CN201305645Y - 坩埚熔体中制备单晶体的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种坩埚熔体中制备单晶体的装置，包括包括晶体生长炉及其升降系统、坩埚加速旋转系统，晶体生长炉中，凸陶瓷壳体、凹陶瓷壳体上下对接在一起置于金属炉壳的中央，保温塞安装在凸陶瓷壳体的上方，三者形成炉膛；环绕炉膛内壁由上而下依次布有带有热电偶的辅助电加热器、带状电加热器和辅助电加热器，所有电加热器外接温度控制器；由晶体生长炉升降系统控制实现坩埚的升或降，由坩埚加速旋转系统控制坩埚的各种旋转。本实用新型在晶体生长过程中施加了坩埚加速旋转，加强了熔体中的热量传输和质量传输，提高晶体生长速率3～5倍，实现了导热率极低的半导体化合物材料2英寸以上大直径单晶体的制备。
Description
技术领域
本实用新型提供一种坩埚熔体中制备单晶体的装置，属于材料成形与制备技术领域。
背景技术
各种功能晶体材料，例如光电晶体材料、压电晶体材料、激光倍频晶体材料等在航空航天、国防高技术装备、通信与计算机等高科技领域占有重要地位。如何制备大体积高质量的单晶体是材料科学工作者的重要课题之一。
高温熔融晶体生长是最广泛应用、也是重要的单晶体制备方法之一。近年来，为了控制材料中杂质或者掺杂元素的偏析，降低位错密度，提高单晶材料利用率和生产效率，人们不断改进原有晶体生长方法和装置，探索新的晶体生长方法和装置。熔体法体单晶的制备方法主要有提拉法(邱克拉斯基法，Cz法)和坩埚下降法(布里奇曼法)。如果熔融状态下，材料中含有挥发性组分而且蒸气压较高，单晶体生长过程需要坩埚密闭，一般选用布里奇曼法。布里奇曼法又可以分为垂直布里奇曼法(Vertical Bridgman Method，VB)，水平布里奇曼法(Horizontal Bridgman Method，HB)，高压布里奇曼法(High Pressure BridgmanMethod，HPB)等。
移动加热器法(THM)也是单晶体生长方法之一。与Bridgman法相比，THM具有许多独特的优点。首先，THM晶体生长过程中，高温条带状加热器以一定的速率扫过原料锭，实现区域熔化、结晶，多组元材料的组分偏析受到显著拟制。其次，THM可以方便地采用助溶剂，显著降低晶体生长温度。生长温度的降低，又可以显著降低晶体中的位错密度，减少沉淀相和夹杂等缺陷。此外，区域熔化和低温使得THM可以比较容易实现籽晶技术。
总的来说，THM法制备的晶体组份均匀度高，位错密度小。但是，THM法晶体生长速率受熔体自然对流下溶质的扩散速率限制，而且传热过程受晶体材料导热率的限制。因此，THM也有很大的局限性，其一，晶体生长生长速率很低，约为1-4mm/天，为Bridgman法1/20-1/5。其二，晶体尺寸受到限制，大直径晶体的制备几乎难以实现。
实用新型内容
本实用新型提供一种能克服上述缺陷、晶体生长速率高的坩埚熔体中制备单晶体的装置。其技术方案为：
一种坩埚熔体中制备单晶体的装置，包括晶体生长炉及其升降系统、坩埚加速旋转系统，其特征在于：晶体生长炉中，凸陶瓷壳体、凹陶瓷壳体上下对接在一起置于金属炉壳的中央，保温塞安装在凸陶瓷壳体的上方，三者形成炉膛；环绕炉膛内壁由上而下依次布有带有热电偶的辅助电加热器、带状电加热器和辅助电加热器，所有电加热器外接温度控制器；
晶体生长炉升降系统：包括互相平行的多根导向柱、丝杠、中盘、滑轮副装置和驱动装置，金属炉壳的下端面固定在中盘的中央，其上端安装有起重架，导向柱与丝杠平行，且每根导向柱的两端带有螺纹并间隙穿过中盘，其两端经螺栓连接在箱体和顶盘之间，与中盘螺纹配合的丝杠经由轴承、轴承安装在顶盘和箱体之间，配重通过滑轮副与起重架连接控制电机固定在支座上，通过带轮、与减速器连接，减速器通过带轮、与丝杠连接；
坩埚加速旋转系统：主轴经由轴承、轴承垂直安装在箱体的上、下端面上，经由带轮、带轮与控制电机连接，控制电机安装在支座上，主轴上端伸出箱体的上端面与三爪卡盘键连接，三爪卡盘卡紧固定支撑杆，坩埚安放在支撑杆上端的凹槽中央，控制电机、控制电机外接电机控制器。
所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，凹陶瓷壳体、凸陶瓷壳体外表面与金属炉壳内表面之间填充保温材料形成保温层。
所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，导向柱共有3根与丝杠互相平行呈正方形分布，并垂直于中盘、顶盘、箱体的上端面。
所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，电机控制器通过单片机编程输出指令指挥控制电机的转速按照梯形波、三角波或正弦波变化。
其工作原理为：电机控制器启动控制电机，驱动丝杠转动，中盘上下移动，调节晶体生长炉的位置，令原料锭的底端面略高于带状电加热器的底端面，温度控制器启动所有带状电加热器和辅助电加热器，炉膛升温至原料锭熔点之下某一温度保温数小时，之后带状电加热器继续升温至原料锭熔点之上某一温度并保温一段时间，电机控制器启动控制电机，炉膛缓慢升高，电机控制器启动控制电机带动主轴旋转，坩埚的转速按照按照正弦波、梯形波等变化实现加速旋转，坩埚中的原料锭顺次熔融、结晶，该方法和装置可以实现无籽晶生长、籽晶生长两种方法制备单晶体。
本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：晶体生长炉升降系统与坩埚加速旋转系统的配合，在晶体生长过程中施加了坩埚加速旋转，坩埚的熔体中引入了剧烈的强迫对流，显著加强了熔体中的热量传输和质量传输，提高晶体生长速率3～5倍，实现了导热率极低的半导体化合物材料(碲化镉、碲锌镉等)2英寸以上大直径单晶体的制备。
附图说明
图1是本实用新型实施例的结构示意图。
图中：1、箱体 2、主轴 3、导向柱 4、中盘 5、金属炉壳 6、保温层 7、10、13、14、辅助电加热器 8、支撑杆 9、凹陶瓷壳体 11、坩埚12、带状电加热器 15、凸陶瓷壳体 16、顶盘 17、保温塞 18、起重架19、滑轮副 20、24、26、34、轴承 21、配重 22、丝杠 23、三爪卡盘25、27、30、32、35、36、带轮 28、38、控制电机 29、37、支座 31、减速器33、电机控制器 39、温度控制器 40、原料锭 41、熔融区 42、单晶
具体实施方式
晶体生长炉：凸陶瓷壳体15、凹陶瓷壳体9上下对接在一起置于金属炉壳5的中央，在凹陶瓷壳体9、凸陶瓷壳体15外表面与金属炉壳5内表面之间填充保温材料形成保温层6，保温塞17安装在凸陶瓷壳体15的上方，三者形成炉膛；环绕炉膛内壁由上而下依次布有带有热电偶的辅助电加热器14、辅助电加热器13、带状电加热器12、辅助电加热器10和辅助电加热器7，所有电加热器外接温度控制器39；
晶体生长炉升降系统：包括互相平行的3根导向柱3、丝杠22、中盘4、滑轮副装置和驱动装置，金属炉壳5的下端面固定在中盘4的中央，其上端安装有起重架18，3根导向柱3与丝杠22互相平行呈正方形分布，并垂直于中盘4、顶盘6、箱体1的上端面，且每根导向柱3的两端带有螺纹并间隙穿过通过中盘4，其两端经螺栓连接在箱体1和顶盘16之间，与中盘4螺纹配合的丝杠22经由轴承20、轴承26安装在顶盘16和箱体1之间，配重21通过滑轮副19与起重架18连接控制电机28固定在支座29上，通过带轮30、带轮32与减速器31连接，减速器31通过带轮25、带轮27与丝杠22连接；通过电机控制器33启动控制电机28，可以实现坩埚11在炉膛内的升或降；
坩埚加速旋转系统：主轴2经由轴承24、轴承34垂直安装在箱体1的上、下端面上，经由带轮35、带轮36与控制电机38连接，控制电机38安装在支座37上，主轴2上端伸出箱体1的上端面与三爪卡盘23键连接，三爪卡盘23卡紧固定支撑杆8，坩埚11安放在支撑杆8上端的凹槽中央，控制电机28、控制电机38外接电机控制器33；通过电机控制器33启动控制电机38转速按照梯形波、三角波或正弦波变化，可以实现坩埚的旋转。
环绕坩埚11的条带状电加热器12以一定的速率沿着坩埚11的轴向扫过坩埚11，坩埚11中的原料锭40顺次熔融、结晶，同时坩埚11不断加速、减速转动，坩埚11转速可按照梯形波、三角波或正弦波变化。
Claims (4)
1、一种坩埚熔体中制备单晶体的装置，包括晶体生长炉及其升降系统、坩埚加速旋转系统，其特征在于：晶体生长炉中，凸陶瓷壳体(15)、凹陶瓷壳体(9)上下对接在一起置于金属炉壳(5)的中央，保温塞(17)安装在凸陶瓷壳体(15)的上方，三者形成炉膛；环绕炉膛内壁由上而下依次布有带有热电偶的辅助电加热器(14)、辅助电加热器(13)、带状电加热器(12)、辅助电加热器(10)和辅助电加热器(7)，所有电加热器外接温度控制器(39)；
晶体生长炉升降系统：包括互相平行的多根导向柱(3)、丝杠(22)、中盘(4)、滑轮副装置和驱动装置，金属炉壳(5)的下端面固定在中盘(4)的中央，其上端安装有起重架(18)，导向柱(3)与丝杠(22)平行，且每根导向柱(3)的两端带有螺纹并间隙穿过通过中盘(4)，其两端经螺栓连接在箱体(1)和顶盘(16)之间，与中盘(4)螺纹配合的丝杠(22)经由轴承(20)、轴承(26)安装在顶盘(16)和箱体(1)之间，配重(21)通过滑轮副(19)与起重架(18)连接，控制电机(28)固定在支座(29)上，通过带轮(30)、带轮(32)与减速器(31)连接，减速器(31)通过带轮带轮(25)、带轮(27)与丝杠(22)连接；
坩埚加速旋转系统：主轴(2)经由轴承(24)、轴承(34)垂直安装在箱体(1)的上、下端面上，经由带轮35、带轮36与控制电机(38)连接，控制电机(38)安装在支座(37)上，主轴(2)上端伸出箱体(1)的上端面与三爪卡盘(23)键连接，三爪卡盘(23)卡紧固定支撑杆(8)，坩埚(11)安放在支撑杆(8)上端的凹槽中央，控制电机(28)、控制电机(38)外接电机控制器(33)。
2、如权利要求1所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，其特征在于：凹陶瓷壳体(9)、凸陶瓷壳体(15)外表面与金属炉壳(5)内表面之间填充保温材料形成保温层(6)。
3、如权利要求1所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，其特征在于：导向柱(3)共有3根与丝杠(22)互相平行呈正方形分布，并垂直于中盘(4)、顶盘6、箱体(1)的上端面。
4、如权利要求1所述的坩埚熔体中制备单晶体的装置，其特征在于：电机控制器(33)通过单片机编程输出指令指挥控制电机(38)的转速按照梯形波、三角波或正弦波变化。
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| CN103451727A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-18 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法 |
| CN106222733A (zh) * | 2016-10-12 | 2016-12-14 | 安徽贝意克设备技术有限公司 | 一种坩埚升降法单晶金属生长炉 |
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