GR1004106B - Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων - Google Patents

Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων

Info

Publication number
GR1004106B
GR1004106B GR20020100037A GR2002100037A GR1004106B GR 1004106 B GR1004106 B GR 1004106B GR 20020100037 A GR20020100037 A GR 20020100037A GR 2002100037 A GR2002100037 A GR 2002100037A GR 1004106 B GR1004106 B GR 1004106B
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
porous silicon
cavity
technology
formation
underneath
Prior art date
Application number
GR20020100037A
Other languages
English (en)
Inventor
Γρηγοριος Καλτσας
Ανδρουλα Νασιοπουλου
Δημητριος Παγωνης
Original Assignee
Εκεφε "Δημοκριτος" Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης
Ανδρουλα Νασιοπουλου
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Εκεφε "Δημοκριτος" Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης, Ανδρουλα Νασιοπουλου filed Critical Εκεφε "Δημοκριτος" Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης
Priority to GR20020100037A priority Critical patent/GR1004106B/el
Publication of GR1004106B publication Critical patent/GR1004106B/el
Priority to EP03700397A priority patent/EP1467946A1/en
Priority to CNA038026139A priority patent/CN1620402A/zh
Priority to US10/502,465 priority patent/US7233000B2/en
Priority to JP2003562022A priority patent/JP2005515081A/ja
Priority to PCT/GR2003/000003 priority patent/WO2003062134A1/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00055—Grooves
    • B81C1/00071—Channels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845—Micromachined devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/028—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples using microstructures, e.g. made of silicon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/05—Microfluidics
    • B81B2201/058—Microfluidics not provided for in B81B2201/051 - B81B2201/054
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B81C2201/0114—Electrochemical etching, anodic oxidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B81C2201/0115—Porous silicon

Abstract

συγκεκριμένη εφεύρεση παρέχει έναν ολοκληρωμένο θερμικό αισθητήρα ροής με βελτιωμένα χαρακτηριστικά, βασιζόμενο στην χρήση δύο σειρών ολοκληρωμένων θερμοστοιχείων (6, &) εκατέρωθεν ενός θερμαντήρα(4), όλα ολοκληρωμένα σε μία λεπτή μεμβράνη πορώδους πυριτίου (2) που βρίσκεται πάνω απόκοιλότητα αέρα (3). Η μεμβράνη πορώδους πυριτίου (2) πάνω από την κοιλότητα (3) παρέχει πολύ καλή θερμική μόνωση για τα στοιχεία του αισθητήρα, επομένως η αναγκαία ισχύς για την διατήρηση του θερμαντήρα (4) σε συγκεκριμένη θερμοκρασία είναι πολύ χαμηλή. Η διαδικασία κατασκευής της μεμβράνης πορώδους πυριτίου (2) πάνω από κοιλότητα (3) αποτελεί μία ηλεκτροχημική διεργασία δύο βημάτων. Βασίζεται στο γεγονός ότι όταν το ρεύμα ανοδιώσης είναι μικρότερο από μία κρίσιμη τιμή, παρατηρείται η δημιουργία πορώδους πυριτίου, ενώ για μεγαλύτερο από ορισμένη τιμή ενεργοποιείται η διαδικασία ηλεκτρολείανσης. Η διαδικασία ξεκινάει από χαμηλό ρεύμα για την δημιουργία πορώδους πυριτίου (2) και στην συνέχεια περνάει σε συνθήκες ηλεκρολείανσης για την δημιουργία της κοιλότητας (3). Ποικίλοι τύποι θερμικών αισθηήρων, όπως αισθητήρες ροής αισθητήρες αερίων, ανιχνευτές υπεριώδους ακτινοβολίας, αισθητήρες υγρασίας και θερμοηλεκτρικές γεννήτριες ισχύος, περιγράφονται χρησιμοποιώντας την προτεινόμενη μεθοδολογία. Επιπλέον, η παρούσα εφεύρεση παρέχει την τεχνική για την δημιουργία καναλιών μικρο-ροής (16) κάνοντας χρήση της ίδιας τεχνικής δημιουργίας πορώδους πυριτίου (17) και κοιλότητας (16). ΰ
GR20020100037A 2002-01-24 2002-01-24 Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων GR1004106B (el)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20020100037A GR1004106B (el) 2002-01-24 2002-01-24 Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων
EP03700397A EP1467946A1 (en) 2002-01-24 2003-01-16 "low power silicon thermal sensors and microfluidic devices based on the use of porous silicon sealed air cavity technology or microchannel technology"
CNA038026139A CN1620402A (zh) 2002-01-24 2003-01-16 以多孔硅封气孔技术或微通路技术的使用为基础的低功率硅热传感器和微射流装置
US10/502,465 US7233000B2 (en) 2002-01-24 2003-01-16 Low power silicon thermal sensors and microfluidic devices based on the use of porous sealed air cavity technology or microchannel technology
JP2003562022A JP2005515081A (ja) 2002-01-24 2003-01-16 多孔質シリコンで封止するエアキャビティ技術またはマイクロチャネル技術を用いた低電力シリコン熱センサ及びマイクロ流体デバイス
PCT/GR2003/000003 WO2003062134A1 (en) 2002-01-24 2003-01-16 'low power silicon thermal sensors and microfluidic devices based on the use of porous silicon sealed air cavity technology or microchannel technology'

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20020100037A GR1004106B (el) 2002-01-24 2002-01-24 Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR1004106B true GR1004106B (el) 2003-01-13

Family

ID=27590113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20020100037A GR1004106B (el) 2002-01-24 2002-01-24 Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7233000B2 (el)
EP (1) EP1467946A1 (el)
JP (1) JP2005515081A (el)
CN (1) CN1620402A (el)
GR (1) GR1004106B (el)
WO (1) WO2003062134A1 (el)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10144873A1 (de) * 2001-09-12 2003-03-27 Bosch Gmbh Robert Mikromechanischer Wärmeleitfähigkeitssensor mit poröser Abdeckung
JP4504037B2 (ja) * 2004-02-02 2010-07-14 大日本印刷株式会社 光学素子
DE102004015442A1 (de) * 2004-03-30 2005-10-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen
US20060276008A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Vesa-Pekka Lempinen Thinning
CN100348953C (zh) * 2005-12-19 2007-11-14 浙江大学 一种测热式微型流量传感器
DE602006019548D1 (de) * 2006-03-31 2011-02-24 Sensirion Holding Ag Durchflusssensor mit Thermoelementen
DE602006019688D1 (de) * 2006-03-31 2011-03-03 Sensirion Holding Ag Durchflusssensor mit durchflussanpassbarem Analog-Digital-Wandler
US7484886B2 (en) * 2006-05-03 2009-02-03 International Business Machines Corporation Bolometric on-chip temperature sensor
US7872563B2 (en) 2007-04-09 2011-01-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Variably porous structures
US20090115060A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Infineon Technologies Ag Integrated circuit device and method
CN101237730B (zh) * 2008-02-27 2010-07-21 厦门大学 一种红外光源及其制备方法
US8304785B2 (en) * 2008-07-29 2012-11-06 Industrial Technology Research Institute LED structure, manufacturing method thereof and LED module
US9182411B2 (en) * 2009-07-14 2015-11-10 Colen Innovations, L.L.C. Methods and apparatus for the detection and differentiation of non-sialated proteins from sialated proteins in a fluid sample
US8644693B2 (en) * 2010-06-08 2014-02-04 Siargo Ltd. Integrated micromachining proximity switch sensors in air/oil lubricators
CN102009941B (zh) * 2010-10-09 2013-12-11 北京大学 微纳米流体系统及其制备方法
DE102010043015B4 (de) 2010-10-27 2019-12-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Konzentration von Probenbestandteilen und Amplifikation von Nukleinsäuren
US9784605B2 (en) * 2012-06-15 2017-10-10 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal flow meter including a cover mounted on a housing and where a bypass passage is formed by the cover and a bypass passage trench
CH707390A2 (de) * 2012-12-28 2014-06-30 Greenteg Ag Wärmeflusssensor.
WO2014176250A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 Replenish, Inc. Flow sensors with modular microfluidic channels and methods of manufacture
ITTO20130502A1 (it) 2013-06-18 2014-12-19 St Microelectronics Asia Dispositivo elettronico con sensore di temperatura integrato e relativo metodo di fabbricazione
US9366557B2 (en) 2013-12-04 2016-06-14 Itron, Inc. Thermal flow sensors having isolated membranes
KR102195769B1 (ko) 2014-07-10 2020-12-30 주식회사 미코바이오메드 미세유체 칩, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 분석 장치
CN104108677A (zh) * 2014-07-18 2014-10-22 苏州能斯达电子科技有限公司 一种mems硅基微热板及其加工方法
US9513242B2 (en) 2014-09-12 2016-12-06 Honeywell International Inc. Humidity sensor
EP3259581B1 (en) 2015-02-17 2020-01-29 Honeywell International Inc. Humidity sensor and method for manufacturing the sensor
EP3239674A1 (en) 2016-04-25 2017-11-01 Universitat Autònoma De Barcelona A fluid flow sensor and a method for its manufacturing
EP3244201B1 (en) 2016-05-13 2021-10-27 Honeywell International Inc. Fet based humidity sensor with barrier layer protecting gate dielectric
CN105928567B (zh) * 2016-07-13 2017-12-19 中国电子科技集团公司第四十九研究所 集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片及其制作方法
EP3542398A4 (en) 2016-11-21 2020-12-02 3M Innovative Properties Company AUTOMATIC REGISTRATION BETWEEN CIRCUIT CHIPS AND INTERCONNECTIONS
CN110386585A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 上海新微技术研发中心有限公司 多孔硅基底的制备方法及多孔硅基底
CN109250682A (zh) * 2018-09-25 2019-01-22 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种悬浮梁-膜结构的制备方法
JP7248455B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-29 アズビル株式会社 熱式流量計および流量補正方法
CN110057415A (zh) * 2019-05-08 2019-07-26 苏州新沃微电子有限公司 一种微型流量传感器及其制作方法
DE102020119246A1 (de) * 2019-07-23 2021-01-28 Elmos Semiconductor Se Als Kragarm realisiertes, metalllagenfreies Thermopile in einem Regelkreis
CN110908419B (zh) * 2019-11-04 2022-03-04 北京航空航天大学 一种热电制冷与膜透湿联合温湿度控制系统
US11262224B2 (en) 2020-06-19 2022-03-01 Honeywell International Inc. Flow sensing device
US20220146292A1 (en) * 2020-11-06 2022-05-12 Honeywell International Inc. Flow sensing device
CN112938892B (zh) * 2021-01-28 2023-12-05 青岛芯笙微纳电子科技有限公司 一种多孔硅绝热支撑的高温热流传感器及其制备方法
CN113023663B (zh) * 2021-02-20 2023-08-29 北京航天控制仪器研究所 一种全硅结构mems微流道散热器及其加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998050763A1 (en) * 1997-05-07 1998-11-12 Ncsr 'demokritos' Integrated gas flow sensor based on porous silicon micromachining
CN1251945A (zh) * 1998-10-21 2000-05-03 李韫言 微细加工热辐射红外传感器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402635B2 (ja) * 1992-12-08 2003-05-06 キヤノン株式会社 微小流路素子
US5565084A (en) * 1994-10-11 1996-10-15 Qnix Computer Co., Ltd. Electropolishing methods for etching substrate in self alignment
JP3349012B2 (ja) * 1995-06-01 2002-11-20 株式会社東芝 半導体光検出装置
CN1077283C (zh) * 1996-08-23 2002-01-02 李韫言 一种微细加工的热式流量传感器及其制造方法
NL1010234C1 (nl) * 1998-03-02 1999-09-03 Stichting Tech Wetenschapp Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal.
DE10053326A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-08 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und Herstellungsverfahren
DE10054484A1 (de) * 2000-11-03 2002-05-08 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE10064494A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement insbesondere eine bewegliche Masse aufweist
GR1004040B (el) * 2001-07-31 2002-10-31 Μεθοδος για την κατασκευη αιωρουμενων μεμβρανων πορωδους πυριτιου και εφαρμογης της σε αισθητηρες αεριων
US6759265B2 (en) * 2001-12-12 2004-07-06 Robert Bosch Gmbh Method for producing diaphragm sensor unit and diaphragm sensor unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998050763A1 (en) * 1997-05-07 1998-11-12 Ncsr 'demokritos' Integrated gas flow sensor based on porous silicon micromachining
CN1251945A (zh) * 1998-10-21 2000-05-03 李韫言 微细加工热辐射红外传感器
US6359276B1 (en) * 1998-10-21 2002-03-19 Xiang Zheng Tu Microbolom infrared sensors

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANGELUCCI R ET AL: "Permeated porous silicon for hydrocarbon sensor fabrication", SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 74, no. 1-3, 20 April 1999 (1999-04-20), pages 95 - 99, XP004188065, ISSN: 0924-4247 *
DATABASE WPI Section EI Week 200038, Derwent World Patents Index; Class U12, AN 2000-432097, XP002212548 *
DOBRZANSKI ET AL: "Micromachined silicon thermopile and thermal radiators using porous silicon technology", IEE PROCEEDINGS: OPTOELECTRONICS, INSTITUTION OF ELECTRICAL ENGINEERS, STEVENAGE, GB, vol. 145, no. 5, 16 October 1998 (1998-10-16), pages 307 - 311, XP006011364, ISSN: 1350-2433 *
KALTSAS G ET AL: "Novel C-MOS compatible monolithic silicon gas flow sensor with porous silicon thermal isolation", SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 76, no. 1-3, 30 August 1999 (1999-08-30), pages 133 - 138, XP004184426, ISSN: 0924-4247 *
LAMMEL G ET AL: "Free-standing, mobile 3D porous silicon microstructures", SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 85, no. 1-3, 25 August 2000 (2000-08-25), pages 356 - 360, XP004214496, ISSN: 0924-4247 *
TJERKSTRA R W ET AL: "Multi-walled microchannels: free-standing porous silicon membranes for use in mu TAS", JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, DEC. 2000, IEEE, USA, vol. 9, no. 4, pages 495 - 501, XP002212547, ISSN: 1057-7157 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1467946A1 (en) 2004-10-20
WO2003062134A1 (en) 2003-07-31
JP2005515081A (ja) 2005-05-26
US20050072926A1 (en) 2005-04-07
US7233000B2 (en) 2007-06-19
CN1620402A (zh) 2005-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GR1004106B (el) Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων
DE60217359D1 (de) Verfahren zur herstellung aufgehängter poröser siliziummikrostrukturen und anwendung in gassensoren
WO2003025557A3 (de) Mikromechanischer wärmeleitfähigkeitssensor mit poröser abdeckung
WO2006067756A3 (en) Device for generating steam
WO2003102607A8 (en) Combustible-gas measuring instrument
GR1003010B (el) Ολοκληρωμενος αισθητηρας ροης αεριων χρησιμοποιωντας τεχνολογια πορωδους πυριτιου
US11585773B2 (en) Gas sensing device and a method for sensing gas
WO2007025100A3 (en) Gas sensors
WO2002041007A3 (en) Thermal convection accelerometer with closed-loop heater control
Meckes et al. Microfluidic system for the integration and cyclic operation of gas sensors
JP4302611B2 (ja) 可燃性ガス検出装置及び可燃性ガス検出方法
WO2004042380A3 (en) Gas sensor
SE9902081D0 (sv) Low power sensor
Barrettino et al. A smart single-chip micro-hotplate-based chemical sensor system in CMOS-technology
Kersjes et al. An invasive catheter flow sensor with on-chip CMOS readout electronics for the on-line determination of blood flow
NZ276188A (en) Moisture gauge; details of structure and method of producing it
RU2764241C2 (ru) Устройство измерения скорости или расхода газа
JP2009239039A (ja) 熱電変換温度センサおよびその製造方法
Lu et al. Multi-field simulations and characterization of CMOS-MEMS high-temperature smart gas sensors based on SOI technology
Emperhoff et al. Differential Thermal Conductivity Hydrogen Sensor
Lucklum et al. Development and investigation of thermal devices on fully porous silicon substrates
Werno et al. Reduction of heat loss of silicon membranes by the use of trenchetching techniques
JPS62239980A (ja) 培養庫のガス濃度検出装置
Körner et al. Control of partial pressure of oxygen in the ppm range based on a two metal–oxide buffer system
JPH08219898A (ja) 熱電センサーモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
ML Lapse due to non-payment of fees

Effective date: 20160803