FR2640964A1 - - Google Patents

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    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide

Abstract

L'invention concerne un suscepteur. Dans ce suscepteur comportant un corps 10 et une partie 11 sur laquelle doit être disposée une pastille, cette partie 11 est formée sur une surface du corps 10 et possède une rugosité de surface d'une hauteur de rugosité moyenne arithmétique égale à au moins 1 micron, une hauteur maximale égale à au moins 10 microns et une valeur de planéité égale à plus/moins 50 microns ou moins. Application notamment aux suscepteurs sur lesquels sont installées des pastilles de silicium en vue de leur traitement au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou de leur traitement par oxydation.

Description

L'invention concerne un suscepteur, sur lequel
des pastilles, telles que des pastilles de Si, sont instal-
lées lorsqu'on les soumet à un traitement de dépôt chimique
en phase vapeur ou à un traitement d'oxydation.
On utilise un dispositif du type exécutant un traitement discontinu ou un dispositif du type exécutant un traitement continu pour la mise en oeuvre d'un traitement d'enduction par dépôt chimique en phase vapeur. Dans le dispositif réalisant un traitement discontinu, on utilise un four du type à tube de réaction latéral, un four du type
à cloche verticale ou un four du type à tambour cylin-
drique. Dans le dispositif du type exécutant un traitement
continu, un convoyeur est utilisé pour transporter une plu-
ralité de pastilles de sorte qu'on peut traiter ces der-
nières en continu.
Quel que soit le type de dispositif, on installe les pastilles semiconductrices sur un suscepteur ou sur un
plateau, lorsqu'on les soumet au traitement de dépôt chi-
mique en phase vapeur.
Un suscepteur classique est formé par du SiC, qui présente des caractéristiques supérieures du point de vue conductibilité thermique, pureté et imperméabilité aux gaz, etc. Un autre suscepteur comporte un revêtement de SiC
formé sur un matériau à base de carbone.
On donne normalement à une surface du suscepteur,
destinée à supporter les pastilles ou tournée vers ces der-
nières, un fini correspondant à un état poli spéculaire de manière à empêcher qu'une ou plusieurs pastilles disposées
sur cette surface ne soient endommagées pendant leur trai-
tement et leur transport.
Cependant, dans un tel suscepteur classique, après l'oxydation ou le traitement de dépôt chimique en phase vapeur, les pastilles tendent à adhérer à la surface à poli spéculaire du suscepteur de sorte qu'on ne peut pas
aisément les dégager de ce dernier.
Une pastille en Si est formée d'un matériau cas-
sant possédant une faible résistance mécanique. C'est pour-
quoi, elle est susceptible de se rompre ou d'être endomma-
gée dans le cas o on la dégage à force du suscepteur lorsqu'elle adhère à la surface de ce dernier. Ceci en- traîne une réduction du rendement, tout en augmentant le
coût de production.
Le but de la présente invention est de fournir un suscepteur destiné à recevoir des pastilles, que l'on
puisse dégager correctement du suscepteur sans qu'il appa-
raisse aucun défaut ou endommagement dû à l'adhérence.
Conformément à l'invention, un suscepteur com-
porte un corps et une partie tournée vers une pastille ou plusieurs parties tournées vers des pastilles et formées sur une surface de ce corps. Une pastille est mise en place sur chaque partie tournée vers elle. La partie tournée vers la pastille possède une rugosité de surface possédant une hauteur moyenne entre axes égale à au moins 1 micron, une hauteur maximale égale à au moins 10 microns et une valeur
de planéité égale à plus/moins 50 microns ou moins.
L'expression "partie tournée vers la pastille" désigne ici une partie de la surface d'un suscepteur, sur laquelle une pastille doit être mise en place. Un exemple préféré d'une telle partie tournée vers la pastille est un
renfoncement circulaire possédant une profondeur correspon-
dant à l'épaisseur de cette pastille.
Si la hauteur moyenne entre axe de la partie
tournée vers la pastille est inférieure à 1 micron, la pas-
tille est susceptible d'adhérer à la partie tournée vers
elle à un degré tel qu'on ne peut pas la dégager ou la re-
tirer correctement du suscepteur sans qu'il se produise un endommagement. De préférence, la hauteur de rugosité moyenne arithmétique est égale à 20 microns ou moins. Si cette hauteur est supérieure à 20 microns, la pastille peut quelquefois être endommagée pendant son transport dans des
conditions sévères.
Si la valeur de la hauteur maximale de la rugo-
sité de surface est inférieure à 10 microns, la pastille est également susceptible d'adhérer à la partie tournée vers elle à un degré tel qu'on ne peut pas dégager correc- tement la pastille du suscepteur sans qu'il apparaisse un
endommagement. De préférence, la hauteur maximale de rugo-
sité est égale à 100 microns ou moins.
Si la valeur de planéité de la partie tournée vers la pastille est supérieure à plus de 50 microns, on ne
peut pas former sur la pastille une couche d'oxydation pos-
sédant une épaisseur uniforme.
L'expression "valeur de planéité" désigne le ré-
glage ou la distance entre une surface de la partie tournée vers la pastille et une surface supérieure ou inférieure
d'un suscepteur.
La valeur de planéité est égale à plus/moins 50 microns ou moins. Si la valeur de planéité est supérieure à plus/moins 50 microns, la chaleur appliquée à la pastille installée sur le suscepteur n'est pas uniforme sur
l'ensemble de la pastille de sorte que l'épaisseur du revê-
tement formé par oxydation n'est pas uniforme.
Afin de former une partie tournée vers la pas-
tille, qui possède la rugosité de surface mentionnée précé-
demment, on soumet la partie tournée vers la pastille de préférence à un traitement par un acide comme par exemple un traitement avec une solution acide de fluorure-nitrate
ou un traitement chimique tel qu'un sablage, après un meu-
lage normal de la surface ou un fraisage à commande numé-
rique.
Lorsque la rugosité de surface de la partie tour-
née vers la pastille est choisie dans une gamme appropriée, la pastille n'adhère pas à cette partie de sorte qu'on peut aisément et correctement l - dégager du susc.epteur
sans qu'elle ne subisse aucun endommagement.
D'autres caractéristiques et avantages de la pré-
sente invention ressortiront de la description donnée ci-
après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure i représente une vue en plan montrant un suscepteur conforme à une première forme de réalisation de l'invention; - la figure 2 représente une vue en coupe prise suivant la ligne 2-2 sur la figure 1; - la figure 3 représente une vue en plan montrant un suscepteur conforme à une seconde forme de réalisation conforme à la présente invention; - la figure 4 représente une vue en coupe prise suivant la ligne 4-4 sur la figure 3; - la figure 5 montre une vue en plan montrant un suscepteur conforme à une troisième forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 6 représente une vue en coupe prise
suivant la ligne 6-6 sur la figure 5.
Sur les figures 1 et 2, un suscepteur 10 en SiC, 20.qui possède un poli spéculaire, se présente sous la forme d'une plaque et est imprégné de Si, comporte deux parties
11 tournées vers des pastilles et qui sont traitées mécani-
quement de manière à présenter une rugosité de surface pré-
déterminée possédant une hauteur moyenne Ra égale à 2,5 mi-
crons et une hauteur maximale Rmax égale à 15,5 microns.
Sur les figures 3 à 6, un suscepteur 12,14 formé de SiC, possédant un poli spéculaire et imprégné par du Si, comporte une partie 13,15 tournée vers une pastille, que l'on traite mécaniquement de manière à obtenir une rugosité de surface prédéterminée possédant la hauteur moyenne Ra égale à 2,5 microns et la hauteur maximale Rmax égale à
,5 microns.
A titre de comparaison avec le suscepteur
conforme à la présente invention, on a utilisé un suscep-
teur classique à poli spéculaire imprégné par du Si. Le suscepteur classique possède une partie tournée vers la pastille, possédant une rugosité de surface Ra égale à 0,2
micron et une hauteur maximale Rmax égale à 7 microns.
On a installé une pluralité de pastilles sur le suscepteur conforme à l'invention et on a soumis ensuite ce suscepteur et le suscepteur classique à un traitement d'oxydation à 800'C de manière à former un revêtement d'oxydation sur la surface de la pastille. On a mesuré le
degré d'endommagement provoqué par l'adhérence des pas-
tilles au suscepteur. Les résultats d'essais sont indiqués
dans le tableau 1.
TABLEAU 1
I I I
ISuscepteur Taux d'endommagementl
1 I
Iconforme à l'invention 0/72 I
I I
lart antérieur I 10/72
I I '
Comme indiqué dans le tableau 1, dans le cas du suscepteur classique, 10 pastilles ont été endommagées parmi 72 pastilles et, dans le cas du suscepteur conforme à
l'invention, aucune pastille n'a été endommagée sur 72 pas-
tilles. La présente invention n'est pas limitée au seul suscepteur en SiC indiqué précédemment. Un suscepteur peut comporter un revêtement de SiC déposé sur un substrat en carbone. Il n'est pas obligatoire que le suscepteur soit
imprégné de Si.

Claims (8)

REVENDICATIONS
1. Suscepteur comportant un corps (10) et une partie (11), tournée vers une pastille et sur laquelle une
pastille doit être disposée, caractérisé en ce que la par-
tie (11) tournée vers la pastille est formée sur une sur- face du corps (10) du suscepteur et possède une rugosité de
surface possédant une hauteur de rugosité moyenne arithmé-
tique égale à au moins 1 micron, une hauteur maximale égale à au moins 10 microns et une valeur de planéité égale à
plus/moins 50 microns ou moins.
2. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la hauteur de rugosité moyenne arithmétique
est égale à 20 microns ou moins.
3. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la hauteur maximale est égale à 100 microns
ou moins.
4. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la partie (11) tournée vers la pastille est
soumise à un traitement à l'acide permettant d'obtenir la-
dite rugosité de surface.
5. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la partie (11) tournée vers la pastille est
soumise à un traitement mécanique de surface.
6. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que le suscepteur est formé par du SiC et est
imprégné par du Si.
7. Suscepteur selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'il comporte un revêtement en SiC formé sur
son corps (10) réalisé en SiC.
8. Suscepteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour un traitement de dépôt chimique
en phase vapeur ou un traitement d'oxydation dans un dispo-
sitif du type exécutant un traitement continu.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0470386A2 (fr) * 1990-08-08 1992-02-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Procédé de dépôt d'une couche mince inorganique sur un substrat

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4026244C2 (de) * 1990-08-18 1996-02-08 Ant Nachrichtentech Substratträger
DE4222512C2 (de) * 1992-07-09 1994-06-16 Ant Nachrichtentech Verfahren zum Halten eines Halbleitersubstrats während der Bauelementeherstellung
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
NL9300389A (nl) * 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
US5645646A (en) * 1994-02-25 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
US5700725A (en) * 1995-06-26 1997-12-23 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for making integrated circuits
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
DE19547601A1 (de) * 1995-12-20 1997-06-26 Sel Alcatel Ag Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten
US6395363B1 (en) * 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
JP3887052B2 (ja) * 1996-12-13 2007-02-28 東洋炭素株式会社 気相成長用サセプター
US6368410B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-09 General Electric Company Semiconductor processing article
US6717116B1 (en) 1999-08-10 2004-04-06 Ibiden Co., Ltd. Semiconductor production device ceramic plate
US6890383B2 (en) 2001-05-31 2005-05-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafer and susceptor used therefor
JP4688363B2 (ja) * 2001-07-31 2011-05-25 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
DE10334940B4 (de) * 2003-07-31 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Trägereinrichtung
WO2009020024A1 (fr) 2007-08-03 2009-02-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Suscepteur et procédé de fabrication de tranche de silicium épitaxiale

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0235570A1 (fr) * 1986-01-30 1987-09-09 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Suscepteur
US4761134A (en) * 1987-03-30 1988-08-02 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components with an impervious coating thereon
JPS6447019A (en) * 1987-08-18 1989-02-21 Denki Kagaku Kogyo Kk Glassy carbon coated susceptor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8008012U1 (de) * 1980-09-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halterung für Halbleiterscheiben
US3747282A (en) * 1971-11-29 1973-07-24 E Katzke Apparatus for polishing wafers
JPS54152465A (en) * 1978-05-22 1979-11-30 Nec Corp Manufacture of epitaxial wafer
US4692836A (en) * 1983-10-31 1987-09-08 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Electrostatic chucks
JPS6099538A (ja) * 1983-11-01 1985-06-03 横河・ヒュ−レット・パッカ−ド株式会社 ピンチヤツク
JPS61242994A (ja) * 1985-04-22 1986-10-29 Toshiba Corp 縦型気相成長装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0235570A1 (fr) * 1986-01-30 1987-09-09 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Suscepteur
US4761134A (en) * 1987-03-30 1988-08-02 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components with an impervious coating thereon
US4761134B1 (en) * 1987-03-30 1993-11-16 Silicon carbide diffusion furnace components with an impervious coating thereon
JPS6447019A (en) * 1987-08-18 1989-02-21 Denki Kagaku Kogyo Kk Glassy carbon coated susceptor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 13, no. 246 (E-769), 8 juin 1989; & JP-A-01 047 019 (DENKI KAGAKU KOGYO) 21-02-1989 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0470386A2 (fr) * 1990-08-08 1992-02-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Procédé de dépôt d'une couche mince inorganique sur un substrat
EP0470386A3 (en) * 1990-08-08 1993-01-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for depositing an inorganic thin film on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
IT8922733A0 (it) 1989-12-19
JPH02174116A (ja) 1990-07-05
FR2640964B1 (fr) 1993-06-11
IT8922733A1 (it) 1991-06-19
DE3942931A1 (de) 1990-06-28
IT1236887B (it) 1993-04-26
DE3942931C2 (fr) 1993-07-15

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