JP2000003910A - 低比誘電性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】銅に対して拡散しにくい特性を有し、特に半導
体装置の層間絶縁膜に好適な低比誘電性絶縁膜の形成方
法を提供する。 【解決手段】真空中で原料モノマーとしてジアミンモノ
マーと酸成分モノマーを蒸発させ、これらを基体上で蒸
着重合させてポリイミド膜を形成する際に、原料モノマ
ーとして、イミド環以外に酸素原子を含まないモノマー
を用いる。ジアミンモノマーとしては、3,3′-ジメチル
-4,4′-ジアミノビフェニル（ＯＴＤ）、2,2′-ビス(ト
リフルオロメチル)-4,4′-ジアミノビフェニル(ＴＦＤ
Ｂ）を用いる。酸成分モノマーとしては、ピロメリト酸
二無水物（ＰＭＤＡ）、2,2′-ビス(3,4-ジカルボキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(６ＦＤＡ）
を用いる。本発明によれば、第１及び第２の銅配線２
３、２６と層間絶縁膜２４との間にＴｉＮ等のバリア層
を形成する必要がなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体装
置の層間絶縁膜に用いられる低比誘電性絶縁膜の形成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の層間絶縁膜として
は、回転塗布法によるＳＯＧ（Spin onGlass)膜やＣＶ
Ｄ法（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）によ
るＳｉＯ₂膜が主に用いられている。これらの方法によ
って形成された層間絶縁膜の比誘電率は約４となるが、
最近はＬＳＩの高集積化の進展により層間絶縁膜の低比
誘電率化が大きな課題とされており、比誘電率が４以下
の層間絶縁膜が要求されるようになっている。

【０００３】このような要求に対しては、近年、プラズ
マＣＶＤ法によって形成されたＳｉＯ₂膜にフッ素を添
加したＳiＯＦ膜が提案されており、この膜によれば層
間絶縁膜の比誘電率を３.７〜３.２程度に抑えることが
できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体装置の配線材料として、銅（Ｃｕ）が注目されている
が、上述した従来の層間絶縁膜を銅配線に用いた場合に
は、次のような問題があった。すなわち、上述した層間
絶縁膜の材料は、いずれも酸素原子（Ｏ）を多く含むた
め、配線材料である銅原子と接触した場合に界面で酸化
銅が形成されやすく、その結果、銅が膜中に拡散して最
悪の場合には隣接する配線にまで達して配線間で導通が
起こることが知られている。

【０００５】この問題を解決するため、従来、層間絶縁
膜と銅配線との界面にいわゆる銅に対するバリア層を形
成することが一般的に行われている。このようなバリア
層としては、チタンナイトライド（ＴｉＮ）やチタンナ
イトライドとチタン（Ｔｉ）の複合膜等が知られてい
る。

【０００６】しかしながら、このチタンナイトライドは
接触抵抗が大きく、しかも、パターンを形成した層間絶
縁膜の側壁にも緻密な膜を形成する必要があるため技術
的に困難な点が多いという問題があった。

【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、銅に対して拡散しにく
い特性を有し、特に半導体装置の層間絶縁膜に好適な低
比誘電性絶縁膜の形成方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、蒸着重合によって
形成されるポリイミド膜の中でも、イミド環以外の分子
中に酸素原子を含まないモノマーを用いて作成したポリ
イミド膜が銅の拡散が起こりにくい性質を有することを
見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００９】かかる知見に基づいてなされた請求項１記
載の発明は、真空中で原料モノマーとしてジアミンモノ
マーと酸成分モノマーを蒸発させ、これらを基体上で蒸
着重合させてポリイミド膜を形成する際に、上記原料モ
ノマーとして、イミド環以外に酸素原子を含まないモノ
マーを用いることを特徴とする低比誘電性絶縁膜の形成
方法である。

【００１０】請求項１記載の発明の場合、原料モノマー
として、イミド環以外に酸素原子を含まないモノマーを
用いて蒸着重合を行うことによって、イミド環以外の酸
素と銅との反応がなく、拡散が起こりやすい酸化銅が形
成されないため、ポリイミド膜中への銅の拡散が起こら
なくなる。

【００１１】この場合、ジアミンモノマーとしては、請
求項２記載の発明のように、4,4′-ジアミノジフェニル
メタン(ＭＤＡ)、4,4′-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフ
ェニル、1,4-ビス(４-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2
-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン(ＢＡＰＰ)、3,3′-ジメチル-4,4′-ジアミ
ノビフェニル(ＯＴＤ)、3,3′-ビス(トリフルオロメチ
ル)-4,4′-ジアミノビフェニル、3,3′-ジメトキシ-4,
4′-ジアミノビフェニル、2,2′-ビス(トリフルオロメ
チル)-4,4′-ジアミノビフェニル(ＴＦＤＢ）のいずれ
かを用いることができる。

【００１２】一方、酸成分モノマーとしては、ピロメリ
ト酸二無水物(ＰＭＤＡ)、2,2′-ビス(3,4-フェニルカ
ルボキシル)-ヘキサフルオロプロパン二無水物(６ＦＤ
Ａ)、4,4′-ビフタル酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-
テトラカルボン酸二無水物のいずれかを用いることがで
きる。

【００１３】これらのうちでも、ジアミンモノマーとし
ては、2,2′-ビス(トリフルオロメチル)-4,4′-ジアミ
ノビフェニル(ＴＦＤＢ）が、また、酸成分モノマーと
しては、ピロメリト酸二無水物(ＰＭＤＡ)が、ポリイミ
ドにしたときの耐熱性の蒸気圧が近く、成膜しやすくて
組成を合わせやすい点から好適に用いることができる。

【００１４】なお、本発明においては、圧力が３×１０
^-3Ｐａ程度の真空中で蒸着重合を行うことが好ましい。

【００１５】また、本発明においては、基体上に蒸着膜
を形成した後に、加熱処理を行うことが好ましい。すな
わち、加熱処理を行うことによって、重合反応が完了す
るため、その耐熱性が向上する。

【００１６】この場合、加熱処理の温度は４００℃程度
とし、その時間は３０分程度とすることが好ましい。処
理雰囲気は、大気、不活性ガス又は真空中のどちらでも
よいが、膜の表面を水や酸素と反応させないためには、
真空中が最も効果的である。

【００１７】なお、半導体装置を作成する際には、上記
加熱処理工程において、半導体装置の製造プロセスの最
高温度以上に加熱すれば、その後のプロセスにおける高
分子成分の分解を防ぐことができる。

【００１８】一方、請求項３記載の発明は、半導体基体
上に形成された金属配線層の間に請求項１又は２のいず
れか１項記載の方法による低比誘電性絶縁膜が形成され
ていることを特徴とする層間絶縁膜である。

【００１９】また、請求項４記載の発明は、半導体基体
上に形成された金属配線層の間に請求項３記載の層間絶
縁膜が形成され、前記金属配線層と前記層間絶縁膜とが
直接接触していることを特徴とする半導体装置である。

【００２０】請求項３記載の発明によれば、低比誘電率
化した絶縁膜によって層間絶縁膜を構成しているので、
金属配線層間で形成されるコンデンサーの容量が極めて
小さくなることに加え、銅に対して拡散しにくい層間絶
縁膜を得ることができる。

【００２１】その結果、請求項４記載の発明のように、
例えば、銅からなる金属配線層と層間絶縁膜とが直接接
触している場合であっても、層間絶縁膜中への銅の拡散
が起こらないので、バリア層としてＴｉＮ膜やＴｉＮと
Ｔｉとの複合膜を形成する必要がなく、その結果、金属
配線層間の接触抵抗を小さくすることができるととも
に、半導体装置の製造プロセスの簡素化を図ることがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明を
実施するための成膜装置の一例の概略構成を示すもので
ある。図１に示すように、この成膜装置１は、マルチチ
ャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示しない搬送ロ
ボットが組み込まれているコア室２の周囲に、Ｓｉウェ
ハー等の基板（基体）８の出し入れを行うためのＬ／Ｕ
Ｌ（ロード／アンロード）室３と、蒸着重合を行うため
の第１の処理室４と、加熱処理を行うための第２の処理
室５と、銅等のスパッタリングを行うための第３の処理
室６とが配設され、これらはすべて図示しないゲートバ
ルブを介して連結されている。

【００２３】また、これらコア室２、Ｌ／ＵＬ室３、第
１〜第３の処理室４〜６は、図示しない真空ポンプ等を
有する真空排気系に連結されている。さらに、基板８
は、コア室２内に配置されるロボットによってＬ／ＵＬ
室３から第１〜第３の処理室４〜６へを自由に搬送でき
るようになっている。

【００２４】図２は、図１に示す成膜装置１の第１の処
理室４の概略構成を示すものである。図２に示すよう
に、第１の処理室４の上方には、２種類の原料モノマー
Ａ、Ｂの蒸発源４０Ａ、４０Ｂが導入管４１Ａ、４１Ｂ
を介して接続されている。各蒸発源４０Ａ、４０Ｂのハ
ウジング４２Ａ、４２Ｂには、それぞれ蒸発用容器４３
Ａ、４３Ｂが設けられる。そして、蒸発用容器４３Ａ、
４３Ｂの内部には、ポリイミド膜を形成するための原料
モノマーＡ、Ｂとして、イミド環以外に酸素原子を含ま
ないジアミンモノマーと酸成分モノマーとがそれぞれ注
入されている。

【００２５】ここで、イミド環以外に酸素原子を含まな
いジアミンモノマーとしては、例えば、3,3′-ジメチル
-4,4′-ジアミノビフェニル（ＯＴＤ）、2,2′-ビス(ト
リフルオロメチル)-4,4′-ジアミノビフェニル(ＴＦＤ
Ｂ）等が用いられる。

【００２６】一方、イミド環以外に酸素原子を含まない
酸成分モノマーとしては、例えば、ピロメリト酸二無水
物（ＰＭＤＡ）、2,2′-ビス(3,4-ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(６ＦＤＡ)等が用
いられる。

【００２７】さらに、各蒸発用容器４３Ａ、４３Ｂの近
傍には、各原料モノマーＡ、Ｂを加熱するためのヒータ
ー４４Ａ、４４Ｂが設けられる。

【００２８】一方、各導入管４１Ａ、４１Ｂの周囲には
ヒーター４９が巻き付けられ、これによって原料モノマ
ーＡ、Ｂの温度を制御できるように構成されている。ま
た、各導入管４１Ａ、４１Ｂの途中には、各原料モノマ
ーＡ、Ｂの供給量を調整するためのバルブ４５Ａ、４５
Ｂが設けられ、これらを開閉することにより、蒸着重合
膜の形成時に膜厚を制御できるようになっている。

【００２９】図２に示すように、基板８は、第１の処理
室４内の下部の基板８を加熱又は冷却するための加熱冷
却手段４６の上に支持される。この加熱冷却手段４６
は、図示しない冷媒の循環によって２０℃程度の温度に
保持されるように構成されている。

【００３０】そして、第１の処理室４の上部には、下方
に向って広がるように形成された混合槽４７が設けられ
ている。この混合槽４７の内壁には、原料モノマーＡ、
Ｂの蒸気を加熱するためのヒーター４８が設けられてい
る。

【００３１】図３（ａ）は、図１の成膜装置１の第２の
処理室５の概略構成を示すものである。図３（ａ）に示
すように、第２の処理室５内には、基板８を加熱又は冷
却するための加熱冷却手段５０が設けられている。この
加熱冷却手段５０は、基板８の温度を半導体装置の製造
時の温度より広い範囲（２０〜５００℃）に制御できる
ように構成されている。

【００３２】図３（ｂ）は、図１の成膜装置１の第３の
処理室６の概略構成を示すものである。図３（ｂ）に示
すように、第３の処理室６には、直流二極方式のスパッ
タリング装置が設けられる。すなわち、第３の処理室６
の上部に、直流電源６０に接続された電極６１が配設さ
れ、この電極６１にスパッタリングターゲット６２とし
て例えば銅ターゲットが保持されている。そして、処理
すべき基板８は、第３の処理室６の下部において加熱冷
却手段６３によって支持されている。また、この第３の
処理室６内には、導入管６４を介して例えばアルゴンガ
ス（Ａｒ）等の不活性ガスが導入されるようになってい
る。

【００３３】このような構成を有する成膜装置１を用い
て絶縁膜を形成するには、まず、基板８をＬ／ＵＬ室３
から第１の処理室４内に搬送し、各バルブ４５Ａ、４５
Ｂを開いて原料モノマーＡ、Ｂを第１の処理室４内に導
入し、蒸着重合によって基板８上にポリアミド酸膜を形
成する。

【００３４】この場合、まず、各バルブ４５Ａ、４５Ｂ
を閉じた状態で第１の処理室４内の圧力を３×１０^-3Ｐ
ａ程度の高真空に設定し、ヒーター４４Ａ、４４Ｂによ
って各原料モノマーＡ、Ｂを所定の温度に加熱する。

【００３５】そして、各原料モノマーＡ、Ｂが所定の温
度に達して所要の蒸発量が得られた後に、各バルブ４５
Ａ、４５Ｂを開き、所定の蒸発速度で各原料モノマー
Ａ、Ｂを上方から基板８上に蒸着、堆積させ、ポリアミ
ド酸膜を形成した後に各バルブ４５Ａ、４５Ｂを閉じ
る。この場合、原料モノマーＡ、Ｂの蒸発速度は、化学
量論比で１：１となるように制御する。また、加熱冷却
手段４６によって基板８の温度を所定の温度（３０℃程
度）に制御する。

【００３６】その後、第２の処理室５において、基板８
上のポリアミド酸膜に対し、加熱冷却手段５０を用いて
４００℃程度まで加熱し、その状態を３０分間程度保持
するようにする。また、この加熱処理は例えば真空中で
行う。

【００３７】なお、必要に応じ、第３の処理室６に基板
８を搬送し、スパッタリングによって基板８上に銅電極
を形成する。

【００３８】以上述べたように本実施の形態によれば、
銅の拡散が起こらない安定した特性を有する低比誘電率
のポリイミド膜を簡易な工程で得ることができる。

【００３９】図４(ａ)〜(ｆ)は、本発明を用いて半導体
装置を作成する工程の一例を示すものである。まず、図
４(ａ)に示すように、例えばシリコン(Ｓｉ)からなる半
導体基板２１と、この半導体基板２１の表面に形成され
所定の位置に窓開けがされたシリコン熱酸化膜２２と、
その上に成膜されパターニングが施された第１層目の銅
配線（金属配線層）２３とを有する基板３１を用意す
る。

【００４０】この基板３１を所定の温度に加熱しつつ、
上述した蒸着重合法により、基板３１の表面にポリアミ
ド酸膜２４Ａを所望の厚みに全面成膜する(図４(ｂ))。

【００４１】さらに、上述の条件で加熱処理（イミド化
処理）を行い、耐熱性の高いポリイミドからなる層間絶
縁膜２４を形成する(図４(ｃ))。

【００４２】次いで、その層間絶縁膜２４の表面に対
し、レジストプロセスにより所定のパターニングが施さ
れたレジスト膜２５を形成し(図４(ｄ))、ドライエッチ
ングを行うことにより、レジスト膜２５の窓開け部分２
５ａに露出した層間絶縁膜２４ａを除去する(図４(ｄ)
(ｅ))。そして、上述のレジスト膜２５を除去した後、
配線薄膜を全面成膜し、パターニングを施して第２層目
の銅配線（金属配線層）２６を形成する。

【００４３】これにより、層間絶縁膜２４が除去された
窓開け部分２７において第１層目の銅配線２３と第２層
目の銅配線２６とが電気的に接続され、多層配線を有す
る半導体装置３５を得ることができる(図４(ｆ))。

【００４４】本実施の形態によれば、低比誘電率化した
ポリイミド膜によって層間絶縁膜２４を構成しているの
で、第１層目の銅配線２３と第２層目の銅配線２６との
間で形成されるコンデンサーの容量が非常に小さくな
り、半導体装置３５の動作速度を大幅に向上させること
ができる。

【００４５】また、本実施の形態によれば、銅の拡散が
起こらない安定した層間絶縁膜２４を有する半導体装置
３５を真空中のプロセスのみによる簡易な工程で得るこ
とができる。

【００４６】特に本実施の形態によれば、第１及び第２
の銅配線２３、２６と層間絶縁膜２４とが直接接触して
いる場合であっても、層間絶縁膜２４中への銅の拡散が
起こらないので、バリア層としてＴｉＮ膜やＴｉＮとＴ
ｉとの複合膜を形成する必要がなく、その結果、第１及
び第２の銅配線２３、２６間の接触抵抗を小さくするこ
とができるとともに、半導体装置３５の製造プロセスの
簡素化を図ることができる。

【００４７】なお、本発明は半導体装置の層間絶縁膜の
みならず、種々の絶縁膜に適用することができる。ただ
し、本発明は半導体装置の層間絶縁膜に適用した場合に
より効果的となるものである。

【００４８】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を比較例とと
もに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１〜図３（ａ）（ｂ）に示す成膜装置１
を用いて基板８上に比誘電率測定用の素子を作成した。

【００４９】まず、６インチサイズで導電率が１(Ω・
ｃｍ)のシリコン（Ｓｉ）からなる基板８を第１の処理
室４内に搬入し、蒸着重合によって上記基板８上にポリ
アミド酸膜を形成する。

【００５０】ここで、原料モノマーＡ、Ｂとしては、Ｏ
ＴＤとＰＭＤＡを用い、高真空中（３×１０^-3Ｐａ）に
おいてＯＴＤは１２２.０＋０.１℃、ＰＭＤＡについて
は１２３.０＋０.１℃の温度で同時に蒸発させ、各原料
モノマーＡ、Ｂの蒸発速度を制御した。

【００５１】この場合、ＯＴＤとＰＭＤＡの組成比は、
膜中での化学量論比で１：１となるように制御した。ま
た、基板８の温度は３０℃に保持した。

【００５２】このようにしてポリアミド酸膜を作成した
後、基板８を第２の処理室５内に搬入し、ポリアミド酸
膜に対して４００℃、３０分の加熱処理（イミド化処
理）を行った。この時点におけるポリイミド膜の厚みは
２００ｎｍであった。

【００５３】このような加熱処理を行った後、基板８を
第３の処理室６内に搬入し、ゲートバルブを閉じてお
き、基板８の温度を２０℃に保ち、スパッタリング中の
第３の処理室６内の圧力はアルゴンガス（Ａｒ）を導入
して３×１０^-３Ｐａとし、スパッタリングによって上
記ポリイミド膜上に厚さ１０ｎｍの銅電極を形成し、比
誘電率測定用の素子を作成した。

【００５４】この素子について温度４５０℃、６０分の
条件でアニール処理を行った後、目視で観察したとこ
ろ、外見上の変化は認められなかった。また、この素子
について二次イオン質量分析計による深さ分析を行った
ところ、ポリイミド膜中に銅は検出されなかった。

【００５５】一方、アニール処理後の素子は絶縁破壊も
認められず、この素子についてアニール処理の前後にお
いて比誘電率を測定したところ、ともに３.１であっ
た。この場合、比誘電率の値は、横河ヒューレットパッ
カード社製のマルチ・フリケンシＬＣＲメータ（モデル
４２７５Ａ）を使用して静電容量を測定し、計算によっ
て求めた。

【００５６】＜比較例＞ポリイミド膜の原料モノマー
（ジアミンモノマー）Ａとして、4,4′-ジアミノジフェ
ニルエーテル(ＯＤＡ)を用い、このＯＤＡを１２２.０
℃の温度で蒸発させた他は、実施例１と同様の条件で比
誘電率測定用の素子を作成した。

【００５７】この素子について実施例１と同様の条件で
アニール処理を行ったところ、ポリイミド膜の上下の電
極間で導通が発生し、ポリイミド膜中に銅が拡散してい
ることが認められた。

【００５８】＜実施例２＞ポリイミド膜の原料モノマー
Ａ、Ｂとして、６ＦＤＡとＴＦＤＢを用い、６ＦＤＡは
１６７.０＋０.１℃、ＴＦＤＢについては１６３.０＋
０.１℃の温度で蒸発させた他は、実施例１と同様の条
件で比誘電率測定用の素子を作成した。

【００５９】この素子について実施例１と同様の条件で
アニール処理を行った後に目視で観察したところ、外見
上の変化は認められず、また、この素子について二次イ
オン質量分析計による深さ分析を行ったところ、ポリイ
ミド膜中に銅は検出されなかった。

【００６０】実施例２の素子についても、アニール処理
後の絶縁破壊は認められなかった。また、実施例１と同
様の条件でアニール処理の前後における比誘電率を測定
したところ、ともに２.８であった。

【００６１】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、銅配
線と層間絶縁膜とが直接接触している場合であっても、
層間絶縁膜中への銅の拡散が起こらないので、バリア層
としてＴｉＮ膜やＴｉＮとＴｉとの複合膜を形成する必
要がなく、その結果、金属配線層間の接触抵抗を小さく
することができるとともに、半導体装置の製造プロセス
の簡素化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するための成膜装置の一例の概略
構成図

【図２】図１の成膜装置における第１の処理室の概略構
成図

【図３】(ａ)：図１の成膜装置における第２の処理室の
概略構成図(ｂ)：図１の成膜装置における第３の処理室
の概略構成図

【図４】(ａ)〜(ｆ)：本発明を用いて半導体装置を作成
する工程の一例を示す工程図

【符号の説明】

１…成膜装置 ２…コア室 ３…Ｌ／ＵＬ室 ４…第１
の処理室 ５…第２の処理室 ６…第３の処理室 ８…
基板（基体） ２１…半導体基板 ２２…シリコン熱酸
化膜 ２３…第１層目の銅配線 ２４Ａ…ポリアミド
酸膜 ２４…層間絶縁膜 ２５…レジスト膜 ２６…第
２層目の配線 ２８…第２層目の配線 ３１…基板 ３
５…半導体装置 Ａ、Ｂ…原料モノマー

フロントページの続き (72)発明者 浮島 禎之 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 高橋 善和 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PC015 PC135 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA43 SA72 SB01 TA22 TB01 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA262 UA662 UA672 UB011 UB021 UB061 UB062 UB131 UB401 UB402 VA021 VA022 VA031 VA041 VA062 XA07 XA40 XB39 XB40 YA06 ZA43 ZA46 ZB11 4M108 BA10 BB06 BC03 BC13 BC21 BC22 BD08 BE03 5F033 AA04 BA15 BA17 BA25 EA01 EA25 EA29 EA32 FA03 5F058 AA03 AA10 AD04 AD10 AF01 AH02 BD04 BD19 BF52 BJ02

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空中で原料モノマーとしてジアミンモノ
   マーと酸成分モノマーを蒸発させ、これらを基体上で蒸
   着重合させてポリイミド膜を形成する際に、上記原料モ
   ノマーとして、イミド環以外に酸素原子を含まないモノ
   マーを用いることを特徴とする低比誘電性絶縁膜の形成
   方法。
2. 【請求項２】ジアミンモノマーとして、4,4′-ジアミノ
   ジフェニルメタン、4,4′-ビス(4-アミノフェノキシ)ビ
   フェニル、1,4-ビス(４-アミノフェノキシ)ベンゼン、
   2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
   オロプロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェ
   ニル]プロパン、3,3′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェ
   ニル、3,3′-ビス(トリフルオロメチル)-4,4′-ジアミノ
   ビフェニル、3,3′-ジメトキシ-4,4′-ジアミノビフェ
   ニル、3,3′-ビス(トリフルオロメチル)-4,4′-ジアミ
   ノビフェニルのいずれかと、 酸成分モノマーとして、ピロメリト酸二無水物、2,2′-
   ビス(3,4-フェニルカルボキシル)-ヘキサフルオロプロ
   パン二無水物、4,4′-ビフタル酸二無水物、ナフタレン-
   1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物のいずれかを用いる
   ことを特徴とする請求項１記載の低比誘電性絶縁膜の形
   成方法。
3. 【請求項３】半導体基体上に形成された金属配線層の間
   に請求項１又は２のいずれか１項記載の方法による低比
   誘電性絶縁膜が形成されていることを特徴とする層間絶
   縁膜。
4. 【請求項４】半導体基体上に形成された金属配線層の間
   に請求項３記載の層間絶縁膜が形成され、 前記金属配線層と前記層間絶縁膜とが直接接触している
   ことを特徴とする半導体装置。