FR2920912A1 - Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice par transfert d'une couche (32) d'un substrat donneur (30) vers un substrat receveur (10), comprenant les étapes de :(a) création d'une zone de fragilisation (31) dans le substrat donneur (30) de manière à définir la couche (32),(b) traitement de la surface du substrat donneur (30) et/ou du substrat receveur (10), de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats(c) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur (30) sur le substrat receveur (10)(d) détachement du substrat donneur (30) selon la zone de fragilisation (31).Ce procédé est remarquable en ce que lors de l'étape (b), on contrôle le traitement de la surface du substrat de telle sorte que l'augmentation de l'énergie de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur est, dans une région périphérique de ces substrats, inférieure à l'augmentation de l'énergie de collage dans la région centrale desdits substrats.
Description
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE PAR TRANSFERT DE COUCHE
DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par transfert de couche. Ce procédé est mis en oeuvre plus particulièrement pour fabriquer des structures de type SOI (acronyme du terme anglo-saxon Silicon On Insulator ou Silicium sur Isolant) par une technique de type SmartCut TM ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Le procédé Smart Cut TM permet le transfert d'une couche mince d'un substrat donneur vers un substrat receveur et met en oeuvre les étapes suivantes : a) Implantation d'espèces atomiques dans le substrat donneur afin de créer une zone de fragilisation dont la profondeur correspond à l'épaisseur de la couche mince que l'on souhaite transférer. b) Mise en contact des substrats et collage par adhésion moléculaire. Le collage se fait sur toute la surface des substrats sauf à la périphérie, car les plaques présentent un chanfrein (ou Edge Roll Off (ERO) selon la dénomination anglo-saxonne) et ne sont donc pas en contact sur leur périphérie, comme on peut le constater sur la figure 1. c) Détachement selon la zone de fragilisation du substrat donneur, et transfert de la couche mince vers le substrat receveur.
Les substrats se présentent généralement sous la forme de plaques circulaires (également appelées wafers dans le langage du métier) ; par exemple, les plaques de 300 mm sont couramment utilisées. On appelle couronne la région périphérique où le transfert de la couche mince n'a pas eu lieu. En référence à la figure 2, qui représente en vue de dessus quatre régions périphériques d'une plaque de SOI, la couronne CP est délimitée du côté extérieur par le bord 100 du substrat receveur et du côté intérieur par le bord 200 de la couche transférée. Sur la plaque de la figure 2, la couronne CP est régulière, autrement dit le bord du SOI est régulier.
Avant le collage par adhésion moléculaire, il est possible d'effectuer une activation par plasma de la surface d'au moins un des substrats. Cette activation permet de renforcer de manière significative l'énergie de collage. Le renforcement de l'énergie de collage peut également être obtenu par un nettoyage avant collage adapté, par exemple une séquence de type 03/SC1/SC2 dans laquelle le SC1 est réalisé à une température inférieure à 50°C. Toutefois, on a constaté que le renforcement de l'énergie de collage peut générer une largeur de couronne irrégulière (également appelée jagged edge selon le vocabulaire du métier) sur le produit final, c'est-à-dire le SOI obtenu après le détachement. Après le détachement, il arrive que la couronne comprenne également des petites zones transférées isolées. La largeur de couronne est donc rendue irrégulière par l'extension locale et non contrôlée de la zone transférée sur plusieurs centaines de micromètres vers le bord du substrat receveur. L'extension de la zone transférée est visible sur les photos de la figure 3, où la région la plus claire correspond à la couche transférée, et la couche la plus foncée est la couronne. L'un des buts de l'invention est donc d'améliorer le procédé de fabrication d'une structure par transfert de couche de manière à garantir un bord de 20 couche transférée régulier, sans extension locale.
BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un premier objet de l'invention est un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice par transfert d'une couche d'un substrat donneur 25 vers un substrat receveur, comprenant les étapes de : (a) création d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur de manière à définir ladite couche, (b) traitement de la surface du substrat donneur et/ou du substrat receveur, de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux 30 substrats, (c) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur sur le substrat receveur, (d) détachement du substrat donneur selon la zone de fragilisation, ledit procédé étant caractérisé en ce que lors de l'étape (b), on contrôle le traitement de la surface du substrat de telle sorte que l'augmentation de l'énergie de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur est, dans une région périphérique de ces substrats, inférieure à l'augmentation de l'énergie de collage dans la région centrale desdits substrats. Selon d'autres caractéristiques possibles de l'invention : - on n'augmente pas l'énergie de collage entre les substrats dans la région périphérique ; - dans la région périphérique, l'énergie de collage est inférieure d'au moins 15% à l'énergie de collage dans la région centrale des substrats ; - ladite région périphérique a une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm ; - ladite région périphérique a une largeur au moins égale à celle de la couronne du substrat receveur dépourvue de la couche transférée après le détachement du substrat donneur effectué à l'étape (d) ; - le procédé comprend, avant l'étape (b), la détermination expérimentale de la largeur de la couronne ; - la détermination expérimentale de la largeur de la couronne comprend la fabrication d'une structure semi-conductrice de référence par transfert d'une couche d'un substrat donneur vers un substrat receveur, comprenant les étapes de : a) création d'une zone de fragilisation dans un substrat donneur de manière à définir ladite couche, b) traitement de la surface du substrat donneur et/ou du substrat receveur, de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats c) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur sur le substrat receveur d) détachement du substrat donneur selon la zone de fragilisation, de manière à mesurer sur ladite structure de référence la largeur de la couronne du substrat receveur. - selon un premier mode de réalisation de l'invention, le traitement de l'étape (b) est une activation par un plasma ; - selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le traitement de l'étape (b) est un nettoyage humide comprenant un SC1 à une température inférieure à 50°C ; - lors de l'étape (b) on évite d'activer la région périphérique ; selon une variante de l'invention, l'étape (b) comprend l'activation par le plasma ou le nettoyage de toute la surface du substrat puis la désactivation de la région périphérique, la désactivation étant effectuée par une gravure chimique de la région périphérique ; à cet effet, une solution de gravure est dispensée par jet sur la région périphérique du substrat, le substrat étant entraîné en rotation. Un autre objet de l'invention est un procédé d'activation par un plasma de la surface d'un substrat avant collage, caractérisé en ce que l'on contrôle l'activation sur la surface du substrat de telle sorte qu'avant le collage, la surface du substrat soit activée à l'exception d'une région périphérique, ladite région périphérique ayant de préférence une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm. Un autre objet de l'invention est également un dispositif d'activation par plasma de la surface d'un substrat, comprenant : - au moins une source de plasma - une électrode apte à supporter le substrat ledit dispositif comprenant en outre des moyens de contrôle de l'activation, permettant d'activer la surface du substrat à l'exception d'une région périphérique.
De manière préférée, ladite région périphérique a une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm. Selon différents modes possibles de réalisation du dispositif : - la source de plasma est mobile et lesdits moyens de contrôle comprennent des moyens de contrôle de la trajectoire de la source de plasma de telle sorte que la source de plasma balaie la surface du substrat à l'exception de la région périphérique ; - la source de plasma est mobile en translation et comprend une pluralité de sources de plasma, et lesdits moyens de contrôle comprennent des moyens d'extinction des sources lorsque celles-ci sont situées au-dessus de la région périphérique ; - les moyens de contrôle de l'activation comprennent un écran annulaire au même potentiel que l'électrode supportant le substrat, ledit écran recouvrant la région périphérique ; de manière préférée, ledit écran est une grille dont les mailles ont des dimensions inférieures à la longueur de Debye.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description détaillée qui va suivre, en référence aux figures annexées sur lesquelles : - la figure 1 est une photo en coupe de deux plaques collées montrant les chanfreins des plaques à l'origine de la couronne du SOI - la figure 2 est une photo de dessus du bord d'une plaque SOI présentant une couronne régulière - la figure 3 est une photographie de la couronne d'une plaque où apparaît le phénomène de jagged edge , - la figure 4 est une vue en coupe d'une structure après collage d'un substrat donneur sur un substrat receveur en vue de fabriquer un SOI ; - la figure 5 est une vue en coupe de la structure précédente après détachement et transfert d'une couche mince ; - la figure 6 illustre un premier exemple de réalisation de l'invention ; - la figure 7 illustre un deuxième exemple de réalisation de l'invention ; - la figure 8 illustre un troisième exemple de mise en oeuvre de l'invention ; - la figure 9 illustre un quatrième exemple de réalisation de l'invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Rappels sur les plaques de SOI : La figure 4 illustre la structure obtenue après collage d'un substrat donneur 30 sur un substrat receveur 10. Lors de la mise en oeuvre du procédé Smart Cut TM, le substrat donneur 30 peut par exemple être recouvert d'une couche 20 d'oxyde. De manière bien connue de l'homme du métier, l'oxyde peut être déposé ou encore formé par oxydation thermique du substrat donneur.
Le substrat donneur 30 subit ensuite une implantation d'espèces atomiques, comme par exemple de l'hydrogène et/ou de l'hélium, dont la dose et l'énergie sont adaptées de manière à obtenir un pic d'implantation à une profondeur correspondant à l'épaisseur de la couche du substrat donneur que l'on souhaite transférer. La zone 31 où sont implantées les espèces atomiques est appelée zone de fragilisation. Après une éventuelle activation par plasma de la surface du substrat donneur 30 et/ou du substrat receveur 10, les substrats sont mis en contact et collés par adhésion moléculaire. L'activation par plasma a pour effet d'augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats. Cette augmentation de l'énergie de collage peut également être obtenue au moyen d'un nettoyage avant collage de type 03/RCA dans lequel le SC1 est réalisé à une température inférieure à 50°C. Ce nettoyage est bien connu de l'homme du métier et ne sera donc pas décrit en détail. On rappelle simplement que le RCA comprend un enchaînement de bains dits SC1 et SC2. Le SC1 est un mélange d'H2O, H2O2 et NH4OH. Le SC2 est un mélange d'H2O, H2O2 et HCI. Des rinçages en H2O sont insérés entre ces bains de SC1 et de SC2. Le nettoyage 03 correspond à un premier bain d'H2O dans lequel on dissout de l'ozone gaz...
Comme on peut le constater sur la figure 4, les plaques des deux substrats n'ont pas un bord perpendiculaire à la surface mais présentent un chanfrein ou Edge Roll Off , désigné par les flèches C. Les substrats 10 et 30 ne sont donc pas collés jusqu'à leur bord mais jusqu'au chanfrein. On réalise ensuite un détachement du substrat donneur 30 le long de la zone de fragilisation 31. A cet effet, on peut initier un détachement au moyen de forces mécaniques ou d'une élévation de température ; le détachement se propageant sur toute la surface sous la forme d'une onde de détachement. La structure SOI ainsi obtenue est représentée à la figure 5. Du fait de la présence des chanfreins sur les bords des plaques, la partie transférée du substrat donneur 30 ne s'étend pas sur toute la surface du substrat receveur 10 mais seulement jusqu'à la limite d'une couronne périphérique CP. Pour une plaque de 300 mm, la couronne périphérique CP a typiquement une largeur de 1 mm par rapport au bord de la plaque. Le phénomène de jagged edge exposé en introduction se traduit par la 30 présence de zones transférées (c'est-à-dire d'oxyde 20 et de couche mince 32) à l'intérieur de la couronne périphérique CP. Dans les procédés d'activation par plasma habituellement utilisés, le plasma active toute la surface utile du substrat (appelée face avant ), les bords de plaque, mais pas la face arrière qui n'est pas exposée au plasma car elle repose sur une électrode.
Description détaillée de l'invention : Le phénomène de jagged edge semble dû à un collage trop fort au niveau des bords chanfreinés des plaques. En effet, dans le cas où le collage est pratiqué après une activation par plasma ou un nettoyage avant collage adapté du substrat donneur et/ou du substrat receveur, les deux plaques adhèrent l'une à l'autre plus fortement, ce qui réduit la largeur de la couronne après transfert. Ceci s'explique par le fait que les chanfreins ne sont pas des angles saillants mais plutôt des courbures progressives du bord de la plaque. Si localement les bords des plaques collées présentent des irrégularités, le transfert après activation par plasma reproduit ces éventuelles irrégularités en couronne et conduit au jagged edge . Sans activation par plasma, le collage ne se propage pas jusqu'à ces irrégularités de bord (sans que l'on puisse exclure la présence d'irrégularités de surface plus à l'intérieur du substrat, mais qui ne sont pas révélées du fait du parallélisme local des surfaces collées) et le transfert aboutit à des couronnes plus larges et surtout plus régulières, c'est-à-dire sans jagged edge .
D'une manière générale, l'invention permet d'éviter le phénomène de jagged edge en contrôlant l'activation ou le nettoyage sur la surface du substrat traité de manière à maîtriser l'énergie de collage entre les deux substrats. On pressent en effet que si l'on parvient à conserver ou à obtenir une énergie de collage faible dans une région périphérique des substrats, alors on limitera les risques d'apparition de zones transférées dans la couronne. A cet effet, une première solution est de conserver une énergie de collage faible dans une région périphérique en n'effectuant pas d'activation dans cette région. Une alternative consiste à diminuer localement l'énergie de collage élevée obtenue par l'activation ou par le nettoyage avant collage. Dans les deux cas, on contrôle l'activation ou le nettoyage avant collage de telle sorte qu'au final, dans la région périphérique, l'augmentation de l'énergie de collage entre les substrats est plus faible que dans la région centrale de ces substrats. Typiquement, l'énergie de collage dans la région périphérique sera inférieure d'au moins 15% à l'énergie de collage dans la région centrale des substrats.
Un premier mode de réalisation de l'invention consiste en une activation par plasma de l'un et/ou l'autre des substrats à coller sur toute sa (leur) surface excepté dans la région périphérique. Une variante de l'invention consiste en une activation par plasma ou un nettoyage avant collage sur toute la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller puis en une désactivation (avant collage) localisée uniquement dans la région périphérique. La région périphérique dans laquelle la désactivation ou la non activation est pratiquée aura typiquement une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm, plus particulièrement entre 0,5 et 2,5 mm et de préférence 2 mm. Cette largeur correspond typiquement à une largeur supérieure ou égale à celle de la couronne qui, à l'issue du détachement, présente généralement une largeur comprise entre 0,2 et 2 mm, et plus particulièrement entre 0,8 et 1,2 mm.
Concrètement, il pourra être avantageux de fabriquer au préalable une structure de référence par le même procédé que pour la structure que l'on souhaite obtenir, c'est-à-dire : i) création d'une zone de fragilisation dans un substrat donneur de manière à définir une couche, ii) traitement de la surface du substrat donneur et/ou du substrat receveur, de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats iii) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur sur le substrat receveur iv) détachement du substrat donneur selon la zone de fragilisation.
On mesure alors, sur cette structure de référence, la largeur de la couronne du substrat receveur, et on définit ensuite la largeur de la région périphérique de telle sorte qu'elle soit supérieure ou égale à la largeur de la couronne mesurée sur la structure de référence. Il est également envisageable de procéder par itérations, c'est-à-dire en fixant de manière arbitraire une largeur de région périphérique, par exemple 2 mm, puis en mettant en oeuvre le procédé conforme à l'invention et en mesurant la largeur de la couronne obtenue. Pour les structures suivantes, on adapte la largeur de la région périphérique de telle sorte qu'elle soit supérieure ou égale à la largeur de cette couronne.
Premier mode de réalisation : Non activation de la réqion périphérique Une première possibilité de mise en oeuvre de l'invention consiste à pratiquer une activation par plasma avant le collage contrôlée de sorte que les bords du ou des substrat(s) soumis au plasma ne soient pas activés par le plasma. Ainsi, l'énergie de collage entre les substrats dans cette région périphérique augmente dans une moindre mesure que dans la région centrale, voire n'augmente pas. La mise en oeuvre d'une telle activation par plasma dépend du type d'équipement utilisé pour le traitement par plasma. Dans le cas d'un plasma généré par une source plus petite que les substrats à traiter, un balayage de toute la surface permet habituellement de traiter de façon uniforme l'intégralité des substrats, y compris leur périphérie. L'invention consiste alors à modifier le balayage de sorte à ne pas traiter par plasma les bords de plaques, par exemple en effectuant un balayage par une source plasma ponctuelle de la surface du substrat à l'exclusion des quelques derniers millimètres à partir du bord, c'est-à-dire au minimum la largeur de la future couronne. Par source ponctuelle, on entend une source présentant une surface de l'ordre de quelques mm2. La figure 6 illustre ce cas : les traits en pointillés correspondent à la trajectoire d'une source plasma ponctuelle P balayant toute la surface du substrat à l'exception de la région périphérique. Dans le cas d'un plasma généré par une source rectiligne de longueur supérieure à la plus grande dimension des substrats (i.e. le diamètre pour des plaques circulaires), une translation selon une direction permet habituellement de traiter uniformément en un ou plusieurs passage(s) la totalité de la surface des substrats. L'invention consiste alors à segmenter cette source rectiligne en une succession de petites sources ponctuelles et de balayer la surface à traiter en allumant les petites sources uniquement quand celles-ci ne sont pas en regard de la périphérie des substrats. En référence à la figure 7, la source plasma rectiligne est constituée d'une succession de petites sources ponctuelles P. La source rectiligne est déplacée en translation selon la direction des flèches. Seules les sources P en regard d'une zone à activer sont allumées (elles sont représentées par des carrés de couleur claire). Les sources en regard du bord (représentées par des carrés noirs) ne génèrent aucun plasma pour ne pas traiter la périphérie. Dans le cas plus répandu d'un plasma généré par une source fixe et de taille comparable aux substrats, l'invention consiste à écranter ou à confiner le plasma de sorte que le plasma n'active pas la périphérie de la plaque 4. A cet effet, l'invention propose, par exemple, de mettre en place un confinement du plasma lui interdisant de traiter le bord de la plaque. En référence à la figure 8, ce confinement peut par exemple être obtenu par un écran annulaire 2 rattaché à l'électrode 3 sur laquelle est placée le substrat traité 1, recouvrant sans le toucher le bord de ce substrat. Cet écran, dont le diamètre intérieur est égal au diamètre de la surface à activer, est par construction au même potentiel que l'électrode supportant le substrat. L'espace entre la plaque et l'écran la surplombant ù dont la largeur est égale à la largeur de la région périphérique ù sera ainsi exempt de plasma P.
Cet écran pourra être par exemple réalisé dans le même matériau que le substrat traité, configuration qui permettra de limiter la contamination de ce dernier. Cet écran, séparé en deux parties diamétralement opposées et mobiles, pourra être mis en place et retiré respectivement avant et après le traitement plasma, permettant ainsi la manipulation des substrats se succédant dans l'équipement. Cet écran n'est pas forcément en matériau plein, il peut aussi être une grille dont la plus grande dimension des mailles est inférieure à la longueur de Debye, de façon à être perçu par le plasma comme un matériau plein mais permettre la circulation des espèces neutres (l'utilisation d'une grille permet l'obtention de moindres perturbations du flux de gaz). Le matériau conducteur constituant l'ossature de la grille peut alors être recouvert d'un revêtement de nature à éviter toute contamination du substrat ù par exemple, un film de Si ou SiC pour des substrats Si. Deuxième mode de réalisation : Désactivation de la réqion périphérique Selon une variante de l'invention, l'accroissement de l'énergie de collage est obtenu par une activation par plasma ou par un nettoyage avant collage adapté de toute la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller puis en une désactivation (avant le collage) localisée uniquement à la région périphérique, par exemple à l'aide d'un nettoyage chimique.
En effet, l'activation par plasma, consistant en une modification de surface sur une profondeur de quelques dizaines d'angstrôms, peut être annihilée partiellement ou totalement par une gravure chimique de tout ou partie de l'épaisseur modifiée par le plasma sur les bords des substrats de manière à obtenir une largeur de couronne régulière. De même, dans le cadre d'un nettoyage avant collage adapté, la désactivation peut être obtenue par une légère augmentation de la micro-rugosité de la surface dans la région périphérique (rugosité moyenne augmentée typiquement de l'ordre de 0,3 Angstrôm dans la région périphérique). Du point de vue pratique, en référence à la figure 9, à l'aide d'un nettoyage humide dispensé par jet sur le substrat 1 en rotation, le jet de produits chimiques 4 peut être précisément dirigé uniquement sur la périphérie du substrat 1 dont on veut désactiver la région périphérique.
Les produits chimiques dispensés sont de nature à graver le(s) matériau(x) présents à la surface activée par le plasma ou par le nettoyage. Par exemple, en présence de SiO2, on pourra utiliser un mélange à base de NH4OH, H2O2, H2O (ex : SC1 dilué à 20-80°C) ou encore une solution très diluée à base d'acide HF (ex : HF 0,5% pour graver 4nm puis dispense d'eau ozonée pour restaurer l'hydrophilie du bord de plaque avant collage). La solution de gravure reste localisée à la région périphérique grâce à la force centrifuge due à la rotation du substrat.
Claims (21)
- REVENDICATIONS1 Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice par transfert d'une couche (32) d'un substrat donneur (30) vers un substrat receveur (10), comprenant les étapes de : (a) création d'une zone de fragilisation (31) dans le substrat donneur (30) de manière à définir ladite couche (32), (b) traitement de la surface du substrat donneur (30) et/ou du substrat receveur (10), de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats, (c) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur (30) sur le substrat receveur (10), (d) détachement du substrat donneur (30) selon la zone de fragilisation (31), caractérisé en ce que lors de l'étape (b), on contrôle le traitement de la surface du substrat de telle sorte que l'augmentation de l'énergie de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur est, dans une région périphérique de ces substrats, inférieure à l'augmentation de l'énergie de collage dans la région centrale desdits substrats.
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans la région périphérique on n'augmente pas l'énergie de collage entre les substrats.
- 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que dans la région périphérique, l'énergie de collage est inférieure d'au moins 15% à l'énergie de collage dans la région centrale des substrats.
- 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite région périphérique a une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm.
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ladite région périphérique a une largeur au moins égale à celle de la couronne du substrat receveur (10) dépourvue de la couche (32) transférée après le détachement du substrat donneur (30) effectué à l'étape d).30
- 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape (b), la détermination expérimentale de la largeur de la couronne.
- 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la détermination expérimentale de la largeur de la couronne comprend la fabrication d'une structure semi-conductrice de référence par transfert d'une couche d'un substrat donneur vers un substrat receveur, comprenant les étapes de : a) création d'une zone de fragilisation dans un substrat donneur de manière à définir ladite couche, b) traitement de la surface du substrat donneur et/ou du substrat receveur, de manière à augmenter l'énergie de collage entre les deux substrats c) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur sur le substrat receveur d) détachement du substrat donneur selon la zone de fragilisation, de manière à mesurer sur ladite structure de référence la largeur de la couronne du substrat receveur.
- 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le traitement de l'étape (b) est une activation par un plasma.
- 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le traitement de l'étape (b) est un nettoyage humide comprenant un SC1 à une température inférieure à 50°C.
- 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que lors de l'étape (b) on évite d'activer la région périphérique.
- 11. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que 30 l'étape (b) comprend l'activation par le plasma ou le nettoyage de toute la surface du substrat puis la désactivation de la région périphérique.
- 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la désactivation est effectuée par une gravure chimique de la région périphérique.25
- 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'une solution de gravure est dispensée par jet sur la région périphérique du substrat, le substrat étant entraîné en rotation.
- 14. Procédé d'activation par un plasma de la surface d'un substrat avant collage, caractérisé en ce que l'on contrôle l'activation sur la surface du substrat de telle sorte qu'avant le collage, la surface du substrat soit activée à l'exception d'une région périphérique. 10
- 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite région périphérique a une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm.
- 16. Dispositif d'activation par plasma de la surface d'un substrat, comprenant : 15 - au moins une source de plasma - une électrode apte à supporter le substrat caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de contrôle de l'activation, permettant d'activer la surface du substrat à l'exception d'une région périphérique.
- 17. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite région périphérique a une largeur comprise entre 0,2 et 10 mm.
- 18. Dispositif selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que la 25 source de plasma est mobile et que lesdits moyens de contrôle comprennent des moyens de contrôle de la trajectoire de la source de plasma de telle sorte que la source de plasma balaie la surface du substrat à l'exception de la région périphérique. 30
- 19. Dispositif selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que la source de plasma est mobile en translation et comprend une pluralité de sources de plasma, et en ce que lesdits moyens de contrôle comprennent des moyens d'extinction des sources lorsque celles-ci sont situées au-dessus de la région périphérique. 20
- 20. Dispositif selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que lesdits moyens de contrôle comprennent un écran annulaire au même potentiel que l'électrode supportant le substrat, ledit écran recouvrant la région périphérique.
- 21. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que ledit écran est une grille dont les mailles ont des dimensions inférieures à la longueur de Debye.10
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