターニングして形成したも
の、導電性粉体、ガラスフリット、焼成除去可能な有
機バインダ等からなる感光性樹脂組成物を背面ガラス基
板１２上に塗布し所定のパターンで露光、現像した後に
焼成して形成したもの、上記のような感光性樹脂組成
物からなる転写層を備えた転写シートを使用し、背面ガ
ラス基板１２に転写した転写層を所定のパターンで露
光、現像した後に焼成して形成したもの等、いずれであ
ってもよい。
２上に形成した金属薄膜をパターニングして形成したも
の、導電性粉体、ガラスフリット、焼成除去可能な有
機バインダ等からなる感光性樹脂組成物を背面ガラス基
板１２上に塗布し所定のパターンで露光、現像した後に
焼成して形成したもの、上記のような感光性樹脂組成
物からなる転写層を備えた転写シートを使用し、背面ガ
ラス基板１２に転写した転写層を所定のパターンで露
光、現像した後に焼成して形成したもの等、いずれであ
ってもよい。
【００１４】誘電体層１５は、その表面粗さＲａがほぼ
０．１〜１０μｍの範囲内、より好ましくは０．１〜
２．０μｍの範囲内にある。誘電体層の表面粗さＲａが
０．１μｍ未満であると、障壁１６の形成段階において
障壁パターンと誘電体層１５との密着性が不十分とな
り、障壁パターンが倒れるという欠陥が発生し易く、ま
た、表面粗さＲａが１０μｍを超えると、欠け、切れ等
の欠陥が増えて障壁パターンの形成が困難となり好まし
くない。このような誘電体層１５の表面粗さＲａは、日
本真空技術（株）製の表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ１
６０００により測定したものを意味する。
０．１〜１０μｍの範囲内、より好ましくは０．１〜
２．０μｍの範囲内にある。誘電体層の表面粗さＲａが
０．１μｍ未満であると、障壁１６の形成段階において
障壁パターンと誘電体層１５との密着性が不十分とな
り、障壁パターンが倒れるという欠陥が発生し易く、ま
た、表面粗さＲａが１０μｍを超えると、欠け、切れ等
の欠陥が増えて障壁パターンの形成が困難となり好まし
くない。このような誘電体層１５の表面粗さＲａは、日
本真空技術（株）製の表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ１
６０００により測定したものを意味する。
【００１５】上記の誘電体層１５は、少なくともガラス
フリットと無機粉体からなり、誘電体層１５のアドレス
電極１４上の厚みは０．５〜１５μｍ、より好ましくは
０．５〜７μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍの範囲で
あり、アドレス電極以外の領域における厚みは３〜３０
μｍの範囲で設定することができる。このような誘電体
層１５は、少なくともガラスフリットと無機粉体と焼
成除去可能な有機バインダを含有する誘電体層形成用の
ペーストを用いて、スクリーン印刷、ダイコート、ブレ
ードコート等の手段によりアドレス電極１４を覆うよう
に背面ガラス基板１２に塗布を行い、乾燥後に焼成する
方法、上記のようなペーストで形成した転写層を備え
た転写シートを使用し、アドレス電極１４を覆うように
背面ガラス基板１２に転写した後に焼成する方法等によ
り形成することができる。
フリットと無機粉体からなり、誘電体層１５のアドレス
電極１４上の厚みは０．５〜１５μｍ、より好ましくは
０．５〜７μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍの範囲で
あり、アドレス電極以外の領域における厚みは３〜３０
μｍの範囲で設定することができる。このような誘電体
層１５は、少なくともガラスフリットと無機粉体と焼
成除去可能な有機バインダを含有する誘電体層形成用の
ペーストを用いて、スクリーン印刷、ダイコート、ブレ
ードコート等の手段によりアドレス電極１４を覆うよう
に背面ガラス基板１２に塗布を行い、乾燥後に焼成する
方法、上記のようなペーストで形成した転写層を備え
た転写シートを使用し、アドレス電極１４を覆うように
背面ガラス基板１２に転写した後に焼成する方法等によ
り形成することができる。
【００１６】誘電体層１５の形成に使用するガラスフリ
ットとしては、例えば、軟化温度が４００〜６００℃で
あり、熱膨張係数α300 が６０×１０-7〜１００×１０
-7／℃であるガラスフリットを使用することができる。
そして、ガラスフリットの軟化温度Ｔ１と焼成温度Ｔ２
との間に、（Ｔ２−１００℃）≦Ｔ１≦Ｔ２のような関
係をもたせ、また、後述する無機粉体の材質、含有量、
粒子サイズ等を適宜設定することにより、上述のような
表面粗さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にある誘電体
層１５の形成が可能となる。ガラスフリットの軟化温度
が６００℃を超えると焼成温度を高くする必要があり、
例えば、背面板を構成する基板の耐熱性が低い場合には
焼成段階で熱変形を生じることになり好ましくない。ま
た、ガラスフリットの軟化温度が４００℃未満では、焼
成により有機成分が完全に分解、揮発して除去される前
にガラスフリットが融着するため、空隙を生じやすく好
ましくない。さらに、ガラスフリットの熱膨張係数α
300 が６０×１０-7／℃未満、あるいは、１００×１０
-7／℃を超えると、背面板を構成する基板の熱膨張係数
との差が大きくなりすぎる場合があり、歪み等を生じる
ことになり好ましくない。このようなガラスフリットと
しては、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯまたはＰｂＯを主成
分とするガラスフリットを使用することができ、平均粒
径は０．１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲と
することができる。
ットとしては、例えば、軟化温度が４００〜６００℃で
あり、熱膨張係数α300 が６０×１０-7〜１００×１０
-7／℃であるガラスフリットを使用することができる。
そして、ガラスフリットの軟化温度Ｔ１と焼成温度Ｔ２
との間に、（Ｔ２−１００℃）≦Ｔ１≦Ｔ２のような関
係をもたせ、また、後述する無機粉体の材質、含有量、
粒子サイズ等を適宜設定することにより、上述のような
表面粗さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にある誘電体
層１５の形成が可能となる。ガラスフリットの軟化温度
が６００℃を超えると焼成温度を高くする必要があり、
例えば、背面板を構成する基板の耐熱性が低い場合には
焼成段階で熱変形を生じることになり好ましくない。ま
た、ガラスフリットの軟化温度が４００℃未満では、焼
成により有機成分が完全に分解、揮発して除去される前
にガラスフリットが融着するため、空隙を生じやすく好
ましくない。さらに、ガラスフリットの熱膨張係数α
300 が６０×１０-7／℃未満、あるいは、１００×１０
-7／℃を超えると、背面板を構成する基板の熱膨張係数
との差が大きくなりすぎる場合があり、歪み等を生じる
ことになり好ましくない。このようなガラスフリットと
しては、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯまたはＰｂＯを主成
分とするガラスフリットを使用することができ、平均粒
径は０．１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲と
することができる。
【００１７】また、誘電体層１５の形成に使用する無機
粉体として、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、シリカ、
酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化
ストロンチウム、酸化バリウム、ジルコニア、ジルコ
ン、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム等の無機粉体を
挙げることができる。このような無機粉体は、ガラスフ
リット１００重量部に対して３０重量部以下の範囲で含
有することができる。このような無機粉体は、平均粒径
が０．１〜２０重量部の範囲が好ましく、骨材として焼
成時の誘電体層パターン流延防止の作用をなし、また、
焼成して形成された誘電体層１５の表面を適度に荒らし
て表面粗さを調整する作用をなすものである。
粉体として、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、シリカ、
酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化
ストロンチウム、酸化バリウム、ジルコニア、ジルコ
ン、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム等の無機粉体を
挙げることができる。このような無機粉体は、ガラスフ
リット１００重量部に対して３０重量部以下の範囲で含
有することができる。このような無機粉体は、平均粒径
が０．１〜２０重量部の範囲が好ましく、骨材として焼
成時の誘電体層パターン流延防止の作用をなし、また、
焼成して形成された誘電体層１５の表面を適度に荒らし
て表面粗さを調整する作用をなすものである。
【００１８】また、誘電体層１５の形成に使用する有機
バインダは、６００℃以下の焼成、例えば、４００〜６
００℃の範囲における焼成で揮発または分解するもので
ある。
バインダは、６００℃以下の焼成、例えば、４００〜６
００℃の範囲における焼成で揮発または分解するもので
ある。
【００１９】上記の障壁１６は、少なくともガラスフリ
ットと無機粉体からなり、高さは５０〜３００μｍ、幅
は５〜２００μｍ、形成間隔は１０〜５００μｍの範囲
で設定することができる。このような障壁１６の形成
は、まず、少なくともガラスフリットと無機粉体と焼成
除去可能な有機バインダを含有する障壁形成用のペース
トを用いて、スクリーン印刷、ダイコート、ブレードコ
ート等の手段により、あるいは、上記のようなペースト
で形成した転写層を備えた転写シートを使用して、誘電
体層１５上に障壁形成層を設ける。次に、この障壁形成
層の上に障壁用レジストパターンを印刷やフォトリソグ
ラフィーにより形成し、レジストの開口部に露出してい
る障壁形成層をエッチング法により除去して障壁パター
ンを形成する。その後、レジストパターンを洗浄除去
し、障壁パターンを焼成して有機バインダを除去するこ
とにより障壁１６を形成する。エッチング法としては、
微粒子が混合された圧縮気体を高速で噴射して物理的に
エッチングを行う、いわゆるサンドブラスト法が用いら
れる。
ットと無機粉体からなり、高さは５０〜３００μｍ、幅
は５〜２００μｍ、形成間隔は１０〜５００μｍの範囲
で設定することができる。このような障壁１６の形成
は、まず、少なくともガラスフリットと無機粉体と焼成
除去可能な有機バインダを含有する障壁形成用のペース
トを用いて、スクリーン印刷、ダイコート、ブレードコ
ート等の手段により、あるいは、上記のようなペースト
で形成した転写層を備えた転写シートを使用して、誘電
体層１５上に障壁形成層を設ける。次に、この障壁形成
層の上に障壁用レジストパターンを印刷やフォトリソグ
ラフィーにより形成し、レジストの開口部に露出してい
る障壁形成層をエッチング法により除去して障壁パター
ンを形成する。その後、レジストパターンを洗浄除去
し、障壁パターンを焼成して有機バインダを除去するこ
とにより障壁１６を形成する。エッチング法としては、
微粒子が混合された圧縮気体を高速で噴射して物理的に
エッチングを行う、いわゆるサンドブラスト法が用いら
れる。
【００２０】障壁１６の形成に使用するガラスフリット
や無機粉体としては、上述の誘電体層１５の形成で挙げ
たものと同じガラスフリットおよび無機粉体を挙げるこ
とができる。また、障壁１６の外光反射を低減し、実用
上のコントラストを向上させるために、無機粉体として
耐火性の黒色顔料あるいは白色顔料を含有させることが
できる。耐火性の黒色顔料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃ
ｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等を挙げることができる。また、耐火性
の白色顔料としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、
シリカ、炭酸カルシウム等が挙げられる。
や無機粉体としては、上述の誘電体層１５の形成で挙げ
たものと同じガラスフリットおよび無機粉体を挙げるこ
とができる。また、障壁１６の外光反射を低減し、実用
上のコントラストを向上させるために、無機粉体として
耐火性の黒色顔料あるいは白色顔料を含有させることが
できる。耐火性の黒色顔料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃ
ｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等を挙げることができる。また、耐火性
の白色顔料としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、
シリカ、炭酸カルシウム等が挙げられる。
【００２１】障壁１６の形成に使用する有機バインダ
は、従来から障壁形成に使用されている有機バインダの
なかから適宜選択して使用することができ、例えば、４
００〜６００℃の範囲における焼成で揮発または分解す
るものである。
は、従来から障壁形成に使用されている有機バインダの
なかから適宜選択して使用することができ、例えば、４
００〜６００℃の範囲における焼成で揮発または分解す
るものである。
【００２２】本発明の背面板は、誘電体層１５の表面粗
さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にあるので、上述の
ような障壁パターン形成において、誘電体層１５が障壁
形成層に対して高い密着性を発現し、障壁パターンが倒
れるという欠陥の発生が防止される。
さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にあるので、上述の
ような障壁パターン形成において、誘電体層１５が障壁
形成層に対して高い密着性を発現し、障壁パターンが倒
れるという欠陥の発生が防止される。
【００２３】上記の蛍光体層１７は、赤色発色性の蛍光
体層１７Ｒ、緑色発色性の蛍光体層１７Ｇ、青色発色性
の蛍光体層１７Ｂから構成される。このような蛍光体層
１７は、蛍光体を含有した感光性ペーストを背面板の障
壁側に塗布し、所定のマスクを介してパターン状に露光
し現像して、背面板の障壁１６の壁面とセル底面の誘電
体層１５を覆う所望の位置にパターンを形成し、この操
作を必要色数分繰り返した後、焼成して樹脂成分を除去
することにより形成することができる。また、蛍光体層
を含有した感光性樹脂層をベースフィルムに剥離可能に
設けた転写シートを使用し、感光性樹脂層を背面板の障
壁側に圧着し、ベースフィルム側から所定のマスクを介
してパターン状に露光し、その後、ベースフィルムを背
面板から剥離して、露光部分の感光性樹脂層のみを背面
板の障壁１６の壁面とセル底面の誘電体層１５を覆う所
望の位置に転写し、この操作を必要色数分繰り返した
後、焼成して樹脂成分を除去することにより蛍光体層１
７を形成することができる。
体層１７Ｒ、緑色発色性の蛍光体層１７Ｇ、青色発色性
の蛍光体層１７Ｂから構成される。このような蛍光体層
１７は、蛍光体を含有した感光性ペーストを背面板の障
壁側に塗布し、所定のマスクを介してパターン状に露光
し現像して、背面板の障壁１６の壁面とセル底面の誘電
体層１５を覆う所望の位置にパターンを形成し、この操
作を必要色数分繰り返した後、焼成して樹脂成分を除去
することにより形成することができる。また、蛍光体層
を含有した感光性樹脂層をベースフィルムに剥離可能に
設けた転写シートを使用し、感光性樹脂層を背面板の障
壁側に圧着し、ベースフィルム側から所定のマスクを介
してパターン状に露光し、その後、ベースフィルムを背
面板から剥離して、露光部分の感光性樹脂層のみを背面
板の障壁１６の壁面とセル底面の誘電体層１５を覆う所
望の位置に転写し、この操作を必要色数分繰り返した
後、焼成して樹脂成分を除去することにより蛍光体層１
７を形成することができる。
【００２４】図２は、上述の本発明のプラズマディスプ
レイパネル用の背面板１１を用いたＡＣ型のプラズマデ
ィスプレイパネル（ＰＤＰ）の一例を示す概略構成図で
あり、前面板と背面板を離した状態を示したものであ
る。図２において、ＰＤＰ１は背面板１１と前面板２１
とが互いに平行に、かつ対向して配設されており、障壁
１６によって背面板１１と前面板２１とが一定間隔で保
持される。
レイパネル用の背面板１１を用いたＡＣ型のプラズマデ
ィスプレイパネル（ＰＤＰ）の一例を示す概略構成図で
あり、前面板と背面板を離した状態を示したものであ
る。図２において、ＰＤＰ１は背面板１１と前面板２１
とが互いに平行に、かつ対向して配設されており、障壁
１６によって背面板１１と前面板２１とが一定間隔で保
持される。
【００２５】上記の前面板２１は、前面ガラス基板２２
を有し、この前面ガラス基板２２の背面側に透明電極で
ある維持電極２３と金属電極であるバス電極２４とから
なる複合電極が上記のアドレス電極１４と直交するよう
に互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層２５が
形成されており、さらにその上にＭｇＯ層２６が形成さ
れている。
を有し、この前面ガラス基板２２の背面側に透明電極で
ある維持電極２３と金属電極であるバス電極２４とから
なる複合電極が上記のアドレス電極１４と直交するよう
に互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層２５が
形成されており、さらにその上にＭｇＯ層２６が形成さ
れている。
【００２６】このＡＣ型ＰＤＰ１では、前面板２１上の
複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を
形成することにより、背面ガラス基板１２と前面ガラス
基板２２と障壁１６とで区画される表示要素としての各
セル内で放電が行われる。そして、この放電により生じ
る紫外線により蛍光体層１７が発光し、前面ガラス基板
２２を透過して来るこの光を観察者が視認するようにな
っている。
複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を
形成することにより、背面ガラス基板１２と前面ガラス
基板２２と障壁１６とで区画される表示要素としての各
セル内で放電が行われる。そして、この放電により生じ
る紫外線により蛍光体層１７が発光し、前面ガラス基板
２２を透過して来るこの光を観察者が視認するようにな
っている。
【００２７】
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００２８】（アドレス電極の形成）まず、アドレス電
極形成用として下記組成の感光性樹脂組成物を調製し
た。 感光性樹脂組成物の組成 ・銀粉（球形状、平均粒径１μｍ） … ９６重量部 ・ガラスフリット … ４重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 軟化温度＝５００℃） ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート ／メタクリル酸共重合体（グリシジルメタクリレート付加） （分子量＝８万、酸価＝１１０ｍｇＫＯＨ／ｇ） … １３重量部 ・ペンタエリスリトールトリ／テトラアクリレート … １１重量部 ・光重合開始剤（チバガイギ社製イルガキュア３６９）… １重量部 ・３−メトキシブチルアセテート … ２０重量部
極形成用として下記組成の感光性樹脂組成物を調製し
た。 感光性樹脂組成物の組成 ・銀粉（球形状、平均粒径１μｍ） … ９６重量部 ・ガラスフリット … ４重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ） 軟化温度＝５００℃） ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート ／メタクリル酸共重合体（グリシジルメタクリレート付加） （分子量＝８万、酸価＝１１０ｍｇＫＯＨ／ｇ） … １３重量部 ・ペンタエリスリトールトリ／テトラアクリレート … １１重量部 ・光重合開始剤（チバガイギ社製イルガキュア３６９）… １重量部 ・３−メトキシブチルアセテート … ２０重量部
【００２９】次に、ベースフィルムとしてポリエチレン
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の感光性樹脂組成物
をブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して厚み１７μｍの転写層を形成した。
テレフタレートフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準
備し、このベースフィルム上に上記の感光性樹脂組成物
をブレードコート法により塗布し乾燥（１００℃、２分
間）して厚み１７μｍの転写層を形成した。
【００３０】次に、この転写層に保護フィルムとしてシ
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネー
トして転写シートを作製した。
リコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東セ
ロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネー
トして転写シートを作製した。
【００３１】次いで、この転写シートを所定の幅にスリ
ットし、保護フィルムを剥離した後、４０℃に加温した
ガラス基板上にオートカットラミネータを用いて４０℃
の熱ロールで圧着した。次に、室温まで冷却した後、ベ
ースフィルムを剥離して転写層をガラス基板に転写し
た。
ットし、保護フィルムを剥離した後、４０℃に加温した
ガラス基板上にオートカットラミネータを用いて４０℃
の熱ロールで圧着した。次に、室温まで冷却した後、ベ
ースフィルムを剥離して転写層をガラス基板に転写し
た。
【００３２】次に、プラズマディスプレイパネルの電極
のネガパターンマスク（開口部線幅９０μｍ）を介して
紫外線（光源：超高圧水銀ランプ）を照射（７００ｍＪ
／ｃｍ2 ）して転写層を露光した。その後、０．５％炭
酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、所定のパターンを
得た。次いで、ガラス基板を６００℃で焼成して、アド
レス電極パターン（厚み約５μｍ）を形成した。
のネガパターンマスク（開口部線幅９０μｍ）を介して
紫外線（光源：超高圧水銀ランプ）を照射（７００ｍＪ
／ｃｍ2 ）して転写層を露光した。その後、０．５％炭
酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、所定のパターンを
得た。次いで、ガラス基板を６００℃で焼成して、アド
レス電極パターン（厚み約５μｍ）を形成した。
【００３３】（誘電体層の形成）次に、下記９種の組成
の誘電体形成用のインキ組成物Ａ〜Ｉを調製した。尚、
各インキ組成物における軟化点は、ガラスフリットとフ
ィラ−成分をあわせた軟化点を示している。
の誘電体形成用のインキ組成物Ａ〜Ｉを調製した。尚、
各インキ組成物における軟化点は、ガラスフリットとフ
ィラ−成分をあわせた軟化点を示している。
【００３４】 インキ組成物Ａ（軟化点＝５４０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００３５】 インキ組成物Ｂ（軟化点＝５４０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：ＰｂＯ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００３６】 インキ組成物Ｃ（軟化点＝５２０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：ＰｂＯ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３０重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００３７】 インキ組成物Ｄ（軟化点＝５００℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ２０重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００３８】 インキ組成物Ｅ（軟化点＝５７０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００３９】 インキ組成物Ｆ（軟化点＝５２０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ２０重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００４０】 インキ組成物Ｇ（軟化点＝５００℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００４１】 インキ組成物Ｈ（軟化点＝５５０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００４２】 インキ組成物Ｉ（軟化点＝５６０℃） ・ガラスフリット … １００重量部 （主成分：Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 （無アルカリ）） ・フィラー成分（酸化チタン） … ３５重量部 ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ３．４重量部 ・溶剤 … ６０重量部
【００４３】次に、上記の各インキ組成物を上記ガラス
基板上にスクリーン印刷法により塗布し乾燥（１２０
℃、２分間）して、各インキ組成物ごとに厚みが１２μ
ｍの誘電体層を形成した。次いで、ガラス基板を下記の
表１に示す焼成温度で焼成して誘電体層を形成した。こ
のように形成した誘電体層の表面粗さＲａを日本真空技
術（株）製表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ１６０００を
用いて測定し、結果を下記の表１に示した。尚、形成し
た誘電体層のアドレス電極上の厚みを走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）により測定した結果、約８μｍであった。
基板上にスクリーン印刷法により塗布し乾燥（１２０
℃、２分間）して、各インキ組成物ごとに厚みが１２μ
ｍの誘電体層を形成した。次いで、ガラス基板を下記の
表１に示す焼成温度で焼成して誘電体層を形成した。こ
のように形成した誘電体層の表面粗さＲａを日本真空技
術（株）製表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ１６０００を
用いて測定し、結果を下記の表１に示した。尚、形成し
た誘電体層のアドレス電極上の厚みを走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）により測定した結果、約８μｍであった。
【００４４】（障壁の形成）次に、誘電体層上に障壁用
ペースト（日本電気硝子（株）製ＰＬＳ−３５５０）を
ブレードコート法を用いて塗布し乾燥して厚み１７０μ
ｍの障壁形成層を設けた。
ペースト（日本電気硝子（株）製ＰＬＳ−３５５０）を
ブレードコート法を用いて塗布し乾燥して厚み１７０μ
ｍの障壁形成層を設けた。
【００４５】次いで、上記の障壁形成層上に東京応化工
業（株）製ＤＦＲ ＢＦ７０３をラミネートした後、露
光、現像して線幅５０μｍ、ピッチ１５０μｍのストラ
イプ状のレジストパターンを形成した。このレジストパ
ターンをマスクとして、アルミナ研磨材によるサンドブ
ラスト法により障壁形成層の露出部分をエッチング除去
して障壁パターンを形成した。
業（株）製ＤＦＲ ＢＦ７０３をラミネートした後、露
光、現像して線幅５０μｍ、ピッチ１５０μｍのストラ
イプ状のレジストパターンを形成した。このレジストパ
ターンをマスクとして、アルミナ研磨材によるサンドブ
ラスト法により障壁形成層の露出部分をエッチング除去
して障壁パターンを形成した。
【００４６】次に、水酸化ナトリウムを用いてレジスト
パターンを洗浄除去し、その後、５８０℃にて焼成し
て、障壁パターンの有機成分を焼成除去することにより
障壁を形成し、プラズマディスプレイパネル用の背面板
（試料１〜９）を作製した。このように形成した障壁の
状態（誘電体層との密着性、形状）を評価して結果を下
記の表１に示した。
パターンを洗浄除去し、その後、５８０℃にて焼成し
て、障壁パターンの有機成分を焼成除去することにより
障壁を形成し、プラズマディスプレイパネル用の背面板
（試料１〜９）を作製した。このように形成した障壁の
状態（誘電体層との密着性、形状）を評価して結果を下
記の表１に示した。
【００４７】
【表１】 表１に示されるように、誘電体層の表面粗さＲａが０．
１〜１０μｍの範囲内にある背面板（試料１〜７）は、
いずれも障壁が誘電体層に確実に密着した状態で形成さ
れていることが確認された。特に、誘電体層の表面粗さ
Ｒａが０．１〜２．０μｍの範囲内にある背面板（試料
１〜５）の障壁の形状は良好であった。
１〜１０μｍの範囲内にある背面板（試料１〜７）は、
いずれも障壁が誘電体層に確実に密着した状態で形成さ
れていることが確認された。特に、誘電体層の表面粗さ
Ｒａが０．１〜２．０μｍの範囲内にある背面板（試料
１〜５）の障壁の形状は良好であった。
【００４８】これに対して、誘電体層の表面粗さＲａが
０．１μｍ未満である背面板（試料８）では、サンドブ
ラスト法による障壁形成層のエッチング工程、および、
エッチング工程後にレジストパターンを剥離液を用いて
洗浄除去する工程で、障壁パターンとして残されるべき
障壁形成層に、誘電体層との密着性不足に起因する倒れ
が発生し、焼成して形成された障壁に一部欠落、誘電体
層からの浮きがみられ、実用に供し得ないことが確認さ
れた。
０．１μｍ未満である背面板（試料８）では、サンドブ
ラスト法による障壁形成層のエッチング工程、および、
エッチング工程後にレジストパターンを剥離液を用いて
洗浄除去する工程で、障壁パターンとして残されるべき
障壁形成層に、誘電体層との密着性不足に起因する倒れ
が発生し、焼成して形成された障壁に一部欠落、誘電体
層からの浮きがみられ、実用に供し得ないことが確認さ
れた。
【００４９】さらに、誘電体層の表面粗さＲａが１０μ
ｍを超える背面板（試料９）では、欠け、切れ等の欠陥
が増加して障壁形成が困難であった。
ｍを超える背面板（試料９）では、欠け、切れ等の欠陥
が増加して障壁形成が困難であった。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板上に複数のアドレス電極と、このアドレス電極を覆う
ように形成された誘電体層と、この誘電体層上にアドレ
ス電極と平行に形成された複数の障壁を備えるプラズマ
ディスプレイパネル用の背面板において、誘電体層の表
面粗さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にあるので、誘
電体層は、その表面の粗さにより障壁形成材料に対する
高い密着性を有し、例えば、サンドブラスト法を用いた
障壁形成において、サンドブラスト時や剥離液を用いた
マスクの洗浄除去時に、障壁パターンが倒れることなく
確実に形成され、誘電体層上に高アスペクト比の障壁を
良好な密着性で備えた背面板が可能となる。
板上に複数のアドレス電極と、このアドレス電極を覆う
ように形成された誘電体層と、この誘電体層上にアドレ
ス電極と平行に形成された複数の障壁を備えるプラズマ
ディスプレイパネル用の背面板において、誘電体層の表
面粗さＲａが０．１〜１０μｍの範囲内にあるので、誘
電体層は、その表面の粗さにより障壁形成材料に対する
高い密着性を有し、例えば、サンドブラスト法を用いた
障壁形成において、サンドブラスト時や剥離液を用いた
マスクの洗浄除去時に、障壁パターンが倒れることなく
確実に形成され、誘電体層上に高アスペクト比の障壁を
良好な密着性で備えた背面板が可能となる。
【図１】本発明のプラズマディスプレイパネル用の背面
板の一例を示す概略断面図である。
板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のプラズマディスプレイパネル用の背面
板を用いたＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの一例
を示す概略構成図である。
板を用いたＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの一例
を示す概略構成図である。
１…ＡＣ型のプラズマディスプレイパネル １１…背面板 １２…背面ガラス基板 １３…下地層 １４…アドレス電極 １５…誘電体層 １６…障壁 １７…蛍光体層 ２１…前面板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小坂 陽三 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GA03 GB03 GB14 GD01 GD07 GD09
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された複数のア
ドレス電極と、該アドレス電極を覆うように前記基板上
に形成された誘電体層と、該誘電体層上に前記アドレス
電極と平行に形成された複数の障壁とを備え、該誘電体
層の表面粗さＲａは０．１〜１０μｍの範囲内にあるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の背面
板。 - 【請求項２】 前記誘電体層の表面粗さＲａは０．１〜
２．０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネル用の背面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11237899A JP2000306513A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11237899A JP2000306513A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306513A true JP2000306513A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14585188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11237899A Pending JP2000306513A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | プラズマディスプレイパネル用の背面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002298745A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toray Ind Inc | 誘電体層および誘電体ペーストならびにディスプレイ用部材の製造方法 |
| WO2009122740A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
-
1999
- 1999-04-20 JP JP11237899A patent/JP2000306513A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002298745A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toray Ind Inc | 誘電体層および誘電体ペーストならびにディスプレイ用部材の製造方法 |
| JP4605571B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 誘電体ペースト、ディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイパネル |
| WO2009122740A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US20100176721A1 (en) * | 2008-04-04 | 2010-07-15 | Ken Hasegawa | Plasma display panel |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Effective date: 20050603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20061207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070410 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
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