CN105493207B - 连接结构体的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种连接结构体的制造方法,可以将焊锡粒子有效地配置于电极上,并可以提高电极间的导通可靠性。本发明的连接结构体的制造方法具备:在第一连接对象部件的表面上配置含有多个焊锡粒子和热固化性成分的导电糊剂的工序;在上述导电糊剂的与上述第一连接对象部件侧相反的表面上,将第二连接对象部件以第一电极和第二电极对置的方式配置的工序;利用上述导电糊剂形成通过加热上述导电糊剂而连接上述第一连接对象部件和上述第二连接对象部件的连接部的工序,在配置上述第二连接对象部件的工序及形成上述连接部的工序中,不进行加压,而对上述导电糊剂施加上述第二连接对象部件的重量。
Description
技术领域
本发明涉及利用焊锡粒子对电极间进行电连接的连接结构体的制造方 法。
背景技术
各向异性导电糊剂及各向异性导电膜等各向异性导电材料已广为人知。 就上述各向异性导电材料而言,在粘合剂树脂中分散有导电性粒子。
为了获得各种连接结构体,上述各向异性导电材料已被用于例如挠性印 刷基板与玻璃基板的连接(FOG(Film on Glass))、半导体芯片与挠性印刷基板 的连接(COF(ChiponFilm))、半导体芯片与玻璃基板的连接(COG(Chip on Glass))、以及挠性印刷基板与玻璃环氧基板的连接(FOB(Film on Board))等。
在利用上述各向异性导电材料对例如挠性印刷基板的电极和玻璃环氧基 板的电极进行电连接时,在玻璃环氧基板上配置含有导电性粒子的各向异性 导电材料。接着,叠层挠性印刷基板,进行加热及加压。由此,使各向异性 导电材料固化,经由导电性粒子对电极间进行电连接,得到连接结构体。
作为上述各向异性导电材料的一个例子,下述专利文献1中公开有一种 粘接胶带,其包含含有热固化性树脂的树脂层、焊锡粉和固化剂,且上述焊 锡粉和上述固化剂存在于上述树脂层中。该粘接带为膜状,而不是糊状。
专利文献1中还公开有一种使用了上述粘接带的粘接方法。具体而言, 对第一基板、粘接胶带、第二基板、粘接带及第三基板从下方开始依次进行 叠层,得到叠层体。此时,使设于第一基板表面的第一电极和设于第二基板 表面的第二电极对置。另外,使设于第二基板表面的第二电极和设于第三基 板表面的第三电极对置。而且,以指定的温度对叠层体进行加热而粘接。由 此,得到连接结构体。
另外,专利文献1中,记载了沿着电极表面推动焊锡粉而使之有效地移 动的观点出发,可以在粘接时以指定的压力进行加压,且记载了从更可靠地 形成焊锡区域的观点出发,加压压力设为例如0MPa以上,优选设为1MPa 以上,还记载了即使对粘接胶带有目的性地施加的压力为0MPa,通过配置于 粘接胶带上的部件的自身重量,也可以对粘接带施加指定的压力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:WO2008/023452A1
发明内容
发明要解决的技术问题
专利文献1所记载的粘接胶带为膜状,不是糊状。因此,难以将焊锡粉 有效地配置于电极(线)上。例如,就专利文献1所记载的粘接带而言,焊锡粉 的一部分容易配置于未形成电极的区域(间隔)。配置于未形成电极的区域的焊 锡粉不会有助于电极间的导通。
另外,专利文献1中记载了对粘接带故意地施加的压力可以为0MPa,但 对施加超过0MPa的压力的情况和调整为0MPa的情况的效果差异没有任何记 载。
本发明的目的在于,提供一种可以将焊锡粒子有效地配置于电极上,并 可以提高电极间的导通可靠性的连接结构体的制造方法。
用于解决技术问题的方案
根据本发明宽泛的方面,提供一种连接结构体的制造方法,其包括:
使用含有多个焊锡粒子和热固化性成分的导电糊剂,在表面具有至少一 个第一电极的第一连接对象部件的表面上配置所述导电糊剂的工序;
在所述导电糊剂的与所述第一连接对象部件侧相反的表面上,配置表面 具有至少一个第二电极的第二连接对象部件,并使所述第一电极和所述第二 电极对置的工序;
通过将所述导电糊剂加热到所述焊锡粒子的熔点以上且所述热固化性成 分的固化温度以上,利用所述导电糊剂形成对所述第一连接对象部件和所述 第二连接对象部件进行连接的连接部的工序,
在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序中,对所 述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量而不进行加压。
在本发明的连接结构体的制造方法的某个特定的方面,所述第二连接对 象部件为树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆、或刚挠结合基板。
在本发明的连接结构体的制造方法的某个特定的方面,将所述第一电极 和所述第二电极对置的位置上的所述连接部的距离设为3μm以上且40μm以 下。
在本发明的连接结构体的制造方法的某个特定的方面,在所述连接部, 所述第一电极和所述第二电极对置的部分的大小调整为所述第一电极和所述 第二电极不对置的部分的大小的2倍以上且40倍以下。
在本发明的导电糊剂的某个特定的方面,所述导电糊剂在25℃下的粘度 为10Pa·s以上且800Pa·s以下。
在本发明的导电糊剂的某个特定的方面,所述导电糊剂在所述焊锡粒子 的熔点以下的温度区域的粘度的最低值为0.1Pa·s以上且10Pa·s以下。
在本发明的连接结构体的制造方法的某个特定的方面,所述连接部具有 角部,所述第一连接对象部件在所述角部的内侧具有定位用第一电极作为所 述第一电极,所述第二连接对象部件在所述角部的内侧具有定位用第二电极 作为所述第二电极,所述定位用第一电极及所述定位用第二电极与所述角部 的顶端的最短距离为75μm以上且3000μm以下。
在本发明的连接结构体的制造方法的某个特定的方面,所述第一连接对 象部件具有多个拥有长度方向和宽度方向的第一主电极作为所述第一电极, 所述第二连接对象部件具有多个拥有长度方向和宽度方向的第二主电极作为 所述第二电极,将所述第一主电极的长度方向及宽度方向上的所述第一连接 对象部件的线膨胀率与所述第二主电极的长度方向及宽度方向上的所述第二 连接对象部件的线膨胀率之差设为C:ppm/℃,将形成所述连接部时的所述 导电糊剂的加热温度设为T:℃,将所述第一主电极的宽度方向上的多个所 述第一主电极的总尺寸设为Yt:mm,多个所述第一主电极中每一个的宽度方 向的尺寸设为Ya:mm,此时满足式:C×T/1000000×Yt<0.5×Ya。
发明的效果
本发明的连接结构体的制造方法包括:使用含有多个焊锡粒子、和热固 化性成分的导电糊剂,在表面具有至少一个第一电极的第一连接对象部件的 表面上配置所述导电糊剂的工序;在所述导电糊剂的与所述第一连接对象部 件侧相反的表面上,配置表面具有至少一个第二电极的第二连接对象部件, 并使所述第一电极和所述第二电极对置的工序;通过将所述导电糊剂加热到 所述焊锡粒子的熔点以上且所述热固化性成分的固化温度以上,利用所述导 电糊剂形成对所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件进行连接的连 接部的工序,在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序 中,对所述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量而不进行加压,因此, 可以将焊锡粒子有效地配置于电极上,并可以提高电极间的导通可靠性。
附图说明
图1是示意性地示出通过本发明一个实施方式的连接结构体的制造方法 得到的连接结构体的局部剖切正面剖视图;
图2(a)~(c)是用于说明本发明一个实施方式的连接结构体的制造方法的 各工序的剖视图;
图3(a)使示出连接结构体的变形例的俯视图,图3(b)是沿着图3(a)的I-I 线的剖视图;
图4(a)是示出连接结构体的变形例的俯视图,图4(b)是沿着图4(a)的I-I 线的剖视图,图4(c)是沿着图4(a)的II-II线的剖视图;
图5(a)是示出连接结构体的变形例的俯视图,图5(b)是沿着图5(a)的I-I 线的剖视图;
图6是示出连接结构体的变形例的局部切口正面剖视图;
图7(a)、(b)及(c)是示出本发明包括的实施方式的连接结构体的一个例子 的图像,图7(a)及(b)是剖视图像,图7(c)是俯视图像;
图8(a)、(b)及(c)是示出不包括于本发明的实施方式的连接结构体的一个 例子的图像,图8(a)及(b)是剖视图像,图8(c)是俯视图像。
标记说明
1,1X…连接结构体
2…第一连接对象部件
2a…第一电极
3…第二连接对象部件
3a…第二电极
4,4X…连接部
4A,4XA…焊锡部
4B,4XB…固化物部
11…导电糊剂
11A…焊锡粒子
11B…热固化性成分
51,51X,51Y…连接结构体
52,52X,52Y…第一连接对象部件
52a…第一电极
52aa…定位用的第一电极
52ab…第一主电极
53,53X,53Y…第二连接对象部件
53a…第二电极
53aa…定位用的第二电极
53ab…第二主电极
54,54X,54Y…连接部
54A,54XA,54YA…焊锡部
54B,54XB,54YB…固化物部
C…角部
具体实施方式
以下,说明本发明的详细情况。
本发明的连接结构体的制造方法中,使用导电糊剂、第一连接对象部件 和第二连接对象部件。本发明的连接结构体的制造方法中使用的导电材料是 导电糊剂,而不是导电膜。上述导电糊剂含有多个焊锡粒子和热固化性成分。 上述第一连接对象部件的表面上具有至少一个第一电极。上述第二连接对象 部件的表面上具有至少一个第二电极。
本发明的连接结构体的制造方法具备:在上述第一连接对象部件的表面 上配置上述导电糊剂的工序;在上述导电糊剂的与上述第一连接对象部件侧 相反的表面上,配置上述第二连接对象部件并使上述第一电极和上述第二电 极对置的工序;通过将所述导电糊剂加热到所述焊锡粒子的熔点以上且所述 热固化性成分的固化温度以上,利用所述导电糊剂形成对所述第一连接对象 部件和所述第二连接对象部件进行连接的连接部的工序。本发明的连接结构 体的制造方法中,在配置上述第二连接对象部件的工序及形成上述连接部的 工序中,对所述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量而不进行加压。 本发明的连接结构体的制造方法中,在配置上述第二连接对象部件的工序及 形成上述连接部的工序中,不对上述导电糊剂施加超过上述第二连接对象部 件重量的力的加压压力。
本发明的连接结构体的制造方法中,采用上述构成,因此,多个焊锡粒 子易于集中在第一电极和第二电极之间,可以将多个焊锡粒子有效地配置于 电极(线)上。另外,多个焊锡粒子的一部分不易配置于未形成电极的区域(间 隔),可以大量减少配置于未形成电极的区域的焊锡粒子的量。因此,可以提 高第一电极和第二电极之间的导通可靠性。而且,可以防止在不能连接的横 方向上邻接的电极间发生电连接,从而可以提高绝缘可靠性。
如上所述,本发明人等发现:为了将多个焊锡粒子有效地配置于电极上, 且大量减少配置于未形成电极的区域的焊锡粒子的量,需要使用导电糊剂而 不使用导电膜。另外,本发明人等还发现:如果在配置上述第二连接对象部 件的工序及形成上述连接部的工序中对所述导电糊剂施加所述第二连接对象 部件的重量而不进行加压,则在形成连接部之前,配置于未形成电极的区域 (间隔)的焊锡粒子更容易在第一电极和第二电极之间集聚,可以将多个焊锡粒 子有效地配置于电极(线)上。本发明中,组合采用下述构成对为了得到本发明 的效果具有重大的意义:不使用导电膜而使用导电糊剂,和对所述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量而不进行加压。
另外,如果使用导电糊剂而不使用导电膜,则通过导电糊剂的涂布量, 可以适当调整连接部的厚度。另一方面,就导电膜而言存在如下问题:为了 变更或调整连接部的厚度,必须准备不同厚度的导电膜或准备指定厚度的导 电膜。
以下,参照附图说明本发明具体的实施方式及实施例,来明确本发明。
首先,图1中以局部剖切正面剖视图示意性地示出通过本发明一个实施 方式的连接结构体的制造方法得到的连接结构体。
图1所示的连接结构体1具有:第一连接对象部件2、第二连接对象部件 3、连接第一连接对象部件2和第二连接对象部件3的连接部4。连接部4由 含有多个焊锡粒子和热固化性成分的导电糊剂形成。连接部4具有多个焊锡 粒子集聚且相互焊接而成的焊锡部4A和热固化性成分发生热固化而成的固 化物部4B。
第一连接对象部件2在表面(上表面)上具有多个第一电极2a。第二连接 对象部件3在表面(下表面)上具有多个第二电极3a。第一电极2a和第二电极 3a通过焊锡部4A实现了电连接。因此,第一连接对象部件2和第二连接对 象部件3通过焊锡部4A实现了电连接。此外,连接部4中,在与第一电极 2a和第二电极3a之间集聚而成的焊锡部4A不同的区域(固化物部4B部分) 不存在焊锡。在与焊锡部4A不同的区域(固化物部4B部分)中,不存在脱离 焊锡部4A的焊锡。此外,如果是少量,则焊锡可以存在于与第一电极2a和 第二电极3a之间集聚而成的焊锡部4A不同的区域(固化物部4B部分)。
如图1所示,连接结构体1中,多个焊锡粒子熔融后,焊锡粒子的熔融 物润湿电极表面上并扩散后发生固化,形成焊锡部4A。因此,焊锡部4A和 第一电极2a以及焊锡部4A和第二电极3a的连接面积变大。即,通过使用焊 锡粒子,与使用导电性的外表面为镍、金或铜等金属的导电性粒子的情况相 比,焊锡部4A和第一电极2a,以及焊锡部4A和第二电极3a的接触面积变 大。因此,连接结构体1的导通可靠性及连接可靠性提高。此外,导电糊剂 也可以含有助熔剂。在使用助熔剂的情况下,通常,助熔剂会因加热而逐渐 失活。
此外,图1所示的连接结构体1中,焊锡部4A全部位于第一电极2a、 第二电极3a之间对置的区域。图6所示的变形例的连接结构体1X中,仅连 接部4X与图1所示的连接结构体1不同。连接部4X具有焊锡部4XA和固 化物部4XB。可以如连接结构体1X那样焊锡部4XA大部分位于第一电极2a、 第二电极3a对置的区域,焊锡部4XA的一部分从第一电极2a、第二电极3a 对置的区域向侧方露出。从第一电极2a、第二电极3a对置的区域向侧方露出 的焊锡部4XA是焊锡部4XA的一部分,不是脱离焊锡部4XA的焊锡。此外, 本实施方式中,可以减少脱离焊锡部的焊锡的量,但脱离焊锡部的焊锡可以 存在于固化物部中。
如果减少焊锡粒子的使用量,则容易得到连接结构体1。如果增多焊锡粒 子的使用量,则容易得到连接结构体1X。
接着,说明用于得到图1示出的连接结构体1的本发明一个实施方式的 连接结构体的制造方法。
首先,准备在表面(上面)上具有第一电极2a的第一连接对象部件2。接 着,如图2(a)所示,在第一连接对象部件2的表面上配置含有多个焊锡粒子 11A和热固化性成分11B的导电糊剂11(第一工序)。在第一连接对象部件2 的设有第一电极2a的表面上配置导电糊剂11。配置导电糊剂11后,焊锡粒 子11A配置于第一电极2a(线)和未形成第一电极2a的区域(间隔)这两者上。
作为导电糊剂11的配置方法,没有特别限定,可举出使用点胶机进行的 涂布、丝网印刷及通过喷墨装置的喷涂等。
另外,准备表面(下表面)上具有第二电极3a的第二连接对象部件3。接 着,如图2(b)所示,第一连接对象部件2的表面上的导电糊剂11中,在导电 糊剂11的与第一连接对象部件2侧相反一侧的表面上配置第二连接对象部件 3(第二工序)。在导电糊剂11的表面上,从第二电极3a侧配置第二连接对象 部件3。此时,使第一电极2a和第二电极3a对置。
接着,将导电糊剂11加热至焊锡粒子11A的熔点以上及热固化性成分 11B的固化温度以上(第三工序)。即,将导电糊剂11加热成至比焊锡粒子11A 的熔点及热固化性成分11B的固化温度中的更低的温度以上。在该加热时, 存在于未形成电极的区域的焊锡粒子11A在第一电极2a和第二电极3a之间 集聚(自凝聚效应)。本实施方式中,使用导电糊剂,而不使用导电膜,因此, 焊锡粒子11A在第一电极2a和第二电极3a之间有效地集聚。另外,焊锡粒 子11A熔融且相互焊接。另外,热固化性成分11B进行热固化。该结果,如 图2(c)所示,由导电糊剂11形成将第一连接对象部件2和第二连接对象部件 3连接在一起的连接部4。由导电糊剂11形成连接部4,并且多个焊锡粒子 11A发生焊接,由此,形成焊锡部4A,通过热固化性成分11B发生热固化来 形成固化物部4B。如果焊锡粒子11A快速地移动,则从没有位于第一电极 2a和第二电极3a之间的焊锡粒子11A的移动开始,到在第一电极2a和第二 电极3a之间焊锡粒子11A的移动结束可以不保持恒温。
另外,可以在第三工序的前半部分设置预备加热工序。该预备加热工序 是指:在对导电糊剂11施加第二连接对象部件3的重量的状态下,在焊锡的 熔融温度以上、实际上热固化性成分11B不会热固化的温度下进行5秒~60 秒的加热的工序。通过设置该工序,可以进一步提高焊锡粒子的第一电极和 第二电极之间集聚的作用,并且抑制在第一连接对象部件和第二连接对象部 件之间可能产生的空洞。
本实施方式中,在上述第二工序及上述第三工序中不进行加压。本实施 方式中,对导电糊剂11施加第二连接对象部件3的重量。因此,在形成连接 部4时,焊锡粒子11A在第一电极2a和第二电极3a之间有效地集聚。此外, 如果在上述第二工序及上述第三工序中的至少一个工序进行加压,则阻碍焊 锡粒子在第一电极和第二电极之间集聚的作用。该情况被本发明人等发现。
如上所述,可得到图1所示的连接结构体1。此外,上述第二工序和上述 第三工序可以连续进行。另外,可以在进行上述第二工序后,使得到的第一 连接对象部件2、导电糊剂11和第二连接对象部件3的叠层体转移至加热部, 进行上述第三工序。为了进行上述加热,可以在加热部件上配置上述叠层体, 也可以在加热的空间内配置上述叠层体。
从更进一步提高导通可靠性的观点出发,就连接结构体1和连接结构体 1X而言,优选得到如下连接结构体1、连接结构体1X:按照第一电极2a、 连接部4和第二电极3a的叠层方向观察第一电极2a和第二电极3a的对置的 部分时,在第一电极2a和第二电极3a对置的部分的面积100%中的50%以上 配置有连接部4、4X中的焊锡部4A、4XA。
上述第三工序中的加热温度只要在焊锡粒子的熔点以上及热固化性成分 的固化温度以上即可,没有特别限定。上述加热温度优选为130℃以上,更优 选为160℃以上,优选为450℃以下,更优选为250℃以下,进一步优选为200℃ 以下。
上述预备加热工序的温度优选为100℃以上,更优选为120℃以上,进一 步优选为140℃以上,优选为低于160℃,更优选为150℃以下。
此外,上述第一连接对象部件只要具有至少一个第一电极即可。上述第 一连接对象部件优选具有多个第一电极。上述第二连接对象部件只要具有至 少一个第二电极即可。上述第二连接对象部件优选具有多个第二电极。
上述第一连接对象部件、第二连接对象部件没有特别限定。具体而言, 作为上述第一连接对象部件和第二连接对象部件可举出:半导体芯片、电容 器及二极管等电子部件、以及树脂膜、印刷基板、挠性印刷基板、挠性扁形 线缆、刚挠结合基板、玻璃环氧基板及玻璃基板等电路基板等电子部件等。 上述第一连接对象部件、第二连接对象部件优选为电子部件。
上述第一连接对象部件及上述第二连接对象部件中的至少一种连接对象 部件优选为树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆或刚挠结合基板。上述第 二连接对象部件优选为树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆或刚挠结合基 板。树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆及刚挠结合基板具有柔软性高且 比较轻质的性质。在将导电膜用于这种连接对象部件的连接的情况下,具有 焊锡粒子不易集聚于电极上的倾向。与之相对,本发明中,使用导电糊剂, 因此,即使使用树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆或刚挠结合基板,也 可以将焊锡粒子有效地集聚于电极上,并可以充分提高电极间的导通可靠性。 在使用树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆或刚挠结合基板的情况下,与 使用半导体芯片等其它连接对象部件的情况相比,可更进一步有效地得到不 进行加压而产生的电极间的导通可靠性提高效果。上述第一连接对象部件和 第二连接对象部件可以是树脂膜、挠性印刷基板或挠性扁形线缆,也可以是 刚挠结合基板。
作为设置于上述连接对象部件的电极,可举出:金电极、镍电极、锡电 极、铝电极、铜电极、银电极、钼电极、SUS电极及钨电极等金属电极。在 上述连接对象部件为挠性印刷基板或挠性扁形线缆的情况下,上述电极优选 为金电极、镍电极、锡电极、银电极或铜电极。在上述连接对象部件为玻璃 基板的情况下,上述电极优选为铝电极、铜电极、钼电极或钨电极。此外, 在上述电极为铝电极的情况下,可以为仅由铝形成的电极,也可以为在金属氧化物层的表面叠层有铝层而形成的电极。作为上述金属氧化物层的材料, 可以举出:掺杂有3价金属元素的氧化铟及掺杂有3价金属元素的氧化锌等。 作为上述3价金属元素,可以举出:Sn、Al及Ga等。
上述第一电极和上述第二电极对置的位置的上述连接部的距离D1优选 为3μm以上,更优选为5μm以上,优选为40μm以下,更优选为30μm以下。 当上述距离D1为上述下限以上时,更进一步提高连接部和连接对象部件的连 接可靠性。当上述距离D1为上述上限以下时,在形成连接部时,焊锡粒子进 一步更容易集聚于电极上,而电极间的导通可靠性得到更进一步地提高。另 外,从更进一步提高电极间的导通可靠性的观点出发,上述距离D1优选为 10μm以上,更优选为12μm以上。
上述连接部中,上述第一电极和上述第二电极对置的部分的S1的尺寸(例 如,图3(a)及图4(a)的斜线部)优选为上述第一电极和上述第二电极未对置的 部分的S2的尺寸(例如,图3(a)及图4(a)的点部)的2倍以上,更优选为10倍 以上,优选为40倍以下,更优选为30倍以下。上述S1的尺寸和上述S2的 尺寸是俯视观察连接结构体时的尺寸。上述S1的尺寸是俯视观察连接结构体 时,上述第一电极和上述第二电极重叠的区域的面积。上述S2的尺寸是俯视 观察连接结构体时,上述第一电极和上述第二电极未重叠的区域的面积。上述S2的尺寸是连接部整体的尺寸除去上述S1的尺寸而得到的尺寸。
接着,说明连接结构体的变形例。
图3(a)及3(b)中示出作为变形例的连接结构体51。图3(a)是俯视图,图 3(b)是沿着I-I线的剖视图。
如图3(a)及3(b)示出的连接结构体51,连接部54优选具有角部C。图3(a) 及3(b)中,连接部54在主面方向上具有4个角部C。角部C是例如连接部54 的两个边交叉的部分。第一连接对象部件52优选在角部C的内侧具有定位用 的第一电极52aa作为第一电极52a。第二连接对象部件53优选在角部C的内 侧具有定位用的第二电极53aa作为第二电极53a。如果设置这种定位用的电 极,则焊锡粒子在定位用的第一电极52aa和定位用的第二电极53aa之间集聚 且相互焊接时,发挥防止定位用的第一电极52aa和定位用的第二电极53aa的位置偏离,并且消除产生的位置偏离这样的作用(例如,本发明的实施方式 的图7(a)和不包含于本发明实施方式的形式的图8(a)的差异)。因此,电极间 的导通可靠性变高。
图3(b)中,第一电极52a和第二电极53a由一个以上的电极构成。第一电 极52a和第二电极53a优选为两条以上的具有梳形、锯齿型、点或方形电极 的面阵图案的电极。此时,在第一电极52a和第二电极53a的图案对置的情 况下,优选图案一致。在为两条以上的电极的情况下,电极的间距优选为75μm 以上,更优选为100μm以上,优选为2mm以下,更优选为1mm以下。电极 的长度优选为200μm以上,更优选为1mm以上,优选为5mm以下,更优选 为3mm以下。
此外,图3(a)及3(b)中,在第一连接对象部件52上重叠有第二连接对象 部件53的一部分区域。在第一连接对象部件52和第二连接对象部件53的重 叠部分的中央区域,配置有通过焊锡部54A实现了电连接的第一电极52a(主 电极)和第二电极53a(主电极)并使它们对置。图3(a)中,在与第二连接对象部 件53顶端的两个角部对应的连接部54的两个角部C附近,配置有两个定位 用的第一电极52aa和两个定位用的第二电极53aa并使它们对置。定位用的第 一电极52aa和定位用的第二电极53aa通过焊锡部54A实现了电连接。固化 物部54B位于焊锡部54A的周围。
就第一电极52aa和第二电极53aa的尺寸而言,一边优选为300μm以上, 更优选为500μm以上的四角形,第一电极52aa和第二电极53aa的形状可以 是正方形、长方形、圆形、或椭圆形。
第一电极52aa和第二电极53aa可以仅用于校准,也可以用作需要较大电 极面积的电源用电极。
从使定位更进一步容易进行的观点出发,优选上述定位用的第一电极及 上述定位用的第二电极与上述角部的顶端的最短距离为75μm以上,3000μm 以下。
图4(a)及4(b)中示出作为变形例的连接结构体51X。图4(a)为俯视图,图 4(b)为沿着I-I线的剖视图,图4(c)为沿着II-II线的剖视图。
图4(a)及4(b)中,在包含与第二连接对象部件53X顶端的两个角部对应 的连接部54X的两个角部C和剩余的两个角部C的4个角部C的附近,配置 4个定位用的第一电极52aa和4个定位用的第二电极53aa并使它们对置。如 上所述,可以在4个角部C的附近配置4个定位用的第一电极52aa和第二电 极53aa。定位用的第一电极52aa和定位用的第二电极53aa通过焊锡部54XA 实现了电连接。固化物部54XB位于焊锡部54XA的周围。
图5(a)及5(b)中示出作为变形例的连接结构体51Y。图5(a)为俯视图,图 5(b)为沿着I-I线的剖视图。
连接结构体51Y中,从抑制第一连接对象材52Y和第二连接对象材53Y 加热时的热膨胀引起的上下电极间的位置偏离且使导通可靠性更进一步良好 的观点出发,第一连接对象部件52Y具有多个第一主电极52ab作为第一电极 52a,该多个第一主电极52ab具有长度方向和宽度方向,第二连接对象部件 53Y具有多个第二主电极53ab作为第二电极53a,该多个第二主电极53ab具 有长度方向和宽度方向,将第一主电极52ab的长度方向及宽度方向上的第一 连接对象部件52Y的线膨胀率与第二主电极53ab的长度方向及宽度方向上的第二连接对象部件53Y的线膨胀率之差设为C(ppm/℃),且将连接部54Y形 成时的上述导电糊剂的加热温度设为T(℃),且在第一主电极52ab的宽度方 向上将多个第一主电极52ab的整体尺寸设为Yt(mm),且将多个第一主电极 52ab的每1个的宽度方向的尺寸设为Ya(mm),此时优选满足式:
C×T/1000000×Yt<0.5×Ya。
多个第一主电极52ab隔开指定的间距且长度方向平行地排列配置。多个 第二主电极53ab隔开指定的间距且长度方向平行地排列配置。
第一连接对象部件52Y具有定位用的第一电极52aa。第二连接对象部件 53Y具有定位用的第二电极53aa。第一主电极52ab中不包含定位用的第一电 极52aa。第二主电极53ab中不包含定位用的第二电极53aa。
第一主电极52ab和第二主电极53ab通过焊锡部54YA实现了电连接。 固化物部54YB位于在焊锡部54YA的周围。
使用TMA/SS6100(SII株式会株式会社制造造),在以升温速度5℃/min 从25℃到形成上述连接部时的上述导电糊剂的加热温度的温度范围的条件 下,测定上述线膨胀率。上述线膨胀率以上述温度范围中的平均值而求得。
为了将焊锡粒子有效地配置于电极上,上述导电糊剂在25℃下的粘度优 选为10Pa·s以上,更优选为50Pa·s以上,进一步优选为100Pa·s以上,优选 为800Pa·s以下,更优选为600Pa·s以下,进一步优选为500Pa·s以下。
上述粘度可以根据配合成分的种类及配合量适当调整。另外,通过填料 的使用,可以使粘度较高。
上述粘度可以使用例如E型粘度计(东机产业株式会社制造)等在25℃及 5rpm的条件下测定。
25℃以上、上述焊锡粒子(焊锡)的熔点℃以下的温度区域中的上述导电糊 剂的粘度最低值(最低熔融粘度的值)优选为0.1Pa·s以上,更优选为0.2Pa·s以 上,优选为10Pa·s以下,更优选为1Pa·s以下。上述粘度最低值为上述下限以 上及上述上限以下时,可以使焊锡粒子更进一步有效地配置于电极上。
上述粘度最低值可以使用STRESSTECH(EOLOGICA株式会社制造)等在 应变控制1rad、频率1Hz、升温速度20℃/分钟、测定温度范围40~200℃(其 中,在焊锡粒子的熔点超过200℃的情况下,将温度上限设为焊锡粒子的熔点) 的条件下测定。根据测定结果,评价焊锡粒子的熔点℃以下的温度区域中粘 度的最低值。
上述导电糊剂含有热固化性成分和焊锡粒子。上述热固化性成分优选含 有通过加热可固化的固化性化合物(热固化性化合物)和热固化剂。上述导电糊 剂优选含有助熔剂。上述导电糊剂优选含有填料。
以下,说明本发明的其它详细情况。
(焊锡粒子)
上述焊锡粒子在导电性的外表面上具有焊锡。上述焊锡粒子的中心部分 及导电性的外表面均由焊锡形成。
上述焊锡优选为熔点为450℃以下的低熔点金属。上述焊锡粒子优选熔点 为450℃以下的低熔点金属粒子。上述低熔点金属粒子是含有低熔点金属的粒 子。该低熔点金属表示熔点为450℃以下的金属。低熔点金属的熔点优选为 300℃以下,更优选为160℃以下。另外,上述焊锡粒子含有锡。上述焊锡粒 子所包含的金属100重量%中,锡的含量优选为30重量%以上,更优选为40 重量%以上,进一步优选为70重量%以上,特别优选为90重量%以上。上述 焊锡粒子中的锡含量为上述下限以上时,焊锡部和电极的连接可靠性更进一步提高。
此外,上述锡的含量可利用高频电感耦合等离子体发射光谱分析装置(堀 场制作所株式会社制造的“ICP-AES”)、或荧光X射线分析装置(株式会社岛 津制作所制造的“EDX-800HS”)等进行测定。
通过使用上述焊锡粒子,焊锡发生熔融焊接于电极,且焊锡部使电极间 导通。例如,焊锡部和容易进行面接触电极而不进行点接触,因此,连接电 阻降低。另外,通过焊锡粒子的使用,焊锡部和电极的焊接强度变高,结果, 更进一步不易产生焊锡部和电极的剥离,从而有效地提高导通可靠性及连接 可靠性。
构成上述焊锡粒子的低熔点金属没有特别限制。该低熔点金属优选为锡、 或含有锡的合金。该合金可举出:锡-银合金、锡-铜合金、锡-银-铜合金、锡 -铋合金、锡-锌合金、锡-铟合金等。其中,由于对电极的润湿性优异,因此, 上述低熔点金属优选为锡、锡-银合金、锡-银-铜合金、锡-铋合金、锡-铟合金, 更优选为锡-铋合金、锡-铟合金。
另外,上述焊锡粒子优选为基于JIS Z3001:焊接术语、液相线为450℃以 下的填充金属。作为上述焊锡粒子的组成,可举出例如含有锌、金、铅、铜、 锡、铋、铟等的金属组成。其中,优选低熔点且不含铅的锡-铟类(117℃共晶)、 或锡-铋类(139℃共晶)。即,上述焊锡粒子优选不含有铅,优选为含有锡和铟 的焊锡、或含有锡和铋。
为了进一步提高上述焊锡部和电极的焊接强度,上述焊锡粒子可以包含 镍、铜、锑、铝、锌、铁、金、钛、磷、锗、碲、钴、铋、锰、铬、钼、钯 等金属。另外,从进一步提高焊锡部和电极的焊接强度的观点出发,上述焊 锡粒子优选包含镍、铜、锑、铝或锌。从进一步提高焊锡部和电极的焊接强 度的观点出发,在焊锡粒子100重量%中,用于提高焊接强度的这些金属的 含量优选为0.0001重量%以上、优选为1重量%以下。
上述焊锡粒子的平均粒径优选为0.5μm以上,更优选为1μm以上,进一 步优选为3μm以上,特别优选为5μm以上,优选为100μm以下,更优选为 40μm以下,更进一步优选为30μm以下,进一步优选为20μm以下,特别优 选为15μm以下,最优选为10μm以下。上述焊锡粒子的平均粒径为上述下限 以上及上述上限以下时,可以使焊锡粒子更进一步有效地配置于电极上。上 述焊锡粒子的平均粒径特别优选为3μm以上且30μm以下。
上述焊锡粒子的“平均粒径”表示数均粒径。焊锡粒子的平均粒径通过利 用例如电子显微镜或光学显微镜观察任意50个焊锡粒子,并算出平均值而求 得。
上述导电糊剂100重量%中,上述焊锡粒子的含量优选为1重量%以上, 更优选为2重量%以上,进一步优选为10重量%以上,特别优选为20重量% 以上,最优选为30重量%以上,优选为80重量%以下,更优选为60重量% 以下,进一步优选为50重量%以下。上述焊锡粒子的含量为上述下限以上及 上述上限以下时,可以使焊锡粒子更进一步有效地配置于电极上,容易将焊 锡粒子大量配置于电极间,而更进一步提高导通可靠性。从更进一步提高导 通可靠性的观点出发,优选上述焊锡粒子的含量较多。
(通过加热可固化的化合物:热固化性成分)
作为上述热固化性化合物,可举出:氧杂环丁烷化合物、环氧化合物、 环硫化物化合物、(甲基)丙烯酸类化合物、苯酚化合物、氨基化合物、不饱和 聚酯化合物、聚氨酯化合物、聚硅氧烷化合物及聚酰亚胺化合物等。其中, 从使导电糊剂的固化性及粘度更进一步良好且更进一步提高连接可靠性的观 点出发,优选环氧化合物。
上述导电糊剂100重量%中,上述热固化性化合物的含量优选为20重量 %以上,更优选为40重量%以上,进一步优选为50重量%以上,优选为99 重量%以下,更优选为98重量%以下,进一步优选为90重量%以下,特别优 选为80重量%以下。从更进一步提高耐冲击性的观点出发,优选上述热固化 性成分的含量较多。
(热固化剂:热固化性成分)
上述热固化剂使上述热固化性化合物热固化。作为上述热固化剂,可举 出:咪唑固化剂、胺固化剂、苯酚固化剂、多硫醇固化剂、酸酐、热阳离子 引发剂及热自由基产生剂等。上述热固化剂可以单独使用一种,也可以组合 使用两种以上。
其中,在低温下可以使导电糊剂更进一步快速地固化,因此,优选咪唑 固化剂、多硫醇固化剂或胺固化剂。另外,在混合通过加热可固化的固化性 化合物和上述热固化剂时,可提高保存稳定性,因此,优选为潜伏性固化剂。 潜伏性固化剂优选为潜伏性咪唑固化剂、潜伏性多硫醇固化剂或潜伏性胺固 化剂。此外,上述热固化剂可以利用聚氨酯树脂或聚酯树脂等高分子物质进 行包覆。
作为上述咪唑固化剂没有特别限定,可以举出:2-甲基咪唑、2-乙基-4- 甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐、2,4- 二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪及2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑 基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物等。
作为上述多硫醇固化剂没有特别限定,三羟甲基丙烷三-3-巯基丙酸酯、 季戊四醇四-3-巯基丙酸酯及二季戊四醇六-3-巯基丙酸酯等。
上述多硫醇固化剂的溶解度参数优选为9.5以上,优选为12以下。上述 溶解度参数通过Fedors法计算。例如,三羟甲基丙烷三-3-巯基丙酸酯的溶解 度参数为9.6,二季戊四醇六-3-巯基丙酸酯的溶解度参数为11.4。
作为上述胺固化剂没有特别限定,可举出:六亚甲基二胺、八亚甲基二 胺、十亚甲基二胺、3,9-双(3-氨基丙基)-2,4,8,10-四螺[5.5]十一碳烷、双(4-氨 基环己基)甲烷、间苯二胺及二氨基二苯基砜等。
作为上述热阳离子固化剂,可举出碘鎓类阳离子固化剂、氧鎓类阳离子 固化剂及硫鎓类阳离子固化剂等。作为上述碘鎓类阳离子固化剂,可举出双 (4-叔丁基苯基)碘鎓六氟磷酸盐等。作为上述氧鎓类阳离子固化剂,可举出三 甲基氧鎓四氟硼酸盐等。作为上述硫鎓类阳离子固化剂,可举出三-对-甲苯基 硫鎓六氟磷酸盐等。
作为上述热自由基产生剂,没有特别限定,可举出偶氮化合物及有机过 氧化物等。作为上述偶氮化合物,可举出偶氮二异丁腈(AIBN)等。作为上述 有机过氧化物,可举出二-叔丁基过氧化物及甲基乙基酮过氧化物等。
上述热固化剂的反应开始温度优选为50℃以上,更优选为70℃以上,进 一步优选为80℃以上,优选为250℃以下,更优选为200℃以下,进一步优选 为150℃以下,特别优选为140℃以下。当上述热固化剂的反应开始温度为上 述下限以上及上述上限以下时,可以使焊锡粒子更进一步有效地配置于电极 上。上述热固化剂的反应开始温度特别优选为80℃以上,140℃以下。
从使焊锡更进一步有效地配置于电极上的观点出发,上述热固化剂的反 应开始温度优选比上述焊锡粒子中焊锡的熔点低,更优选低5℃以上,进一步 优选低10℃以上。
上述热固化剂的反应开始温度是指,DSC中的发热峰的开始上升的温度。
上述热固化剂的含量没有特别限定。相对于上述热固化性化合物100重 量份,上述热固化剂的含量优选为0.01重量份以上,更优选为1重量份以上, 优选为200重量份以下,更优选为100重量份以下,进一步优选为75重量份 以下。当热固化剂的含量为上述下限以上时,容易使导电糊剂充分固化。当 热固化剂的含量为上述上限以下时,在固化后未用于固化的剩余热固化剂不 易残留,且更进一步提高固化物的耐热性。
(助熔剂)
上述导电糊剂优选含有助熔剂。通过助熔剂的使用,可以使焊锡更进一 步有效地配置于电极上。该助熔剂没有特别限定。作为助熔剂,可使用通常 用于焊锡焊接等的助熔剂。作为上述助熔剂,可举出例如:氯化锌、氯化锌 与无机卤化物的混合物、氯化锌与无机酸的混合物、熔融盐、磷酸、磷酸的 衍生物、有机卤化物、肼、有机酸及松脂等。上述助熔剂可以单独使用一种, 也可以组合使用两种以上。
作为上述熔融盐,可举出氯化铵等。作为上述有机酸,可举出乳酸、柠 檬酸、硬脂酸、谷氨酸及戊二酸等。作为上述松脂,可举出活化松脂及非活 化松脂等。上述助熔剂优选为含有两个以上羧基的有机酸、松脂。上述助熔 剂可以是含有两个以上的羧基的有机酸,也可以是松脂。通过使用具有两个 以上的羧基的有机酸、松脂,更进一步提高电极间的导通可靠性。
上述松脂是以松香酸为主成分的松香类。助熔剂优选为松香类,更优选 为松香酸。通过该优选的助熔剂的使用,更进一步提高电极间的导通可靠性。
上述助熔剂的熔点优选为50℃以上,更优选为70℃以上,进一步优选为 80℃以上,优选为200℃以下,更优选为160℃以下,更进一步优选为150℃ 以下,进一步优选为140℃以下。上述助熔剂的熔点为上述下限以上及上述上 限以下时,更进一步有效地发挥助熔剂效果,且将焊锡粒子更进一步有效地 配置于电极上。上述助熔剂的熔点优选为80℃以上且190℃以下。上述助熔 剂的熔点特别优选为80℃以上且140℃以下。
作为熔点为80℃以上且190℃以下的上述助熔剂,可举出:琥珀酸(熔点 186℃)、戊二酸(熔点96℃)、己二酸(熔点152℃)、庚二酸(熔点104℃)、辛二 酸(熔点142℃)等二羧酸、苯甲酸(熔点122℃)、苹果酸(熔点130℃)等。
另外,上述助熔剂的沸点优选为200℃以下。
从将焊锡更进一步有效地配置于电极上的观点出发,优选上述助熔剂的 熔点比上述焊锡粒子中的焊锡的熔点低,更优选低5℃以上,进一步优选低 10℃以上。
从将焊锡更进一步有效地配置于电极上的观点出发,优选上述助熔剂的 熔点比上述热固化剂的反应开始温度低,更优选低5℃以上,进一步优选低 10℃以上。
上述助熔剂可以分散于导电糊剂中,也可以附着于焊锡粒子的表面上。
上述导电糊剂100重量%中,上述助熔剂的含量优选为0.5重量%以上, 优选为30重量%以下,更优选为25重量%以下。上述导电糊剂可以不含有助 熔剂。助熔剂的含量为上述下限以上及上述上限以下时,在焊锡及电极的表 面上更进一步不易形成氧化被膜,并且,可更进一步有效地除去形成于焊锡 及电极表面的氧化被膜。
(填料)
上述导电糊剂优选含有填料。通过填料的使用,可抑制导电糊剂的固化 物的潜热膨胀。上述填料可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
作为上述填料,可举出二氧化硅、滑石、氮化铝及氧化铝等无机填料等。 上述填料可以为有机填料,也可以为有机-无机复合填料。上述填料可以单独 使用一种,也可以组合使用两种以上。
上述导电糊剂及上述填料分别优选含有无机填料。通过无机填料的使用, 可将导电糊剂的比重及触变性控制为更进一步优选的范围,可更进一步抑制 焊锡粒子的沉降,更进一步提高连接结构体的导通可靠性。
上述导电糊剂及上述填料分别优选含有二氧化硅。该二氧化硅为二氧化 硅填料。通过二氧化硅的使用,可将导电糊剂的比重及触变性控制为更进一 步优选的范围,可更进一步抑制焊锡粒子的沉降,更进一步提高连接结构体 的导通可靠性。
上述导电糊剂100重量%中,上述填料的含量优选为2重量%以上,更优 选为5重量%以上,优选为60重量%以下,更优选为50重量%以下。上述填 料的含量为上述下限以上及上述上限以下时,可将焊锡粒子更进一步有效地 配置于电极上。
(其它成分)
上述导电糊剂可以根据需要,例如含有:充填剂、增量剂、软化剂、增 塑剂、聚合催化剂、固化催化剂、着色剂、抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、 紫外线吸收剂、润滑剂、抗静电剂及阻燃剂等各种添加剂。
以下,举出实施例及比较例,具体地说明本发明。本发明不只限定于以 下的实施例。
聚合物A:
双酚F和1,6-己二醇二缩水甘油基醚及与双酚F型环氧树脂的反应物(聚 合物A)的合成:
将双酚F(以重量比计含有2:3:1的4,4’-亚甲基双酚和2,4’-亚甲基双酚和 2,2’-亚甲基双酚)72重量份、1,6-己二醇二缩水甘油基醚70重量份、双酚F型 环氧树脂(DIC株式会社制造的“EPICLON EXA-830CRP”)30重量份添加至3 口烧瓶中,在氮气流下、150℃下使其溶解。然后,添加0.1重量份的作为羟 基和环氧基的加成反应催化剂的四-正丁基溴化锍,在氮气流下、150℃下进 行加聚反应6小时,由此,得到反应物(聚合物A)。
通过NMR,确认进行了加聚反应,还确认到反应物(聚合物A)的主链上 具有来自双酚F的羟基和1,6-己二醇二缩水甘油基醚及双酚F型环氧树脂的 环氧基键合而成的结构单元,且在两末端具有环氧基。
通过GPC得到的反应物(聚合物A)的重均分子量为10000,数平均分子 量为3500。
[化学式1]
聚合物B:两末端环氧基刚性骨架苯氧基树脂,三菱化学株式会社制造 的“YX6900BH45”,重均分子量16000
热固化性化合物1:间苯二酚型环氧化合物,Nagase Chemtex株式会社制 造的“EX-201”
热固化性化合物2:萘型环氧化合物,DIC株式会社制造的“HP-4032D”
热固化性化合物3:双酚F型环氧树脂,DIC株式会社制造的 “EVA-830CRP”
热固化剂:季戊四醇四(3-巯基丁酸酯),昭和电工株式会社制造的 “CURRANTSMTPE1”
助熔剂:戊二酸,和光纯药工业株式会社制造
潜伏性环氧热固化剂:T&KTOKA株式会社制造的“Fujicure 7000”
潜伏性热固化剂:微胶囊型,旭化成E-MATERIALS株式会社制造 “HXA-3932HP”
焊锡粒子1(Sn-58Bi焊锡粒子,熔点139℃,三井金属矿业株式会社制造 的“DS10-25”,平均粒径10μm)
焊锡粒子2(Sn-58Bi焊锡粒子,熔点139℃,三井金属矿业株式会社制造 的“10-25”,平均粒径20μm)
焊锡粒子3(Sn-58Bi焊锡粒子,熔点139℃,三井金属矿业株式会社制造 的“DS20-38”,平均粒径29μm)
焊锡粒子4(Sn-58Bi焊锡粒子,熔点139℃,平均粒径45μm,分级品)
导电性粒子1:在树脂粒子的表面上形成有厚度为1μm的铜层,且在该 铜层的表面上形成有厚度为3μm的焊锡层(锡:铋=43重量%:57重量%)的导电 性粒子
导电性粒子1的制备方法:
对平均粒径10μm的二乙烯基苯树脂粒子(积水化学工业株式会社制造的“MICROPEARL SP-210”)进行非电解镀镍,在树脂粒子的表面上形成厚度为 0.1μm的基底镀镍层。接着,对形成有基底镀镍层的树脂粒子进行电解镀铜, 形成厚度为1μm的铜层。进一步使用含有锡及铋的电解镀液进行电解镀敷, 形成厚度3μm的焊锡层。这样,制备在树脂粒子的表面上形成有厚度为1μm 的铜层且在该铜层的表面上形成有厚度为3μm的焊锡层(锡:铋=43重量%:57 重量%)的导电性粒子1。
苯氧基树脂(新日铁住金化学株式会社制造的“YP-50S”)
(实施例1~4)
(1)各向异性导电糊剂的制备
以下述表1示出的配合量对下述表1示出的成分进行配合,得到各向异 性导电糊剂。
(2)第一连接结构体(L/S=50μm/50μm)的制备
准备表面上具有L/S为50μm/50μm的铜电极图案(铜电极厚度为10μm) 的玻璃环氧基板(FR-4基板)(第一连接对象部件,线膨胀率12ppm/℃(第一主 电极的长度方向及宽度方向上的线膨胀率(以下相同)))。并且准备下表面上具 有L/S为50μm/50μm的铜电极图案(铜电极厚度10μm)的挠性印刷基板(第二 连接对象部件,线膨胀率16ppm/℃(第二主电极的长度方向及宽度方向上的线 膨胀率(以下相同))))。关于第一主电极,Yt=10mm,Ya=0.05mm。
玻璃环氧基板和挠性印刷基板的重合面积设为1.5cm×4mm,连接的电极 数设为100对。使用定位用的电极(合计4个)分别位于得到的第一连接结构体 中的连接部的4个角部的内侧的玻璃环氧基板和挠性印刷基板。定位用的第 一电极、第二电极与4个角部的顶端的最短距离为500μm。
在上述玻璃环氧基板的上表面涂敷刚制备的各向异性导电糊剂,使其厚 度为50μm,形成各向异性导电糊剂层。接着,在各向异性导电糊剂层的上表 面,叠层上述挠性印刷基板,使电极彼此对置。此时,不进行加压。对各向 异性导电糊剂层施加上述挠性印刷基板的重量。然后,一边进行加入使各向 异性导电糊剂层的温度为185℃,一边使焊锡熔融,且使各向异性导电糊剂层 在185℃下进行固化,得到第一连接结构体。
(3)第二连接结构体(L/S=75μm/75μm)的制备
准备上表面上具有L/S为75μm/75μm的铜电极图案(铜电极厚度为10μm) 的玻璃环氧基板(FR-4基板)(第一连接对象部件,线膨胀率12ppm/℃)。并且 准备下表面上具有L/S为75μm/75μm的铜电极图案(铜电极厚度10μm)的挠性 印刷基板(第二连接对象部件,线膨胀率16ppm/℃)。关于第一主电极,Yt= 10mm,Ya=0.075mm。
玻璃环氧基板和挠性印刷基板的重合面积设为1.5cm×4mm,连接的电极 数设为67对。除了使用L/S不同的上述玻璃环氧基板及挠性印刷基板以外, 与第一连接结构体的制备同样地操作,得到第二连接结构体。
(4)第三连接结构体(L/S=100μm/100μm)的制备
准备上表面上具有L/S为100μm/100μm的铜电极图案(铜电极厚度为 10μm)的玻璃环氧基板(FR-4基板)(第一连接对象部件,线膨胀率12ppm/℃)。 还准备下表面上具有L/S为100μm/100μm的铜电极图案(铜电极厚度10μm) 的挠性印刷基板(第二连接对象部件,线膨胀率16ppm/℃)。关于第一主电极, Yt=10mm,Ya=0.1mm。
玻璃环氧基板和挠性印刷基板的重合面积设为1.5cm×4mm,连接的电极 数设为50对。
除了使用L/S不同的上述玻璃环氧基板及挠性印刷基板以外,与第一连 接结构体的制备同样地操作,得到第三连接结构体。
(实施例5)
除了将第一连接结构体的电极数设为75对,将第二连接结构体的电极数 设为50对,将第三连接结构体的电极数设为38对以外,与实施例1同样地 操作,得到连接结构体。
第一主电极的Yt及Ya如以下。
第一、第二、第三连接结构体:Yt=7.5mm
第一连接结构体:Ya=0.05mm
第二连接结构体:Ya=0.075mm
第三连接结构体:Ya=0.1mm
(实施例6)
除了使用不具备定位电极的玻璃环氧基板和不具备定位电极的挠性印刷 基板以外,与实施例1同样地操作,制备第一连接结构体、第二连接结构体 和第三连接结构体。
(实施例7)
除了使用电极尺寸/电极间间隔为100μm/100μm、75μm/75μm、50μm/50μm 的、具有5mm见方的半导体芯片(厚度为400μm)和具有与其对置的电极的玻 璃环氧基板(尺寸30×30mm厚度0.4mm)以外,与实施例1同样地操作,得到 第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体。
(实施例8~11)
以下述表1示出的配合量对下述表1示出的成分进行配合,得到各向异 性导电糊剂。除了使用得到的各向异性导电糊剂以外,与实施例1同样地操 作,得到第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体。
(比较例1)
除了在各向异性导电糊剂层的上面叠层上述挠性印刷基板使电极彼此对 置时,在挠性印刷基板上施加2MPa的压力以外,与实施例1同样地操作, 得到第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体。
(比较例2)
除了在使各向异性导电糊剂层固化时在挠性印刷基板上施加2MPa的压 力以外,与实施例1同样地操作,得到第一连接结构体、第二连接结构体、 第三连接结构体。
(比较例3)
除了在各向异性导电糊剂层的上表面上叠层上述挠性印刷基板使电极彼 此对置时,在挠性印刷基板上施加2MPa的压力;以及在各向异性导电糊剂 层的上表面上叠层上述挠性印刷基板使电极彼此对置后维持加压状态,且在 使各向异性导电糊剂层固化时在挠性印刷基板上施加2MPa的压力以外,与 实施例1同样地操作,得到第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结 构体。
(比较例4)
使苯氧基树脂(新日铁住金化学株式会社制造的“YP-50S”)10重量份溶解 于甲基乙基酮(MEK)中,使固体成分为50重量%,得到溶解液。对下述表2 示出的配合量的下述表2示出的除去苯氧基树脂的成分和上述溶解液的总量 进行配合,使用行星式搅拌机以2000rpm搅拌5分钟后,使用棒式涂布机涂 布于脱模PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜上,使干燥后的厚度为30μm。通过 在室温下进行真空干燥,除去MEK,由此,得到各向异性导电膜。
除了使用各向异性导电膜以外,与实施例1同样地操作,得到第一连接 结构体、第二连接结构体、第三连接结构体。
(比较例5)
除了使用电极尺寸/电极间间隔为100μm/100μm、75μm/75μm、50μm/50μm 的、具有5mm见方的半导体芯片(厚度400μm)和具有与其对置的电极的玻璃 环氧基板(尺寸30×30mm厚度0.4mm)以及使各向异性导电糊剂层固化时施加 10MPa的压力以外,与实施例7同样地操作,得到第一连接结构体、第二连 接结构体、第三连接结构体。
(比较例6)
以下述表2示出的配合量对下述表2示出的成分进行配合,得到各向异 性导电糊剂。除了使用得到的各向异性导电糊剂以外,与实施例1同样地操 作,得到第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体。
(评价)
(1)粘度
使用E型粘度计(东机产业株式会社制造)在25℃及5rpm的条件下测定各 向异性导电糊剂的粘度。
(2)最低熔融粘度
测定从25℃到焊锡粒子的熔点或导电性粒子表面的焊锡熔点的温度区域 中各向异性导电糊剂的最低熔融粘度。
(3)连接部的距离(电极间的间隔)
通过对得到的第一连接结构体进行截面观察,评价上下电极对置的位置 上的连接部的距离D1(电极间的间隔)。
(4)电极的状态
俯视观察得到的第一连接结构体,评价第一电极与第二电极对置部分的 尺寸S1和第一电极与第二电极未对置部分的尺寸S2。求得比(尺寸S1/尺寸 S2)。
(5)电极彼此位置偏离的最大距离
通过截面观察得到的第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构 体,评价上下的电极的位置偏离的最大距离。
(6)电极上的焊锡的配置精度
评价在得到的第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体的截 面(图1所示的方向的截面)中,焊锡的整个面积100%中,脱离配置于电极间 的焊锡部并残留于固化物中的焊锡的面积(%)。此外,算出5个截面面积的平 均值。通过下述基准判定电极上的焊锡的配置精度。
[电极上的焊锡的配置精度的判定基准]
○○:截面中出现的焊锡的整个面积100%中,脱离配置于电极间的焊锡部 并残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)的面积为0%
○:截面中出现的焊锡的整个面积100%中,脱离配置于电极间的焊锡部 并残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)的面积超过0%且10%以下
△:截面中出现的焊锡的整个面积100%中,脱离配置于电极间的焊锡部 并残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)的面积超过10%且30%以下
×:截面中出现的焊锡的整个面积100%中,脱离配置于电极间的焊锡部 并残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)的面积超过30%
(7)上下的电极间的导通可靠性
得到的第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体(n=15个)中, 通过4端子法分别测定上下的电极间的连接电阻。算出连接电阻的平均值。 此外,根据电压=电流×电阻的关系,通过测定流过恒定电流时的电压,可以 求得连接电阻。通过下述基准判定导通可靠性。
[导通可靠性的判定基准]
○○:连接电阻的平均值为8.0Ω以下
○:连接电阻的平均值超过8.0Ω且10.0Ω以下
△:连接电阻的平均值超过10.0Ω且15.0Ω以下
×:连接电阻的平均值超过15.0Ω
(8)邻接的电极间的绝缘可靠性
得到的第一连接结构体、第二连接结构体、第三连接结构体(n=15个)中, 在温度85℃及湿度85%的氛围中放置100小时后,在邻接的电极间施加5V, 并在25个部位测定电阻值。通过下述基准判定绝缘可靠性。
[绝缘可靠性的判定基准]
○○:连接电阻的平均值为107Ω以上
○:连接电阻的平均值为106Ω以上且低于107Ω
△:连接电阻的平均值为105Ω以上且低于106Ω
×:连接电阻的平均值低于105Ω
将结果示于下述表1、2中。
根据实施例1~11和比较例1~5的结果差异可知,由于不进行加压,可得 到导通可靠性提高的效果。
根据实施例1~5、8~11和实施例6的结果可知,具有定位用的电极时, 可抑制电极之间的位置偏离。
根据实施例1与比较例1的结果差异和实施例7与比较例5的结果差异 可知,在第二连接对象部件为挠性印刷基板的情况下,与第二连接对象部件 为半导体芯片的情况相比,由于不进行加压,更进一步有效地得到导通可靠 性的提高效果。
不仅挠性印刷基板,在使用树脂膜、挠性扁形线缆及刚挠结合基板的情 况下也一样。
此外,就实施例1~11中得到的连接结构体而言,在第一电极、连接部和 第二电极的叠层方向上观察第一电极和第二电极的对置的部分时,在第一电 极和第二电极的对置部分的面积100%中50%以上配置有连接部中的焊锡部。
另外,图7(a)、7(b)及7(c)中示出本发明的实施方式所包含的连接结构体 的一个例子。图7(a)及7(b)是剖视图像,图7(c)是平视图像。可知图7(a)、7(b)、 7(c)中,存在脱离配置于电极间的焊锡部并残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)。
另外,图8(a)、8(b)及8(c)中示出不包含于本发明实施方式的连接结构体 的一个例子。该连接结构体是在配置第二连接对象部件的工序中通过加压而 得到的连接结构体。图8(a)及8(b)是剖视图像,图8(c)是俯视图像。可知图 8(a)、8(b)、8(c)中,在焊锡部的侧方存在多个脱离配置于电极间的焊锡部并 残留于固化物中的焊锡(焊锡粒子)。此外,确认到在形成连接部的工序中,即 使进行加压,也可得到与图8(a)、8(b)及8(c)示出的连接结构体相同的连接结 构体。
Claims (5)
1.一种连接结构体的制造方法,其包括:
使用含有多个焊锡粒子和热固化性成分的导电糊剂,在表面具有至少一个第一电极的第一连接对象部件的表面上配置所述导电糊剂的工序;
在所述导电糊剂的与所述第一连接对象部件侧相反的表面上,配置表面具有至少一个第二电极的第二连接对象部件,并使所述第一电极和所述第二电极对置的工序;
通过将所述导电糊剂加热到所述焊锡粒子的熔点以上且所述热固化性成分的固化温度以上,利用所述导电糊剂形成对所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件进行连接的连接部的工序,
配置在所述第一连接对象部件表面上的所述导电糊剂在25℃下的粘度为10Pa·s以上且800Pa·s以下,
配置在所述第一连接对象部件表面上的所述导电糊剂在所述焊锡粒子的熔点以下的温度区域的粘度的最低值为0.1Pa·s以上且10Pa·s以下,
在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序中,对所述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量而不进行加压,
所述第一连接对象部件具有多个拥有长度方向和宽度方向的第一主电极作为所述第一电极,
所述第二连接对象部件具有多个拥有长度方向和宽度方向的第二主电极作为所述第二电极,
将所述第一主电极的长度方向及宽度方向上的所述第一连接对象部件的线膨胀率与所述第二主电极的长度方向及宽度方向上的所述第二连接对象部件的线膨胀率之差设为C:ppm/℃,将形成所述连接部时的所述导电糊剂的加热温度设为T:℃,将所述第一主电极的宽度方向上的多个所述第一主电极的总尺寸设为Yt:mm,多个所述第一主电极中每一个的宽度方向的尺寸设为Ya:mm,此时满足式:C×T/1000000×Yt<0.5×Ya。
2.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法,其中,
所述第二连接对象部件为树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁形线缆、或刚挠结合基板。
3.如权利要求1或2所述的连接结构体的制造方法,其中,
将所述第一电极和所述第二电极对置的位置上的所述连接部的距离调整为3μm以上且40μm以下。
4.如权利要求1或2所述的连接结构体的制造方法,其中,
在所述连接部,所述第一电极和所述第二电极对置的部分的大小调整为所述第一电极和所述第二电极不对置的部分的大小的2倍以上且40倍以下。
5.如权利要求1或2所述的连接结构体的制造方法,其中,
所述连接部具有角部,
所述第一连接对象部件在所述角部的内侧具有定位用第一电极作为所述第一电极,
所述第二连接对象部件在所述角部的内侧具有定位用第二电极作为所述第二电极,
所述定位用第一电极及所述定位用第二电极与所述角部的顶端的最短距离为75μm以上且3000μm以下。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033213 | 2014-02-24 | ||
JP2014-033213 | 2014-02-24 | ||
JP2014047147 | 2014-03-11 | ||
JP2014-047147 | 2014-03-11 | ||
PCT/JP2015/054299 WO2015125779A1 (ja) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | 接続構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105493207A CN105493207A (zh) | 2016-04-13 |
CN105493207B true CN105493207B (zh) | 2018-05-25 |
Family
ID=53878281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580001667.6A Active CN105493207B (zh) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | 连接结构体的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5819026B1 (zh) |
KR (1) | KR102360487B1 (zh) |
CN (1) | CN105493207B (zh) |
TW (1) | TWI647709B (zh) |
WO (1) | WO2015125779A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-02-17 CN CN201580001667.6A patent/CN105493207B/zh active Active
- 2015-02-17 KR KR1020167004486A patent/KR102360487B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-17 WO PCT/JP2015/054299 patent/WO2015125779A1/ja active Application Filing
- 2015-02-17 JP JP2015512417A patent/JP5819026B1/ja active Active
- 2015-02-24 TW TW104105916A patent/TWI647709B/zh active
- 2015-09-28 JP JP2015189610A patent/JP2015233162A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015233162A (ja) | 2015-12-24 |
JP5819026B1 (ja) | 2015-11-18 |
KR102360487B1 (ko) | 2022-02-10 |
TWI647709B (zh) | 2019-01-11 |
CN105493207A (zh) | 2016-04-13 |
WO2015125779A1 (ja) | 2015-08-27 |
JPWO2015125779A1 (ja) | 2017-03-30 |
KR20160125343A (ko) | 2016-10-31 |
TW201535418A (zh) | 2015-09-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |