FR3026912B1 - Lampe pour vehicule et son circuit d'eclairage - Google Patents

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Abstract

Un circuit d'éclairage (20) qui est monté dans une lampe pour véhicule peut modifier la luminance aux vitesses élevées. Le circuit d'éclairage (20) est utilisé avec une source de lumière à semiconducteur (10) et constitue une lampe pour véhicule (1). Un convertisseur à commutation (30) délivre de l'énergie à la source de lumière à semiconducteur (10). Un contrôleur de convertisseur (32) commande le convertisseur à commutation (30). Un circuit de détection de courant (34) détecte un courant (IDRV) qui est délivré à la source de lumière à semiconducteur (10) par le convertisseur à commutation (30). Un comparateur à hystérésis (36) compare la valeur du courant détecté (VCS) à une tension de seuil supérieure (VTHH) et à une tension de seuil inférieure (VTHL) et génère une impulsion de commande (SOUT) fonction du résultat de la comparaison. Un circuit générateur de tension de seuil (38) reçoit une tension de commande variable (VCNT) qui indique une valeur de courant cible (ILED) et génère la tension de seuil supérieure (VTHH) et la tension de seuil inférieure (VTHL) en fonction de la tension de commande (VCNT).

Description

DOMAINE TECHNIQUE
[0001]
La présente invention concerne une lampe pour véhicule destinée à être utilisée sur un véhicule à moteur.
ARRIÈRE-PLAN
[0002]
Une lampe pour véhicule peut généralement passer d'un feu de croisement à un feu de route ou inversement. Le feu de croisement est un feu destiné à éclairer le champ proche situé devant un véhicule avec un éclairement prédéterminé et il existe une réglementation relative à la répartition de l'intensité lumineuse pour ne pas éblouir le conducteur d'un véhicule venant en sens inverse et d'un véhicule qui précède. Le feu de croisement est principalement utilisé pour conduire dans une zone urbaine. D'autre part, le feu de route est un feu destiné à éclairer le champ éloigné et élargi situé devant un véhicule avec un éclairement relativement important, et le feu de route est principalement utilisé pour conduire à grande vitesse sur une route où il y a peu de véhicules venant en sens inverse et qui précèdent. En conséquence, la visibilité du feu de route est très supérieure à celle du feu de croisement pour le conducteur mais cela pose un problème en ce que les conducteurs des véhicules venant en sens inverse et qui précèdent sont éblouis.
[0003]
On a proposé ces dernières années une technologie d'ABD (faisceau de conduite adaptatif) dans laquelle le motif de faisceau d'un feu de route est commandé de manière dynamique et adaptée en se basant sur les conditions ambiantes d'un véhicule. La technologie d'ABD est une technologie utilisée pour diminuer le risque d'éblouissement des conducteurs de véhicules qui précèdent et venant en sens inverse ou les piétons situés devant le véhicule en détectant l'existence de véhicules qui précèdent et venant en sens inverse ou de piétons situés devant le véhicule et en diminuant la puissance des faisceaux lumineux qui éclairent les zones où sont détectés les véhicules qui précèdent et venant en sens inverse ou les piétons.
[0004]
Une lampe pour véhicule ayant une fonction d'ABD va être décrite. La figure 1 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule ayant une fonction d'ABD selon une technologie comparative. Cette technologie comparative ne doit pas être considérée comme une technologie connue. [0005]
Une lampe pour véhicule lr comporte une source de lumière à semiconducteur 10 et un circuit d'éclairage 20r. Dans l'ABD, une zone d'éclairage de feu de route est divisée en une pluralité de ou en N (N est un nombre naturel supérieur ou égal à 2) sous-zones. La source de lumière à semiconducteur 10 comporte une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12_1 à 12_N qui sont associés individuellement avec les N sous-zones. Les dispositifs émetteurs de lumière 12 sont des dispositifs à semiconducteur tels que des DEL (diodes électroluminescentes) ou des DL (diodes laser) et sont disposés de façon à éclairer les sous-zones correspondantes. Le circuit d'éclairage 20r commande individuellement l'activation (allumage) et la désactivation (extinction) de la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12_1 à 12_N modifiant ainsi le motif de faisceau ou la répartition de l'intensité lumineuse du feu de route. En variante, le circuit d'éclairage 20r commande par PWM (modulation de largeur d'impulsions) les dispositifs émetteurs de lumière 12 à des fréquences élevées de façon à régler ainsi la luminance efficace.
[0006]
Le circuit d'éclairage 20r comporte une alimentation en courant 30r, une pluralité de circuits de dérivation 40_l à 40_N et un contrôleur 42. L'alimentation en courant 30r reçoit une tension de batterie VBat (appelée également tension d'entrée ViN) d'une batterie 2 par l'intermédiaire d'un commutateur 4 et stabilise à une certaine valeur cible un courant d'attaque IDrv qui s'écoule vers la source de lumière à semiconducteur 10.
[0007]
Les circuits de la pluralité de circuits de dérivation 40_l à 40_N sont associés individuellement avec la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12_1 à 12_N. Les circuits de dérivation 40 peuvent être commutés dans l'état passant et bloqué. Lorsqu'un i-ème circuit de dérivation 40_i est commuté dans l'état passant, le courant d'attaque Idrv ne circule pas vers le dispositif émetteur de lumière 12_i mais vers le circuit de dérivation 40_i, et le dispositif émetteur de lumière 12_i est désactivé, tandis que lorsque le circuit de dérivation 40_i est commuté dans l'état bloqué, le courant d'attaque IDrv circule vers le dispositif émetteur de lumière 12_i pour l'activer.
[0008]
Un processeur en amont (par exemple, une unité de commande électronique) 6 qui commande la lampe pour véhicule lr détermine les sous-zones destinées à être éclairées par le feu de route et fournit une instruction au contrôleur 42 du circuit d'éclairage 20r. Le contrôleur 42 commande les états des circuits de dérivation 40_l à 40_N en se basant sur une commande de contrôle provenant du processeur 6. De façon spécifique, le contrôleur 42 sélectionne les dispositifs émetteurs de lumière 12 correspondant aux sous-zones à éclairer et désactive les circuits de dérivation 40 qui sont parallèles au dispositif émetteur de lumière 12 sélectionné tout en activant les circuits de dérivation 40 qui sont parallèles aux dispositifs émetteurs de lumière 12 restants. [Documentations de l'art antérieur] [Documentations de brevets] [0009] [Documentation de brevet 1] Publication JPA n° 2008-205357 [Documentation de brevet 2] Publication JPA n° 2012-224317 [0010] L'inventeur et d'autres personnes ont étudié la lampe pour véhicule lr représentée sur la figure 1 et sont parvenus à identifier le problème suivant. La lampe pour véhicule lr représentée sur la figure 1 est telle que si l'on fait en sorte que le courant d'attaque Idrv reste constant à tout moment, les circuits de dérivation 40 sont commandés de manière à être activés et désactivés, modifiant le motif de répartition de lumière ou la quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur 10 dans son ensemble.
[0011] L'inventeur et d'autres personnes ont étudié l'application de la lampe pour véhicule lr représentée sur la figure 1 à un ADB à balayage de lame décrit dans le document de brevet 2. La technologie du balayage de lame est une technologie dans laquelle une lame configurée pour réfléchir la lumière provenant d'une source de lumière est animée d'un mouvement alternatif ou mise en rotation à grande vitesse afin de balayer le champ situé devant un véhicule avec de la lumière réfléchie pour former ainsi un motif de répartition de lumière.
[0012]
En tant que fonction de base de la technologie d'ADB, une fonction est créée dans laquelle l'existence de véhicules qui précèdent et venant en sens inverse et de piétons situés devant le véhicule est détectée et un éclairage ou des sous-zones d'un feu de route correspondant aux véhicules et aux piétons sont masqués pour réduire ainsi le risque d'éblouissement des véhicules et des piétons (anti-éblouissement). Dans le cas où la lampe pour véhicule lr représentée sur la figure 1 est utilisée, la lumière peut être allumée et éteinte pour chaque sous-zone en commandant les circuits de dérivation 40, permettant ainsi d'exécuter la commande anti-éblouissement.
[0013] D'autre part, pour améliorer la visibilité d'un conducteur, la technologie d'ABD peut comporter de plus (i) une fonction pour augmenter de manière relative la luminance d'une zone chaude seulement, et (ii) une fonction de pivotement électronique dans laquelle la répartition de la luminance et modifiée en se basant sur les informations de direction, c'est-à-dire que la luminance à l'extrémité gauche ou à l'extrémité droite est accrue. Pour tenter de réaliser ces fonctions dans la lampe pour véhicule à balayage de lame, la luminance de la source de lumière doit être modifiée en fonction de la position de la lame qui change de position aux vitesses élevées. Toutefois, dans le cas où la lampe pour véhicule lr représentée sur la figure 1 est adoptée, puisque le courant d'attaque IDrv est constant à tout moment, les quantités de lumière de l'ensemble des zones d'éclairement deviennent sensiblement constantes.
RÉSUMÉ DE L'INVENTION
[0014]
La présente invention a été réalisée en tenant compte de ces situations, et un objectif explicatif d'un aspect de la présente invention consiste à fournir une lampe pour véhicule dont l'éclairement peut varier aux vitesses élevées.
[0015]
Selon un aspect de la présente invention, il est fourni un circuit d'éclairage destiné à être utilisé avec une source de lumière à semiconducteur et constituant une lampe pour véhicule, incluant un convertisseur à commutation qui délivre de l'énergie à la source de lumière à semiconducteur et un contrôleur de convertisseur qui commande le convertisseur à commutation. Le contrôleur de convertisseur comporte un circuit de détection de courant configuré pour détecter un courant qui est délivré à la source de lumière à semiconducteur par le convertisseur à commutation, un comparateur à hystérésis configuré pour comparer la valeur du courant détecté à une tension de seuil supérieure et à une tension de seuil inférieure pour générer une impulsion de commande fonction du résultat de la comparaison, un circuit d'attaque configuré pour commuter un élément de commutation du convertisseur à commutation en fonction de l'impulsion de commande, et un circuit générateur de tension de seuil configuré pour recevoir une tension de commande variable indiquant une valeur de courant cible pour générer une tension de seuil supérieure et une tension de seuil inférieure en fonction de la tension de commande reçue.
[0016]
Selon cet aspect, la luminance (la quantité de lumière) de la source de lumière à semiconducteur peut être modifiée avec le temps en modifiant la tension de commande, et puisqu'il n'y a pas d'amplificateur d'erreur dans un système à rétroaction de ce circuit d'éclairage, on peut obtenir une réponse élevée, permettant ainsi de modifier la luminance aux vitesses élevées.
[0017]
Le circuit générateur de tension de seuil peut maintenir constante la différence de potentiel entre la tension de seuil supérieure et la tension de seuil inférieure quelle que soit l'amplitude de la tension de commande.
Ceci permet de diminuer le bruit attribué à une variation de fréquence du convertisseur à commutation.
[0018]
La tension de commande peut descendre en tant que limite de tension inférieure lorsque la tension de seuil inférieure devient égale à 0 V.
Ceci permet de supprimer la variation de la fréquence de commutation.
[0019]
Le circuit générateur de tension de seuil peut inclure une première résistance et une deuxième résistance ayant des valeurs de résistance égales et qui sont disposées en série entre une ligne de commande à laquelle est fournie la tension de commande et une ligne de masse à laquelle est fournie une tension de masse, une troisième résistance dont une première extrémité est connectée à un nœud de sortie qui est le point de connexion entre la première résistance et la deuxième résistance et une alimentation en tension configurée pour générer une première tension qui est inférieure d'une tension différentielle correspondant à la valeur cible de la différence de potentiel à la tension de commande et une seconde tension qui est supérieure de la tension différentielle à une tension de masse, (i) Un premier état dans lequel la première tension est appliquée à la seconde extrémité de la troisième résistance pour générer ainsi la tension de seuil supérieure sur le nœud de sortie et (ii) un second état dans lequel la seconde tension est appliquée à la seconde extrémité de la troisième résistance pour générer ainsi la tension de seuil inférieure sur le nœud de sortie peuvent être configurés pour être permutés en fonction de l'impulsion de commande.
Selon cet aspect de la présente invention, la tension de seuil supérieure et la tension de seuil inférieure peuvent être modifiées en fonction de la tension de commande tandis que la différence de potentiel entre les tensions de seuil supérieure et inférieure est maintenue constante.
[0020]
Le circuit générateur de tension de seuil peut être configuré de façon à régler la valeur cible de la différence de potentiel en fonction de la tension d'entrée et de la tension de sortie du convertisseur à commutation. Ceci permet de maintenir constante la fréquence de commutation.
[0021] L'alimentation en tension peut inclure une première borne de sortie configurée pour générer la première tension,' une seconde borne de sortie configurée pour générer la seconde tension, une quatrième résistance qui est disposée entre la ligne de commande et la première borne de sorbe et une alimentation en courant qui est disposée entre la première borne de sortie et la seconde borne de sortie pour générer un courant de commande qui est réglé en fonction de la tension de commande et de la tension d'entrée et de la tension de sortie du convertisseur à commutation.
[0022] L'alimentation en tension peut inclure une première borne de sortie configurée pour générer la première tension, une seconde borne de sortie configurée pour générer la seconde tension, une quatrième résistance qui est disposée entre la ligne de commande et la première borne de sortie, un premier transistor qui est disposé entre la première borne de sortie et la seconde borne de sortie, une cinquième résistance qui est disposée entre la seconde borne de sortie et la ligne de masse, un amplificateur d'erreur ayant une première entrée et une seconde entrée, une sixième résistance qui est disposée entre la borne de commande du premier transistor et la sortie de l'amplificateur d'erreur, une septième résistance qui est disposée entre la ligne d'alimentation à laquelle est fournie une tension d'alimentation et la sortie de l'amplificateur d'erreur, une huitième résistance qui est disposée entre la première entrée de l'amplificateur d'erreur et la seconde borne de sortie, une neuvième résistance qui est disposée entre la ligne d'entrée à laquelle est fournie la tension d'entrée et la première entrée de l'amplificateur d'erreur, une dixième résistance qui est disposée entre la ligne de commande et la seconde entrée de l'amplificateur d'erreur, une onzième résistance qui est disposée entre une ligne de sortie à laquelle est fournie la tension de sortie du convertisseur à commutation et la seconde entrée de l'amplificateur d'erreur, et une douzième résistance qui est disposée entre la seconde entrée de l'amplificateur d'erreur et la ligne de masse.
Selon cette configuration, la différence de potentiel de la tension de seuil supérieure et de la tension de seuil inférieure peut être modifiée en fonction de la tension d'entrée et de la tension de sortie, permettant ainsi de maintenir constante la fréquence de commutation.
[0023]
Le circuit générateur de tension de seuil peut inclure une treizième résistance dont une extrémité est connectée à une ligne de commande à laquelle est fournie la tension de commande, une première alimentation en courant qui est la source de la fourniture d'une certaine quantité de courant constant en fonction de la valeur cible de la différence de potentiel à la seconde extrémité de la treizième résistance et une seconde alimentation en courant qui reçoit le courant constant depuis la seconde extrémité de la treizième résistance, (i) Un premier état dans lequel la première alimentation en courant est connectée à la seconde extrémité de la treizième résistance pour générer ainsi la tension de seuil supérieure sur la seconde extrémité et (ii) un second état dans lequel la seconde alimentation en courant est connectée à la seconde extrémité de la treizième résistance pour générer ainsi la tension de seuil inférieure sur la seconde extrémité peuvent être configurés de façon à être permutés.
Selon cet aspect de la présente invention, la tension de seuil supérieure et la tension de seuil inférieure peuvent être modifiées tandis que la tension de seuil supérieure et la tension de seuil inférieure sont maintenues constantes.
[0024]
La source de lumière à semiconducteur peut inclure une pluralité de dispositifs émetteurs de lumières qui sont connectés en série. Le circuit d'éclairage peut inclure en outre N (N est un nombre naturel) circuits de dérivation qui sont associés individuellement avec N dispositifs émetteurs de lumière de la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière et qui sont disposés en parallèle avec les dispositifs émetteurs de lumière correspondants.
En adoptant cette configuration, la quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur peut être modifiée non seulement en modifiant la tension de commande mais également en commandant les circuits de dérivation. En particulier, dans le cas où l'on fait varier la tension de commande dans une mesure telle que la tension de seuil inférieure devient supérieure ou égale à 0 V, bien que la quantité de lumière ne puisse pas être commandée dans une zone qui est inférieure à une valeur limite inférieure de la tension de commande, selon cet aspect de la présente invention, la quantité de lumière peut également être commandée dans les zones où la quantité de lumière est faible.
[0025]
Le convertisseur à commutation peut être un convertisseur Cuk.
En utilisant le convertisseur Cuk, on peut améliorer les caractéristiques suivantes de la variation de la tension de commande. [0026]
Un autre aspect de la présente invention concerne une lampe pour véhicule. La lampe pour véhicule peut inclure une source de lumière à semiconducteur, un circuit d'éclairage pour allumer la source de lumière à semiconducteur et une lame qui est disposée de façon à recevoir la lumière émise par la source de lumière à semiconducteur pour éclairer la lumière réfléchie vers l'avant du véhicule et qui répète un mouvement périodique prédéterminé. La tension de commande fournie au circuit d'éclairage peut varier périodiquement en synchronisme avec le mouvement périodique.
[0027]
Des combinaisons arbitraires des éléments constitutifs ayant été décrits jusqu'ici et des remplacements des éléments constitutifs et des expressions de la présente invention en relation avec le procédé, le dispositif, le système et analogue, sont également efficaces en tant qu'aspects de la présente invention.
[0028]
Selon les aspects de la présente invention, il est possible de faire varier la luminance de la lampe pour véhicule aux vitesses élevées.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera bien comprise et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui suit. La description se rapporte aux dessins indiqués ci-après et qui sont donnés à titre d'exemple.
[0029]
La figure 1 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule comportant une fonction d'ADB selon la technologie comparative.
La figure 2 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 3A et 3B sont des schémas de circuit représentant des exemples de configuration de circuits générateurs de tension de seuil.
La figure 4 est un schéma de forme d'onde montrant le fonctionnement d'un convertisseur à commutation.
Les figures 5A et 5B sont des schémas de circuits d'exemples de configurations de circuits générateurs de tension de seuil pouvant commander la fréquence de commutation d'une façon constante.
La figure 6 est un schéma de forme d'onde montrant le fonctionnement d'un circuit d'éclairage.
La figure 7 est une vue en coupe horizontale d’une lampe pour véhicule incluant le circuit d'éclairage selon le mode de réalisation.
La figure 8 est une vue plane montrant schématiquement la configuration d'une unité de lampe incluant une unité optique selon le mode de réalisation.
La figure 9 est une vue de côté de l'unité de lampe vue depuis la direction A indiquée sur la figure 7.
Les figures 10A et 10B sont des schémas de circuit de circuits générateurs de tension de seuil selon des exemples modifiés.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE
[0030]
La présente invention va être décrite ci-après en référence aux dessins annexés, en se basant sur un mode de réalisation préféré de celle-ci. Des numéros de référence analogues seront attribués à des éléments constitutifs, organes et traitement analogues similaires représentés sur les dessins et des descriptions redondantes seront omises comme requis. De plus, un mode de réalisation n'est pas destiné à limiter la présente invention mais à illustrer la présente invention, et toutes les caractéristiques qui vont être décrites dans le mode de réalisation et les combinaisons des caractéristiques ne sont pas toujours essentielles pour la présente invention.
[0031]
Dans cette description, un « état dans lequel un élément A est connecté à un élément B » comporte non seulement l'état dans lequel l'élément A est directement connecté à l'élément B, mais également l'état dans lequel l'élément A est connecté indirectement à l'élément B par l'intermédiaire d'un autre élément ne modifiant pas sensiblement l'état dans lequel l'élément A est électriquement connecté à l'élément B ou n'endommageant pas le fonctionnement et l'effet qui sont fournis par la connexion électrique entre l'élément A et l'élément B.
De façon similaire, un « état dans lequel un élément C est disposé entre un élément A et un élément B » comporte non seulement l'état dans lequel l'élément A et l'élément C ou l'élément B et l'élément C sont directement connectés entre eux mais également l'état dans lequel l'élément A et l'élément C ou l'élément B et l'élément C sont connectés indirectement entre eux par l'intermédiaire d'un autre élément ne modifiant pas sensiblement l'état dans lequel l'élément A et l'élément C ou l'élément B et l'élément C sont électriquement connectés entre eux ou n'endommageant pas le fonctionnement et l'effet qui sont fournis par la connexion électrique entre l'élément A et l'élément C ou entre l'élément B et l'élément C.
[0032]
De plus, dans cette description, les numéros de référence attribués au signaux électriques tels que les signaux de tension, les signaux de courant et analogue ou aux éléments de circuit tels que les résistances et les condensateurs et analogue, représentent respectivement des valeurs de tension et des valeurs de courant des signaux de tension et des signaux de courant ou des valeurs de résistance des résistances et des valeurs de capacité des condensateurs.
[0033]
La figure 2 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule 1 selon ce mode de réalisation. La lampe pour véhicule 1 comporte une source de lumière à semiconducteur 10 et un circuit d'éclairage 20. La source de lumière à semiconducteur 10 comporte une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12_1 à 12_N qui sont connectés en série. Le circuit d'éclairage 20 est utilisé en même temps que la source de lumière à semiconducteur 10 et constitue la lampe pour véhicule 1. Les dispositifs émetteurs de lumière 12 sont par exemple des DEL (diodes électroluminescentes).
[0034]
Le circuit d'éclairage 20 comporte un convertisseur à commutation 30, un contrôleur de convertisseur 32, un ou une pluralité de circuits de dérivation 40_i à 40_n (N est un nombre naturel) et un contrôleur de dérivation 42.
[0035]
Une tension de batterie VÏN est délivrée par une batterie 2 au convertisseur à commutation 30 par l'intermédiaire d'un commutateur 4. Le convertisseur à commutation 30 délivre un courant d'attaque IDrv fonction de la luminance cible à la source de lumière à semiconducteur 10. Le convertisseur à commutation 30 est par exemple un convertisseur de type élévateur ou de type abaisseur. Sur la figure 2, est représenté un convertisseur de type Cuk. Puisque la topologie du convertisseur Cuk est connue, sa description sera ici omise.
[0036]
Les circuits de dérivation 40_i à 40_n sont associés individuellement avec N (N est un nombre naturel) dispositifs émetteurs de lumière 12 de la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12. Dans ce mode de réalisation, les circuits de dérivation 40 sont décrits comme étant fournis pour tous les dispositifs émetteurs de lumière 12. Le circuit de dérivation 40_i est disposé en parallèle avec le dispositif émetteur de lumière correspondant 12_i. Le circuit de dérivation 40_i peut être commuté entre un état PASSANT et un état BLOQUÉ, et lorsqu'il est dans l'état PASSANT, le circuit de dérivation 40_i est configuré pour former une ligne de dérivation qui est parallèle au dispositif émetteur de lumière 12_i. Le contrôleur de dérivation 42 commande la pluralité de circuits de dérivation 40_i à 40_N de manière à être dans l'état PASSANT ou dans l'état BLOQUÉ en fonction d'une commande de contrôle provenant d'un processeur en amont 6.
[0037]
Le contrôleur de convertisseur 32 reçoit une tension de commande Vcnt fonction de la commande de contrôle provenant du processeur 6 et modifie de façon dynamique le courant d'attaque IDrv qui est délivré par le convertisseur à commutation 30 à la source de lumière à semiconducteur 10 en fonction de la tension de commande VCnt· [0038]
Le contrôleur de convertisseur 32 comporte un circuit de détection de courant 34, un comparateur à hystérésis 36, un circuit générateur de tension de seuil 38 et un circuit d'attaque 39.
[0039]
Le circuit de détection de courant 34 détecte le courant d'attaque Idrv qui est délivré à la source de lumière à semiconducteur 10 par le convertisseur à commutation 30. Le convertisseur à commutation 30 comporte par exemple une résistance de détection de courant Rcs qui est disposée sur le trajet du courant d'attaque IDrv· La chute de tension (appelée tension de détection) qui est proportionnelle au courant d'attaque Idrv est générée dans la résistance de détection de courant Rcs. Le circuit de détection de courant 34 génère un signal de détection Vcs qui signale la valeur du courant d'attaque IDrv en fonction de la chute de tension dans la résistance de détection de courant Rcs- [0040]
Le comparateur à hystérésis 36 compare la valeur de détection Vcs du courant d'attaque IDrv à une tension de seuil supérieure Vthh et à une tension de seuil inférieure VThl et génère une impulsion de commande Sout en fonction du résultat de la comparaison effectuée. Le circuit d'attaque 39 commute un élément de commutation Ml du contrôleur de commutation 30 en fonction de l'impulsion de commande Sout· Le circuit d'attaque 30 par exemple rend PASSANT un transistor de commutation Ml pendant la durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sout est au niveau haut et rend BLOQUÉ le transistor de commutation Ml pendant la durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sout est au niveau bas.
[0041]
Le circuit générateur de tension de seuil 38 reçoit une tension de commande variable Vcnt qui indique une valeur cible Iref du courant d'attaque Idrv- Le circuit générateur de tension de seuil 38 génère une tension de seuil supérieure Vthh et une tension de seuil inférieure Vthl en fonction de la tension de commande Vcnt- Le circuit générateur de tension de seuil 38 maintient ici constante la différence de potentiel AV entre la tension de seuil supérieure Vthh et la tension de seuil inférieure Vthl, quelle que soit l'amplitude de la tension de commande Vcnt- [0042]
La sortie Sout du comparateur à hystérésis 36 est appliquée en entrée au circuit générateur de tension de seuil 38. Le circuit générateur de tension de seuil 38 délivre l'une des deux tensions de seuil Vthh, Vthl qui correspond au niveau de l'impulsion de commande Sout à la borne d'entrée non inverseuse du comparateur à hystérésis 36. De façon spécifique, le circuit générateur de tension de seuil 38 délivre en sortie Vthh lorsque l'impulsion de commande Sout est au niveau haut et délivre en sortie V-jhl lorsque l'impulsion de commande Sout est au niveau bas. [0043]
La tension de commande Vont varie en descendant à un niveau de tension limite inférieure auquel la tension de seuil inférieure Vthl devient égale à 0 V.
[0044]
Les figures 3A et 3B sont des schémas de circuits montrant des exemples de configurations de circuits générateurs de tension de seuil 38. Un circuit générateur de tension de seuil 38 représenté sur la figure 3A comporte une première résistance RI, une deuxième résistance R2, une troisième résistance R3 et une alimentation en tension 50. Une tension de commande VCnt est fournie à une ligne de commande 52. La première résistance RI et la deuxième résistance R2 sont disposées en série. La première résistance RI et la deuxième résistance R2 ont des valeurs de résistance égales. Une première extrémité de la troisième résistance R3 est connectée à un nœud de sortie 54 qui est le point de connexion entre la première résistance RI et la deuxième résistance R2.
[0045] L'alimentation en tension 50 génère une première tension VI (= Vcnt - AVr) qui est inférieure d'une tension différentielle AVr fonction de la valeur cible d'une différence de potentiel AV à la tension de commande VCnt et une seconde tension V2 (= VGnd + AVr = AVr) qui est supérieure de la tension différentielle AVr à la tension de masse VGNd (= 0 V).
[0046]
Le circuit générateur de tension de seuil 38 est configuré de sorte qu'un premier état φΐ et un second état φ2 peuvent être permutés en fonction de l'impulsion de commande Sour· Dans le premier état φΐ, la première tension VI est appliquée à la seconde extrémité de la troisième résistance R3 pour générer ainsi une tension de seuil supérieure Vthh au nœud de sortie 54. Dans le second état φ2, la seconde tension V2 est appliquée à la seconde extrémité de la troisième résistance R3 pour générer ainsi une tension de seuil inférieure Vthl au nœud de sortie 54. [0047]
Dans la configuration représentée sur la figure 3A, un sélecteur 56 est prévu pour permuter les états entre le premier état <j>l et le second état φ2. Le sélecteur 56 sélectionne la première tension VI pendant une durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sour est au niveau haut et le transistor de commutation Ml est passant (premier état φΐ). D'autre part, le sélecteur 56 sélectionne la seconde tension V2 pendant une durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sour est au niveau bas et le troisième transistor de commutation Ml est bloqué (second état φ2).
[0048]
Le circuit générateur de tension de seuil 38 représenté sur la figure 3A est équivalent au circuit générateur de tension de seuil 38 représenté sur la figure 3B. Dans le circuit générateur de tension de seuil 38 représenté sur la figure 3B, deux ensembles de premières résistances RI, de deuxièmes résistances R2 et de troisièmes résistances R3 (les résistances de chaque ensemble se distinguent par les indices a, b), sont prévus et un autre sélecteur 58 est prévu pour permuter entre le premier état φΐ et le second état φ2. La première tension VI est appliquée en entrée à une troisième résistance R3a d'un premier ensemble et la seconde tension V2 est appliquée en entrée à une troisième résistance R3b d'un second ensemble. La tension de seuil supérieure Vthh est générée sur un nœud de sortie 54a du premier ensemble et la tension de seuil inférieure Vthl est générée sur un nœud de sortie 54b du second ensemble. Le sélecteur 58 sélectionne la valeur de seuil supérieure Vthh pendant une durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sout est au niveau haut et le transistor de commutation Ml est passant (premier état φΐ). D'autre part, le sélecteur 58 sélectionne la tension de seuil inférieure Vthl pendant une durée au cours de laquelle l'impulsion de commande Sour est au niveau bas et le transistor de commutation Ml est bloqué (second état φ2).
[0049]
Dans le cas où RI = R2, selon le circuit générateur de tension de seuil 38 de la figure 3A ou de la figure 3B, les tensions de seuil suivantes
Vthh, Vthl peuvent être générées pour chacun du premier état φΐ et du second état φ2.
Vthh = VCMr /2 + RI/ (RI + 2 x R3) x (Vcnt /2 - AVr)
Vthl = VCNT /2 - RI/ (RI + 2 x R3) x (VCnt /2 - AVr) AV = Vthh - Vjhl = 2 x RI/ (RI + 2 x R3) x (VCNT /2 - AVr) [0050]
Le circuit générateur de tension de seuil 38 est configuré de préférence de sorte que la valeur cible de la différence de potentiel AV peut être réglée en fonction de la tension d'entrée ViN et la tension de sortie Vout du convertisseur à commutation 30. La valeur cible de la différence de potentiel AV est réglée de sorte que la fréquence de commutation (période de commutation) du convertisseur à commutation 30 devient constante.
[0051]
La figure 4 est un schéma de forme d'onde montrant le fonctionnement du convertisseur à commutation 30. L'incrémentation aIon du courant de sortie IDrv pendant le temps PASSANT TOn du transistor de commutation Ml est donnée par l'expression (1). AIon = (Vin /Ls) x Ton··· (1)
De façon similaire, la décrémentation AIoff du courant de sortie Idrv pendant le temps BLOQUÉ TOff du transistor de commutation Ml est donnée par l'expression (2). AIoff = (Vout/Ls) x Toff··· (2) [0052]
En régime permanent, AIon = AIoff = AI est établi.
Les expressions (3) et (4) sont obtenues d'après les expressions (1) et (2).
Ton = AI x Ls/Vin... (3)
Toff = AI x Ls/Vout··· (4)
En conséquence, on obtient une relation (5) en tant que condition pour maintenir constante la fréquence de commutation (période de commutation TP = TOn + TOff-
Tp = Ton + Toff = AI x Ls x (1/Vin + 1/Vour) = K (où K est une constante) AI = K/Ls/ (I/Vin + 1/Vour)..· (5) [0053]
Puisque l'inductance de la bobine Ls est considérée comme constante, on obtient l'expression (5a). ΔΙ = Ka/ (1/Vin + 1/Vout)··· (5a) [0054]
Une relation de proportionnalité est établie entre l'ondulation ΔΙ du courant et la largeur de l'ondulation AV de la tension de détection VCs-En conséquence, la fréquence de commutation peut être maintenue constante en réglant la différence de potentiel AV en fonction de la tension d'entrée Vin et de la tension de sortie VOut de façon à satisfaire à ,'expression (5b). AV = Kb (1/Vin + Vour)..· (5b) [0055]
Dans le cas où RI = R2, la différence de potentiel AV entre les deux tensions de seuil Vthhz Vthl qui sont générées par les circuits générateurs de tension de seuil 38 représentés sur les figures 3A et 3B est donnée par l'expression (6). AV = Vthh - Vthl = 2 x R1/(R1 + 2 x R3) x (Vcnt /2 - AVr)... (6) [0056]
En conséquence, AVr peut être générée de façon à satisfaire à l'expression (7). AVr = Vcnt/2 - AV/(2 x RI) x (RI + 2 x R3) = Vcnt/2 - Kb/(1/VIN + 1/VOUT)/ (2 x RI) x (RI + 2 x R3) ... (7) [0057]
Les figures 5A et 5B sont des schémas de circuit d'exemples de configurations de circuits générateurs de tension de seuil 38 qui peuvent commander la fréquence de commutation de manière à être constante. Une alimentation en tension 50 comporte une première borne de sortie 60, une seconde borne de sortie 62, une quatrième résistance R4, une cinquième résistance R5 et une alimentation en courant 51. La quatrième résistance R4 est disposée entre une ligne de commande 52 et la première borne de sortie 60. La cinquième résistance R5 est disposée entre la seconde borne de sortie 62 et une ligne de masse 66. L'alimentation en courant 51 est disposée entre la première borne de sortie 60 et la seconde borne de sortie 62 pour générer un courant de commande IMu en fonction de la tension de commande VCnt, de la tension d'entrée VÎN et de la tension de sortie Vour.
[0058]
La première tension VI et la seconde tension V2 sont exprimées par l'expression suivante en utilisant le courant IMu. VI = Vcnt - R4 x Imii V2 = R5 x Imii
On suppose que R4 = R5 = R, AVr = R x IMn est établi.
[0059]
La figure 5B montre un exemple de configuration plus spécifique que celui qui est représenté sur la figure 5A. Une alimentation en courant 51 comporte des résistances R6 à R12, un premier transistor Mil et un amplificateur d'erreur 64. Le premier transistor Mil est un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) à canal n et est disposé entre une première borne de sortie 60 et une seconde borne de sortie 62.
[0060] L'amplificateur d'erreur 64 comporte une première entrée (borne d'entrée inverseuse (-)) et une seconde entrée (borne d'entrée non inverseuse (+)). Une sixième résistance R6 est disposée entre la borne de commande (grille) du premier transistor Mil et la sortie de l'amplificateur d'erreur 64. Une septième résistance R7 est disposée entre une ligne d'alimentation 68 à laquelle est fournie une tension d'alimentation VDd et la sortie de l'amplificateur d'erreur 64. Une huitième résistance R8 est disposée entre la première entrée (-) de l'amplificateur d'erreur 64 et la seconde borne de sortie 62. Une neuvième résistance R9 est disposée entre une ligne d'entrée 70 à laquelle est fournie une tension d'entrée ViN et la première entrée (-1) de l'amplificateur d'erreur 64. Une dixième résistance RIO est disposée entre la ligne de commande 52 et la seconde entrée (+) de l'amplificateur d'erreur 64. Une onzième résistance Rll est disposée entre une ligne de sortie 72 à laquelle est fournie la tension de sortie VOut du convertisseur à commutation 30 et la seconde entrée (+) de l'amplificateur d'erreur 64. Une douzième résistance R12 est disposée entre la seconde entrée (+) de l'amplificateur d’erreur 64 et la ligne de masse 66.
[0061]
Dans le circuit générateur de tension de seuil 38 représenté sur la figure 5B, une approximation de la seconde tension V2 (= AVr) est donnée par une huitième expression (8). L'expression approchée est déduite d'une analyse de régression. V2 = AVr = -0,04399 x VIN - 0,01393 x Vour + (R8/R9 + 1) x (Vcnt/R10)/ (1/R10 + 1/R11 + 1/R12)... (8) [0062]
Ceci permet de régler la différence de potentiel AV entre la tension de seuil supérieure Vthh et la tension de seuil inférieure Vthl en fonction de la tension d'entrée VÎN et de la tension de sortie Vout pour maintenir ainsi constante de la fréquence de commutation.
[0063]
La configuration du circuit d'éclairage 20 a ainsi été décrite jusqu'ici. Son fonctionnement va ensuite être décrit.
La figure 6 est un schéma de forme d'onde montrant le fonctionnement du circuit d'éclairage 20. La tension de commande Vcnt varie avec le temps. La tension de seuil supérieure Vthh et la tension de seuil inférieure Vthl varient en fonction de la tension de commande Vcnt-Ceci permet à la valeur de crête IThh et à la valeur inférieure Ithl du courant d'attaque IDrv de varier en fonction de la tension de commande Vcisrr, de sorte qu'on peut faire varier la valeur efficace (valeur moyenne) du courant d'attaque IDRV en fonction de la tension de commande Vcnt-[0064]
De plus, on peut rendre constante la fréquence de commutation en maintenant la différence de potentiel (ondulation de tension) AV entre les deux tensions de seuil VThh, Vthl à une certaine valeur cible, permettant ainsi de diminuer le bruit.
[0065]
La tension d'entrée Vin et la tension de sortie Vout du convertisseur à commutation 30 peuvent varier sur une échelle à long terme ou une échelle à court terme. Même si la tension d'entrée VÏN ou la tension de sortie Vout varie, la fréquence de commutation peut alors être maintenue constante en modifiant la valeur cible de la différence de potentiel AV en se basant sur la tension d'entrée Vin et sur la tension de sortie Vout et en outre, le bruit peut être réduit.
[0066]
Lorsqu'on diminue la tension de commande Vont sans limitation, dans un état dans lequel la tension de seuil inférieure Vthl est bloquée à Ο V, seule la tension de seuil supérieure Vthh diminue. Dans cet état, la valeur efficace du courant d'attaque IDrv diminue, tandis que la fréquence de commutation augmente. La constance de la fréquence de commutation peut alors être garantie en réglant la valeur limite VMin de la vitesse de variation de la tension de commande Vcnt à un niveau auquel la tension de seuil inférieure Vthl devient supérieure ou égale à 0 V (le courant inférieur IThl devient égal à 0 A).
[0067]
La figure 7 est une vue en coupe horizontale de la lampe pour véhicule 1 (phare de véhicule) incluant le circuit d'éclairage 20 selon ce mode de réalisation. Le phare de véhicule 1 est un phare côté droit qui est monté sur la partie d'extrémité avant droite d'un véhicule à moteur et dont la construction est identique à celle d'un phare côté gauche qui est monté sur la partie d'extrémité avant gauche du véhicule à moteur, à l'exception du fait qu'ils sont latéralement symétriques ,'un par rapport à l'autre. Pour cette raison, dans la description qui suit, le phare pour véhicule côté droit sera décrit en détail et la description du phare de véhicule côté gauche sera ici omise.
[0068]
Comme représenté sur la figure 7, le phare pour véhicule 1 possède un corps de lampe 112 qui comporte une partie en retrait qui est ouverte vers l'avant. Dans le corps de lampe 112, son ouverture avant est recouverte par un couvercle avant transparent 114 de manière à définir un compartiment de lampe 116. Le compartiment de lampe 116 joue le rôle d'espace où deux unités de lampe 118,120 sont reçues dans un état dans lequel les unités de lampe sont disposées en ligne dans le sens de la largeur du véhicule.
[0069]
Dans le phare pour véhicule côté droit 1, parmi ces unités de lampe, l'unité de lampe extérieure, c'est-à-dire l'unité de lampe 120 qui est disposée plus haut, comme on le voit sur la figure 7, est une unité de lampe incluant une lentille et est configurée de façon à émettre un feu de route variable. D'autre part, dans la lampe pour véhicule côté droit 1, parmi ces unités de lampe, l'unité de lampe intérieure, c'est-à-dire l'unité de lampe 118 qui est disposée plus bas, comme on le voit sur la figure 7, est configurée pour émettre un feu de croisement.
[0070] L'unité de lampe de feu de croisement 118 comporte un réflecteur 122, une ampoule formant source de lumière (ampoule à incandescence) 124 qui est supportée par le réflecteur 122 et un volet, non représenté. Le réflecteur 122 est supporté de façon à s'incliner librement par rapport au corps de lampe 112, par exemple au moyen d'un dispositif utilisant une vis de visée et un écrou.
[0071]
Comme représenté sur la figure 7, ,'unité de lampe 120 comporte un réflecteur rotatif 126, une DEL 128 (source de lumière à semiconducteur 10 décrite ci-dessus), une lentille convexe 130 qui est une lentille de projection disposée en avant du réflecteur rotatif 126. Un dispositif émetteur de lumière à semiconducteur tel qu'un dispositif EL ou un dispositif DL peut également être utilisé en tant que source de lumière à la place de la DEL 128. En particulier, dans une commande pour couper une partie du motif de répartition de lumière, une source de lumière, pouvant être allumée et éteinte précisément en une courte période de temps est préférable. Bien que la forme de la lentille convexe 130 puisse être choisie comme nécessaire en fonction des caractéristiques d'intensité lumineuse exigées telles que le motif de répartition de lumière ou la répartition d'éclairement, une lentille asphérique ou une lentille incurvée libre est utilisée. Dans ce mode de réalisation, on utilise une lentille asphérique en tant que lentille convexe 130.
[0072]
On fait tourner le réflecteur rotatif 126 autour d'un axe de rotation R au moyen d'une source d'entraînement telle qu'un moteur, non représenté. De plus, le réflecteur rotatif 126 comporte une surface réfléchissante qui réfléchit la lumière émise par la DEL 128 en tournant de façon à former un motif de répartition de lumière désiré. Dans ce mode de réalisation, le réflecteur rotatif 126 constitue une unité optique.
[0073]
La figure 8 est une vue de dessus représentant schématiquement la configuration de l'unité de lampe 120 incluant l'unité optique selon ce mode de réalisation. La figure 9 est une vue de côté de l'unité de lampe 120 vue depuis la direction A représentée sur la figure 7.
[0074]
Le réflecteur rotatif 126 comporte trois lames 126a, jouant le rôle de surface réfléchissante, ayant la même forme et qui sont disposées sur la périphérie d'une partie cylindrique rotative 126b. L'axe de rotation R du réflecteur rotatif 126 est incliné par rapport à ,'axe optique Ax et est disposé dans un plan qui contient l'axe optique Ax et la DEL 128. En d'autres termes, l'axe de rotation R est disposé sensiblement parallèlement au plan de balayage de lumière (faisceau d'éclairage) de la DEL 128 qui balaie dans la direction gauche-droite par rotation. Ceci permet de rendre l'unité optique mince. Le plan de balayage peut ici être considéré comme un plan en forme d'éventail qui est formé en reliant en continu les lieux géométriques de la lumière de la DEL 128 qui constitue la lumière de balayage.
[0075]
De plus, dans ,'unité de lampe 120 selon ce mode de réalisation, la DEL 128 prévue est relativement petite et est disposée dans une position se trouvant entre le réflecteur rotatif 126 et la lentille convexe 130 et qui est déviée par rapport à l'axe optique Ax. Pour cette raison, par rapport à une unité de lampe de projecteur classique dans laquelle une source de lumière, un réflecteur et une lentille sont agencés en ligne sur un axe optique, la direction de profondeur (direction avant-arrière du véhicule) du phare de véhicule 1 peut être raccourcie.
[0076]
La forme des lames 126a du réflecteur rotatif 126 est configurée de sorte qu'une source de lumière secondaire de la DEL 128 due à la réflexion est formée près du foyer de la lentille convexe 130. De plus, les lames 126a ont une forme torsadée, de sorte que l'angle formé par l'axe optique Ax et la surface réfléchissante varie lorsque les lames 126a s'étendent dans la direction circonférentielle qui est centrée au niveau de l'axe de rotation R. Ceci autorise un balayage utilisant la lumière de la DEL 128, comme représenté sur la figure 8.
[0077]
La période de balayage Tscan d'une image éclairée qui est obtenue par un mouvement périodique (mouvement de rotation) des lames 126a est de l'ordre de 20 ms (50 Hz) à 5 ms (200 Hz) et ne peut pas être détectée par ,'œil humain.
[0078]
Le circuit d'éclairage 20 selon ce mode de réalisation peut être utilisé de préférence pour une lampe pour véhicule à balayage de lame. La tension de commande Vcnt peut être modifiée en association avec le mouvement périodique (déplacement) des lames 126a, de sorte que l'intensité de la lumière peut être augmentée ou diminuée pour chaque position d'éclairage, permettant ainsi de former un motif d'éclairage arbitraire. De façon spécifique, avec le circuit d'éclairage 20, il est possible de réaliser une fonction de pivotement électronique dans laquelle (i) la luminance uniquement de la zone chaude de l'aire d'éclairage est renforcée de manière relative et (ii) la répartition de la luminance est modifiée en se basant sur les informations de direction, c'est-à-dire que la luminance à l'extrémité gauche ou à l'extrémité droite est renforcée.
[0079]
Comme indiqué sur le schéma de forme d'onde représenté sur la figure 6 par exemple, la période de balayage Tscan est divisée en une pluralité (huit par exemple) de sections égales, de sorte que la tension de commande VCnt, c'est-à-dire la luminance de la DEL 128 peut être configurée de façon à être commutée pour chacune des sections. On peut faire varier la tension de commande Vcnt de façon modérée aux limites entre les sections adjacentes.
[0080]
De cette manière, bien que la lampe pour véhicule 1 selon ce mode de réalisation puisse être utilisée de préférence dans le phare à balayage de lame, on peut également utiliser la lampe pour véhicule 1 pour d'autres types de phares.
[0081]
La présente invention a ainsi été décrite en se basant sur le mode de réalisation. Ce mode de réalisation illustre uniquement l'exemple de la présente invention et ainsi, il doit être évident à un homme de l'art concerné par la présente invention que ce mode de réalisation peut être modifié de manière variée en combinant les éléments constitutifs et les processus de traitement décrits dans le mode de réalisation et que les exemples résultants modifiés doivent appartenir à la portée de la présente invention. De tels exemples modifiés vont être décrits ci-après.
[0082] (Premier exemple modifié)
Les figures 10A et 1OB sont des schémas de circuit de circuits générateurs de tension de seuil 38 selon un exemple modifié. Les circuits générateurs de tension de seuil 38 comportent une treizième résistance R13, une première alimentation en courant 80 et une seconde alimentation en courant 82. Une première extrémité de la treizième résistance R13 est connectée à une ligne de commande 52 à laquelle est fournie une tension de commande Vcnt- Le premier courant d'alimentation 80 est la source d'une alimentation d'une quantité de courant constant Ai en fonction d'une valeur cible d'une différence de potentiel AV sur la seconde extrémité E2 de la treizième résistance R13. La seconde alimentation en courant 82 reçoit le courant constant Ai de la seconde extrémité E2 de la treizième résistance R13. Les circuits générateurs de tension de seuil 38 sont configurés de sorte à permuter les états entre (i) un premier état φΐ dans lequel la première alimentation en courant 80 est connectée à la seconde extrémité E2 de la treizième résistance R13 pour générer ainsi une tension de seuil supérieure Vthh sur la seconde extrémité E2 et (ii) un second état φ2 dans lequel la seconde alimentation en courant 82 est connecté à la seconde extrémité E2 de la treizième résistance R13 pour générer ainsi une tension de seuil inférieure Vthl sur la seconde extrémité E2. Sur la figure 10A, un sélecteur 84 est prévu pour permuter les états entre le premier état φΐ et le second état φ2. Sur la figure 10B, des treizième résistances 13a, 13b sont prévues individuellement pour la première alimentation en courant 80 et la seconde alimentation en courant 82, et les tensions sur les secondes extrémités E2 des deux treizièmes résistances R13a, R13b peuvent être sélectionnées au moyen d'un sélecteur 86.
[0083]
Selon les circuits générateurs de tension de seuil 38 représentés sur les figures 10A et 10B, Vthh = VCNt + R13 x Ai peut être générée dans le premier état φΐ et Vthl = Vcnt - R13 x Ai peut être générée dans le second état φ2. Ai peut être modifié en fonction de la tension d'entrée Vin et de la tension de sortie V0UT afin de supprimer la variation de fréquence lorsque la tension varie.
[0084] (Deuxième exemple modifié)
En tant que source de lumière à semiconducteur 10, en plus de la DEL, une source de lumière à semiconducteur telle qu'une DL (diode laser) ou une EL organique (à électroluminescence) peut être utilisée.
[0085] (Troisième exemple modifié)
Bien que le convertisseur à commutation 30 soit constitué du convertisseur Cuk dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, la présente invention n'y est pas limitée. Le convertisseur à commutation 30 est par exemple le convertisseur du type abaisseur (convertisseur Buck) et le convertisseur abaisseur peut être commandé en utilisant un contrôleur de convertisseur 32. Dans ce cas, un convertisseur pré-élévateur et abaisseur de type à transfert indirect ou direct peut être inséré au niveau d'un étage précédent dans le convertisseur abaisseur pour recevoir une tension de batterie VBAT.
[0086]
Bien que la présente invention ait été décrite en utilisant les termes et les phrases spécifiques basés sur le mode de réalisation, le mode de réalisation illustre seulement le principe et l'application de la présente invention et en conséquence, il est autorisé d'effectuer un grand nombre de modifications ou de variantes d'agencement du mode de réalisation sans s'écarter de l'idée de la présente invention prescrite dans les revendications, qui vont être décrites ci-dessous.
[Description des numéros de référence] [0087] 1 lampe pour véhicule ; 2 batterie ; 4 commutateur ; 6 processeur ; 10 source de lumière à semiconducteur ; 12 dispositif émetteur de lumière ; 20 circuit d'éclairage ; 30 convertisseur à commutation ; 32 contrôleur de convertisseur ; 34 circuit de détection de courant ; 36 comparateur à hystérésis ; 38 circuit générateur de tension de seuil ; 39 circuit d'attaque ; 40 circuit de dérivation ; 42 contrôleur de dérivation ; RI première résistance ; R2 deuxième résistance ; R3 troisième résistance ; R4 quatrième résistance ; R5 cinquième résistance ; R6 sixième résistance ; R7 septième résistance ; R8 huitième résistance ; R9 neuvième résistance ; RIO dixième résistance ; Rll onzième résistance ; R12 douzième résistance ; R13 treizième résistance ; 50 alimentation en tension ; 52 ligne de commande ; 54 nœud de sortie ; 56, 58 sélecteur ; Mil transistor ; 60 première borne de sortie ; 62 seconde borne de sortie ; 64 amplificateur d'erreur ; 66 ligne de masse ; 68 ligne d'alimentation ; 80 première alimentation en courant ; 82 seconde alimentation en courant ; 84, 86 sélecteur.

Claims (12)

  1. REVENDICATIONS
    1, Circuit d'éclairage (20) destiné à être utilisé avec une source de lumière à semiconducteur (10) et constituant une lampe pour véhicule (1), caractérisé en ce qu’il comprend : un convertisseur à commutation (30) qui délivre de l’énergie à la source de lumière à semiconducteur (10) ; et un contrôleur de convertisseur (32) qui commande le convertisseur à commutation (30), dans lequel le contrôleur de convertisseur (32) comprend : un circuit de détection de courant (34) configuré pour détecter un courant qui est délivré à la source de lumière à semiconducteur (10) par 1e convertisseur à commutation (30) ; un comparateur à hystérésis (36) configuré pour comparer la valeur du courant détecté à une tension de seuil supérieure (Vthh) et à une tension de seuil inférieure (Vthl) pour générer une impulsion de commande fonction du résultat de la comparaison ; un circuit d'attaque (39) configuré pour commuter un élément de commutation du convertisseur à commutation (30) en fonction de l'impulsion de commande ; et un circuit générateur de tension de seuil (38) configuré pour recevoir une tension de commande variable indiquant une valeur de courant cible pour générer une tension de seuil supérieure (Vthh) et une tension de seuil inférieure (Vthl) en fonction de la tension de commande (Vcnt) reçue,
  2. 2, Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 1, dans lequel 1e circuit générateur de tension de seuil (38) maintient constante la différence de potentiel entre la tension de seuil supérieure et la tension de seuil inférieure quelle que soit l'amplitude de la tension de commande (Vcht)»
  3. 3, Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 2, dans lequel la tension de commande (VCnt) descend en tant que limite de tension inférieure lorsque la tension de seuil inférieure (Vthl) devient égale à 0 V,
  4. 4, Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 2 ou 3f dans lequel le circuit générateur de tension de seuil (38) comprend : une première résistance (RI) et une deuxième résistance (R2) ayant des valeurs de résistance égales et qui sont disposées en série entre une ligne de commande (52) à laquelle est fournie la tension de commande (Vcnt) et une ligne de masse (66) à laquelle est fournie une tension de masse (VGnd) ; une troisième résistance (R3) dont une première extrémité est connectée à un nœud de sortie (54) qui est le point de connexion entre la première résistance et la deuxième résistance ; et une alimentation en tension (50) configurée pour générer une première tension (VI) qui est inférieure d’une tension différentielle (AVr) correspondant à la valeur cible de la différence de potentiel (AV) à la tension de commande et une seconde tension (V2) qui est supérieure de la tension différentielle (AV) à une tension de masse (Vgnd), dans lequel (i) un premier état (<j>l) dans lequel la première tension (VI) est appliquée à une seconde extrémité de la troisième résistance (R3) pour générer ainsi la tension de seuil supérieure (VraH) sur le nœud de sortie (54) et (il) un second état (φ2) dans lequel la seconde tension (V2) est appliquée à la seconde extrémité de la troisième résistance (R3) pour générer ainsi la tension de seuil inférieure (Vthl) sur le nœud de sortie (54) peuvent être permutés en fonction de l'impulsion de commande.
  5. 5. Circuit d’éclairage (20) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel le circuit générateur de tension de seuil (38) est configuré de façon à régler la valeur cible de la différence de potentiel (AV) en fonction de la tension d’entrée (Vin) et de la tension de sortie (Vout) du convertisseur à commutation (30).
  6. 6. Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 4, dans lequel l'alimentation en tension (50) comporte : une première borne de sortie (60) configurée pour générer la première tension (VI) ; une seconde borne de sortie (62) configurée pour générer la seconde tension (V2) ; une quatrième résistance (R4) qui est disposée entre la ligne de commande (52) et la première borne de sortie (60) ; une cinquième résistance (R5) qui est disposée entre la seconde borne de sortie (62) et la ligne de masse (66) ; et et une alimentation en courant (51) qui est disposée entre la première borne de sortie (60) et la seconde borne de sortie (62) pour générer un courant de commande qui est réglé en fonction de la tension de commande et de la tension d’entrée et de la tension de sortie du convertisseur à commutation (30).
  7. 7. Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 4, dans lequel l'alimentation en tension (50) comporte : une première borne de sortie (60) configurée pour générer la première tension (VI) ; une seconde borne de sortie (62) configurée pour générer la seconde tension (V2) ; une quatrième résistance (R4) qui est disposée entre la ligne de commande (52) et la première borne de sortie (60) ; une cinquième résistance (R5) qui est disposée entre la seconde borne de sortie (62) et la ligne de masse (66) ; un premier transistor (Mil) qui est disposé entre la première borne de sortie (60) et la seconde borne de sortie (62) ; un amplificateur d’erreur (64) ayant une première entrée et une seconde entrée ; une sixième résistance (R6) qui est disposée entre la borne de commande du premier transistor et la sortie de l’amplificateur d'erreur ; une septième résistance (R7) qui est disposée entre la ligne d’alimentation (68) à laquelle est fournie une tension d’alimentation (VDD) et la sortie de l’amplificateur d’erreur (64) ; une huitième résistance (R8) qui est disposée entre la première entrée (-) de l’amplificateur d’erreur (64) et la seconde borne de sortie (62); une neuvième résistance (R9) qui est disposée entre la ligne d’entrée (70) à laquelle est fournie la tension d’entrée (V5N) et la première entrée (-) de l’amplificateur d’erreur (64) ; une dixième résistance (RIO) qui est disposée entre la ligne de commande (52) et la seconde entrée (+) de l’amplificateur d’erreur (64) ; une onzième résistance (Rll) qui est disposée entre une ligne de sortie (72) à laquelle est fournie la tension de sortie (VOut) du convertisseur à commutation (30) et la seconde entrée (+) de l’amplificateur d’erreur ; et une douzième résistance (R12) qui est disposée entre la seconde entrée (+) de l'amplificateur d’erreur (64) et la ligne de masse (66).
  8. 8. Circuit d'éclairage (20) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le circuit générateur de tension de seuil (38) comprend : une treizième résistance (R13) dont une extrémité est connectée à une ligne de commande (52) à laquelle est fournie la tension de commande (Vqmt) ; une première alimentation en courant (80) qui est la source de la fourniture d'une certaine quantité de courant constant (Ai) en fonction de la valeur cible de la différence de potentiel (AV) à la seconde extrémité (E2) de la treizième résistance ; et une seconde alimentation en courant (82) qui reçoit le courant constant (Ai) depuis la seconde extrémité (E2) de la treizième résistance ; dans lequel (i) Un premier état (φΐ) dans lequel la première alimentation en courant (80) est connectée à la seconde extrémité (E2) de la treizième résistance pour générer ainsi la tension de seuil supérieure (Vthh) sur la seconde extrémité (E2) et (il) un second état (φ2) dans lequel la seconde alimentation en courant (82) est connectée à la seconde extrémité (E2) de la treizième résistance pour générer ainsi la tension de seuil inférieure (Vthl) sur la seconde extrémité (E2) peuvent être permutés.
  9. 9. Circuit d'éclairage (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le convertisseur à commutation (30) comporte un convertisseur Cuk,
  10. 10. Circuit d’éclairage (20) selon la revendication 1, dans lequel le circuit générateur de tension de seuil (38) est configuré pour délivrer au comparateur à hystérésis (36) l'une de la tension de seuil supérieure (VTOh) et de la tension de seuil inférieure (Vthl) en fonction de l'impulsion de commande.
  11. 11. Lampe pour véhicule (1) comprenant : une source de lumière à semiconducteur (10) incluant une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière (12) qui sont connectés en série ; 1e circuit d'éclairage (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10f qui est configuré pour allumer la source de lumière à semiconducteur (10) ; et une lame (126a) qui est disposée de façon à recevoir la lumière émise par la source de lumière à semiconducteur (10) pour éclairer la lumière réfléchie vers l'avant du véhicule et qui répète un mouvement périodique prédéterminé.
  12. 12. Lampe pour véhicule (1) selon la revendication 11, dans laquelle la tension de commande (Vcnt) qui est fournie au circuit d’éclairage (20) varie périodiquement en synchronisme avec le mouvement périodique.
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