FR3033938A1 - Diode zener a tension de claquage ajustable - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne une diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur (SUB) parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode (CD1) et une région d'anode (AD1), des régions conductrices (BDC, EDC, ED1, NW) configurées pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, et des régions conductrices (GT1, GTC) configurées pour générer un second champ électrique dans le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates.

Description

1 DIODE ZENER A TENSION DE CLAQUAGE AJUSTABLE La présente invention concerne une diode Zener. Les diodes Zener sont couramment utilisées pour réguler la tension dans un circuit ou pour fournir une tension de référence stable. A cet effet, on connecte une diode Zener en inverse en parallèle avec une source de tension. Lorsque la tension fournie par la source de tension atteint la tension de claquage de la diode, celle-ci devient conductrice et maintient ensuite la tension à cette valeur. La figure 1 est une vue en coupe d'une diode Zener classique formée dans un substrat en un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité, par exemple P. La diode Zener comprend un caisson NW présentant un dopage d'un second type de conductivité, par exemple N, formant une région d'anode de la diode Zener. La diode Zener comprend une région de cathode CD, fortement dopée, du premier type conductivité P+, formée dans le caisson NW. La région CD est formée sur une région ZD présentant un fort dopage du second type de conductivité N+. Les régions CD et ZD sont isolées du reste du caisson NW par une tranchée d'isolation peu profonde STI (Shallow Trench Isolation). La diode Zener comprend une région de connexion d'anode ED fortement dopée, du second type de conductivité N+ formée dans le caisson NW et isolée de la région de cathode par la tranchée STI. Par ailleurs, le substrat SUB comprend une région fortement dopée SP du premier type de conductivité P+, formant une prise de polarisation du substrat SUB. La région de prise de substrat SP est isolée des régions CD, ZD par la tranchée d'isolation peu profonde STI. La figure 2 représente une courbe C11 de variation du courant traversant la diode Zener en fonction de la tension inverse appliquée entre les régions CD et ED. La courbe C11 illustre le fonctionnement d'une diode Zener classique, polarisée en inverse. Entre 0 et environ 2,5 V, le courant traversant la diode reste faible (inférieur à 10-12 A). A partir d'environ 2,5 V et jusqu'à environ 5,2 V, le courant traversant la diode augmente linéairement (en échelle logarithmique) jusqu'à environ 10A. Cette zone de fonctionnement qui résulte d'un phénomène dit de "band to band" n'est pas exploitable pour fournir une tension de référence ou assurer une régulation de tension. Au-dessus d'environ 5,2 V, un phénomène de claquage apparaît, 3033938 2 la diode devenant fortement conductrice, par effet d'avalanche, en atteignant une tension maximum BV dite "tension de claquage" (breakdown voltage) d'environ 5,5 V. La diode maintient cette tension constante quelle que soit l'intensité du courant, dès lors que celle-ci reste entre environ 10-8A et 10- 5 6 A. Les diodes Zener sont généralement utilisées dans cette zone de fonctionnement, pour fournir une tension de référence stable ou assurer une régulation de tension. On a déjà proposé de réaliser des circuits combinant plusieurs composants discrets pour reproduire le fonctionnement d'une diode Zener 10 avec une entrée de commande pour ajuster la tension de claquage de la diode Zener. Ainsi, le circuit référencé TL431 présente un fonctionnement similaire à celui d'une diode Zener dont la tension de claquage peut être ajustée par une valeur de tension fournie à une borne de commande du circuit. Toutefois, ce circuit présente une complexité et un encombrement 15 non négligeables, du fait qu'il comprend plusieurs dizaines de composants discrets dont plus d'une dizaine de transistors. Il est donc souhaitable de réaliser une diode Zener ayant une tension de claquage ajustable. Il est également souhaitable que cette diode puisse être réalisée sous la forme d'un composant discret dans un circuit intégré, en 20 mettant en oeuvre des étapes de fabrication couramment utilisées pour réaliser des transistors CMOS. Des modes de réalisation concernent une diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode et une 25 région d'anode ayant un premier type de conductivité, la région de cathode étant formée par une région ayant un second type de conductivité à la surface du substrat, et des premières régions conductrices configurées pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates. Selon un mode 30 de réalisation, la diode Zener comprend des secondes régions conductrices configurées pour générer un second champ électrique suivant le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates.
3033938 3 Selon un mode de réalisation, les secondes régions conductrices comprennent une grille enterrée, séparée de la jonction de diode Zener uniquement par une couche diélectrique. Selon un mode de réalisation, la couche diélectrique présente une 5 épaisseur comprise entre 15 et 25 nm . Selon un mode de réalisation, la grille isole la région de cathode d'une région de connexion d'anode. Selon un mode de réalisation, la grille entoure la jonction de diode Zener.
10 Selon un mode de réalisation, la grille présente une forme octogonale ou rectangulaire. Selon un mode de réalisation, la diode Zener comprend : un caisson formé dans le substrat semi-conducteur ayant le second type de conductivité, formant la région d'anode, et une région de connexion d'anode du second 15 type de conductivité, formée dans le caisson en surface du substrat et isolée de la région de cathode. Selon un mode de réalisation, le caisson est isolé du substrat par une tranchée d'isolation peu profonde. Selon un mode de réalisation, la diode Zener comprend une région de 20 faible épaisseur, du premier type de conductivité, disposée entre les régions d'anode et de cathode. Des modes de réalisation peuvent également concerner un circuit comprenant une diode Zener telle que précédemment définie. Des modes de réalisation peuvent également concerner un procédé 25 de commande d'une diode Zener telle que précédemment définie, le procédé comprenant des étapes consistant à: appliquer une première tension à la région de cathode, appliquer à la région d'anode une seconde tension pour polariser la diode Zener en inverse, l'écart entre la première tension et la seconde tension étant égal ou supérieur à une tension de claquage de la 30 diode Zener. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'application d'une troisième tension aux secondes régions conductrices pour générer un champ électrique suivant le plan de la jonction de diode Zener. Selon un mode de réalisation, l'application de la troisième tension aux secondes régions conductrices est effectuée par l'intermédiaire d'une grille 3033938 4 enterrée, séparée de la jonction de diode Zener uniquement par une couche diélectrique. Selon un mode de réalisation, le procédé de commande comprend une étape d'ajustement de la troisième tension en fonction d'une tension de 5 claquage à atteindre par la diode Zener. Selon un mode de réalisation, la tension de claquage est ajustable entre 5 et 13 V en faisant varier la troisième tension entre la première tension et la seconde tension.
10 Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 décrite précédemment est une vue en coupe d'une diode Zener classique, la figure 2 décrite précédemment, représente une courbe 15 caractéristique de courant en fonction de la tension aux bornes d'une diode Zener classique, la figure 3 est une vue en coupe d'une diode Zener selon un mode de réalisation, la figure 4 est une vue en coupe partielle détaillée de la diode Zener 20 de la figure 3, la figure 5 représente des courbes caractéristiques de courant en fonction de la tension aux bornes de la diode Zener de la figure 3, la figure 6 représente une courbe de variation de la tension de claquage de la diode Zener en fonction d'une tension de grille, 25 la figure 7 est une vue de dessus de la diode Zener, selon un mode de réalisation, les figures 8 et 9 sont des vues en coupe et de dessus d'une diode Zener, selon un autre mode de réalisation, la figure 10 est une vue de dessus de la diode de la figure 7 selon un 30 autre mode de réalisation, les figures 11 et 12 sont des vues en coupe et de dessus d'une diode Zener, selon un autre mode de réalisation, la figure 13 est une vue de dessus de la diode Zener de la figure 10, selon un autre mode de réalisation, 3033938 5 la figure 14 est une vue en coupe d'une diode Zener, selon un mode de réalisation. La figure 3 représente une diode Zener ZR selon un mode de réalisation. La diode Zener est formée dans un caisson NW formé dans un 5 substrat SUB en un matériau semi-conducteur présentant un dopage d'un premier type de conductivité, par exemple P. Le caisson NW présente un dopage d'un second type de conductivité (N). La diode Zener ZR comprend une région de cathode CD1 présentant un fort dopage du premier type de conductivité, par exemple P+, formée dans le caisson NW constituant une 10 région d'anode. Le caisson NW est isolé du reste du substrat SUB par une tranchée d'isolation peu profonde STI1 (Shallow Trench Isolation). La diode Zener ZR comprend également une région fortement dopée ED1 du second type de conductivité (N+), formant une prise de polarisation du caisson NW et donc une prise de connexion de l'anode de la diode ZR. Par ailleurs, le 15 substrat SUB comprend une ou plusieurs régions fortement dopées SP1, du premier type de conductivité (P+), formant des prises de polarisation du substrat SUB. La diode Zener ZR comprend également une plage de contact de cathode CDC formée sur la région CD1, et une plage de contact d'anode EDC formée sur la région EDI. Un ou plusieurs contacts de polarisation SPC 20 du substrat sont formés sur les régions SPP de polarisation du substrat SUB. Selon un mode de réalisation, la diode Zener ZR comprend une grille GT1 enterrée verticale, formée dans le caisson NW, de manière à être séparée de la région de cathode CD1 et en particulier, de la zone de jonction PN de la diode ZR, entre la région CD1 et la région d'anode formée par le 25 caisson NW, uniquement par une couche d'oxyde de grille GTD. La grille GT1 est prévue pour recevoir une tension de polarisation GV par l'intermédiaire d'une plage de contact de grille GTC. La tension GV peut être fournie par un circuit CMD fournissant également une tension de cathode CV à la plage de contact de cathode CDC et une tension d'anode à la plage de 30 contact d'anode EDC. Pour augmenter la pente de transition entre les dopages P+ et N formant la jonction PN de la diode Zener, et ainsi obtenir une jonction PN "abrupte", la région CD1 peut être formée sur une région ZD1 d'épaisseur relativement faible, présentant un fort dopage du second type de conductivité 35 N+. La région ZD1 reste néanmoins facultative et peut être prévue si l'on 3033938 6 souhaite abaisser la plage de tensions de claquage BV susceptible d'être atteinte en faisant varier la tension appliquée à la grille GTC. La grille GT1 peut être réalisée en gravant un trou ou une tranchée dans le substrat SUB, en formant sur les parois et le fond de la tranchée la 5 couche diélectrique GTD, par exemple par oxydation, puis en remplissant la tranchée d'un matériau conducteur tel qu'un métal ou du silicium polycristallin. Ces étapes de fabrication, ainsi que celles permettant de former les différentes régions dopées et la tranchée STI sont couramment mises en oeuvre pour fabriquer des circuits à base de transistors CMOS. La 10 couche diélectrique ou d'oxyde de grille GTD peut présenter une épaisseur comprise entre à 15 nm et 25 nm, par exemple de l'ordre de 20 nm pour obtenir une tension de claquage supérieure à 5 V. La figure 4 représente plus en détail la jonction PN de la diode Zener ZR formée entre la région CD1 et le caisson NW, et en particulier, la zone de 15 contact entre la jonction PN et la grille GT1. Lorsque la diode Zener ZR est polarisée en inverse, la plage de contact de cathode CDC reçoit une tension inférieure à la tension appliquée à la plage de contact EDC de polarisation du caisson NW, par exemple fixée à 0 V. Dans ces conditions, il apparaît dans la région de la jonction PN de la diode ZR, un champ électrique Ez dirigé 20 perpendiculairement à la surface du substrat SUB, du caisson NW vers la région CD1. Si la grille GT1 reçoit une tension positive, il apparaît également un champ électrique Ex dirigé vers la grille GT1, dans le plan de la jonction PN entre les régions de cathode CD1 et d'anode formée dans le caisson NW. La présence simultanée des champs électriques Ez et Ex forme un 25 champ résultant Er ayant une direction située dans le secteur angulaire situé entre les directions des champs Ez et Ex. Il peut être observé que l'amplitude du champ Er est plus élevée que celle du champ Ez. A cet effet d'augmentation du champ électrique, s'ajoute un effet de proximité, la grille GT1 étant directement en contact avec la jonction PN. Il en résulte que les 30 charges présentes à la jonction PN subissent un champ électrique plus élevé et donc deviennent mobiles sous l'effet d'une tension plus faible appliquée à la région CD1, cette mobilité entrainant un phénomène de claquage par effet d'avalanche. Ainsi, la grille GT1 est utilisée ici comme élément électriquement conducteur pour amener une tension à proximité de la 35 jonction PN de la diode Zener, afin de générer le champ électrique Ex.
3033 93 8 7 La figure 5 représente des courbes C12, C13, C14 de variation du courant traversant la diode Zener ZR en fonction de la tension CV appliquée à la région de cathode CD1, lorsque la tension CV varie entre 0 et -15 V, la tension AV appliquée à la région de connexion d'anode ED1 étant par 5 exemple fixée à 0 V. La diode ZR est donc polarisée en inverse. La courbe C12 a été obtenue en appliquant à la grille GT1 une tension GV égale à la tension d'anode AV (0 V). La courbe C13 a été obtenue en appliquant à la grille GT1 une tension supérieure à la tension d'anode AV (environ 3 V), et la courbe C14 a été obtenue en appliquant à la grille GT1 une tension GV 10 inférieure à la tension d'anode AV (environ -3 V). Entre 0 et environ 8,5V pour la courbe C12, entre 0 et 6,5 V pour la courbe C13, et entre 0 et environ 11 V pour la courbe C14, le courant traversant la diode ZR augmente linéairement en échelle logarithmique, tout en restant très faible (inférieur à 5.10-8 A). Au-dessus de ces valeurs, un phénomène de claquage apparaît, la 15 diode ZR devenant fortement conductrice à une tension de claquage BV2 d'environ 9V pour la courbe C12, à une tension de claquage BV3 d'environ 7V pour la courbe C13 et à une tension de claquage BV4 d'environ 11,4 V pour la courbe C14. La diode ZR maintient cette tension BV2, BV3, BV4 constante quelle que soit l'intensité du courant, dès lors que celle-ci reste 20 supérieure à environ 106A. La comparaison des courbes C12, C13 et C14 fait apparaître que l'application d'une tension sur la grille GT1 permet de faire varier la tension de claquage de la diode ZR. Selon un mode de réalisation, la tension de claquage de la diode ZR est contrôlée, par exemple par le circuit CMD, en ajustant la tension GV 25 appliquée à la grille GT1. De cette manière, la diode Zener ZR peut être utilisée pour réaliser une source de tension de référence ajustable ou un régulateur de tension présentant une tension de consigne est ajustable. La figure 6 représente une courbe C15 de variation de la tension de claquage BV de la diode ZR en fonction de la tension GV appliquée à la grille 30 GT1. La courbe C15 montre que la tension de claquage BV de la diode ZR diminue sensiblement linéairement d'environ 12,7 V à 6,7V lorsque la tension de grille GT1 augmente de -6V à 3 V, la tension d'anode AV étant fixée à 0 V. A noter qu'en augmentant encore la tension de grille GT1, la tension de claquage peut être abaissée jusqu'à 5 V, et qu'en diminuant la 35 tension de grille, la tension claquage peut atteindre 13 V.
3033938 8 La figure 7 représente la diode Zener ZR selon un mode de réalisation. Sur la figure 7, la grille GT1 isole les régions CD1, ZD1 de la région de polarisation ED1. La tranchée STI entoure une zone comprenant les régions CD1, ZD1, la grille GT1 et la région ED1. Une ou plusieurs 5 régions SP1 de polarisation du substrat SUB peuvent être formées autour de la diode ZR délimitée par la tranchée ST1. Les figures 8 et 9 représentent une diode Zener ZR1 selon un autre mode de réalisation. Sur les figures 8 et 9, la diode ZR1 comprend une région de cathode CD2 présentant un fort dopage du premier type de 10 conductivité (P+), superposée sur une région ZD2 ayant un fort dopage du second type de conductivité (N+). Les régions CD2, ZD2 sont formées dans un caisson NW présentant un dopage du second type de conductivité (N), lequel est formé dans le substrat SUB. Selon un mode de réalisation, une grille GT2 enterrée est formée 15 dans les régions DB2, ZD2, afin d'être en contact avec la jonction PN de la diode ZR1. Les régions CD2, ZD2 incluant la grille GT2, sont isolées du reste du caisson NW par une tranchée d'isolation peu profonde 5TI2. La diode Zener ZR1 comprend également dans le caisson NW, une région fortement dopée ED2 du second type de conductivité (N+), formant une prise de 20 polarisation du caisson NW et de connexion de l'anode de la diode ZR1. Le caisson NW est isolé du reste du substrat SUB par une tranchée d'isolation peu profonde 5T3. Par ailleurs, le substrat SUB comprend une ou plusieurs régions fortement dopées SP1, du premier type de conductivité (P+), formant des prises de polarisation du substrat SUB. La diode Zener ZR1 comprend 25 également une plage de contact de cathode CDC formée sur la région CD2, une plage de contact d'anode EDC formée sur la région ED2, et une plage de contact de grille GTC formée sur la grille GT2. Un ou plusieurs contacts de polarisation SPC sont formés sur les régions SPP de polarisation du substrat SUB.
30 Sur la figure 9, les tranchées d'isolation 5TI2, 5TI3 isolent trois régions, à savoir une région centrale et deux régions latérales comprenant les régions de connexion d'anode ED2, de part et d'autre de la région centrale. La région centrale comprend la grille GT2 et de part et d'autre de la grille, les régions de cathode CD2.
3033938 9 La figure 10 représente une diode Zener ZR2 présentant une configuration en coupe qui peut être similaire à celle de la figure 8, selon un autre mode de réalisation. La diode ZR2 comprend une région de cathode CD3 superposée sur une région d'anode, entourant une grille enterrée GT3, 5 la région de cathode CD3 étant entourée par une tranchée d'isolation STI4. La diode ZR2 comprend également une région de connexion d'anode ED3 entourant la tranchée d'isolation STI4 et qui est isolée du substrat SUB par une tranchée d'isolation STI5. Les régions de cathode CD3 et de connexion d'anode ED3, ainsi que les tranchées STI4, STI5 présentent une forme 10 octogonale. La grille GT3 peut avoir une forme carrée ou plus généralement rectangulaire, ou encore octogonale. Les figures 11 et 12 représentent une diode Zener ZR3 comprenant une région de cathode CD4 présentant un fort dopage du premier type de conductivité (P+), superposée sur une région ZD4 ayant un fort dopage du 15 second type de conductivité (N+). Les régions CD4, ZD4 sont formées dans le caisson NW et isolées du reste du caisson NW par une grille enterrée GT4 formée dans une tranchée entourant les régions CD4, ZD4. Des régions de connexion d'anode ED4 sont formées dans le caisson NW le long de bords extérieurs de la grille GT4. Le caisson NW est isolé du substrat SUB par une 20 tranchée d'isolation STI6 entourant la grille GT4 et les régions de connexion d'anode ED4. La figure 13 représente une diode Zener ZR4 présentant une configuration en coupe qui peut être similaire à celle de la figure 11, selon un autre mode de réalisation. La diode ZR4 comprend une région de cathode 25 CD5 superposée sur une région d'anode, et entourée par une grille GT5 enterrée, la grille GT5 étant entourée par une région de connexion d'anode ED5. La diode ZR4 comprend également une tranchée d'isolation peu profonde STI7 isolant la région de connexion d'anode ED5 et le caisson NW du substrat SUB. Les régions de cathode CD5 et de connexion d'anode ED5, 30 ainsi que la grille GT5 et les tranchées STI7 présentent une forme octogonale. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. En particulier, l'invention n'est pas limitée aux formes présentées des 35 différentes régions de la diode Zener. En particulier, les régions ZD2 et ZD4 3033938 10 peuvent être omises notamment s'il n'est pas souhaité abaisser les plages de tensions de claquage susceptibles d'être atteintes en faisant varier la tension appliquée à la grille GT2, GT3, GT4, GT5. Par ailleurs, d'autres formes que les formes rectangulaires et octogonales décrites peuvent être 5 envisagées pour les différentes régions de la diode Zener. Ainsi, des formes circulaires et carrées et d'autres formes polygonales peuvent être envisagées pour ces régions. Par ailleurs, dans tous les modes de réalisation précédemment décrits, les types de conductivité des dopages des différentes régions 10 formant la diode Zener peuvent être inversés. Ainsi, la figure 14 représente une diode Zener ZR5 ayant la forme de la diode ZR, formée dans un caisson PW présentant un dopage du premier type de conductivité (P), le caisson PW étant formé dans un caisson NO formé par implantation en profondeur dans le substrat SUB de dopants du second type de conductivité (N).
15 Comme précédemment, le caisson PW est isolé du caisson NO par une tranchée d'isolation STI8. Le caisson NO peut être isolé du substrat SUB par des tranchées d'isolation peu profondes STI9. La diode ZR5 comprend une grille GT6 verticale enterrée dans le caisson PW. Dans l'exemple de la figure 14, la grille GT6 délimite d'un côté avec la tranchée d'isolation STI8 une 20 région de cathode CD6 fortement dopée du second type de conductivité (N+), superposée sur une région ZD6 fortement dopée du premier type de conductivité (P+). La grille GT6 délimite d'un autre côté avec la tranchée d'isolation STI8 une région de connexion d'anode ED6 fortement dopée du premier type de conductivité (P+). Les régions CD6 et ED6 sont surmontées 25 de plages de contact respectives CDC et EDC. Le caisson NO est polarisé (mis à la masse) par l'intermédiaire de régions de polarisation SNC fortement dopées du second type de conductivité (N+), surmontées chacune d'une plage de contact de polarisation SNC. Il est à noter que la diode Zener ZR5 est polarisée en inverse en appliquant à la plage de contact de cathode CDC 30 une tension supérieure à la tension appliquée à la plage de contact EDC de polarisation du caisson PW. Ici encore, la région ZD6 peut être omise pour les mêmes raisons mentionnées précédemment. Par ailleurs, il va de soi que les différents modes de réalisation précédemment décrits peuvent être combinés de différentes manières, sans 35 sortir du cadre de l'invention.

Claims (14)

  1. REVENDICATIONS1. Diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur (SUB, NO) parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode (CD1-CD6) et une région d'anode (NW, PW) ayant un premier type de conductivité, la région de cathode étant formée par une région ayant un second type de conductivité à la surface du substrat, et des premières régions conductrices (BDC, EDC, ED1-ED6, NW, PW) configurées pour générer un premier champ électrique (Ez) perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions 10 adéquates, caractérisée en ce qu'elle comprend des secondes régions conductrices (GT1-GT6, GTC) configurées pour générer un second champ électrique (Ex) suivant le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates. 15
  2. 2. Diode Zener selon la revendication 1, dans laquelle les secondes régions conductrices comprennent une grille (GT1-GT6) enterrée, séparée de la jonction de diode Zener uniquement par une couche diélectrique (GTD). 20
  3. 3. Diode Zener selon la revendication 2, dans laquelle la couche diélectrique (GTD) présente une épaisseur comprise entre 15 et 25 nm .
  4. 4. Diode Zener selon l'une des revendications 2 et 3, dans laquelle la 25 grille (GT1, GT4-GT6) isole la région de cathode (CD1, CD4-CD6) d'une région de connexion d'anode (ED1 , ED4-ED6).
  5. 5. Diode Zener selon l'une des revendications 2 et 3, dans laquelle la grille (GT4, GT5) entoure la jonction de diode Zener. 30
  6. 6. Diode Zener selon l'une des revendications 2 à 5, dans laquelle la grille (GT1- GT6) présente une forme octogonale ou rectangulaire. 3033938 12
  7. 7. Diode Zener selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant : un caisson (NW, PW) formé dans le substrat semi-conducteur (SUB) ayant le second type de conductivité, formant la région d'anode, et une région de connexion d'anode (ED1-ED6) du second type de 5 conductivité, formée dans le caisson (NW, PW) en surface du substrat (SUB) et isolée de la région de cathode (CD1-CD6).
  8. 8. Diode Zener selon la revendication 7, dans laquelle le caisson (NW, PW) est isolé du substrat (SUB) par une tranchée d'isolation peu profonde (ST11-5TI8).
  9. 9. Diode Zener selon l'une des revendications 1 à 8, comprenant une région de faible épaisseur (ZD1-ZD6), du premier type de conductivité, disposée entre les régions d'anode (NW, PW) et de cathode (CD1-CD6).
  10. 10. Circuit comprenant une diode Zener selon l'une des revendications 1 à 9.
  11. 11. Procédé de commande d'une diode Zener selon l'une des revendications 1 à 9, le procédé comprenant des étapes consistant à: appliquer une première tension (CV) à la région de cathode (CD1- CD6), appliquer à la région d'anode (AD1-AD6) une seconde tension (AV) pour polariser la diode Zener en inverse, l'écart entre la première tension et la seconde tension étant égal ou supérieur à une tension de claquage (BV1, BV2, BV3) de la diode Zener, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'application d'une troisième tension (GV) aux secondes régions conductrices (GTC, GT1-G6) pour générer un champ électrique (Ex) suivant le plan de la jonction de diode 30 Zener.
  12. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l'application de la troisième tension (GV) aux secondes régions conductrices est effectuée par l'intermédiaire d'une grille (GT1-GT6) enterrée, séparée de la jonction de 35 diode Zener uniquement par une couche diélectrique (GTD). 3033938 13
  13. 13. Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, comprenant une étape d'ajustement de la troisième tension (GV) en fonction d'une tension de claquage (BV1, BV2, BV3) à atteindre par la diode Zener.
  14. 14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel la tension de claquage (BV1, BV2, BV3) est ajustable entre 5 et 13 V en faisant varier la troisième tension (GV) entre la première tension (CV) et la seconde tension (AV). 5 10
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