HU200372B - Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt - Google Patents
Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt Download PDFInfo
- Publication number
- HU200372B HU200372B HU864413A HU441386A HU200372B HU 200372 B HU200372 B HU 200372B HU 864413 A HU864413 A HU 864413A HU 441386 A HU441386 A HU 441386A HU 200372 B HU200372 B HU 200372B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- support column
- chamber
- growth chamber
- support
- melt
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
Description
A találmány tárgya berendezés magas olvadáspontú fémoxid egykristályoknak, például lítiumniobátnak, lítiumtantalátnak, ittriumagyag-gránátnak, zafírnak, rubinnak vagy egyéb anyagoknak olvadékból történd előállítására.
Egykristályok növesztésére ismeretes olyan tégelyes berendezés, amelyben magas olvadáspontú fémoxid egykristályok előállíthatók (lsd. például a 3 865 554 számú US szabadalmi leírást). Az ismert berendezés légmentesen lezárt növesztő kamrát tartalmaz, amelyben olvasztótégely, oltókristály-tartó, induktor, valamint a tégely és a növesztendő kristály hőszigetelésére szolgáló rendszer van elrendezve.
A növesztő kamrába alul és felül vízhűtéssel ellátott rúd van bevezetve. A rudak forgató és mozgató szerkezettel vannak összekapcsolva. Ezek a szerkezetek a kamra felső részében vannak elrendezve, maga a kamra pedig egy állványra van helyezve. A kamra rögzítési módja és felső részének nagy súlya következtében (mint mondottuk itt helyezkedik el a rudakat forgató és mozgató rendszer) a növekvő kristályok viszonylag nagy lengéseknek vannak kitéve, ami minőségüket jelentősen rontja és egyéb nehézségeket is okoz, minthogy a forgató fogaskerekek egyikének magassága nem lehet kisebb, mint a rudazat lökethossza.
Olyan berendezést is alkalmaznak magas olvadáspontú fémoxidokból történő egykristály növesztéshez, amely vízszintesen elhelyezett lemezt, a lemezre merőlegesen rögzített tartóoszlopot és növesztőkamrát tartalmaz. Ilyen berendezést ismertet például az LPA Galaxie Equipment fór the Production of Monocrystals and Epiwaters of Callium Arsenide cég prospektusa. A berendezésben a növesztő kamra felső része konzolon keresztül van az oszloppal összekapcsolva, alsó részét pedig ugyancsak konzol kapcsolja mereven az állványhoz. A kamrában itt is olvaszyótégely és oltókristály-tartó van egy alsó és felső rúdon rögzítve, mégpedig oly módon, hogy a kamrához képest alternáló mozgást és forgást tudjanak végezni. Az alternáló- és forgómozgást előállító szerkezetek az alsó és felső konzolon vannak rögzítve.
A fenti berendezéssel növesztett kristályok azonban szintén nem megfelelő minőségűek, a lítiumniobát kristályok például igen nagy optikai inhomogenitást mutatnak. Ezekben a kristályokban a törési mutató legnagyobb változása Arc = 5x1 θ'5. Ezen túlmenően a kristályok a monodomén szerkezetet csak az oltókristálytól számított mintegy 5-10 mm-en belül tartják meg, innen a növekedés nem zavartalan.
Ismeretes, hogy a törésmutató egyenetlenségét a szennyező elemek egyenlőtlen eloszlása vagy a kristály stöchiometria bizonyos helyeken történő megváltozása okozza. Technológiailag a szabálytalan szenynyező eloszlású csíkok megjelenésének oka elsősorban az olvasztási hőmérséklet ingadozása, a tégelyes növesztő eljárások során. Az ilyen durva csíkok közötti távolság néhány tucattól néhány száz mikrométer lehet. Az ilyen hőmérsékletingadozásokat a tégelyben lévő olvadék minősége határozza meg, az ingadozások periódusa általában néhány perc (A.Ya. Namelsky „Technologie dér Halbleiterstoffe”, Metallurgia, Moszkva, 1972. 158-162 oldalak).
Egy másik ok, amely a réteges anyageloszlást eredményezheti a kristálynövekedés mechaniai feltételeinek be nem tartása. Ilyen lehet az instabil húzási sebesség vagy kristályforgatás, illetve a tégely nem megfelelő sebességű forgatása vagy mozgatása, továbbá a kristálylengések.
Ha a mozgásfeltételek közül egyidejűleg két zavaró tényező jelenkezik, a hővezetés által létrehozott növekedési sávok kialakulása széthullik és természetesen a szennyezők szabálytalan lerakódása is fokozódik (A.Ya. Namelsky „Technologie dér Halbleiterstoffe”, Metallurgia, Moszkva 1972. 158—162. oldalak).
A fokozott optikai inhomogenitás és a kristályok monodomén viselkedési tartományának szűkülése az ismert berendezésekben növesztett kristályok előállítása során a mechanikai növekedési feltételek megsértéséből adódnak. A növesztő kamra az ismert berendezésekben két részből áll. Ezek függőleges irányban szétválaszthatok. A kamra alsó részét az állványhoz erősített alsó konzol tartja, az állvány pedig teleszkópos csőként van kialakítva. A kamra felső része kiegészítő kamrával van ellátva, amely a felső konzol segítségével csatlakozik a teleszkópos oszlopra. A kiegészítő kamra hossza általában nagyobb, mint az alapkamráé. A rúd tömítése a kiegészítő kamra felső részében van elrendezve.
A rúd egy lökete során egy menesztő anyával ellátott csavart motor hajt meg. A munkalöket során a csavar és a motor gyorsuló mozgással hajtja a rudat. Ez olyan motorok alkalmazását teszi szükségessé, amelyek nagy teljesítményűek, ez pedig magában hordozza a lengés veszélyt. A kristálylengések feléptekor a növesztő kamrának a konzolos rögzítése nem segíti elő a lengések gyors lecsengését
A jelen találmánnyal ezért olyan konstrukció kialakítása a célunk magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály előállítás céljára, amelyen a növesztés mechanikai feltételeinek megsértéséből adódó lengések viszonylag gyorsan lecsengenek és ezáltal lehetővé válik a növesztett egykristályok optikai homogenitásának fokozása.
A kitűzött feladatot úgy oldottuk meg, hogy a kristálynövesztő berendezésben, amely vízszintes alaplapot, ezen rögzített függőleges tartóoszlopot, a tartóoszlopra konzollal mereven felerősített növesztőkamrát, valamint a növesztőkamrában elrendezett olvasztótégelyt és oltókristály-tartót tartalmaz, ahol az olvasztótégely és az oltókristály-tartó felső és alsó rúdon van oly módon rögzítve, hogy a növesztőkamra házához képest alternáló- és forgómozgást végezhessenek, a találmány szerint a növesztőkamra alsó része támasztóelemmel az alaplapra mereven rögzített, oly módon, hogy a tartóoszlop, a konzolok, a növesztőkamra és a támasztó az alaplappal együtt zárt, merev keretet alkotnak.
A támasztóelemet célszerű üreges testként kialakítani és belsejében elhelyezni a rudak alternáló- és forgómozgását biztosító szerkezetet.
A találmány szerint kialakított berendezés lehetőve teszi, hogy magas olvadáspontú fémoxidokból igen jó minőségű egykristályokat állítsunk elő, fokozott optikai homogenitással.
Találmányunk alapját az a felismerés képezi, hogy a fellépő lengések gyors lecsengése zárt mechanikai lánc segítségével oldható meg.
A találmány további részleteit kiviteli példán, rajz segítségével ismertetjük. A rajzon az
HU 200372 Β
1. ábra a találmány szerinti berendezés egy célszerű kiviteli alakjának hosszmetszete, a
2. ábra a rudak alternáló- és forgómozgását biztosító szerkezet rajza hosszmetszetben, a
3. ábra a 2. ábra A részlete kinagyítva, a
4. ábra a 2. ábra IV-IV metszete nagyítva, az
5. ábra a 2. ábra V-V metszete és a
6. ábra az 5. ábra VI-VI metszete.
Az 1. ábrán látható egykristály növesztő berendezés alkalmas magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály növesztésére. A berendezés 1 alaplapján függőleges 2 állvány van elrendezve. A 2 állványban azzal egytengelyűén 3 tartóoszlop van rögzítve. A 3 tartóoszlop felső végéhez 4 konzol csatlakozik, erre pedig 5 növesztőkamra van felfüggesztve. Az 5 növesztőkamra alsó része 6 támasztón keresztül csatlakozik az 1 alaplaphoz. Ily módon az 1 alaplap, a 2 állvány és 3 tartóoszlop, valamint a 4 konzol, az 5 növesztőkamra és a 6 támasztó zárt merev rendszert, keretet képez.
Az 5 növesztőkamra henger alakú 7 házból, 8 fedélből, 9 fenéklapból és 11 megfigyelőablakkal ellátott 10 ajtóból áll. Belsejében 12 olvasztótégely van 13 alsó rúdra felerősítve. A 12 olvasztótégelyben 14 olvadék van, amelyből 15 egykristályt növesztünk. Ez beoltókristály tartóhoz van erősítve, amely viszont felső rúdhoz csatlakozik. A 13 alsó és 17 felső rudak úgy vannak elrendezve, hogy az 5 növesztőkamra 7 házához viszonyított alternáló mozgásuk saját geometriai tengelyük mentén történik. Ugyanez a geometriai tengely képezi forgástengelyüket is.
Az 5 növesztőkamrában 18 induktor is található, mégpedig a 12 olvasztótégely körül elrendezve. Ez szolgál hevítőegységként és hozza létre a 14 olvadékot. A 12 olvasztótégely és a 18 induktor között 19 szigetelő ernyő van.
A 17 felső rúd mozgatását 20 hajtómű végzi. Ez ugyancsak a 4 konzolra van erősítve. Hasonló 21 hajtómű gondoskodik a 13 alsó· rúd alternáló és forgó mozgásáról. Ez utóbbi a 6 támasztón belül van elrendezve.
A 2., 3. és 4. ábra mutatja a 20 hajtómű egy lehetséges kiviteli alakját. A 21 hajtómű konstrukciója hasonló lehet.
A 20 hajtómű 22 golyóbetétes mozgató csavarszerkezettel van ellátva, amely 23 mozgató orsót, két 24 anyát és egy, a 24 anyákat befogadó 25 perselyt tartalmaz. A 23 mozgató orsó és a 24 anyák homorú profilú menetei között 26 golyók vannak elrendezve.
A 23 mozgató orsó a 20 hajtómű 28 házában lévő 27 csapágyak között van elrendezve. A 25 persely 29 szánra van erősítve, 30 csapok segítségével. A 30 csapok a 29 szánon kialakított 31 hornyokba illeszkednek. Ezek a 31 hornyok szélesebbek, mint a 30 csapok átmérője, annak érdekében, hogy a 25 persely a 24 anyákkal a 29 szánhoz képest el tudjon mozdulni.
A 29 szán 32 görőkkel van ellátva és ezek a 28 házba erősített 33 oszopon vezetik a 29 szánt.
A 23 mozgató orsó egyik végén 34 elektromágneses tengelykapcsoló van elrendezve és ez 35, valamint 36 fogaskerekeken át kapcsolódik a 37 hajtóműhöz, amely viszont 38 motorra van erősítve. Ez biztosítja az üzemelés során a 17 felső rúd gyorsuló mozgását.
A 23 mozgató orsó másik végén is 39 elektromágneses tengelykapcsoló van. Ez 40 és 41 fogaskerekeken, valamint 42 hajtóművön át kapcsolódik a 43 motorhoz, amely az üzemelés során a 17 felső rúd előtolásáról gondoskodik.
A 42 hajtómű különböző egységekből van kialakítva, ami lehetővé teszi egy olyan mértékű áttétel megvalósítását, amely a kristálynövesztéshez szükséges. A különböző modulok* cseréjével különböző, az adott kristálynövekedéshez szükséges előtolások valósíthatók meg.
A 17 felső rúd forgómozgását a 44 motorról nyeri, amely 45 hajtóművön és 46 fogaskeréken keresztül kapcsolódik a 47 tengelyhez, amelyen viszont olyan 48 fogaskerék van elrendezve, amely a 47 tengely palástjába munkált 49 horony által vezetve hosszirányban elmozdítható. Ez a 48 fogaskerék kapcsolódik egy olyen 50 fogaskerékhez, amely a 17 felső rúdon mereven van rögzítve. A 17 felső rúd vége ugyanakkor olyan 51 csapágyban van ágyazva, amely a 29 szánra erősített házban van elrendezve.
Az 5. és 6. ábrák a 13 alsó és 17 felső rúd konstrukcióját szemléltetik. Ezek két egytengelyű 52 és 53 csőből állnak, ahol a közbülső gyűrű alakú térben két 54 sugárirányú válaszfal és egy 55 félgyűrű van elhelyezve. Ezek a 13 alsó, illetve 17 felső rudakat alkotó 52 és 53 csövek közötti teret 56 és 57 rekeszekre osztják. Az 55 félgyűrű felett a külső 52 csőre 58 csatlakozócsonk van hegesztve. Ez az 57 rekesszel van kapcsolatban és így ebbe a részbe vezet hűtőközeget. Az 55 félgyűrű alatt az 52 csőre 59 csonk van hegesztve, amely viszont az 56 rekeszből vezeti el a hűtővizet.
Az 53 cső 60 belső terében 61 vonórúd helyezkedik el. Ennek egyik vége 62 jeladóhoz, másik vége a 16 beoltó kristálytartóhoz van erősítve.
A tatálmány szerinti berendezés a következőképpen működik.
A 18 induktoron, a 13 alsó és 17 felső rúdon, valamint az 5 növesztőkamra hűtőrendszerén át hűtővizet vezetünk. A 12 tégelyt felerősítjük a 13 alsó rúdra, majd a 18 induktorba nagyfrekvanciát indukálunk. A feszültséget mindaddig növeljük, amíg a 12 tégelyben az anyag teljesen megolvad. Ezután bekapcsoljuk a 38 motort, amely a beoltókristály gyorsuló mozgását beindítja. A 37 hajtóművön, a 35 fogaskeréken és a 34 elektromágneses tengelykapcsolón át a 38 motorról forgásba hozzuk a 23 mozgató orsót, amely a 24 anyákat lefelé mozgatja. Ennek megfelelően a 25 persely és a 29 szán is lefelé mozog. Közben a 31 hornyokban elcsúszó 30 csapok csillapítják a mozgás során keletkező lengéseket
A 29 szán a 32 görgőkön legördül a 33 oszlopon és ezzel a 17 felső rudat lefelé mozgatja. Miután a beoltókristály olyan helyzetet ért el, ahol már csak néhány mm választja el a 14 olvadéktól, a 38 motort kikapcsoljuk. Bekapcsoljuk viszont a 44 motort, amely a 45 hajtóművön és a 46 fogaskeréken át a 47 tengelyt forgatni kezdi, amely viszont a 49 horonyban mozgó 48 fogaskeréken át meghajtja a 17 felső rúdra erősített 50 fogaskereket.
Ekkor a 34 elektromágneses tengelykapcsolót kioldjuk, amikoris a 23 mozgató orsó leválik a 38 motorról. Ugyanakkor bekapcsoljuk a 39 elektromágneses tengelykapcsolót, amely viszont a 43 motorral
HU 200372 Β kapcsolja össze a 23 mozgató orsót. A 43 motor a 17 felső rudat addig mozgatja lefelé, amíg a beoltó kristály az olvadékba nyúlik. Akkor a 17 felső rudat a 43 motorral elkezdjük lassan felfelé mozgatni és megkezdjük a 15 egykristály növesztését.
A 15 egykristály az 5. ábrán látható 61 vonórúdon át húzóerőt fejt ki a 62 jeladóra. Ezt a jelet a rajzon nem látható számítógépes egységbe továbbítjuk, ahol az referenciajelként működik a folyamat szabályozásában.
Az olvadékok tulajdonságaitól függően lehet a 12 tégely mozgását is a 21 hajtómű segítségével ugyanilyen módon biztosítani.
Az üzemelés során a hűtővizet az 5. ábrán látható 58 csatlakozócsonkon át vezetjük be. Onnan a folyadék az 52 és 53 csövek közötti térben lefeléáramlik, majd 54 sugárirányú válaszfalak másik oldalán felfelé halad, végül az 59 csonkon lép ki.
A találmány szerinti berendezés tehát az 1 alaplap, a 2 állvány, a 3 tartóoszlop, a 4 konzol, az 5 növesztőkamra és a 6 támasztó által alkotott merev keretet tartalmaz, amely csökkenti a berendezésben keletkező lengések átvitelét a 20, 21 hajtóművekről a 15 egykristályra. Ennek megfelelően a találmány szerinti berendezéssel a korábbinál lényegesen jobb optikai tulajdonságú egykristályok készíthetők.
Az elektromágneses tengelykapcsolók alkalmazásával lehetővé válik a golyóbetétes mozgató csavarszerkezet leválasztása a meghajtómotorról, és így a hagyományos megoldásokkal ellentétben a motor terhelése nem befolyásolja az előtolást.
Ugyancsak hozzájárul a mechanikai zavaró körülmények csökkentéséhez a golyóbetétes mozgató csavarszerkezet konstrukciója, amelyben a két anya egymáshoz képest 5-8 kg-cm nyomatékkai van meghúzva. Az anyák ezenkívül olyan perselyben vannal elrendezve, amelynek csapjai a mozgató orsó és a szán irányára merőleges síkban fekszenek. Ezáltal a szán önbeállása válik lehetővé. További előnyt jelent, hogy a rudakat két egytengelyű csőből alakítottuk ki, így olyan hűtőközeg-járatokat tartalmaznak, amelyekben a hűtőközeg egészen a beoltókristály tartóig lefolyik, majd onnan visszafelé áramlik, azaz igen hatékony hűtést biztosít. Ez teszi lehetővé, hogy az alkalmazott rudak átmérőjét is csökkenteni lehessen, ami viszont tovább csökkenti a motor terhelését és ezáltal az egyes alkatrészek berezgésének lehetőségét
Mindezen előnyök következtében a találmány szerinti berendezés lehetővé teszi magas olvadáspontú fémoxidokból olyan jó minőségű egykristályok előállítását, amelyekben jelentős mértékben csökken a kristályok lineáris struktúrája és a doménszám.
A törésmutató lokális egyenetlenségei például lítiumniobát egykristály esetében öt-nyolcszoros értékkel csökkennek, míg a monodomén struktúrájú szakaszok hossza négy-hatszorosára növekszik.
A találmány szerinti berendezés különösen alkalmas olyan magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály növesztésre, mint a lítiumniobat, lítiumtantalát, ittriumagyag-gránát, zafír, rubin és más hasonló anyagok.
Claims (2)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Berendezés magas olvadáspontú fémoxid egykristályoknak olvadékból történő növesztésére, amely berendezés vízszintes alaplapot, az alaplapon rögzített függőleges állványt és tartóoszlopot, a tartóoszlopra konzol segítségével mereven rögzített növesztő kamrát tartalmaz, ahol a növesztő kamrában olvasztótégely és beoltókristály tartó van alsó és felső rúdon rögzítve oly módon, hogy a növesztő kamra házához képest alternáló- és forgómozgást végezhetnek, azzal jellemezve, hogy a növesztő kamra (5) alsó része az alaplaphoz (1) kapcsolt támasztóval (6) van mereven összekötve, oly módon, hogy az állvány (2) és a tartóoszlop (3), valamint a konzol (4), a növesztő kamra (5), a támasztó (6) és az alaplap (1) zárt, merev keretet képez.
- 2. Az 1. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a támasztó (6) üreges testként van kialakítva és benne az alsó rúd (13) mozgatására szolgáló hajtómű (21) van elrendezve.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853946561A SU1397555A1 (ru) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | Установка дл выращивани монокристаллов тугоплавких окислов из расплава |
PCT/SU1986/000076 WO1987000870A1 (en) | 1985-08-09 | 1986-08-06 | Device for growing monocrystals of refractory metal oxides from the melt |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
HUT45282A HUT45282A (en) | 1988-06-28 |
HU200372B true HU200372B (en) | 1990-05-28 |
Family
ID=21194995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
HU864413A HU200372B (en) | 1985-08-09 | 1986-08-06 | Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0233950A4 (hu) |
BG (1) | BG45486A1 (hu) |
CS (1) | CS271245B1 (hu) |
DD (1) | DD273556A3 (hu) |
HU (1) | HU200372B (hu) |
SU (1) | SU1397555A1 (hu) |
WO (1) | WO1987000870A1 (hu) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04260686A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上装置 |
CN102286782A (zh) * | 2011-09-15 | 2011-12-21 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长方法 |
US9225565B2 (en) | 2012-03-20 | 2015-12-29 | Intel Deutschland Gmbh | Device for generating a vector-modulated output signal and method for generating a vector-modulated output signal |
RU2555481C1 (ru) * | 2014-02-14 | 2015-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук | Установка для выращивания монокристаллов сапфира методом киропулоса |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3359077A (en) * | 1964-05-25 | 1967-12-19 | Globe Union Inc | Method of growing a crystal |
FR1542742A (fr) * | 1966-09-08 | 1968-10-18 | Siemens Ag | Dispositif pour tirage de cristaux |
US3865554A (en) * | 1971-09-23 | 1975-02-11 | Little Inc A | Pressure-and temperature-controlled apparatus for large-scale production of crystals by the czochralski technique |
US4302280A (en) * | 1978-11-14 | 1981-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions |
FR2551470B1 (fr) * | 1983-09-06 | 1985-11-08 | Crismatec | Tete de tirage de monocristaux |
-
1985
- 1985-08-09 SU SU853946561A patent/SU1397555A1/ru active
-
1986
- 1986-07-21 BG BG7579686A patent/BG45486A1/xx unknown
- 1986-07-22 DD DD29271386A patent/DD273556A3/de not_active IP Right Cessation
- 1986-07-22 CS CS865569A patent/CS271245B1/cs unknown
- 1986-08-06 EP EP19860905484 patent/EP0233950A4/de not_active Withdrawn
- 1986-08-06 WO PCT/SU1986/000076 patent/WO1987000870A1/ru not_active Application Discontinuation
- 1986-08-06 HU HU864413A patent/HU200372B/hu not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0233950A4 (de) | 1988-11-23 |
DD273556A3 (de) | 1989-11-22 |
HUT45282A (en) | 1988-06-28 |
CS556986A1 (en) | 1989-08-14 |
BG45486A1 (hu) | 1989-06-15 |
EP0233950A1 (de) | 1987-09-02 |
CS271245B1 (en) | 1990-09-12 |
WO1987000870A1 (en) | 1987-02-12 |
SU1397555A1 (ru) | 1988-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2752308A1 (de) | Vorrichtung zum zuechten von einkristallen aus einer schmelze bei zufuehrung von zerkleinertem chargenmaterial | |
EP0290629A1 (de) | Anordnung zur züchtung profilierter monokristalle | |
CH530818A (de) | Verfahren zum Züchten von langgestreckten einkristallinen Körpern und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE2240788A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen von kristallen nach dem czochralski-verfahren | |
HU200372B (en) | Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt | |
DE68921442T2 (de) | Vorrichtung zur Ziehung von Einkristallstangen. | |
EP1147248B1 (de) | Vorrichtung zur herstellung von einkristallen | |
EP0758689A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen | |
US3652230A (en) | Crystallization apparatus with vertical helical conveyor | |
DE3017016A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von monokristallinem silicium in bandform | |
DE2635373C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Züchtung von Einkristallen bestimmter Form | |
DE2245250A1 (de) | Vorrichtung zum ziehen von kristallen, vorzugsweise einkristallen aus der schmelze | |
DE3644746A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum zuechten von kristallen | |
DE10194625B3 (de) | Vorrichtung zum Züchten eines Kristalls | |
DE1519912B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von versetzungsfreiem,einkristallinem Halbleitermaterial | |
EP0569715B1 (de) | Verfahren zur Herstellung rohrförmiger Formteile aus Hochtemperatur-Supraleiter-Material | |
DE102020127336B4 (de) | Halbleiterkristallwachstumsvorrichtung | |
DE1251721B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteiknstallen vorzugsweise Halbleiteremknstallen mit einstellbarer, beispielsweise konstanter Fremdstoffkonzentration | |
EP2504470B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen aus halbleitermaterial | |
DE69016317T2 (de) | Einkristallziehungsapparat. | |
DE2759050A1 (de) | Einrichtung zur zuechtung von einkristallen aus der schmelze | |
CN206986328U (zh) | 泡生法单晶炉装置 | |
JP2933517B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
CH637698A5 (en) | Appliance for pulling a single crystal from a melt on a seed crystal | |
CH633323A5 (en) | Device for growing single crystals from a melt |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HU90 | Patent valid on 900628 | ||
HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |