JP4504037B2 - 光学素子 - Google Patents
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Description
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、遮光層を形成し、
個々のセルの上面もしくは下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた透過射出光がセルの下面もしくは上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルのそれぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝を形成し、この溝の底面は反射面となるようにし、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、
個々のセルの上方から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上方に得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、個々のセルの下面には、光反射層を形成し、
個々のセルの上面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、個々のセルの上面の第1の領域には、光反射層を形成し、
個々のセルの下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの下面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、遮光層を形成し、
個々のセルの上面もしくは下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた透過射出光がセルの下面もしくは上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルのそれぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部を形成し、この突起部の上面は反射面となるようにし、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、
個々のセルの上方から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上方に得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、個々のセルの下面には、光反射層を形成し、
個々のセルの上面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルを、透光性材料から構成し、それぞれについて特定振幅および特定位相を定義し、
個々のセルを上方から観察したときに、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とを定義し、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部を形成し、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層を形成し、個々のセルの上面の第1の領域には、光反射層を形成し、
個々のセルの下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの下面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有しているようにしたものである。
個々のセルが、第1の直方体形状を有する基体の上面に、第1の直方体形状よりも小さい第2の直方体形状を有する溝もしくは突起部を形成することにより構成されているようにしたものである。
個々のセルを、それぞれ上面を上方に向けた状態で、二次元マトリックス状に配列するようにしたものである。
所定の視点位置から観測したときに物体像が再生されるように、当該物体像からの物体光の複素振幅分布を記録し、ホログラムとして利用することができるようにしたものである。
図1は、参照光を利用して、光学的に干渉縞として物体像を記録する一般的なホログラフィーの手法を示す斜視図である。物体10の立体像を記録媒体20上に記録する場合、物体10を参照光Rと同一波長の光(通常は、レーザ光)で照らし、物体10からの物体光と参照光Rとによって記録媒体20上に形成される干渉縞を記録することになる。ここでは、記録媒体20上にXY座標系を定義し、座標(x,y)に位置する任意の点P(x,y)に着目すると、この点P(x,y)には、物体10上の各点O(1),O(2),…,O(k),…,O(K)からの各物体光と参照光Rとの干渉による合成波の振幅強度が記録されることになる。記録媒体20上の別な点P(x′,y′)にも、同様に、各点からの物体光と参照光Rとの干渉による合成波の振幅強度が記録されるが、光の伝播距離が異なるため、点P(x,y)に記録される振幅強度と点P(x′,y′)に記録される振幅強度とは異なる。このようにして、記録媒体20上には、振幅強度分布が記録されることになり、この振幅強度分布によって、物体光の振幅と位相とが表現されていることになる。再生時には、参照光Rと同一波長の再生照明光を参照光Rと同一方向(もしくは、記録媒体20に関して面対称となる方向)から照射することにより、物体10の立体再生像が得られる。
いま、たとえば、図2の斜視図に示すように、点光源Oと記録面20とが定義されている場合に、記録面20上の代表点P(x,y)に到達した物体光の振幅と位相がどのように計算されるかを考えてみよう。一般に、振幅と位相とを考慮した波動は、
Acosθ + i Asinθ
なる複素関数で表現される(iは虚数単位)。ここで、Aが振幅を示すパラメータであり、θが位相を示すパラメータである。そこで、点光源Oから発せられる物体光を、上記複素関数で定義すれば、代表点P(x,y)の位置における物体光は、
A/r・cos(θ+2πr/λ)
+ i A/r・sin(θ+2πr/λ)
なる複素関数で表される。ここで、rは、点光源Oと代表点P(x,y)との距離であり、λは物体光の波長である。物体光の振幅は距離rが大きくなるにしたがって減衰し、位相は距離rと波長λとの関係で決定される。この複素関数には、時間を示す変数が入っていないが、これは、前述したように、所定の基準時刻において時間を静止させたときに観測される波の瞬間状態を示す式だからである。
Ak cosθk + i Ak sinθk
なる複素関数で表現されたとしよう。物体像10が、それぞれ所定の階調値(濃度値)をもった画素の集合から構成されていたとすれば、振幅を示すパラメータAkは、当該点光源O(k)の位置に存在する画素の階調値に対応して定められる。位相θkは、一般的には、θk=0なる設定でかまわないが、必要に応じて、物体像10の各部から異なる位相の物体光を発せられているような設定を行うことも可能である。全K個の点光源について、それぞれ上記複素関数で表現される物体光が定義できたら、記録面20上の任意の代表点P(x,y)の位置における全K個の物体光の合成波は、図3に示すように、
Σ k=1〜K (Ak/rk cos(θk+2πrk/λ)
+i Ak/rk sin(θk+2πrk/λ))
なる複素関数で表現されることになる。ここで、rkは第k番目の点光源O(k)と代表点P(x,y)との距離である。なお、上述の式は、物体像10を記録媒体の奥に再生させる場合の式に相当する。物体像10を記録媒体の手前側に浮き出すように再生させる場合には、
Σ k=1〜K (Ak/rk cos(θk−2πrk/λ)
+i Ak/rk sin(θk−2πrk/λ))
なる式により複素関数を計算すればよい(位相の項の符号が負になっている)。したがって、両方の場合を考慮した複素関数は、
Σ k=1〜K (Ak/rk cos(θk±2πrk/λ)
+i Ak/rk sin(θk±2πrk/λ))
となる。この関数の実数部をRxy,虚数部をIxyとして、Rxy+iIxyなる形にすれば、この合成波の代表点P(x,y)の位置における複素振幅(位相を考慮した振幅)は、図4に示すように、複素座標平面上における座標点Qで示されることになる。結局、代表点P(x,y)における物体光合成波の振幅は、図4に示す座標平面における原点Oと座標点Qとの距離A(x,y)で与えられ、位相はベクトルOQと実数軸とのなす角度θ(x,y)で与えられることになる。
続いて、基礎発明に用いられている物理セルの具体的な構成について述べる。基礎発明に用いる物理セルは、理論的には、三次元の立体セルであって、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、個々のセルに所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて入射光の振幅および位相を変化させた射出光が得られるような特定の光学的特性を有していれば、どのような構成のセルでもかまわない。たとえば、図6に示すような三次元セルC(x,y)について、振幅A(x,y)および位相θ(x,y)が記録されていたとし、このセルに振幅Ain、位相θinなる入射光Linが与えられた場合には、振幅Aout =Ain・A(x,y)、位相θout =θin±θ(x,y)なる射出光Lout が得られるようにすればよい。入射光の振幅Ainは、セルに記録されていた特定振幅A(x,y)による変調を受けて振幅Aout に変化し、入射光の位相θinは、セルに記録されていた特定位相θ(x,y)による変調を受けて位相θout に変化したことになる。
既に述べたように、基礎発明に用いる物理セルは、原理的には、特定振幅および特定位相に応じて入射光を変調する機能をもったセルであれば、どのような構成で実現してもかまわない。図7には、特定振幅に応じた変調を透過率により制御し、特定位相に応じた変調を屈折率により制御する例が示されている。このように、理論的には、振幅や位相を変調する方法は、何通りも存在するが、工業的に量産することを考慮すると、必ずしもすべての方法が実用的であるとは言えない。基礎発明の原理に基づく光学素子を用いて、ある程度の解像度をもった物体像を再生するためには、個々の三次元セルの寸法をある程度以下に制限せざるを得ない(大まかに言って、セル寸法が100μm以上になると、視認性の良い物体像の再生は困難である)。したがって、図7に示す16通りの物理セルを組み合わせて光学素子を作成する場合、微小なセルを部品として二次元的に配列する作業が必要になり、しかも、特定の位置には、16通りのセルのうちの特定のセルを配置する必要がある。このような作業を考えれば、図7に示すような物理セルを用いて光学素子を構成する方法は、工業的な量産には適していないことがわかる。
ここでは、図11に示すような28通りの物理セルを利用して、物体像10が記録された光学素子(ホログラム記録媒体)を作成する具体的な方法を述べる。まず、コンピュータを利用して、図5に示すように、点光源の集合からなる物体像10と、三次元仮想セル集合30を定義する。ここで、三次元仮想セル集合30を構成する個々の仮想セルは、図8に示すようなブロック状のセル(この時点では、まだ溝は形成されていない)であり、このセルを縦横に等ピッチで二次元配列することにより、三次元仮想セル集合30を形成する。1つの仮想セルの寸法は、たとえば、C1=0.6μm、C2=0.25μm、C3=0.25μm程度とすればよく、この場合、セルの横方向のピッチを、0.6μm、縦方向のピッチを、0.25μmとすれば、セルを隙間なく配置することができる。もちろん、ここに紹介した各セルの寸法値は一例であり、実際には、必要に応じて任意の寸法に設定することができる。ただ、セル寸法が大きくなればなるほど、物体の再生像が得られる視野角が狭くなり、物体の解像度も低下することになる。逆に、セル寸法が小さくなればなるほど、物理セルの凹凸構造を形成するための加工が技術的に困難になってくる。なお、セル配置は、必ずしも等ピッチで行う必要はないが、演算処理や物理セルの加工作業の便宜を考慮すると、縦および横にそれぞれ所定の等ピッチでセルを配置するのが好ましい。また、セル配置は、必ずしもXY直交座標系上に配列する必要はなく、rθ極座標系上に配列することも可能である。
d(x,y)=λ・θ(x,y)/2(n1−n2)π
なる式により求まり、n1<n2の場合には、
d(x,y)=dmax −λ・θ(x,y)/2(n2−n1)π
なる式により求まることになる。したがって、ある1つの仮想セルC(x,y)についての特定振幅および特定位相が、それぞれA(x,y)およびθ(x,y)と求まったら、上述の式に特定位相θ(x,y)を代入して、対応する深さd(x,y)を計算によって求め、図11に示す28通りの物理セルの中から、計算によって求めた深さd(x,y)に最も近い深さを有し、特定振幅A(x,y)に応じた寸法に最も近い横幅を有する物理セルを選択し、当該仮想セルC(x,y)を選択した物理セルに置き換える作業を行えばよい。なお、保護層Cbを設けなかった場合には、保護層の屈折率n1として空気の屈折率(ほぼ1)を用いればよい。
d(x,y)=λ・θ(x,y)/4nπ
なる式により求まる。保護層Cβを設けなかった場合には、保護層の屈折率nとして空気の屈折率(ほぼ1)を用いればよいので、溝Gの最大深さ:dmax =λ/2と設定し、特定位相θ(x,y)に応じた深さd(x,y)は、
d(x,y)=λ・θ(x,y)/4π
とすればよい。
ここでは、これまで述べてきた方法によって作成された光学素子に再生用照明光を当て、ホログラムとして記録されている物体像10を再生する環境を考えてみる。図14は、このような再生を行う場合の光学素子40(物理セルを用いたホログラム記録媒体)と、再生用照明光LtまたはLrと、視点Eとの関係を示す側面図である。光学素子40が、透過型セルを用いた透過型タイプの場合、図示のとおり、視点Eとは反対側の面に再生用照明光Ltを照射し、光学素子40を透過してきた光を視点Eにおいて観察することになり、光学素子40が、反射型セルを用いた反射型タイプの場合、図示のとおり、視点Eと同じ側の面に再生用照明光Lrを照射し、光学素子40から反射してきた光を視点Eにおいて観察することになる。いずれにせよ、これまで述べてきた方法で光学素子40を作成した場合は、再生用照明光LtまたはLrを単色光の平面波として与え、図14に示されているように、光学素子40の記録面(物理セルが配列されている二次元配列面)の法線方向から再生用照明光LtまたはLrを照射し(別言すれば、波面が光学素子40の記録面に平行になるように再生用照明光を照射し)、記録面の法線方向から像の観察を行うと、最も良好な再生像が得られることになる。
これまで、前掲の特許文献1に基礎発明として開示されている三次元セルを用いた具体的な光学素子の構成例を述べたが、この光学素子には、再生時にノイズ成分が混入するため、必ずしも鮮明な再生結果を得ることができないという問題がある。これは、再生時に照明光として与えた入射光の一部もしくはその反射光の一部が、0次回折光として観察されるためである。そこで、まず、この0次回折光が観察される原因を簡単に説明しよう。
図21は、本発明の溝型の第1の実施形態に係る物理セルC1(x,y)の構造の一例を示す斜視図であり、図22は、当該物理セルの断面図(セル本体部分のハッチングは省略)である。ここに示す物理セルC1(x,y)は、図8に示す物理セルC(x,y)とほぼ同様の構造を有するが、上面の溝G(x,y)を除く部分に、遮光層F1,F2が形成されている点が異なる。この例では、遮光層F1,F2は、クロムからなる膜であり、その厚みC4は、0.2μm程度である。もちろん、十分な遮光機能を有する層であれば、遮光層F1,F2の材質や厚みは不問である。
図23は、本発明の溝型の第2の実施形態に係る物理セルC2(x,y)の構造の一例を示す斜視図であり、図24は、当該物理セルの断面図(セル本体部分のハッチングは省略)である。ここに示す物理セルC2(x,y)は、図8に示す物理セルC(x,y)とほぼ同様の構造を有するが、上面の溝G(x,y)を除く部分に、吸光層F3,F4が形成され、下面に光反射層F5が形成されている点が異なる。この例では、吸光層F3,F4は、クロムからなる膜であり、その厚みC4は、0.2μm程度である。また、光反射層F5は、アルミニウムからなる膜であり、その厚みC5は、0.2μm程度である。もちろん、十分な吸光機能や反射機能を有する層であれば、吸光層F3,F4や光反射層F5の材質や厚みは不問である。
図25は、本発明の溝型の第3の実施形態に係る物理セルC3(x,y)の構造の一例を示す斜視図であり、図26は、当該物理セルの断面図(セル本体部分のハッチングは省略)である。ここに示す物理セルC3(x,y)は、図23,図24に示す物理セルC2(x,y)と同様に、上面の溝G(x,y)を除く部分に、吸光層F3,F4が形成されている。ただ、物理セルC2(x,y)では、光反射層F5がセルの下面に形成されていたが、この物理セルC3(x,y)では、光反射層F6が溝G(x,y)の底面に形成されている点が異なる。やはりこの例でも、吸光層F3,F4は、クロムからなる膜であり、その厚みC4は、0.2μm程度である。また、光反射層F6は、アルミニウムからなる膜であり、その厚みC5は、0.2μm程度である。もちろん、十分な吸光機能や反射機能を有する層であれば、吸光層F3,F4や光反射層F6の材質や厚みは不問である。
図29は、本発明の溝型の第4の実施形態に係る物理セルCC(x,y)の構造の一例を示す斜視図であり、図30は、当該物理セルの断面図である。ここに示す物理セルCC(x,y)は、図21,図22に示す物理セルC1(x,y)と同様に、透過型のセルであり、上面の溝GG(x,y)を除く部分に、吸光層F9が形成されている。ただ、これまでの溝G(x,y)は、セル本体の前後を突き抜けるような構造を有していたのに対し、ここに示す実施形態の溝GG(x,y)は、セル本体の中央部を掘り込んだ構造を有し、溝GG(x,y)は四方をセル本体によって囲まれている。図示の例の場合、溝GG(x,y)は、一辺がG1の正方形の開口部を有している。
これまで、セル本体部に溝を掘ることにより物理セルを構成する例を述べたが、本発明を実施する上では、溝の代わりに突起部を設けることも可能である。図31は、本発明の突起型の第1の実施形態に係る物理セルC6(x,y)の構造の一例を示す斜視図であり、図32は、当該物理セルの断面図(セル本体部分のハッチングは省略)である。ここに示す物理セルC6(x,y)は、図21に示す物理セルC1(x,y)とほぼ同様の構造を有するが、溝G(x,y)の代わりに、突起部B(x,y)が形成されている点が異なる。突起部B(x,y)は、図示のとおり、幅B1、高さB2、奥行きB3をもった直方体状の構造体である。ここで、面積B1×B3は、このセルに定義された特定振幅に応じた値になるように設定され、高さB2は、このセルに定義された特定位相に応じた値になるように設定される。セル上面の突起部B(x,y)以外の部分に、遮光層F1,F2が形成されている点は、図21に示す物理セルC1(x,y)と同様である。図32に示すように、突起部B(x,y)の内部を透過した光L1は、信号成分として観測されることになるが、突起部B(x,y)の外部に照射された光L2は、遮光層F1,F2で遮光されてしまうため、ノイズ成分として観測されることはない。
最後に、本発明に係る光学素子の製造方法の一例を述べておく。既に、§6で述べたとおり、本発明に係る光学素子は、多数の三次元セルを配列することにより構成される。しかも、各セルには、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、この特定振幅および特定位相に応じた溝部あるいは突起部が形成され、この溝部あるいは突起部以外の上面には、遮光層、吸光層、光反射層などを形成する必要がある。
20…記録面(記録媒体)
30…三次元仮想セル集合
40…光学素子
100…石英ガラス基板
200…クロム層
300…レジスト層
400…レジスト層
A,Ak,A(x,y)…振幅
Ain…入射光の振幅
Aout …射出光の振幅
a1〜a4…開口部の寸法
B(x,y)…セルに形成された突起部
C(x,y)…仮想セル/物理セル
C1(x,y)〜C8(x,y),CC(x,y)…本発明に係る物理セル
C(1),C(2),C(3)…細長いセル
B1,B2,B3…各部の寸法
C1,C2,C3,C4,C5,C6…各部の寸法
CL1〜CL4…個々の物理セル
Ca…本体層
Cb…保護層
Cα…本体層
Cβ…保護層
d(x,y)…溝Gの深さ
dmax …溝Gの最大深さ
d2,d3,d4…光路差
E…視点
F1,F2…遮光層
F3,F4…吸光層
F5〜F8…反射層
F9…遮光層
G,G(x,y),GG(x,y)…セルに形成された溝
G1,G2,G3…溝の寸法
g1,g2,g3…セルのグループ
H1〜H4…開口部
Ixy…複素振幅の虚数部
i…虚数単位
Lin…入射光
Lout …射出光
Lt…透過型光学素子についての再生用照明光
Lr…反射型光学素子についての再生用照明光
L1〜L4,LL1〜LL4…光
m1,m2,m3…点光源列
n,n1〜n4…屈折率
O,O(1),O(k),O(K)…点光源
O(m1,1),O(m1,j)…点光源列m1上の点光源
P(x,y),P(x′,y′)…代表点
P1〜P4…光学素子上の点
Q…座標点
R…参照光
Rxy…複素振幅の実数部
r,r1,rk,rK…点光源からの距離
S1…溝G(x,y)の内部の面
S2…溝G(x,y)の外部の面
V1〜V4…位相θに応じた行
W1〜W7…振幅Aに応じた列
θ,θk,θ(x,y)…位相
θin…入射光の位相
θout …射出光の位相
λ…光の波長
Claims (11)
- 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、遮光層が形成されており、
個々のセルの上面もしくは下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた透過射出光がセルの下面もしくは上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルには、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝が形成されており、この溝の底面は反射面となっており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、
個々のセルの上方から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上方に得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、個々のセルの下面には、光反射層が形成されており、
個々のセルの上面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた深さをもった溝が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、個々のセルの上面の第1の領域には、光反射層が形成されており、
個々のセルの下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの下面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、遮光層が形成されており、
個々のセルの上面もしくは下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた透過射出光がセルの下面もしくは上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルには、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部が形成されており、この突起部の上面は反射面となっており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、
個々のセルの上方から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上方に得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、個々のセルの下面には、光反射層が形成されており、
個々のセルの上面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの上面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 複数の三次元セルの集合からなる光学素子であって、
個々のセルは、透光性材料からなり、それぞれ特定振幅および特定位相が定義されており、
個々のセルを上方から観察すると、個々のセルについて定義された特定振幅に応じた面積をもった部分からなる第1の領域と、それ以外の部分からなる第2の領域とが定義されており、個々のセルの上面の第1の領域には、当該セルについて定義された特定位相に応じた高さをもった突起部が形成されており、個々のセルの上面の第2の領域には、吸光層が形成されており、個々のセルの上面の第1の領域には、光反射層が形成されており、
個々のセルの下面から所定の入射光を与えると、当該セルに定義された特定振幅および特定位相に応じて前記入射光の振幅および位相を変化させた反射射出光がセルの下面から得られるように、個々のセルがそれぞれ特定の光学的特性を有していることを特徴とする光学素子。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子において、
個々のセルが、第1の直方体形状を有する基体の上面に、前記第1の直方体形状よりも小さい第2の直方体形状を有する溝もしくは突起部を形成することにより構成されていることを特徴とする光学素子。 - 請求項9に記載の光学素子において、
個々のセルが、それぞれ上面を上方に向けた状態で、二次元マトリックス状に配列されていることを特徴とする光学素子。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の光学素子において、
所定の視点位置から観測したときに物体像が再生されるように、当該物体像からの物体光の複素振幅分布が記録されており、ホログラムとして利用することができることを特徴とする光学素子。
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US7878056B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-02-01 | Siargo Ltd. | Micromachined thermal mass flow sensor with self-cleaning capability and methods of making the same |
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US7874207B2 (en) * | 2009-01-29 | 2011-01-25 | Intrinsic Minds, Llc | Fluid flow direction detection |
US8699111B2 (en) * | 2009-02-23 | 2014-04-15 | Dimensional Photonics International, Inc. | Apparatus and method for high-speed phase shifting for interferometric measurement systems |
US8544320B2 (en) * | 2010-05-18 | 2013-10-01 | Siargo Ltd. | Integrated micromachined wind and gas velocity profiler |
US8286478B2 (en) | 2010-12-15 | 2012-10-16 | Honeywell International Inc. | Sensor bridge with thermally isolating apertures |
US9146172B2 (en) * | 2011-01-03 | 2015-09-29 | Sentinel Hydrosolutions, Llc | Non-invasive thermal dispersion flow meter with chronometric monitor for fluid leak detection |
US11814821B2 (en) | 2011-01-03 | 2023-11-14 | Sentinel Hydrosolutions, Llc | Non-invasive thermal dispersion flow meter with fluid leak detection and geo-fencing control |
US9759632B2 (en) | 2011-01-03 | 2017-09-12 | Sentinel Hydrosolutions, Llc | Non-invasive thermal dispersion flow meter with chronometric monitor for fluid leak detection and freeze burst prevention |
US11608618B2 (en) | 2011-01-03 | 2023-03-21 | Sentinel Hydrosolutions, Llc | Thermal dispersion flow meter with fluid leak detection and freeze burst prevention |
JP5372976B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2013-12-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
US8794082B2 (en) * | 2011-02-25 | 2014-08-05 | Siargo Ltd. | MEMS time-of-flight thermal mass flow meter |
DE102012004317B4 (de) * | 2012-03-07 | 2015-09-03 | Karlsruher Institut für Technologie | Fluidkalorimeter |
JP5888416B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-03-22 | 株式会社ニコン | 構造化照明顕微鏡装置 |
ES2467065B2 (es) * | 2012-12-11 | 2014-10-09 | Universidad De Sevilla | Caudalímetro térmico para líquidos |
KR102205989B1 (ko) * | 2015-01-15 | 2021-01-25 | 한국전자통신연구원 | 홀로그래픽 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105548606B (zh) * | 2015-12-10 | 2018-09-21 | 上海交通大学 | 基于mems的柔性流速传感器的流速测量方法 |
EP3467594A4 (en) * | 2016-06-03 | 2019-05-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | OPTICAL FILM AND DISPLAY UNIT |
CN107966478A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 华邦电子股份有限公司 | 感测器阵列、其制造方法及感测方法 |
EP3392621A1 (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-24 | Sensirion AG | Membrane-based thermal flow sensor device |
KR102566919B1 (ko) | 2017-07-26 | 2023-08-14 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 광학 구조체 및 인증체 |
US20190101424A1 (en) * | 2017-10-02 | 2019-04-04 | 2M Engineering Limited | Thermal mass flowmeter for liquids in partially filled pipes |
WO2019126100A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | President And Fellows Of Harvard College | Single-board tree sap flow sensor |
WO2019143729A1 (en) | 2018-01-16 | 2019-07-25 | Pacific Light & Hologram, Inc. | Three-dimensional displays using electromagnetic field computations |
WO2020080367A1 (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 凸版印刷株式会社 | 一体化3次元表示体および識別情報記録方法 |
US11360429B2 (en) | 2020-09-17 | 2022-06-14 | Pacific Light & Hologram, Inc. | Reconstructing objects with display zero order light suppression |
US11900842B1 (en) | 2023-05-12 | 2024-02-13 | Pacific Light & Hologram, Inc. | Irregular devices |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03274586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 計算機ホログラムの作成方法 |
JPH0784110A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 回折格子パターンを有するディスプレイ |
JP2002072837A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2002351289A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 計算機ホログラム、計算機ホログラムの原版製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3957353A (en) * | 1974-03-08 | 1976-05-18 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University | Multiemulsion transparency providing separate phase and amplitude control |
NO138161C (no) * | 1975-06-03 | 1978-08-02 | Sentralinst For Ind Forskning | Fremgangsmaate til fremstilling av et syntetisk hologram |
US4888988A (en) * | 1987-12-23 | 1989-12-26 | Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. | Silicon based mass airflow sensor and its fabrication method |
US5249175A (en) * | 1988-09-09 | 1993-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method therefor |
DE69128103T2 (de) * | 1990-04-05 | 1998-04-02 | Seiko Epson Corp | Optische Vorrichtung |
US5121231A (en) * | 1990-04-06 | 1992-06-09 | University Of Southern California | Incoherent/coherent multiplexed holographic recording for photonic interconnections and holographic optical elements |
US5751243A (en) * | 1990-10-29 | 1998-05-12 | Essex Corporation | Image synthesis using time sequential holography |
US5493561A (en) * | 1992-06-17 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method thereof |
US5883310A (en) * | 1994-11-04 | 1999-03-16 | The Regents Of The University Of California | Micromachined hot-wire shear stress sensor |
JP3447895B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2003-09-16 | 株式会社東芝 | 投射型表示装置におけるパラメータの設定方法 |
US5763775A (en) * | 1996-03-13 | 1998-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | Flow sensor having first and second temperature detecting portions for accurate measuring of a flow rate and a manufacturing method thereof |
US6753131B1 (en) * | 1996-07-22 | 2004-06-22 | President And Fellows Of Harvard College | Transparent elastomeric, contact-mode photolithography mask, sensor, and wavefront engineering element |
US6404025B1 (en) * | 1997-10-02 | 2002-06-11 | Magepower Semiconductor Corp. | MOSFET power device manufactured with reduced number of masks by fabrication simplified processes |
US7109842B1 (en) * | 1998-12-07 | 2006-09-19 | Honeywell International Inc. | Robust fluid flow and property microsensor made of optimal material |
US6794981B2 (en) * | 1998-12-07 | 2004-09-21 | Honeywell International Inc. | Integratable-fluid flow and property microsensor assembly |
US6188519B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-13 | Kenneth Carlisle Johnson | Bigrating light valve |
US6026053A (en) * | 1999-05-21 | 2000-02-15 | The United States Of America As Represented By The Director Of The National Security Agency | Photorefractive read-only optical memory apparatus using phase, frequency, and angular modulation |
DE10000759C1 (de) * | 2000-01-11 | 2001-05-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erzeugung von Justiermarken |
JP3908900B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-04-25 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体 |
US6740058B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-05-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Surgical tool with integrated pressure and flow sensors |
JP4281041B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2009-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 位相格子マスク |
GR1004106B (el) * | 2002-01-24 | 2003-01-13 | Εκεφε "Δημοκριτος" Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης | Ολοκληρωμενοι θερμικοι αισθητηρες πυριτιου χαμηλης ισχυος και διαταξεις μικρο-ροης βασισμενοι στην χρηση τεχνολογιας κοιλοτητας αερα σφραγισμενης με μεμβρανη πορωδους πυριτιου ή τεχνολογιας μικρο-καναλιων |
KR100584085B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2006-05-29 | 학교법인 한양학원 | 위상 회절격자를 이용한 동적 제어 광변조 소자와 이를이용한 디스플레이 장치 |
US6966231B2 (en) * | 2003-11-04 | 2005-11-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Microelectromechanical floating element flow sensor |
US7349101B2 (en) * | 2003-12-30 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, overlay detector, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7780343B2 (en) * | 2007-07-09 | 2010-08-24 | Siargo Ltd. | Micromachined gas and liquid concentration sensor and method of making the same |
-
2004
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2008
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03274586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 計算機ホログラムの作成方法 |
JPH0784110A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 回折格子パターンを有するディスプレイ |
JP2002072837A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2002351289A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 計算機ホログラム、計算機ホログラムの原版製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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