FR2968230A1 - Composition de fondant durcissable et procede de soudage - Google Patents

Composition de fondant durcissable et procede de soudage Download PDF

Info

Publication number
FR2968230A1
FR2968230A1 FR1161089A FR1161089A FR2968230A1 FR 2968230 A1 FR2968230 A1 FR 2968230A1 FR 1161089 A FR1161089 A FR 1161089A FR 1161089 A FR1161089 A FR 1161089A FR 2968230 A1 FR2968230 A1 FR 2968230A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
group
flux composition
curable
electrical contacts
composition according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1161089A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2968230B1 (fr
Inventor
David D Fleming
Mike K Gallagher
Kim Sang Ho
Mark R Winkle
Xiang-Qian Liu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of FR2968230A1 publication Critical patent/FR2968230A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2968230B1 publication Critical patent/FR2968230B1/fr
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C217/00—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton
    • C07C217/52—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having etherified hydroxy groups or amino groups bound to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/362—Selection of compositions of fluxes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • B23K1/203—Fluxing, i.e. applying flux onto surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3613—Polymers, e.g. resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3615—N-compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/365—Selection of non-metallic compositions of coating materials either alone or conjoint with selection of soldering or welding materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/182—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing using pre-adducts of epoxy compounds with curing agents
    • C08G59/184—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing using pre-adducts of epoxy compounds with curing agents with amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5026—Amines cycloaliphatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/17—Amines; Quaternary ammonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

Une composition de fondant durcissable est fournie, comprenant, en tant que composants initiaux : un composant de résine comportant au moins deux groupes oxirane par molécule ; un fondant représenté par la formule I : dans laquelle R , R , R et R sont indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle substitué en C à C , un groupe alkyle non substitué en C à C , un groupe arylalkyle substitué en C à C et un groupe arylalkyle non substitué en C à C ; et dans laquelle de zéro à trois des radicaux R , R , R et R représente(nt) un atome d'hydrogène ; et optionnellement, un agent de durcissement. Est également fourni un procédé de soudage d'un contact électrique utilisant la composition de fondant durcissable.

Description

ÇQMPQ$ITIQN DE EQNDANT DURCTSSABLE ET' PRQÇEDE DE SOUDAGE présente invention concerne une composition de fondant durcissab!e comprenant, en tant que composants initiaux : un composant de résine comportant au moins Ceci, groupes oxirane par molécule ; un fondant représenté par la formule I, dans laquelle R_' "t R sont indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe aikyle substitué en C_ à c. , un groupe alkyle non substitué en CI à C: un groupe arylalkyle substitué en C7 â C80 et un groupe arylalkyle non substitué en C à C80; et dans laquelle de zéro â trais des radicaux RI, R2, 10 R3 et R4 représente(nt) un atome d'hydrogène ; et optionnellement, un agent de durcissement. Le terme « composant initial » se réfère â la matière telle qu'elle est ajoutée pour préparer la composition. Un « composant initial » peut changer, réagir ou interagir lors de son ajout â d'autres composants dans la composition, et donc ne plus être présent 15 dans le flux dans la forme qu'il avait avant son introduction dans la composition. La présente invention concerne en outre un procédé de soudage d'un contact électrique utilisant la composition de fondant durcissable. Le fondant est un outil important utilisé dans la fabrication des 20 dispositifs électriques, notamment dans le montage d'un composant électronique {par exemple, une puce è serai-conducteur) sur un substrat {pai mretriple, un circuit imprnmé nu, une carte de circuit imprimé, un substrat organique, Ln Inter p'o` eur icium, une autre puce 25 tronige _s sur un r 'tC)lï pu,L. en pÎU , imo riant r.Jtlll: ?i_JUr MDPt,'r I ' ï COMp uostr Dan ` ri1pie dt pr Utl l_;ûr PLU' connexion, chevilles de contact) . En variante, une brasure est fournie sur les contacts correspondants situés sur le substrat (par exemple, plots de connexion, orifices de passage plaqués cuivre). Un fondant est appliqué sur la brasure pour éliminer les couches d'oxyde qui peuvent ètre présentes â la surface de la brasure ou â la surface des contacts sur la puce a semi-conducteur ou le substrat. Le fondant a également pour rôle d'offrir un mouillage accru des contacts par la brasure lors de. la refusion. La brasure ou les contacts sur la puce à semi-conducteur sont dors amenés en contact physique avec les contacts correspondants ou la brasure sur le substrat. La brasure sur la puce à semi-conducteur et/ou le substrat est alors chauffée jusqu'à refusion. Après refroidissement, des interconnexions entre la puce à semi-conducteur et le substrat se forment. Typiquement, ces interconnexions sont ensuite encapsulées (par exemple, avec une résine époxy) pour accroître la fiabilité de l'ensemble puce â semi-conducteur/substrat. A savoir, la résine d'encapsulation aide â relâcher les tensions qui pourraient par ailleurs se développer étant donné les différences de coefficient d'expansion thermique entre la puce à semi-conducteur et le substrat. Le choix final du fondant utilisé dans le procédé décrit ci-dessus est très important. L'utilisation de nombreux fondants classiques entraîne la formation de résidus ioniques indésirables qui peuvent réduire la fiabilité du disposdjn par conséquent, ces résidus ioniques indésirables doivent dispositif. Le netto due d ' nr 1-i n s(;Li é 'c, t t 's fi PrUC_eC~t' ~rlatïon 1lclil~ -'( I- 1=1f11 dors_ 0 2968230 remplir l'espace entre la puce â semi-conducteur et ie substrat et pour renforcer les J0'1lb à brasure interconnectant électriquement la puce à serai-conducteur et le substrat Ces matériaux pour manque de métal reposent sur une action capillaire pour remplir l'espace. 5 L'espace entre la puce a semi-conducteur et le substrat doit titre complètement rempli pour offrir une fiabilité maximale au composant électrique du produit. Cependant, lorsque le matériau organique durcissable est appliqué à la périphérie de l'espace entre la puce â semicontiucteur et le substrat, des vides peuvent rester dans la partie centrale 10 de l'espace. Plus la taille du composant électrique diminue (â savoir, la hauteur de l'espace se réduit), plus l'effet limitant de l'action capillaire provoque l'expansion de la région centrale non remplie. Pour résoudre ce problème, par conséquent, certains ont prévu un trou dans le substrat â proximité du centre de la région où se situe 15 l'espace. Le matériau pour manque de métal est alors introduit dans l'espace â travers ce trou et vers la périphérie. Cette approche, cependant, nécessite des dispositifs dont la conception permet d'offrir une région exempte de circuiterie pour faciliter la mise en place du trou central. Une autre approche pour résoudre le problème du manque de 20 métal est maintenant désignée par le terme de procédé « sans écoulement dans lequel un matériau pour manque de métal est pré-applique sur ia puce â semi-conducteur et/ou ie substrat avant le soudage. Ce matE_`.l"lau oceupe ensuite l'E'space urine la puce a s_rneconducCeur et le IDDUI (~lt'i pli ~1'lry: ,oint Cc3t'''n ;7 ,,ria Cé'. 7 's S;ln e 'cilcrc'nt On Salt Cp 'I C r au pou manC{u_ d' nl: ta'i fCu'r`11SSant C1.S 0nCt~Ji1ilali i e n C] a n t ~1 L! Cl ~~' i 1 _'C1 =r11 r, ri fondant et de rempiissage du marque de métal en une seuie étape et éliminent la nécessité d'une étape de nettoyage. Un tel matériau pour manque de métal sans écoulement est d par Pennisi et al. dans le brevet U.S. IV 5 128 746. Pennisi et al. décrivent un adhésif thermodurcissable contenant un fondant pour l'utilisation dans le soudage par refusion d'un composant électrique et d'un substrat, comprenant un adhésif qui élimine les couches d'oxyde du composant électrique ou du substrat et qui durcit au moins partiellement lorsqu'il est chauffé aux températures de soudage, ledit adhésif étant essentiellement constitué d'une résine thermodurcissable, d'un fondant en quantité suffisante pour éliminer lesdites couches d'oxyde dudit composant ou dudit substrat, et d'un agent de durcissement qui réagit avec la résine thermodurcissable et la durcit lorsque l'adhésif thermodurcissable est chauffé.
Une autre approche basée sur le remplissage d'un manque de métal sans écoulement est décrite par Chen et al. dans le brevet U.S. N° 7 303 944. Chen et al. décrivent un procédé comprenant : l'application d'un matériau pour manque de métal contenant un adduit d'anhydride d'un composé de résine en tant que fondant sur un plot de connexion sur la surface d'un substrat ; la mise erg place d'un dispositif microélectranique ayant une surface active, et une pluralité de perles de soudure disposées sur une pluralité eue plots de connexion sur la surfa( e active, par rapport au substrat, avec la pluralité de parles d` soudure dis r ; mat i) uduria onds,r t la i fusion C neuf fed un,: tr mper(iture ri urC 3 Un,'. fusI"n sure; et idurcis racine, ~ri fur reposent sur les acides ou les anhydrides carboxyliques pour offrir une couverture du fondant, [fie plus, les alcools organiques sont périodiquement utilisés en tant qu'accélérateurs, étant donné qu'us réagissent avec les anhydrides pour former des fondants à base d'acide carboxylique. Les acides carboxyliques, cependant, tendent à être volatils ,rendant !e procédé de soudage et d"encapsulation. Cette situation est indésirable en ce qu'elle crée des vides dans l'espace entre la puce à semé conducteur et te substrat qui réduisent la fiabilité du dispositif. Par conséquent, il reste à fabriquer des matériaux pour manque de métar sans I.0 écoulement qui facilitent la fabrication d'interconnexions soudées et encapsulées fiables dans les composants électriques (par exemple, interconnexions entre une puce â semi-conducteur et une carte de circuit imprimé). La présente invention décrit une composition de fondant 15 durcissable, comprenant, en tant que composants initiaux : un composant de résine comportant au moins deux groupes oxirane par molécule un fondant représenté par la formule I ans Ti p st I?~ _ :nt in i ci endag um J t pare' ?O c.Jto!llt' d'h) CCJ nF', un gr'OUpe 2111 t_ Ubst u un Cjfcupe k`dlé non uhstitu` en L, a t. o p' <31`y'I a ~'y'Ir? s ll tt Je luqu !ire u< <°ero r P. P (? i ii (i rai ~i .!l' I n ar~:~up La présente invention r décrit un procédé de fabrication d'un joint métallurgique encapsulé comprenant : (a fourniture d"une composition de fondant durcissable de la présente invention ; la fourniture d'une pluralité de premiers contacts électriques ; la fourniture d'une pluralité de seconds contacts électriques correspondants; la fourniture d'une brasure ; l'application de la composition de fondant durcissable sur au moins l'un parmi la pluralité des premiers contacts électriques et la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; la mise en place de la pluralité des premiers contacts électriques à proximité de la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; le chauffage de la brasure au-dessus de sa température de refusion en formant une soudure fondue et en exposant la brasure fendue â la pluralité des premiers contacts électriques et à la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; la mobilisation de la composition de fondant durcissable de la pluralité des premiers contacts électriques et de la pluralité des seconds contacts électriques correspondants avec la brasure fondue et la formation d'une pluralité d'interconnexions électriques entre la pluralité des premiers contacts électriques et la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; et le durcissement de la composition de résine thermodurcissable, l'encapsulation de la pluralité d'interconnexions électriques. DESCRIPTION DETAILLEE La compo.,.inion r' fondant durcis able de la p eii est; po _, 'ecili'~_ â f eeriret _= c .ont_ :.I l, _ Il t Unn"_ dl:): p,3 mpl,de t ? ldant durciss ,1 ie ore" 'titi )I1 ;'s1 d' pouf" Cof,lMe Uni' 'JrmU c,ûCi"1 poU' idde ,l~ nt ~r,~ I, ft3C ~,3tiC-n ii.,r! tÎ l' t Le terme composition pour manque de métal sans écoulement tel qu'utilisé et dans les revendications Jointes désigne une c OMpositi' the fendant durcissable qui pies'ente a la fois une activité de fusion de la brasure et un durcissement latent pour faciliter l'encapsulation des interconnexions soudées. pe terme « stabilité au stockage tel qu'utilisé ici et dans les revendications jointes par référence â une composition de fondant durcissable de la présente invention {dans système en un seul bloc} signifie que la viscosité de la composition de fondant durcissable 10 augmente de mains de 5 n/, après un stockage â 55 vC pendant une semaine, la viscosité étant mesurée à l'aide d'un utilisant viscosimètre Brookgeld DV-I-+- â 20 °C en utilisant une aiguille Brookfield # 500 réglée sur 100 tr/min. Le terme « stable au stockage » tel qu'utilisé ici et dans les 15 revendications jointes par référence â une composition de fondant durcissable de la présente invention signifie que la composition de fondant durcissable présente une stabilité au stockage. La composition de fondant durcissable de la présente invention comprend (est essentiellement constituée de), en tant que composants 20 initiaux : un composant de résine comportant au moins deux groupes oxirane par molécule ; un fondant représenté par la formule I ; Fit optionnellement, un agent de durcissement. De préférence, la composition dP fondant durcissable contient moins C 1(Î un I .)iris d'un (1'riJ-lu qui I"I?lifi 25 th r(i~ mn, uiue ~trri part unie rc)lî i `Lil~pt r C~ 1(1 'C `Min 1 Pnilcnnl a C_. L J',It il Ç,' 3' Cn nI!,`/mail ~.'-nplr~~ t ans E~oui ~~~ar,'{Ü~ d.? i',_'+pli t't~fld c~ t.~t_'rr P`, idNs cl~?ns dflf.i C'C _..'illl 1CiU't ! rcli_, ._ ,]l_!Î Ut Le composant de résine utilisé dans i composition de fondant durcissable de la présente invention inclut des matériaux comportant au moins deux groupes oxirane par mol De préférence/ le composant de résine utilise est une résine éport comportant au moins deux groupes époxyde par molécule, par exempte des polyépotet es aliphatiques, cycloaliphatiques' aromatiques et hétérocycliques, substitués ou non substitués. Plus préférablement, le composant e résine est une résine choisie parmi la résine époxy de type bisphénol exemple, résine époxy de type bisphénol A, résine époxy de type bisphénol F, résine 10 époxy de type bisphénol S) les éthers diglycidyliques aromatiques ; les éthers glycidyliques multifonctionnels aromatiques ; les éthers diglycidyliques aliphatiques et les éthers glycidyliques multifonctionnels aliphatiques. Encore plus préférablement, le composant de résine est une résine époxy de type bisphénol. De manière préférée entre toutes, le 15 composant de résine est une résine époxy de type bisphénol A. La composition de fondant durcissable comprend de préférence de 10 à 99 % en poids (plus préférablement de 20 à 90 % en poids ; encore plus préférablement de 30 à 75 % en poids, de manière préférée entre toutes de 30 à 50 % en poids) de composant de résine. 20 Le composant de résine utilisé ans la composition de fondant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un matériau comportant au moins mis groupes cor-une par molécule, Le trLitetlee (emportant au m »ms trots ciroupes Derant-2 molf oit est: np,-teei t'ad' fl 1 U oeite la dut t uctier item de (=Arno et en. Lt' fond - tiens la couipostio et 2 r« ;tr rifiittrit. p ir ituderi 30 groupe arylalkyle substitué en C., et un groupe arylalkyle non substitue en C,. à C, (de préférence dans laquelle R: R', R et R' sont indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle substitué en Ci à Ce, un groupe alkyle non substitué en C à (_ un groupe arylaiky e substitué en C... à C et un groupe arylalkyle non substitué en C, ) ;dans laquelle de zéro à trois des radicaux Pd, Ri Rr" et R" représentent) un atome d'hydrogène. De préférence, un à trois des radicaux R', 2 R3 et P~ représente(nt) un atome d'hydrogène. Plus préférablement, deux à trois des radicaux RI, R2, R' et R4 représentent un 10 atome d'hydrogène. Encore plus préférablement, deux des radicaux R1, R2, R3 et R4 représentent un atome d'hydrogène. De manière préférée entre toutes, l'un des radicaux R1 et R2 représente un atome d'hydrogène et l'un des radicaux R3 et R4 représente un atome d'hydrogène. Les groupes R1, R2, R3 et R4 du fondant répondant à la formule I sont optionnellement choisis de manière â conférer â la composition de fondant durcissable des propriétés rhéologiques souhaitables, â compatibiliser le fondant avec un ensemble souhaité de solvants en vue de l'application de la composition de fondant durcissable sur la (les) surface(s) à souder, â compatibiliser le fondant avec le composant de résine ors â ajuster la 20 température de début du durcissement du composant de résine. De plus, les groupes R', R, R' et R` du fondant répondant à la formule I sont de préférence choisis de manière à conférer au fondant une température do point c lequIlition 0 =C (plus pre, a Miment 300 '1E: de !rani, 1lrrl_, :n`dt L.di!Isant ratj G, I4~4 il n ant Pers r f' t ehlnl; r{ n ?i'f L1 ill 7dr,t dUrCI Sn 'ntiî;I ,Ut~ r r.~ cr1 2 0 U1l r substitué en C â Cun groupe arylalkyle substitué en C et un groupe arylaikyle non substitué en C dans laquelle les substitutions dans e groupe alkyle substitue en C C8 et le groupe arylalkyle substitué en C à C sont choisies parmi au moins l'un d'un groupe -OH, d'un groupe -CAR d'un croupe -COR .'- d'un groupe -COR ,d'un groupe -C(0)R.', d'un groupe -CHO, d'un groupa -COOR', d'un groupe -OC(0)OR', d'un groupe -S(0)(0)R', d'un groupe -S' P. , d'un groupe -S(0)(0)NR5,, d'un groupe -OC(0)NR`',, d'un groupe -C(0)NR` 21 d'un groupe -CN, d'un groupe -Net d'un groupe -NO2 (de préférence au moins un groupe 10 parmi un groupe -OH, un groupe -OR5, un groupe -CORS-, un groupe -CORS, un groupe -C{O)R5, un groupe -CHO, un groupe -COOR5, un groupe -OC(0)OR5, un groupe -S(0)(0)R5, un groupe -S(0)R5, un groupe -S(0)(0)NR52r un groupe -OC(0)NR62, un groupe -C(0)NR62i un groupe -CN et un groupe -NO2) ; dans laquelle R5 est choisi parmi un groupe 15 alkyle en Cl â C28, un groupe cycloalkyle en C3 Û C28, un groupe aryle en C6 â C15, un groupe arylalkyle en C7 â C28 et un groupe alkylaryle en C7 â Ces ; dans laquelle R6 est choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en CI â C28, un groupe cycloalkyle en C3 â C28, un groupe aryle en C6 â C15f un groupe arylalkyle en C7 Â C28 et un groupe alkylaryle en C7 Û 20 C2;; et dans laquelle de zéro â trois des radicaux RI, R2, R3 e représentent) un atome d'hydrogène. Le groupe alkyle substitué en Ci a C et le groupe arylalkyle substitué ~~n C Cpeuvent contenir des Cif1lbinc~lso`1 s'Es substitutions. Ra! < emple, groupe substitué -CO R Rinir d' r 'lJï< 0 U i_1 yp- dt' SUbSt tI_JUCgin 11) [1,: eiei trois des radicaus R3 et R4 représentent un atome d'hydrogène. Encore plus préférablement, deu, des radicaux P. , R2, P et R4 représentent un atome d'hydrogène. [fie manlere préfet e entre toutes, l'un des radicau f R et P représente un atome d'hydrogf ne et Vun des radicaux R et P; représente un atomes d'hydrogène. Encore plus préférablement, le fondant utilisé dans la composition de fondant durc.issabfe de la présente invention répond à la formule I ; dans laquelle RI, R3 et R4 sent indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle substitué en CI â C , un groupe 10 alkyle non substitué en C1 â 1.20, un groupe arylalkyle substitué en C7 â Cao et un groupe arylalkyle non substitué en C7 â Cao ; dans laquelle les substitutions dans le groupe alkyle substitué en Cl â Czo et le groupe arylalkyle substitué en C7 â C30 sont choisies parmi au moins l'un d'un groupe -OH, d'un groupe -OR7, d'un groupe -COR7-, d'un groupe -COR7, 15 d'un groupe -C(0)R7, d'un groupe -CHO, d'un groupe -COOR7, d'un groupe -OC(0)OR7, d'un groupe -S(0)(0)R7, d'un groupe -S(0)R7, d'un groupe -S(0)(0)NR77r d'un groupe -OC(0)NR$7, d'un groupe -C(0)NR$7, d'un groupe -CN, d'un groupe -N(R8)- et d'un groupe -NO2 (de préférence au moins un groupe parmi un groupe -OH, un groupe -OR7, un groupe 20 -COR7-, un groupe -COR7, un groupe -C(0)R7, un groupe -CHO, un groupe -COOR7, un groupe -OC(0)OR7, un groupe -S(0)(0)R7, un groupe -S(0)R7, un groupe -S(Q)(0)NR7 -, un groupe - n groupe R8 un groupe -CN et un groupa -NO,d ; dans iaqu :!Ir P. est choisi parmi un ~rcialh'ÿli en C un a,,ht' iky 3 C dans caguc.' "t i parmi 'ln dt (i11 _ ~ h`v'dr( eh C;et le groupe arylalkyle substitué en C , à Cpeuvent contenir des combinaisons de substitutions. Par exemple, le groupe alkyle substitué en C a C, et le groupe arylalkye substitué en Ca C peuvent : contenir plus d'un du meure type de substitution (par exemple, dieux groupes -OH) ; contenir plus d'un type de substitution (par exemple, un groupe -OH et un groupe -CORS-) ; contenir plus d'un type de substitution avec plus d'un du même type de substitution (par exemple, deux groupes -OH et deux groupes -COR.7-). De préférence, un à trois des radicaux Ru R°', R3 et R4 représente(nt) un atome d'hydrogène. Plus préférablement, deux à trois des radicaux RI, R2, R3 et R4 représentent un atome d'hydrogène. Encore plus préférablement, deux des radicaux R1, R2, R3 et R4 représentent un atome d'hydrogène. De manière préférée entre toutes, l'un des radicaux RI et R2 représente un atome d'hydrogène et l'un des radicaux R3 et R4 représente un atome d'hydrogène.
De manière encore davantage préférée, le fondant utilisé dans la composition de fondant de la présente invention répond à la formule I ;dans laquelle RI, R2, R3 et R4 sont indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe -CH2CH(OH)R9 et un groupe -CH2CH(OH)CH2-O-R9 ; dans laquelle R9 est choisi parmi un atome d'hydrogène un groupe alkyle en CI à C; un groupe cycloalkyle en C3 à 0 ri ~~ en à troi C28, un groupe aryle en C6 à un groupe arylalkyle en C C. ; et un groupe elk/laryle en C (de preteience, dans laquelle est choisi en C a( et un C 1. il grfaUne a!" '!
gH,~.p aik'yLi' en (~" JUGE grr )iL llér, , t un henyl rleni ,r J ! ! t' utes dans l'aigu 1 fit i'n C , Url orola :`situé i C >t choisi parmi un U C? ,_ radicaux R, et R' représente(nt) un atome d'hydrogène. Plus préférablement, deux à trois des radicaux Ri, R cet R. représentent un atome d'hydrogène. Encore plus préférablement, cieux des radicaux R`, R~ et R" représentent un atome d'hydrogène. De manière préférée entre toutes, l'un des radlcauk P: et R'' represe tun atome d'hydrogène et l'un des radicaux RI et Rd représente un atome d'hydrogène. De manière encore davantage préférée, le fondant utilisé dans la composition de fondant durcissable de la présente invention répond à la formule I ; dans laquelle R et Ri représentent un atome d'hydrogène ; IO dans laquelle R"l et R' représentent un groupe -CI;CH(QH}CH ; dans laquelle R`l est choisi parmi un groupe alkyle en 08, un groupe alkylaryle en C et un groupe naphtyle en Cid. Optionnellement le fondant ut l se d r ~ de la présente invention est un dimère répondant à une formule choisie 15 par les formules IIa, llb et 1IC ; re dimère contenant un premier mère répondant à la formule 1 et un second mère répondant à la formule I; formules dans lesquelles l'un des radicaux R', et R4 du premier mère et l'un des radicaux RI, R', R~ et R' du second mère coïncident pour relier le premier mère et le second mère. dol iipVJlllVr~ Lle I VI IUcIl IL R _ t, Un exemple de dimère répondant à la formule (IIa) est le 1-(2-éthylhexyloxy)-3-(4-(2-(3-(4-(2-(4-(3-(4-(2-(3-(heptan-3-yloxy) -2-hydroxypropylamino)propan-2-yl)-l-méthylcyclohexylamino) -2-hydroxypropoxy)phényl)propan-2-yl)phénoxy)-2-hydroxypropylamrio) propan-2-yl)-lméthylcyclohe>ylamino)propan-2-ol, comme suit : 16 He, 'NH OH Fi. pH La composition de fondant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un agent de durcissement. Les agents de durcissement classiques peuvent être utilisés conjointement avec le composant de résine et le fondant, à condition que les agents de durcissement puissent durcir le composant de résine. Les de durcissement classiques comprennent, par exemple,. !es phénols polyronctionnels, les alcools po!yfonctionnels les amines, les composés imidpsoe 1 anhydrides d acide, 7Pmnoses prqpnique ciurcissi 1-iui qlJl '"C --HH-IH oirl,posant de r es ne a des H-11-N,[cJ10JH 22H 11, roi< 15 HdIO"ir--' S.c7iPS [Htut iH St,E'JID' bloc.
La composition de fondant durcissabie de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un solvant. Le solvant est optlonnellement inclus dans la coma osltlon de tondant dur-cassable de la présente invention pour faciliter l'application du composant de résine et du fondant sur la surface, ou les surfaces, à souder. [fie {préférence, la composition de fondant durcissable contient cie 1 à 70 % en poids de solvant (plus préférablement de 1 35 °l~ en poids de solvant ; de manière préférée entre Mutes de 1 à '2 °rô erg poids de solvant solvant utilisé dans la composition de fondant durcissable de la présente invention est de préférence un solvant organique choisi parmi les hydrocarbures (par exemple, dodécane, tétradécane) ; les hydrocarbures aromatiques (par exemple, benzène, toluène, xylène, triméthylbenzéne, benzoate de butyle, dodécylbenzéne) ; les cétones (par exemple, méthyléthylcétone, méthylisobutylcétone, cyclohexanone) ; les éthers (par exemple, tétrahydrofuranne, 1,4-dioxane, 1,3-dioxalane, éther diméthylique de dipropyléne glycol) ; les alcools (par exemple, 2-méthoxyéthanol, 2-butoxyéthanol, méthanol, éthanol, isopropanol, a-terpinéol, alcool benzylique, 2-hexyldécanol) ; les esters {par exemple, acétate d'éthyle, lactate d'éthyle, acétate de butyle, adipate de diéthyle, phtalate de diéthyle, acétate de monobutyle de diéthyléne giycol, acétate d'éther monométhylique de propylène glycol, lactate d'éthyle, ?-hydroxyisobutyrate de méthyle, acétate d'éther monométhyligtre dn propyleïne ~1 `,`COl) ; l'ûs aMiCiE;s .(par e-='rîlpie, N-I11thyipyrrolldOrle, N,N- iapl'_ t +he'" rn nociiti n ç' `1 I `v préférablement, le sort-ant utilisé dans la composition ci fondant durcissable de la présente invention est un suivant organique choisi parmi la r? éthylethylcetone ; I< 2-propanol ; éther monomethylique de propylène gl co! ; i'acétate d'éther monomiethylique de propyléne glycol le lactate d'éthyle et le 2-hydroxy isebutvrate de méthyle. De maniere préférée entre toutes, le solvant utilisé dans la composition de fondant durcissable de la présente invention est de i"ether monomethylique de propylène glycol, La composition de fondant de l'invention peut comprendre en outre 10 au moins un composé parmi un épaississant, un adent thixotropique, une charge inorganique, un antioxydant, un diluant réactif, an agent de libération de l'air, un agent antimousse, un promoteur d'adhérence et un ignifugeant. La composition de fondant durcissable de la présente invention, 15 optionnellement, comprend en outre un épaississant. De préférence, la composition de fondant durcissable contient de 0 â 30 % en poids d'épaississant. L'épaississant utilisé dans la composition de fondant durcissable de la présente invention peut être choisi parmi les matériaux â base de résine non durcissables (â savoir, < 2 groupes fonctionnels 20 réactifs par molécule), tels que, par exempre, une résine novulaque non durcissable. L'épaississant utilisa dans la composition de fondant durci >sable présente de pr efert_ nCe scosïté supérieure ~ celle :ar LOrTTC'Sant. É'Sirl ( (D ft-M(. n n G o'_ Lu apport oU iî 25 durcis Ïbl'- a nrr ni" bibi C ra hI ° .;2i " !)iriu i ~r?t t!ll; !~~ bible :~'I _, _ 41 1n , a composition ce fondant durcissable de la présente invention peut être chois) parmi les amides d'acide gras (par exenlpb stearamide, blsamide d'acide hydro ystéari due) ! les esters d'acide gras (par c: )mple, cire de ricin, cire d'abeille, cire de carnauba) ; l'us agents thlxotropIdues o UeS (par exemple, polyéthylène glycol, de polyètbyiène, méthylcellulose, éthylcellulose, hydroxyéthylcellulose, hydroxypropylcellulose, monaoleate de diglycerine, laurate de deglycerine, oleate de décaglycerine, monolaurate de diglycérine, laurate de sorbitan) ; les agents thi',otropiques inorganiques (par exemple, les poudres de silice, 10 les poudres de kaolin). De préférence, l'agent thixotropique utilisé est choisi parmi un polyéthylène glycol et un amide d'acide gras. La composition de fondant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre une charge inorganique. Les charges inorganiques peuvent être choisies parmi l'alumine, l'hydroxyde 15 d'aluminium, un aluminosilicate, la cordiérite, un silicate de lithium et d'aluminium, un aluminate de magnésium, un hydroxyde de magnésium, une argile, du talc, le trioxyde d'antimoine, le pentoxyde d'antimoine, l'oxyde de zinc, la silice colloïdale, le verre de silice, la poudre de silice, la poudre de quartz et les microsphéres de verre, Lorsqu'elle est présente, la 20 composition de fondant durcissable de la présente invention contient préférence pie 0 à 70 % en poids (plus préférablement de 0 à 3s Ç)o erg poids, encore plus pr feiablement de 0 a 70 en poids ; ce manbire n poil `_; 1 die Cl larde indrgan gue, t ondant dur r`. able de a 30 Laie ~ )(il or~3tîl nn1 ll~-' . iii -~nC 0 diluant réactif optionnel doit présenter une viscosité inférieure â la scosite présentée par le composant de resine (sous sa forme non durcie). Le diluant réactif peut. de préférence étre choisi parmi les ,po monofonctionnelles (par exemple, les éthers alkylglycidyliques erl (:., C es esters glycidyliques d'acide gras en C.. a C_ les éthers glycïdyliques d'alkylphenol en CC28) et certaines époxys multifonctionnelles (par exemple, éther trigiycidylique de trimethylolpropane ; diglyeidylanillne). Lorsqu'il est présent, le diluant réactif peut être utilisé en une quantité < 50 % en poids (par rapport au 10 poids du composant de résine). La composition de fendant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un agent de libération de l'air classique. Les agents de libération de l'air accroîtraient le mouillage des surfaces â souder pendant la refusion de la brasure. Lorsqu'il est présent, 15 l'agent de libération de l'air peut être utilisé en une quantité < 1 % en poids, par rapport au poids total de la composition de fondant durcissable. La composition de fondant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un agent antimousse classique. Les agents antimousse accroîtraient le mouillage des surfaces â souder 20 pendant la refusion de la brasure et réduiraient les défauts d'inclusion de gaz après durcissement de la composition de fondant dur-cassable. Lorsqu'il est présent, I ent antimousse peut étire utilise en uni' quantité tin composition d;' fondant turc! a ssühie. .a c ?nr' r i~rt~"C1 t [ <'c; ,;i(;nlor. _urs U sin i c classiques par smia n11nd, y'pr )p'/itrlrnéu i ; -huas tain ornai _idh <<~arc' C~a H linOp' 0 propyltriéthoxysilane ; le y-mercaptopropyitrimétho,ysirane ; le N-betd-(aminoéthyl)-gamma-aminopropyltriméthoxysilane ; la bis(triméthoxysïlylprC 1 amine ; et la -uréidopropyltriétho Bilan LorsgUI est présent, re promoteur d'adherence peut etre utilisé en une quantité 2 % en poids de la composition de fondant durcissable, La composition de fondant durcissable de la présente invention, optionnellement, comprend en outre un ignifugeant classique. Les ignifugeants classiques comprennent les composés bromés (par exemple, éther décabromodiphénylique, tétrabromobisphénol A, anhydride tétrabromophtalique, triE~rc~mophénol) ; les composés â base de phosphore (par exemple, phosphate de triphényle, phosphate de tricrésyle, phosphate de trixylyle, phosphate de crésyldiphényle) ; les hydroxydes de métaux (par exemple, hydroxyde de magnésium, hydroxyde d'aluminium) ; le phosphore rouge et ses produits modifiés ; les composés â base d'antimoine (par exemple, trioxyde d'antimoine, pentoxyde d'antimoine) ; et les composés de triazine (par exemple, mélamine, acide cyanurique, cyanurate de mélamine). Lorsqu'il est présent, l'ignifugeant peut être utilisé en une quantité de 0,01 â 35 % en poids (de préférence de 0,01 â 10 % en poids) de la composition de fondant durcissable. La composition de fondant durcissable de la présente invention, optionneifement, comprend ra M,..rtre des additifs supplérllentaireS choisis ], UV, (. f 1p5 rtion Clé' ntE r oUS ia .'Clio-. E:n 30 .Si.) I U L i . f bndent durcissehle i P -I ( duc' HIC ~n'nt;'nafmatit( , I~'s colorants, les stabilisai) et l'agent de durcissement suppiémentaire sont fournis dans sine seconde partie ; et dans lequel la première partie et la seconde partie sont combinées avant l'utilisation. La composition de fondant durcissable présente invention peut être utilisée, par exemple, dans la production de composants électroniques, de modules électroniques et de cartes de circuits Imprimés. La composition de fondant durcissable peut être appliquée sur la (les) surface(s) à saucier par n'importe quelle technique classique comprenant les techniques de pulvérisation d'un liquide, les techniques de moussage d'un liquide, les techniques de préhension et d'immersion, les techniques à la vague, ou toute autre technique classique capable de distribuer un liquide ou un servi-solide sur une puce ou un substrat en silicium. La composition de fondant durcissable de la présente invention comprend en outre optionnellement une poudre de soudage ; la composition de fondant durcissable étant une pâte de soudage. De préférence, la poudre de soudage est un alliage choisi parmi le Sn/Pb, le Sn/Ag, le Sn/Ag/Cu, le Sn/Cu, le Sn/Zn, le Sn/Zn/Bi, le Sn/Zn/Bi/In, le Sn/Bi et le Sn/In (la poudre de soudage étant de préférence un alliage choisi parmi le Sn â 63 % en poids/Pb â 37 % en poids ; le Sn â 96,5 % en poids/Ag â 3,5 % en poids; le Sn â 96 % en poids/Ag â 3,5 °lo en poids/Cu â 0,5 % en poids; le Sn â 96,4 % en poids/Ag à 2,9 en poils,/Cu poids ; le Srt â 96,5 en poids'Ag à en à i) poids Cu à en poids ; L1<~f ~I i _ f1l POSE ~L:Cicl I~1~~ iUf"1 0 pâte de soudage peut âtre amalgamée par les techniques classiques, par enlple, par malaxage et mélange de la poudre de soudage avec le fondant et I composant de résine en utilisant un équipement classique pour ce type d'opérations. La pâte de soudage petit être utilisé par e=ennpie, dans la production de composants électroniques, de modules électroniques et de cartes de circuits imprimés. La pâte de soudage peut être appliquée sur la (les) surfaces souder par n'importe quelle technique classique comprenant l'impression de la pâte de soudage à travers une épargne de 10 soudage classique en utilisant urne imprimante a brasure ou une machine â sérigraphier. Le fondant représenté par la formule 1 utilisé dans la composition de fondant durcissable de la présente invention peut être préparé en utilisant les techniques de synthèse classiques bien connues de l'homme 15 du métier. Le procédé de fabrication d'une pluralité d'interconnexions électriques encapsulées de la présente invention peut optionnellement faire partie d'un procédé de soudage de puce retournée, dans lequel une puce â semi-conducteur est montée sur une carte de circuit imprimé, dans 20 lequel la puce â semi-conducteur comprend une pluralité de premiers contacts électriques et dans lequel la carte de circuit imprimé comprend une pluralité de seconds contacts électriques correspondants. Dans un tel procédé utilisant dr's puces retourne, ~ composition tact ; I étriqu e et la plura rdants ntéié la liais nids c:ortéu..t electrnques (. rf>r, 1 Jr ucialcJe plualité des rntas t. <. riclues a la ')Il_,r<1ut ' -~ réac ~, laquelle le composant de résine est durci, en encapsulant les interconnexions électriques entre la plUtalite des premiers contacts électriques et la pluralité d s seconds contacts électriques. Pendant !e procédé de fabrication d'une pluralité d'Interconne, ions électriques encapsulees de la présente nvention, a composition de fondant durcissable de la présente invention est de préférence appliquée sur une carte de circuit imprimé, avec ou sans application de lissage, sur la piuralité des premiers contacts électriques. La brasure est de préférence appliquée sur la pluralité des seconds contacts électriques correspondants 10 sur ia puce â semi-conducteur sous la ferme de billes de soudure. La puce â semi-conducteur â laquelle la brasure est fixée est alors disposée sur la carte de circuit imprimé traitée par la composition de fondant durcissable. La puce â semi-conducteur est alors alignée avec la carte de circuit imprimé et la brasure est chauffée au-dessus de sa température de 15 refusion. Lors de la refusion, la composition de fondant durcissable se comporte comme un fondant et favorise l'adhésion de la brasure sur la première pluralité de contacts électriques sur la carte de circuit imprimé pour former une pluralité d'interconnexions électriques entre la pluralité des premiers contacts électriques et 1a pluralité des seconds contacts 20 électriques correspondants. Le composant de résine est alors durci pour encapsuler la piuralité d'interconnexions électrique s, Lors de la refusion, fa brasure fond et s'écoule pour former f; r al!tr_' d'Inter;cnnexlons Jectr"ic{r.i's. La r;.erl1posltiOn de fondan _I~ Hitpî -t a 1 Jiic~~~ r rentent. I~ F'st tiil-lt, qur~ xiin , ,l ~ ~ de re nd dur _I~ iirr> r f r~ ~r _- 2 c11 rme I~ tirs Ite C. 't n nu tnqUt' sel sa' ru Quelques modes e réalisation de [a présente invention vont maintenant être écrits en détail dans les Exemples suivants. Exemples 1 à 5 Svnthèse du fondant s fondants identifiés dans le TABLEAU 1 Oint Lite préparés à partir des tratétiarp identifiés ans ie TABLEAU 1 en utilisant ia procédure suivante. Spécifiquement, ans un récipient a réaction équipe d'une barre d'agitation, de la diamine, de menthane 1) disponible auprès dé la société Dow Chemical sous le nom PrimeneTm MD) a été ajoutée. Le récipient à réaction a alors été placé sur une plaque chauffante présentant 10 une capacité d'agitation magnétique. Le récipient à réaction a alors été rendu inerte avec de l'azote et le Réactif A (0,2 mol) identifié dans le TABLEAU 1 a alors été ajouté au récipient à réaction à température ambiante, avec agitation. La température fixée de la plaque chauffante a alors été élevée à 75 0C et le contenu du récipient à réaction a continué à 15 être agité pendant deux (2) heures. La température fixée de la plaque chauffante a alors été élevée à 140 'C et le contenu du récipient à réaction a continué à être agité pendant deux (2) heures supplémentaires. La température fixée de la plaque chauffante a alors été réduite à 80 0C et un vide a été appliqué sur le récipient à réaction, en réduisant la pression 20 dans le récipient à 30 mm Nc~. Le contenu du récipient a réaction a continué à étre agité dans cet, conditions pendant cleu (2 heures supplémentaires pour produite le fondant tel qu'identifié dans le TABLEAU li La température o..,, point c fpndari produits pour 25 compsipsatien i illsan une mi 10 cie point p iJ (FPE) nlcs Pi-sit du piicic[L TABLEAU 1. ( PoOptpr . Jf1lOg rc1'v"11TR-_itil a_ir les Exemples 1 3 en t Tiras, ses ace' le clan' .tir pssrri ilors 1, i température de 10 °C/min en commençant à 25 °C. Pa perte de poids (PP) mesurée pour le fondant du produit pour les Exemples 1 à 3 est indiquée dans le TABLEAU L TABLEAU Ex. Réactif A Fondant éther 2- 1 OH NH ethylhe,' ylg ycidylique 1 HN OH TPE par ACCP 325 'C PP par ATG = 9 % en poids à 250 'C) 2 éther crésy1glycidylique HN OH OH TPE par ACCP 325 PP par ATG = 8 % en poids (à 250 'C) éther _ ;HN OH NH 'C 21-)O naphtyrglycidylique 11 TPE pur ACCP PP pur TC _ 1 II L; - , 4 HN ---,,.o---Alkyl (C12-C14) 27 éther butylphényrgl ."cidylique Exemple 6 : Synthèse d'un fondant dimère tin fondant dimère a été préparé en utilisant la procédure suivante. Dans un récipient à réaction équipé d'une barre d'agitation, (34 g) de diamine de menthane (disponible auprès de la société Dow Chemical sous le nom PrimeneTM) et (37,4 g) d'une résine époxy liquide, produit réactionnel d'épichlorohydrine et de bisphénol A (disponible auprès de la société Dow Chemical sous le nom D.E.R.T0 331T°), ont été ajoutés. Le récipient à réaction a alors été placé sur une plaque chauffante présentant 10 une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient à réaction a continué à être agité à température ambiante pendant une nuit, puis est devenu solide. Ensuite, (37,2 g) d'éther 2-éthylhexy1glycidylique (disponible auprès de Momentive Performance Materials) ont été chargés dans le récipient a réaction. Le récipient a réaction d alors été chauffé 15 jusqu'à 150 `C avec une rampe d'une heUrC à partlr de la tt2rrpératUre simblan puis muinfenu 150 20 pendarl tin s nouii,s Lo (sono nu du Irl'h I. I!_!a -ar.arati ou, nfo ooui plodu 'onsiant CII Exemple 7 : Synthèse d'un fondant dimère 20 produit réactionnel d'épichlorohydrine et de bisphénol A (disponible auprès de la société Doive Chemical sous e nom D.E.R,' 331"), ont été ajoutés. Le récipient -eaction a alors e i placé sur une plaque chauffante présentant une capacité d'agitation magnétique. Le contenu du récipient à réaction a continué à étre agité à température ambiante pendant une nuit, puis est devenu solide. Ensuite (40,0 g) d'éther 1-naphty1glycidylique (disponible auprès de Moment-ive Performance Nlaterials) ont été chargés dans le récipient à réaction. Le récipient â réaction a alors été chauffé jusqu'à 75 'C et maintenu à cette température pendant une heure. Le récipient à réaction a ensuite été chauffé de nouveau jusqu'à 150 °C avec une rampe d'une heure à partir de 75 °C puis maintenu à 150 °C pendant trois heures. Le contenu du récipient à réaction a alors été laissé à refroidir jusqu'à la température ambiante pour produire un fondant dimère, Exemples 8 à 14 Préparation de la composition de fondant durcissable Le fondant préparé selon chacun des Exemples 1 â 7 a été combiné individuellement avec une résine époxy liquide, produit réactionnel d'épichlorohydrine et de bisphénol A {disponible auprès de la société Dow Chemical sous le nom D.E.R.' 331'dans un rapport pondéra( de 1/4 pour former les compositions de fendant durcissab(es des Exemples 8 à 14, respectivement. Exemple 15 : Evaluation de la capacité de couverture du fondant fondant dUf"CI c~ l ~ prepare a U F' t~'n ~!tl lsant ia ti'tt" du:` <:~ ~rl..'r'r i 3cUn C 'ante. Dans chacét_ wal adore un que aontect ctnguc à ou(' ". La ripa Ce CU1,r'' c ut'l a 5 30 par rinçage avec de l'eau déminéralisée, (4) puis par immersion dans une solution de benzotriazole 1 pendant 30 secondes, et enfin (5) séchage avec de l'azote. Après le prétraitement des coupons de cuivre, une petite goutte de chacune des compositions de fondant durcissables a été déposée individuellement sur ia surface à souder de chacun des dupons de cuivre. Quatre billes d'un diamètre de 0,381 mm d'une brasure sans plomb (Sn à 95,5 ,v en poids/Ag à 4,0 ' b en poids/Cu à 0,5 /o n poids) cent été placées dans la goutte de composition de fondant sur chacun des coupons de cuivre. L'intervalle de fusion de la brasure sans 10 plomb utilisée est de 217 à 221 °C. Les coupons de cuivre ont alors été placés sur une plaque chauffante qui a été préchauffée à 145 °C et y ont été maintenus pendant deux (2) minutes. Les coupons de cuivre ont alors été placés sur une autre plaque chauffante préchauffée à 260 °C et y ont été maintenus jusqu'à ce que la brasure atteigne les conditions de 15 refusion (de 45 s à 3 min en fonction de la composition de fondant présente). Les coupons de cuivre ont alors été retirés de la source de chaleur et évalués d'après (a) l'étendue de la fusion et de la coalescence des quatre billes de soudure placées à l'origine, (b) la taille de la brasure coalescée résultante afin d'évaluer l'écoulement et l'étalement et (c) la 20 liaison de la brasure à fa surface du coupon de cuivre. Une échelle de 0 â 4 a été utilisée pour décrire la capacité de couverturt' du fondant des compositions de fondant et du matériau de r fërenbe d'acide hxdr tc ron mei suit 0 de n; arc_ de CUIv mp~'~:. Cïlrl ~_ ~~,s fout ~; br;~ ~f'r vals ;I"c~s~,Jre x;11 Ç oU t [c JÎ C d 4 = fusion complète entre les gouttes de brasure, bon étalement écouleraient de la brasure sur la surfacé du coupon de cuivré ~t lis ison de la brasure au coupon de cuivre, Le résultat de L'évaluation de chacune des compositions de fondant est indiqué dans le TABLEAU TABLEAU 2 I Composition de fondant I I durcissable Exemple 8 4 Exemple 9 4 Exemple 10 4 Exemple 11 4 Exemple 12 4 Exemple 13 4 Exemple 14 4 Résultat de l'évaluation

Claims (6)

  1. REVENDICATIONS1. Composition de fondant dus-cissable, comprena nt, en REVENDICATIONS1. Composition de fondant dus-cissable, comprena nt, en tant que composants initiaux un composant réside comportant au moins deux gmupes oxirane par molécule ; un fondant représenté par la formule 1 RI 1 R4 (1) dans laquelle RI, R2, R3 et R4 sent indépendamment choisis parmi un 10 atome d'hydrogène, un groupe alkyle substitué en Cl â cm, un groupe alkyle non substitué en CI â C80, un groupe arylalkyle substitué en C7 â C8o et un groupe aryialkyle non substitué en C7 â C80 ; et dans laquelle de zéro â trois des radicaux RI, R2, R3 et R4 représente(nt) un atome d'hydrogène ; et, optionnellement, un agent de durcissement.
  2. 2. Composition de fondant durcissable selon la revendication caractensoe en ce clie les substitutions dans le groupe alkyle substitué en a C . t !e or' ape ar`y'lalk,'Isubstitué en C ~ C. sont cholsles purinri ,ln UrJU-ci u n 'W G un croupi, -OC(0)0 un gcoupe -S(0)(C ! raroupe -Cil. c 'un l_] C ((tri) -CHO, ci un arouto groupe 0)«.))R. d'un iroupe d'rn i FDC;OINRd`un groupe - ~al~,= un ~tr~ ui~e -PCO en C. â C et un groupe alkylaryle en C et dans laquelle est choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle erg C~ C un groupe cycloalkyle en C à C. __ un groupe aryle en C., C15, Un groupe arylalkyle en C a C et un groupe alkylaryle en C a
  3. 3. Composition de fondant durcissable selon les revendications 1 ou ?, caractérisée en ce qu'un à trois des radicaux R.' et R4 représente nt) un atome d'hydrogène.
  4. 4. Composition de fondant durcissable selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que R', Rr, R3 et R4 sont 10 indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe -CH2CH(OH)R9 et un groupe CH2CH(OH)CH2-O-R9 ; formules dans lesquelles R9 est choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1 â CM, un groupe cycloalkyle en C3 à CM, un groupe aryle en C6 â C15, un groupe arylalkyle en C7 Û CM et un groupe alkylaryle en C7 â CM.
  5. 5. Composition de fondant durcissable selon la revendication 4, caractérisée en ce que l'un des radicaux RI et R7 représente un atome d'hydrogène ; et dans laquelle l'un des radicaux R3 et R4 représente un atome d'hydrogène.
  6. 6. Composition de fondant durcissable selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre un solvant et dan, laquelle le solvant est un solvant organique choisi parmi les hydrocarbe. hydrocarbures aromatiques, les cétones, le s éthers, dlo bers « ive oi~lp _)sl~-or illl un t ' ~liSs en :ient p' lue unie ` iprenant 8. Cornposition de fondant durcissable selon l'une des revendications pr _'cé entes, comprenant en outrée' : un additif supplémentaire choisi parmi les agents de matité, les colorants, les stabilisants de dispersion, les agents chélatants, les particules thermoplastiques, les agents irnpernléables au, agents d'écoulement et les réducteurs. 9. Composition de fondant durcissable selon l'une vies revendications précédentes, comprenant en outre une poudre de souda 10. Procédé de fabrication d'un joint métallurgique encapsule', 10 comprenant : la fourniture d'une composition de fondant durcissable selon l'une des revendications précédentes ; la fourniture d'une pluralité de premiers contacts électriques ; la fourniture d'une pluralité de seconds contacts électriques 15 correspondants ; la fourniture d'une brasure ; l'application de la composition de fondant durcissable sur au moins l'un parmi la pluralité des premiers contacts électriques et la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; la mise en place de ia pluralité des premiers contacts électriques â proximité de la pluralité des seconds contacts électriques correspondants ; Ir' chauffage de la brasure au-dessus de sa tt?m iraturc de refuslon en e,pnsant ël beasure tendue la nur erre nd 3nts 3 bi rure 1 ' Dnnexl ntnque el-1 formant uni.; r:.kiriur _' ferle n;lant., , Cntat_,ts E '.trl(lLleS nt contacts électriques et la pluralité d s seconds contacts électriques correspondants ; le durcissement de la ccmitinn de résine thermodurcissable, I encapsulation de la pluralité d'interconnexions e ictriques.
FR1161089A 2010-12-02 2011-12-02 Composition de fondant durcissable et procede de soudage Expired - Fee Related FR2968230B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/958,473 US8070043B1 (en) 2010-12-02 2010-12-02 Curable flux composition and method of soldering

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2968230A1 true FR2968230A1 (fr) 2012-06-08
FR2968230B1 FR2968230B1 (fr) 2014-07-18

Family

ID=45034313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1161089A Expired - Fee Related FR2968230B1 (fr) 2010-12-02 2011-12-02 Composition de fondant durcissable et procede de soudage

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8070043B1 (fr)
JP (1) JP5957213B2 (fr)
KR (1) KR101905533B1 (fr)
CN (1) CN102554512B (fr)
DE (1) DE102011120404B4 (fr)
FR (1) FR2968230B1 (fr)
TW (2) TWI492918B (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8070047B1 (en) 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Flux composition and method of soldering
US8434666B2 (en) * 2011-09-30 2013-05-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Flux composition and method of soldering
KR102360487B1 (ko) * 2014-02-24 2022-02-10 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 접속 구조체의 제조 방법
KR102393302B1 (ko) * 2014-03-07 2022-05-03 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
JP5952849B2 (ja) 2014-03-25 2016-07-13 岡村製油株式会社 フラックス及びソルダペースト
JP5943136B1 (ja) * 2015-12-28 2016-06-29 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだ継手およびフラックスコートボールの製造方法
KR102307666B1 (ko) * 2018-04-16 2021-10-05 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 전자 장치의 제조 방법
CN110238561A (zh) * 2019-05-21 2019-09-17 李涛伶 一种免清洗阻燃助焊剂及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080124568A1 (en) * 2006-07-26 2008-05-29 Eric Duchesne New flux composition and process for use thereof
US20080156852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Prakash Anna M Solder flux composition and process of using same

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2632022A (en) 1950-07-07 1953-03-17 Rohm & Haas Method of preparing 1, 8-diamino-p-menthane
US2897179A (en) 1956-07-18 1959-07-28 Union Carbide Corp Hardener for epoxy resin composition
US3488831A (en) * 1967-04-14 1970-01-13 Continental Can Co Fluxing materials for soldering metal surfaces
BE786932A (fr) * 1971-07-28 1973-01-29 Int Nickel Ltd Fondants de soudage
US3814638A (en) * 1972-05-05 1974-06-04 Int Nickel Co Soldering fluxes
US4028143A (en) * 1974-12-30 1977-06-07 Chevron Research Company Wax-flux composition containing a succinimide salt of an alkylaryl sulfonic acid for soldering
US4165244A (en) * 1977-10-21 1979-08-21 Jacobs Norman L Soldering flux and method of using same
US4196024A (en) * 1978-11-02 1980-04-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Alkyl phosphate soldering fluxes
US4360144A (en) * 1981-01-21 1982-11-23 Basf Wyandotte Corporation Printed circuit board soldering
USRE32309E (en) * 1983-10-31 1986-12-16 Scm Corporation Fusible powdered metal paste
JPH0613600B2 (ja) * 1986-05-14 1994-02-23 旭電化工業株式会社 硬化性エポキシ樹脂組成物
US5145722A (en) * 1989-04-11 1992-09-08 Hughes Aircraft Company Method and composition for protecting and enhancing the solderability of metallic surfaces
US5011546A (en) * 1990-04-12 1991-04-30 International Business Machines Corporation Water soluble solder flux and paste
US5128746A (en) * 1990-09-27 1992-07-07 Motorola, Inc. Adhesive and encapsulant material with fluxing properties
US5615827A (en) 1994-05-31 1997-04-01 International Business Machines Corporation Flux composition and corresponding soldering method
US5571340A (en) 1994-09-09 1996-11-05 Fry's Metals, Inc. Rosin-free, low VOC, no-clean soldering flux and method using the same
JP3787857B2 (ja) * 1995-03-10 2006-06-21 タムラ化研株式会社 回路基板はんだ付け用フラックス及び回路基板
JP3498427B2 (ja) * 1995-06-19 2004-02-16 ソニー株式会社 成形はんだ用フラックス
US5851311A (en) 1996-03-29 1998-12-22 Sophia Systems Co., Ltd. Polymerizable flux composition for encapsulating the solder in situ
US5958151A (en) 1996-07-22 1999-09-28 Ford Global Technologies, Inc. Fluxing media for non-VOC, no-clean soldering
US5814401A (en) * 1997-02-04 1998-09-29 Motorola, Inc. Selectively filled adhesive film containing a fluxing agent
US6367150B1 (en) 1997-09-05 2002-04-09 Northrop Grumman Corporation Solder flux compatible with flip-chip underfill material
US6234381B1 (en) * 1998-04-14 2001-05-22 Denso Corporation Water-base binder for aluminum material brazing, brazing composition, and method of brazing with the composition
JP4343354B2 (ja) * 1999-11-02 2009-10-14 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 半田用フラックス這い上がり防止剤組成物とその用途
US6402013B2 (en) * 1999-12-03 2002-06-11 Senju Metal Industry Co., Ltd Thermosetting soldering flux and soldering process
US6217671B1 (en) 1999-12-14 2001-04-17 International Business Machines Corporation Composition for increasing activity of a no-clean flux
JP2001300766A (ja) * 2000-04-27 2001-10-30 Tamura Kaken Co Ltd 回路基板はんだ付用フラックス及び回路基板
US6627683B1 (en) * 2000-09-05 2003-09-30 Henkel Loctite Corporation Reworkable thermosetting resin compositions and compounds useful therein
WO2002058108A2 (fr) * 2000-11-14 2002-07-25 Henkel Loctite Corporation Matiere fluxante et de remplissage appliquee par plaquette, et ensembles electroniques fabriques a partir de celle-ci
MY138347A (en) * 2000-11-29 2009-05-29 Senju Metal Industry Co Solder paste
US6794761B2 (en) * 2001-04-26 2004-09-21 Intel Corporation No-flow underfill material
US20030111519A1 (en) * 2001-09-04 2003-06-19 3M Innovative Properties Company Fluxing compositions
TWI228132B (en) 2001-09-26 2005-02-21 Nof Corp Soldering flux composition and solder paste
CN1194595C (zh) * 2001-12-28 2005-03-23 全懋精密科技股份有限公司 一种高密度多层电路板的结构及其制作方法
US20060043157A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Harima Chemicals, Inc. Flux for soldering, soldering method, and printed circuit board
JP4142312B2 (ja) * 2002-02-28 2008-09-03 ハリマ化成株式会社 析出型はんだ組成物及びはんだ析出方法
US6887319B2 (en) * 2002-04-16 2005-05-03 Senju Metal Industry Co., Ltd. Residue-free solder paste
US7534309B2 (en) * 2002-06-17 2009-05-19 Sumitomo Light Metal Industries, Ltd. Aqueous aluminum brazing composition, aluminum material coated with the brazing composition, brazing method using the aluminum material, and automotive heat exchanger manufactured by using the brazing method
US7022410B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-04 General Electric Company Combinations of resin compositions and methods of use thereof
US20050170188A1 (en) * 2003-09-03 2005-08-04 General Electric Company Resin compositions and methods of use thereof
US7026376B2 (en) * 2003-06-30 2006-04-11 Intel Corporation Fluxing agent for underfill materials
US7276673B2 (en) 2003-09-26 2007-10-02 Tdk Corporation Solder bonding method and solder bonding device
TWI262041B (en) 2003-11-14 2006-09-11 Hitachi Chemical Co Ltd Formation method of metal layer on resin layer, printed wiring board, and production method thereof
JP2005169495A (ja) 2003-11-18 2005-06-30 Yoshihiro Miyano プリフラックス、フラックス、ソルダーペースト及び鉛フリーはんだ付け体の製造方法
US7671114B2 (en) * 2004-01-26 2010-03-02 Henkel Corporation Adhesive of substituted oxirane or oxetane compound with silver-based, lead-free solder
MY148568A (en) * 2004-12-09 2013-04-30 Lonza Ag Quaternary ammonium salts as a conversion coating or coating enhancement
US20060147683A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Harima Chemicals, Inc. Flux for soldering and circuit board
US20060272747A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Renyi Wang Fluxing compositions
US20060275608A1 (en) 2005-06-07 2006-12-07 General Electric Company B-stageable film, electronic device, and associated process
US20080051524A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 Henkel Corporation Epoxy-Based Compositions Having Improved Impact Resistance
US20080063871A1 (en) * 2006-09-11 2008-03-13 Jung Ki S Adhesive film composition for semiconductor assembly, associated dicing die bonding film and semiconductor package
US7569164B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Harima Chemicals, Inc. Solder precoating method
JP5066935B2 (ja) * 2007-02-22 2012-11-07 富士通株式会社 電子部品および電子装置の製造方法
JP5502732B2 (ja) 2007-07-23 2014-05-28 ヘンケル リミテッド ハンダ用フラックス
CN101587847B (zh) * 2009-06-15 2011-01-12 美新半导体（无锡）有限公司 利用pcb基板进行垂直互连的多芯片组件封装方法
CN101733585B (zh) * 2010-02-10 2012-09-19 北京海斯迪克新材料有限公司 一种晶圆级芯片封装凸点保护层及其形成工艺
CN101894772B (zh) * 2010-06-28 2012-05-23 华为终端有限公司 增强芯片焊点可靠性的方法、印刷电路板及电子设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080124568A1 (en) * 2006-07-26 2008-05-29 Eric Duchesne New flux composition and process for use thereof
US20080156852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Prakash Anna M Solder flux composition and process of using same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI495628B (zh) 2015-08-11
CN102554512A (zh) 2012-07-11
TW201229009A (en) 2012-07-16
KR101905533B1 (ko) 2018-10-08
US8070043B1 (en) 2011-12-06
JP2012117063A (ja) 2012-06-21
TW201514134A (zh) 2015-04-16
DE102011120404A1 (de) 2012-06-06
CN102554512B (zh) 2014-12-24
DE102011120404B4 (de) 2023-01-19
JP5957213B2 (ja) 2016-07-27
FR2968230B1 (fr) 2014-07-18
KR20120060770A (ko) 2012-06-12
TWI492918B (zh) 2015-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2968230A1 (fr) Composition de fondant durcissable et procede de soudage
FR2980730A1 (fr) Composition de fondant durcissable et procede de soudage
FR2968228A1 (fr) Composition de fondant de polyamine et procede de brasage
CN1549843A (zh) 助熔组合物
FR2980729A1 (fr) Composition de fondant polyamine, acide carboxylique et procede de soudage
FR2968227A1 (fr) Composition de fondant d&#39;amine durcissable et procede de brasage
JP5865682B2 (ja) フラックス組成物およびはんだ付け方法
CN1826664A (zh) 导电球、电子部件电极的形成方法和电子部件以及电子设备
FR2980728A1 (fr) Composition de fondant et procede de soudage
FR2980726A1 (fr) Composition de fondant amine, acide carboxylique durcissable et procede de soudage
JP6012956B2 (ja) アミンフラックス組成物およびはんだ付け方法
JP2013078798A (ja) アミン、カルボン酸フラックス組成物およびはんだ付け方法
JP2017177121A (ja) 高温用Ｐｂフリーはんだペースト及びその製造方法
WO2001088959A2 (fr) Materiaux de remplissage sous-jacent, epoxydes, remaniables et sans ecoulement, destines a des applications relatives a des puces a protuberances

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

ST Notification of lapse

Effective date: 20210805