JP2000016997A - ジホスフィンオキシドの新規な製造方法 - Google Patents
ジホスフィンオキシドの新規な製造方法Info
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- JP2000016997A JP2000016997A JP10181027A JP18102798A JP2000016997A JP 2000016997 A JP2000016997 A JP 2000016997A JP 10181027 A JP10181027 A JP 10181027A JP 18102798 A JP18102798 A JP 18102798A JP 2000016997 A JP2000016997 A JP 2000016997A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】不斉合成反応触媒である金属錯体の配位子用の
ジホスフィン化合物の製造中間体であるジホスフィンオ
キシド化合物及びホスフィンオキシド化合物の簡便な製
造方法を提供する。 【解決手段】一般式２ （Ｒ1 はシクロアルキル、置換又は非置換のフェニル、
ナフチル、ピリジル、キノリル、イソキノリル、フルフ
リル、ベンゾフルフリル、チエニル又はベンゾチエニル
基、Ｒ2 は低級アルキル、低級エーテル、ハロゲン化低
級アルキル又はフェニル基、Ｘはヘテロ原子、Ｒ3 とＲ
4 は独立に水素、ハロゲン、低級アルキル、低級アルコ
シキ、ジ低級アルキルアミノ、ハロゲン化低級アルキル
又はフェニル基、Ｒ2 とＲ3 あるいはＲ3 とＲ4 は互い
に連結して環を形成してもよい。）のホスフィンオキシ
ド化合物を塩基で処理後、酸化剤を用いて二量化してジ
ホスフィンオキシド化合物を得る。
ジホスフィン化合物の製造中間体であるジホスフィンオ
キシド化合物及びホスフィンオキシド化合物の簡便な製
造方法を提供する。 【解決手段】一般式２ （Ｒ1 はシクロアルキル、置換又は非置換のフェニル、
ナフチル、ピリジル、キノリル、イソキノリル、フルフ
リル、ベンゾフルフリル、チエニル又はベンゾチエニル
基、Ｒ2 は低級アルキル、低級エーテル、ハロゲン化低
級アルキル又はフェニル基、Ｘはヘテロ原子、Ｒ3 とＲ
4 は独立に水素、ハロゲン、低級アルキル、低級アルコ
シキ、ジ低級アルキルアミノ、ハロゲン化低級アルキル
又はフェニル基、Ｒ2 とＲ3 あるいはＲ3 とＲ4 は互い
に連結して環を形成してもよい。）のホスフィンオキシ
ド化合物を塩基で処理後、酸化剤を用いて二量化してジ
ホスフィンオキシド化合物を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジホスフィンオキシド
化合物及びその製造中間体であるホスフィンオキシド化
合物を簡便に合成する新規な製造法に関する。さらに詳
しくは、本発明は優れた不斉合成反応用触媒を構成する
重要な光学活性ホスフィン化合物の製造中間体であるジ
ホスフィンオキシド化合物及びその製造中間体であるホ
スフィンオキシド化合物を簡便に合成する新規な製造法
に関する。
化合物及びその製造中間体であるホスフィンオキシド化
合物を簡便に合成する新規な製造法に関する。さらに詳
しくは、本発明は優れた不斉合成反応用触媒を構成する
重要な光学活性ホスフィン化合物の製造中間体であるジ
ホスフィンオキシド化合物及びその製造中間体であるホ
スフィンオキシド化合物を簡便に合成する新規な製造法
に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から、不斉水素化反応、不斉異性化反
応、不斉ヒドロシリル化反応等の不斉合成に利用できる
遷移金属錯体については、数多くの報告がなされてい
る。中でもルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジ
ウム等の遷移金属錯体に光学活性な三級ホスフィン化合
物が配位した錯体は、不斉合成反応の触媒として優れた
性能を有するものとして広く知られている。
応、不斉ヒドロシリル化反応等の不斉合成に利用できる
遷移金属錯体については、数多くの報告がなされてい
る。中でもルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジ
ウム等の遷移金属錯体に光学活性な三級ホスフィン化合
物が配位した錯体は、不斉合成反応の触媒として優れた
性能を有するものとして広く知られている。
【０００３】これら錯体の不斉合成反応触媒としての性
能を更に高めるために、様々な構造のホスフィン化合物
がこれまでに多数開発され、報告されている（日本化学
会編「化学総説32 有機金属錯体の化学」２３２〜２３
７頁、昭和５７年）（野依良治著, "Asymmetric Cataly
sis In Organic Synthesis ", A Wiley-IntersciencePu
blication）。これら種々報告された光学活性ホスフィ
ン化合物の中でも、とりわけ、２，２’−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「BI
NAP 」という。）は金属錯体の配位子として優れたもの
のひとつであり、このBINAP を配位子としたロジウム錯
体（特開昭５５−６１９７３号公報）及びルテニウム錯
体（特開昭６１−６３９０号公報）が既に報告されてい
る。
能を更に高めるために、様々な構造のホスフィン化合物
がこれまでに多数開発され、報告されている（日本化学
会編「化学総説32 有機金属錯体の化学」２３２〜２３
７頁、昭和５７年）（野依良治著, "Asymmetric Cataly
sis In Organic Synthesis ", A Wiley-IntersciencePu
blication）。これら種々報告された光学活性ホスフィ
ン化合物の中でも、とりわけ、２，２’−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「BI
NAP 」という。）は金属錯体の配位子として優れたもの
のひとつであり、このBINAP を配位子としたロジウム錯
体（特開昭５５−６１９７３号公報）及びルテニウム錯
体（特開昭６１−６３９０号公報）が既に報告されてい
る。
【０００４】従来、上記BINAP 類の合成法としては、ラ
セミ体のビナフトールをトリフェニルホスフィン−ジブ
ロミドを用いて高温（２４０℃〜３２０℃）でブロム化
し、ジグリニャール試薬に導いた後にジアリールホスフ
ィニルクロライド化合物と縮合してジホスフィンオキシ
ド化合物とし、光学分割した後にトリクロロシラン還元
剤を用いて第三級ジホスフィン化合物（BINAP 類）とす
る方法が工業的な方法として知られている。(H.Takaya,
K.Mashima, K.Koyano, M.Yagi, H.Kumobayashi, T.Tak
etomi, S.Akutagawa, R.Noyori, J. Org. Chem.,1986
年,51 巻,629頁)また他のジホスフィン化合物の合成法
としては、置換基を有する（２−ニトロフェニル）ジフ
ェニルホスフィンオキシド化合物を還元し（２−アミノ
フェニル）ジフェニルホスフィンオキシド化合物とし、
続いてジアゾ化、ヨウ素化を行い、置換基を有する（２
−ヨードフェニル）ジフェニルホスフィンオキシド化合
物とした後、銅存在下二量化してジホスフィンオキシド
化合物とし、光学分割した後にトリクロロシラン還元剤
を用いて第三級ジホスフィン化合物とする方法が知られ
ている。（特表平５−５０７５０３号公報）
セミ体のビナフトールをトリフェニルホスフィン−ジブ
ロミドを用いて高温（２４０℃〜３２０℃）でブロム化
し、ジグリニャール試薬に導いた後にジアリールホスフ
ィニルクロライド化合物と縮合してジホスフィンオキシ
ド化合物とし、光学分割した後にトリクロロシラン還元
剤を用いて第三級ジホスフィン化合物（BINAP 類）とす
る方法が工業的な方法として知られている。(H.Takaya,
K.Mashima, K.Koyano, M.Yagi, H.Kumobayashi, T.Tak
etomi, S.Akutagawa, R.Noyori, J. Org. Chem.,1986
年,51 巻,629頁)また他のジホスフィン化合物の合成法
としては、置換基を有する（２−ニトロフェニル）ジフ
ェニルホスフィンオキシド化合物を還元し（２−アミノ
フェニル）ジフェニルホスフィンオキシド化合物とし、
続いてジアゾ化、ヨウ素化を行い、置換基を有する（２
−ヨードフェニル）ジフェニルホスフィンオキシド化合
物とした後、銅存在下二量化してジホスフィンオキシド
化合物とし、光学分割した後にトリクロロシラン還元剤
を用いて第三級ジホスフィン化合物とする方法が知られ
ている。（特表平５−５０７５０３号公報）
【０００５】しかしながら、従来知られたジホスフィン
化合物の合成は、その製造中間体によっては製造工程が
長かったり、所望する光学活性ジホスフィン化合物の収
量が低いなどの問題があるものもあり、またジホスフィ
ン化合物の製造中間体であるジホスフィンオキシド化合
物の合成についても、製造中間体によっては製造工程が
長くなる場合があり、簡便にジホスフィンオキシド化合
物およびその製造中間体を製造する方法が求められてい
る。
化合物の合成は、その製造中間体によっては製造工程が
長かったり、所望する光学活性ジホスフィン化合物の収
量が低いなどの問題があるものもあり、またジホスフィ
ン化合物の製造中間体であるジホスフィンオキシド化合
物の合成についても、製造中間体によっては製造工程が
長くなる場合があり、簡便にジホスフィンオキシド化合
物およびその製造中間体を製造する方法が求められてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、不斉合成反
応、特に不斉水素化反応において、化学選択性、エナン
チオ選択性、触媒活性など優れた性能を有する金属錯体
触媒を形成する配位子として有用なジホスフィン化合物
を製造する中間体として有用なジホスフィンオキシド化
合物を簡便に製造するジホスフィンオキシド化合物の新
規製造方法を提供すること、及びこのジホスフィンオキ
シド化合物の製造中間体であるホスフィンオキシド化合
物の新規製造方法を提供することである。
応、特に不斉水素化反応において、化学選択性、エナン
チオ選択性、触媒活性など優れた性能を有する金属錯体
触媒を形成する配位子として有用なジホスフィン化合物
を製造する中間体として有用なジホスフィンオキシド化
合物を簡便に製造するジホスフィンオキシド化合物の新
規製造方法を提供すること、及びこのジホスフィンオキ
シド化合物の製造中間体であるホスフィンオキシド化合
物の新規製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本第１の発明は、
一般式（２）
一般式（２）
【化１０】 （式中、Ｒ1 は、シクロアルキル基、フェニル基、置換
フェニル基（該置換基は１〜５個置換され、それぞれの
置換基は同一又は異なって居てもよく、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキル
アミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基
からなる群から任意に選ばれる）、低級アルキル基又は
低級アルコキシル基で置換されていてもよいナフチル
基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフ
リル基、ベンゾフルフリル基、チエニル基又はベンゾチ
エニル基を表し、Ｒ2 は、低級アルキル基、低級アルコ
キシアルキル基、ハロゲン化低級アルキル基又はフェニ
ル基を表し、Ｘはヘテロ原子を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、各
々独立に、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシル基、ジ低級アルキルアミノ基、ハロゲ
ン化低級アルキル基又はフェニル基を表し、またＲ2 と
Ｒ3 あるいはＲ3 とＲ4 は互いに連結して環を形成して
いてもよい。）で表されるホスフィンオキシド化合物を
塩基で処理した後、酸化剤を使用し二量化することを特
徴とする、
フェニル基（該置換基は１〜５個置換され、それぞれの
置換基は同一又は異なって居てもよく、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキル
アミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基
からなる群から任意に選ばれる）、低級アルキル基又は
低級アルコキシル基で置換されていてもよいナフチル
基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフ
リル基、ベンゾフルフリル基、チエニル基又はベンゾチ
エニル基を表し、Ｒ2 は、低級アルキル基、低級アルコ
キシアルキル基、ハロゲン化低級アルキル基又はフェニ
ル基を表し、Ｘはヘテロ原子を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、各
々独立に、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシル基、ジ低級アルキルアミノ基、ハロゲ
ン化低級アルキル基又はフェニル基を表し、またＲ2 と
Ｒ3 あるいはＲ3 とＲ4 は互いに連結して環を形成して
いてもよい。）で表されるホスフィンオキシド化合物を
塩基で処理した後、酸化剤を使用し二量化することを特
徴とする、
【０００８】一般式（１）
【化１１】 （式中、 Ｒ1, Ｒ2 , Ｒ3, Ｒ4 , Ｘ は前記と同じ
ものを表す。）で表されるジホスフィンオキシド化合物
の製造方法である。
ものを表す。）で表されるジホスフィンオキシド化合物
の製造方法である。
【０００９】また、本第２の発明は、一般式（３）
【化１２】 （式中、 Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘは前記と同じものを表
し、Ｍはマグネシウム又はリチウムを表し、Ｙはハロゲ
ン原子を表し、ｎは０又は１を表す。）で表される化合
物に、
し、Ｍはマグネシウム又はリチウムを表し、Ｙはハロゲ
ン原子を表し、ｎは０又は１を表す。）で表される化合
物に、
【００１０】一般式（４）
【化１３】 （式中、Ｒ1 は前記と同じものを表す。）で表されるホ
スフィン酸クロライド化合物を反応せしめることを特徴
とする、
スフィン酸クロライド化合物を反応せしめることを特徴
とする、
【００１１】一般式（２）
【化１４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘは前記と同じもの
を表す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法である。
を表す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法である。
【００１２】また、本第３の発明は、一般式（３）
【化１５】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘ、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同
じものを表す。）で表される化合物に、一般式（５）
じものを表す。）で表される化合物に、一般式（５）
【化１６】 （式中、Ｒ5 は各々独立に、アルキル基、又は非置換も
しくは置換フェニル基を表す。）で表されるクロロホス
フェート化合物とを反応せしめ、
しくは置換フェニル基を表す。）で表されるクロロホス
フェート化合物とを反応せしめ、
【００１３】一般式（６）
【化１７】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｘは前記と同じもの
を表す。）で表されるホスホナート化合物とした後、一
般式（７） Ｒ1 ＭＹｎ （７） （式中、Ｒ1 、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同じものを表す。）
で表されるグリニャール化合物又はリチウム化合物を引
き続き反応せしめることを特徴とする、
を表す。）で表されるホスホナート化合物とした後、一
般式（７） Ｒ1 ＭＹｎ （７） （式中、Ｒ1 、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同じものを表す。）
で表されるグリニャール化合物又はリチウム化合物を引
き続き反応せしめることを特徴とする、
【００１４】一般式（２）
【化１８】 （式中、Ｒ1, Ｒ2, Ｒ3, Ｒ4 , Ｘは前記と同じもの
を表す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法である。
を表す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法である。
【００１５】また、本第４の発明は、上記第１発明にお
いて、塩基がリチウムアルキルアミド、アルキルリチウ
ム、アリルリチウム等の有機リチウム試薬、グリニャー
ル試薬から選ばれる塩基であることを特徴とする一般式
（１）で表されるジホスフィン化合物の製造方法であ
る。
いて、塩基がリチウムアルキルアミド、アルキルリチウ
ム、アリルリチウム等の有機リチウム試薬、グリニャー
ル試薬から選ばれる塩基であることを特徴とする一般式
（１）で表されるジホスフィン化合物の製造方法であ
る。
【００１６】更に、本第５の発明は、上記第１発明又は
第４発明において、酸化剤が酸化性を有する金属化合物
であり、具体的には、該金属化合物が鉄、銅、ルテニウ
ム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデン、マ
ンガン、チタンの金属塩又は金属錯化合物の少なくとも
１種であることを特徴とする一般式（１）で表されるジ
ホスフィン化合物の製造方法である。
第４発明において、酸化剤が酸化性を有する金属化合物
であり、具体的には、該金属化合物が鉄、銅、ルテニウ
ム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデン、マ
ンガン、チタンの金属塩又は金属錯化合物の少なくとも
１種であることを特徴とする一般式（１）で表されるジ
ホスフィン化合物の製造方法である。
【００１７】上記本発明の製造方法は、次の反応式で表
すことができる。
すことができる。
【化１９】 又は
【化２０】
【００１８】すなわち、式（３）で表されるグリニャー
ル試薬又はリチウム試薬に式（４）で表されるホスフィ
ン酸クロライド化合物を反応せしめて、式（２）で表さ
れるホスフィンオキシド化合物とし、続いて塩基で処理
し、酸化剤存在下ホスフィン化合物を二量化せしめて式
（１）で表されるジホスフィンオキシド化合物を製造す
る方法、又は、一般式（３）で表されるグリニャール試
薬又はリチウム試薬に式（５）で表されるクロロホスフ
ェート化合物を反応せしめて、式（６）で表されるホス
ホナート化合物とし、これを式（７）で表されるグリニ
ャール試薬又はリチウム試薬と反応せしめて、式（２）
で表されるホスフィンオキシド化合物とし、続いて塩基
で処理し、酸化剤存在下二量化せしめて式（１）で表さ
れるジホスフィンオキシド化合物が製造される。
ル試薬又はリチウム試薬に式（４）で表されるホスフィ
ン酸クロライド化合物を反応せしめて、式（２）で表さ
れるホスフィンオキシド化合物とし、続いて塩基で処理
し、酸化剤存在下ホスフィン化合物を二量化せしめて式
（１）で表されるジホスフィンオキシド化合物を製造す
る方法、又は、一般式（３）で表されるグリニャール試
薬又はリチウム試薬に式（５）で表されるクロロホスフ
ェート化合物を反応せしめて、式（６）で表されるホス
ホナート化合物とし、これを式（７）で表されるグリニ
ャール試薬又はリチウム試薬と反応せしめて、式（２）
で表されるホスフィンオキシド化合物とし、続いて塩基
で処理し、酸化剤存在下二量化せしめて式（１）で表さ
れるジホスフィンオキシド化合物が製造される。
【００１９】上記一般式（１）で示されるジホスフィン
オキシド化合物について更に具体的に述べると、式中Ｒ
1 については、フェニル基；置換フェニル基としては、
ｐ−トリル、ｐ−メトキシフェニル、ｐ−トリフルオロ
メチルフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｐ−ジメチル
アミノフェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジ
メチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル、
３，４，５−トリメトキシフェニル、３，５−ジメチル
−４−メトキシフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−メトキシフェニル、３，５−ジトリフルオロメチルフ
ェニル、３，５−ジクロロフェニル、３，５−ジフルオ
ロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ビフェニルな
ど；シクロアルキル基としては、シクロへキシル、シク
ロペンチルなど；ナフチル基としては、α−ナフチル、
β−ナフチル、６−メトキシ−α−ナフチル、６−メト
キシ−β−ナフチルなど；ピリジル基としては、２−ピ
リジル、３−ピリジル、４−ピリジルなど；キノリル基
としては、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル
など；イソキノリル基としては、１−イソキノリル、３
−イソキノリル、４−イソキノリルなど；フルフリル基
としては、２−フルフリル、３−フルフリルなど；ベン
ゾフルフリル基としては、２−ベンゾフルフリル、３−
ベンゾフルフリルなど；チエニル基としては、２−チエ
ニル、３−チエニルなどが；ベンゾチエニル基として
は、２−ベンゾチエニル、３−ベンゾチエニルなど、を
挙げることができる。
オキシド化合物について更に具体的に述べると、式中Ｒ
1 については、フェニル基；置換フェニル基としては、
ｐ−トリル、ｐ−メトキシフェニル、ｐ−トリフルオロ
メチルフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｐ−ジメチル
アミノフェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジ
メチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル、
３，４，５−トリメトキシフェニル、３，５−ジメチル
−４−メトキシフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−メトキシフェニル、３，５−ジトリフルオロメチルフ
ェニル、３，５−ジクロロフェニル、３，５−ジフルオ
ロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ビフェニルな
ど；シクロアルキル基としては、シクロへキシル、シク
ロペンチルなど；ナフチル基としては、α−ナフチル、
β−ナフチル、６−メトキシ−α−ナフチル、６−メト
キシ−β−ナフチルなど；ピリジル基としては、２−ピ
リジル、３−ピリジル、４−ピリジルなど；キノリル基
としては、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル
など；イソキノリル基としては、１−イソキノリル、３
−イソキノリル、４−イソキノリルなど；フルフリル基
としては、２−フルフリル、３−フルフリルなど；ベン
ゾフルフリル基としては、２−ベンゾフルフリル、３−
ベンゾフルフリルなど；チエニル基としては、２−チエ
ニル、３−チエニルなどが；ベンゾチエニル基として
は、２−ベンゾチエニル、３−ベンゾチエニルなど、を
挙げることができる。
【００２０】また、Ｒ2 については、低級アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチルなど；低級アル
コキシアルキル基としては、メトキシメチル、メチルチ
オメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ−ブトキシメチ
ル、２−メトキシエトキシメチルなど；ハロゲン化低級
アルキル基としては、トリフルオロメチルなど；及びフ
ェニル基を挙げることができる。Ｘとしては、酸素原
子、硫黄原子、窒素原子、窒素酸化物、燐原子、燐酸化
物を挙げることができる。
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチルなど；低級アル
コキシアルキル基としては、メトキシメチル、メチルチ
オメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ−ブトキシメチ
ル、２−メトキシエトキシメチルなど；ハロゲン化低級
アルキル基としては、トリフルオロメチルなど；及びフ
ェニル基を挙げることができる。Ｘとしては、酸素原
子、硫黄原子、窒素原子、窒素酸化物、燐原子、燐酸化
物を挙げることができる。
【００２１】またＲ3 、Ｒ4 については、水素原子；ハ
ロゲン原子としては、フッ素、塩素；低級アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチルなど；低級アル
コキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ｎ- ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキ
シ、ｔ−ブトキシなど；ジ低級アルキルアミノ基として
は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミ
ノ、ジイソプロピルアミノなど；ハロゲン化低級アルキ
ル基としてはトリフルオロメチルなど；及びフェニル基
を挙げることができる。Ｒ3 、Ｒ4 の組み合わせについ
ては特に限定されず、同一でも、相互に異なる基でもよ
い。またＲ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、例えばＲ2 −Ｒ3 あるい
はＲ3 −Ｒ4のような組み合わせで互いに連結して環構
造を形成することができる。形成される環としては、フ
ラン環、ベンゾフラン環、ピラン環、テトラヒドロフラ
ン環、ペンタヒドロピラン環、メチレンジオキシ環、エ
チレンジオキシ環、ベンゼン環、ナフチル環などを挙げ
ることができる。
ロゲン原子としては、フッ素、塩素；低級アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチルなど；低級アル
コキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ｎ- ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキ
シ、ｔ−ブトキシなど；ジ低級アルキルアミノ基として
は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミ
ノ、ジイソプロピルアミノなど；ハロゲン化低級アルキ
ル基としてはトリフルオロメチルなど；及びフェニル基
を挙げることができる。Ｒ3 、Ｒ4 の組み合わせについ
ては特に限定されず、同一でも、相互に異なる基でもよ
い。またＲ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、例えばＲ2 −Ｒ3 あるい
はＲ3 −Ｒ4のような組み合わせで互いに連結して環構
造を形成することができる。形成される環としては、フ
ラン環、ベンゾフラン環、ピラン環、テトラヒドロフラ
ン環、ペンタヒドロピラン環、メチレンジオキシ環、エ
チレンジオキシ環、ベンゼン環、ナフチル環などを挙げ
ることができる。
【００２２】上記一般式で表されるジホスフィンオキシ
ド化合物の中で、Ｒ2 とＲ3 とが互いに連結してメチレ
ンジオキシ環を形成するものは、不斉合成反応触媒とし
て有用なジホスフィン化合物を製造するための製造中間
体として好ましいものである。一般式（１）で示される
化合物の具体例としては、例えば (a) （６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、(b)
（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキ
シ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニル
ホスフィンオキシド）（以下、「ＳＥＧＰＨＯＳＯ」と
いう。）、(c) （（５，６），（５’，６’）−ビス
（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）
ビス（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンオ
キシド）、(d) （±）−（（５，６），（５’，６’）
−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メト
キシフェニル）ホスフィンオキシド）、(e) （±）−
（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキ
シ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−
メトキシフェニル）ホスフィンオキシド）、(f) （±）
−（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオ
キシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジシクロ
ヘキシルホスフィンオキシド）、(g) （±）−（（５，
６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフ
ェニル−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−
ｔ−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド）などの化合
物が挙げられる。
ド化合物の中で、Ｒ2 とＲ3 とが互いに連結してメチレ
ンジオキシ環を形成するものは、不斉合成反応触媒とし
て有用なジホスフィン化合物を製造するための製造中間
体として好ましいものである。一般式（１）で示される
化合物の具体例としては、例えば (a) （６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、(b)
（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキ
シ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニル
ホスフィンオキシド）（以下、「ＳＥＧＰＨＯＳＯ」と
いう。）、(c) （（５，６），（５’，６’）−ビス
（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）
ビス（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンオ
キシド）、(d) （±）−（（５，６），（５’，６’）
−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メト
キシフェニル）ホスフィンオキシド）、(e) （±）−
（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキ
シ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−
メトキシフェニル）ホスフィンオキシド）、(f) （±）
−（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオ
キシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジシクロ
ヘキシルホスフィンオキシド）、(g) （±）−（（５，
６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフ
ェニル−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−
ｔ−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド）などの化合
物が挙げられる。
【００２３】各製造工程に関しより詳しく説明すると、
上記一般式（２）で示されるホスフィンオキシド化合物
の製造は、例えば、Ｊ. Ｊ. モナグルら、ジャーナルオ
ブオーガニックケミストリー、32、2477（1967）などで
公知の方法に類似した方法により実施することができ
る。さらに詳しく説明すると、一般式（８）
上記一般式（２）で示されるホスフィンオキシド化合物
の製造は、例えば、Ｊ. Ｊ. モナグルら、ジャーナルオ
ブオーガニックケミストリー、32、2477（1967）などで
公知の方法に類似した方法により実施することができ
る。さらに詳しく説明すると、一般式（８）
【化２１】 （式中、Ｒ1 は前記と同じものを表す。）で表されるホ
スフィン酸化合物を塩化チオニルで処理して得られる、
一般式（４）
スフィン酸化合物を塩化チオニルで処理して得られる、
一般式（４）
【化２２】 （式中、Ｒ1 は前記と同じものを表す。）で表されるホ
スフィン酸クロライド化合物を、一般式（３）
スフィン酸クロライド化合物を、一般式（３）
【化２３】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘ、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同
じものを表す。）で表されるグリニャール試薬又はリチ
ウム試薬のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテ
ル、トルエン、ヘキサン溶液中に３０〜４０℃で滴下し
た後、室温で１２〜１８時間反応させることにより製造
することができる。なお、合成で使用される各化合物は
通常の調整法により容易に製造できる化合物である。
じものを表す。）で表されるグリニャール試薬又はリチ
ウム試薬のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテ
ル、トルエン、ヘキサン溶液中に３０〜４０℃で滴下し
た後、室温で１２〜１８時間反応させることにより製造
することができる。なお、合成で使用される各化合物は
通常の調整法により容易に製造できる化合物である。
【００２４】また必要に応じてホスフィンオキシド化合
物の製造は、一般式（６）
物の製造は、一般式（６）
【化２４】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｘは前記と同じもの
を表す。）で表されるホスホナート化合物のテトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エーテル、トルエン、ヘキサン
溶液に、一般式（７） Ｒ1 ＭＹｎ （７） （式中、Ｒ1 、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同じものを表す。）
で表されるグリニャール化合物又はリチウム化合物のテ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、トルエン、
ヘキサン溶液を２当量以上、好ましくは２〜３当量滴下
した後、室温で１２〜１８時間反応させることによって
実施することが出来る。
を表す。）で表されるホスホナート化合物のテトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エーテル、トルエン、ヘキサン
溶液に、一般式（７） Ｒ1 ＭＹｎ （７） （式中、Ｒ1 、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同じものを表す。）
で表されるグリニャール化合物又はリチウム化合物のテ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、トルエン、
ヘキサン溶液を２当量以上、好ましくは２〜３当量滴下
した後、室温で１２〜１８時間反応させることによって
実施することが出来る。
【００２５】ホスホナート化合物の製造はそれ自体知ら
れている方法と類似の方法により容易に実施することが
できる。例えば、一般式（５）
れている方法と類似の方法により容易に実施することが
できる。例えば、一般式（５）
【化２５】 （式中、Ｒ5 は前記と同じものを表す）で表されるクロ
ロホスフェート化合物を、一般式（３）
ロホスフェート化合物を、一般式（３）
【化２６】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘ、Ｍ、Ｙ、ｎは前記と同
じものを表す。）で表されるグリニャール試薬又はリチ
ウム試薬のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテ
ル、トルエン、ヘキサン溶液中に３０〜４０℃で滴下し
た後、室温で１２〜１８時間反応させることにより実施
することができる。これら合成で使用される各化合物は
通常の調整法により容易に製造できる化合物である。
じものを表す。）で表されるグリニャール試薬又はリチ
ウム試薬のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテ
ル、トルエン、ヘキサン溶液中に３０〜４０℃で滴下し
た後、室温で１２〜１８時間反応させることにより実施
することができる。これら合成で使用される各化合物は
通常の調整法により容易に製造できる化合物である。
【００２６】本発明においては、上記一般式（２）で表
されるホスフィンオキシド化合物の二量体化のためホス
フィンオキシド化合物をアニオン化するが、このアニオ
ンの調整はそれ自体知られている方法で実施することが
できる。例えば、これらホスフィンオキシド化合物を１
当量以上の、好ましくは１. ２〜２．０当量のリチウム
アルキルアミド、アルキルリチウム、アリルリチウム等
の有機リチウム試薬、グリニャール試薬等の有機マグネ
シウム試薬から選ばれる塩基、好ましくはリチウムジエ
チルアミド、リチウムジイソプロピルアミド（以下、
「ＬＤＡ」という。）、メチルリチウム、ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、Ｃ1 〜Ｃ5 のアルキルマグネシ
ウムハライド、非置換もしくは置換フェニルマグネシウ
ムハライド、マグネシウムアミド等の塩基、より好まし
くはＬＤＡと、エーテル、脂肪族又は芳香族炭化水素系
溶媒又はこれらの混合溶媒、好ましくはテトラヒドロフ
ラン（以下、「ＴＨＦ」という。）、ジオキサン、ジエ
チルエーテル、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の溶媒
又はこれらの混合溶媒、より好ましくはＴＨＦ中、−５
℃以下、好ましくは−７８℃〜−１５℃で反応させるこ
とによって実施することができる。
されるホスフィンオキシド化合物の二量体化のためホス
フィンオキシド化合物をアニオン化するが、このアニオ
ンの調整はそれ自体知られている方法で実施することが
できる。例えば、これらホスフィンオキシド化合物を１
当量以上の、好ましくは１. ２〜２．０当量のリチウム
アルキルアミド、アルキルリチウム、アリルリチウム等
の有機リチウム試薬、グリニャール試薬等の有機マグネ
シウム試薬から選ばれる塩基、好ましくはリチウムジエ
チルアミド、リチウムジイソプロピルアミド（以下、
「ＬＤＡ」という。）、メチルリチウム、ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、Ｃ1 〜Ｃ5 のアルキルマグネシ
ウムハライド、非置換もしくは置換フェニルマグネシウ
ムハライド、マグネシウムアミド等の塩基、より好まし
くはＬＤＡと、エーテル、脂肪族又は芳香族炭化水素系
溶媒又はこれらの混合溶媒、好ましくはテトラヒドロフ
ラン（以下、「ＴＨＦ」という。）、ジオキサン、ジエ
チルエーテル、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の溶媒
又はこれらの混合溶媒、より好ましくはＴＨＦ中、−５
℃以下、好ましくは−７８℃〜−１５℃で反応させるこ
とによって実施することができる。
【００２７】そして、目的生成物である一般式（１）で
表されるジホスフィンオキシド化合物を製造する方法
は、次のように実施することができる。即ち、上述の方
法により調整したアニオン溶液を、１当量以上の、好ま
しくは１. ２〜２．０当量（当量数は塩基の当量と同一
でも、異なっていてもかまわない。）の酸化性を有する
金属化合物と、ＴＨＦ又はＴＨＦと脂肪族又は芳香族炭
化水素との混合溶媒中、５０℃以下、好ましくは−５℃
〜１５℃で反応させることによって実施することができ
る。反応は必要に応じて低温で、好ましくは−７８℃〜
−４０℃で、酸化剤をアニオン溶液に直接加えることに
より実施することもできる。上記酸化性を有する金属化
合物は、鉄、銅、ルテニウム、コバルト、ニッケル、バ
ナジウム、モリブデン、マンガン、チタンなどの酸化性
を有する化合物から選ばれ、これら化合物としては、好
ましくは三価の鉄、二価の銅、三価のルテニウム、三価
のコバルト、二価のニッケル、三、四又は五価のバナジ
ウム、三、四、五又は六価のモリブデン、三、四、五又
は六価のマンガン、三又は四価のチタンの金属塩又は金
属錯化合物から選ばれる酸化剤、より好ましくはこれら
金属の塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩、過塩
素酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトン錯体、
これら金属塩のビピリジル、フェナンソレン錯体、更に
好ましくは三塩化鉄、三臭化鉄、三沃化鉄、二塩化銅、
二臭化銅、二沃化銅などが挙げられる。
表されるジホスフィンオキシド化合物を製造する方法
は、次のように実施することができる。即ち、上述の方
法により調整したアニオン溶液を、１当量以上の、好ま
しくは１. ２〜２．０当量（当量数は塩基の当量と同一
でも、異なっていてもかまわない。）の酸化性を有する
金属化合物と、ＴＨＦ又はＴＨＦと脂肪族又は芳香族炭
化水素との混合溶媒中、５０℃以下、好ましくは−５℃
〜１５℃で反応させることによって実施することができ
る。反応は必要に応じて低温で、好ましくは−７８℃〜
−４０℃で、酸化剤をアニオン溶液に直接加えることに
より実施することもできる。上記酸化性を有する金属化
合物は、鉄、銅、ルテニウム、コバルト、ニッケル、バ
ナジウム、モリブデン、マンガン、チタンなどの酸化性
を有する化合物から選ばれ、これら化合物としては、好
ましくは三価の鉄、二価の銅、三価のルテニウム、三価
のコバルト、二価のニッケル、三、四又は五価のバナジ
ウム、三、四、五又は六価のモリブデン、三、四、五又
は六価のマンガン、三又は四価のチタンの金属塩又は金
属錯化合物から選ばれる酸化剤、より好ましくはこれら
金属の塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩、過塩
素酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトン錯体、
これら金属塩のビピリジル、フェナンソレン錯体、更に
好ましくは三塩化鉄、三臭化鉄、三沃化鉄、二塩化銅、
二臭化銅、二沃化銅などが挙げられる。
【００２８】煩雑さを避けるために、本発明に含まれる
化合物の中から、（（５，６），（５’，６’）−ビス
（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）
ビス（ジフェニルホスフィン）（以下、「SEGPHOS 」と
いう。）の製造に有用な製造中間体である下記式（９）
（式中、Ｐｈはフェニル基を表す。）で表されるSEGPHO
SOの製造方法を例にして、本発明の新規なジホスフィン
オキシド化合物の製造方法の代表例を更に具体的に説明
する。ただし、本発明はこの例に限定されるものではな
い。
化合物の中から、（（５，６），（５’，６’）−ビス
（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）
ビス（ジフェニルホスフィン）（以下、「SEGPHOS 」と
いう。）の製造に有用な製造中間体である下記式（９）
（式中、Ｐｈはフェニル基を表す。）で表されるSEGPHO
SOの製造方法を例にして、本発明の新規なジホスフィン
オキシド化合物の製造方法の代表例を更に具体的に説明
する。ただし、本発明はこの例に限定されるものではな
い。
【化２７】
【００２９】まず、マグネシウム片に１当量の下記式
（１０）で表される３，４−メチレンジオキシブロモベ
ンゼンのテトラヒドロフラン溶液を４０℃以下で滴下
し、室温で３時間以上反応させてグリニャール試薬と
し、これに１当量のジフェニルホスフィニルクロリドを
４０℃以下で滴下し、室温で１２〜１８時間以上反応さ
せ、下記式（１１）で表されるジフェニル（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドを調製す
る。
（１０）で表される３，４−メチレンジオキシブロモベ
ンゼンのテトラヒドロフラン溶液を４０℃以下で滴下
し、室温で３時間以上反応させてグリニャール試薬と
し、これに１当量のジフェニルホスフィニルクロリドを
４０℃以下で滴下し、室温で１２〜１８時間以上反応さ
せ、下記式（１１）で表されるジフェニル（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドを調製す
る。
【化２８】
【００３０】
【化２９】
【００３１】また、一般式（１１）で表されるジフェニ
ル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオ
キシドは次のような方法によっても製造することができ
る。すなわち、まずマグネシウム片に１当量の３，４−
メチレンジオキシブロモベンゼン（１０）のテトラヒド
ロフラン溶液を４０℃以下で滴下し、室温で３時間以上
反応させてグリニャール試薬とし、これを１当量のジフ
ェニルホスホリルクロリドのテトラヒドロフラン溶液に
０℃以下で滴下し、室温で１２〜１８時間以上反応させ
て、下記式（１２）で表されるジフェニル（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスホナートを調製する。続
いてこの化合物に２．５当量のフェニルマグネシウムブ
ロマイドのテトラヒドロフラン溶液を５℃以下で滴下
し、室温で１２〜１８時間以上反応させることによりジ
フェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフ
ィンオキシド（１１）を調製する。
ル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオ
キシドは次のような方法によっても製造することができ
る。すなわち、まずマグネシウム片に１当量の３，４−
メチレンジオキシブロモベンゼン（１０）のテトラヒド
ロフラン溶液を４０℃以下で滴下し、室温で３時間以上
反応させてグリニャール試薬とし、これを１当量のジフ
ェニルホスホリルクロリドのテトラヒドロフラン溶液に
０℃以下で滴下し、室温で１２〜１８時間以上反応させ
て、下記式（１２）で表されるジフェニル（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスホナートを調製する。続
いてこの化合物に２．５当量のフェニルマグネシウムブ
ロマイドのテトラヒドロフラン溶液を５℃以下で滴下
し、室温で１２〜１８時間以上反応させることによりジ
フェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフ
ィンオキシド（１１）を調製する。
【化３０】
【００３２】ついで、このホスフィンオキシド（１１）
をＴＨＦに溶解し、−１５℃で１．２当量のリチウムジ
イソプロピルアミドのＴＨＦ溶液を作用させる。次に、
この反応溶液を１．２当量の三塩化鉄（無水物）のＴＨ
Ｆ懸濁溶液と３℃で反応させることにより目的とするSE
GPHOSOを高効率で製造することができる。
をＴＨＦに溶解し、−１５℃で１．２当量のリチウムジ
イソプロピルアミドのＴＨＦ溶液を作用させる。次に、
この反応溶液を１．２当量の三塩化鉄（無水物）のＴＨ
Ｆ懸濁溶液と３℃で反応させることにより目的とするSE
GPHOSOを高効率で製造することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の製造方法により、上記一般式
（１）で表されるジホスフィンオキシド化合物及びその
製造中間体である上記一般式（２）で表されるホスフィ
ンオキシド化合物を簡便に製造することができ、特にSE
GPHOS の合成中間体の製造方法として産業的に極めて有
用である。
（１）で表されるジホスフィンオキシド化合物及びその
製造中間体である上記一般式（２）で表されるホスフィ
ンオキシド化合物を簡便に製造することができ、特にSE
GPHOS の合成中間体の製造方法として産業的に極めて有
用である。
【００３４】
【実施例】以下に実施例、使用例を挙げ、本発明を詳細
に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定され
るものではない。なお、各実施例における物性の測定に
用いた装置は次の通りである。 核磁気共鳴 1Ｈ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（４００ＭＨｚ） 31Ｐ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（１６２ＭＨｚ） 融点 Ｙａｎａｃｏ ＭＰ−５００Ｄ 旋光度 日本分光 ＤＩＰ−４ ガスクロマトグラフィ− ＧＬＣ Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ ５８９０−ＩＩ 高速液体クロマトグラフィー ＨＰＬＣ 島津製作所 ＬＣ１０ＡＴ＆ＳＰＤ１０Ａ 質量分析 ＭＡＳＳ 日立 Ｍ−８０Ｂ
に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定され
るものではない。なお、各実施例における物性の測定に
用いた装置は次の通りである。 核磁気共鳴 1Ｈ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（４００ＭＨｚ） 31Ｐ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（１６２ＭＨｚ） 融点 Ｙａｎａｃｏ ＭＰ−５００Ｄ 旋光度 日本分光 ＤＩＰ−４ ガスクロマトグラフィ− ＧＬＣ Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ ５８９０−ＩＩ 高速液体クロマトグラフィー ＨＰＬＣ 島津製作所 ＬＣ１０ＡＴ＆ＳＰＤ１０Ａ 質量分析 ＭＡＳＳ 日立 Ｍ−８０Ｂ
【００３５】〔実施例１〕ジフェニル（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドの合成（１） マグネシウム片１２．４ｇ（５１１ｍｍｏｌ）を四つ口
フラスコに計り取り、温度計、冷却管、均圧管付き滴下
漏斗を付した反応容器内を窒素で完全に置換し、無水Ｔ
ＨＦ３０ｍｌを加えた。水冷撹拌下、この溶液に３，４
−メチレンジオキシブロモベンゼン（９３．６ｇ，４６
５ｍｍｏｌ）（東京化成社製）のＴＨＦ溶液２００ｍｌ
を２．５時間かけて滴下し、更に室温にて３時間撹拌を
続けた。得られた混合溶液に、水冷撹拌下、ジフェニル
ホスホン酸クロリド１００ｇ（４２３ｍｍｏｌ）を２時
間かけて滴下し、室温にて１５時間撹拌を続けた。その
後、氷冷下水３０ｍｌを加え３０分間撹拌し、次いで１
Ｎ塩酸１５０ｍｌを加え１．５時間撹拌した。酢酸エチ
ル３００ｍｌにて反応生成物を抽出し、１Ｎ塩酸１５０
ｍｌ、飽和炭酸水素ナトリウム溶液１５０ｍｌ、水１５
０ｍｌの順で洗浄し、溶媒を減圧下留去した。得られた
結晶をトルエン１５０ｍｌにて加熱溶解し、その後−５
℃にて再結晶することにより、１２７ｇの表題化合物を
得た。
ンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドの合成（１） マグネシウム片１２．４ｇ（５１１ｍｍｏｌ）を四つ口
フラスコに計り取り、温度計、冷却管、均圧管付き滴下
漏斗を付した反応容器内を窒素で完全に置換し、無水Ｔ
ＨＦ３０ｍｌを加えた。水冷撹拌下、この溶液に３，４
−メチレンジオキシブロモベンゼン（９３．６ｇ，４６
５ｍｍｏｌ）（東京化成社製）のＴＨＦ溶液２００ｍｌ
を２．５時間かけて滴下し、更に室温にて３時間撹拌を
続けた。得られた混合溶液に、水冷撹拌下、ジフェニル
ホスホン酸クロリド１００ｇ（４２３ｍｍｏｌ）を２時
間かけて滴下し、室温にて１５時間撹拌を続けた。その
後、氷冷下水３０ｍｌを加え３０分間撹拌し、次いで１
Ｎ塩酸１５０ｍｌを加え１．５時間撹拌した。酢酸エチ
ル３００ｍｌにて反応生成物を抽出し、１Ｎ塩酸１５０
ｍｌ、飽和炭酸水素ナトリウム溶液１５０ｍｌ、水１５
０ｍｌの順で洗浄し、溶媒を減圧下留去した。得られた
結晶をトルエン１５０ｍｌにて加熱溶解し、その後−５
℃にて再結晶することにより、１２７ｇの表題化合物を
得た。
【００３６】ｍｐ：１２７−１２８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ６．０１（２Ｈ，
ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．３，２．４Ｈ
ｚ），７．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ），
７．１８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１３．５，１０．３，
２．４Ｈｚ），７．４３−７．４８（４Ｈ，ｍ），７．
５１（２Ｈ，ｍ），７．６４−７．７０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．８
ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．３，２．４Ｈ
ｚ），７．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ），
７．１８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１３．５，１０．３，
２．４Ｈｚ），７．４３−７．４８（４Ｈ，ｍ），７．
５１（２Ｈ，ｍ），７．６４−７．７０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．８
【００３７】〔実施例２〕ジフェニル（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）ホスホナートの合成 窒素気流下、マグネシウム５１ｇ（２．１０ｍｏｌ）、
ＴＨＦ（１００ｍｌ）、ヨウ素（触媒量）を入れ撹拌し
ている中に３，４−メチレンジオキシブロモベンゼン４
０５．９ｇ（２．０２ｍｏｌ）のＴＨＦ（２Ｌ）溶液を
少量加えグリニャール試薬の生成を確認した後、反応温
度を２５〜３０℃に保ちながら滴下を続けた。室温で一
晩撹拌した後、生成したグリニャール試薬を、−５℃に
冷却したジフェニルホスホリルクロライド５８０ｇ
（２．０５ｍｏｌ）のＴＨＦ（１Ｌ）溶液中に滴下し
た。室温で一晩撹拌した後ＴＨＦを減圧留去し、酢酸エ
チル（３Ｌ）、１Ｎ塩酸（１．５Ｌ）を加え撹拌した。
有機層を分離し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
洗浄、硫酸マグネシウム乾燥後、溶媒を減圧留去し粗生
成物（７４６．４８ｇ）を得た。粗生成物は酢酸エチル
より再結晶を行い、表題化合物５７４．９ｇを得た。
ンジオキシフェニル）ホスホナートの合成 窒素気流下、マグネシウム５１ｇ（２．１０ｍｏｌ）、
ＴＨＦ（１００ｍｌ）、ヨウ素（触媒量）を入れ撹拌し
ている中に３，４−メチレンジオキシブロモベンゼン４
０５．９ｇ（２．０２ｍｏｌ）のＴＨＦ（２Ｌ）溶液を
少量加えグリニャール試薬の生成を確認した後、反応温
度を２５〜３０℃に保ちながら滴下を続けた。室温で一
晩撹拌した後、生成したグリニャール試薬を、−５℃に
冷却したジフェニルホスホリルクロライド５８０ｇ
（２．０５ｍｏｌ）のＴＨＦ（１Ｌ）溶液中に滴下し
た。室温で一晩撹拌した後ＴＨＦを減圧留去し、酢酸エ
チル（３Ｌ）、１Ｎ塩酸（１．５Ｌ）を加え撹拌した。
有機層を分離し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
洗浄、硫酸マグネシウム乾燥後、溶媒を減圧留去し粗生
成物（７４６．４８ｇ）を得た。粗生成物は酢酸エチル
より再結晶を行い、表題化合物５７４．９ｇを得た。
【００３８】収率 ８０％ ｍｐ：５５．５ ℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ６．０４（２Ｈ，
ｓ），６．９０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８，３．９Ｈ
ｚ），７．１２−７．２０（５Ｈ，ｍ），７．２７−
７．３１（４Ｈ，ｍ），７．３５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
３．６，１．３Ｈｚ），７．５２（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝
１４．７，８．０，１．５Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3 ）：δ１２．５
ｓ），６．９０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８，３．９Ｈ
ｚ），７．１２−７．２０（５Ｈ，ｍ），７．２７−
７．３１（４Ｈ，ｍ），７．３５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
３．６，１．３Ｈｚ），７．５２（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝
１４．７，８．０，１．５Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3 ）：δ１２．５
【００３９】〔実施例３〕ジフェニル（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドの合成（２） １Ｌの四つ口フラスコにＭｇ１５．１８ｇ（０．６２４
ｍｏｌ）を計り取り、内部を窒素にて置換する。蒸留Ｔ
ＨＦ２０ｍｌを加えた後、ブロモベンゼン９８．６０ｇ
（０．６２８ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液を少量加
え激しく撹拌する。反応溶液の温度上昇によりグリニャ
ール試薬の生成を確認後、引き続き先の溶液を内温が４
５〜５０℃程度の範囲の温度を保持するよう約３時間か
けて滴下し、更に３時間室温で撹拌した。次にジフェニ
ル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート
１００．７３ｇ（０．２８４ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍ
ｌ溶液を、上記調製したグリニャール試薬に、氷浴冷却
下１時間かけて滴下した。（このとき内温は５℃で一定
であった。）更に一晩室温にて撹拌を続けた。反応溶液
に水３０ｍｌを加え、約３０分間撹拌することにより過
剰のグリニャール試薬を分解し反応を停止し、減圧にて
ＴＨＦを留去した。濃縮反応溶液にトルエン５００ｍ
ｌ、１０％塩酸水溶液５００ｍｌを加え、室温で３０分
間撹拌した後、有機層と水層を分離した。同様の操作を
再度行い、有機層と水層を分離後、有機層に水酸化ナト
リウム水溶液（水酸化ナトリウム４０ｇ、水５００ｍ
ｌ）を加え室温で１時間撹拌後、分離分液操作を行っ
た。同様の操作を再度行った後、毎回塩化ナトリウム水
溶液４００ｍｌを用い、３度洗浄を行った後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄ
ｅジフェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホ
スフィンオキシド１２０．３７ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体
にトルエン２００ｍｌを加え加熱溶解させた後５℃にて
一晩放置した。析出した結晶を濾取し減圧にて乾燥させ
ることにより、ジフェニル（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）ホスフィンオキシド８０．５ｇを得た。
ンジオキシフェニル）ホスフィンオキシドの合成（２） １Ｌの四つ口フラスコにＭｇ１５．１８ｇ（０．６２４
ｍｏｌ）を計り取り、内部を窒素にて置換する。蒸留Ｔ
ＨＦ２０ｍｌを加えた後、ブロモベンゼン９８．６０ｇ
（０．６２８ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液を少量加
え激しく撹拌する。反応溶液の温度上昇によりグリニャ
ール試薬の生成を確認後、引き続き先の溶液を内温が４
５〜５０℃程度の範囲の温度を保持するよう約３時間か
けて滴下し、更に３時間室温で撹拌した。次にジフェニ
ル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート
１００．７３ｇ（０．２８４ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍ
ｌ溶液を、上記調製したグリニャール試薬に、氷浴冷却
下１時間かけて滴下した。（このとき内温は５℃で一定
であった。）更に一晩室温にて撹拌を続けた。反応溶液
に水３０ｍｌを加え、約３０分間撹拌することにより過
剰のグリニャール試薬を分解し反応を停止し、減圧にて
ＴＨＦを留去した。濃縮反応溶液にトルエン５００ｍ
ｌ、１０％塩酸水溶液５００ｍｌを加え、室温で３０分
間撹拌した後、有機層と水層を分離した。同様の操作を
再度行い、有機層と水層を分離後、有機層に水酸化ナト
リウム水溶液（水酸化ナトリウム４０ｇ、水５００ｍ
ｌ）を加え室温で１時間撹拌後、分離分液操作を行っ
た。同様の操作を再度行った後、毎回塩化ナトリウム水
溶液４００ｍｌを用い、３度洗浄を行った後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄ
ｅジフェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホ
スフィンオキシド１２０．３７ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体
にトルエン２００ｍｌを加え加熱溶解させた後５℃にて
一晩放置した。析出した結晶を濾取し減圧にて乾燥させ
ることにより、ジフェニル（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）ホスフィンオキシド８０．５ｇを得た。
【００４０】収率 ８８％ ｍｐ：１２７−１２８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ６．０１（２Ｈ，
ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．３，２．４Ｈ
ｚ），７．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ），
７．１８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１３．５，１０．３，
２．４Ｈｚ），７．４３−７．４８（４Ｈ，ｍ），７．
５１（２Ｈ，ｍ），７．６４−７．７０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．８
ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．３，２．４Ｈ
ｚ），７．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ），
７．１８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１３．５，１０．３，
２．４Ｈｚ），７．４３−７．４８（４Ｈ，ｍ），７．
５１（２Ｈ，ｍ），７．６４−７．７０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．８
【００４１】〔実施例４〕（５，６），（５’，６’）
−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合成 １Ｌの四つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン４０ｍｌ（０．２８ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ２００ｍｌを加えた。氷−塩で冷却下（内温は−５℃
となる。）、１．７Ｍ ｎ−ブチルリチウム溶液１７５
ｍｌ（０．２７９ｍｏｌ）を３０分間で滴下し（０〜５
℃まで発熱した。）、更に−５℃でおよそ２時間撹拌し
た。その後アセトン−ドライアイスにて−１５℃まで冷
却し（内温は−１２〜−１０℃となる。）、ジフェニル
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキ
シド７５．２２ｇ（０．２３３ｍｏｌ）のＴＨＦ３００
ｍＬ溶液を１５分間で滴下した。このとき内温は−１０
〜−５℃に保っておく。更に−１２℃にて１５分間撹拌
し、リチウム試薬を調整した。一方、３Ｌの四つ口フラ
スコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無水物）４
５．７９ｇ（０．２８２ｍｏｌ）を計り取り、続いてト
ルエン１５０ｍｌを加え、氷−水で冷却下（内温は５℃
となる。）ＴＨＦ１５０ｍＬを加えた。このとき発熱が
見られ内温は約２０℃まで上昇した。氷−水下およそ３
０分間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカニューラ
ーにより３０分間で加え（内温は８〜１０℃まで上昇し
た。）、その後室温にて一晩撹拌し、ＨＰＬＣにより反
応の終了を確認後、ＴＨＦを減圧にて留去し、１０％塩
酸水溶液５００ｍｌ、塩化メチレン５００ｍｌを加え反
応を停止した。約１時間撹拌後、有機層を水層と分け水
層は塩化メチレン３００ｍｌで再抽出を行なった。両有
機層を混ぜた後１０％塩酸水溶液１Ｌ×３回、水５００
ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄｅ体８４．２５ｇを
得た。ｃｕｄｅ体に酢酸エチル２００ｍｌを加え、加熱
溶解させた後、室温まで冷却し、種を加え５℃にて一晩
放置した。析出した結晶を濾取、減圧にて乾燥すること
により表題化合物５６．０８ｇを得た。
−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合成 １Ｌの四つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン４０ｍｌ（０．２８ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ２００ｍｌを加えた。氷−塩で冷却下（内温は−５℃
となる。）、１．７Ｍ ｎ−ブチルリチウム溶液１７５
ｍｌ（０．２７９ｍｏｌ）を３０分間で滴下し（０〜５
℃まで発熱した。）、更に−５℃でおよそ２時間撹拌し
た。その後アセトン−ドライアイスにて−１５℃まで冷
却し（内温は−１２〜−１０℃となる。）、ジフェニル
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキ
シド７５．２２ｇ（０．２３３ｍｏｌ）のＴＨＦ３００
ｍＬ溶液を１５分間で滴下した。このとき内温は−１０
〜−５℃に保っておく。更に−１２℃にて１５分間撹拌
し、リチウム試薬を調整した。一方、３Ｌの四つ口フラ
スコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無水物）４
５．７９ｇ（０．２８２ｍｏｌ）を計り取り、続いてト
ルエン１５０ｍｌを加え、氷−水で冷却下（内温は５℃
となる。）ＴＨＦ１５０ｍＬを加えた。このとき発熱が
見られ内温は約２０℃まで上昇した。氷−水下およそ３
０分間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカニューラ
ーにより３０分間で加え（内温は８〜１０℃まで上昇し
た。）、その後室温にて一晩撹拌し、ＨＰＬＣにより反
応の終了を確認後、ＴＨＦを減圧にて留去し、１０％塩
酸水溶液５００ｍｌ、塩化メチレン５００ｍｌを加え反
応を停止した。約１時間撹拌後、有機層を水層と分け水
層は塩化メチレン３００ｍｌで再抽出を行なった。両有
機層を混ぜた後１０％塩酸水溶液１Ｌ×３回、水５００
ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄｅ体８４．２５ｇを
得た。ｃｕｄｅ体に酢酸エチル２００ｍｌを加え、加熱
溶解させた後、室温まで冷却し、種を加え５℃にて一晩
放置した。析出した結晶を濾取、減圧にて乾燥すること
により表題化合物５６．０８ｇを得た。
【００４２】収率 ７４．８％ ｍｐ：２３０−２３２℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ５．２６（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．５Ｈｚ），５．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．１Ｈ
ｚ），６．７７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．１，８．１Ｈ
ｚ），７．２８−７．７２（２０Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１２．６
Ｊ＝１．５Ｈｚ），５．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．１Ｈ
ｚ），６．７７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．１，８．１Ｈ
ｚ），７．２８−７．７２（２０Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１２．６
【００４３】〔実施例５〕ビス（３，５−ジメチルフェ
ニル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィ
ンオキシドの合成 １Ｌの四つ口フラスコにＭｇ２６．７４ｇ（１．１０ｍ
ｏｌ）とＩ2 （触媒量）を計り取り、内部を窒素にて置
換した。蒸留ＴＨＦ２０ｍｌを加えた後、１−ブロモ−
３，５−ジメチルベンゼン１９９．４１ｇ（１．０５ｍ
ｏｌ）のＴＨＦ１０００ｍｌ溶液を少量加え激しく撹拌
した。反応溶液の温度上昇によりグリニャール試薬の生
成を確認後、先の溶液を内温が２５〜３０℃ぐらいにな
るように滴下した。更に室温で一晩撹拌した。次にジフ
ェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナ
ート１１７．２５ｇ（０．５０ｍｏｌ）のＴＨＦ５００
ｍｌ溶液を上記調製したグリニャール試薬に、内温が２
５〜３０℃ぐらいになるように滴下し、更に室温で一晩
撹拌した。反応溶液に水３０ｍｌを加えおよそ３０分間
撹拌することにより過剰のグリニャール試薬を分解して
反応を停止させた後、減圧にてＴＨＦを留去した。濃縮
反応溶液にトルエン２０００ｍｌ、１Ｎ塩酸水溶液１２
５０ｍｌを加え、室温で３０分間撹拌した後有機層と水
層を分離し、同様の操作を再度行った。有機層と水層を
分離後、有機層に２．４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（５
００ｍｌ）を加え室温で１時間撹拌後、分離分液操作を
行った。同様の操作を再度行った後、１回に塩化ナトリ
ウム水溶液４００ｍｌを用い、３回塩化ナトリウム水溶
液洗浄を行なった後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を減圧にて留去し、酢酸ブチルより２回再結晶を行っ
て、表題化合物１３１．８３ｇを得た。
ニル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィ
ンオキシドの合成 １Ｌの四つ口フラスコにＭｇ２６．７４ｇ（１．１０ｍ
ｏｌ）とＩ2 （触媒量）を計り取り、内部を窒素にて置
換した。蒸留ＴＨＦ２０ｍｌを加えた後、１−ブロモ−
３，５−ジメチルベンゼン１９９．４１ｇ（１．０５ｍ
ｏｌ）のＴＨＦ１０００ｍｌ溶液を少量加え激しく撹拌
した。反応溶液の温度上昇によりグリニャール試薬の生
成を確認後、先の溶液を内温が２５〜３０℃ぐらいにな
るように滴下した。更に室温で一晩撹拌した。次にジフ
ェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナ
ート１１７．２５ｇ（０．５０ｍｏｌ）のＴＨＦ５００
ｍｌ溶液を上記調製したグリニャール試薬に、内温が２
５〜３０℃ぐらいになるように滴下し、更に室温で一晩
撹拌した。反応溶液に水３０ｍｌを加えおよそ３０分間
撹拌することにより過剰のグリニャール試薬を分解して
反応を停止させた後、減圧にてＴＨＦを留去した。濃縮
反応溶液にトルエン２０００ｍｌ、１Ｎ塩酸水溶液１２
５０ｍｌを加え、室温で３０分間撹拌した後有機層と水
層を分離し、同様の操作を再度行った。有機層と水層を
分離後、有機層に２．４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（５
００ｍｌ）を加え室温で１時間撹拌後、分離分液操作を
行った。同様の操作を再度行った後、１回に塩化ナトリ
ウム水溶液４００ｍｌを用い、３回塩化ナトリウム水溶
液洗浄を行なった後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を減圧にて留去し、酢酸ブチルより２回再結晶を行っ
て、表題化合物１３１．８３ｇを得た。
【００４４】収率 ７０％ ｍｐ：１５４−１５５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２．３２（１２Ｈ，
ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．３Ｈｚ），７．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．３，１．４Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｂｓ），
７．２０−７．２１（１Ｈ，ｍ），７．２５−７．２８
（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．３
ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．３Ｈｚ），７．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．３，１．４Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｂｓ），
７．２０−７．２１（１Ｈ，ｍ），７．２５−７．２８
（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．３
【００４５】〔実施例６〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジメチルフ
ェニル）ホスフィンオキシド）の合成 四つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイソプロ
ピルアミン１０．８ｍｌ（８２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ１
１０ｍｌを加えた。氷−塩で冷却下（内温は−５℃とな
る。）、１．５Ｍ ｎ−ブチルリチウム溶液５５ｍｌ
（０．８２ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下し（０〜５℃ま
で発熱した。）、更に−５℃でおよそ２時間撹拌した。
その後アセトン−ドライアイスにて−１５℃まで冷却し
た後（内温は−１２〜−１０℃となる。）、ビス（３，
５−ジメチルフェニル）（３，４−メチレンジオキシフ
ェニル）ホスフィンオキシド２５．０ｇ（６６ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１７５ｍｌ溶液を１５分間で滴下した。こ
のとき内温は−１０〜−５℃に保つ。更に−１２℃にて
４５分間撹拌して、リチウム試薬を調整した。一方、四
つ口フラスコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無
水物）１３．４１ｇ（８３ｍｍｏｌ）を計り取り、続い
てトルエン４０ｍｌを加えた。次に氷−水で冷却下（内
温は５℃となる。）ＴＨＦ４０ｍｌを加えた。氷−水下
およそ３０分間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカ
ニューラーにより加えた。（内温は８〜１０℃まで上昇
した。）その後室温にて一時間撹拌し、ＨＰＬＣにより
反応の終了を確認後、ＴＨＦを減圧にて留去し、１０％
塩酸水溶液３００ｍｌ、塩化メチレン３００ｍｌを加え
反応を停止した。約１時間撹拌後、有機層を水層と分
け、水層は塩化メチレン１００ｍｌで再抽出した。両有
機層を混ぜた後、毎回１０％塩酸水溶液３００ｍｌを用
い３回洗浄を繰り返した後、水３００ｍｌによる洗浄を
２回行ない、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を
減圧にて留去した。残渣にアセトニトリル８０ｍｌを加
え５０℃で撹拌し、生じた析出物を濾取し表題化合物１
９．２ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジメチルフ
ェニル）ホスフィンオキシド）の合成 四つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイソプロ
ピルアミン１０．８ｍｌ（８２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ１
１０ｍｌを加えた。氷−塩で冷却下（内温は−５℃とな
る。）、１．５Ｍ ｎ−ブチルリチウム溶液５５ｍｌ
（０．８２ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下し（０〜５℃ま
で発熱した。）、更に−５℃でおよそ２時間撹拌した。
その後アセトン−ドライアイスにて−１５℃まで冷却し
た後（内温は−１２〜−１０℃となる。）、ビス（３，
５−ジメチルフェニル）（３，４−メチレンジオキシフ
ェニル）ホスフィンオキシド２５．０ｇ（６６ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１７５ｍｌ溶液を１５分間で滴下した。こ
のとき内温は−１０〜−５℃に保つ。更に−１２℃にて
４５分間撹拌して、リチウム試薬を調整した。一方、四
つ口フラスコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無
水物）１３．４１ｇ（８３ｍｍｏｌ）を計り取り、続い
てトルエン４０ｍｌを加えた。次に氷−水で冷却下（内
温は５℃となる。）ＴＨＦ４０ｍｌを加えた。氷−水下
およそ３０分間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカ
ニューラーにより加えた。（内温は８〜１０℃まで上昇
した。）その後室温にて一時間撹拌し、ＨＰＬＣにより
反応の終了を確認後、ＴＨＦを減圧にて留去し、１０％
塩酸水溶液３００ｍｌ、塩化メチレン３００ｍｌを加え
反応を停止した。約１時間撹拌後、有機層を水層と分
け、水層は塩化メチレン１００ｍｌで再抽出した。両有
機層を混ぜた後、毎回１０％塩酸水溶液３００ｍｌを用
い３回洗浄を繰り返した後、水３００ｍｌによる洗浄を
２回行ない、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を
減圧にて留去した。残渣にアセトニトリル８０ｍｌを加
え５０℃で撹拌し、生じた析出物を濾取し表題化合物１
９．２ｇを得た。
【００４６】収率 ７７％ ｍｐ： ２５６−２５８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２．１１（１２Ｈ，
ｓ），２．３０（１２Ｈ，ｓ），５．４３（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．６Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．９２（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈ
ｚ），６．９５（２Ｈ，ｓ），７．０９（２Ｈ，ｓ），
７．１４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），７．３７
（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．５
ｓ），２．３０（１２Ｈ，ｓ），５．４３（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．６Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．９２（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈ
ｚ），６．９５（２Ｈ，ｓ），７．０９（２Ｈ，ｓ），
７．１４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），７．３７
（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．５
【００４７】〔実施例７〕ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メトキシフェニル）（３，４−メチレンジオキ
シフェニル）ホスフィンオキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム８．０５ｇ（０．３３ｍｏｌ）とＴＨＦ２０ｍ
ｌを加えた。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマグネ
シウムを活性化させた後、１−ブロモ−４−メトキシ−
３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゼン８９．８５ｇ（０．３
０ｍｏｌ）のＴＨＦ２００ｍｌ溶液を３５〜４５℃で２
時間３０分かけて滴下した後、室温にて３時間撹拌反応
させた。次に、氷冷下ジフェニル（３，４−メチレンジ
オキシフェニル）ホスホナート５０．６７ｇ（０．１４
ｍｏｌ）のＴＨＦ１６０ｍｌ溶液を３０分間で加え、室
温で一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した
後、塩化メチレン４００ｍｌを加え１．２Ｎ塩酸水４０
０ｍｌで２回、２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ｍｌ
で２回、水３００ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧にて溶媒を留去して、ｃｒｕｄｅ体９
３．５５ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体をヘキサン−酢酸エチ
ルより再結晶することによりより、表題化合物７３．６
１ｇを得た。
ル−４−メトキシフェニル）（３，４−メチレンジオキ
シフェニル）ホスフィンオキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム８．０５ｇ（０．３３ｍｏｌ）とＴＨＦ２０ｍ
ｌを加えた。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマグネ
シウムを活性化させた後、１−ブロモ−４−メトキシ−
３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゼン８９．８５ｇ（０．３
０ｍｏｌ）のＴＨＦ２００ｍｌ溶液を３５〜４５℃で２
時間３０分かけて滴下した後、室温にて３時間撹拌反応
させた。次に、氷冷下ジフェニル（３，４−メチレンジ
オキシフェニル）ホスホナート５０．６７ｇ（０．１４
ｍｏｌ）のＴＨＦ１６０ｍｌ溶液を３０分間で加え、室
温で一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した
後、塩化メチレン４００ｍｌを加え１．２Ｎ塩酸水４０
０ｍｌで２回、２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ｍｌ
で２回、水３００ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧にて溶媒を留去して、ｃｒｕｄｅ体９
３．５５ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体をヘキサン−酢酸エチ
ルより再結晶することによりより、表題化合物７３．６
１ｇを得た。
【００４８】収率 ８５％ ｍｐ： １６３−１６５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．３４（３６Ｈ，
ｓ），３．６８（６Ｈ，ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），
６．８９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．３Ｈｚ），
６．９０−７．２６（６Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３１．９
ｓ），３．６８（６Ｈ，ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），
６．８９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．３Ｈｚ），
６．９０−７．２６（６Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３１．９
【００４９】〔実施例８〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド）の
合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン２４ｍｌ（０．１７ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ１２０ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム９８ｍｌ（０．１６
ｍｏｌ）を５０分間で滴下し、更に２時間撹拌した。ア
セトン−ドライアイスにて−２０℃まで冷却し、ビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキ
シド６５．００ｇ（０．１１ｍｏｌ）のＴＨＦ２６０ｍ
Ｌ溶液を１１分間で滴下し、更に−１２℃にて３０分間
撹拌して、リチウム試薬を調製した。一方、２Ｌの三つ
口フラスコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無水
物）２６．７３ｇ（０．１７ｍｏｌ）を計り取りトルエ
ン７８ｍｌを加え、氷−水で冷却下ＴＨＦ７８ｍＬを加
えた。およそ３０分間撹拌後、上記調製したリチウム試
薬をカニューラーにより１７分間で加え、室温にて一晩
撹拌し反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化
メチレン３５０ｍｌを加えた。有機層を２０％塩酸水溶
液３００ｍｌで３回、水３００ｍｌで３回洗浄した後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、
ｃｒｕｄｅ体７３．８５ｇを得た。トルエン−ヘキサン
より再結晶を行い、表題化合物５１．５９ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−メトキシフェニル）ホスフィンオキシド）の
合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン２４ｍｌ（０．１７ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ１２０ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム９８ｍｌ（０．１６
ｍｏｌ）を５０分間で滴下し、更に２時間撹拌した。ア
セトン−ドライアイスにて−２０℃まで冷却し、ビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキ
シド６５．００ｇ（０．１１ｍｏｌ）のＴＨＦ２６０ｍ
Ｌ溶液を１１分間で滴下し、更に−１２℃にて３０分間
撹拌して、リチウム試薬を調製した。一方、２Ｌの三つ
口フラスコの内部を窒素置換した後、塩化第二鉄（無水
物）２６．７３ｇ（０．１７ｍｏｌ）を計り取りトルエ
ン７８ｍｌを加え、氷−水で冷却下ＴＨＦ７８ｍＬを加
えた。およそ３０分間撹拌後、上記調製したリチウム試
薬をカニューラーにより１７分間で加え、室温にて一晩
撹拌し反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化
メチレン３５０ｍｌを加えた。有機層を２０％塩酸水溶
液３００ｍｌで３回、水３００ｍｌで３回洗浄した後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、
ｃｒｕｄｅ体７３．８５ｇを得た。トルエン−ヘキサン
より再結晶を行い、表題化合物５１．５９ｇを得た。
【００５０】収率 ７６％ ｍｐ：１５４−１５７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．３１（３６Ｈ，
ｓ），１．３４（３６Ｈ，ｓ），３．６５（６Ｈ，
ｓ），３．６７（６Ｈ，ｓ），５．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１．７Ｈｚ），５．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．７Ｈ
ｚ），６．６９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．１
６−１８（２Ｈ，ｍ），７．４４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
２．２Ｈｚ），７．５９（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．７Ｈ
ｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．２
ｓ），１．３４（３６Ｈ，ｓ），３．６５（６Ｈ，
ｓ），３．６７（６Ｈ，ｓ），５．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１．７Ｈｚ），５．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．７Ｈ
ｚ），６．６９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．１
６−１８（２Ｈ，ｍ），７．４４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
２．２Ｈｚ），７．５９（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．７Ｈ
ｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３０．２
【００５１】〔実施例９〕ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィン
オキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム８．３９ｇ（０．３５ｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍ
ｌを計り取った。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマ
グネシウムを活性化させた後、１−ブロモ−４−ｔ−ブ
チルベンゼン６６．２４ｇ（０．３１ｍｏｌ）のＴＨＦ
２１０ｍｌ溶液を３０〜４５℃で２時間かけて滴下し、
室温にて一晩撹拌反応させた。次に、氷冷下ジフェニル
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート５
０．０１ｇ（０．１４ｍｏｌ）のＴＨＦ２００ｍｌ溶液
を３５分間で滴下し、室温で４時間撹拌反応させた。Ｔ
ＨＦを減圧にて留去した後、トルエン５００ｍｌを加
え、２Ｎ塩酸水溶液３００ｍｌで２回、２Ｎ水酸化ナト
リウム水溶液３００ｍｌで２回、水２００ｍｌで２回洗
浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧にて溶媒を
留去させて粗目的物を得た。洗浄中に結晶が析出してく
るのでこれも濾取した。相方を混ぜ合わせｃｒｕｄｅ体
６８．９ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体を２回メタノ−ル中で
加熱撹拌して洗浄することにより、表題化合物５４．２
１ｇを得た。
ル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィン
オキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム８．３９ｇ（０．３５ｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍ
ｌを計り取った。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマ
グネシウムを活性化させた後、１−ブロモ−４−ｔ−ブ
チルベンゼン６６．２４ｇ（０．３１ｍｏｌ）のＴＨＦ
２１０ｍｌ溶液を３０〜４５℃で２時間かけて滴下し、
室温にて一晩撹拌反応させた。次に、氷冷下ジフェニル
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート５
０．０１ｇ（０．１４ｍｏｌ）のＴＨＦ２００ｍｌ溶液
を３５分間で滴下し、室温で４時間撹拌反応させた。Ｔ
ＨＦを減圧にて留去した後、トルエン５００ｍｌを加
え、２Ｎ塩酸水溶液３００ｍｌで２回、２Ｎ水酸化ナト
リウム水溶液３００ｍｌで２回、水２００ｍｌで２回洗
浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧にて溶媒を
留去させて粗目的物を得た。洗浄中に結晶が析出してく
るのでこれも濾取した。相方を混ぜ合わせｃｒｕｄｅ体
６８．９ｇを得た。ｃｒｕｄｅ体を２回メタノ−ル中で
加熱撹拌して洗浄することにより、表題化合物５４．２
１ｇを得た。
【００５２】収率 ８９％ ｍｐ：２４５−２４８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．３１（１８Ｈ，
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８９（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．４Ｈｚ），６．８９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．４，１．３Ｈｚ），７．２１（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．５，７．９，１．４Ｈｚ），７．４４−７．
４８（４Ｈ，ｍ），７．５６−７．６１（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．６
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８９（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．４Ｈｚ），６．８９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．４，１．３Ｈｚ），７．２１（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．５，７．９，１．４Ｈｚ），７．４４−７．
４８（４Ｈ，ｍ），７．５６−７．６１（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．６
【００５３】〔実施例１０〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ホスフィンオキシド）の合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン２５ｍｌ（０．１７８ｍｏｌ）及びＴ
ＨＦ１２５ｍｌを加えた。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム１１０ｍｌ（０．１
７６ｍｏｌ）を３５分間で滴下し、更に１時間撹拌し
た。次にビス（４−ｔ−ブチルフェニル）（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド５０．０
１ｇ（０．１２ｍｏｌ）のＴＨＦ４００ｍＬ溶液をアセ
トン−ドライアイスバスにて−２０℃まで冷却後、上記
調整したＬＤＡを８分間で滴下し、更に−１５℃にて３
０分間撹拌した。一方、２Ｌの三つ口フラスコの内部を
窒素置換した後、トルエン６０ｍＬを取った。塩化第二
鉄（無水物）２８．２４ｇ（０．１７ｍｏｌ）を計り取
りトルエン中に加えた。次に氷−水で冷却下ＴＨＦ６０
ｍＬを加えた。このとき発熱が見られた。およそ３０分
間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカニューラーに
より１５分間で加え、室温にて４時間撹拌反応させた。
ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化メチレン５００ｍｌ
を加えた。有機層を２０％塩酸水溶液５００ｍｌ×２回
及び水４００ｍｌ×３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄｅ体５７．３
５ｇを得た。酢酸エチル−ヘキサンより再結晶を行い、
表題化合物３８．９ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ホスフィンオキシド）の合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン２５ｍｌ（０．１７８ｍｏｌ）及びＴ
ＨＦ１２５ｍｌを加えた。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム１１０ｍｌ（０．１
７６ｍｏｌ）を３５分間で滴下し、更に１時間撹拌し
た。次にビス（４−ｔ−ブチルフェニル）（３，４−メ
チレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド５０．０
１ｇ（０．１２ｍｏｌ）のＴＨＦ４００ｍＬ溶液をアセ
トン−ドライアイスバスにて−２０℃まで冷却後、上記
調整したＬＤＡを８分間で滴下し、更に−１５℃にて３
０分間撹拌した。一方、２Ｌの三つ口フラスコの内部を
窒素置換した後、トルエン６０ｍＬを取った。塩化第二
鉄（無水物）２８．２４ｇ（０．１７ｍｏｌ）を計り取
りトルエン中に加えた。次に氷−水で冷却下ＴＨＦ６０
ｍＬを加えた。このとき発熱が見られた。およそ３０分
間撹拌後、上記調製したリチウム試薬をカニューラーに
より１５分間で加え、室温にて４時間撹拌反応させた。
ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化メチレン５００ｍｌ
を加えた。有機層を２０％塩酸水溶液５００ｍｌ×２回
及び水４００ｍｌ×３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧にて留去して、ｃｒｕｄｅ体５７．３
５ｇを得た。酢酸エチル−ヘキサンより再結晶を行い、
表題化合物３８．９ｇを得た。
【００５４】収率 ７６％ ｍｐ：２０３−２０５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．２２（１８Ｈ，
ｓ），１．３２（１８Ｈ，ｓ），５．２４（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．６Ｈｚ），５．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．５Ｈ
ｚ），６．６０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．９Ｈ
ｚ），６．６０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．１，８．１Ｈ
ｚ），７．２８（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．７Ｈ
ｚ），７．４３（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．７Ｈ
ｚ），７．６０−７．７１（８Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
ｓ），１．３２（１８Ｈ，ｓ），５．２４（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．６Ｈｚ），５．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．５Ｈ
ｚ），６．６０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．９Ｈ
ｚ），６．６０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．１，８．１Ｈ
ｚ），７．２８（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．７Ｈ
ｚ），７．４３（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．７Ｈ
ｚ），７．６０−７．７１（８Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
【００５５】〔実施例１１〕ビス（４−メトキシフェニ
ル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィン
オキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム９．７６（０．４１ｍｏｌ）、ＴＨＦ１０ｍｌ
を計り取った。少量のジブロモエタンでマグネシウムを
活性化させた後、氷冷下、３，４−メチレンジオキシブ
ロモベンゼン４３．５ｍｌ（０．３６ｍｏｌ）のＴＨＦ
１１０ｍｌ溶液を２時間で滴下し、続いて室温で１時間
３０分撹拌反応させた。次に水冷下、ビスアニシルホス
フィン酸クロライド１０６ｇ（０．３６ｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ１００ｍｌ溶液を１時間で滴下し、室温で一晩撹拌反
応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化メチレン
３００ｍｌを加え、１．２Ｎ塩酸水溶液３００ｍｌ×３
回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌ×２回及
び水３００ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧で塩化メチレンを留去して、表題化合物
１３０．７ｇ（油状物）を得た。
ル）（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスフィン
オキシドの合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグ
ネシウム９．７６（０．４１ｍｏｌ）、ＴＨＦ１０ｍｌ
を計り取った。少量のジブロモエタンでマグネシウムを
活性化させた後、氷冷下、３，４−メチレンジオキシブ
ロモベンゼン４３．５ｍｌ（０．３６ｍｏｌ）のＴＨＦ
１１０ｍｌ溶液を２時間で滴下し、続いて室温で１時間
３０分撹拌反応させた。次に水冷下、ビスアニシルホス
フィン酸クロライド１０６ｇ（０．３６ｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ１００ｍｌ溶液を１時間で滴下し、室温で一晩撹拌反
応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後、塩化メチレン
３００ｍｌを加え、１．２Ｎ塩酸水溶液３００ｍｌ×３
回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌ×２回及
び水３００ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧で塩化メチレンを留去して、表題化合物
１３０．７ｇ（油状物）を得た。
【００５６】収率 ９６％1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３．８４（６Ｈ，
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８６（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝８．０，２．４Ｈｚ），７．０６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．６，１．３Ｈｚ），７．１６（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．６，７．９，１．５Ｈｚ），６．９３−６．
９８（４Ｈ，ｍ），７．５３−７．６０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８６（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝８．０，２．４Ｈｚ），７．０６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．６，１．３Ｈｚ），７．１６（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．６，７．９，１．５Ｈｚ），６．９３−６．
９８（４Ｈ，ｍ），７．５３−７．６０（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
【００５７】〔実施例１２〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−メトキシフェニ
ル）ホスフィンオキシド）の合成 ２Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン１０１ｍｌ（０．７２ｍｏｌ）及びＴ
ＨＦ７５０ｍｌを加えた。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム４５０ｍｌ（０．７
２ｍｏｌ）を４０分間で滴下し、更に３時間撹拌した。
次にビス（４−メトキシフェニル）（３，４−メチレン
ジオキシフェニル）ホスフィンオキシド１３０．７ｇ
（０．３６ｍｏｌ）のＴＨＦ６５０ｍｌ溶液をアセトン
−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却した後、ＬＤ
Ａを２０分間で滴下し、更に−３５℃にて１時間撹拌し
た。一方、３Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素置換した
後、塩化第二鉄（無水物）１１８．２５ｇ（０．７２ｍ
ｏｌ）、トルエン３５０ｍｌを計り取り、氷−水冷却
下、ＴＨＦ３５０ｍｌを加えた。およそ３０分間撹拌し
た後、リチウム試薬をカニューラーにより２０分間で加
え、室温にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留
去した後、塩化メチレン１５００ｍｌを加えた。有機層
を１．２Ｎ塩酸水溶液１０００ｍｌ×４回及び水１００
０ｍｌ×３回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧にて留去し、ｃｒｕｄｅ体１５５ｇを得
た。メタノ−ルより再結晶を行い、表題化合物１１４．
０１ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−メトキシフェニ
ル）ホスフィンオキシド）の合成 ２Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン１０１ｍｌ（０．７２ｍｏｌ）及びＴ
ＨＦ７５０ｍｌを加えた。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム４５０ｍｌ（０．７
２ｍｏｌ）を４０分間で滴下し、更に３時間撹拌した。
次にビス（４−メトキシフェニル）（３，４−メチレン
ジオキシフェニル）ホスフィンオキシド１３０．７ｇ
（０．３６ｍｏｌ）のＴＨＦ６５０ｍｌ溶液をアセトン
−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却した後、ＬＤ
Ａを２０分間で滴下し、更に−３５℃にて１時間撹拌し
た。一方、３Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素置換した
後、塩化第二鉄（無水物）１１８．２５ｇ（０．７２ｍ
ｏｌ）、トルエン３５０ｍｌを計り取り、氷−水冷却
下、ＴＨＦ３５０ｍｌを加えた。およそ３０分間撹拌し
た後、リチウム試薬をカニューラーにより２０分間で加
え、室温にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留
去した後、塩化メチレン１５００ｍｌを加えた。有機層
を１．２Ｎ塩酸水溶液１０００ｍｌ×４回及び水１００
０ｍｌ×３回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧にて留去し、ｃｒｕｄｅ体１５５ｇを得
た。メタノ−ルより再結晶を行い、表題化合物１１４．
０１ｇを得た。
【００５８】収率 ８６％ ｍｐ：１２２−１２４℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３．７６（６Ｈ，
ｓ），３．８２（６Ｈ，ｓ），５．４４（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１．６Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．５Ｈ
ｚ），６．６６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．７３−６．７７（４Ｈ，ｍ），７．７９（２
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈｚ），６．８９−
６．９３（４Ｈ，ｍ），７．４３−７．５０（４Ｈ，
ｍ），７．５８−７．６４（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
ｓ），３．８２（６Ｈ，ｓ），５．４４（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１．６Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．５Ｈ
ｚ），６．６６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．７３−６．７７（４Ｈ，ｍ），７．７９（２
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈｚ），６．８９−
６．９３（４Ｈ，ｍ），７．４３−７．５０（４Ｈ，
ｍ），７．５８−７．６４（４Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ２９．５
【００５９】〔実施例１３〕ジシクロヘキシル（（３，
４）−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド
の合成 １Ｌ三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグネ
シウム６．３４ｇ（０．２６ｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍｌ
を計り取った。少量のジブロモエタンでマグネシウムを
活性化させた後、氷冷下、ブロメチレンジオキシベンゼ
ン３０ｍｌ（０．２５ｍｏｌ）、ＴＨＦ１２０ｍｌ溶液
を１時間４５分で滴下、続いて室温で３時間撹拌反応さ
せた。次にビスシクロヘキシルホスフィン酸クロライド
６４ｇ（０．２６ｍｏｌ）、ＴＨＦ２４０ｍｌ溶液を１
時間で滴下、室温で一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧
にて留去、トルエン４００ｍｌを加え、１．２Ｎ塩酸水
溶液３００ｍｌ×３回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
３００ｍｌ×２回及び水３００ｍｌ×２回の洗浄を行
い、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧でトルエンを留去
して、ｃｒｕｄｅ体９４．３８ｇを得た。トルエン−ヘ
キサンより再結晶を行い、表題化合物６７．１９ｇを得
た。
４）−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド
の合成 １Ｌ三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグネ
シウム６．３４ｇ（０．２６ｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍｌ
を計り取った。少量のジブロモエタンでマグネシウムを
活性化させた後、氷冷下、ブロメチレンジオキシベンゼ
ン３０ｍｌ（０．２５ｍｏｌ）、ＴＨＦ１２０ｍｌ溶液
を１時間４５分で滴下、続いて室温で３時間撹拌反応さ
せた。次にビスシクロヘキシルホスフィン酸クロライド
６４ｇ（０．２６ｍｏｌ）、ＴＨＦ２４０ｍｌ溶液を１
時間で滴下、室温で一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧
にて留去、トルエン４００ｍｌを加え、１．２Ｎ塩酸水
溶液３００ｍｌ×３回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
３００ｍｌ×２回及び水３００ｍｌ×２回の洗浄を行
い、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧でトルエンを留去
して、ｃｒｕｄｅ体９４．３８ｇを得た。トルエン−ヘ
キサンより再結晶を行い、表題化合物６７．１９ｇを得
た。
【００６０】収率 ８２％ ｍｐ：１３８−１４１℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．１７−１．３２
（１０Ｈ，ｍ），１．６０−１．７０（４Ｈ，ｍ），
１．７４−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．９６−２．０３
（４Ｈ，ｍ），６．０３（２Ｈ，ｓ），６．９１（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．０，２．０Ｈｚ），６．０６（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．２，１．１Ｈｚ），７．１９（１
Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１０．３，７．９，１．５Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ４６．０
（１０Ｈ，ｍ），１．６０−１．７０（４Ｈ，ｍ），
１．７４−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．９６−２．０３
（４Ｈ，ｍ），６．０３（２Ｈ，ｓ），６．９１（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．０，２．０Ｈｚ），６．０６（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．２，１．１Ｈｚ），７．１９（１
Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１０．３，７．９，１．５Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ４６．０
【００６１】〔実施例１４〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ジシクロヘキシルホスフィ
ンオキシド）の合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン５０ｍｌ（０．３６ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ３００ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６ Ｍ ｎ−ブチルリチウム２２６ｍｌ（０．
３６ｍｏｌ）を１時間３０分間で滴下し、更に１時間撹
拌した。次にジシクロヘキシル（（３，４）−メチレン
ジオキシフェニル）ホスフィンオキシド６０．２７ｇ
（０．１８ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液をアセトン
−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却した後、ＬＤ
Ａを８分間で滴下し、更に−３５℃にて１時間撹拌し
た。一方、３Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素置換した
後、塩化第二鉄（無水物）５８．６９ｇ（０．３６ｍｏ
ｌ）を計り取り、氷−水で冷却下トルエン１５０ｍｌ、
ＴＨＦ１５０ｍｌを加えた。およそ３０分間撹拌した
後、リチウム試薬をカニューラーにより１５分間で加
え、室温にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留
去した後、塩化メチレン１５００ｍｌを加えた。有機層
を１．２Ｎ塩酸水溶液１０００ｍｌ×４回及び水１００
０ｍｌ×３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧にて留去し、メタノ−ルより再結晶を行い、表題
化合物３５ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ジシクロヘキシルホスフィ
ンオキシド）の合成 １Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイ
ソプロピルアミン５０ｍｌ（０．３６ｍｏｌ）及びＴＨ
Ｆ３００ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却
下、１．６ Ｍ ｎ−ブチルリチウム２２６ｍｌ（０．
３６ｍｏｌ）を１時間３０分間で滴下し、更に１時間撹
拌した。次にジシクロヘキシル（（３，４）−メチレン
ジオキシフェニル）ホスフィンオキシド６０．２７ｇ
（０．１８ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液をアセトン
−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却した後、ＬＤ
Ａを８分間で滴下し、更に−３５℃にて１時間撹拌し
た。一方、３Ｌの三つ口フラスコの内部を窒素置換した
後、塩化第二鉄（無水物）５８．６９ｇ（０．３６ｍｏ
ｌ）を計り取り、氷−水で冷却下トルエン１５０ｍｌ、
ＴＨＦ１５０ｍｌを加えた。およそ３０分間撹拌した
後、リチウム試薬をカニューラーにより１５分間で加
え、室温にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留
去した後、塩化メチレン１５００ｍｌを加えた。有機層
を１．２Ｎ塩酸水溶液１０００ｍｌ×４回及び水１００
０ｍｌ×３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧にて留去し、メタノ−ルより再結晶を行い、表題
化合物３５ｇを得た。
【００６２】収率 ６５％ ｍｐ：２７０℃（分解）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．１２−１．４９
（２０Ｈ，ｍ），１．６７−１．８０（１６Ｈ，ｍ），
１．９４−１．９７（８Ｈ，ｍ），５．８５（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），５．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．
６Ｈｚ），６．８１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，３．０
Ｈｚ），６．８５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．２，７．７
Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ４６．３
（２０Ｈ，ｍ），１．６７−１．８０（１６Ｈ，ｍ），
１．９４−１．９７（８Ｈ，ｍ），５．８５（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），５．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．
６Ｈｚ），６．８１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，３．０
Ｈｚ），６．８５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．２，７．７
Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ４６．３
【００６３】〔実施例１５〕ビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）（（３，４）−メチレンジオキシフェニ
ル）ホスフィンオキシドの合成 三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグネシウ
ム２．２７ｇ（０．０９４ｍｏｌ）、ＴＨＦ １０ｍｌ
を計り取った。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマグ
ネシウムを活性化させた後、１−ブロモ−３，５−ジ−
ｔ−ブチルベンゼン２３．０４ｇ（０．０８５ｍｏｌ）
のＴＨＦ１００ｍｌ溶液を３０〜４５℃で１時間２５分
かけて滴下した後、室温にて６時間反応させた。次に、
氷冷下ジフェニル（３，４−メチレンジオキシフェニ
ル）ホスホナート１４．４ｇ（０．０４１ｍｏｌ）のＴ
ＨＦ６０ｍｌ溶液を１時間で滴下した後、室温で一晩撹
拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後トルエン２
００ｍｌを加え、２Ｎ塩酸水溶液１００ｍｌ×２回、２
Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌ×２回及び水１０
０ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧にて溶媒を留去して粗目的物を得た。トルエン
−ヘキサンより再結晶することにより、表題化合物１
８．０３ｇを得た。
チルフェニル）（（３，４）−メチレンジオキシフェニ
ル）ホスフィンオキシドの合成 三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、マグネシウ
ム２．２７ｇ（０．０９４ｍｏｌ）、ＴＨＦ １０ｍｌ
を計り取った。少量のヨウ素を加え、激しく撹拌しマグ
ネシウムを活性化させた後、１−ブロモ−３，５−ジ−
ｔ−ブチルベンゼン２３．０４ｇ（０．０８５ｍｏｌ）
のＴＨＦ１００ｍｌ溶液を３０〜４５℃で１時間２５分
かけて滴下した後、室温にて６時間反応させた。次に、
氷冷下ジフェニル（３，４−メチレンジオキシフェニ
ル）ホスホナート１４．４ｇ（０．０４１ｍｏｌ）のＴ
ＨＦ６０ｍｌ溶液を１時間で滴下した後、室温で一晩撹
拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した後トルエン２
００ｍｌを加え、２Ｎ塩酸水溶液１００ｍｌ×２回、２
Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌ×２回及び水１０
０ｍｌ×２回の洗浄を行い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧にて溶媒を留去して粗目的物を得た。トルエン
−ヘキサンより再結晶することにより、表題化合物１
８．０３ｇを得た。
【００６４】収率 ７２％ ｍｐ：１４６−１４９℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．２７（３６Ｈ，
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．３Ｈｚ），７．１０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．３，１．５Ｈｚ），７．１７（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．３，７．９，１．５Ｈｚ），７．４８（４
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．８，１．８Ｈｚ），７．５６−
７．５８（２Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３２．０
ｓ），６．０１（２Ｈ，ｓ），６．８８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７．９，２．３Ｈｚ），７．１０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝１１．３，１．５Ｈｚ），７．１７（１Ｈ，ｄｄｄ，
Ｊ＝１２．３，７．９，１．５Ｈｚ），７．４８（４
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．８，１．８Ｈｚ），７．５６−
７．５８（２Ｈ，ｍ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３２．０
【００６５】〔実施例１６〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）ホスフィンオキシド）の合成 三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイソプロ
ピルアミン７．４ｍｌ（０．０５３ｍｏｌ）及びＴＨＦ
４０ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却下、
１．６ Ｍ ｎ−ブチルリチウム３３ｍｌ（０．０５２
ｍｏｌ）を１４分間で滴下し、更に３時間撹拌した。次
にビス（３，５ジ−ｔ−ブチルフェニル）（（３，４）
−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド１５
ｇ（０．０２６ｍｏｌ）のＴＨＦ１２０ｍＬ溶液をアセ
トン−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却し、上記
調整したＬＤＡを滴下後、更に−３０℃にて１時間撹拌
した。一方、三つ口フラスコの内部を窒素置換した後、
トルエン３０ｍＬをフラスコ内に取った。塩化第二鉄
（無水物）８．３２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を計り取り
トルエン中に加えた。次に氷−水で冷却下、ＴＨＦ３０
ｍＬを加えた。およそ１０分間撹拌後、上記調製したリ
チウム試薬をカニューラーにより１０分間で加え、室温
にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した
後、塩化メチレン２００ｍｌを加えた。有機層を２０％
塩酸水溶液１００ｍｌ×２回、水１００ｍｌ×３回洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧にて留去し
てｃｒｕｄｅ体１６．９ｇを得た。酢酸エチル−ヘキサ
ンより再結晶を行い、表題化合物７．７２ｇを得た。
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）ホスフィンオキシド）の合成 三つ口フラスコの内部を窒素で置換した後、ジイソプロ
ピルアミン７．４ｍｌ（０．０５３ｍｏｌ）及びＴＨＦ
４０ｍｌを加える。氷−塩（−５〜０℃）で冷却下、
１．６ Ｍ ｎ−ブチルリチウム３３ｍｌ（０．０５２
ｍｏｌ）を１４分間で滴下し、更に３時間撹拌した。次
にビス（３，５ジ−ｔ−ブチルフェニル）（（３，４）
−メチレンジオキシフェニル）ホスフィンオキシド１５
ｇ（０．０２６ｍｏｌ）のＴＨＦ１２０ｍＬ溶液をアセ
トン−ドライアイスバスにて−４０℃まで冷却し、上記
調整したＬＤＡを滴下後、更に−３０℃にて１時間撹拌
した。一方、三つ口フラスコの内部を窒素置換した後、
トルエン３０ｍＬをフラスコ内に取った。塩化第二鉄
（無水物）８．３２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を計り取り
トルエン中に加えた。次に氷−水で冷却下、ＴＨＦ３０
ｍＬを加えた。およそ１０分間撹拌後、上記調製したリ
チウム試薬をカニューラーにより１０分間で加え、室温
にて一晩撹拌反応させた。ＴＨＦを減圧にて留去した
後、塩化メチレン２００ｍｌを加えた。有機層を２０％
塩酸水溶液１００ｍｌ×２回、水１００ｍｌ×３回洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧にて留去し
てｃｒｕｄｅ体１６．９ｇを得た。酢酸エチル−ヘキサ
ンより再結晶を行い、表題化合物７．７２ｇを得た。
【００６６】収率 ５０％ ｍｐ：２４８−２５０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ１．２１（３６Ｈ，
ｓ），１．２６（３６Ｈ，ｓ），５．０９（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．８Ｈｚ），５．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．７Ｈ
ｚ），６．６７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．２Ｈ
ｚ），６．７５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１３．８，８．１Ｈ
ｚ），７．４４−７．５０（８Ｈ，ｍ），７．６２（４
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．８，１．９Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３１．６
ｓ），１．２６（３６Ｈ，ｓ），５．０９（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．８Ｈｚ），５．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．７Ｈ
ｚ），６．６７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．２Ｈ
ｚ），６．７５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１３．８，８．１Ｈ
ｚ），７．４４−７．５０（８Ｈ，ｍ），７．６２（４
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．８，１．９Ｈｚ）31 Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δ３１．６
【００６７】〔実施例１７〕（（６，６’）−ビスメト
キシビフェニル−２，２’−ジイル）ビ ス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合成 窒素気流下、−７８℃にてジフェニル（３−メトキシフ
ェニル）ホスフィンオキシド０．８６ｇ（２．７９ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ５ｍＬ溶液に、０．７Ｎ ＬＤＡ−ＴＨ
Ｆ溶液（４．１９ｍｍｏｌ）を加え、４５分間攪拌し
た。次に−７８℃にて三塩化鉄０．７ｇ（４．１９ｍｍ
ｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらに室温に戻し一晩攪拌
した。ＴＨＦを減圧留去し、飽和塩化アンモニウム水溶
液を加え、攪拌した後酢酸エチルを加え抽出した。有機
層を分離し、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。シリカ
ゲルカラムで精製を行い、表題化合物０．７３ｇを得
た。 収率８５％
キシビフェニル−２，２’−ジイル）ビ ス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合成 窒素気流下、−７８℃にてジフェニル（３−メトキシフ
ェニル）ホスフィンオキシド０．８６ｇ（２．７９ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ５ｍＬ溶液に、０．７Ｎ ＬＤＡ−ＴＨ
Ｆ溶液（４．１９ｍｍｏｌ）を加え、４５分間攪拌し
た。次に−７８℃にて三塩化鉄０．７ｇ（４．１９ｍｍ
ｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらに室温に戻し一晩攪拌
した。ＴＨＦを減圧留去し、飽和塩化アンモニウム水溶
液を加え、攪拌した後酢酸エチルを加え抽出した。有機
層を分離し、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。シリカ
ゲルカラムで精製を行い、表題化合物０．７３ｇを得
た。 収率８５％
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐用 昇 神奈川県平塚市西八幡一丁目４番11号 高 砂香料工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 石▲崎▼ 健朗 神奈川県平塚市西八幡一丁目４番11号 高 砂香料工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4H050 AA02 AC20 BA05 BA10 BA17 BD70 WA15 WA26
Claims (6)
- 【請求項１】一般式（２） 【化１】 （式中、Ｒ1 は、シクロアルキル基、フェニル基、置換
フェニル基（該置換基は１〜５個置換され、それぞれの
置換基は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキル
アミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基
からなる群から任意に選ばれる）、低級アルキル基又は
低級アルコキシル基で置換されていてもよいナフチル
基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフ
リル基、ベンゾフルフリル基、チエニル基、又はベンゾ
チエニル基を表し、Ｒ2 は、低級アルキル基、低級アル
コキシアルキル基、ハロゲン化低級アルキル基又はフェ
ニル基を表し、Ｘはヘテロ原子を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、
各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキルアミノ基、ハ
ロゲン化低級アルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ2 と
Ｒ3 あるいはＲ3 とＲ4 は互いに連結して環を形成して
いてもよい。）で表されるホスフィンオキシド化合物を
塩基で処理した後、酸化剤を使用し二量化することを特
徴とする、一般式（１） 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘは前記と同じもの
を表す。）で表されるジホスフィンオキシド化合物の製
造方法。 - 【請求項２】一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ2 は、低級アルキル基、低級アルコキシアル
キル基、ハロゲン化低級アルキル基又はフェニル基を表
し、Ｘはヘテロ原子を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシル基、ジ低級アルキルアミノ基、ハロゲン化低
級アルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ2 とＲ3 あるい
はＲ3 とＲ4 は互いに連結して環を形成していてもよ
い。Ｍは、マグネシウム又はリチウムを表し、Ｙはハロ
ゲン原子を表し、ｎは０又は１を表す。）で表される化
合物に、一般式（４） 【化４】 （式中、Ｒ1 はシクロアルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基（該置換基は１〜５個置換され、それぞれの置
換基は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、低
級アルキル基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキルア
ミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基か
らなる群から任意に選ばれる）、低級アルキル基又は低
級アルコキシル基で置換されていてもよいナフチル基、
ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフリル
基、ベンゾフルフリル基、チエニル基、又はベンゾチエ
ニル基を表す。）で表されるホスフィン酸クロライド化
合物を反応せしめることを特徴とする、一般式（２） 【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘは前記と同じもの
を示す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法。 - 【請求項３】一般式（３） 【化６】 （式中、Ｒ2 は、低級アルキル基、低級アルコキシアル
キル基、ハロゲン化低級アルキル基又はフェニル基を表
し、Ｘはヘテロ原子を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシル基、ジ低級アルキルアミノ基、ハロゲン化低
級アルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ2 とＲ3 あるい
はＲ3 とＲ4 は互いに連結して環を形成していてもよ
い。Ｍは、マグネシウム又はリチウムを表し、Ｙはハロ
ゲン原子を表し、ｎは０又は１を表す。）で表される化
合物に、一般式（５） 【化７】 （式中、Ｒ5 は各々独立に、アルキル基、又は非置換も
しくは置換フェニル基を表す。）で表されるクロロホス
フェート化合物を反応せしめ、一般式（６） 【化８】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｘは前記と同じもの
を示す。）で表されるホスホナート化合物とした後、一
般式（７） Ｒ1 ＭＹｎ （７） （式中、Ｒ1 はシクロアルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基（該置換基は１〜５個置換され、それぞれの置
換基は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、低
級アルキル基、低級アルコキシル基、ジ低級アルキルア
ミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基か
らなる群から任意に選ばれる）、低級アルキル基又は低
級アルコキシル基で置換されていてもよいナフチル基、
ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフリル
基、ベンゾフルフリル基、チエニル基、又はベンゾチエ
ニル基を表し、Ｍは、マグネシウム又はリチウムを表
し、Ｙはハロゲン原子を表し、ｎは０又は１を表す。）
で表されるグリニャール化合物又はリチウム化合物を引
き続き反応せしめることを特徴とする、一般式（２） 【化９】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｘは前記と同じもの
を示す。）で表されるホスフィンオキシド化合物の製造
方法。 - 【請求項４】塩基がリチウムアルキルアミド、アルキル
リチウム、アリルリチウム等の有機リチウム試薬、グリ
ニャール試薬から選ばれる塩基である請求項１記載のジ
ホスフィンオキシド化合物の製造方法。 - 【請求項５】酸化剤が酸化性を有する金属化合物である
請求項１又は４記載のジホスフィンオキシド化合物の製
造方法。 - 【請求項６】酸化性を有する金属化合物が鉄、銅、ルテ
ニウム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデ
ン、マンガン、チタンの金属塩又は金属錯化合物から選
ばれる少なくとも１種である請求項５記載のジホスフィ
ンオキシド化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102798A JP3146187B2 (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | ジホスフィンオキシドの新規な製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102798A JP3146187B2 (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | ジホスフィンオキシドの新規な製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000016997A true JP2000016997A (ja) | 2000-01-18 |
| JP3146187B2 JP3146187B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=16093496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18102798A Expired - Lifetime JP3146187B2 (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | ジホスフィンオキシドの新規な製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3146187B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472539B1 (en) * | 2000-01-07 | 2002-10-29 | Takasago International Corporation | Production process of diphosphine oxide and diphosphonate |
| US7038087B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-05-02 | Takasago International Corporation | Process for the production of optically active amino alcohols |
| JP2009073848A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-04-09 | Takasago Internatl Corp | ホスフィン化合物 |
| EP2098531A1 (en) | 2008-03-05 | 2009-09-09 | National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology | Axially asymmetric phosphorus compound and production method thereof |
| US7683186B2 (en) | 2006-12-11 | 2010-03-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Optically active biaryl phosphorus compound and production process thereof |
| JP2015521621A (ja) * | 2012-06-19 | 2015-07-30 | インターセプト ファーマシューティカルズ， インコーポレイテッド | オベチコール酸の調製、使用および固体形態 |
| US9982008B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-05-29 | Intercept Pharmaceuticals, Inc. | Preparation and uses of obeticholic acid |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5009613B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2012-08-22 | ベーリンガー・インゲルハイム・インテルナツィオナール・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 不斉合成における使用のためのキラル配位子 |
-
1998
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472539B1 (en) * | 2000-01-07 | 2002-10-29 | Takasago International Corporation | Production process of diphosphine oxide and diphosphonate |
| US7038087B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-05-02 | Takasago International Corporation | Process for the production of optically active amino alcohols |
| US7683186B2 (en) | 2006-12-11 | 2010-03-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Optically active biaryl phosphorus compound and production process thereof |
| EP2098531A1 (en) | 2008-03-05 | 2009-09-09 | National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology | Axially asymmetric phosphorus compound and production method thereof |
| JP2009073848A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-04-09 | Takasago Internatl Corp | ホスフィン化合物 |
| JP2015521621A (ja) * | 2012-06-19 | 2015-07-30 | インターセプト ファーマシューティカルズ， インコーポレイテッド | オベチコール酸の調製、使用および固体形態 |
| JP2016074724A (ja) * | 2012-06-19 | 2016-05-12 | インターセプト ファーマシューティカルズ， インコーポレイテッド | オベチコール酸の調製、使用および固体形態 |
| US9982008B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-05-29 | Intercept Pharmaceuticals, Inc. | Preparation and uses of obeticholic acid |
| US10047117B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-08-14 | Intercept Pharmaceuticals, Inc. | Preparation and uses of obeticholic acid |
| US10155787B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-12-18 | Intercept Pharmaceuticals, Inc. | Preparation and uses of obeticholic acid |
| US10174073B2 (en) | 2012-06-19 | 2019-01-08 | Intercept Pharmaceuticals, Inc. | Preparation and uses of obeticholic acid |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3146187B2 (ja) | 2001-03-12 |
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