ITMI20001935A1

ITMI20001935A1 - Formulazione a base di ptfe per l'isolamento di circuiti integrati

Info

Publication number: ITMI20001935A1
Application number: IT2000MI001935A
Authority: IT
Inventors: Enrico Marchese; Iouchko Valery Kapel
Original assignee: Ausimont Spa
Priority date: 2000-09-01
Filing date: 2000-09-01
Publication date: 2002-03-01
Also published as: ITMI20001935A0; EP1184405B1; JP2002155182A; EP1184405A2; US6982308B2; IT1318805B1; US20020052437A1; EP1184405A3; DE60121684T2; DE60121684D1; US6825304B2; US20050261454A1

Description

Descrizione dell'invenzione industriale

La presente invenzione è relativa ad un materiale (per)-fluorurato dielettrico per l'isolamento di circuiti integrati ad alta frequenza, sotto forma di film aventi un'ottima adesione al substrato e spessore inferiore a 200 nm.

In particolare l'invenzione riguarda un materiale perfluorurato dielettrico, per l'isolamento di circuiti integrati ad alta frequenza, sotto forma di un film omogeneo, sostanzialmente privo di difetti, ottenuto da una nanoemulsione di PTFE con diametro delle particelle compreso tra 5 e 100 nm; i film dell'invenzione sono caratterizzati da un'ottima adesione al substrato, uno spessore inferiore a 200nm, una rigidità dielettrica superiore a 4MV/cm, ed una perdita in peso a 425°C compresa tra circa 0,0008%/minuto e 0,02%/minuto.

I moderni circuiti integrati ad alta frequenza contengono decine di milioni di transistor situati su pochi centimetri quadrati di cristallo di silicio e lavorano con frequenze dell'ordine di 1000 MHz. Tutti i transistor di questi circuiti integrati devono essere collegati tra loro mediante conduttori di elettricità. I moderni circuiti integrati contengono fino a sei strati di elementi conduttori. A causa dimensioni della densità di posizionamento dei transistor, preferibile che sia le dimensioni degli elementi conduttori che lo spazio di separazione tra i conduttori siano il più possibile ridotti. Attualmente, i circuiti integrati vengono prodotti con conduttori aventi uno spessore di 180nm e la separazione è inferiore a 200nm. Nei prossimi anni si prevede la riduzione dello spessore dei conduttori fino a 100nm.

La riduzione delle dimensioni dei conduttori e della separazione tra i conduttori genera alcuni problemi. Il problema principale è dovuto ad un aumento del ritardo resistenza -capacità (RC delay) , legato all'aumento della resistenza a causa di una diminuzione della sezione del conduttore e all'aumento della capacità a causa dell'avvicinamento dei conduttori. I-noltre, l'aumento della capacità comporta la diminuzione dell'intensità del segnale a causa di interferenza tra i conduttori e aumenta il calore sviluppato dal circuito integrato con conseguente aumento del consumo energetico del circuito. Ciò rende necessario un raffreddamento più intenso del circuito.

Questi problemi possono essere risolti riducendo la capacità tra gli elementi conduttori mediante l'impiego di un materiale isolante avente una costante dielettrica non elevata. Attualmente come isolante tra gli elementi conduttori dei circuiti integrati viene impiegato ossido di silicio, che tuttavia presenta una costante dielettrica elevata (ε=4,2). Una costante dielettrica più bassa è quella dell'aria (ε=1.01), che però non garantisce l'isolamento dei conduttori, in quanto presenta valori non accettabili di rigidità dielettrica, inferiori a 0,01 MV/cm. Il voltaggio utilizzato dai moderni circuiti integrati è di 3,3 V, la distanza tra i conduttori è dell'ordine di 200 rati, per cui 3,3/200 dà un valore di 0,165 MV/cm o 16,5 V/μm. Pertanto, la rigidità dielettrica del materiale dielettrico utilizzato deve risultare superiore di almeno un ordine di grandezza a questo valore. Inoltre, è preferibile utilizzare un materiale isolante con una rigidità dielettrica più alta possibile, in quanto nel caso di materiale dielettrico poroso, la rigidità dielettrica rimane su valori accettabili .

Lo spessore del film del materiale dielettrico deve essere molto basso per garantire elevate prestazioni dei circuiti integrati. Inoltre, nei moderni circuiti si utilizzano spessori di circa 500 nm, e si prevede che la costante tendenza alla miniaturizzazione richeda materiali dielettrici con spessore inferiore a 200 nm.

I circuiti integrati durante il processo di produzione vengono sottoposti a diversi trattamenti termici, e quindi, è importante che il materiale dielettrico abbia una resistenza termica adeguata per non essere danneggiato durante questi trattamenti. In particolare, il materiale dielettrico deve resistere per breve tempo a temperature superiori a 350°C.

E' noto che il politetrafluoroetilene (PTFE) ha una tra le più basse costanti dielettriche (ε=2,05) dei materiali solidi, e la più bassa in assoluto rispetto ai materiali solidi non porosi che resistono a temperature superiori a 350°C. Pertanto è il materiale ideale per l'impiego come dielettrico isolante per i circuiti integrati ad alta frequenza. Il problema è ottenere un film sottile di PTFE senza difetti con una elevata rigidità dielettrica.

Nei brevetti US 5.889.104 e US 6.071.600 è descritto come ottenere un materiale dielettrico per i circuiti integrati da dispersioni acquose di PTFE mediante spin coating. In questi brevetti viene descritto l'ottenimento del materiale dielettrico da dispersioni di PTFE con particelle aventi diametro inferiore a lOOnm. Le dispersioni di PTFE utilizzate negli esempi contengono una quantità di tensioattivo anionico perfluorurato (perfluoroottanoato di ammonio) compresa tra 62,5% e 70% in peso rispetto al PTFE. Prove effettuate dalla Richiedente (si vedano gli esempi di confronto) mostrano che queste dispersioni di PTFE danno luogo a film che presentano difetti e disomogeneità. Questi film pertanto non sono in grado di garantire buone proprietà elettriche. Inoltre nei brevetti US 5.889.104 e US 6.071.600 non viene riportato alcun valore di rigidità dielettrica dei film ottenuti.

Nel brevetto U.S. 5.928.791 è descritto un metodo per migliorare la rigidità dielettrica di film sottili di PTFE impiegati in circuiti integrati. Il metodo descritto prevede un rapido raffreddamento dopo la sinterizzazione del film di PTFE . Negli esempi si utilizzano dispersioni di PTFE con le particelle aventi un diametro medio dell'ordine di 200nm e si ottengono film con una rigidità dielettrica inferiore a 4 MV/cm, dell'ordine 3,25-3,5 MV/cm, ma aventi uno spessore elevato, compreso tra 500 nm e 1000 nm. Tale spessore del film del materiale dielettrico risulta troppo elevato e pertanto non soddisfacente al fine di garantire elevate prestazioni dei circuiti integrati.

Era pertanto sentita l'esigenza di avere disponibile un materiale dielettrico per circuiti integrati, sotto forma di film omogeneo, sostanzialmente privo di difetti, avente la seguente combinazione di proprietà:

- un'ottima adesione al substrato;

- un'elevata rigidità dielettrica, superiore a 4 MV/cm;

- uno spessore inferiore a 200 nm;

- una perdita in peso a 425°C compresa tra circa 0,0008%/

minuto e 0,02%/minuto.

Costituisce pertanto un oggetto della presente invenzione una formulazione a base di politetrafluoroetilene (PTFE), omopolimero o modificato, comprendente:

1) lattice di detto PTFE con diametro delle particelle compreso tra 5 e 100 nm, comprendente un tensioattivo fluorurato anionico in quantità compresa tra 2 e 25% in peso sul PTFE, preferibilmente 3-20% in peso sul PTFE;

2) un tensioattivo fluorurato non ionico addizionato al lattice di PTFE in una quantità compresa tra 18 e 60% in peso sul PTFE, preferibilmente 25-45% in peso sul PTFE.

I tensioattivi fluorurati anionici utilizzati in fase di polimerizzazione per ottenere la dispersione a base di PTFE dell'invenzione, sono scelti tra i seguenti composti:

T è un gruppo (per ) fluoroalchilico C3-C3, opzionalmente contenente un atomo di CI; preferibilmente è scelto tra -CF3, -C2F5,

opzionalmente uno o due atomi

di F potendo essere sostituiti da H.

Rf è un radicale (per ) fluoropoliossialchilenico avente un peso molecolare medio numerico compreso tra 200 e 2.000, preferibilmente tra 350 e 1.000; Rf è scelto in particolare tra le seguenti classi:

(a)

dove m e n sono numeri tali che il rapporto n/m sia compreso tra 0,01 e 0,5 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

(b)

dove p e q sono numeri tali che il rapporto q/p sia compreso tra 0,5 e 2 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

( C )

dove r, s e t sono numeri tali che r+s sia compreso tra 1 e 50, il rapporto t/(r+s) sia compreso tra 0,01 We 0,05 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

(d)

dove u è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

(e)

dove Y e Z, uguali o diversi tra loro, sono F, CI o H; v è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

(f)

w è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato;

Tra i composti di formula (IA) sono preferiti come tensioattivi anionici quelli aventi Rf di tipo (a):

Opzionalmente i composti di formula (IA) possono essere impiegati in miscela con i seguenti tensioattivi anionici;

dove n può variare tra 4 e 12,

in cui M=H,NH4,Na,Li,K ed n può variare tra 2 e 5.

La quantità di tensioattivo opzionale (IIA) e/o (IIIA) è inferiore al 50% in peso rispetto al tensioattivo (IA).

La quantità di tensioattivo anionico impiegato in polimerizzazione è tale che il rapporto in peso tra il tensioattivo e il TFE convertito in polimero è inferiore a 1, preferibilmente compreso tra 0,02 e 0,25. Il tensioattivo può anche essere alimentato in parte all'inizio della polimerizzazione ed in parte durante la reazione di polimerizzazione.

I tensioattivi fluorurati non ionici che vengono addizionati al lattice di PTFE ottenuto dalla polimerizzazione hanno la seguente struttura:

in cui :

Rf è scelto tra le strutture (a ),(b ),(c ),{d ),(e ),(f) sopra definite ;

L è un gruppo organico divalente, pontante tra e scelto tra:

dove R<1 >è -H oppure

un alchile R<2 >è -H oppure un alchile C1-C2; a, b sono numeri da 0 a 6 , preferibilmente da 0 a 2; c è un numero da 1 a 3;

Rh è un radicale a struttura poliossialchilenica scelto tra: (i) dove: q è un intero da 5 a 70, preferibilmente da 6 a 25; Z è scelto tra -OH, alcossi

(ii) - dove: r+s è un intero tra 5 e 70, preferibilmente tra 10 e 50; il rapporto r/s è compreso tra 0,1 e 10, preferibilmente tra 0,5 e 5; R<3 >è scelto tra -H e -CH3; Z è scelto tra -OH, alcossi

Preferibilmente si utilizzano come tensioattivi non ionici: - i composti di struttura {IB) con y=5, L=-CH2-CH2-O- , ed dove q=6, detti composti sono commercializzati con il nome FORAFAC 1110D*;

- i composti di struttura (IÌB) aventi Rf di struttura (a) con

, m ed n tali da dare un peso molecolare compreso tra

450 e 650; L=-CONH-; dove q=21, detti composti sono commercializzati con il nome Fluorolink

Il lattice di PTFE omopolimero o modificato con diametro delle particelle compreso tra 5 e 100 nm si ottiene con il processo di polimerizzazione radicalica del tetrafluoroetilene in presenza di una microemulsione contenente i tensioattivi anionici (IA) sopra indicati, detto processo essendo descritto nel brevetto EP 969027 a nome della Richiedente, qui incorporato integralmente per riferimento. Le microemulsioni impiegate per la polimerizzazione sono descritte nei brevetti US 4.864.006 e US 4.990.283.

Tra le preferite per la presente invenzione sono le nanoemulsioni di PTFE con diametro medio delle particelle del lattice compreso tra 5 e 100nm, preferibilmente tra 10 e 50nm, delle seguenti classi:

- nanoemulsioni di PTFE omopolimero: l'utilizzo delle nanoemulsioni di PTFE omopolimero permette di ottenere un materiale dielettrico con maggiore stabilità termica rispetto al PTFE modificato .

- nanoemulsioni di PTFE modificato, cioè copolimeri del TFE con uno o più comonomeri che contengono almeno una insaturazione del tipo etilenico in quantità fino a 6% molare, preferibilmente fino a 1% molare. Generalmente, l'utilizzo delle nanoemulsioni di PTFE modificato permette di ottenere un materiale dielettrico con migliori caratteristiche elettriche rispetto al PTFE omopolimero.

I comonomeri che possono essere utilizzati per preparare il PTFE modificato, sono sia di tipo idrogenato che fluorurato; tra i comonomeri idrogenati si possono citare:

- etilene, propilene, monomeri acrilici, ad esempio metilmetacrilato, acido (met)acrilico, butilacrilato , idrossietilesilacrilato, monomeri stirenici, quali ad esempio stirene.

Tra i comonomeri fluorurati si possono citare:

le perfluoroolefine C3-C8, quali esafluoropropene (HFP) ; le fluoroolefine idrogenate C2-C8, quali fluoruro di vinile (VF), fluoruro di vinilidene (VDF), trifluoroeti -lene, esafluoroisobutene , perfluoroalchiletilene CH2=CH-Rf, dove Rf è un perfluoroalchile C1-C6;

le cloro- e/o bromo- e/o iodo-fluoroolefine C2-C8, quali il clorotrifluoroetilene (CTFE);

i (per)fluoroalchilvinileteri (PAVÉ) CF2=CFORf, dove Rf è un (per)fluoroalchile C1-C6, ad esempio CF3, C2F5, C3F7; (per)fluoro-ossialchilvinileteri CF2=CFOX, dove X è: un alchile o un ossialchile o un (per)fluoroossialchile avente uno o più gruppi eterei, ad esempio perfluoro-2-propossi-propile; fluorodiossoli, preferibilmente perfluorodiossoli.

Preferiti sono i comonomeri fluorurati, preferibilmente quelli che non compromettono la stabilità termica del PTFE, in particolare perfluorometossidiossolo (MDO), perfluoropropilviniletere (PPVE), perfluorometilviniletere (PMVE) e perfluoropropene {PFP).

Le formulazioni della presente invenzione sono utilizzate in forma di film dielettrico per l'isolamento di circuiti integrati. Lo spessore dei film ottenuti risulta inferiore a 200 nm, la loro rigidità dielettrica superiore a 4 MV/cm.

I film dielettrici dell'invenzione per l 'isolamento di circuiti integrati si ottengono per deposizione della formulazione sopra definita su un substrato (circuito integrato), preferibilmente impiegando la tecnica di spin coating, successiva sinterizzazione ad una temperatura superiore alla T di fusione del PTFE, successivo raffreddamento all'aria.

In una realizzazione preferita dell'invenzione, la deposizione viene effettuata tramite spin coating, utilizzando preferibilmente una velocità di spinning costante, compresa tra 3000 e 10000 rpm per un tempo generalmente compreso tra 30 secondi e 5 minuti per assicurare l'uniformità di spessore ed omogeneità del film depositato. In seguito, il film ottenuto viene sinterizzato ad una temperatura superiore a 320°C, preferibilmente compresa tra 390°C e 410°C; successivamente il film sinterizzato viene raffreddato all'aria. Si ottiene un film di materiale dielettrico avente un'ottima adesione al substrato, con una costante dielettrica inferiore a 2,2, uno spessore minore di 200nm, la rigidità dielettrica essendo superiore a 4MV/cm e la perdita in peso a 425°C compresa tra 0,0008 e 0,02%/min.

La quantità totale di tensioattivi non ionici e anionici impiegata nella presente invenzione deve essere tale da garantire uria buona bagnabilità del wafer di silicio. Un quantitativo eccessivo di tensioattivi produce difettosità di superficie nei film ottenuti. Utilizzando un quantitativo di tensioattivo anionico fluorurato superiore al 25% in peso rispetto al PTFE, si può ottenere una dispersione che bagna la superficie del wafer, ma i film ottenuti sono disomogenei, e non si riesce ad ottenere un film continuo con spessore inferiore a 200 nm. Si presume che questo effetto possa essere dovuto al fatto che aumentando la quantità del tensioattivo anionico, aumenta lo spessore del doppio strato elettrico attorno alle particelle della dispersione. Questo comporta un notevole incremento della viscosità della dispersione e non permette alle particelle di avvicinarsi per formare un film compatto e omogeneo .

La formulazione oggetto della presente invenzione può essere opzionalmente addizionata con acqua, solventi organici, come ad esempio alcool etilico o isopropilico; promotori di adesione, etc; agenti espandenti e altri additivi, come ad esempio ossido di silicio per migliorare le proprietà meccaniche .

Come detto, la formulazione oggetto della presente invenzione consente di ottenere film isolanti con una costante dielettrica inferiore a 2,2, spessore minore di 200 nm, preferibilmente compreso tra 50 nm e 150 nm, ed una rigidità dielettrica superiore a 4MV/cm ed aventi una perdita in peso a 425°C compresa tra 0,0008 e 0,02%/min. Tale combinazione di proprietà è ottimale per l'utilizzo come materiale dielettrico per l'isolamento dei conduttori nei circuiti integrati.

I seguenti esempi vengono citati a titolo illustrativo, ma non limitativo della portata dell'invenzione.

Esempi

Caratterizzazione:

- La determinazione della temperatura di prima fusione viene condotta attraverso la tecnica della calorimetria differenziale, usando uh calorimetro Perkin Elmer del tipo DSC 7. Circa 10 mg di polimero essiccato sono riscaldati da temperatura di 220°C fino a 370°C ad una velocità di 10°C/min. La temperatura corrispondente al massimo dell'endoterma di fusione viene indicata come temperatura di prima fusione del polimero.

- La stabilità termica viene misurata mediante analisi termogravimetrica impiegando uno strumento Perkin Elmer , serie 7. Circa 10 mg di polimero essiccato vengono scaldati da temperatura ambiente fino a 425°C alla velocità di 20°C/min. Giunti a 425°C, la temperatura viene stabilizzata automaticamente dallo strumento ed il campione viene mantenuto a quella temperatura per 2 ore. La perdita percentuale in peso viene quindi registrata e utilizzata come indice della stabilità termica del polimero.

- Il diametro medio delle particelle viene misurato per mezzo di uno strumento basato sulla diffusione di luce laser, in particolare sulla Photon Correlation Spectroscopy , dotato di correlatore Brookhaven modello 2030 AT e sorgente di luce Laser ad Argon di lunghezza d'onda 514,5 nm della Spectra-Physics. I campioni di lattice da sottoporre a misurazione, vengono diluiti opportunamente con acqua filtrata a 0,2 μm su filtro Millipore. La misura di scattering viene eseguita a temperatura ambiente ad un angolo di 90°. Il diametro delle particelle di lattice viene ottenuto mediante il metodo dei cumulanti.

- Il contenuto di polimero nel lattice scaricato dal reattore viene stimato per perdita in peso a 150°C per 1 ora. In particolare circa 20 grammi di lattice vengono pesati in un bicchiere di vetro e messi in stufa ad essiccare per 1 ora a 150°C. Il contenuto in secco del lattice si ottiene dalla formula: Secco %= 100 x peso dopo essiccazione/peso iniziale lattice; - La deposizione del film di PTFE su un wafer di silicio avente dimensione 40x40 mm, viene realizzata con uno spin coater modello SCS P-6708/6712 di Specialty Coating Systems, Ine. (velocità massima di rotazione del chuck= 8000 RPM, tempo massimo di accelerazione/decelerazione= 30 secondi, tempo massimo di spinning= 999 secondi);

- Il potere bagnante del formulato applicato su wafer di silicio viene valutato visivamente osservando il comportamento di una goccia della formulazione posizionata sul supporto. Se la goccia mantiene la sua forma sferica, il potere bagnante è ritenuto insufficiente ("no" in Tabella 2), mentre la valutazione "si" in Tabella 2 corrisponde alla completa distensione (spreading ) della goccia immediatamente dopo il suo posizionamento sul wafer;

- Lo spessore del film depositato viene determinato mediante un microscopio a forze atomiche (AFM);

- La qualità del film ottenuto viene valutata utilizzando la seguente scala di valutazione in Tabella 2:

- ottima: film omogeneo privo di difetti superficiali;

- buona: film omogeneo con un numero di difetti superficiali inferiore a 5 sul campione di wafer di silicio;

- discreta: film senza fratture con un numero di difetti superficiali inferiore a 10 sul campione di wafer di silicio; - scadente: film fratturato, disomogeneo e con elevato numero di difetti sul campione di wafer di silicio.

Per determinare le caratteristiche elettriche dei film di PTFE vengono realizzati condensatori MOS con contatti circolari di diametro variabile tra 50 e 400 μm sulla superficie dei film depositati e sinterizzati. Per realizzare i condensatori MOS viene depositato un film di alluminio per mezzo di evaporazione a cannone elettronico con vuoto base < 10<-7 >mbar. La costruzione di contatti circolari viene realizzata mediante processi di lift-off (rimozione del metallo dalle zone non di interesse) o mediante rimozione chimica delle parti non di interesse. Il metodo preferito è la rimozione chimica, la quale non genera i possibili difetti nel film di PTFE. Per la rimozione chimica è stata utilizzata una soluzione di HF, H2O2 e acqua deionizzata in proporzioni 1:2:50 in peso.

- La capacità è stata misurata con un C-V analyzer Keithley 590. La capacità di un condensatore MOS con l'elettrodo a semiconduttore costituito da silicio molto drogato (degenere), può essere approssimata alla capacità di un condensatore piano (avendo assunto trascurabile il contributo dato alla capacità dalla zona svuotata del semiconduttore all'interfaccia):

dove :

A= area del condensatore;

d= spessore del film di PTFE misurato mediante microscopio a forze atomiche;

ε0= costante dielettrica del vuoto

εr= costante dielettrica del film di PTFE.

La costante dielettrica del film di PTFE viene calcolata secondo la formula (2) dalle misure di capacità e area del condensatore, e spessore del film. Considerando diverse aree del condensatore, si sono trovati valori uniformi della costante dielettrica del film PTFE

- La rigidità dielettrica viene misurata sui condensatori MOS ottenuti da film di PTFE. Il wafer di silicio viene collegato a massa mediante pasta d'argento, mentre i contatti in alluminio vengono collegati ad una sorgente di tensione variabile connessa in serie ad un picoamperometro (HP4140B).

- L'adesione del film sulla superficie del wafer viene valutata utilizzando il metodo di cross cut (ASTM D3359-87) che prevede l'incisione sulla superficie del film di 100 quadratini di lato 1 mm, utilizzando una lama da taglio e successiva asportazione dei quadratini mediante applicazione del nastro adesivo. Alla fine del test viene controllata la quantità di quadratini asportati che corrisponde alla percentuale di adesione .

Esempio 1

In un reattore di vetro vengono introdotte:

- 5 parti di un tensioattivo periluorurato anionico avente struttura (IA):

dove n è tale che il peso molecolare acidimetrico sia pari a - 3 parti di un periluoropolietere con struttura:

dove n ed ITI sono interi tali da dare peso molecolare medio numerico di circa 700; Rf, R'f, uguali o diversi tra loro sono perfluoroalchili da 1 a 3 atomi di carbonio;

- 8 parti di acqua.

La microemulsione risultante risulta essere perfettamente limpida .

3810 grammi della microemulsione ottenuta vengono addizionati a 29 litri di acqua accuratamente degasata in una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. In autoclave vengono inviati 900 mbar di etano. L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con tetrafluoroetilene (TFE) fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 88°C. A questo punto in autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di corrispondenti a 5000 mg di APS come iniziatore di polimerizzazione.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 100°C ad una velocità pari a 0,7°C/min. Dopo 32 minuti, l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 17 nm. Il lattice scaricato ha una concentrazione di 312 gr. PTFE/ kg dispersione. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 8,65% su PTFE.

Dall'analisi DSC risulta che il polimero ottenuto mostra una temperatura di prima fusione di 323,6°C, e dall'analisi TGA viene determinata una perdita in peso a 425°C in 2 ore di 0,75 % peso, che equivale ad un indice di buona stabilità termica .

Esempio 2

3810 grammi della microemulsione ottenuta nell'esempio 1 vengono addizionati a 29 litri di acqua accuratamente degasata in una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. In autoclave vengono inviati 900 mbar di etano e 150 grammi di perfluorometossidiossolo (MDO). L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con tetrafluoroetilene (TFE) fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 88°C. A questo punto in autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di (NH4)2S2O8 (APS) corrispondenti a 5000 mg di APS come iniziatore di polimerizzazione.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 100°C ad una velocità pari a 0,7°C/min. Dopo 40 minuti, l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 23 nm. Il lattice scaricato ha una concentrazione di 315 gr. PTFE/ kg dispersione. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 8,57% su PTFE.

Dall'analisi DSC risulta che il polimero ottenuto mostra una temperatura di prima fusione di 321,6°C, e dall'analisi TGA viene determinata una perdita in peso a 425°C in 2 ore di 0,98 % peso, che equivale ad un indice di buona stabilità termica .

Esempio 3

2500 grammi della microemulsione ottenuta nell'esempio 1 vengono addizionati a 29 litri di acqua accuratamente degasata in una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. In autoclave vengono inviati 600 mbar di etano e 150 grammi di perfluorometossidiossolo (MDO). L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con tetrafluoroetilene (TFE) fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 85°C. A questo punto in autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di

corrispondenti a 5000 mg di APS come iniziato¬

re di polimerizzazione.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 95°C ad una velocità pari a 0,5°C/min. Dopo 25 minuti, l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 23 nm. Il lattice scaricato ha una concentrazione di 156 gr. PTFE/ kg dispersione. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 17,31% su PTFE.

Dall'analisi DSC risulta che il polimero ottenuto mostra una temperatura di prima fusione di 319,8°C.

Esempio 4

2130 grammi della microemulsione dell'esempio 1 vengono addizionati a 30 litri di acqua accuratamente degasata in una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con TFE fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 80°C. In autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di

(APS) corrispondenti a 2.500 mg di APS.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 100°C ad una velocità pari a 1,0°C/min. Dopo 25 minuti l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento. Si ottiene una dispersione acquosa contenente 375 g/Kg di PTFE. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 3,65% su PTFE.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 77 nm.

L'analisi DSC mostra una temperatura di prima fusione di 331, 1°C. Il polimero mostra a 425°C in un intervallo di 2 ore una perdita in peso pari a 0,115%, indice di un'ottima stabilità termica.

Esempio 5

In un reattore di vetro vengono introdotte:

- 5 parti di un sale ammonico di un acido (tensioattivo perfluorurato anionico) avente struttura (LA)

dove n è tale che il peso molecolare acidimetrico sia pari a 530;

- 3 parti di un perfluoropolietere con struttura:

dove n ed m sono interi tali da dare peso molecolare medio numerico di circa 440; Rf, R'f, uguali o diversi tra loro sono perfluoroalchili da 1 a 3 atomi di carbonio;

- 8 parti di acqua.

La microemulsione risultante risulta essere perfettamente limpida. Nel reattore da 50 litri vengono caricati 30 litri di acqua accuratamente degasata. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. Il reattore viene messo sotto vuoto per 10 minuti e successivamente pressurizzato a 20 bar e portato alla temperatura di 80°C. A questo punto vengono inviati nel reattore 2130 grammi della microemulsione precedente. Successivamente in autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di corrispondenti a 1.500 mg di APS.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 100°C ad una velocità pari a l,0°C/min. Dopo 15 minuti, l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento. Si ottiene una dispersione acquosa contenente 245 g/Kg di PTFE. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 6,53% su PTFE.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 71 nm.

Il polimero mostra a 425°C in un intervallo di 2 ore una perdita in peso pari a 0,096%, indice di un'ottima stabilità termica. L'analisi DSC mostra una temperatura di prima fusione di 331,2°C.

Esempio 6

2000 grammi della microemulsione ottenuta nell'esempio 1 vengono addizionati a 31 litri di acqua accuratamente degasata in una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto. In autoclave vengono inviati 400 mbar di etano. L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con tetrafluoroetilene (TFE) fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 85°C. A questo punto in autoclave vengono inviati 500 cc di soluzione di corrispondenti a 5000 mg di APS come iniziatore di polimerizzazione.

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di.20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 95°C ad una velocità pari a 0,33°C/min. Dopo che si è avuta la reazione di 10 Kg di TFE, si alimentano nell'autoclave 250 grammi di di-iodio-perfluorobutano

Quando sono reagiti 11 Kg di TFE, l'alimentazione di TFE viene interrotta, il reattore evacuato e posto sotto raffreddamento.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 52 nm. Il lattice scaricato ha una concentrazione di 295 gr. PTFE/ kg dispersione. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico pari a 6,1% su PTFE.

Esempio 7 (di confronto)

In una autoclave da 50 litri attrezzata con un agitatore meccanico e precedentemente messa sotto vuoto vengono inviati 11 grammi della soluzione acquosa del perfluoroottanoato di ammonio, e 31 litri di acqua demineralizzata accuratamente degasata. Nel reattore erano stati precedentemente caricati anche 140 grammi di paraffina con punto di rammollimento compreso tra 52°C-54°C. L'autoclave è tenuta sotto agitazione meccanica ed è pressurizzata con TFE fino ad una pressione di 20 bar ad una temperatura di 62°C. In seguito, vengono alimentati 500 cc di soluzione di e perossido disuccinico (DSAP) corrispondenti a 150 mg di APS e 3.000 g di DSAP .

Quando la pressione nel reattore è calata di 0,5 bar, si inizia ad alimentare TFE per mezzo di un compressore in modo da mantenere una pressione costante di 20 bar all'interno del reattore. Nel frattempo la temperatura interna del reattore viene innalzata fino a 80°C ad una velocità pari a 0,5°C/

min. Durante la reazione nell 'autoclave vengono alimentati 50,5 grammi della soluzione acquosa a 100 grammi/litro di perfluoroottanoato di ammonio (PFOA). Dopo 90 minuti, l'alimentazione di TFE viene interrotta, quando sono reagiti 15800

grammi di TFE, il reattore sfiatato e posto sotto raffreddamento. Il lattice scaricato ha una concentrazione di 510 gr PTFE/litro acqua.

Il diametro delle particelle primarie di polimero misurato via Laser Light Scattering (LLS) risulta pari a 230 nm. Il lattice di PTFE ottenuto viene concentrato fino ad una concentrazione di PTFE pari a 60% in peso. Il lattice di PTFE contiene una concentrazione in peso di tensioattivo perfluorurato anionico PFOA pari a 0,08% su PTFE.

Il polimero mostra a 425°C in un intervallo di 2 ore una perdita in peso pari a 0,05%. L'analisi DSC mostra una temperatura di prima fusione di 343°C.

Esempio 8

Un wafer di silicio avente dimensione 40x40 mm è stato completamente ricoperto con una formulazione dell'invenzione avente la seguente composizione:

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 56 g di acqua demineralizzata;

- 30% in peso su PTFE di un tensioattivo non ionico fluorurato di struttura (IB):

detto tensioattivo è presente in una soluzione al 40% in acqua/isopropanolo , commercializzata come Forafac<® >1110D.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all'aria. Di seguito è stata valutata la qualità del film ottenuto dopo essiccamento e dopo sinterizzazione, l'adesione del film di PTFE alla superficie di wafer, lo spessore e le proprietà dielettriche. I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 9

Un wafer di silicio avente le dimensioni sopra indicate è stato completamente ricoperto con una formulazione dell'ìnvenzione avente la seguente composizione:

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 56 g di acqua demineralizzata;

- 45% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.

Esempio 10

Un wafer di silicio avente le dimensioni sopra indicate è stato completamente ricoperto con una formulazione dell'invenzione avente la seguente composizione:

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 56 g di acqua demineralizzata ;

- 30% in peso su PTFE di un tensioattivo non ionico fluorurato di struttura (IIB):

m ed n tali da dare un peso molecolare compreso tra 450 e 650; commercializzato con il nome Fluorolink C455®.

Esempio 11

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 2;

- 57,5 g di acqua demineralizzata;

- 30% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 10.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all'aria .

I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 12

Un wafer di silicio avente le dimensioni sopra indicate è stata completamente ricoperto con una formulazione dell'invenzione avente la seguente composizione:

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 2;

- 57,5 g di acqua demineralizzata;

- 30% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.

. Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400 °C per 2 min. e in seguito raffreddato all 'aria.

I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 13

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 3;

- 25% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 3000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 1 minuto e in seguito raffreddato all'aria .

E' stata misurata una costante dielettrica del film di PTFE pari a 2,0. I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 14

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 3;

- 25% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.·

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 8000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 1 minuto e in seguito raffreddato all'aria .

I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 15

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 6;

- 25 g di acqua deinineralizzata;

- 30% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all 'aria .

I risultati sono riportati in Tabella 2.

Esempio 16 (di confronto)

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 7 avente dimensione media delle particelle pari a 230 nm;

- 100 g di acqua demineralizzata;

- 6% in peso su PTFE di un tensioattivo non ionico idrogenato di struttura (C):

commercializzato come TRITON<® >X100.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto, alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è.stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all'aria. I risultati sono riportati in Tabella 2 e mostrano che il film di PTFE ottenuto ha uno spessore superiore a 200 nm e non aderisce al wafer di silicio.

Esempio 17 {di confronto)

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 25% in peso su PTFE di un tensioattivo ionico perfluoroottanoato di ammonio (PFOA).

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all'aria. I risultati sono riportati in Tabella 2 e mostrano che il film di PTFE ottenuto è di qualità scadente per difetti di superficie e disomogeneità. Pertanto il film non è adatto ad essere utilizzato per l'isolamento di conduttori nei circuiti integrati.

Esempio 18 (di confronto)

100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 62,5% in peso su PTFE di un tensioattivo ionico perfluoroottanoato di ammonio (PFOA).

Esempio 19 {di confronto)

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 56 g di acqua deinineralizzata;

- 10% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 8.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all'aria.

I risultati sono riportati in Tabella 2 e mostrano che non si ottiene alcun film di PTFE in quanto la formulazione non ha potere bagnante rispetto al wafer di silicio.

Esempio 20 (di confronto)

Un wafer dì silicio avente le dimensioni sopra indicate è stato completamente ricoperto con una formulazione dell'invenzione avente la seguente composizione:

- 100 g del lattice di PTFE ottenuto nell'esempio 1;

- 56 g di acqua demineralizzata;

- 10% in peso su PTFE del tensioattivo non ionico fluorurato dell'esempio 16.

Il wafer di silicio è stato quindi sottoposto alla tecnica di spin coating ad una velocità di 5000 RPM per durata pari a 60 secondi. Il film di PTFE formatosi dopo tale procedura è stato dapprima essiccato e successivamente sinterizzato a temperatura di 400°C per 2 min. e in seguito raffreddato all 'aria.

TABELLA 1

TABELLA 2

Claims

RIVENDICAZIONI 1. Formulazione a base di PTFE, omopolimero o modificato, comprendente: 1) lattice di detto PTFE con diametro delle particelle compreso tra 5 e 100 nm, comprendente un tensioattivo fluorurato anionico in quantità compresa tra 2 e 25% in peso sul PTFE, preferibilmente 3-20% in peso; 2) un tensioattivo fluorurato non ionico addizionato al lattice di PTFE in una quantità compresa tra 18 e 60% in peso sul PTFE, preferibilmente 25-45% in peso: 2. Formulazione secondo la rivendicazione 1 in cui i tensioattivi fluorurati anionici sono scelti tra:

in cui:

T è un gruppo (per)fluoroalchilico C1-C3, opzionalmente contenente un atomo di CI; preferibilmente è scelto tra opzionalmente uno o due atomi di F potendo essere sostituiti da H. Rf è un radicale (per)fluoropoliossialchilenico avente un peso molecolare medio numerico M„ compreso tra 200 e 2.000, preferibilmente tra 350 e 1.000; Rf è scelto in particolare tra le seguenti classi: (a)

dove m e n sono numeri tali che il rapporto n/m sia compreso tra 0,01 e 0,5 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato; <b)

dove p e q sono numeri tali che ϋ rapporto q/p sia compreso tra 0,5 e 2 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra;indicato; (C)

dove r, s e t sono numeri tali che r+s sia compreso tra 1 e 50, il rapporto t/(r+s) sia compreso tra 0,01 e 0,05 ed il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato; (d)

dove u è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato; (e)

dove Y e Z, uguali o diversi tra loro, sono F, CI o H; v è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato; (f)

w è un numero tale che il peso molecolare sia compreso nell'intervallo sopra indicato. 3. Formulazione secondo la rivendicazione 2 in cui i tensioattivi fluorurati anionici (IA) sono i composti aventi Rf di tipo (a): T

4. Formulazione secondo le rivendicazioni 1 - 3 in cui i composti di formula (IA) sono impiegati in miscela con i seguenti tensioattivi anionici:

dove n può variare tra 4 e 12,

in cui ed n può variare tra 2 e 5. 5. Formulazione secondo le rivendicazioni 1-4 in cui i tensioattivi fluorurati non ionici addizionati al lattice di PTFE di polimerizzazione hanno le seguenti strutture:

in cui: Rf è scelto tra le strutture {a),(b),{c),(d) ,(e),(f) della rivendicazione 2; L è un gruppo organico divalente, pontante tra Rf e Rh, scelto tra:

oppure un alchile -H oppure un alchile

a, b sono numeri da 0 a 6, preferibilmente da 0 a 2; c è un numero da 1 a 3; Rh è un radicale a struttura poliossialchilenica scelto tra : (i) dove: q è un intero da 5 a 70, preferibilmente da 6 a 25; Z è scelto tra -OH, alcossi

(ii ) dove: r+s è un intero tra 5 e 70, preferibilmente tra 10 e 50; il rapporto r/s è compreso tra 0,1 e 10, preferibilmente tra 0,5 e 5; R<3 >è scelto tra -H e -CH3; Z è scelto tra -OH, alcossi

6. Formulazione secondo la rivendicazione 5 in cui i tensioattivi non ionici sono: - i composti di struttura (IB) con y=5,

- i composti di struttura (IIB) aventi Rf di struttura (a) con m ed n tali da dare un peso molecolare compreso tra 450 e 650; L=-CONH-;

dove q=21. 7. Formulazione secondo le rivendicazioni 1-6 in cui il PTFE è modificato con uno o più comonomeri contenenti almeno una insaturazione di tipo etilenico in quantità fino a 6% molare, preferibilmente fino a 1% molare. 8. Formulazione secondo la rivendicazione 7 in cui i comonomeri sono sia di tipo idrogenato che fluorurato. 9. Formulazione secondo la rivendicazione 8 in cui i comonomeri idrogenati sono scelti tra etilene, propilene, monomeri acrilici, monomeri stirenici. 10. Formulazione secondo la rivendicazione 8 in cui i comonomeri fluorurati sono scelti tra: perfluoroolefine

- fluoroolefine idrogenate C2-C8, quali fluoruro di vinile (VF), fluoruro di vinilidene {VDF), trifluoroetilene, esafluoroisobutene, perfluoroalchiletilene CH2=CH-Rf, dove Rf è un perfluoroalchile

- cloro- e/o bromo- e/o iodo-fluoroolefine C2-C8; - (per)fluoroalchilvinileteri (PAVÉ) CF2=CFORf, dove Rf è un (per)fluoroalchile

- (per)fluoro-ossialchilvinileteri dove X è: un alchile o un ossialchile o un (per)fluoroossialchile avente uno o più gruppi eterei; fluorodiossoli, preferibilmente perfluorodiossoli. 11. Formulazione secondo la rivendicazione 10 in cui i cornonomeri fluorurati sono perfluorometossidiossolo (MDO), perfluoropropilviniletere (PPVE), perfluorometilviniletere (PMVE) e perfluoropropene (PFP). 12. Film dielettrici ottenuti dalla formulazione secondo le rivendicazioni 1-11 per deposizione della formulazione su un substrato, successiva sinterizzazione del film ad una temperatura superiore alla T di fusione del PTFE e successivo raffreddamento all'aria. 13. Film dielettrici secondo la rivendicazione 12 in cui la deposizione è effettuata tramite spin coating ad una velocità di spinning compresa tra 3.000 e 10.000 rpm per un tempo compreso tra 30 secondi e 5 minuti éd in cui la temperatura di sinterizzazione è superiore a 320°C, preferibilmente compresa tra 390°C e 410°C. 14. Film dielettrici secondo le rivendicazione 12-13 aventi uno spessore inferiore a 200nm, preferibilmente compreso tra 50nm e 150nm, una costante dielettrica inferiore a 2,2, una rigidità dielettrica superiore a 4MV/cm ed una perdita in peso a 425°C compresa tra 0,0008 e 0,02%/min. 15. Uso dei film dielettrici secondo le rivendicazioni 12-14 per l'isolamento dei conduttori nei circuiti integrati.