IT9021494A1 - Processo di diffusione del platino - Google Patents
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Description
TRADUZIONE
della domanda di brevetto d’invenzione dal titolo:
"PROCESSO DI DIFFUSIONE DEL PLATINO"
RIASSUNTO DELL’INVENZIONE
Gli atomi di platino vengono dispersi uniformemente entro un substrato (o wafer) di silicio contenente delle giunzioni preformate con il deposito di tino strato di platino su una superficie di silicio liscia e successivamente viene riscaldato immediatamente il substrato a circa 500°C per formare il eiliciuro di platino. In alternativa uno strato di palladio può essere depositato sulla superficie del substrato, uno strato di platino viene depositato sul palladio e il substrato viene riscaldato per formare un siliciuro di palladio con atomi di platino uniformemente dispersi entro lo strato di siliciuro. Il substrato viene riscaldato a circa 900°C per un breve tempo che è sufficientemente lungo per provocare la diffusione degli atomi di platino nel substrato di silicio, ma che è troppo bassa e dura per un periodo troppo breve per provocare il movimento delle giunzioni preformate entro il substrato.
DESCRIZIONE
FONDAMENTI DELL’INVENZIONE
Quest'invenzione si riferisce ad un processo per introdurre atomi di platino in un corpo semiconduttore per ridurre la durata di vita dei supporti minori entro il corpo e più in particolare si riferisce ad un nuovo processo di una barriera di biossido di silicio che evita la diffusionge degli atomi di platino in un substrato di silicio.
E’ frequentemente desiderabile ridurre la durata di vita del supporto minore nei substrati semiconduttori, negli stampi o corpi, i quali termini vengono usati qui in modo intercambiabile. Viene spesso usato l’oro come agente di riduzione della durata del tempo di vita, ma l'oro tende ad aumentare la perdita di corrente dei dispositivi a semiconduttore alle temperature elevate. E' anche ben noto il processo che consiste nell'irradiare i substrati per ridurre la durata di vita del supporto minore, ma è stato riscontrato che il controllo della durata di vita provocato dalla radiazione non è stabile e può andare perduto con il passare del tempo e durante il processo di attacco dello stampo.
Gli atomi di platino dispersi attraverso un substrato di semiconduttore fornirebbero un controllo molto efficiente della durata di vita dei supporti minori, non si ricuocerebbero come avviene nei substrati trattati con radiazioni e non provocherebbero un’elevata corrente di perdita a caldo che si verifica quando viene usato l'oro. Pertanto per lo stesso stampo, la stessa caratteristica del silicio e per una riduzione di durata approssimativamente equivalente, le correnti di perdita a caldo di 20 microampere, 400 microampere e 3500 microarnpere vengono ottenute con il platino, l’irradiazione di elettroni e l’oro rispettivamente.
L’uso del platino come riduttore della durata di vita viene reso noto dal brevetto No. 3640 783. Questo brevetto rende noto che un substrato di silicio può essere scaldato ad una temperatura adatta per provocare la diffusione del platino attraverso il corpo di un substrato di silicio, ma è insufficiente per provocare un movimento sostanziale della giunzione.
Il platino utilizzato per ridurre la durata di vita viene anche reso noto nel brevetto No. 3963 523. E' anche noto il fatto che il platino può essere depositato a spruzzo o evaporato contemporaneamente con il siliciuro di tungsteno, come viene reso noto nel brevetto No. 4322 453, nel quale tuttavia il platino non viene usato come un riduttore della durata di vita, ma è semplicemente previsto per aumentare la conducibilità di uno strato di siliciuro di tungsteno. Un’altra rivelazione della applicabilità desiderabile del platino come riduttore della durata di vita è contenuta nel brevetto No. 4777 149, nel quale il platino viene applicato direttamente sulla superficie del corpo di silicio.
Nell’esecuzione dei processi nel quale il platino deve essere diffuso in un substrato di silicio, è stato trovato che uno strato molto sottile di ossido, anche uno strato con uno spessore di pochi atomi, bloccherà la diffusione efficiente del platino in un corpo ài silicio. Si ritiene che questo problema abbia impedito l’uso del platino come riduttore della durata di vita nei prodotti commerciali.
La presente invenzione fornisce un nuovo metodo nel quale il piatino può essere diffuso in un corpo di silicio che impedisce la possibilità della formazione di uno strato di biossido di silicio di bloccaggio.
BREVE DESCRIZIONE DELL’INVENZIONE
In accordo con una prima forma di realizzazione della presente invenzione, uno strato di siliciuro di palladio che contiene del palladio dissolto entro di esso viene realizzato su una superficie esente da ossido di un substrato di silicio. Preferibilmente questo siliciuro di palladio contenente il platino viene formato con una prima deposizione di uno strato di palladio metallico sul silicio tramite un processo di evaporazione a fascio di elettroni e successivamente depositando uno strato di platino eopra allo strato di palladio. Questi strati vengono quindi riscaldati per formare un siliciuro di palladio che contiene atomi di platino dispersi entro la sua massa. Il substrato viene quindi riscaldato ad una temperatura sufficientemente elevata per provocare la diffusione degli atomi di platino entro il silicio, ma troppo bassa e/o per un tempo troppo breve per provocare il movimento delle giunzioni precedentemente formate nel substrato.
Pertanto il platino diffonderà nel silicio senza la formazione di alcun confine possibile di ossido sulla superficie del substrato di silicio. A titolo di esempio, il substrato può essere scaldato a 900°C per 15 minuti. La temperatura di 900°C è approssimativamente il limite per il quale inizia il movimento della giunzione, ma il tempo breve impedisce un qualsiasi movimento significativo della giunzione.
In accordo con una seconda forma di realizzazione dell’invenzione, il siliciuro di platino può essere formato direttamente sulla superficie del eilicio. Pertanto è stato trovato che, se il platino viene depositato sul silicio tramite un'evaporazione a fascio di elettroni e il substrato depositato viene posto immediatamente in un forno per formare un siliciuro, un ossido di bloccaggio di intervento .non verrà formato fra il silicio e il siliciuro.
Il substrato con platino depositato con il fascio di elettroni viene posto immediatamente in un forno a circa 500°C in un gas di formazione o gas idrogeno per formare il siliciuro. Il substrato può quindi essere eliminato dal forno e immagazzinato con comodo. Quando viene lavorato successivamente per diffondere gli atomi di pla.tino nel substrato, il substrato viene riscaldato a circa 900°C per circa 15 minuti che è la, o appena sotto la temperatura nella quale le giunzioni si spostano e il tempo è troppo breve per provocare il movimento della giunzione.
Altre caratteristiche e vantaggi della presente invenzione diverranno evidenti dalla descrizione seguente dell’invenzione che si riferisce ai disegni allegati.
BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI
-·La Figura 1 è una vista in sezione trasversale in scala esagerata che illustra una sezione trasversale di poche celle di un substrato o chip di materiale semiconduttore contenente delle giunzioni nel suo interno per definire un transistore bipolare isolato del tipo a porta.
- La Figura 2 è una vista laterale di un intero substrato, nel quale la superficie marcata con il cerchio "A" è la superficie ingrandita della Figura 1;
- La Figura 3 illustra il substrato della Figura 3 dopo che la lavorazione è stata completata e il siliciuro viene eliminato dalla superficie posteriore e viene applicato un contatto posteriore.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DEI DISEGNI
Facendo riferimento alla Figura 1, viene illustrato in essa, in vista ingrandita, una configurazione di giunzione simile alla configurazione di giunzione per il MOSFET di potenza reso noto nei brevetti No. 4376 286 4 e No. 593302 in un substrato 9 per un transistore bipolare isolato a porta. La nuova invenzione può essere impiegata per un qualsiasi dispositivo a semiconduttore che richiede la riduzione di una durata del supporto minore e che può essere usato nei MOSFET, nei transistori a porta isolati, nei diodi rapidi, nei tiristor!, nei transistori bipolari e simili.
Nel dispositivo illustrato nella Figura 1, su un substrato 10 di tipo P è stato formato uno strato epitassiale 11 sottile che riceve varie giunzioni che si estendono nel substrato dalla sua superficie superiore.
Sono previste delle zone di base esagonale o a canale da 13 a 16 illustrate simmetricamente in sezione trasversale, ciascuna delle quali contiene delle rispettive sorgenti anulari da 17 a 20, che sono del tipo N quando realizzano un dispositivo a canale N.
Il tipo di conducibilità delle varie zone può essere invertito per un dispositivo a canale P. Tutte le giunzioni sono piane e si estendono verso la superficie superiore 21 del chip o substrato. Il dispositivo contiene dei segmenti da 25 a 29 di elettrodi a porta -di polisilicone, formati, per esempio, nel modo reso noto nel suddetto brevetto No. 4593 302, un ossido di porta adatto separando i segmenti da 25 a 29 dalla superficie di silicio 21. Una sorgente o un elettrodo catodico 30 comuni viene quindi realizzata/o sopra l’intero dispositivo ed è in contatto con le zone di sorgente da 17 a 20 e con le zone di base P+ da 13 a 16, rispet tivamente. L’intera superficie anteriore del substrato viene resa stagna con un adatto ossido di etrato intermedio 31 che può essere formato dalla deposizione di vapore chimico o simile. Solo poche celle del dispositivo sono illustrate nella Figura 1 e si comprende che molte migliaia di tali celle verranno contenute sulla superficie superiore 21 del substrato 9.
Le Figure 2 e 3 illustrano una vista laterale del substrato superiore! nel quale} ancorai le dimensioni del dispositivo eono state molto esagerate per scopo di chiarezza.
Ora è possibile descrivere il modo con il quale la presente invenzione permette la dispersione uniforme degli atomi di platino nella nasaa del substrato 9 della Figura 1 per ridurre la durata di vita del supporto minore senza provocare alcun movimento delle configurazioni di giunzione preformate entro il substrato 9.
E’ stato trovato che un ossido molto sottile bloccherà la diffusione degli atomi di platino entro il substrato 9. La presente invenzione fornisce un nuovo processo con il quale viene evitata la necessità di uno strato di bloccaggio di biossido di silicio sottile e che permette la diffusione degli atomi di platino nel substrato 9 ad una temperatura troppo bassa per spostare le configurazioni di giunzioni preesistenti.
Più :in particolare, in accordo con una prima forma di realizzazione dell’invenzione,uno strato di palladio 40 viene dapprima forms.to su una superficie di fondo liscia del substrato 9 con uno spessore non critico, per esempio, di circa 500 angstrom.
Preferibilmente il palladio è formato durante un’operazione dì evaporazione a fascio elettronico. Il palladio aderirà BUI substrato 9 anche in presenza di una pellicola di ossido sul substrato. Successivamente uno strato di platino 41 viene formato sulla sommità dello strato di palladio 40, nuovamente c-n uno spessore non critico di circa 500 Angstrom.
Il substrato con gli strati 40 e 41 viene quindi sottoposto ad un ciclo di formazione di siliciuro e viene per esempio scaldato ad una temperatura di 500°C in un'atmosfera di gas idrogeno ed azoto per circa 30 minuti. Al termine di questo stadio di formazione del siliciuro, verrà formato un siliciuro di palladio sulla superficie di fondo del substrato 9 che ha degli atomi di platino dispersi uniformemente entro la sua massa.
Successivamente il substrato viene sottoposto ad uno stadio di diffusione di platino e il substrato viene portato ad una temperatura superiore di circa 900°C in un’atmosfera di gas azoto o azoto combinato ed ossigeno per circa 15 minuti.
Il ciclo di diffusione del platino è terminato con la massima velocità di raffreddamento possibile in pratica. Pertanto è etato trovato che quanto più rapido è il raffreddamento, tanto migliore risulta la prestazione dei dispositivi risultanti in termini di minore resistenza di accensione e perdita di commutazione.
Durante lo stadio di riscaldamento, il platino diffonderà dal siliciuro entro ed uniformemente nella massa del substrato 9.
Pertanto il platino viene opportunamente distribuito nella massa del substrato per ridurre il tempo di durata della vita del supporto minore durante il funzionamento del dispositivo.
Dato che il platino diffonde a 900°C, le giunzioni precedentemente formate nel substrato non verranno spostate durante lo stadio di diffusione del platino. Occorre inoltre notare che il palladio nel siliciuro non diffonderà nel substrato 9 durante questo stadio di diffusione dato che il palladio diffonderà solo ad una tenperatura di circa 1120°C. Inoltre se il palladio venisse scelto in modo da essere il metallo pesante per il controllo del tempo di durata^ la temperatura di diffusione richiesta è così elevata che essa provocherebbe anche il movimento delle giunzioni preformate nel dispositivo. Occorre notare che la presenza dello strato intermedio 31 impedisce la contaminazione della superficie superiore del dispositivo dovuta al palladio o al platino.
Il siliciuro e il platino sulla superficie di fondo del substrato 9 vengono eliminati per esempio con la sabbiatura e l’attacco chimico e un contatto posteriore convenzionale 42, illustrato nella Figura 3, viene applicato nella parte posteriore del dispositivo. In alternativa la superficie di fondo o posteriore del substrato possono essere rettificate per eliminare il eiliciuro. La superficie anteriore del substrato è opportunamente rivestita con una superficie protettiva prima di questa operazione e il rivestimento viene successivamente eliminato.
E* desiderabile eliminare il siliciuro di palladio dato che le metallizzazioni laterali-posteriori convenzionali non aderiranno in modo affidabile sulla superficie posteriore non trattata dopo la diffusione del palladio. Il contatto posteriore 42 corrisponde al contatto di drenaggio illustrato nel brevetto No. 4593 302.
Esso può agire come il contatto anodico di un IGBT.
In accordo con una seconda forma di realizzazione dell’invenzione 10 stadio del palladio descritto sopra viene fatto successivamente e il platino viene evaporato con un fascio elettronico direttamente sulla superficie posteriore del substrato 10 priva di ossido. Immediatamente dopo e senza alcuno dei ritardi della linea di produzione normale, il substrato viene posto in un forno riscaldato a 500°C e riempito con un adatto gas di formatura per formare un siliciuro di platino. Successivamente il substrato può essere immagazzinato se desiderato e l'interfaccia siliciuro-silicio viene protetta contro la formazione di un ossido. Il substrato successivamente può essere trattato come descritto sopra per diffondere gli atomi di platino dal siliciuro di platino al corpo del substrato come con il riscaldamento del substrato sopra agli 850°C e preferibilmente a 900°C e ad una temperatura appena inferiore a quella che provoca lo spostamento delle giunzioni preformate.
Si noti che mentre le giunzioni possono spostarsi a 900°C, il tempo di 15 minuti è troppo breve per provocare un movimento significativo della giunzione.
11 punto esatto del processo di fabbricazione del substrato nel quale viene applicato il platino è preferibilmente appena prima del taglio di finestrelle per la sorgente e la metallizzazione della porta dato che, a questo punto, l’intera superficie superiore del substrato viene coperta con un vetro spesso depositato 31.
Questo viene preferibilmente aumentato con un'ulteriore pellicola organica spessa, non mostrata, che comprende una cera disciolta in un solvente che viene applicata sullo strato superiore 31 della faccia del substrato. Il solvente viene estratto con aria di essiccazione seguita dalla cottura in forno. In alternativa si può applicare uno strato superiore 31 di fotoresist non modellato. Per assicurare una superficie posteriore esente da ossigeno prima che il platino sia depositato, l’ossido viene dapprima attaccato chimicamente sulla superficie posteriore del substrato con un attacco di ossido tamponato in modo opportuno. In alternativa si può usare un attacco di HF diluito. Pochi micron dì silicio vengono eliminati dalla superficie posteriore tramite un successivo attacco chimico, Per esempio 8 micron di silicio possono essere eliminati con un attacco di 60 secondi in soluzione 9:2:4 (acido nitrico/acido idrofluoridrico/acido acetico). L’eliminazione di questo strato superficiale assicura l’eliminazione dell’ossigeno disciolto e delle tracce di fosforo ed arsenico e delle impurezze strutturali della superficie. Esso inoltre elimina la zona superficiale povera di boro di limitata profondità che può essere realizzata con una diffusione esterna di boro durante la crescita degli ossidi termici. Questo stadio di attacco assicura l’efficacia dello stadio successivo di formazione del siliciuro.
Dopo l’attacco chimico viene eliminato lo strato di cera. Uno stadio di agente sgrassante iniziale in fase vapore eliminerà quasi tutta la cera, e subito dopo si effettueranno dei bagni in molti solventi adatti per eliminare tutta la cera residua.
Quindi si può eseguire un processo di pulizia convenzionale a evaporazione preliminare. Per esempio il substrato può essere immerso in una miscela fresca di acido solforico concentrato 1:1 con perossido di idrogeno al 30Z per 15 minuti. Questa miscela si autoriscalda durante la miscelazione fino a circa 120°C e ha delle elevate proprietà di ossidazione. Il substrato viene quindi rÌEiciacquato in acqua deionizzata.
Gli ossidi chimici sottili aumentano la superficie posteriore del substrato di silicio durante la pulizia di evaporazione preliminare e questi sono eliminati da un breve attacco chimico in HF molto diluitoi per esempio da 1 a 100 (HF acqua) per 15 secondi. Il substrato viene quindi risciacquato in acqua deionizzata e seguendo un’essiccazione rotante, viene immediatamente caricato nell’evaporatore e il pompaggio viene iniziato immediatamente per la deposizione successiva del platino e/o del palladio/platino. Dopo l'applicazione del substrato nell'evaporatore e dopo aver realizzato il vuoto, il substrato viene riscaldato preferibilmente a 150°C. Questo assorbe l’umidità e ì gas e consente un contatto più intimo fra il silicio ed il metallo depositato. Inoltre l’energia cinetica degli atomi di platino di deposito verrà aumentata dall’energia termica del substrato di silicio. Il metallo depositato viene quindi scaldato a circa 500°C per formare il siliciuro sulla superficie posteriore che è esente dalla barriera di ossido rispetto al substrato di silicio. E’ estremamente importante che gli stadi fra la pulizia finale della superficie posteriore del silicio fino alla formazione del siliciuro siano senza interruzioni, eseguite immediatamente una dopo l’altra.
(}uindi viene eseguito lo stadio di diffusione del platino.
Successivamente il lato posteriore viene sabbiato ed attaccato chimicamente, la superficie anteriore essendo rivestita con un rivestimento protettivo durante questa operazione. In alternativa il lato posteriore può essere levigato. In entrambi i casi, può quindi essere applicato uno strato di contatto posteriore convenzionale di lega croao-nichel-argento sulla superficie posteriore del substrato.
Sebbene la presente invenzione sia stata descritta in relazione a forme di realizzazione particolari di essa, molte altre varianti e modifiche ed altri usi saranno evidenti alle persane esperte della tecnica. Tuttavia viene preferito che la presente invenzione sia limitata non dalla specifica rivelazione attuale, ma solo dalle rivendicazioni allegate.
Claims (1)
- RIVENDICAZIONI 1. Un processo per introdurre atomi di platino in un corpo semiconduttore per ridurre la durata di vita del supporto minore comprendente gli stadi di formazione di uno strato di palladio su una superficie del detto corpo semiconduttore e successivamente formando uno strato di platino sopra il detto strato di palladio e successivamente riscaldando il detto corpo semiconduttore, i detti strati di palladio e di platino ad una prima temperatura sufficiente per formare il siliciuro di palladio avente degli atomi di platino dispersi uniformemente nel detto strato di siliciuro di palladio, e successivamente riscaldando il detto corpo semiconduttore e il detto siliciuro di palladio ad una seconda e superiore temperatura sufficientemente elevata e per un tempo sufficientemente breve per provocare la diffusione degli atomi di palladio nel detto corpo semiconduttore, ma che è troppo bassa per provocare la diffusione degli atomi di palladio entro il detto corpo semiconduttore. <!. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che la detta seconda temperatura è di circa 900°C. 3. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che i detti strati di palladio e platino vengono depositati eul detto corpo semiconduttore tramite l'evaporazione ottenuta con fascio di elettroni. 4. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che il detto corpo semiconduttore contiene nel suo interno almeno una giunzione P-N; la detta giunzione essendo formata nel detto corpo semiconduttore in uno stadio che precede il detto stadio di riscaldamento del detto corpo semiconduttore per provocare la diffusione dei detti atomi di platino nel detto corpo semiconduttore. 5. Il processo della rivendicazione 4, caratterizzato dal fatto che i detti strati di palladio e di platino vengono despositati sul detto corpo semiconduttore tramite l’evaporazione a fascio di elettroni. (>. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che il detto corpo semiconduttore comprende un substrato piatto sottile di silicio nonocristallino. 7. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che il detto corpo semiconduttore contiene una pluralità di giunzioni P-N nel suo interno. 8. Il processo della rivendicazione 7, caratterizzato dal fatto che la posizione della detta pluralità di giunzioni P-N rimane stabile alla detta seconda temperatura. 9. Il processo della rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che il detto strato di siliciuro di palladio viene rimosso dal detto corpo semiconduttore dopo la diffusione dei detti atomi di platino all’interno del detto corpo semiconduttore. 10. Il processo della rivendicazione 4, caratterizzato dal fatto che il detto strato di siliciuro di palladio viene rimosso dal detto corpo semiconduttore dopo la diffusione dei detti atomi di platino all’interno del detto corpo semiconduttore. 11. Il processo della rivendicazione 8, caratterizzato dal fatto che il detto strato di siliciuro di palladio viene rimosso dal detto corpo eemiconduttore dopo la diffusione dei detti atomi di platino all’interno del detto corpo semiconduttore. 12. Un processo per la diffusione degli atomi di riduzione del tempo di durata di un metallo pesante in un corpo di silicio contenente delle giunzioni P-N ad una temperatura troppo bassa per deformare le posizioni delle dette giunzioni P-N; il detto processo comprendendo gli stadi di deposizione di un metallo di formazione del siliciuro su una superficie del detto corpo di silicio; il detto metallo di formazione del eiliciuro diffondendo nel silicio ad una temperatura superiore alla temperatura per la quale il detto metallo pesante diffonde nel silicio; e la disposizione di uno strato del detto metallo pesante sul detto metallo di formazione del siliciuro, e quindi riscaldando il detto corpo di silicio ad una prima temperatura sufficiente a formare un siliciuro, per cui gli atomi del detto metallo pesante si disperdono nella massa del detto siliciuro, e successivamente riscaldando il detto corpo di siliciuro ad una seconda e superiore temperatura e per un tempo breve sufficiente per provocare la diffusione dei detti atomi di metallo pesante nel detto corpo di silicio, ma troppo bassa per provocare il movimento delle dette giunzioni P-N entro il detto corpo di silicio. 13. Il processo della rivendicazione 12, caratterizzato dal fatto che il detto siliciuro viene rimosso dal detto corpo di silicio dopo la diffusione dei detti atomi di metallo pesante all’interno del detto corpo di silicio. 14. Il processo della rivendicazione 12, caratterizzato dal fatto che il detto metallo di formazione delsiliciuro è il palladio. 15. Il processo della rivendicazione 12, caratterizzato dal fatto che il detto metallo pesante è il platino. 16. Il processo della rivendicazione 14, caratterizzato dal fatto che il detto metallo pesante è il platino. 17. Il processo della rivendicazione 16, caratterizzato dal fatto che il detto siliciuro viene rimosso dal detto corpo di silìcio dopo la diffusione dei detti atomi di metallo pesante all'interno del detto corpo di silicio. 18. Il processo della rivendicazione 15, caratterizzato dal fatto che là detta seconda temperatura è di circa 900°C. 19. Il processo della rivendicazione 16, caratterizzato dal fatto , che·la detta temperatura è di circa 900°C. 20. Un processo per introdurre atomi di platino in un substrato di silicio per ridurre il tempo di durata del supporto minore comprendente gli stadi di formazione di uno strato di platino sulla superficie posteriore di un substrato di eilicio che ha una configurazione di giunzioni P-N formata sulla sua superficie opposta; ed immediatamente dopo e prima che un ossido possa formarsi fra il detto strato di platino e il detto substrato di silicio, il riscaldamento del detto substrato per formare un siliciuro di platino sulla detta superficie posteriore che è esente dallo strato di ossido operante e successivamente la diffusione degli atomi di platino dal detto sìliciuro nel detto substrato riscaldando il detto substrato ad una temperatura superiore a circa 850°C ma inferiore alla temperatura alla quale le dette giunzioni si spostano entro il detto substrato. 21. Il processo della rivendicazione 20, caratterizzato dal fatto che il detto strato di platino viene formato tramite l’evaporazione a fascio di elettroni. 22. Il processo della rivendicazione 20, caratterizzato dal fatto che il detto substrato viene riscaldato in un’atmosfera di gas di formazione per realizzare il detto siliciuro. 23. Il processo della rivendicazione 21, caratterizzato dal fatto che il detto substrato viene riscaldato in un’atmosfera di gas di formazione per realizzare il detto siliciuro. 24. Il processo della rivendicazione 20, caratterizzato dal fatto che il detto siliciuro viene eliminato dal detto substrato dopo la diffusione degli atomi di platino nel detto substrato. 25. Il processo della rivendicazione 22, caratterizzato dal fatto che il detto siliciuro viene eliminato dal detto substrato dopo la diffusione degli atomi di platino nel detto substrato. Si dichiara che la traduzione precedente è una traduzione fedele della descrizione del brevetto d’invenzione No. 410.323.
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