CN206986328U - 泡生法单晶炉装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及泡生法单晶炉装置，底架底部固定，上部水平面固定反应腔体，底架的侧面固定立柱，立柱与底架的上部水平面相互垂直；立柱上设有旋转装置，旋转装置的伸长端设有提升装置，旋转装置带动提升装置绕立柱转动，提升装置做直线运动，朝向反应腔体；抽真空装置与反应腔体导通，位于底架的侧面，两侧分别放置电源柜和控制柜，抽真空装置和立柱分别位于底架的相对侧。本实用新型方便运输、便于拆装、减少占用空间、缩短安装调整时间、提高效率。

Description

泡生法单晶炉装置

技术领域

本实用新型涉及蓝宝石单晶生长炉的技术领域，特别是一种方便运输、便于拆装、减少占用空间、缩短安装调整时间、提高效率的泡生法单晶炉装置。

背景技术

蓝宝石晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，强度高、硬度大、耐腐蚀，可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作，因而得到广泛的应用。是半导体发光二极管(LED)，大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。

泡生法又称之为凯氏长晶法,其原理与直拉法类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(又称籽晶棒)接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇。

蓝宝石单晶炉是针对蓝宝石晶体的广泛应用而开发的晶体生长设备。通常蓝宝石晶体生长设备从外部构成主要包括炉体机械组成、真空系统、电源柜、控制操作柜。这几个部分是晶体生长炉，根据工艺要求必须的结构。外观各不相同，根据各结构的功能，如何合理的安排各组成机构的位置，便于操作者使用，同时获得经济的占地空间，也是各生产单位一直所追求和探索的。需要一种方便运输、便于拆装、减少占用空间、缩短安装调整时间、提高效率的泡生法单晶炉装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种方便运输、便于拆装、减少占用空间、缩短安装调整时间、提高效率的泡生法单晶炉装置。

泡生法单晶炉装置，包括：

底架，所述底架底部固定，上部水平面固定反应腔体，所述底架的侧面固定立柱，所述立柱与底架的上部水平面相互垂直；

所述立柱上设有旋转装置，所述旋转装置的伸长端设有提升装置，所述旋转装置带动提升装置绕立柱转动，所述提升装置做直线运动，朝向反应腔体；

抽真空装置，所述抽真空装置与反应腔体导通，位于底架的侧面，两侧分别放置电源柜和控制柜，所述抽真空装置和立柱分别位于底架的相对侧。

所述底架和立柱的底部分别通过螺栓固定，所述螺栓数量为三个以上，分布在四周。

所述底架的上部水平面为正方形，所述立柱为长方体，所述反应腔体圆柱状，并固定在底架的上部水平面中部。

所述底架的一侧设置立柱，相对一侧和邻近一侧的夹角处设置抽真空装置，相对一侧和邻近一侧分别放置电源柜和控制柜。

所述旋转装置绕立柱的纵向转动。

所述提升装置通过驱动电机带动升降装置直线运动。

所述电源柜分别连接反应腔体，提升装置，抽真空装置和控制柜。

所述控制柜分别控制反应腔体，提升装置和抽真空装置。

本实用新型底架底部固定，上部水平面固定反应腔体，底架的侧面固定立柱，立柱与底架的上部水平面相互垂直；立柱上设有旋转装置，旋转装置的伸长端设有提升装置，旋转装置带动提升装置绕立柱转动，提升装置做直线运动，朝向反应腔体；抽真空装置与反应腔体导通，位于底架的侧面，两侧分别放置电源柜和控制柜，抽真空装置和立柱分别位于底架的相对侧。在底架上作装配基准，立柱底架相互垂直，与做以整体平台确定各组成部分的相对位置，装配后无需调整就可以投入使用。旋转装置安装到立柱的上端面，用螺钉固定。在旋转装置的两个支座上安装提升装置。把反应腔体安装到底架上，并用螺钉紧固。抽真空装置与反应腔体导通，位于底架的侧面，两侧分别放置电源柜和控制柜，抽真空装置和立柱分别位于底架的相对侧。本实用新型方便运输、便于拆装、减少占用空间、缩短安装调整时间、提高效率。

附图说明

图1为本实用新型的立体图；

图2为本实用新型的俯视图；

图中：1、底架，2、立柱，3、反应腔体，4、旋转装置，5、提升装置，6、电源柜，7、抽真空装置，8、控制柜。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。

实施例1：

泡生法单晶炉装置，包括：底架1，底架1底部固定，上部水平面固定反应腔体3，底架1的侧面固定立柱2，立柱2与底架1的上部水平面相互垂直；立柱2上设有旋转装置4，旋转装置4的伸长端设有提升装置5，旋转装置4带动提升装置5绕立柱2转动，提升装置5做直线运动，朝向反应腔体3；抽真空装置7，抽真空装置7与反应腔体3导通，位于底架1的侧面，两侧分别放置电源柜6和控制柜8，抽真空装置7和立柱2分别位于底架1的相对侧。

底架1和立柱2的底部分别通过螺栓固定，螺栓数量为三个以上，分布在四周。底架1的上部水平面为正方形，立柱2为长方体，反应腔体3圆柱状，并固定在底架1的上部水平面中部。底架1的一侧设置立柱2，相对一侧和邻近一侧的夹角处设置抽真空装置7，相对一侧和邻近一侧分别放置电源柜6和控制柜8。旋转装置4绕立柱2的纵向转动。提升装置5通过驱动电机带动升降装置直线运动。电源柜6分别连接反应腔体3，提升装置5，抽真空装置7和控制柜8。控制柜8分别控制反应腔体3，提升装置5和抽真空装置7。

在底架1上作装配基准，立柱2底架1相互垂直，与做以整体平台确定各组成部分的相对位置，装配后无需调整就可以投入使用。旋转装置4安装到立柱2的上端面，用螺钉固定。在旋转装置4的两个支座上安装提升装置5。把反应腔体3安装到底架1上，并用螺钉紧固。抽真空装置7与反应腔体3导通，位于底架1的侧面，两侧分别放置电源柜6和控制柜8，抽真空装置7和立柱2分别位于底架1的相对侧。

采用整体平台安装设备中主要组成部分，可以将设备的主要组成部分完成装配后，整体包装、运输到使用场所，缩短安装、调整的时间，提高生产效率，减少在安装场地的工作量，快速进入工作状态，提高效率。

安装过程为：

(1)在预定位置安装底架1；

(2)调整底架1水平度，并固定立柱2；

(3)将旋转装置4安装到立柱2的上端面；

(4)在旋转装置4的两个支座上安装提升装置5；

(5)提升装置5旋转180°；

(6)在底架1上安装反应腔体3，用螺钉紧固，反应腔体3与抽真空装置7连接，并密封固定；

(7)电源柜6与反应腔体3上安装的电极位置对正，固定电源柜6；

(8)将控制柜8摆放在设备前面

(9)安装相关零部件。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (8)

1.泡生法单晶炉装置，其特征在于，包括：

底架(1)，所述底架(1)底部固定，上部水平面固定反应腔体(3)，所述底架(1)的侧面固定立柱(2)，所述立柱(2)与底架(1)的上部水平面相互垂直；

所述立柱(2)上设有旋转装置(4)，所述旋转装置(4)的伸长端设有提升装置(5)，所述旋转装置(4)带动提升装置(5)绕立柱(2)转动，所述提升装置(5)做直线运动，朝向反应腔体(3)；

抽真空装置(7)，所述抽真空装置(7)与反应腔体(3)导通，位于底架(1)的侧面，两侧分别放置电源柜(6)和控制柜(8)，所述抽真空装置(7)和立柱(2)分别位于底架(1)的相对侧。

2.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述底架(1)和立柱(2)的底部分别通过螺栓固定，所述螺栓数量为三个以上，分布在四周。

3.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述底架(1)的上部水平面为正方形，所述立柱(2)为长方体，所述反应腔体(3)圆柱状，并固定在底架(1)的上部水平面中部。

4.根据权利要求3所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述底架(1)的一侧设置立柱(2)，相对一侧和邻近一侧的夹角处设置抽真空装置(7)，相对一侧和邻近一侧分别放置电源柜(6)和控制柜(8)。

5.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述旋转装置(4)绕立柱(2)的纵向转动。

6.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述提升装置(5)通过驱动电机带动升降装置直线运动。

7.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述电源柜(6)分别连接反应腔体(3)，提升装置(5)，抽真空装置(7)和控制柜(8)。

8.根据权利要求1所述的泡生法单晶炉装置，其特征在于，所述控制柜(8)分别控制反应腔体(3)，提升装置(5)和抽真空装置(7)。