JP2000001447A - シクロヘキサンジメタノールの製造方法 - Google Patents

シクロヘキサンジメタノールの製造方法

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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生産性に優れ、しかも環境面においても安全
で、工業的に実用性のあるCHDMの製造プロセスを確
立する。 【構成】 シクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルを水
素化してシクロヘキサンジメタノールを得るに際し、水
素化を銅−亜鉛−シリカ成型触媒の存在下で行うことを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シクロヘキサンジ
メタノール(以下「CHDM」と略記する)の製造方法
に関する。CHDMは、ポリエステル樹脂、ポリウレタ
ン樹脂及びポリカーボネート樹脂等のジオール成分とし
て適用することにより、これらの樹脂の耐熱性、透明
性、耐候性及び成形性の向上等に有効である。特に近年
PETの改質に有用な化合物として注目されている。
【0002】
【従来の技術】CHDMの製造方法としては、フタル酸
ジアルキルエステルを出発原料として、第1段階目に芳
香環の核水素化を行いシクロヘキサンジカルボン酸ジア
ルキルエステルとする工程(以下、「前段反応」とい
う)、次いでエステル部分の水素化によるアルコールへ
の水素化還元する工程(以下、「後段反応」という)の
2工程により製造される方法が一般的である。
【0003】CHDM製造時の後段反応の触媒に銅−亜
鉛系成型触媒を用いる技術は従来から知られており、例
えば、特開平10−45645号では、前段反応により
得た1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルを
銅−亜鉛−アルミナ成型触媒の存在下、160〜300
℃、50〜300kg/cmGの条件下で水素化反応
を行い1,4−CHDMを製造している。
【0004】又、アルミニウム、マグネシウム、ジルコ
ニウム、あるいはそれらの混合物の酸化物を第三成分と
して含む銅−亜鉛系成型触媒を用いて、150〜350
℃、204bar以下の条件下で1,4−シクロヘキサ
ンジカルボン酸ジアルキルの水素化反応を行い、1,4
−CHDMを得る方法も開示されている(米国特許第5
334779号)。
【0005】しかしながら、上記方法では、使用される
銅−亜鉛系成型触媒の圧壊強度の保持率が非常に低く、
触媒活性の持続性も悪いために触媒寿命が短い等の欠点
がある。従って、反応装置から使用済み触媒を抜き出し
たり、新触媒を充填したりする非定常操作が短期間で必
要となるため、CHDMの生産性が低下し、工業的に不
利である。
【0006】一方、銅−亜鉛系触媒以外では銅−クロム
系成型触媒を用いてジカルボン酸エステルを相当するジ
オール(CHDMを含む)に水素化還元する技術も知ら
れている(米国特許第5030771号実施例4)。銅
−クロム系触媒を用いるエステル水素化還元反応では、
触媒が高活性であり、且つ活性の持続性が良好といわれ
ているが、毒性の高いクロムを含有しており、使用後の
廃棄物処理の点で問題となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、銅−亜鉛系
触媒の耐久性を向上させることにより、生産性に優れ、
しかも環境面においても安全で、工業的に実用性のある
CHDMの製造プロセスを確立することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、シクロヘキサンジカル
ボン酸ジアルキルを水素化し、シクロヘキサンジメタノ
ールを製造するに際し、触媒として銅−亜鉛−シリカ成
型触媒を選択することにより、従来の銅−亜鉛系触媒或
いは銅−亜鉛−アルミナ成型触媒と比して触媒の強度及
び活性保持を飛躍的に改善できることを見い出し、更
に、水素化の際の副生成物の抑制にも効果があることを
見いだし、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
【0009】即ち、本発明に係るCHDMの製造方法
は、シクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルを水素化し
てシクロヘキサンジメタノールを得るに際し、水素化を
銅−亜鉛−シリカ成型触媒の存在下で行うことを特徴と
する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明で用いる反応装置として
は、固定床連続反応装置であり、単管式の反応塔であっ
ても良いし、更には複数の反応塔を並列にセットした多
管式の反応塔であっても良い。
【0011】本発明で原料として用いるシクロヘキサン
ジカルボン酸ジアルキルは、通常、フタル酸ジアルキル
の核水素化により得られるが、その製法としては特に限
定されず、いずれの製法で調製したものでも本発明の原
料として利用可能である。そのような製造方法として
は、例えば、特開昭54−163554号、特開平6−
192146号、特開平7−149694号、特開平8
−187432号、特開平10−45645号、WO9
429261号、WO9800383号、米国特許第3
334149号、米国特許第5319129号、米国特
許第5286898号、米国特許第5399742号等
が知られている。
【0012】例えば、WO9800383号の方法で
は、反応温度120〜180℃、圧力30〜100kg
/cmG、ルテニウム/アルミナ触媒存在下、芳香族
ジカルボン酸ジアルキルの濃度を30重量%以上に調製
した溶液を原料とし、送液速度F/V=0.1〜5h
−1(Fは基質の供給速度を表し、Vは反応装置の容量
を表す)、及び水素の供給速度は空塔ガス線速度として
1〜40cm/sの範囲で水素化を行うことによりシク
ロヘキサンジカルボン酸ジアルキルを得ている。
【0013】本発明で用いる水素化触媒としては、銅−
亜鉛−シリカ成型触媒であり、その成分としては、酸化
銅100重量部に対し、酸化亜鉛5重量部〜1000重
量部、シリカ0.5重量部〜500重量部が例示され、
好ましくは酸化亜鉛10〜800重量部、及びシリカ1
〜300重量部である。酸化亜鉛が、5重量部未満又は
1000重量部を越えると触媒強度、及び活性が低下
し、しかも副生物の生成が多くなる。また、シリカが
0.5重量部未満では触媒強度が低下する傾向にあり、
500重量部を越えると触媒活性が低下する傾向にあ
り、しかも副生物が多くなりやすい。
【0014】更に、触媒強度保持のために各種バインダ
ーを添加して成型処理したものでも良い。用いられるバ
インダーとしては、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタク
リレート、ベントナイト、ゼオライト、グラファイト、
モレキュラーシーブス等が例示される。
【0015】触媒の調製方法としては、銅及び亜鉛の金
属塩(例えば、硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩等)水溶液を調
製し、これにケイ酸塩(例えば、ケイ酸ナトリウム、ケ
イ酸カリウム等)水溶液を混ぜて懸濁液を得る。もしく
は、ケイ素のアルコキシド化合物(例えば、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン等)やハロゲン化合
物(例えば、テトラクロロシラン、テトラブロモシラン
等)の溶液を加水分解して得たケイ素の水酸化物液に、
前記銅及び亜鉛の金属塩水溶液を混ぜて懸濁液を得る。
これらどちらかの方法で調製した懸濁液に、さらに沈殿
剤として、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ水溶液を加える。そこで生成した沈殿
を濾過、水洗浄、乾燥し、焼成する。このようにして得
られた粉末を、タブレットマシンにより打錠成型して、
固定床用触媒とする。
【0016】一方、反応スタート時の急激な発熱を制御
させたり、触媒活性を効果的に発現させたりするために
は、銅−亜鉛−シリカ成型触媒に対し、予備還元処理を
常法に従って施すことが有効である。
【0017】本発明で用いる銅−亜鉛−シリカ成型触媒
の表面積としては10m/g〜200m/gが例示
され、好ましくは20m/g〜100m/gであ
る。10m/g未満では反応速度が遅く、200m
/gを越えると反応速度の促進効果少なくなり、圧壊強
度も低く、しかも反応中における強度の保持率が低下し
やすい。
【0018】銅−亜鉛−シリカ成型触媒の形状は、特に
限定されないが、工業的に入手が容易な円筒状のものが
推奨される。またサイズは、使用する反応塔の内径によ
り決定されるが、円筒状で直径2〜6mm、高さ2〜6
mmの範囲のものが好ましい。
【0019】水素化の反応条件は、原料となるシクロヘ
キサンジカルボン酸ジアルキルの種類によって適宜選択
し得るが、一般的には次のような条件が提示できる。
【0020】反応温度としては、200〜280℃の範
囲が例示され、特に230〜260℃の範囲が好まし
い。200℃未満では反応速度が遅く、280℃を越え
ると副生物が生成し、いずれの場合も実用性に欠ける。
【0021】反応圧力としては、160〜300kg/
cmGの範囲が例示され、特に200〜250kg/
cmGの範囲が好ましい。160kg/cmG未満
では反応速度が遅く、300kg/mGを越えても反
応速度は上がらず、設備の面でも経済的ではない。
【0022】具体的なシクロヘキサンジカルボン酸ジア
ルキルとしては、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸
ジメチル、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジエチ
ル、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジプロピル、
1,3−シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル、1,3
−シクロヘキサンジカルボン酸ジエチル、1,3−シク
ロヘキサンジカルボン酸ジプロピル、1,4−シクロヘ
キサンジカルボン酸ジメチル、1,4−シクロヘキサン
ジカルボン酸ジエチル及び1,4−シクロヘキサンジカ
ルボン酸ジプロピル等が例示される。
【0023】反応溶媒は、通常必要としないが、原料と
なるシクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルの融点が高
く、取り扱いが困難な場合や、反応熱の除去を容易にす
る場合には、アルコール類を併用しても良い。
【0024】アルコール類としては、炭素数1〜8の直
鎖状、分岐鎖状及び環状アルコールが例示でき、具体的
には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、イソブタノール、ヘキサノー
ル、シクロヘキサノール、オクタノール、2−エチルヘ
キサノール等が例示される。特に、後段反応の原料がシ
クロヘキサンジカルボン酸ジメチルである場合には、反
応溶媒としてメタノールが好ましい。
【0025】更に、水素化反応の生成物であるシクロヘ
キサンジメタノール或いは高沸点物を含むシクロヘキサ
ンジメタノール粗物を反応溶媒として用いても差し支え
ない。
【0026】反応溶媒の使用量は、適宜選択され、系中
のシクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルの濃度として
は5〜80重量%の範囲が推奨され、特に10〜50重
量%の範囲になるように調製されるのが好ましい。5重
量%未満では生産性が向上されず、80重量%以上では
融点がそれほど下がらず、いずれの場合も反応溶媒を使
用する効果がない。
【0027】後段反応に関する固定床水素化反応の形態
としては、前記成型触媒を充填した固定床反応装置の上
部、または下部から水素ガスとともに原料を供給する流
下法、または上昇法のいずれの方式でも良い。
【0028】原料のシクロヘキサンジカルボン酸ジアル
キルの送液速度(F/V)としては、0.1〜5.0h
−1の範囲が推奨され、特に0.1〜2.0h−1の範
囲が好ましい。
【0029】また水素の供給速度としては、反応条件下
での空塔ガス線速度で1〜40cm/sの範囲が推奨さ
れ、特に、2〜20cm/sの範囲が好ましい。
【0030】かくして得られるCHDMは、蒸留など従
来公知の方法により精製することも可能である。
【0031】
【実施例】以下に、実施例を掲げて本発明を詳しく説明
する。尚、各例における表面積は、BET法により測定
した。また、触媒横方向の圧壊強度は、(株)木屋製作
所製デジタル硬度計(KHT−20型)を用いて測定し
た。
【0032】製造例1 内径20mm、塔長1mの固定床反応装置(0.314
L)に、円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の0.5
%ルテニウム/アルミナ担持触媒360gを充填した。
この装置にテレフタル酸ジメチル30重量%、1,4−
シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル70重量%に調製
した溶液を、温度160℃、圧力50kg/cmGの
反応条件下、500mL/h(F/V=0.48
−1)の送液速度で、反応塔の上部から水素ガス1.
4Nm/h(空筒ガス線速度4cm/s)とともに供
給し、核水素化反応を連続的に行った。この固定床連続
核水素化反応で10時間後に得られる反応粗液の組成を
ガスクロマトグラフィーにより測定した。得られた結果
を以下に示す。
【0033】 1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル 94.5 重量% 低沸点物 2.4 4−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸メチル 2.7 テレフタル酸ジメチル 0.4
【0034】[予備還元処理] 製造例1と同一反応装
置に、円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛
−シリカ成型触媒(酸化銅39重量%、酸化亜鉛49重
量%、シリカ12重量%、表面積36.6m/g)4
99gを充填し、温度100〜200℃、常圧〜100
kg/cmG、及び水素濃度1〜100%の条件下、
予備還元処理を行った。
【0035】実施例1 前記予備還元処理後、製造例1で得られた反応粗液を、
温度245℃、圧力205kg/cmGの反応条件
下、345mL/h(F/V=1.10 h−1)の送
液速度で、反応塔の上部から水素ガス7.3Nm/h
(空筒ガス線速度6cm/s)とともに供給し、水素化
反応を連続的に行った。
【0036】この固定床連続水素化反応で10時間後、
1.5ヶ月後、及び3ヶ月後に得られる原料、副生成物
であるヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸メチ
ル、CHDM、低沸点物、高沸点物の組成をガスクロマ
トグラフィーにより測定した。更に、使用した銅−亜鉛
−シリカ成型触媒強度の経時変化も併せて測定した。得
られた結果を第1表に示す。
【0037】実施例2 製造例1で得られた反応粗液の送液速度440mL/h
(F/V=1.4h )、反応温度265℃、水素ガ
ス7.1Nm/h(空筒ガス線速度6cm/s)、及
び円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛−シ
リカ成型触媒(酸化銅43重量%、酸化亜鉛53重量
%、シリカ4重量%、表面積59.7m/g)484
gを充填した以外は実施例1の後段反応と同様に水素化
反応を連続的に行った。得られた結果を第1表に示す。
【0038】製造例2 [前段反応] 円筒状(3.2mmφ×3.2mm)
0.5%ルテニウム/アルミナ担持触媒378gを用
い、原料として、イソフタル酸ジメチル50重量%、
1,3−シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル50重量
%からなる溶液を用いた以外は製造例1と同様に核水素
反応を行った。この固定床連続核水素化反応で10時間
後に得られた反応粗物の組成をガスクロマトグラフィー
により測定した。得られた結果を以下に示す。
【0039】 1,3−シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル 95.9重量% 低沸点物 1.7 3−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸メチル 2.1 イソフタル酸ジメチル 0.3
【0040】実施例3 円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛−シリ
カ成型触媒(酸化銅41重量%、酸化亜鉛51重量%、
シリカ8重量%、表面積57.3m/g)454gを
充填し、製造例2で得られた反応粗液の送液速度を37
0mL/h(F/V=1.18h−1)とした以外は、
実施例1と同様に水素化反応を連続的に行った。得られ
た結果を第1表に示す。
【0041】実施例4 円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛−シリ
カ成型触媒(酸化銅30重量%、酸化亜鉛35重量%、
シリカ35重量%、表面積27.0m/g)507g
を充填した以外は、実施例1と同様に水素化反応を連続
的に行った。得られた結果を第1表に示す。
【0042】比較例1 円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛−アル
ミナ成型触媒(酸化銅47重量%、酸化亜鉛50重量
%、アルミナ3重量%、表面積60.0m/g)45
5gを充填した以外は、実施例1と同様に水素化反応を
連続的に行った。得られた結果を第2表に示す。
【0043】比較例2 円筒状(3.2mmφ×3.2mm)の銅−亜鉛−ジル
コニア成型触媒(酸化銅41重量%、酸化亜鉛44重量
%、ジルコニア15重量%、表面積26.3m /g)
507gを充填した以外は、実施例1と同様に水素化反
応を連続的に行った。得られた結果を第2表に示す。
【0044】
【0045】
【0046】実施例1〜4及び比較例1、2を比較する
と、本発明の触媒を用いることによって、高い活性が長
期間維持でき、未反応のシクロヘキサンジカルボン酸ジ
アルキルやヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸
メチルの副生を抑えることが可能となり、又、高沸点物
の生成量を抑えることが可能となった。更に、3ヶ月使
用後の触媒の圧壊強度もアルミナ(比較例1)やジルコ
ニア(比較例2)を用いた銅−亜鉛成型触媒と比して強
い。
【0047】
【発明の効果】本発明の方法を適用することにより、シ
クロヘキサンジカルボン酸ジアルキルの水素化反応に用
いる銅−亜鉛系成型触媒の耐久性が大幅に改善され、且
つ環境面でも安全な触媒を用いて実施することができ、
目的とするシクロヘキサンジメタノールを収率良く、し
かも高い生産性で工業的に製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中澤 幹郎 京都府京都市伏見区葭島矢倉町13番地 新 日本理化株式会社内 Fターム(参考) 4H006 AA02 AC41 BA05 BA07 BA30 BA33 BA85 FC22 FE11 4H039 CA60 CB20

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シクロヘキサンジカルボン酸ジアルキル
    を水素化してシクロヘキサンジメタノールを得るに際
    し、水素化を銅−亜鉛−シリカ成型触媒の存在下で行う
    ことを特徴とするシクロヘキサンジメタノールの製造方
    法。
  2. 【請求項2】 銅−亜鉛−シリカ成型触媒の組成が、酸
    化銅100重量部に対し酸化亜鉛10〜800重量部、
    シリカ1〜300重量部である請求項1に記載のシクロ
    ヘキサンジメタノールの製造方法。
  3. 【請求項3】 銅−亜鉛−シリカ成型触媒の表面積が2
    0m/g〜100m/gである請求項1又は請求項
    2のいずれかの請求項に記載のシクロヘキサンジメタノ
    ールの製造方法。
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