HU200372B - Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt - Google Patents

Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt Download PDF

Info

Publication number
HU200372B
HU200372B HU864413A HU441386A HU200372B HU 200372 B HU200372 B HU 200372B HU 864413 A HU864413 A HU 864413A HU 441386 A HU441386 A HU 441386A HU 200372 B HU200372 B HU 200372B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
support column
chamber
growth chamber
support
melt
Prior art date
Application number
HU864413A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
HUT45282A (en
Inventor
Jury A Osipian
Vitaly A Tatarchenko
Nikolai I Kozin
Georgy S Medko
Alexandr M Avrutik
Sergei N Rossolenko
Original Assignee
Inst Fiz Tverdogo Tela An
Np Pred Optika Lazernaya Tekh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Fiz Tverdogo Tela An, Np Pred Optika Lazernaya Tekh filed Critical Inst Fiz Tverdogo Tela An
Publication of HUT45282A publication Critical patent/HUT45282A/hu
Publication of HU200372B publication Critical patent/HU200372B/hu

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)

Description

A találmány tárgya berendezés magas olvadáspontú fémoxid egykristályoknak, például lítiumniobátnak, lítiumtantalátnak, ittriumagyag-gránátnak, zafírnak, rubinnak vagy egyéb anyagoknak olvadékból történd előállítására.
Egykristályok növesztésére ismeretes olyan tégelyes berendezés, amelyben magas olvadáspontú fémoxid egykristályok előállíthatók (lsd. például a 3 865 554 számú US szabadalmi leírást). Az ismert berendezés légmentesen lezárt növesztő kamrát tartalmaz, amelyben olvasztótégely, oltókristály-tartó, induktor, valamint a tégely és a növesztendő kristály hőszigetelésére szolgáló rendszer van elrendezve.
A növesztő kamrába alul és felül vízhűtéssel ellátott rúd van bevezetve. A rudak forgató és mozgató szerkezettel vannak összekapcsolva. Ezek a szerkezetek a kamra felső részében vannak elrendezve, maga a kamra pedig egy állványra van helyezve. A kamra rögzítési módja és felső részének nagy súlya következtében (mint mondottuk itt helyezkedik el a rudakat forgató és mozgató rendszer) a növekvő kristályok viszonylag nagy lengéseknek vannak kitéve, ami minőségüket jelentősen rontja és egyéb nehézségeket is okoz, minthogy a forgató fogaskerekek egyikének magassága nem lehet kisebb, mint a rudazat lökethossza.
Olyan berendezést is alkalmaznak magas olvadáspontú fémoxidokból történő egykristály növesztéshez, amely vízszintesen elhelyezett lemezt, a lemezre merőlegesen rögzített tartóoszlopot és növesztőkamrát tartalmaz. Ilyen berendezést ismertet például az LPA Galaxie Equipment fór the Production of Monocrystals and Epiwaters of Callium Arsenide cég prospektusa. A berendezésben a növesztő kamra felső része konzolon keresztül van az oszloppal összekapcsolva, alsó részét pedig ugyancsak konzol kapcsolja mereven az állványhoz. A kamrában itt is olvaszyótégely és oltókristály-tartó van egy alsó és felső rúdon rögzítve, mégpedig oly módon, hogy a kamrához képest alternáló mozgást és forgást tudjanak végezni. Az alternáló- és forgómozgást előállító szerkezetek az alsó és felső konzolon vannak rögzítve.
A fenti berendezéssel növesztett kristályok azonban szintén nem megfelelő minőségűek, a lítiumniobát kristályok például igen nagy optikai inhomogenitást mutatnak. Ezekben a kristályokban a törési mutató legnagyobb változása Arc = 5x1 θ'5. Ezen túlmenően a kristályok a monodomén szerkezetet csak az oltókristálytól számított mintegy 5-10 mm-en belül tartják meg, innen a növekedés nem zavartalan.
Ismeretes, hogy a törésmutató egyenetlenségét a szennyező elemek egyenlőtlen eloszlása vagy a kristály stöchiometria bizonyos helyeken történő megváltozása okozza. Technológiailag a szabálytalan szenynyező eloszlású csíkok megjelenésének oka elsősorban az olvasztási hőmérséklet ingadozása, a tégelyes növesztő eljárások során. Az ilyen durva csíkok közötti távolság néhány tucattól néhány száz mikrométer lehet. Az ilyen hőmérsékletingadozásokat a tégelyben lévő olvadék minősége határozza meg, az ingadozások periódusa általában néhány perc (A.Ya. Namelsky „Technologie dér Halbleiterstoffe”, Metallurgia, Moszkva, 1972. 158-162 oldalak).
Egy másik ok, amely a réteges anyageloszlást eredményezheti a kristálynövekedés mechaniai feltételeinek be nem tartása. Ilyen lehet az instabil húzási sebesség vagy kristályforgatás, illetve a tégely nem megfelelő sebességű forgatása vagy mozgatása, továbbá a kristálylengések.
Ha a mozgásfeltételek közül egyidejűleg két zavaró tényező jelenkezik, a hővezetés által létrehozott növekedési sávok kialakulása széthullik és természetesen a szennyezők szabálytalan lerakódása is fokozódik (A.Ya. Namelsky „Technologie dér Halbleiterstoffe”, Metallurgia, Moszkva 1972. 158—162. oldalak).
A fokozott optikai inhomogenitás és a kristályok monodomén viselkedési tartományának szűkülése az ismert berendezésekben növesztett kristályok előállítása során a mechanikai növekedési feltételek megsértéséből adódnak. A növesztő kamra az ismert berendezésekben két részből áll. Ezek függőleges irányban szétválaszthatok. A kamra alsó részét az állványhoz erősített alsó konzol tartja, az állvány pedig teleszkópos csőként van kialakítva. A kamra felső része kiegészítő kamrával van ellátva, amely a felső konzol segítségével csatlakozik a teleszkópos oszlopra. A kiegészítő kamra hossza általában nagyobb, mint az alapkamráé. A rúd tömítése a kiegészítő kamra felső részében van elrendezve.
A rúd egy lökete során egy menesztő anyával ellátott csavart motor hajt meg. A munkalöket során a csavar és a motor gyorsuló mozgással hajtja a rudat. Ez olyan motorok alkalmazását teszi szükségessé, amelyek nagy teljesítményűek, ez pedig magában hordozza a lengés veszélyt. A kristálylengések feléptekor a növesztő kamrának a konzolos rögzítése nem segíti elő a lengések gyors lecsengését
A jelen találmánnyal ezért olyan konstrukció kialakítása a célunk magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály előállítás céljára, amelyen a növesztés mechanikai feltételeinek megsértéséből adódó lengések viszonylag gyorsan lecsengenek és ezáltal lehetővé válik a növesztett egykristályok optikai homogenitásának fokozása.
A kitűzött feladatot úgy oldottuk meg, hogy a kristálynövesztő berendezésben, amely vízszintes alaplapot, ezen rögzített függőleges tartóoszlopot, a tartóoszlopra konzollal mereven felerősített növesztőkamrát, valamint a növesztőkamrában elrendezett olvasztótégelyt és oltókristály-tartót tartalmaz, ahol az olvasztótégely és az oltókristály-tartó felső és alsó rúdon van oly módon rögzítve, hogy a növesztőkamra házához képest alternáló- és forgómozgást végezhessenek, a találmány szerint a növesztőkamra alsó része támasztóelemmel az alaplapra mereven rögzített, oly módon, hogy a tartóoszlop, a konzolok, a növesztőkamra és a támasztó az alaplappal együtt zárt, merev keretet alkotnak.
A támasztóelemet célszerű üreges testként kialakítani és belsejében elhelyezni a rudak alternáló- és forgómozgását biztosító szerkezetet.
A találmány szerint kialakított berendezés lehetőve teszi, hogy magas olvadáspontú fémoxidokból igen jó minőségű egykristályokat állítsunk elő, fokozott optikai homogenitással.
Találmányunk alapját az a felismerés képezi, hogy a fellépő lengések gyors lecsengése zárt mechanikai lánc segítségével oldható meg.
A találmány további részleteit kiviteli példán, rajz segítségével ismertetjük. A rajzon az
HU 200372 Β
1. ábra a találmány szerinti berendezés egy célszerű kiviteli alakjának hosszmetszete, a
2. ábra a rudak alternáló- és forgómozgását biztosító szerkezet rajza hosszmetszetben, a
3. ábra a 2. ábra A részlete kinagyítva, a
4. ábra a 2. ábra IV-IV metszete nagyítva, az
5. ábra a 2. ábra V-V metszete és a
6. ábra az 5. ábra VI-VI metszete.
Az 1. ábrán látható egykristály növesztő berendezés alkalmas magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály növesztésére. A berendezés 1 alaplapján függőleges 2 állvány van elrendezve. A 2 állványban azzal egytengelyűén 3 tartóoszlop van rögzítve. A 3 tartóoszlop felső végéhez 4 konzol csatlakozik, erre pedig 5 növesztőkamra van felfüggesztve. Az 5 növesztőkamra alsó része 6 támasztón keresztül csatlakozik az 1 alaplaphoz. Ily módon az 1 alaplap, a 2 állvány és 3 tartóoszlop, valamint a 4 konzol, az 5 növesztőkamra és a 6 támasztó zárt merev rendszert, keretet képez.
Az 5 növesztőkamra henger alakú 7 házból, 8 fedélből, 9 fenéklapból és 11 megfigyelőablakkal ellátott 10 ajtóból áll. Belsejében 12 olvasztótégely van 13 alsó rúdra felerősítve. A 12 olvasztótégelyben 14 olvadék van, amelyből 15 egykristályt növesztünk. Ez beoltókristály tartóhoz van erősítve, amely viszont felső rúdhoz csatlakozik. A 13 alsó és 17 felső rudak úgy vannak elrendezve, hogy az 5 növesztőkamra 7 házához viszonyított alternáló mozgásuk saját geometriai tengelyük mentén történik. Ugyanez a geometriai tengely képezi forgástengelyüket is.
Az 5 növesztőkamrában 18 induktor is található, mégpedig a 12 olvasztótégely körül elrendezve. Ez szolgál hevítőegységként és hozza létre a 14 olvadékot. A 12 olvasztótégely és a 18 induktor között 19 szigetelő ernyő van.
A 17 felső rúd mozgatását 20 hajtómű végzi. Ez ugyancsak a 4 konzolra van erősítve. Hasonló 21 hajtómű gondoskodik a 13 alsó· rúd alternáló és forgó mozgásáról. Ez utóbbi a 6 támasztón belül van elrendezve.
A 2., 3. és 4. ábra mutatja a 20 hajtómű egy lehetséges kiviteli alakját. A 21 hajtómű konstrukciója hasonló lehet.
A 20 hajtómű 22 golyóbetétes mozgató csavarszerkezettel van ellátva, amely 23 mozgató orsót, két 24 anyát és egy, a 24 anyákat befogadó 25 perselyt tartalmaz. A 23 mozgató orsó és a 24 anyák homorú profilú menetei között 26 golyók vannak elrendezve.
A 23 mozgató orsó a 20 hajtómű 28 házában lévő 27 csapágyak között van elrendezve. A 25 persely 29 szánra van erősítve, 30 csapok segítségével. A 30 csapok a 29 szánon kialakított 31 hornyokba illeszkednek. Ezek a 31 hornyok szélesebbek, mint a 30 csapok átmérője, annak érdekében, hogy a 25 persely a 24 anyákkal a 29 szánhoz képest el tudjon mozdulni.
A 29 szán 32 görőkkel van ellátva és ezek a 28 házba erősített 33 oszopon vezetik a 29 szánt.
A 23 mozgató orsó egyik végén 34 elektromágneses tengelykapcsoló van elrendezve és ez 35, valamint 36 fogaskerekeken át kapcsolódik a 37 hajtóműhöz, amely viszont 38 motorra van erősítve. Ez biztosítja az üzemelés során a 17 felső rúd gyorsuló mozgását.
A 23 mozgató orsó másik végén is 39 elektromágneses tengelykapcsoló van. Ez 40 és 41 fogaskerekeken, valamint 42 hajtóművön át kapcsolódik a 43 motorhoz, amely az üzemelés során a 17 felső rúd előtolásáról gondoskodik.
A 42 hajtómű különböző egységekből van kialakítva, ami lehetővé teszi egy olyan mértékű áttétel megvalósítását, amely a kristálynövesztéshez szükséges. A különböző modulok* cseréjével különböző, az adott kristálynövekedéshez szükséges előtolások valósíthatók meg.
A 17 felső rúd forgómozgását a 44 motorról nyeri, amely 45 hajtóművön és 46 fogaskeréken keresztül kapcsolódik a 47 tengelyhez, amelyen viszont olyan 48 fogaskerék van elrendezve, amely a 47 tengely palástjába munkált 49 horony által vezetve hosszirányban elmozdítható. Ez a 48 fogaskerék kapcsolódik egy olyen 50 fogaskerékhez, amely a 17 felső rúdon mereven van rögzítve. A 17 felső rúd vége ugyanakkor olyan 51 csapágyban van ágyazva, amely a 29 szánra erősített házban van elrendezve.
Az 5. és 6. ábrák a 13 alsó és 17 felső rúd konstrukcióját szemléltetik. Ezek két egytengelyű 52 és 53 csőből állnak, ahol a közbülső gyűrű alakú térben két 54 sugárirányú válaszfal és egy 55 félgyűrű van elhelyezve. Ezek a 13 alsó, illetve 17 felső rudakat alkotó 52 és 53 csövek közötti teret 56 és 57 rekeszekre osztják. Az 55 félgyűrű felett a külső 52 csőre 58 csatlakozócsonk van hegesztve. Ez az 57 rekesszel van kapcsolatban és így ebbe a részbe vezet hűtőközeget. Az 55 félgyűrű alatt az 52 csőre 59 csonk van hegesztve, amely viszont az 56 rekeszből vezeti el a hűtővizet.
Az 53 cső 60 belső terében 61 vonórúd helyezkedik el. Ennek egyik vége 62 jeladóhoz, másik vége a 16 beoltó kristálytartóhoz van erősítve.
A tatálmány szerinti berendezés a következőképpen működik.
A 18 induktoron, a 13 alsó és 17 felső rúdon, valamint az 5 növesztőkamra hűtőrendszerén át hűtővizet vezetünk. A 12 tégelyt felerősítjük a 13 alsó rúdra, majd a 18 induktorba nagyfrekvanciát indukálunk. A feszültséget mindaddig növeljük, amíg a 12 tégelyben az anyag teljesen megolvad. Ezután bekapcsoljuk a 38 motort, amely a beoltókristály gyorsuló mozgását beindítja. A 37 hajtóművön, a 35 fogaskeréken és a 34 elektromágneses tengelykapcsolón át a 38 motorról forgásba hozzuk a 23 mozgató orsót, amely a 24 anyákat lefelé mozgatja. Ennek megfelelően a 25 persely és a 29 szán is lefelé mozog. Közben a 31 hornyokban elcsúszó 30 csapok csillapítják a mozgás során keletkező lengéseket
A 29 szán a 32 görgőkön legördül a 33 oszlopon és ezzel a 17 felső rudat lefelé mozgatja. Miután a beoltókristály olyan helyzetet ért el, ahol már csak néhány mm választja el a 14 olvadéktól, a 38 motort kikapcsoljuk. Bekapcsoljuk viszont a 44 motort, amely a 45 hajtóművön és a 46 fogaskeréken át a 47 tengelyt forgatni kezdi, amely viszont a 49 horonyban mozgó 48 fogaskeréken át meghajtja a 17 felső rúdra erősített 50 fogaskereket.
Ekkor a 34 elektromágneses tengelykapcsolót kioldjuk, amikoris a 23 mozgató orsó leválik a 38 motorról. Ugyanakkor bekapcsoljuk a 39 elektromágneses tengelykapcsolót, amely viszont a 43 motorral
HU 200372 Β kapcsolja össze a 23 mozgató orsót. A 43 motor a 17 felső rudat addig mozgatja lefelé, amíg a beoltó kristály az olvadékba nyúlik. Akkor a 17 felső rudat a 43 motorral elkezdjük lassan felfelé mozgatni és megkezdjük a 15 egykristály növesztését.
A 15 egykristály az 5. ábrán látható 61 vonórúdon át húzóerőt fejt ki a 62 jeladóra. Ezt a jelet a rajzon nem látható számítógépes egységbe továbbítjuk, ahol az referenciajelként működik a folyamat szabályozásában.
Az olvadékok tulajdonságaitól függően lehet a 12 tégely mozgását is a 21 hajtómű segítségével ugyanilyen módon biztosítani.
Az üzemelés során a hűtővizet az 5. ábrán látható 58 csatlakozócsonkon át vezetjük be. Onnan a folyadék az 52 és 53 csövek közötti térben lefeléáramlik, majd 54 sugárirányú válaszfalak másik oldalán felfelé halad, végül az 59 csonkon lép ki.
A találmány szerinti berendezés tehát az 1 alaplap, a 2 állvány, a 3 tartóoszlop, a 4 konzol, az 5 növesztőkamra és a 6 támasztó által alkotott merev keretet tartalmaz, amely csökkenti a berendezésben keletkező lengések átvitelét a 20, 21 hajtóművekről a 15 egykristályra. Ennek megfelelően a találmány szerinti berendezéssel a korábbinál lényegesen jobb optikai tulajdonságú egykristályok készíthetők.
Az elektromágneses tengelykapcsolók alkalmazásával lehetővé válik a golyóbetétes mozgató csavarszerkezet leválasztása a meghajtómotorról, és így a hagyományos megoldásokkal ellentétben a motor terhelése nem befolyásolja az előtolást.
Ugyancsak hozzájárul a mechanikai zavaró körülmények csökkentéséhez a golyóbetétes mozgató csavarszerkezet konstrukciója, amelyben a két anya egymáshoz képest 5-8 kg-cm nyomatékkai van meghúzva. Az anyák ezenkívül olyan perselyben vannal elrendezve, amelynek csapjai a mozgató orsó és a szán irányára merőleges síkban fekszenek. Ezáltal a szán önbeállása válik lehetővé. További előnyt jelent, hogy a rudakat két egytengelyű csőből alakítottuk ki, így olyan hűtőközeg-járatokat tartalmaznak, amelyekben a hűtőközeg egészen a beoltókristály tartóig lefolyik, majd onnan visszafelé áramlik, azaz igen hatékony hűtést biztosít. Ez teszi lehetővé, hogy az alkalmazott rudak átmérőjét is csökkenteni lehessen, ami viszont tovább csökkenti a motor terhelését és ezáltal az egyes alkatrészek berezgésének lehetőségét
Mindezen előnyök következtében a találmány szerinti berendezés lehetővé teszi magas olvadáspontú fémoxidokból olyan jó minőségű egykristályok előállítását, amelyekben jelentős mértékben csökken a kristályok lineáris struktúrája és a doménszám.
A törésmutató lokális egyenetlenségei például lítiumniobát egykristály esetében öt-nyolcszoros értékkel csökkennek, míg a monodomén struktúrájú szakaszok hossza négy-hatszorosára növekszik.
A találmány szerinti berendezés különösen alkalmas olyan magas olvadáspontú fémoxidok olvadékából történő egykristály növesztésre, mint a lítiumniobat, lítiumtantalát, ittriumagyag-gránát, zafír, rubin és más hasonló anyagok.

Claims (2)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Berendezés magas olvadáspontú fémoxid egykristályoknak olvadékból történő növesztésére, amely berendezés vízszintes alaplapot, az alaplapon rögzített függőleges állványt és tartóoszlopot, a tartóoszlopra konzol segítségével mereven rögzített növesztő kamrát tartalmaz, ahol a növesztő kamrában olvasztótégely és beoltókristály tartó van alsó és felső rúdon rögzítve oly módon, hogy a növesztő kamra házához képest alternáló- és forgómozgást végezhetnek, azzal jellemezve, hogy a növesztő kamra (5) alsó része az alaplaphoz (1) kapcsolt támasztóval (6) van mereven összekötve, oly módon, hogy az állvány (2) és a tartóoszlop (3), valamint a konzol (4), a növesztő kamra (5), a támasztó (6) és az alaplap (1) zárt, merev keretet képez.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a támasztó (6) üreges testként van kialakítva és benne az alsó rúd (13) mozgatására szolgáló hajtómű (21) van elrendezve.
HU864413A 1985-08-09 1986-08-06 Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt HU200372B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853946561A SU1397555A1 (ru) 1985-08-09 1985-08-09 Установка дл выращивани монокристаллов тугоплавких окислов из расплава
PCT/SU1986/000076 WO1987000870A1 (en) 1985-08-09 1986-08-06 Device for growing monocrystals of refractory metal oxides from the melt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HUT45282A HUT45282A (en) 1988-06-28
HU200372B true HU200372B (en) 1990-05-28

Family

ID=21194995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU864413A HU200372B (en) 1985-08-09 1986-08-06 Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0233950A4 (hu)
BG (1) BG45486A1 (hu)
CS (1) CS271245B1 (hu)
DD (1) DD273556A3 (hu)
HU (1) HU200372B (hu)
SU (1) SU1397555A1 (hu)
WO (1) WO1987000870A1 (hu)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04260686A (ja) * 1991-02-08 1992-09-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
CN102286782A (zh) * 2011-09-15 2011-12-21 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 一种蓝宝石晶体生长方法
US9225565B2 (en) 2012-03-20 2015-12-29 Intel Deutschland Gmbh Device for generating a vector-modulated output signal and method for generating a vector-modulated output signal
RU2555481C1 (ru) * 2014-02-14 2015-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук Установка для выращивания монокристаллов сапфира методом киропулоса

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3359077A (en) * 1964-05-25 1967-12-19 Globe Union Inc Method of growing a crystal
FR1542742A (fr) * 1966-09-08 1968-10-18 Siemens Ag Dispositif pour tirage de cristaux
US3865554A (en) * 1971-09-23 1975-02-11 Little Inc A Pressure-and temperature-controlled apparatus for large-scale production of crystals by the czochralski technique
US4302280A (en) * 1978-11-14 1981-11-24 Texas Instruments Incorporated Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions
FR2551470B1 (fr) * 1983-09-06 1985-11-08 Crismatec Tete de tirage de monocristaux

Also Published As

Publication number Publication date
EP0233950A4 (de) 1988-11-23
DD273556A3 (de) 1989-11-22
HUT45282A (en) 1988-06-28
CS556986A1 (en) 1989-08-14
BG45486A1 (hu) 1989-06-15
EP0233950A1 (de) 1987-09-02
CS271245B1 (en) 1990-09-12
WO1987000870A1 (en) 1987-02-12
SU1397555A1 (ru) 1988-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2752308A1 (de) Vorrichtung zum zuechten von einkristallen aus einer schmelze bei zufuehrung von zerkleinertem chargenmaterial
EP0290629A1 (de) Anordnung zur züchtung profilierter monokristalle
CH530818A (de) Verfahren zum Züchten von langgestreckten einkristallinen Körpern und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2240788A1 (de) Vorrichtung zum herstellen von kristallen nach dem czochralski-verfahren
HU200372B (en) Equipment for growing metal oxide monocrystals of high melting point from melt
DE68921442T2 (de) Vorrichtung zur Ziehung von Einkristallstangen.
EP1147248B1 (de) Vorrichtung zur herstellung von einkristallen
EP0758689A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
US3652230A (en) Crystallization apparatus with vertical helical conveyor
DE3017016A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von monokristallinem silicium in bandform
DE2635373C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Züchtung von Einkristallen bestimmter Form
DE2245250A1 (de) Vorrichtung zum ziehen von kristallen, vorzugsweise einkristallen aus der schmelze
DE3644746A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum zuechten von kristallen
DE10194625B3 (de) Vorrichtung zum Züchten eines Kristalls
DE1519912B1 (de) Verfahren zum Herstellen von versetzungsfreiem,einkristallinem Halbleitermaterial
EP0569715B1 (de) Verfahren zur Herstellung rohrförmiger Formteile aus Hochtemperatur-Supraleiter-Material
DE102020127336B4 (de) Halbleiterkristallwachstumsvorrichtung
DE1251721B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteiknstallen vorzugsweise Halbleiteremknstallen mit einstellbarer, beispielsweise konstanter Fremdstoffkonzentration
EP2504470B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen aus halbleitermaterial
DE69016317T2 (de) Einkristallziehungsapparat.
DE2759050A1 (de) Einrichtung zur zuechtung von einkristallen aus der schmelze
CN206986328U (zh) 泡生法单晶炉装置
JP2933517B2 (ja) 単結晶成長装置
CH637698A5 (en) Appliance for pulling a single crystal from a melt on a seed crystal
CH633323A5 (en) Device for growing single crystals from a melt

Legal Events

Date Code Title Description
HU90 Patent valid on 900628
HMM4 Cancellation of final prot. due to non-payment of fee