FR2754958A1

FR2754958A1 - Procede de commande du di/dt et du dv/dt de commutation d'un transistor de puissance mos commande par grille

Info

Publication number: FR2754958A1
Application number: FR9713092A
Authority: FR
Inventors: Stefano Clemente
Original assignee: International Rectifier Corp USA
Current assignee: Infineon Technologies Americas Corp
Priority date: 1996-10-21
Filing date: 1997-10-20
Publication date: 1998-04-24
Anticipated expiration: 2017-10-20
Also published as: JP3212924B2; KR19980032986A; GB2318467B; DE19745218C2; GB9722243D0; GB2318467A; TW437084B; US6127746A; ITMI972357A1; FR2754958B1; DE19745218A1; JPH10173500A; IT1295361B1; KR100334761B1

Abstract

Le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation d'un dispositif de puissance MOS commandé par grille (418) sont commandés en commandant respectivement les formes d'onde de tension et de courant. Une commande en boucle ouverte du passage à l'état passant du dispositif MOS commandé par grille est assurée en couplant une borne commune d'un circuit de générateur de courant (411) qui applique un courant sur la grille du dispositif MOS à une première résistance (413) pour commander le dv/dt de commutation. Lors de la détection d'un dv/dt négatif, la borne commune du circuit de générateur de courant est alors couplée à une seconde résistance (414) pour commander le di/dt de commutation. Les première et seconde résistances sont à leur tour couplées à la borne de source pour le dispositif MOS commandé par grille. Un fonctionnement analogue assure une commande de passage à l'état bloqué du dispositif de puissance MOS commandé par grille.

Description

ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION

La présente invention est orientée vers des circuits de charge inductive verrouillés et plus particulièrement, vers des circuits de charge inductive verrouillés dans lesquels un transistor de puissance MOS commandé par grille est commuté à l'état passant et à l'état bloqué. Les dispositifs de transistor de puissance, tandis qu'ils sont rendus passants ou bloqués, dérivent la circulation du courant et reconfigurent la distribution de tension d'un circuit de conversion de puissance. Les transistors MOS commandés par grille, tels que les MOSFET ou les IGBT, réalisent leur fonctionnement en une fraction d'une microseconde à des rythmes de fonctionnement très rapides en tension et en courant. Les fronts d'onde de commutation rapides de leurs formes d'onde sont souhaitables pour réduire des pertes de commutation et pour augmenter la fréquence de fonctionnement mais ils ont également l'effet défavorable constitué par la génération d'une interférence électromagnétique (EMI) non souhaitée dans l'environnement avoisinant. Dans des environnements o la susceptibilité à EMI est critique ou o une interférence EMI est soumise à la législation, il est souhaitable de régler de manière indépendante les formes d'onde de tension et de courant afin de satisfaire ces exigences sans augmenter

inutilement les pertes de commutation.

Un circuit de charge inductive verrouillé est un circuit de puissance dont l'inductance de charge empêche que son courant ne soit amené jusqu'à zéro dans un cycle de la fréquence de fonctionnement. La plupart des circuits

de conversion de puissance sont des circuits de charge inductive verrouillés.

La figure 1A représente une représentation simplifiée d'un circuit de charge inductive verrouillé dans lequel un MOSFET 103 devient conducteur et n'est plus conducteur. Le phénomène transitoire de commutation peut être divisé selon un certain nombre d'intervalles comme représenté sur les figures lB et 1C o l'intervalle de croissance de courant et l'intervalle de décroissance de

tension se suivent l'un l'autre et peuvent être commandés indépendamment.

Tandis que le circuit de pilotage de grille applique un courant sur la grille, la tension de grille croît à la façon d'un condensateur qui est en train d'être chargé, comme représenté en tant qu'intervalle I sur la figure 1B. Lorsque la tension de grille Vgs atteint la tension de seuil du MOSFET 103, le courant de drain Id augmente et éloigne par dérivation le courant de la diode de roue libre 102, comme représenté au niveau de l'intervalle 2. Aussi longtemps que la diode 102 transporte le courant, la tension de drain est verrouillée sur la tension d'alimentation. Lorsque tout le courant (plus le courant de rétablissement inverse éventuel) est transféré depuis la diode sur le MOSFET, la tension de drain chute jusqu'à sa valeur finale totalement améliorée. Il s'ensuit que la tension de drain commence seulement à chuter après que la croissance du courant de drain est terminée, ce qui permet une commande séparée des deux formes d'onde. Ce processus est décrit en détail dans International Rectifier Application Note AN-944: "A New Gate

Charge Factor Leads to Easy Drive Design for Power MOSFET Circuits".

Pendant la croissance du courant de drain, comme représenté au niveau de l'intervalle 2, le courant de drain est proportionnel à la tension de grille et le rythme de croissance de la tension de grille détermine le di/dt de commutation. Puisque la capacité de grille du MOSFET 103 se comporte en tant que condensateur 103B, le temps de croissance du courant peut être commandé en commandant la quantité de courant appliquée sur la grille. Le

rétablissement inverse de la diode prolonge l'intervalle 2.

Pendant la chute de la tension de drain, comme représenté au niveau d'un intervalle 3, la capacité de sortie 103A et la capacité de transfert inverse 103C du MOSFET 103 se déchargent. Le rythme auquel ces deux capacités

sont déchargées détermine le rythme auquel la tension de drain chute.

Tandis que la capacité de sortie se décharge rapidement au travers de la résistance de canal, la capacité de transfert inverse se décharge seulement au travers du circuit de pilotage de grille. La partie plane de la courbe de tension de grille représentée au niveau de l'intervalle 3 indique que le courant appliqué sur la borne de grille est pratiquement complètement délivré sur la capacité de transfert inverse tandis que la tension aux bornes de la capacité d'entrée ne varie pas. Par conséquent, la valeur de dv/dt peut être ici

commandée en appliquant une valeur appropriée de courant sur la grille.

A la fin de l'intervalle 3, le phénomène transitoire de commutation est terminé et un quelconque courant supplémentaire appliqué sur la grille ne modifie ni la tension de drain, ni le courant de drain, comme représenté au

niveau d'un intervalle 4.

Le processus de coupure ou de passage à l'état bloqué est de façon générale une image miroir du processus d'activation ou de passage à l'état passant. Tout d'abord, la tension de grille Vgs est réduite jusqu'à une valeur qui maintient tout juste le courant de drain, comme représenté au niveau d'un intervalle 1 sur la figure 1C. Alors, la tension aux bornes du dispositif croît tandis que le courant de drain est constant, comme représenté au niveau d'un intervalle 2. Lorsque la tension aux bornes du MOSFET 103 excède la tension d'alimentation d'une valeur égale à la chute de tension de diode, la diode commence à être conductrice et un courant de charge est transféré depuis le MOSFET par l'intermédiaire de la diode, comme représenté au niveau d'un intervalle 3. Lorsque le dispositif devient passant, I'augmentation de la tension de drain et la décroissance du courant de drain se produisent séquentiellement. Le temps de croissance de la tension de drain est par conséquent essentiellement déterminé par la charge de la capacité de transfert inverse au travers de l'impédance de circuit de grille 104, et le temps de décroissance du courant de drain qui suit est déterminé par la décharge de la capacité d'entrée. Un dépassement de tension est souvent présent au niveau du drain lorsque l'intervalle 2 se termine, ce qui prolonge cet

intervalle.

Les dispositifs MOS commandés par grille présentant une composante de porteurs minoritaires significative de courant tels que les IGBT, les MCT et d'autres dérivés se comportent quelque peu différemment lors de leur passage à l'état bloqué du fait que leur temps de croissance de courant est influencé par la recombinaison des porteurs minoritaires. De façon similaire, le temps de croissance du courant pendant le passage à.l'état passant est

influencé par l'efficacité de l'injection des porteurs.

Typiquement, des résistances sont incorporées dans le circuit de pilotage de grille afin de ralentir la commutation. Une résistance supplémentaire 201 et une diode supplémentaire 202, comme représenté sur la figure 2B, peuvent être ajoutées au circuit de la figure 1A afin de modifier la forme d'onde lors du passage à l'état passant et lors du passage à l'état bloqué et plus particulièrement, afin de limiter le courant de rétablissement inverse provenant de la diode. Du fait que des valeurs de courant respectives différentes sont nécessaires pour obtenir les di/dt et dv/dt souhaités, la sélection de la résistance ajoutée nécessite un compromis entre l'obtention du di/dt souhaité et l'obtention du dv/dt souhaité. Les résistances ajoutées dans le circuit de pilotage de grille rendent également le circuit davantage susceptible d'un passage à l'état passant induit par dv/dt, c'est-à-dire une condition non souhaitée générée par un courant de phénomène transitoire dans le drain qui est couplé à la grille par l'intermédiaire de la capacité de

transfert inverse.

A l'opposé, la diode 202 shunte la résistance 201 représentée sur la figure 2A et dérive la résistance, ce qui assure une voie de faible impédance pour des phénomènes transitoires rapides injectés depuis le drain mais ce qui élimine la possibilité d'assurer une mise en forme d'onde par passage à

l'état bloqué.

La commande de dv/dt a été tentée par Siliconix en utilisant un circuit intégré (IC) de pilotage de grille tel que Si9910. Comme représenté sur la figure 3, le rythme de fonctionnement en tension est détecté en utilisant une petite capacité 308 connectée au drain d'un dispositif de puissance 310. Le dv/dt détecté est commandé par une boucle de retour. Le circuit utilise cependant une boucle linéaire qui est susceptible d'oscillations. La puce assure également la commande du courant de crête mais le di/dt dans le dispositif de puissance est commandé seulement lorsqu'un retour approprié

est assuré.

En outre, le schéma de protection vis-à-vis d'un court-circuit utilisé dans ce circuit rend typiquement bloqué le transistor de puissance selon deux étapes afin d'éviter des dépassements de tension fréquemment associés à un passage à l'état bloqué rapide d'un courant important. La tension de grille est initialement réduite jusqu'à approximativement la moitié de sa valeur initiale puis est totalement coupée. Cette approche permet de faire passer lentement à l'état bloqué un dispositif de puissance au lieu de le faire en deux étapes, à partir d'une condition de court-circuit. Le circuit cependant ne commande pas di/dt pendant la commutation du fait que ces deux étapes sont destinées à protéger le dispositif vis-à-vis du phénomène transitoire de surtension

associé à ce passage à l'état bloqué dû à une défaillance tel qu'un court-

circuit, qu'elles sont déclenchées par la défaillance et qu'elles sont sinon inopérantes pendant un fonctionnement normal. Ces procédés sont décrits dans "IGBT Fault Current Limiting Circuit" de R. Chokhawala et G. Castino,

IR IGBT Data Book IGBT-3, page E-127.

Il est par conséquent souhaitable de proposer un circuit qui à la fois pilote un dispositif de transistor de puissance MOS commandé par grille et

commande à la fois le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation.

RESUME DE L'INVENTION

La présente invention commande le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation d'un transistor de puissance MOS commandé par grille en commandant respectivement les fronts d'onde de tension et de courant de la forme d'onde. A la fois une commande en boucle ouverte et une commande en boucle fermée sont disponibles. Le di/dt est détecté d'une manière sans

perte et peu coûteuse.

Selon un aspect de l'invention, une commande en boucle ouverte du di/dt de commutation et du dv/dt de commutation lors du passage à l'état passant du dispositif MOS commandé par grille est assurée en couplant une borne commune d'un circuit de générateur de courant qui applique un courant sur la grille du dispositif MOS à une première résistance pour commander le di/dt. Lorsqu'un dv/dt négatif est détecté, la borne commune du circuit de générateur de courant est découplée de la première résistance et est alors

couplée à une seconde résistance pour commander le dv/dt de commutation.

Les première et seconde résistances sont à leur tour couplées à la borne de source du dispositif MOS commandé par grille. Un fonctionnement analogue en utilisant ce circuit assure la commande du passage à l'état bloqué du dv/dt de commutation et du di/dt de commutation du dispositif de puissance MOS

commandé par grille.

Selon un autre aspect de l'invention, une commande en boucle fermée est assurée en mesurant en outre le dv/dt de commutation et le di/dt de commutation qui sont ensuite appliqués en retour sur le circuit pour commander le courant appliqué sur la grille du dispositif MOS commandé par grille. Selon un nouvel aspect supplémentaire de l'invention, la valeur du di/dt de commutation est déterminée en mesurant la différence de tension aux bornes de la longueur d'une liaison par fil étalonnée présentant une longueur

et un diamètre prédéterminés.

D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention

apparaîtront au vu de la description qui suit de l'invention qui se reporte aux

dessins annexes.

BREVE DESCRIPTION DES DESSINS

L'invention est maintenant décrite de manière davantage détaillée lors

de la description détaillée qui suit par report aux dessins parmi lesquels:

la figure 1A est un schéma qui représente un circuit de charge inductive verrouillé connu; la figure 1 B représente les formes d'onde du passage à l'état passant du transistor de puissance du circuit de la figure 1A; la figure 1C représente les formes d'onde du passage à l'état bloqué du transistor de puissance du circuit de la figure IA; les figures 2A et 2B représentent des circuits connus permettant de ralentir le passage à l'état passant et le passage à l'état bloqué du transistor de puissance du circuit de la figure 1A; la figure 3 est un schéma fonctionnel qui représente un circuit connu

comportant une détection de dv/dt en boucle fermée et une protection visà-

vis d'une surintensité; la figure 4A représente un agencement de circuit permettant de commander le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation selon un aspect de la présente invention; la figure 4B représente les formes d'onde du passage à l'état passant du transistor de puissance du circuit de la figure 4A; la figure 4C représente les formes d'onde du passage à l'état bloqué du circuit de la figure 4A; la figure 5A représente un exemple d'une mise en oeuvre du verrouillage du circuit de la figure 4A; la figure 5B représente un exemple d'une mise en oeuvre du circuit de détection et de commutation du circuit de la figure 4A; et la figure 6 représente un agencement de circuit permettant de détecter le di/dt de commutation selon un autre aspect de l'invention selon lequel une valeur connue d'une inductance de liaison par fil est utilisée.

DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION

Par report tout d'abord à la figure 4A, est représenté un circuit selon un aspect de l'invention dans lequel une commande en boucle ouverte des fronts d'onde de courant et de tension est assurée. Ici, un circuit de pilotage de grille 400, qui peut être un IC, commande la grille du transistor de puissance 418, lequel transistor de puissance à son tour pilote un circuit de charge (non représenté). Bien qu'un MOSFET de puissance soit représenté, l'invention peut être également appliquée à d'autres dispositifs MOS

commandés par grille tels que des IGBT.

Le circuit de pilotage de grille 400 inclut un circuit de générateur de courant 411 qui reçoit un signal de pilotage de grille Vgrie et qui applique un courant de pilotage de grille sur la grille du MOSFET 418. Le circuit de générateur de courant 411 charge ou décharge la grille du MOSFET 418 en utilisant l'une de deux valeurs possibles du courant de pilotage de grille qui sont déterminées par, dans cet exemple, une résistance de commande de di/dt 413 et une résistance de commande de dv/dt 414 qui commandent respectivement les formes d'onde de courant et de tension. Plus spécifiquement, la borne commune du circuit de génération de courant 411 est connectée à un circuit de commutation qui connecte la borne commune du circuit de génération de courant 411 à l'une des résistances 413 et 414 qui sont à leur tour connectées à la borne de source du MOSFET 418. Un circuit

de commutation connu peut être utilisé ici.

Initialement, après que le transistor de puissance 418 a été rendu bloqué lors d'un cycle de commutation précédent et après que le phénomène transitoire de passage à l'état bloqué est passé, un court- circuit faible impédance entre la grille et la source du MOSFET 418 est constitué en rendant passant un transistor de verrouillage dur 416 qui décharge rapidement la capacité grille-source. Les transitions de commutation qui

suivent depuis un mode de fonctionnement jusqu'à l'autre sont décrites ci-

aprés.

La séquence de passage à l'état passant du circuit est comme suit.

Tout d'abord, le verrouillage dur est libéré en faisant passer à l'état bloqué le MOSFET 416. De préférence, le MOSFET 418 est commandé par une bascule bistable de type D 420 représentée sur la figure 5A qui commande le MOSFET de verrouillage en fonction du signal de pilotage de

grille Vgrille.

Le circuit de génération de courant est ensuite connecté à la résistance de commande de di/dt externe 413. Un premier courant de pilotage de grille dont la valeur est déterminée par la valeur de la résistance de commande de di/dt 413 est appliqué sur la grille du MOSFET 418 depuis le circuit de générateur de courant 411. La valeur de courant souhaitée est maintenue sur la plage de températures de fonctionnement du fait qu'elle s'adapte à l'alimentation de pilotage de grille, comme représenté au niveau

des intervalles 1 et 2 sur la figure 4B. Pendant cet intervalle, la tension grille-

source et le courant de drain croissent en rampe jusqu'à leurs valeurs maximum d'une manière similaire à celle représentée sur la figure lB mais

tandis que le di/dt est commandé par la résistance 413.

Une fois que la tension grille-source et le courant de drain ont atteint leurs valeurs maximum, la tension d'alimentation commence à chuter. Le dv/dt négatif résultant est détecté et il déclenche la sortie d'une seconde valeur du courant de pilotage de grille au moyen du circuit de générateur de courant 411 pour assurer une commande de dv/dt, comme représenté au niveau d'intervalles 3 et 4. La nouvelle valeur du courant de pilotage de grille est établie en commutant la borne du circuit 411 depuis la résistance de

commande de di/dt 413 sur la résistance de commande de dv/dt externe 414.

De préférence, le dv/dt négatif est détecté en utilisant un condensateur de détection de dv/dt négatif 417 et une résistance 415 qui peuvent être couplés à une diode 420, lesquels appliquent un signal dv/dt négatif sur un agencement constitué par des bascules bistables de type D 430 et 432, comme représenté sur la figure 5B. Les bascules bistables 430 et 432 appliquent des signaux de commande qui commandent la commutation entre

les résistances 413 et 414.

Alors, le second courant est bloqué lorsque la tension appliquée par le générateur de courant 411 atteint la valeur de la tension d'alimentation de grille, c'est-à-dire la limite d'adaptabilité du générateur de courant, ou une

certaine autre limite prédéfinie appropriée.

Avantageusement, le circuit représenté sur la figure 4A n'inclut pas de boucle de retour et il fonctionne sans instabilité. Le circuit fonctionne également dans un mode courant de pilotage de grille prédéterminé dans chacun des intervalles. Bien que les valeurs des résistances préétablies 413 et 414 dépendent du dispositif de MOSFET spécifique utilisé et du circuit de charge qui est piloté, le procédé peut être de façon générale appliqué à d'autres circuits de charge. La transition depuis un mode jusqu'au mode suivant est déclenchée par les événements de di/dt et dv/dt respectifs du circuit. La séquence de passage à l'état bloqué est maintenant décrite comme

suit.

Tout d'abord, la grille du MOSFET 418 est déchargée à un rythme déterminé par la résistance de commande de dv/dt 414, comme représenté au niveau d'intervalles 1 et 2 sur la figure 4C. Ici, la tension drain- source et le courant de drain se comportent d'une manière similaire à celle des intervalles

1 et 2 de la figure 1 C mais le dv/dt est commandé par la résistance 414.

Puis lorsque la tension source-drain aux bornes du MOSFET de puissance 418 atteint la valeur de la tension d'alimentation, la sortie de courant du générateur de courant 411 est modifiée selon une seconde valeur en réalisant une commutation depuis la résistance externe 414 sur la résistance de commande de di/dt externe 413, comme représenté au niveau des intervalles 3 et 4. Pendant cet intervalle, le di/dt du courant de drain est

commandé par la valeur de la résistance 413.

Ensuite, lorsque la tension de grille chute au-dessous de la tension de

seuil, le transistor de verrouillage dur 416 est rendu passant.

Dans l'exemple présenté ci-avant, il est supposé que les valeurs de di/dt et de dv/dt sont les mêmes lors du passage à l'état passant et lors du passage à l'état bloqué. Cependant, des valeurs différentes peuvent à titre d'alternance être considérées pour les di/dt de passage à l'état passant et de passage à l'état bloqué, si nécessaire, afin de limiter le rétablissement

inverse de la diode.

Il est également à noter que le circuit de générateur de courant 411 "dissipe" le courant de pilotage de grille pendant le passage à l'état bloqué et constitue la source du courant de pilotage de grille pendant le passage à

l'état passant.

L'invention peut également être appliquée à la réalisation d'une commande en boucle fermée des formes d'onde de courant et de tension,

comme décrit ci-après.

Une commande en boucle fermée des fronts d'onde de courant ou de tension nécessite la mesure de di/dt ou de dv/dt. La mesure de dv/dt est relativement simple et elle peut être mise en oeuvre en utilisant une petite

capacité 417 qui est connectée au drain du MOSFET 418, comme décrit ci-

avant et comme représenté sur la figure 4A. Cependant, la mesure de di/dt

nécessite typiquement un agencement davantage complexe et coûteux.

Lorsque la valeur du courant du dispositif est utilisée pour faire fonctionner le circuit, le même signal de retour de courant peut également être utilisé pour commander les temps de croissance et de décroissance du courant, à savoir le di/dt. Lorsque ce signal n'est pas disponible et que l'addition d'un retour de courant n'est pas justifiée, des procédés en boucle ouverte sont utilisés de la

manière décrite ci-avant.

Selon un autre aspect de l'invention, une approche sans perte et peu coûteuse simple permettant de détecter le di/dt est assurée par un circuit hybride qui utilise une liaison étalonnée 540, 542, comme représenté sur la figure 6. Un fil de liaison d'une longueur et d'un diamètre prédéterminés présente une valeur d'inductance connue et développe entre ses bornes une

différence de tension qui est proportionnelle à la valeur de di/dt.

Typiquement, une liaison par fil dans un dispositif de puissance hybride présente une longueur de 10 mm et une valeur d'inductance de 5 à 10 nH et lors de la conduction d'un courant présentant un di/dt de 0,1 à 0,5 NAns, elle développe typiquement une différence de tension de 0,5 V à 5 V entre les bornes de sa longueur. Cette différence de tension peut être appliquée sur un circuit de retour de di/dt 500 pour commander le courant appliqué sur les grilles de dispositifs 508 et 526 qui peuvent être des dispositifs MOS commandés par grille afin d'obtenir le di/dt souhaité en utilisant des procédés

de retour connus.

Cette même technique peut être appliquée à un dispositif discret qui est muni d'une connexion de source ou d'émetteur Kelvin. La tension développée aux bornes de l'inductance de la liaison par fil de source ou d'émetteur est détectée entre les bornes des fils de source Kelvin comme représenté sur la figure 6. Du fait que la longueur du fil de liaison peut être contrôlée selon une très haute précision au moyen du processus de

fabrication, le di/dt peut être mesuré selon une précision élevée.

La valeur mesurée de di/dt selon l'invention peut être utilisée en conjonction avec la valeur mesurée décrite préalablement de dv/dt afin d'assurer une commande en boucle fermée en utilisant un circuit similaire à celui représenté sur la figure 4A. Cependant, les résistances 413 et 414 sont remplacées par un agencement constitué par des amplificateurs opérationnels afin de commander le di/dt de commutation et le dv/dt de

commutation en fonction des valeurs mesurées.

Bien que la présente invention ait été décrite en relation avec ses modes de réalisation particuliers, de nombreuses autres variantes et modifications ainsi que de nombreuses autres utilisations apparaîtront à I'homme de l'art. Il est préférable par conséquent que la présente invention

soit limitée non pas par la description spécifique présentée ici mais

seulement par les revendications annexées.

Claims

REVENDICATIONS

1. Circuit de commande pour commander le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation d'un dispositif de puissance MOS commandé par grille (418), ledit dispositif MOS commandé par grille appliquant une tension d'alimentation sur un circuit de charge, ledit circuit de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit de générateur de courant (411) comportant une sortie couplée à une borne de grille dudit dispositif MOS commandé par grille pour appliquer un courant sur ladite borne de grille; une première résistance (413) présentant une première valeur de résistance et couplée à une borne de source dudit dispositif MOS commandé par grille; une seconde résistance (414) présentant une seconde valeur de résistance et couplée à ladite borne de source; et un circuit de commutation (412) pour coupler une borne commune dudit circuit de générateur de courant (411) à l'une respective desdites première et seconde résistances pour commander le dv/dt de commutation et pour coupler ladite borne commune à l'autre desdites première et seconde

résistances pour commander le di/dt de commutation.

2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il

comprend en outre un circuit de détection de dv/dt négatif (415, 417, 420).

3. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit de verrouillage couplé entre ladite borne de

grille et une borne de source dudit dispositif MOS commandé par grille.

4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit de commande de verrouillage pour commander

ledit circuit de verrouillage en fonction d'un signal de grille appliqué.

5. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit de commutation (412) pour commander le couplage de ladite borne commune dudit circuit de générateur de courant (411) à ladite une desdites résistances (413, 414) en fonction d'un dv/dt

négatif détecté.

6. Procédé de commande du di/dt de commutation et du dv/dt de commutation d'un dispositif MOS commandé par grille (418), ledit dispositif MOS commandé par grille commandant une tension d'alimentation sur un circuit, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: constitution d'un circuit de générateur de courant (411) pour appliquer un courant sur une grille dudit dispositif de puissance MOS commandé par grille; couplage d'une borne commune dudit circuit de générateur de courant à une première résistance (413/ qui est couplée à une borne de source dudit dispositif MOS pour appliquer un premier courant sur ladite grille dudit dispositif MOS commandé par grille et ainsi commander le dv/dt de commutation dudit circuit; découplage dudit circuit de générateur de courant vis-à-vis de ladite première résistance et couplage dudit circuit de générateur de courant à une seconde résistance (414) pour appliquer un second courant sur ladite grille et ainsi commander le di/dt de commutation dudit circuit; et arrêt de l'application dudit second courant lorsque ladite tension de

grille atteint une valeur prédéterminée.

7. Procédé de commande du di/dt de commutation et du dv/dt de commutation d'un dispositif MOS commandé par grille, ledit dispositif MOS commandé par grille commandant une tension d'alimentation sur un circuit de charge, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: décharge d'une borne de grille dudit dispositif MOS commandé par grille (418) en couplant une borne commune d'un circuit de générateur de courant (411) à une première résistance (413) qui est couplée à une borne de source dudit dispositif MOS commandé par grille et en commandant ainsi le rythme de décharge; découplage dudit circuit de générateur de courant vis-à-vis de ladite première résistance et couplage dudit circuit de générateur de courant à une seconde résistance (414) et commande ainsi dudit di/dt de commutation dudit circuit; et verrouillage de ladite borne de grille lorsque la tension au niveau de

ladite borne de grille est au-dessous d'une valeur prédéterminée.

8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de détection d'une valeur négative du dv/dt de commutation avant le découplage dudit circuit de générateur de courant (411)

vis-à-vis de ladite première résistance.

9. Circuit de commande pour commander le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation d'un dispositif MOS commandé par grille (418) formé dans un substrat, ledit dispositif MOS commandé par grille appliquant une tension d'alimentation sur un circuit de charge, ledit circuit de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit de générateur de courant (411) comportant une sortie couplée à une borne de grille dudit dispositif MOS commandé par grille pour lui appliquer un courant; une liaison par fil étalonnée (540, 542) présentant une longueur et un diamètre prédéterminés et couplée à soit une borne de source, soit une borne de drain dudit dispositif MOS commandé par grille; et un circuit de retour (500) pour commander le courant appliqué par ledit circuit de générateur de courant en fonction d'une valeur du di/dt mesuré aux

bornes de ladite liaison par fil.

10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le di/dt est mesuré par le circuit de retour (500) en déterminant la différence de

tension aux bornes de la longueur de ladite liaison par fil étalonnée.