FR2611368A1 - Procede de desoxydation d'un materiau de tantale - Google Patents
Procede de desoxydation d'un materiau de tantale Download PDFInfo
- Publication number
- FR2611368A1 FR2611368A1 FR8715110A FR8715110A FR2611368A1 FR 2611368 A1 FR2611368 A1 FR 2611368A1 FR 8715110 A FR8715110 A FR 8715110A FR 8715110 A FR8715110 A FR 8715110A FR 2611368 A1 FR2611368 A1 FR 2611368A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- tantalum
- powder
- oven
- ppm
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 39
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 23
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 17
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100039401 Gap junction beta-6 protein Human genes 0.000 description 2
- 101710188943 Gap junction beta-6 protein Proteins 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 oxides or hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/023—Hydrogen absorption
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
- C22B34/24—Obtaining niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B5/00—General methods of reducing to metals
- C22B5/02—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
- C22B5/04—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes by aluminium, other metals or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/006—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals with use of an inert protective material including the use of an inert gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/05—Refining by treating with gases, e.g. gas flushing also refining by means of a material generating gas in situ
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE POUR LA REDUCTION DE LA TENEUR EN OXYGENE DANS UN MATERIAU DE TANTALE OU DE NIOBIUM. SELON L'INVENTION, ON CHAUFFE CE MATERIAU A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE ENVIRON 900 ET ENVIRON 2400 C SOUS UNE ATMOSPHERE CONTENANT DE L'HYDROGENE EN PRESENCE D'UN METAL ACTIF A L'OXYGENE CHOISI DANS LE GROUPE CONSISTANT EN BERYLLIUM, CALCIUM, CERIUM, HAFNIUM, LANTHANE, LITHIUM, PRASEODYME, SCANDIUM, THORIUM, TITANE, URANIUM, VANADIUM, YTTRIUM, ZIRCONIUM, LEURS ALLIAGES ET LEURS MELANGES, ET ANALOGUES. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA FABRICATION DE CONDENSATEURS.
Description
26 1 1368
Des condensateurs au tantale sont typiquement fabriqués en comprimant de la poudre de tantale pour former une boulette, en frittant la boulette dans un four pour former un corps poreux puis en soumettant le corps à une anodisation dans un électrolyte approprié pour former
un film d'oxyde diélectrique continu sur le corps fritté.
Le développement d'une poudre de tantale appropriée à des condensateurs est le résultat d'efforts aussi bien par les producteurs de condensateurs que les spécialistes du tantale pour décrire les caractéristiques requises d'une poudre de tantale afin qu'elle serve au mieux dans la production de condensateurs de qualité. De telles caractéristiques comprennent l'aire superficielle, la pureté, la contraction, la résistance à l'état vert et
l'aptitude à l'écoulement.
Avant tout, la poudre doit présenter une aire superficielle adéquate, car la capacitance d'une poudre de tantale est fonction de l'aire superficielle; plus l'aire superficielle est importante après frittage, plus
la capacitance spécifique est importante.
La pureté de la poudre est également une considération critique. Une contamination métallique et non métallique a tendance à dégrader le diélectrique. De hautes températures de frittage ont tendance à éliminer certains contaminants volatils; cependant, les hautes températures réduisent l'aire superficielle nette et ainsi la capacitance du condensateur. La diminution de la perte de l'aire superficielle en conditions de frittage est une condition indispensable afin de maintenir la
capicitance de la poudre de tantale.
L'aptitude à l'écoulement de la poudre de tantale et la résistance à l'état vert (résistance mécanique de la poudre traitée, non frittée) sont des paramètres critiques pour le producteur de condensateurs afin de permettre une production efficace. L'aptitude à l'écoulement de la poudre permet une alimentation régulière des matrices dans des opérations de pressage vitesse rapide; la résistance à l'état vert permet la manipulation et le transport du produit sans rupture excessive. Comme on l'a décrit ci-dessus, la capacitance d'une boulette de tantale est une fonction directe de l'aire superficielle de la poudre frittée. Une plus grande aire superficielle peut bien entendu être obtenue en augmentant les grammes de poudre par boulette mais des considérations de prix ont dicté que le développement soit focalisé sur un moyen pour augmenter l'aire superficielle par gramme de poudre utilisée. Comme la diminution de la dimension des particules de la poudre de tantale produit plus d'aire superficielle par unité de poids, l'effort a été étendu vers des manières de rendre plus petites les particules de tantale sans introduire d'autres caractéristiques néfastes qui accompagnent souvent une réduction de dimension. Trois des déficiences majeures d'une poudre très fine sont les mauvaises caractéristiques d'écoulement, une teneur excessive en oxygène et une perte excessive d'aire superficielle au frittage. Pour des condensateurs électrolytiques, la
concentration en oxygène dans le tantale est critique.
Lorsque la teneur totale en oxygène des boulettes de tantale poreux est au-délà de 3000 ppm, les condensateurs faits de telles boulettes peuvent avoir des
caractéristiques insatisfaisantes de durée de vie.
Malheureusement, la poudre de tantale a une grande affinité pour l'oxygène, et ainsi des étapes de traitement qui comprennent un chauffage et une exposition subséquente à l'air ont inévitablement pour résultat une concentration accrue d'oxygène. De la poudre de tantale de qualité électronique est normalement chauffée sous vide pour l'agglomérer partiellement. Pendant ce traitement, elle absorbe usuellement une quantité considérable d'oxygène parce que la couche de surface d'oxyde passe en solution dans le métal. La formation d'une nouvelle couche de surface lors de l'exposition à l'air ajoute alors à la teneur totale en oxygène. Pendant le traitement ultérieur de ces poudres en anodes de condensateurs, cet oxygène peut se recristalliser en tant qu'oxyde de surface et contribuer à une rupture de tension ou un fort courant de fuite du condensateur par mise en court-circuit à travers la couche diélectrique de
l'oxyde amorphe.
Comme la quantité d'oxygène absorbé sera proportionnelle à l'aire superficielle exposée, des poudres fines de hautes propriétés de capacitance sont encore plus sensibles à une réaction avec l'oxygène atmosphérique. Pour cette raison, la teneur en oxyde des poudres de tantale à grains fins est naturellement
supérieure à celle des fractions à grains plus grossiers.
Cela est particulièrement vrai pour des poudres agglomérées de tantale qui sont frittées ensemble à
partir des particules individuelles spécialement fines.
Dans ce cas, une adsorption additionnelle d'oxygène a lieu après le procédé d'agglomération thermique avec pour
conséquence une réactivation de la surface du tantale.
Les propriétés électriques de condensateurs au tantale seraient améliorées de manière marquée si la teneur en oxygène du tantale pouvait être réduite avant et/ou après
traitement en tant qu'anodes de condensateurs.
Les métaux alcalino-terreux, l'aluminium, l'yttrium, le carbone et le carbure de tantale ont tous antérieurement été mélangés à la poudre de tantale afin de désoxygéner le tantale. Cependant, il y a certains
inconvénients à cette technique. Les métaux alcalino-
terreux, l'aluminium et l'yttrium forment des oxydes réfractaires qu'il faut éliminer, par exemple par lessivage acide avant que le matériau ne soit approprié pour des condensateurs. La quantité de carbone doit être contr6lée avec soin car le carbone résiduel est également néfaste aux condensateurs, même à des niveaux n'atteignant que 50 ppm. D'autres méthodes qui ont été proposées consistent à utiliser un traitement au thiocyanate ou à utiliser un hydrocarbure ou une atmosphère réductrice pendant une partie des stades de traitement du tantale afin de prévenir l'oxydation et
ainsi de maintenir une faible teneur en oxygène.
Selon la présente invention, l'oxygène est éliminé de matériaux de tantale et/ou de niobium en accomplissant une opération de chauffage dans une atmosphère contenant de l'hydrogène gazeux en présence d'un métal plus actif à l'oxygène que le tantale. Tout matériau contenant du tantale ou du niobium peut être efficacement traité. De tels matériaux contenant du tantale et/ou du niobium peuvent typiquement contenir du tantale et du niobium métalliques ou des alliages sous toute forme, ainsi que des composés de tantale et de niobium, comme les oxydes ou hydrures, et analogues. Dans un mode de réalisation préféré, la dissolution de l'oxygène dans une poudre de tantale et/ou de niobium pendant les opérations standards de chauffage, comme une agglomération ou un frittage, est empêchée en entreprenant ces opérations dans les conditions de la présente invention. Dans un autre mode de réalisation, l'oxygène peut être éliminé de la poudre de tantale et/ou de niobium qui a été pressée en anodes en accomplissant le frittage des anodes dans une atmosphère contenant de
l'hydrogène en présence d'un métal actif à l'oxygène.
Les métaux actifs à l'oxygène appropriés sont choisis dans le groupe consistant en beryllium, calcium, cérium, hafnium, lanthane, lithium, praséodyme, scandium, thorium, titane, uranium, vanadium, yttrium, zirconium, leurs alliages comme un métal mélangé, leurs mélanges et
analogues. On préfère le titane et le zirconium.
On pense que l 'hydrogène gazeux réagit avec l'oxyde de tantale et/ou de niobium pour former de la vapeur d'eau qui est alors "dégazée" par le métal actif à l'oxygène pour former un oxyde de métal actif et de l'hydrogène. Un tel mécanisme de réaction est représenté par les équations suivantes, ou le tantale est montré comme métal qui est désoxydé et le titane est montré comme "getter" représentatif du métal actif à l'oxygène: (A) Ta205 + 5 H2-) 5 H20 +2 Ta (B) H20 + Ti > TiO + H2 Le "getter" de métal actif ne doit pas nécessairement être en contact physique avec le matériau de tantale, mais, pour les meilleurs résultats, il est de préférence situé très près du tantale. Afin de présenter la plus haute aire superficielle du métal "getter", il est préférable d'utiliser un métal "getter" sous la forme d'une éponge. Cependant, le métal "getter" peut être employé sous toute forme, comme une feuille, une éponge
ou un matériau en poudre.
Le traitement de chauffage peut être entrepris à toute température comprise entre environ 900 et environ 2400 C (environ 1173 K à environ 2673 K); la réaction de dégazage est favorisée par l'augmentation des températures. Une plage préférée de températures est
d'environ 1100 à 2000 C (environ 1373 à environ 22730K).
Pour les meilleurs résultats, il est préférable qu'un métal "getter" soit utilisé qui ait un point de fusion inférieur à la température que l'on souhaite obtenir dans le procédé de traitement thermique. Une plage de températures particulièrement préférée pour le traitement thermique de la poudre de tantale est comprise entre environ 12500 et environ 1450 C (environ 1523 K à environ 1723 K). Pour des anodes en tantale, le traitement thermique préféré est compris entre environ 1300 et environ 1550 C (environ 1573 K à environ 1823 K). Les exemples qui suivent sont donnés pour mieux illustrer l'invention. Les exemples sont destinés à illustrer la nature de l'invention sans en aucun cas en
limiter le cadre.
Processus pour la détermination de la
capacitance et de la fuite de courant continu.
(A) Fabrication de la boulette: La poudre de tantale a été comprimée dans une
presse du commerce à boulettes sans l'aide de liants.
Typiquement, la densité pressée était de 6,0 g/cc en utilisant un poids de poudre de 1,2 g et un diamètre de
6,4 mm.
(B) Frittage sous vide: Les boulettes tassées ont été frittées dans un vide poussé de moins de 0,00133 Pa pendant 30 minutes (1800 secondes) à des températures en excès de 1500 C
(1773 K).
(C) Anodisation: Les boulettes frittées ont été anodisées dans un bain de mise en forme à 90 + 2 C (363 + 2 K) à V CC. L'électrolyte était de l'acide phosphorique à 0,1%. L'allure d'anodisation a été contr8lée pour être de 1 volt par minute. Au bout de trois heures à
100 V CC, les boulettes ont été lavées et séchées.
(D) Conditions d'essai: Les anodes, après anodisation, rinçage et séchage ont d'abord été testées pour la fuite du courant continu (DCL). On a employé une solution d'acide phosphorique. Les anodes ont été immergées dans la solution d'essai Jusqu'au sommet de l'anode et la tension appropriée a été appliquée pendant 2 minutes et ensuite
on a mesuré la fuite de courant continu.
Après avoir accompli les mesures de la fuite du courant continu, les anodes formées à 200 volts ont été placées dans un plateau contenant 10% d'acide phosphorique et on leur a permis de s'imbiber pendant 30
à 45 minutes. -
Les anodes formées à 270 volts ont été lavées
pendant 3 à 5 minutes à 105 + 50C (378 + 50K) à l'air.
On les a alors imbibées dans 10%o d'acide phosphorique
pendant 30 à 45 minutes.
La capacitance a été mesurée sur l'anode immergée dans 10% d'acide phosphorique à 210C (294 K) en employant un Pont d'Essai de Capacitance Général Radio type 1611B avec un signal en courant alternatif de 0,5
volt et une polarisation en courant continu de 3 volts.
Processus pour la détermination de la
résistance de la boulette.
(A) Fabrication de l'anode: La poudre de tantale a été comprimée dans une presse du commerce sans l'aide de liants. La densité pressée était de 6,0 g/cc en utilisant un poids de poudre de 1,6 g et un diamètre et une longueur de 6,4 mm et
8,4 mm, respectivement.
(B) Essai: La boulette cylindrique est placée entre deux plaques plates avec son axe longitudinal parallèle aux plaques; une force croissant constamment est appliquée à l'une des plaques jusqu'à ce que la boulette se rompe. La force au point de rupture est enregistrée en tant que résistance à l'écrasement. La dimension du diamètre de l'anode est mesurée avant et après frittage; le pourcentage de différence étant enregistré comme Contraction. Analyse d'oxygène: L'analyse d'oxygène est faite en utilisant l'analyseur de 02 et de N2 Leco TC-30, qui est une
technique de fusion à gaz inerte.
Aire superficielle BET: L'aire superficielle totale du tantale est mesurée en utilisant un analyseur du volume des pores de l'aire superficielle de Numinco Orr (fabriqué par Numec Corporation). Les aires superficielles BET (Brunauer-Emmet-Teller) obtenues de cette manière comprennent l'aire superficielle externe ainsi que l'aire
superficielle interne due à la présence des pores.
Exemple 1.
Un équipement de tantale à six niveaux (2 cm d'espace entre les niveaux) a été employé pour supporter
les échantillons d'essai tandis qu'ils étaient traités.
L'équipement était agencé de manière que l'étagère supérieure maintienne une boulette de tantale fritté
servant de cible pour des lectures au pyromètre optique.
g d'une poudre de tantale de maille US -60, contenant 1340 ppm de 02 ont été régulièrement divisés puis étendus sur deux plateaux de tantale (lcmx4cmx5cm). Ces deux plateaux (échantillons A et B) ont alors été placés sur les seconde et troisième étagères à partir du sommet de l'équipement. Un troisième plateau de tantale a été couvert d'une feuille de zirconium (5x5cm) et placé sur la quatrième étagère en dessous des plateaux de la poudre de tantale. L'équipement, qui retenait les plateaux de tantale, a alors été abaissé à l'intérieur du four à vide de manière qu'il soit entouré par l'élément chauffant cylindrique en tantale et le blindage. Un groupe de blindages thermiques de tantale a alors été placé au-dessus des éléments chauffants de manière que l'équipement de tantale maintenant les plateaux soit totalement enfermé pour assurer une température uniforme à l'intérieur de la zone chaude du four. Le four a alors été fermé et mis sous vide Jusqu'à 1 micron et on a déterminé le taux de fuite du four. Un taux de fuite de -0,5 micron sur une période de 5 minutes a été considéré comme étant acceptable en mesurant par une jauge de McLeod. De l'énergie a alors été appliquée au four et la poudre de tantale chauffée sous vide jusqu'à 1000 à 10500C sur une période de 15 minutes. Les taux d'échauffement ont été contrôlés en augmentant l'ampérage du four à des intervalles de 2 minutes Jusqu'à ce que l'ampérage requis (usuellement 1400 ampères) soit suffisant pour atteindre 1000 à 1050 C. Des lectures de température ont été effectuées à l'oeil nu en utilisant un pyromètre optique en regardant directement sur la
boulette de tantale placée sur l'étagère supérieure.
La poudre de tantale a commencé à émettre des gaz à environ 800 C, comme cela a été mis en évidence par une augmentation de la pression dans le four, qui a été surveillée par un vacuomètre Varian dans l'avant-ligne du four. La pression du four a typiquement accru à environ microns. Au moment o l'on a atteint 1050 C, la pression du four avait commencé à diminuer. On a alors maintenu 1050 C pendant 30 minutes, ce qui a permis à la pression dans le four de diminuer à 40-60 microns en mesurant dans l'avant-ligne du four. On a noté que le vacuomètre de McLeod n'a jamais présenté une augmentation
de pression au-delà de 0,5 micron.
Après avoir terminé le cycle de maintien à 1050 C, la température du four a été graduellement accrue. Aux alentours de 1200 C, les soupapes à vide du four ont été fermées pour ainsi isoler l'intérieur du four. L'intérieur du four a alors été rempli jusqu'à une pression de 10 mm au moyen de H2. La température du four a été accrue à 1250 C et maintenue à 1250 C pendant
4 heures sous la pression de H2.
Lorsque le temps de maintien de 4 heures a été terminé, la température du four a été accrue à 1450 C sur une période de 5 minutes. On a alors maintenu à 1450 C pendant une heure, le four étant touJours à une pression de 10 mm H2. Lorsque le cycle de maintien à 1450 C a été terminé, le four a été évacué à 0,5 micron et la poudre
de tantale refroidie à température ambiante sous vide.
La poudre désoxydée de tantale de chaque plateau a été traitée séparément Jusqu'à une maille US -40 et chimiquement analysée. Le tantale de maille US -40 de chaque plateau a alors été combiné et
chimiquement analysé une seconde fois.
Conditions d'essai de désoxydation: 30 minutes à 1050 C sous vide 4 heures à 1250 C et 10 mm H2 1250-1450 C à 10 mm H2
1 heure à 1450 C et 10 mm H2.
L'analyse chimique a montré ce qui suit: teneur initiale en 02 dans la poudre de
tantale: 1340 ppm.
Suivant la désoxydation:
- 02--
Echantillon A 1085 ppm Echantillon B 1095 ppm Composite de l'échantillon A et de l'échantillon B 1095 ppm Le traitement de désoxydation appliqué aux échantillons A et B a eu pour résultat une diminution significative de la teneur en 02 Un traitement thermique sous vide standard de la même poudre de tantale a eu pour résultat une augmentation de la teneur en poudre de 0 2 de
300-500 ppm.
Exemple 2.
On a désoxydé 70 g de poudre de tantale (la même charge alimentaire que celle utilisée à l'exemple 1) avec H2 gazeux en présence d'une bande de zirconium. Le processus utilisé pour charger l'équipement du four et vérifier la fuite du four était le même qu'utilisé à l'exemple 1. La poudre de tantale a été chauffée sous vide à 1050 C et maintenue pendant 30 minutes jusqu'à ce que le dégazage de la poudre soit terminé et que la pression du four ait diminué à 40-60 microns en mesurant
à la ligne avant du four.
Après avoir terminé le cycle de dégazage et à 1050 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli à 10 mm de pression avec H2. La température du four a alors été accrue à 1250 C sur une période de 9 minutes. Lorsque l'on a atteint 1250 C, cette température a été maintenue pendant 4 heures. Lorsque le temps de maintien de 4 heures a été terminé, le four a été évacué à 0,5 micron. La température du four a alors été accrue à 1450 C et maintenue à cette température pendant 30 minutes. Lorsque le cycle à 1450 C a été terminée, la puissance du four a été arrêtée et la poudre de tantale refroidie à température ambiante sous vide. La poudre de tantale a été traitée de la même manière qu'à l'exemple 1. Conditions d'essai de désoxydation: minutes à 1050 C sous vide 4 heures à 1250 C à 10 mm H2 1250-1450 C sous vide minutes à 1450 C sous vide L'analyse chimique a montré ce qui suit: Teneur initiale en 0 2 dans la poudre de tantale: 1340 ppm A la suite de la désoxydation:
- 102-
Echantillon C 1310 ppm Echantillon D 1335 ppm Composite de l'échantillon C et de l'échantillon D 1335 ppm Le traitement de désoxydation des échantillons C et D a accompli la prévention de l'absorption de 02 par les poudres de Ta. Un traitement thermique similaire des mêmes poudres de Ta en utilisant des conditions standards de vide a eu pour résultat une augmentation de la teneur
en 02 de la poudre de 300-500 ppm.
Exemple 3.
On a désoxydé 70 g de poudre de tantale (la même charge alimentaire que celle utilisée à l'exemple 1) avec H2 gazeux en présence d'une bande de titane en tant qu'agent de dégazage. Le processus utilisé pour charger l'équipement dans le four et vérifier la fuite du four a
été le même qu'utilisé à l'exemple 1.
La poudre de tantale a été chauffée sous vide à 1050 C et maintenue pendant 30 minutes sous vide Jusqu'à ce que le dégazage de la poudre soit terminé. A 1055 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli de H2 Jusqu'à 10 mm de pression. La température du
four a été accrue à 1250 C sur une période de 9 minutes.
Lorsque l'on a atteint 1250 C, cette température a été maintenue pendant 2 heures. Lorsque le temps de maintien de 2 heures a été terminé, le four a été évacué à 0,5 micron. La température du four a alors été accrue à 1450 C et maintenue à cette température pendant 30 minutes. Lorsque le cycle à 1450 C a été terminé, la puissance du four a été arrêtée et la poudre de tantale refroidie à température ambiante sous vide. La poudre de tantale a été traitée de la même manière qu'à
l'exemple 1.
Conditions de l'essai de désoxydation: minutes à 1050 C sous vide 2 heures à 1250 C à 10 mm H2 1250-1450 C sous vide minutes à 1450 C sous vide L'analyse chimique a montré ce qui suit: Teneur initiale en 0 2 dans la poudre de
tantale: 1340 ppm.
A la suite de la désoxydation: -Echantillon E1425 ppm Echantillon F 1445 ppm Composite de l'chantillon F 1445 ppm Composite de l'échantillon E et de l'échantillon F 1455 ppm Le traitement de désoxydation des échantillons E et F a eu pour résultat une absorption minimale de 02 en comparaison avec une absorption de 02 de 300 à 500 ppm
en conditions de traitement thermique sous vide standard.
Exemple 4.
On a désoxydé 70 g d'une poudre de tantale de maille US -60 contenant 1625 ppm de 02 avec H2 gazeux en présence d'une bande de zirconium en tant qu'agent de dégazage. Le processus utilisé pour charger l'équipement du four et vérifier la fuite du four était le même qu'utilisé à l'exemple 1. La poudre de tantale a été chauffée sous vide à 900 C et maintenue à cette température jusqu'à ce que l'évidence du dégazage soit
26 1 1368
terminée. A 1160 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli Jusqu'à 10 mm de pression par H2. La température du four a été accrue à 1250 C en 6 minutes. A 1250 C, la température du four a été graduellement accrue sur une période d'une heure jusqu'à 1450 C. Lorsque l'on a atteint 1450 C, le four a été
évacué Jusqu'à 0,5 micron et l'énergie du four arrêtée.
La poudre de tantale a été refroidie à température ambiante sous vide et traitée de la même manière qu'à
l'exemple 1.
Conditions d'essai de désoxydation: dégazer la poudre sous vide à 9001000 C sous vide chauffer une heure à raison de 1250-1450 C
à 10 mm H2.
L'analyse chimique a montré ce qui suit: Teneur initiale en 02 dans la poudre de
tantale: 1625 ppm.
A la suite de la désoxydation:
- 2-
Echantillon G 1630 ppm Echantillon H 1635 ppm
Composite des échantillons G et H 1640 ppm.
Le traitement thermique de désoxydation des échantillons G et H a eu pour résultat que la teneur en
02 dans la poudre est restée essentiellement inchangée.
Un traitement thermique sous vide standard de cette poudre de haute surface a eu pour résultat une absorption
de 02 de 300 à 500 ppm.
Exemple 5.
On a désoxydé 70 g de la poudre de tantale (la même charge alimentaire qu'à l'exemple 4) avec H2 en présence d'une bande de titane en tant qu'agent de dégazage. Le processus utilisé pour charger l'équipement du four et vérifier la fuite du four était le même qu'utilisé à l'exemple 1. La poudre de tantale a été chauffée sous vide à 900 C et maintenue à cette température Jusqu'à ce que l'évidence de dégazage soit terminée. A 1200 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli à 10 mm de pression par H2. A 1250 C, la température du four a été graduellement accrue sur une période de 3 heures jusqu'à 1450 C. Lorsque 14500C ont été atteints, le four a été évacué à 0,5 micron et l'énergie du four arrêtée. La poudre de tantale a été refroidie à température ambiante sous vide et traitée à une maille US -40. La poudre de tantale des échantillons I et J a été combinée et analysée chimiquement. Conditions d'essai de désoxydation: dégazer poudre sous vide à 900-1000 C chauffer 3 heures à raison de 1250-1450 C
à 10 mm H2.
L'analyse chimique a montré ce qui suit: Teneur initiale en 02 dans la poudre de
tantale: 1625 ppm.
- 02 Composite de l'échantillon I et de l'échantillon J 1370 ppm Les conditions de désoxydation comprenant une extension dans le temps de la rampe de température de 1250 à 1450 C ont eu pour résultat une plus ample diminution de la teneur en 02 dans les poudres de tantale.
Exemple 6.
On a désoxydé 60 g de poudre de tantale (la même charge alimentaire que celle utilisée à l'exemple 4) avec H2 gazeux en présence d'une éponge de titane en tant qu'agent de dégazage. L'éponge de titane a été dégazée sous vide à 8000C dans un four séparé avant son utilisation comme agent de dégazage. Le processus utilisé pour désoxyder la poudre de tantale, c'est-à-dire introduction de l'équipement dans le four et vérification de la fuite du four, était identique à l'exemple 1 à l'exception que l'éponge de titane a été utilisée au lieu de la bande de titane. La poudre de tantale a été chauffée sous vide à 900 C et maintenue à cette
température Jusqu'à l'évidence du dégazage soit complète.
A 1150 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli à une pression de 10 mm par H2. A 1250 C, la température du four a été graduellement accrue sur une période de 3 heures Jusqu'à 1450 C. Lorsque 1450 C ont été atteints, cette température a été maintenue pendant 1 heure supplémentaire. Lorsque le temps de maintien de 1 heure a été terminé, le four a été évacué à 0,5 micron et l'énergie du four arrêtée. La poudre de tantale a été refroidie à température ambiante sous vide et traitée à une maille US -40. La poudre de tantale des échantillons
K et L a été combinée et chimiquement analysée.
Conditions d'essai de désoxydation: dégazer sous vide à 900-1000 C chauffer 3 heures à raison de 1250-1450 C à 10 mm H2
1 heure à 1450 C à 10 mm H2.
L'analyse chimique a montré ce qui suit: teneur initiale en 02 dans la poudre de
tantale: 1625 ppm.
- 2 -
Composite de l'échantillon K et l'échantillon L 1430 ppm On a pu montrer que l'éponge de titane était un agent efficace de dégazage, en tant que partie du présent mécanisme de désoxydation pour traiter une poudre de tantale.
26 1 1368
Exemple 7.
Pour démontrer l'efficacité du présent procédé de désoxydation pour le traitement du tantale après l'avoir mis en forme d'anodes, deux échantillons de poudre de tantale ont été comprimés en boulettes dans une presse du commerce. Un groupe de ces boulettes d'anodes a alors été fritté sous un vide poussé standard de 0,133 Pa
pendant 30 minutes à des températures au-delà de 1500 C.
Un second groupe d'anodes a alors été fritté sous 10 mm H2 en présence de Zr métallique. Comme le montre le tableau qui suit, la diminution de la teneur en oxygène a été accomplie pendant le frittage de l'anode, sans effet significatif sur les propriétés électriques, en utilisant le traitement de la présente invention, tandis qu'une augmentation significative de la teneur en oxygène a été
notée après traitement de frittage standard sous vide.
Poudre de tantale 02 initial 1580 ppm Témoin Echantillon M
anodes frittées Anodes dés-
sous vide oxydées à H2
1560 C 1650 C 1560 C
x30 minutes x30 minutes x30 minutes Capacitance (pFV/g) 12050 9220 9470
DCL (nA/,uFV) 0,35 0,12 0,13 Contraction, % diamètre 2,0 4,1 4,3 Densité
frittée 5,1 5,7 5,5 02 (ppm) 1920 1925 1170 N2 (ppm) 65 40 30
Exemple 8.
Cet exemple illustre de plus que les propriétés électriques des anodes ne sont pas affectées de manière néfaste à un degré marqué par le traitement de désoxydation qui est appliqué à la poudre de tantale utilisée pour produire les anodes. Deux échantillons du même matériau de poudre de tantale (teneur initiale en 02 de 1280 ppm) ont été individuellement traités thermiquement. L'échantillon témoin a été traité thermiquement en conditions de vide standard puis pressé en anodes et fritté. L'autre échantillon a été traité thermiquement en utilisant le procédé de désoxydation de la présente invention puis pressé en anodes et fritté de la même manière que l'échantillon témoin. Comme cela est rapporté cidessous, l'échantillon témoin a absorbé 435 ppm de 02 pendant le traitement, tandis que l'échantillon traité selon la présente invention a présenté une augmentation de sa teneur en 02 qui n'était que de 135 ppm. Poudre de tantale 02 initial 1280 ppm Témoin Echantillon N
Traitement 1475 Cx30 minutes 1250OCx120 mi-
thermique sous vide nutes sous H2
1450 Cx30 mi-
nutes sous vide Teneur en O2 (ppm) 1715 1385 Anode pressée à 6,25g/cc pressée à préparation frittée à 1595 C 6,25g/cc - frittée à
x30 minutes 1595oCx30 minu-
tes Propriétés électriques Capacitance (pFV/g) 10852 10760 contraction diamètre (%) 2,6 2,6 Fuite courant continu (DCL) (nA/pFV) 0,24 0,36 Résistance à écrasement (kg) ? 22,7 21,3 Aire superficielle BET (m2/g) 0, 21 0,19
Exemple 9.
Cet exemple démontre de plus l'efficacité de la désoxydation de la poudre de tantale après l'avoir formée en anodes. 275 anodes (poids total 23 g), représentant quatre groupes différents d'anodes à une teneur en 02 variable, ont été placées dans deux plateaux de tantale et chargées dans un four à vide comme précédemment décrit à l'exemple 1. Un morceau de feuille de zirconium, placé au sommet d'un troisième plateau de tantale, a été également placé à l'intérieur de la zone chaude du four
selon l'exemple 1.
Les anodes en tantale ont été chauffées sous vide à 1200 C. A cette température, les soupapes à vide du four ont été fermées et le four rempli à 200 mm de pression avec H2. La température du four a alors été accrue à 1500 C sur une période de 9 minutes. Lorsque l'on a atteint 1500 C, cette température a été maintenue pendant 60 minutes. Lorsque le cycle à 1500 C a été terminé, l'énergie du four a été arrêtée et les anodes en tantale ont été refroidies à température ambiante sous vide. L'analyse chimique des anodes avant et après désoxydation est montrée ci- dessous: Groupe d'anodes Niveau 02 Niveau 02 initial désoxydé No. (ppm) (ppm)
2 2200 1115
4 2200 895
2800 895
8 3600 1040
Exemple 10.
Une expérience similaire à celle décrite à l'exemple 9 a également été effectuée à 1400 C pendant 60
minutes à 20 mm de H2 en présence d'une feuille de Zr.
Des réductions similaires de la teneur en 02 des anodes
ont également été accomplies comme montré ci-dessous.
Groupe d'anodes Niveau initial Niveau de 02 No. de 02 (ppm) désoxydé (ppm)
2 2200 1345
4 2200 935
2800 955
8 3600 955
Exemple 11.
1,362 kg d'une poudre d'hydrure de tantale ont été régulièrement distribués dans trois plateaux de tantale et chargés dans un four à vide qui contenait
également Zr métallique en tant qu'agent de dégazage.
L'hydrure de tantale, qui contenait 1140 ppm de 02' a été chauffé sous vide à 1000 C pour permettre l'élimination -de H2 chimiquement lié. Lorsque cela a été accompli comme mis en évidence par le manque de dégazage de la poudre de tantale, la température du four a été accrue à 1200 C. A 1200 C, les soupapes à vide du four ont été fermées et la chambre du four remplie jusqu'à une pression de 20 mm de H2. On a permis à la température du four d'augmenter à 1250 C que l'on a maintenue pendant 60 minutes. Lorsque le cycle de maintien de 60 minutes a été terminé, du vide a été formé dans la chambre du four pour supprimer H2
gazeux et l'énergie des éléments du four a été arrêtée.
Le four a alors été rempli de gaz argon pour permettre à la chambre du four et à la poudre de tantale d'atteindre
la température ambiante.
La surface de la poudre de tantale placée dans chaque plateau a été enlevée et analysée séparément de la masse du restant de la poudre de tantale. L'analyse de la surface de la poudre et de la masse des échantillons est montrée. Masse 02 désoxydé (ppm) Plateau 1 1140 Plateau 2 1185 Plateau 3 1155 Surface composite 1145 La poudre désoxydée ci- dessus a alors reçu un second traitement de désoxydation à 1450 C x 60 minutes à mm H2. La poudre de tantale a été chargée dans le four en même temps que Zr métallique comme on l'a précédemment décrit. La poudre a été chauffée à 1250 C sous vide. A 1250 C, la chambre du four a été isolée et remplie à mm H2. La température du four a alors été accrue à 1450 C et maintenue à cette température pendant minutes. La surface de la poudre de tantale a été échantillonnée et analysée ainsi que la masse de la
poudre de chaque plateau.
Masse 02 désoxydé (ppm) Plateau 1 1495 Plateau 2 1340 Plateau 3 1340 Surface composite 1075 Les données montrent qu'un double traitement thermique de la poudre de tantale en présence de H2 gazeux et d'un agent métallique de dégazage ont aidé à contrôler l'augmentation de la teneur en 02 dans les poudres.
Exemple 12.
Comme autre exemple du contr8le de 02 pendant le traitement thermique de la poudre de tantale, on a effectué une comparaison entre le traitement thermique de la même poudre de tantale sous vide en fonction d'une désoxydation avec H2. On a traité thermiquement sous vide environ 100 g de poudre de tantale contenant à l'origine 950 ppm de 02 à 1100 C pendant 6 heures. L'analyse chimique de la poudre a montré que sa teneur en 02 avait augmenté à 1535 ppm de 02. Une poudre de tantale du même type et à la même quantité a également été traitée thermiquement à 1100 C pendant 6 heures à une pression de mm de H2 et en présence d'environ 10 g d'une bande de Zr. Cette poudre de tantale a présenté une plus faible augmentation de 02 de 1360-1410 ppm, indiquant que les augmentations de 02 étaient réduites grâce aux conditions
de désoxydation avec H2.
Claims (7)
1. Procédé pour la réduction de la teneur en oxygène dans un matériau de tantale et/ou de niobium, caractérisé en ce qu'il consiste à chauffer ledit matériau à une température comprise entre environ 900 et environ 2400 C sous une atmosphère contenant de l'hydrogène en présence d'un métal actif à l'oxygène choisi dans le groupe consistant en beryllium, calcium, cérium, hafnium, lanthane, lithium, praséodyme, scandium, thorium, titane, uranium, vanadium, yttrium,
zirconium, leurs alliages et mélanges, et analogues.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de tantale et/ou de niobium est chauffé à une température comprise entre
environ 1100 et environ 2000 C.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal actif à l'oxygène est du
titane, du zirconium ou leurs mélanges.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de tantale est une
poudre de tantale.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la poudre de tantale est chauffée à une température comprise entre environ 1250 et environ
1450 C.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de tantale a la forme
d'anodes en tantale.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les anodes en tantale sont chauffées à une température comprise entre environ 1300
et environ 1550 C.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/020,111 US4722756A (en) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | Method for deoxidizing tantalum material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2611368A1 true FR2611368A1 (fr) | 1988-09-02 |
| FR2611368B1 FR2611368B1 (fr) | 1990-08-10 |
Family
ID=21796815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR878715110A Expired - Fee Related FR2611368B1 (fr) | 1987-02-27 | 1987-10-30 | Procede de desoxydation d'un materiau de tantale |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4722756A (fr) |
| JP (1) | JPS63216901A (fr) |
| DE (1) | DE3737016A1 (fr) |
| ES (1) | ES2006217A6 (fr) |
| FR (1) | FR2611368B1 (fr) |
| GB (1) | GB2201427B (fr) |
Families Citing this family (83)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3712281A1 (de) * | 1987-04-10 | 1988-10-27 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug |
| JPH01310527A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タンタル焼結体の製造方法 |
| US4923531A (en) * | 1988-09-23 | 1990-05-08 | Rmi Company | Deoxidation of titanium and similar metals using a deoxidant in a molten metal carrier |
| US5022935A (en) * | 1988-09-23 | 1991-06-11 | Rmi Titanium Company | Deoxidation of a refractory metal |
| ES2020131A6 (es) * | 1989-06-26 | 1991-07-16 | Cabot Corp | Procedimiento para la produccion de polvos de tantalo, niobio y sus aleaciones. |
| US5242481A (en) * | 1989-06-26 | 1993-09-07 | Cabot Corporation | Method of making powders and products of tantalum and niobium |
| US4960471A (en) * | 1989-09-26 | 1990-10-02 | Cabot Corporation | Controlling the oxygen content in tantalum material |
| US4964906A (en) * | 1989-09-26 | 1990-10-23 | Fife James A | Method for controlling the oxygen content of tantalum material |
| US5011742A (en) * | 1989-09-26 | 1991-04-30 | Fife James A | Article for controlling the oxygen content in tantalum material |
| US5284531A (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-08 | Cabot Corporation | Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof |
| DE69516556T2 (de) * | 1994-01-26 | 2000-09-07 | H.C. Starck, Inc. | Verfahren zum Nitrieren von Tantalpulver |
| US5993513A (en) * | 1996-04-05 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Method for controlling the oxygen content in valve metal materials |
| US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US5869196A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Composite Material Technology, Inc. | Constrained filament electrolytic anode and process of fabrication |
| US6051326A (en) | 1997-04-26 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Valve metal compositions and method |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6171363B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
| WO2000067936A1 (fr) * | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Poudres metalliques obtenues par reduction d'oxides au moyen de magnesium gazeux |
| DE19831280A1 (de) * | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
| US6462934B2 (en) | 1998-09-16 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| US6416730B1 (en) † | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6391275B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-05-21 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| US6322912B1 (en) | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
| MXPA01009477A (es) * | 1999-03-19 | 2002-06-04 | Cabot Corp | Elaboracion de polvo de niobio y de otros metales mediante molienda. |
| US6558447B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
| US6375704B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
| US6521173B2 (en) * | 1999-08-19 | 2003-02-18 | H.C. Starck, Inc. | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy |
| US6261337B1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-07-17 | Prabhat Kumar | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy |
| US6576099B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Oxygen reduced niobium oxides |
| JP2002060803A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-28 | Showa Kyabotto Super Metal Kk | 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法 |
| WO2002015208A1 (fr) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Showa Denko K.K. | Poudre de niobium, agglomere correspondant, et condensateur utilisant ceux-ci |
| DE10044450C1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-01-17 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für Kondensatoren und zur Herstellung eines Kondensators |
| JP2002093666A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Showa Denko Kk | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
| PT1334498E (pt) * | 2000-11-06 | 2006-12-29 | Cabot Corp | Oxidos de metais de valvula modificados com reduzido teor de oxigenio |
| US6447570B1 (en) | 2000-11-30 | 2002-09-10 | Vishay Sprague, Inc. | Sintered Tantalum and Niobium capacitor pellets doped with Nitrogen, and method of making the same |
| US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
| GB2410251B8 (en) * | 2002-03-12 | 2018-07-25 | Starck H C Gmbh | Valve metal powders and process for producing them |
| DE10307716B4 (de) | 2002-03-12 | 2021-11-18 | Taniobis Gmbh | Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung |
| US7655214B2 (en) * | 2003-02-26 | 2010-02-02 | Cabot Corporation | Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods |
| US7445679B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| JP4773355B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2011-09-14 | キャボット コーポレイション | ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法 |
| PT1505611E (pt) * | 2003-07-22 | 2012-01-12 | Starck H C Gmbh | Método para a produção de condensadores |
| CA2533534C (fr) * | 2003-07-24 | 2013-03-19 | Tecomet, Inc. | Mousses non aleatoires assemblees |
| US20050225927A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Tagusagawa Solon Y | Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom |
| US20080011124A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-01-17 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Deoxidation of Valve Metal Powders |
| SE0402439L (sv) * | 2004-10-07 | 2006-02-28 | Sandvik Intellectual Property | Metod för att kontrollera syrehalten i ett pulver och metod att framställa en kropp av metallpulver |
| DE102004049039B4 (de) * | 2004-10-08 | 2009-05-07 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung feinteiliger Ventilmetallpulver |
| WO2006057455A1 (fr) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Showa Denko K.K. | Corps d’anode poreuse pour condensateur électrolytique solide, procédé de fabrication idoine et condensateur électrolytique solide |
| EP1880036A2 (fr) * | 2005-05-05 | 2008-01-23 | H.C. Starck GmbH | Procede de revetement utilise dans la fabrication ou le retraitement de cibles de pulverisation et d'anodes a rayons x |
| US8802191B2 (en) * | 2005-05-05 | 2014-08-12 | H. C. Starck Gmbh | Method for coating a substrate surface and coated product |
| US7099143B1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-08-29 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitors |
| WO2007020464A1 (fr) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Avx Limited | Condensateurs à semi-conducteurs et leur procédé de fabrication |
| GB0517952D0 (en) * | 2005-09-02 | 2005-10-12 | Avx Ltd | Method of forming anode bodies for solid state capacitors |
| US7480130B2 (en) * | 2006-03-09 | 2009-01-20 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor |
| US7511943B2 (en) * | 2006-03-09 | 2009-03-31 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating |
| US20080078268A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
| EP2104753B1 (fr) * | 2006-11-07 | 2014-07-02 | H.C. Starck GmbH | Procédé pour recouvrir un substrat, et produit recouvert |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| BRPI0814081A2 (pt) * | 2007-07-18 | 2015-02-03 | Cabot Corp | Óxidos de nióbio de alta voltagem e capacitores contendo os mesmos |
| CN101808770A (zh) * | 2007-10-15 | 2010-08-18 | 高温特殊金属公司 | 利用回收的废料作为源材料制备钽粉末的方法 |
| US7760487B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes |
| US7852615B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-12-14 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound |
| US7760488B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor |
| US7768773B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-08-03 | Avx Corporation | Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US8043655B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-10-25 | H.C. Starck, Inc. | Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes |
| US8203827B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-06-19 | Avx Corporation | Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment |
| CN101491834B (zh) * | 2009-03-05 | 2012-06-20 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 钽粉的制备方法 |
| CN101633497B (zh) * | 2009-08-18 | 2010-12-29 | 石明生 | 一种氮化钒生产方法 |
| US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| DE102013206603A1 (de) | 2013-04-12 | 2014-10-16 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von sauerstoffarmen Ventilmetallsinterkörpern mit hoher Oberfläche |
| USRE48439E1 (en) | 2013-09-06 | 2021-02-16 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| US9633796B2 (en) | 2013-09-06 | 2017-04-25 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| US9312075B1 (en) * | 2013-09-06 | 2016-04-12 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| US9896384B2 (en) | 2014-06-17 | 2018-02-20 | University Of Utah Research Foundation | Methods of sintering dense zeta-phase tantalum carbide |
| US10192688B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-01-29 | Composite Material Technology, Inc. | Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes |
| WO2018045339A1 (fr) | 2016-09-01 | 2018-03-08 | Composite Materials Technology, Inc. | Revêtement de si nanométrique/nanostructuré sur substrat métallique de valve pour anodes de lib |
| DE102016011098A1 (de) | 2016-09-15 | 2018-03-15 | H.C. Starck Tantalum and Niobium GmbH | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen mittels 3D-Druck |
| CN110116992A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-08-13 | 上海电力学院 | 一种钠离子电池电极材料二硒化铌的制备方法和应用 |
| CN114888291B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-05-26 | 西北有色金属研究院 | 一种提高粉末冶金高钨钽合金塑性的方法 |
| US12482610B2 (en) | 2022-06-02 | 2025-11-25 | Kemet Electronics Corporation | Method of producing a tantalum capacitor anode |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1220688A (fr) * | 1958-04-24 | 1960-05-27 | Ciba Geigy | Procédé d'élaboration de niobium et de tantale pauvres en oxygène |
| FR1339148A (fr) * | 1962-11-08 | 1963-10-04 | Ciba Geigy | Procédé pour la réduction de pentachlorure de tantale ou de niobium dans un courant d'hydrogène et de plasma |
| US3188200A (en) * | 1962-05-21 | 1965-06-08 | Wyandotte Chemicals Corp | Method of purifying refractory metals |
| US3697255A (en) * | 1970-11-17 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Scrap tantalum reclamation process |
| US4508563A (en) * | 1984-03-19 | 1985-04-02 | Sprague Electric Company | Reducing the oxygen content of tantalum |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB354785A (en) * | 1930-05-10 | 1931-08-10 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in the manufacture of refractory metals such as tungsten |
| BE510568A (fr) * | 1951-04-09 | |||
| GB735085A (en) * | 1952-08-28 | 1955-08-10 | Westinghouse Electric Int Co | Improvements in or relating to the purification of refractory metals and alloys thereof |
| GB1247410A (en) * | 1968-05-25 | 1971-09-22 | Metallgesellschaft Ag | Process for removing oxygen from a shaped part of a heat-resisting metallic material |
| GB1219748A (en) * | 1969-06-13 | 1971-01-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Producing niobium or tantalum powder |
| US4141719A (en) * | 1977-05-31 | 1979-02-27 | Fansteel Inc. | Tantalum metal powder |
| DE3130392C2 (de) * | 1981-07-31 | 1985-10-17 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden |
| DE3309891A1 (de) * | 1983-03-18 | 1984-10-31 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren |
| US4555268A (en) * | 1984-12-18 | 1985-11-26 | Cabot Corporation | Method for improving handling properties of a flaked tantalum powder composition |
-
1987
- 1987-02-27 US US07/020,111 patent/US4722756A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-21 GB GB8724625A patent/GB2201427B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-30 JP JP62275600A patent/JPS63216901A/ja active Granted
- 1987-10-30 ES ES8703108A patent/ES2006217A6/es not_active Expired
- 1987-10-30 FR FR878715110A patent/FR2611368B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-31 DE DE19873737016 patent/DE3737016A1/de active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1220688A (fr) * | 1958-04-24 | 1960-05-27 | Ciba Geigy | Procédé d'élaboration de niobium et de tantale pauvres en oxygène |
| US3188200A (en) * | 1962-05-21 | 1965-06-08 | Wyandotte Chemicals Corp | Method of purifying refractory metals |
| FR1339148A (fr) * | 1962-11-08 | 1963-10-04 | Ciba Geigy | Procédé pour la réduction de pentachlorure de tantale ou de niobium dans un courant d'hydrogène et de plasma |
| US3697255A (en) * | 1970-11-17 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Scrap tantalum reclamation process |
| US4508563A (en) * | 1984-03-19 | 1985-04-02 | Sprague Electric Company | Reducing the oxygen content of tantalum |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2006217A6 (es) | 1989-04-16 |
| DE3737016A1 (de) | 1988-09-08 |
| US4722756A (en) | 1988-02-02 |
| JPS63216901A (ja) | 1988-09-09 |
| DE3737016C2 (fr) | 1992-04-23 |
| GB2201427B (en) | 1990-09-19 |
| FR2611368B1 (fr) | 1990-08-10 |
| JPH0236641B2 (fr) | 1990-08-20 |
| GB8724625D0 (en) | 1987-11-25 |
| GB2201427A (en) | 1988-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2611368A1 (fr) | Procede de desoxydation d'un materiau de tantale | |
| FR2652288A1 (fr) | Controle de la teneur en oxygene dans un materiau de tantale. | |
| RU2230031C2 (ru) | Способ частичного восстановления оксида металла и оксид металла с пониженным содержанием кислорода | |
| FR2652289A1 (fr) | Procede pour controler la teneur en oxygene dans un materiau de tantale. | |
| RU2232720C2 (ru) | Способ частичного восстановления оксида ниобия, оксид ниобия с пониженным содержанием кислорода, конденсатор с оксидом ниобия и способ изготовления анода конденсатора | |
| US4141719A (en) | Tantalum metal powder | |
| RU2282264C2 (ru) | Способ получения оксида ниобия | |
| FR2574688A1 (fr) | Procede pour ameliorer les proprietes de manipulation d'une composition de poudre de tantale en flocons | |
| JP2001135552A (ja) | 弁作用金属粉体２次粒子の製造方法、固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法および連続焼結装置 | |
| JPS6115124B2 (fr) | ||
| JP2000508378A (ja) | バルブ金属材中の酸素含有率を下げる方法 | |
| IL163104A (en) | Process for making nibium suboxide | |
| MX2007003961A (es) | Proceso para la produccion de polvos de metal de valvula. | |
| MX2010007621A (es) | Particulas de metal valvula y metodo para su preparacion. | |
| US7135141B2 (en) | Method of manufacturing a sintered body | |
| US5011742A (en) | Article for controlling the oxygen content in tantalum material | |
| US7485256B2 (en) | Method of forming sintered valve metal material | |
| EP2939761B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un produit granulé à base de niobium, procédé de fabrication d'un corps fritté, procédé de fabrication d'un corps de conversion chimique pour électrode positive de condensateur et procédé de fabrication d'un condensateur | |
| EP1380660B1 (fr) | Procede de preparation d'un materiau platine renforcee | |
| US20140127068A1 (en) | Production of metal or alloy objects | |
| TWI266661B (en) | Niobium powder and solid electrolytic capacitor | |
| CH601467A5 (en) | Dispersion strengthened metals | |
| BE566272A (fr) | ||
| HK1218434A1 (zh) | 制造具有大表面积的低氧阀金属烧结体的方法 | |
| JPH10195503A (ja) | 水素吸蔵合金の安定化処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |